TWI377572B - - Google Patents

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TWI377572B
TWI377572B TW094112894A TW94112894A TWI377572B TW I377572 B TWI377572 B TW I377572B TW 094112894 A TW094112894 A TW 094112894A TW 94112894 A TW94112894 A TW 94112894A TW I377572 B TWI377572 B TW I377572B
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recording layer
optical
recording medium
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Yoshihiro Noda
Shigeyuki Furomoto
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Mitsubishi Kagaku Media Co Ltd
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Description

1377572 (1) 九、發明說明 【發明所屬技術領域】 ' 本發明係關於光記錄媒體，更詳言之，係關於具有至 \ 少雙層記錄層之光記錄媒體。 【先前技術】 在目前’ CD-R，CD-RW，M0等之各種光記錄媒體， 可記憶大谷量資訊，爲使隨機存取谷易起見*在電腦等資 訊處理裝置中作爲外部記憶裝置廣爲所知並已普及化。各 種光記錄媒體之中以CD-R，DVD-R，DVD + R等，具有含 有機色素之記錄層的光記錄媒體爲比較廉價，且，因具有 與再生專用之光磁碟之互換性，故廣被使用。例如具有含 有機色素之記錄層的代表性CD-R等，係在透明磁碟基板 上依順序具有含色素記錄層與反射層，具有可覆蓋該等記 錄層或反射層之保護層的層合構造，通過基板以雷射光進 φ 行記錄再生》 爲使該等光記錄媒體之記錄容量更大容量化起見之手 段之一，係在1片媒體之記錄層爲複數，可例舉例如2層 之設置。又，在此情形，爲使2層記錄層由單面可進行記 錄•再生之方式，在便利性上爲所期望。而爲因應此種期 望，本發明人在磁碟狀之透明第1基板上，關於含有色素 之第1記錄層，半透明之第1反射層，中間樹脂層，含色 素之第2記錄層，第2反射層，黏接層及第2基板，依此 順序具有之光記錄媒體而提出專利申請（專利文獻1)。藉 (2) 1377572 此，藉由自具有雙層記錄層之光記錄媒體之單面側在第1 記錄層及第2記錄層可進行資訊之記錄，即使在再生時， _ · 在雙層（dual layer )型式之光記錄媒體方面，亦可自單 . 面側來讀取信號。 [專利文獻1]日本特開2003-331463號公報 【發明內容】 φ [發明之揭示] [發明欲解決之課題] 但是，專利文獻1所記載之具有雙層記錄層之光記錄 媒體使資訊記錄之情形，自第1基板側入射之光射束之功 率因半透明之第1反射層之存在等而被一分爲二，而分配 於第1記錄層之記錄與第2記錄層之記錄。因此，在第2 記錄層，藉由被衰減之光射束之功率來進行資訊之記錄， 故會有記錄特性易於降低之問題。 Φ 本發明係，以如此方式，在檢討具有雙層記錄層之光 記錄媒體記錄特性之際爲解決此問題而完成者。 亦即，本發明之目的係提供一種可改良第2層記錄層 之記錄特性之光記錄媒體。 [解決課題之手段] 爲解決該等課題，在本發明，係在第2層記錄層，使 用相對於入射光爲高感度之色素。 亦即，根據本發明係提供，在具有，因光可使資訊之 -6 - (3) 1377572 記錄再生之第1記錄層與至少一個之第2記錄層 錄媒體中，含於第2記錄層之色素之光學密度， 射側爲最近之第1記錄層所含色素之光學密度更 . 徵之光記錄媒體。 本發明可適用之光記錄媒體中，以如此方式 第2記錄層之色素之光學密度比含於第1記錄層 光學密度更大，而可使第1記錄層與第2記錄層 φ 之感度差限制於適切的範圍。 第1記錄層與第2記錄層間所產生此種感度 範圍方面，藉由後述「實驗例」中詳述的測定方 之記錄功率之比（（第2記錄層之記錄功率）/(第1 記錄功率））爲〇 . 7以上，以比1 .1 6更小爲佳。使 此範圍，而在第1記錄層及第2記錄層中，並無 條件之過度調整而可進行記錄，結果，就該等之 獲得良好顫動（jitter)特性。 # 在此，含於第2記錄層之色素之光學密度以 上，0.015以下爲佳。在照射於光記錄媒體之光 密度，在上述之範圍含有色素，而可使對於雷射 記錄層之感度充分提升，又，亦可抑制反射率之 又，含於第2記錄層之色素之光學密度，以 記錄層之色素光學密度之1.3倍以上爲佳。 又，本發明可適用之光記錄媒體中，第2記 度以50nm以上200nm以下爲佳。 進而，在設於第1記錄層與第2記錄層間之 ，之光記 比於光入 大爲其特 ，使含於 之色素之 間所產生 差之適切 法所求得 記錄層之 感度差在 進行記錄 記錄層可 0.005 以 中的光學 光之第2 降低。 含於第1 錄層之厚 半透明反 (5) 1377572 之記錄功率（p 1 )與，設於比記錄光入射側較遠側之第2記 錄層使資訊記錄之記錄功率（P2)，之比（P2)/(P1)爲不足 ' 1.16之方式，使第2記錄層，在含於第1記錄層之色素之 . 記錄光中含有具有光學密度更大之光學密度的含鎳偶氮色 素爲其特徵之光記錄媒體。 在此，含於第2記錄層之含鎳偶氮色素之光學密度， 比含於第1記錄層色素之光學密度更大1.05倍以上爲 • 佳。 另外，光學密度（OD: Optical Density)係，將記錄層 所用之色素之氯仿溶液或甲醇溶液（濃度5mg/l)，各自裝 入光路長（optical length) 10mm之晶格（cell)，使用 光學密度計在波長800nm〜波長400nm之範圍中使用測 定之透過光量（I!)，由下述關係式所求得（吸收光譜）。實 際上，通常係在分光光度計中，一面掃瞄波長，一面可獲 得相對於波長之光學密度之測定値。 ❿ OD = Iabs = -l〇g(Ii/I〇) (但，U爲入射光量，h爲透過光量。另外，對數之 底爲10)。 另外，上述色素之光學密度，在色素之形態，並非結 晶或粉末等之單離物（純粹爲色素）之情形，可以下述方法 求得。 例如，光學密度爲未知之色素，在藉由黏接層予以黏 (6) 1377572 貼之2層磁碟之，含於各自記錄層之情形，係自2層磁碟 端部於黏接層將切刃插入，分離成2片磁碟。接著，將相 ' 當於第1記錄層之部分與，相當於第2記錄層之部分，進 . 而予以剝離並分離，使各自記錄層個別以乙醇等洗淨，將 含於記錄層之色素使流出（在此，此操作係稱爲乙醇洗 淨）。接著，將色素爲溶解或分散之乙醇洗淨液各自收集 於個別容器，接著將溶液中之乙醇以蒸餾等除去，可各自 φ 獲得成爲固體之色素，亦即，含於第1記錄層色素與含於 第2記錄層色素可各自獲得。 爲確保光學密度可測定程度之色素量，則以採用來自 複數個2層磁碟之色素爲佳。 另外，爲測定光學密度用之色素量在不足5mg之情 形，爲使（色素量）/(溶劑體積）成爲5mg/l，可調整溶劑之 量。例如，在色素lmg之情形，可使用溶劑200ml。 又，色素之光學密度，係在如上述所得之吸收光譜 # 中，作爲在記錄再生光波長之光學密度。 但，例如含於第1記錄層色素之光學密度，或含於第 2記錄層色素之光學密度在不足0.003之情形，在光學密 度之測定値因含有光源等之雜訊之影響，故正確光學密度 之測定有所困難。因此，在此情形，以藉由以下方法來求 得色素之光學密度爲佳。首先，在記錄再生光波長中將含 於第1記錄層色素之光學密度與含於第2記錄層色素之光 學密度予以比較，將光學密度更小者之色素予以特定。接 著，在比記錄再生光波長更短的波長中，求得前述光學密 -10- (7) 1377572 度小者之色素光學密度成爲0.003之波長，接著，在其波 長中求得另一方之色素（光學密度大者之色素）之光學密 度。亦即，在此情形，記錄再生光波長中光學密度小者之 ' 色素之光學密度爲0.003，記錄再生光波長中光學密度爲 大者之其他色素之光學密度，比0.00 3更大》 又，光學密度之測定之際所使用之有機溶劑方面，以 氯仿，甲醇等爲佳。又，有機溶劑方面，若爲可溶解色素 Φ 之有機溶劑則並無特別限定，但極性溶劑，對金屬錯合物 化合物之配位鍵多有所影響，會有無法測定正確吸收光譜 之虞故不佳。 另外，在本文中，將含於第1記錄層色素之光學密 度，稱爲第1記錄層色素之光學密度，將含於第2記錄層 色素之光學密度，稱爲第2記錄層色素之光學密度。 [發明效果] 根據本發明，可獲得第2層之記錄層之記錄特性被改 良之光記錄媒體。 [實施發明之最佳型態] 以下，根據圖面，就本實施發明之最佳型態（以下， 實施形態）予以詳述。但，本發明並非限定於以下所說明 之實施形態，可在其要旨之範圍內做各種變更來使用。 又，圖面係說明實施形態所用者，並非表示實際大小。 -11 - 1377572 ⑼ (光記錄媒體） 第1圖係說明可適用本實施之形態之光記錄媒體之一 .· 例之圖。如第1圖所示光記錄媒體100係具有，磁碟狀之 . 光透過性第1基板101與，在此第1基板101上，透過第 1基板10 1所照射之雷射光110進行資訊之記錄·再生之 含色素之第1記錄層102與，可將來自第1基板101側入 射之雷射光110之功率予以分配之半透明第1反射層103 φ 與，以光透過性材料構成之中間層104與，含於第1記錄 層102藉由色素之感度含高感度色素之第2記錄層105 與，將透過第2記錄層105之雷射光110反射之第2反射 層106與，黏接層107與，形成最外層仿真基板之第2基 板108，依順序層合之構造。 如第1圖所示，藉由自光記錄媒體100之第1基板 101側所照射之雷射光110，在含色素之第1記錄層102 使光資訊記錄，又，可進行被記錄之光資訊再生。進而， Φ 雷射光110之一部份係透過半透明之第1反射層103，透 過中間層104照射於含有色素之第2記錄層105，與第1 記錄層102同樣地，可進行光資訊之記錄·再生。 另外，第1反射層103所反射之雷射光110之一部份 及第2反射層106所反射之雷射光110之一部份，各自係 利用於使雷射光11〇集光用之聚焦（圖未示出）。又，爲仿 真基板之第2基板108，係藉由黏接層107而層合於第2 反射層106上，可形成光記錄媒體100之最外層，同時， 賦予光記錄媒體1〇〇之剛性，可確保形狀之穩定性。進 -12- (9) 1377572 而，在第1基板101及中間層104上各自可形成凹凸，各 自構成記錄軌跡》 ' 在此，可適用本實施形態之光記錄媒體100中，「光 \ 透過性（或透明）」係指在含有色素之第1記錄層102及第 2記錄層105爲使光資訊進行記錄·再生相對於所照射之 光之波長之光透過性之意，具體言之，關於記錄·再生之 用之光波長以50 %以上，較佳爲具有60 %以上之透過性之 • 意。 本實施之形態可適用之光記錄媒體100中在雙層記錄 層（第1記錄層102，第2記錄層105)，於350nm〜900nm 左右之可視光〜近紅外域具有最大吸收波長Xmax，在適 於藍色〜近微波（microwave)雷射之記錄的色素化合物 被使用。使用於第1記錄層102或第2記錄層105之色素 方面，可例舉例如大環狀偶氮輪燃（aza-annulene)色素， (酞青色素’萘酞青色素，卟啉色素等），甲撐吡咯色素， •聚甲炔色素（花青色素，部花青色素，四角鎗色素等），蒽 醌色素’奧錙色素，含金屬偶氮色素，含金屬靛苯胺色素 等。 可適用本實施形態之光記錄媒體100中在第2記錄層 1 0 5，自第1基板1 〇 1側所照射之雷射光i〇之記錄波長 中光學密度，通常爲0.005以上，較佳爲0.006以上，進 而較佳爲0.0065以上，但，通常光學密度爲〇015以 下’較佳爲0.013以下’進而較佳爲〇.012以下之色素爲 必要。使用於第2記錄層1〇5之色素光學密度若在此範圍 -13- 1377572 do) 內，可使相對於雷射光110之第2記錄層105之感度充分 提高，又可抑制爲雷射光110之吸收過多原因之反射率降 ' 低。 \ 又，可適用本實施型態之光記錄媒體100中，使用於 第2記錄層105之色素光學密度比使用於第1記錄層102 之色素光學密度更大。具體言之，使用於第2記錄層105 之色素之光學密度，相對於使用於第1記錄層102之色素 φ 光學密度，通常爲1.05倍以上，較佳爲1.1倍以上，進 而較佳爲1.2倍以上，進一步較佳爲1.3倍以上。但以4 倍以下爲佳，更佳爲3.5倍以下，進而較佳爲3.2倍以 下。使用於第2記錄層105之色素光學密度與使用於第1 記錄層102之色素光學密度之關係若爲在此範圍內，在第 1記錄層102與第2記錄層105間所產生之感度差可限定 於適切範圍，再者，可抑制反射率之降低。 使用於第2記錄層105之色素之中以，含金屬偶氮色 φ 素，記錄感度優異，且耐久性，耐光性優異故較佳。此種 含金屬偶氮色素方面，尤其是可例舉下述一般式（I)及/或 一般式（Π)所示之化合物。
14- (12)
Γ>-ν=νΗ^}-ν^) Nj2+ CF3S02N'
另外’使用之色素光學密度，並無必要單以單獨色素 來達成’亦可混合複數種之色素來達成。例如將光學密度 闻的色素與光學密度低的色素予以混合，調整其比率成爲 本發明之範圍亦可》 又，使用於第2記錄層105之色素折射率（但，相對 於記錄光或再生光波長之折射率），通常爲1.00以上，較 佳爲1.50以上，但通常爲3.00以下。 再者，使用於第2記錄層105之色素消光係數（但， 相對於記錄光或再生光之波長之消光係數），通常爲0.50 以下，較佳爲0.30以下，但，通常爲0.001以上。消光 係數若過大時，第2記錄層105中記錄光或再生光之吸收 會增大，而有反射率降低之傾向故不佳。又，消光係數過 小時，在第2記錄層105中記錄光或再生光之吸收會降低 故不佳。 -16- (13) 1377572 第2記錄層105之厚度’通常爲5Onm以上’較佳爲 60nm以上，但通常爲200nm以下，較佳爲150nm以下， ' 更佳爲lOOnm以下。第2記錄層105之厚度過大時，因 \ 感度降低故不佳。又，第2記錄層105之厚度過小時，因 無法獲得充分信號波幅故不佳，在此第2記錄層105之厚 度，通常稱爲厚膜部中之膜厚。 另外，第1記錄層102之膜厚，因由記錄方法等適合 φ 之膜厚並不相同，並無特別限定，但爲獲得充分調變度 (modulation amplitude)，通常爲 20nm 以上，較佳爲 30nm以上，特佳爲 40nm以上。但因有使光透過之必 要，通常爲200nm以下，較佳爲 180nm以下，更佳爲 1 5 0 n m以下》 又，本實施之形態中，使用於第1記錄層102之色 素，自第1基板101側所照射之雷射光110之記錄波長中 光學密度，由前述理由，通常爲0.003以上，較佳爲 • 0.0035以上’更佳爲0.004以上，較佳爲0.0045以上， 進而較佳爲0.005以上，但光學密度通常爲0.0115以 下’較佳爲〇.〇1以下，進而較佳爲0.009以下。 可適用本實施型態之光記錄媒體1〇〇中，在雙層記錄 層（第1記錄層102，第2記錄層105)，爲提高記錄層之 安定或耐光性’作爲一重態氧驟冷劑，過渡金屬鉗合物 化合物（例如’乙醯基丙酮合基鉗合物，雙苯基二硫醇， 水楊醛時，雙二硫代-α-二酮等）等或，爲提高記錄感度則 可含有金屬系化合物等之記錄感度提高劑。在此金屬系化 •17- (14) 1377572 合物係指過渡金屬等之金屬可以原子，離子，簇等之形含 於化合物之意，可例舉例如乙烯二胺系錯合物，甲亞胺系 • 錯合物，苯基經基胺系錯合物，菲繞啉系錯合物，二羥基 . 偶氮苯系錯合物，二肟系錯合物，亞硝基氨基苯酚系錯合 物，吡啶基三畊系錯合物，乙醯基丙酮合基系錯合物，芳 環烯金屬衍生物系錯合物，卟啉系錯合物般之有機金屬化 合物。金屬原子方面並無特別限定，但以過渡金屬爲佳。 • 又’在雙層記錄層（第1記錄層102，第2記錄層 105)，可因應需要倂用黏合劑，均平劑，消泡劑等。較佳 之黏合劑方面，可例舉聚乙烯醇，聚乙烯吡咯啶酮，硝基 纖維素’乙酸纖維素，酮系樹能，丙烯酸系樹脂，聚苯乙 烯系樹脂，胺甲酸乙酯系樹脂，聚乙烯丁縮醛，聚碳酸 酯，聚烯烴等。 第1記錄層102或第2記錄層105之成膜方法方面， 通常可例舉真空蒸鍍法，濺鍍法，刮片法，鑄製法，旋轉 φ 塗佈法’浸漬法等一般進行之薄膜形成法，但就量產性， 成本面而言以旋轉塗佈法等之濕式製膜法爲佳。又，由可 獲得均一記錄層之點而言，以真空蒸鍍法爲佳。 藉由旋轉塗佈法來成膜之情形，旋轉數爲lOrpm〜 15000rpm爲佳，在旋轉塗佈之後，一般係進行加熱處理 來除去溶劑。藉由刮片法，鑄製法，旋轉塗佈法，浸漬法 等之塗佈方法在形成記錄層情形之塗佈溶劑方面，若爲不 致侵蝕基板之溶劑爲佳，並無特別限定。可例舉例如二丙 酮醇，3-羥基-3 -甲基-2-丁酮等酮醇系溶劑；甲基溶纖 -18- (15) 1377572 劑，乙基溶纖劑等溶纖劑系溶劑；正己烷，正辛烷等鏈狀 烴系溶劑；環己烷，甲基環己烷，乙基環己烷，二甲基環 己烷，正丁基環己烷，三級丁基環己烷，環辛烷等環狀烴 \ 系溶劑：四氟丙醇，八氟戊醇，六氟丁醇等全氟烷基醇系 溶劑；乳酸甲酯，乳酸乙酯，2-羥基異丁酸甲酯等羥基羧 酸酯系溶劑等。 爲除去該等之溶劑用之加熱處理，係將溶劑除去，且 φ 就可以簡便設備進行之觀點而言，通常係比使用溶劑之沸 點稍低之溫度來進行，通常係在60°C〜l〇〇°C之範圍進 行。又，加熱處理之方法，並無特別限定，但可例舉例 如，爲在第1基板101形成第1記錄層102則將含有色素 之溶液予以塗佈成膜後，以設定之溫度保持設定之時間 (通常爲5分鐘以上，較佳爲10分鐘以上，但在30分鐘 以內，較佳爲20分鐘以內）之方法。又，使紅外線，遠紅 外線以短時間（例如5秒〜5分鐘）照射，使第1基板101 φ 加熱之方法亦爲可行。 在真空蒸鍍法之情形，例如可將有機色素與，可因應 需要之各種添加劑等記錄層成分，放入設置於真空容器內 之坩鍋，使真空容器內於適當真空幫浦至10_2Pa〜l〇_5pa 左右予以排氣後，使坩鍋加熱將記錄層成分蒸發，藉由在 與坩鍋對向放置之基板上予以蒸鍍來進行。 接著，關於可適用本實施型態之構成光記錄媒體1〇〇 之其他之層予以說明。 -19· (16) 1377572 (第1基板） 第1基板101係具有光透過性，複折射率小等之光學 ' 特性優異，又，由射出成形爲容易等成形性優異之材料所 構成。進而吸濕性小者爲所期望。再者，光記錄媒體100 具有某一程度之剛性，具備形狀穩定性爲所期望。在構成 第1基板101之材料方面並無特別限定，但可例舉例如丙 烯酸系樹脂，甲基丙烯酸系樹脂，聚碳酸酯樹脂，聚烯烴 Φ 系樹脂（尤其是非晶質聚烯烴），聚酯系樹脂，聚苯乙烯樹 脂，環氧基樹脂，玻璃等》又在玻璃等之基體上，可使用 設置光硬化性樹脂等之放射線硬化樹脂所成樹脂層等。該 等以就光學特性，成形性等之高生產性，成本，低吸濕 性’形狀穩定性等之點而言以聚碳酸酯爲佳。又就耐藥品 性，低吸濕性等之點而言’以非晶質聚烯烴爲佳。又以高 速響應性等之點而言，以玻璃基板爲佳。 第1基板101之厚度，通常爲2mm以下，較佳爲 φ 1mm以下。對物透鏡與記錄層之距離小，又，基板越薄 則彗形像差有變小之傾向，而可提高記錄密度。但爲充分 獲得光學特性’吸濕性’成形性，形狀穩定性，通常爲 ΙΟμιη以上，較佳爲30μιη以上。 另外’在第1基板101之表面’可形成設定之寬及深 度之溝。 可適用本實施型態之光記錄媒體100，以使用於 DVD(數位多用途磁碟）之光波長進行記錄再生之情形，此 溝寬’溝深度’作爲DVD ±R可以周知範圍所形成。具體 -20- (17) 1377572 §之’溝深度以60nm以上爲佳’更佳爲80nm以上，進 而較佳爲 lOOnm以上。但以 300nm以下爲佳，更佳爲 27〇nm以下，進而較佳爲2〇〇nm以下。溝寬通常爲 0.074 μιη以上，較佳爲 0.148 μιη以上，進而較佳爲 0.222μιη以上。但通常爲〇.666μιη以下，較佳爲〇.592μπι 以下，進而較佳爲0.518 μιη以下》 φ (第1反射層） 第1反射層103，記錄再生光之吸收小，光透過率爲 40 %以上，且通常具有3〇%以上之適度光反射率爲必要， 例如，將反射率高的金屬設計爲薄可具有適度透過率。 又，具有某一程度之耐蝕性爲所望。進而自第1反射層 103之上層（在此爲中間層104)因其他成分滲出可具有不 致影響第1記錄層102之遮斷性爲所期望。 第1反射層103之厚度，因光透過率爲40%以上，通 常爲50nm以下，較佳爲30nm以下，更佳爲25nm以下。 但爲使第1記錄層102不受第1反射層103之上層所影 響，通常爲3ηπι以上，較佳爲5nm以上。 在構成第1反射層103之材料方面，並無特別限定， 但在再生光之波長中可使反射率適度提高者爲佳，例如使 A u，A1，A g，C u，T i，C r，N i，P t，T a，P d，M g，S e， Hf，V，Nb，Ru，W，Mn，Re，Fe，Co，Rh，Ir，Zn， Cd，Ga，In，Si，Ge，Te，Pb，Po，Sn，Bi，稀 土類金 屬等之金屬及半金屬以單獨或合金使用爲可行。該等中以 -21 - (18) 1377572
Au ’ A1 ’ Ag反射率爲高故作爲第1反射層i〇3之材料爲 合適’又’尤其是含有Ag 5 0%以上之金屬材料就成本爲 • 低之點，反射率高之點而言較佳。 . 第1反射層1〇3在膜厚薄，膜之結晶粒大時，因爲再 生雜訊之原因’故以使用結晶粒小之材料爲佳。純銀因具 有結晶粒大之傾向故Ag以作爲合金使用爲佳。其中以Ag 爲主成分，將選自1^’2|1，（：11，？(1，八11及稀土類金屬所 # 成群之至少一種之元素含有0.1原子％〜15原子％爲佳。 在Ti ’ Zn，Cu ’ Pd ’ Au及稀土類金屬中含有2種以上之 情形’各爲0.1原子％〜15原子％雖無妨，但該等合計以 〇.1原子％〜15原子％爲佳。 特佳合金組成，係以Ag爲主成分，選自 Ti，Zn， Cu’ Pd，Au所成群之至少一種之元素含有o.i原子％〜15 原子％，而可因應需要，含有至少一種之稀土類元素0.1 原子％〜15原子％者。在稀土類金屬之中，以铷特佳。具 體言之，有 AgPdCu，AgCuAu，AgCuAuNd，AgCuNd 等》 在第1反射層103方面僅以Au所成層因結晶粒小， 耐蝕性優異爲恰當。又，作爲第1反射層103可使用Si 所成層。進而以金屬以外之材料使低折射率薄膜與高折射 率薄膜交互重疊形成多層膜，可作爲反射層使用。 在形成第1反射層103之方法方面，可例舉例如濺鍍 法，離子電鍍法，化學蒸鍍法，真空蒸鍍法等。又，在第 1基板101與第1記錄層102之間，在第1記錄層102與 -22- (19) 1377572 第1反射層103之間，爲使反射率提高，記錄特性改善， 密接性提高等可設置周知之無機系或有機系材料所成中間 層，黏接層。 (中間層） 構成中間層104之樹脂，具有光透過性，藉由凹凸以 可形成溝或凹洞爲必要。又黏接力高，進而硬化黏接時之 φ 硬化收縮率通常爲15%以下，較佳爲10%以下，可抑制中 間層104形成時翹曲之發生，因可使光記錄媒體1〇〇之形 狀穩定性提高故較佳。又，中間層104之膜厚，通常爲 5μιη以上’較佳爲ΙΟμηι以上爲必要。但，以ΙΟΟμηι以下 爲佳。又，中間層1 04，並非有必要僅以1層來形成，亦 可以複數層形成。 在中間層104，凹凸被設置爲螺旋狀或同心圓狀，可 形成溝（groove)及平滑表面（land)。通常，此種溝及/或平 φ 滑表面係作爲記錄軌跡，在第2記錄層1 0 5使資訊記錄· 再生。溝寬通常爲50nm〜500nm左右，溝深度爲l〇nm〜 2 5 Onm左右。又記錄軌跡爲螺旋狀之情形，軌跡間距以 Ο.ίμιη〜2.0μιη左右爲佳。其他因應需要可具有平滑表面 預設凹坑（land pre-pit: LPP)等之凹凸洞。此種凹凸，就 由成本之觀點而言，以自具有凹凸之樹脂壓件等轉印於光 硬化性樹脂等之硬化性樹脂，藉由硬化而製造之2P法 (Photo Polymerization 法）來進行。 在構成中間層1 04之材料方面，可例舉例如熱塑性樹 -23- (20) 1377572 脂’熱硬化性樹脂，電子束硬化性樹脂，紫外線硬化性樹 脂（含延遲硬化型）等。熱塑性樹脂，熱硬化性樹脂等係溶 . 解於適當溶劑來調製塗佈液，對此種塗佈，可藉由乾燥 .(加熱）來形成。紫外線硬化性樹脂，可照樣或者溶解於適 當溶劑來調製塗佈液後將此塗佈液塗佈，照射紫外光予以 硬化來形成。該等之材料可單獨或混合使用。進而可爲多 層膜使用。 B 塗佈方法方面，可使用旋轉塗佈法或鑄製法等塗佈法 等方法但其中以旋轉塗佈法爲佳。高黏度之樹脂可以網版 印刷等來塗佈形成。 紫外線硬化性樹脂，在20°C〜40°C中若使用液狀之物 時’由生產性之觀點可知，在不使用溶劑下可以塗佈故較 佳。又’黏度可調製成20mPa.s〜lOOOmPa.s之方式爲 佳。 中間層104之材料之中以，紫外線硬化性樹脂透明度 φ 高，硬化時間短在製造上有利之點較佳。紫外線硬化性樹 脂方面，可例舉自由基系紫外線硬化性樹脂與陽離子系紫 外線硬化性樹脂，均可使用。自由基系紫外線硬化性樹 脂，可使用含有紫外線硬化性化合物與光聚合引發劑作爲 必須成分之組成物。在紫外線硬化性化合物方面，可使單 官能（甲基）丙烯酸酯及多官能（甲基）丙烯酸酯作爲聚 合性單體成分使用。該等可各自單獨或倂用2種類以上。 在此，丙烯酸酯與甲基丙烯酸酯一起稱爲（甲基）丙烯酸 酯》 -24 - (21) 1377572 單官能（甲基）丙烯酸酯方面’例如取代基方面’可 例舉具有甲基，乙基，丙基’ 丁基’戊基，2 -乙基己基’ ' 辛基，壬基，十二基，十六基，十八基，環己基，苄基’ . 甲氧基乙基，丁氧基乙基，苯氧基乙基，壬基苯氧基乙 基，四氫糠基，環氧丙基，2-羥基乙基，2-羥基丙基，3-氯-2-羥基丙基，二甲基氨基乙基，二乙基氨基乙基，壬 基苯氧基乙基四氫糠基，己內酯變性四氫糠基，異栢基二 φ 環戊基二環戊烯基二環戊烯氧基乙基等基的（甲基）丙烯 酸酯等。 多官能（甲基）丙烯酸酯方面可例舉例如1，3 - 丁二 醇，1，4-丁烷二醇，1，5-戊烷二醇，3-甲基-1，5-戊烷 二醇，1，6 -己院二醇，新戊二醇，1，8 -辛院二醇，1， 9 -壬二醇，三環癸烷二甲醇，乙二醇，聚乙二醇，丙二 醇，二丙二醇，三丙二醇，聚丙二醇等二（甲基）丙烯酸 酯，三（2-羥基乙基）異三聚氰酸酯之二（甲基）丙烯酸酯 鑄等。 又’在新戊二醇1莫耳附加4莫耳以上氧化伸乙基或 者環氧丙院所得二醇之二（甲基）丙烯酸酯，在雙酣A 1 莫耳附加2莫耳氧化伸乙基或者環氧丙院所得二醇之二 (甲基）丙燃酸酯’在三經甲基丙院1莫耳附加3莫耳以 上氧化伸乙基或者環氧丙烷所得三醇之二或三（甲基）丙 烯酸酯，在雙酚A 1莫耳附加4莫耳以上氧化伸乙基或者 環氧丙烷所得二醇之二（甲基）丙烯酸酯，三羥甲基丙院 三（甲基）丙烯酸酯，新戊四醇三（甲基）丙烯酸酯，二 -25- (22) 1377572 新戊四醇之聚（甲基）丙烯酸酯， (甲基）丙烯酸酯，氧化伸乙基變性 丙烯酸酯等。 又，可與該等聚合性單體同時倂 物可例舉，聚酯（甲基）丙烯酸酯， 酯，環氧基（甲基）丙烯酸酯，胺甲 酸酯等。 進而，在自由基系紫外線硬化性 聚合引發劑。光聚合引發劑方面，以 型之物爲佳。此種光聚合引發劑，在 例舉例如安息香異丁基醚，2，4 ·二 基噻噸酮，苄基，2，4，6-三甲基: 物，2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-嗎啉 雙（2，6-二甲氧基苯醯基）-2，4，4-等。 進而，可與1_羥基環己基苯基 苄基二甲基縮酮，2-羥基-2-甲基-1-: 異丙基苯基）-2-羥基-2-甲基丙烷-1-， 硫代苯基）-2-嗎啉代丙烷-1-酮等倂用 引發劑方面，可例舉例如二苯基酮， 鄰苯二甲苯酮，4_苯醯基-41-甲基-二 又，與該等光聚合引發劑一起， 面，可例舉例如三甲基胺，甲基二甲 二乙基氨基乙醯苯，對二甲基氨基苯 氧化伸乙基變性磷酸 烷基化磷酸（甲基） 用方面，聚合性寡聚 聚醚（甲基）丙烯酸 酸乙酯（甲基）丙烯 樹脂，通常係配合光 分子開裂型或抽離氫 分子開裂型方面，可 乙基噻噸酮，2-異丙 苯醯基二苯基膦氧化 代苯基）-丁烷-1-酮， 三甲基戊基膦氧化物 酮，安息香乙基酸， 苯基丙院-1·嗣，1-(4-J及2-甲基-1-(4-甲基 。在抽離氫型光聚合 4-苯基二苯基酮，異 苯基硫化物等。 可倂用敏劑。敏劑方 醇胺，三乙醇胺，對 甲酸乙酯，對二甲基 -26 - (23) 1377572 氨基苯甲酸異戊酯，N，N-二甲基苄基胺及4，41-雙（二乙 基氨基）二苯基酮等。 • 陽離子系紫外線硬化性樹脂方面，可例舉例如含有陽 . 離子聚合型之光聚合引發劑之環氧基樹脂。環氧基樹脂方 面’可例舉例如雙酚A-表氯醇型，脂環式環氧基，長鏈 脂肪族型，溴化環氧基樹脂，環氧丙基酯型，環氧丙基醚 型’雜環式系等。環氧基樹脂方面，以游離之氯及氯離子 Φ 含有率少者爲佳。氯之量以1重量％以下爲佳，更佳爲 〇. 5重量％以下。 陽離子聚合型之光引發劑方面，可例舉鎏鹽，碘鎗 鹽’重氮鐵鹽等。碘鑰鹽方面，可例舉例如二苯基碘鎗六 氟磷酸鹽，二苯基碘鑰六氟銻酸鹽，二苯基碘鑰四氟硼酸 鹽’二苯基碘鑰四個（五氟苯基）硼酸鹽，雙（十二基苯基） 硪錄六氟磷酸酯，雙（十二基苯基）碘鑰六氟銻酸鹽，雙 (十二基苯基）碘鑰四氟硼酸鹽，雙（十二基苯基）碘鎗四個 0 (五氟苯基）硼酸鹽等。 進而可例舉4-甲基苯基-4-(1-甲基乙基）苯基碘鎗六氟 碟酸醋，4-甲基苯基_4_(1_甲基乙基）苯基碘鎗六氟銻酸 鹽’ 4-甲基苯基“-(^-甲基乙基）苯基碘鏺四氟硼酸鹽，4-甲基苯基- 4-(l-甲基乙基）苯基碘鑰四個（五氟苯基）硼酸鹽 等。 陽離子型紫外線硬化性樹脂每100重量份之陽離子聚 合型光引發劑之比率通常爲〇.1重量份〜20重量份，較佳 爲0.2重量份〜5重量份。此外，爲使紫外線光源之波長 -27 - (24) 1377572 域之近紫外區域或可視區域之波長更 用周知之光敏劑。此際之光敏劑方面 噻嗪，苄基甲基縮酮，二苯基嗣，乙 \ 又’在紫外線硬化性樹脂，可因 加劑係，將熱聚合禁止劑，受阻酚， 代表之防氧化劑，可塑劑及環氧基: (甲基）丙烯酸矽烷等所代表之矽烷 φ 種特性爲目的予以配合。該等對紫外 解性優異，不致阻礙紫外線透過性者 (第2反射層） 第2反射層1〇6以高反射率，且 爲確保高反射率，第2反射層106之 上，較佳爲 50nm，更佳爲 60nm以 節奏時間短縮，使成本減低，通常爲 • 爲300nm以下》 在構成第2反射層106之材料方 中反射率充分高者爲佳，例如使Au Cr，Ni，Pt，Ta及Pd之金屬作爲 行。該等中以Au，A1，Ag反射率ϋ 106之材料爲恰當。又除了以該等金 含有其他成分。在其他成分之例方面 H f 1 V，N b，R u，W，Μ η，R e，F e Zn ， Cd ， Ga ， In ， Si ， Ge ， Te ， Pb ， 有效利用起見，可倂 ，可例舉例如蒽，吩 醯苯等。 應需要進而其他之添 受阻胺，磷酸酯等所 夕烷，氫硫基矽烷， 偶合劑等，以改良各 線硬化性化合物之溶 可選擇使用。 高耐久性爲所期望。 .厚度通常爲40nm以 上。但爲使生產上之 ^ 400nm以下，較佳 面，以再生光之波長 ，Al，Ag，Cu，Ti， 單獨或合金使用爲可 I，作爲第2反射層 屬爲主成分之以外可 :，可例舉.M g，S e， ，Co，Rh，Ir，Cu， Po ， Sn ， Bi 及稀土 -28 - (25) 1377572 類金屬等之金屬及半金屬。 該等之中以Ag爲主成分之物爲佳，作爲Ag合金使 • 用爲佳’在以 Ag爲主成分之物方面，以含有選自 Ti， • Zn ’ Cu ’ pd，au及稀土類金屬所成群之至少一種元素 〇·1原子％〜15原子％爲佳。在Ti，Zn，Cu，Pd，Au及稀 土類金屬中含有2種以上之情形，各爲0.1原子％〜15原 子％’或該等合計爲0.1原子％〜15原子％爲佳。 ® 尤其是較佳合金組成，係以Ag爲主成分，含有選自
Ti ’ Zn，Cu，Pd，au所成群之至少一種之元素0.1原子％ 〜15原子％，而可因應必要，含有至少丨種稀土類元素 〇·1原子％〜15原子％。在稀土類金屬之中，以鉚特佳。 具體 W 之有 AgPdCu，AgCuAu，AgCuAuNd，AgCuNd 等。 又’在第2反射層106方面，僅Au所成層以高耐久 性（高耐蝕性）高爲恰當。以金屬以外之材料使低折射率薄 •膜與高折射率薄膜交互重疊形成多層膜，作爲第2反射層 106使用爲可行。使第2反射層106形成之方法方面，可 例舉例如濺鍍法，離子電鏟法，化學蒸鍍法，真空蒸鑛法 等。又’在第2反射層106之上下爲使反射率提高，記錄 特性改善，密接性-提高等可設置周知之無機系或有機系之 中間層，黏接層。 (黏接層） 黏接層107係黏接力高，硬化黏接時之收縮率小時， -29- (26) 1377572 媒體之形狀穩定性高爲佳。又，黏接層107係對第2反射 層106不予以損害之材料所成爲所期望。但爲抑制損害亦 • 可在兩層之間設置周知之無機系或有機系之保護層。黏接 . 層107之膜厚通常爲2 μπι以上，較佳爲5 μιη以上。但爲 使光記錄媒體儘可能地薄，又在硬化需要時間會有生產性 降低等之問題，通常以ΙΟΟμπι以下爲佳。黏接層107之 材料除了使用與中間層104之材料同樣者以外，亦可使用 % 感壓式兩面膠帶等。將感壓式兩面膠帶夾持於第2反射層 106與第 2基板108之間予以擠壓，而可形成黏接層 107 » (第2基板） 爲仿真基板之第2基板108，以機械穩定性高，剛性 大者爲佳。 又與黏接層107之黏接性高者爲所期望。此種材料方 ® 面，除了可與用於第1基板101之材料相同之物以外，例 如以Α1爲主成分之例如A1-Mg合金等之Α1合金基板或 以Mg爲主成分之例如Mg-Zn合金等之Mg合金基板， 矽，鈦，陶瓷之任一種所成基板或使該等組合基板等可以 使用。 此外，就成形性等之高生產性，成本，低吸濕性，形 狀穩定性等之點而言以聚碳酸酯爲佳。就耐藥品性，低吸 濕性等之點而言，以非晶質聚烯烴爲佳。又，以高速響應 性等之點而言，以玻璃基板爲佳。爲對光記錄媒體100具 -30- (27) 1377572 有充分剛性，第2基板108以某一程度之厚度爲佳，厚度 以0.3mm以上爲佳，但可爲3mm以下，較佳爲1.5mm以 下。 (其他之層） 光記錄媒體100在上述之層合構造中，可因應需要以 任意其他層夾持，或在媒體最外面可設置任意其他層。具 φ 體言之，在第1反射層103與中間層104之間，在中間層 104與第2記錄層105之間，在第2反射層106與黏接層 107之間等亦可設置緩衝層。在此情形，緩衝層之厚度以 2nm以上爲佳，更佳爲 5nm以上。緩衝層之厚度過薄 時，上述緊密混合（penetration or intimate mixing)現象 之防止會有不充分之虞。但以2000nm以下爲佳，更佳爲 5 OOnm以下。緩衝層過厚時，在緊密混合防止不僅不必 要，亦會有使光透過率降低之虞。又在無機物所成層之情 • 形對成膜需要時間會有生產性降低，膜應力變高之虞，而 以200nm以下爲佳，尤其是在金屬之情形，因光之透過 率會過度降低，故以20nm以下左右爲佳。 又，爲保護記錄層或反射層則可設置保護層。保護層 之材料方面，若爲可由外力來保護記錄層或反射層並無特 限定。有機物質之材料方面，可例舉熱'塑性樹脂，熱硬 化性樹脂，電子束硬化性樹脂，紫外線硬化性樹脂等。 又，無機物質方面，可例舉氧化矽，氮化矽，MgF2， Sn02等之電介質。 -31 - (28) 1377572 另外，本實施之形態係如第1圖所示，並非限定於光 記錄媒體1〇〇者，若爲具有藉由光使資訊之記錄再生爲可 ' 行之複數記錄層的光記錄媒體，則可適用於其他構成之光 \ 記錄媒體。 第3圖，係可適用本實施型態之光記錄媒體其他例之 說明圖。 在第3圖表示，透過黏接層具有記錄層之2片之基板 φ 爲被黏合之黏合型光記錄媒體300。如第3圖所示之光記 錄媒體300係具有溝（groove)及平滑表面（land)，預設 凹坑之磁碟狀光透過性之第1基板301與，同樣地具有溝 及平滑表面，預設凹坑之磁碟狀之第2基板307，均透過 黏接層304(中間層）具有被黏合之構造。 在第1基板301上，藉由透過第1基板301所照射之 雷射光310進行資訊之記錄•再生之含色素之第1記錄層 302與，將自第1基板301側入射之雷射光310之功率予 #以分配之半透明第1反射層303，依照順序被層合。又在 第2基板307上，第2反射層306與，比含於第1記錄層 30 2之色素感度更爲高感度之含色素之第2記錄層3 05與 緩衝層308爲層合。 如第3圖所示，第1基板301與第2基板3 07，各自 .係使第1記錄層302與第2記錄層305爲對向之方式，透 過黏接層（中間層）3 04被黏合。 另外’在第1基板301之表面及第2基板307之表面 所形成之設定幅及深度之溝，與前述光記錄媒體1〇〇(第1 •32- (29) 1377572 圖）在同樣範圍形成。 ' (光記錄媒體之製造方法） \ 接著，就可適用本實施型態之光記錄媒體之製造方法 之一例予以說明。 第2圖，係可適用本實施型態之光記錄媒體製造方法 之說明圖。首先，如第 2(a)圖所示，將在表面，溝 φ (groove)及平滑表面（land )，預設凹坑（pre-pits)所形成 之第1基板201，藉由使用壓件之射出成形法等來製作。 接著，使至少有機色素溶解於溶劑之塗佈液在具有第1基 板201之凹凸（ex.grooveHand)側之表面藉由旋轉塗佈等塗 佈，爲除去使用於塗佈液之溶劑則予以加熱（退火）使第1 記錄層202成膜。使第1記錄層202成膜後，將Ag合金 等以濺鍍或蒸鍍，而可在第1記錄層2 02上，藉由濺鍍法 等使半透明第1反射層203成膜。 9 接著，如第2(b)圖所示，在第1反射層203之表面全 體將紫外線硬化性樹脂層204a藉由旋轉塗佈等予以塗佈 形成’進而，如第2(c)圖所示，將紫外線硬化性樹脂層 2〇4a藉由旋轉塗佈等予以塗佈後，載置樹脂壓件210，將 凹凸（ex.groove/land)轉印至紫外線硬化性樹脂層204a。 此時’紫外線硬化性樹脂層204a之膜厚可持續進行調節 成爲在設定之範圍。接著，在此狀態自樹脂壓件210側使 紫外線照射等，以使紫外線硬化性樹脂層204a硬化，在 可充分硬化下，將樹脂壓件210剝離，來形成表面具有凹 -33- (30) 1377572 凸之（ex.groove/land)中間層 204。 另外’樹脂壓件2 1 0係相對於必須成爲中間層204之 ' 樹脂以具有充分剝離性者爲佳，成形性良好，形狀穩定性 . 良好爲所期望。就生產性及成本之觀點而言，所期望爲， 樹脂壓件210可使用於複數次轉印。又，使用後之可再循 環爲所望。又，在樹脂壓件210之材料方面，可例舉例如 丙烯酸系樹脂’甲基丙烯酸系樹脂，聚碳酸酯樹脂，聚烯 • 烴系樹脂（尤其是非晶質聚烯烴），聚酯系樹脂，聚苯乙烯 樹脂，環氧基樹脂等。該等之中以成形性等之高生產性， 成本’低吸濕性，形狀穩定性等之點而言以非晶質聚燦煙 爲佳。 接著，如第2(d)圖所示，將使有機色素溶解於溶劑之 塗佈液藉由旋轉塗佈等可塗佈於中間層204表面，爲將使 用於塗佈液之溶劑除去則予以加熱（退火）使第2記錄層 205成膜。 H 接著’如第2(e)圖所示，將Ag合金等濺鍍，蒸鍍而 可在第2記錄層205上使第2反射層206成膜。其後，如 第2(f)圖所示，將作爲聚碳酸酯射出成形所得第2基板 208之鏡面基板，透過黏接層207在第2反射層206予以 黏貼可完成光記錄媒體之製造。 以上，可適用本實施型態之光記錄媒體100及其製造 方法加以說明，但本實施形態並非限定於上述態樣，而可 作各種變形。例如，光記錄媒體可具有3層以上之複數記 錄層。又，各層間或最外層可因應需要設置其他層。不限 -34- (31) 1377572 於基板入射型光磁碟，至少具有基板/反射層/第2記錄層/ 緩衝層/中間層/半透明反射膜/第1記錄層/保護層所成層 • 合構造，自保護層側（亦即，膜面側）照射雷射光進行資訊 之記錄•再生之膜面入射型光磁碟中亦可適用。 【實施方式】 〔實施例〕 以下，根據實施例進而具體說明本實施之形態。另 外，本實施之形態，在不超越其要旨之範圍，並非限定於 實施例者。 (1)光記錄媒體之調製 使用在表面可形成溝之Ni壓件，藉由使聚碳酸酯射 出成形，而可使間距〇·74μπι，寬0.33μιη ’深度140nm之 溝所形成之直徑120mm，厚度〇.57mm之基板3片形成。 接著，在一般式（11)所示含金屬偶氮色素之中’將下 述化學式所示之色素A之八氟戊醇溶液（濃度i·52重量％) 在3片基板上各自滴下’旋轉塗佈後’在100 °C進行30分 鐘乾燥使第1記錄層各自形成。第1記錄層之膜厚3片均 爲約80nm »
CF3SO2N' N N
Ni2 (色素A) -35- 1377572 接著’在各自第1 g己錄層上，使用Ag-Bi(Bi: 1.0原 . 子％)所成Ag合金，藉由濺鍍法使厚度i7nm之半透明第 .1反射層成膜。接著，在此第1反射層之上，將紫外線硬 化性樹脂塗佈’將預先製作之非晶質聚烯烴樹脂所成樹脂 壓件之凹凸（ex.groove/land)面朝向第1基板側載置，接 著，自樹脂壓件側照射紫外線，將紫外線硬化性樹脂硬化 φ 後’使樹脂壓件剝離，與第1基板同樣地，各自在表面形 成具有間距〇·74μπι，寬0.39μιη，深度170nm之溝厚度約 5 0μιη之中間層。 接著，在一般式（II)所示之含金屬偶氮色素之中，將 前述色素A，下述化學式所示之色素C，色素Α與色素C 之混合物（色素A/色素C = 60/40重量％)之色素B之，3種 類色素之八氟戊醇溶液（濃度1.9重量％)各自予以調'製。 接著，將該等3種色素（色素A，色素B，色素C)之 #八氟戊醇溶液，滴下於各基板之中間層之上’予以旋轉塗 佈後，在1〇〇。(：進行30分鐘乾燥，使第2記錄層所形成之 3種磁碟（磁碟1(色素B)，磁碟2(色素C) ’磁碟3(色素 A))形成。此時，第2記錄層之膜厚’在磁碟1〜磁碟3 之任一情形，均爲約90nm。
-36- (33) 1377572 接著，在3種磁碟之各自第2記錄層上，使Ag合金 ' 所成厚度13Qnm之第2反射層成膜，接著，在第2反射 \ 層上將紫外線硬化性樹脂旋轉塗佈設置黏接層，在其黏接 層上載置直徑12 0mm，厚度0.6mm之聚碳酸酯製第2基 板，照射紫外線使之硬化黏接，來調製具有雙層記錄層之 3種光記錄媒體（光記錄媒體1〜光記錄媒體3)。使用於第 φ 1記錄層及第2記錄層之色素種類與光記錄媒體之種類如 表1所示。 〔表1〕
光記錄媒體 第1記錄層 第2記錄層 光記錄媒體1 色素A 色素B 光記錄媒體2 色素A 色素c 光記錄媒體3 色素A 色素A (2)光學密度之測定 將色素A〜色素C之各氯仿溶液（濃度5mgn)，各自 放入光路長l〇mm之晶格，使用光學密度計（日立公司 製：U-3300 spetrum meter)來測定波長 800nm〜波長 400nm之範圍中之透過光量（1〇，自下述關係式來求得光 學密度（IabS)(〇D :光學密度 Optical Density)。另外，參 考例係在上述晶格放入氯仿者。 -37- (34) 1377572 ·. (但，I〇爲入射光量，Ii爲透過光量。另外’對數之 底爲10)。 色素A〜色素C之波長657nm中光學密度之測定結 果如表2所示。另外，色素A，B，C光學密度之大小關 係，可確認在波長690nm〜5 90nm之範圍中並無改變。 [表2] 色素 光學密度 色素A 0.0037 色素B 0.0069 色素C 0.0118 (3)最適記錄功率之測定（Optimum Recording Power) 相對於具有雙層記錄層之光記錄媒體，藉由波長 657ηιη，對物透鏡開口數0.65之記錄再生評價機（脈衝科 技工業公司製DDU-1000)，自第1基板側照射雷射光，在 第1記錄層及第2記錄層，將記錄線速度3.8m/s，基準時 鐘周期38.5ns(l/26Mbps)，8-16調變之EFM +信號使記錄 功率變化同時予以記錄。再生線速度係與記錄線速度同樣 成爲3.8m/s，以再生功率0.7mW測定再生信號之顫動， 顫動成爲最小値之近旁之記錄功率以最適記錄功率來求 得。 -38- (35) (35)1377572 在此，再生信號之顗動（jitter)係指將再生信號通過等 化器與LPF後，藉由脈衝限幅器成爲2値化信號，將此2 値化信號之脈衝波前緣與拖後緣（trailing edge)之相對 於PLL時鐘之時間偏移之標準偏差（顫動）以基準時鐘周期 T予以規格化者。 (實施例1，實施例2，比較例） 關於預先調製之具有雙層記錄層之3種光記錄媒體 (光記錄媒體1〜光記錄媒體3)，來測定最適記錄功率及 反射率’測定結果如表3所示。
-39- (36)1377572
(第2記錄層色素之 nJ 一 mm ^ — 铂 搬 m % 米 m 账 m ¢3 |ψ _ 米 遨 1.87 3.19 1.0 _ 遨 寸 vn 旦 00 d <s 褂 <N 濉 翁 _ 遨 〇 ο o m Ό V〇 τ-Η 濉 褂 ^ 〇 〇\ 〇\ 00 d _ ή m σ\ 00 卜 ,¾ m ν〇 ο cn O cs 挪 ο ο o 搬 ο ο o PQ υ < ,ττΊ m 艄 ο (Ν m m igpn m Ι$ΠΖ m SjpJl 翻 1$ΣΠ 搂 敏 m 搂 繼 繼 繼 遨 ίΐηα ra nJ ru i-H (N j/v 習 辑 1¾ {_ -40- (37) 1377572 由表3所示結果可知，在具有雙層記錄層之光記錄媒 體中，使含於第2記錄層色素之光學密度’比含於第1記 ' 錄層色素之光學密度更大爲佳。具體言之’將光學密度 0.005以上之色素使用於第2記錄層之情形（實施例1及實 施例2)，第2記錄層之最適記錄功率被減低，而可使記 錄層之感度提高。 相對於此，光學密度不足0.005之色素使用於第2記 φ 錄層之情形（比較例），第2記錄層之最適記錄功率增大， 與第1記錄層之感度比較，第2記錄層之記錄感度會顯著 降低。 第4圖係表示實施例1，實施例2及比較例中第2記 錄層之最適記錄功率與（第2記錄層色素之光學密度）/(第 1記錄層色素之光學密度）（以下，記載爲光學密度比）之關 係圖。與DVD之1倍速記錄大致相同，在以3.8m/s進行 之記錄中，記錄功率爲2〇.5mW以上之情形，會有更高速 φ 之記錄產生困難之虞。關於此理由，在後述之「實驗例」 中有詳細說明。 由第4圖所示結果可知，光學密度比以1. 〇5倍以上 爲佳，更佳爲1 · 1倍以上。進而較佳爲1.2倍以上。進 而，既存之低速對應之DVD-R之驅動器，在雷射光功率 之上限於磁碟面上爲23mW近旁’吾人認爲在相當χ倍速 之記錄速度，最適記錄功率以在20mW以下記錄爲佳。因 此，光學密度比以1 · 3倍以上爲佳。 又’吾人可知第2記錄層之反射率係，含於第2記錄 -41 - (38) 1377572 層色素之光學密度越大，則降低之傾向可被觀察到。此係 含於記錄層之色素光學密度過高時，在第2記錄層因光被 ' 過度吸收而難以充分確保反射率。另外，一般係使用市售 ' 之DVD驅動器進行再生則反射率有必要爲16%以上，而 爲使雙層型DVD-ROM之規格採取完全互換性，而有必要 使反射率爲18 %以上。因此，爲確保充分反射率，吾人認 爲光學密度之上限値爲0.015。 (實驗例） 關於實施例1所使用之光記錄媒體1與實施例2所使 用之光記錄媒體2與比較例所使用之光記錄媒體3，在各 自第1記錄層與第2記錄層，比實施例1所用者雷射照射 功率上限更高的記錄再生評價機（脈衝科技工業公司製 ODU，NA = 0.65)，以以下條件進行記錄。記錄脈衝策略係 如以下所示。 〈記錄條件〉 (1) 記錄脈衝策略 準照 DVD + R version 1.2(DVD + R 規格書）
T13 = 1.88T,Ttop = 1.75T,Tend(cm = 4) = 0.63T,Tend(cm^5) = i 00T,dTle = OT,Tc = 2.0T (2) 記錄線速度（1倍速= lX = 3.84m/s) 2.4X = 9.22m/s,4X=15.36m/s,6X = 23.04m/s -42 - (39) 1377572 (3)再生速度 3.84m/s 〈測定方法〉 ' 在上述之條件使被記錄之信號再生所得再生信號波形 之不對稱性（asymmetry)成爲5%之雷射光功率（laserpower) 作爲「記錄功率」。如此，所得之記錄功率，爲可最簡單 地評價記錄層感度（記錄感度）之指標。 依照上述條件就3種光記錄媒體進行記錄，將第2記 φ 錄層之記錄功率與第1記錄層之記錄功率之比（以下，記 載爲記錄感度比）與，第2記錄層色素之光學密度（以下， 記載爲第2記錄層光學密度）與第1記錄層色素之光學密 度（以下，記載爲第1記錄層光學密度）之比（以下，記載 爲光學密度比），如表4所示。 另外，表4中，記錄功率（mw)係成爲Asym = 0.05之 記錄功率。 又’記錄感度比係記錄功率（m W)之，相對於第1記 φ 錄層之第2記錄層之比。 •43- 1377572
【寸概】 記錄感度比 (第2記錄 層）/(第1記 錄層） 0.991 0.838 v〇 rH cs ο τ-Η 0.813 1.22 1.03 0.795 >1.16 m m ^ m ^ ^ ^ m ^ m @ _ s 贼乸遨米 S疝铂龆·Ν 卜 00 rH σ\ CO Ο 卜 00 3.19 〇 卜 00 3.19 〇 調變度 (modulation amplitude) 第2記錄層 0.69 0.76 0.68 0.73 0.79 0.73 0.74 0.78 測定不可 記錄功率 (mW) 第2記錄層 23.0 19.2 27.2 33.5 27.3 40.9 48.0 38.1 >55 第1記錄層 23.2 22.9 23.5 32.7 33.6 33.5 46.6 47.9 47.4 第2記錄層 光學密度 0.0069 0.0118 0.0037 0.0069 0.0118 0.0037 0.0069 0.0118 0.0037 色素 色素B 色素c 色素A 色素Β 色素c 色素A 色素B 色素C 色素A I 光記錄媒體 光記錄媒體1 光記錄媒體2 光記錄媒體3 光記錄媒體1 光記錄媒體2 光記錄媒體3 光記錄媒體1 光記錄媒體2 光記錄媒體3 記錄 速度 2.4X X X v〇 -44- (41) 1377572 由表4所示結果可知，光學密度比在1.0之情形’藉 由上述方法之記錄感度比成爲1.16(光記錄媒體3)。在此 •- 情形，於6倍速記錄中’即使爲高功率雷射之照射功率上 _ 限之55mW，記錄功率仍不足，無法進行良好記錄。因 此，記錄感度比以低於1.1 6爲佳。 由以上可知，上述測定方法中第2記錄層與第1記錄 層之記錄感度比以低於1.16爲佳，更佳爲1·1以下。最 φ 佳爲1.0，而低於1.0亦可。 但，在第1記錄層與第2記錄層之間記錄感度之差過 度大之情形，爲獲得良好顫動値（顫動之最小値），則在各 .自記錄層中，因有必要使記錄脈衝策略最適化，故不佳。 因此種理由，吾人認爲記錄感度比以0.7以上爲佳》 更實用的觀點而言，亦即爲獲得良好顫動値，上述記 錄感度比以近於1 .0較佳。 第5圖，係關於表4所示之3種光記錄媒體，表示記 φ 錄感度比（第2記錄層/第1記錄層）與（第2記錄層色素之 光學密度）/(第1記錄層色素之光學密度）之關係圖。 如第5圖所示可知，爲獲得上述較佳記錄感度比，第 2記錄層色素之光學密度爲第1記錄層色素之光學密度之 1·〇5倍以上’更佳爲1.1倍以上，進而較佳爲1.3倍以 上。 又可知’第2記錄層色素之光學密度爲第1記錄層色 素之光學密度之1.9倍前後，而可使雙層記錄層之記錄感 度爲大致相等。 -45- (42) 1377572 上述光學密度比超過4時，記錄感度比低於0.7，故 與則述相同並不佳。 .[產業上可利用性] 根據本發明，設於透明基板上具有複數色素記錄層之 光記錄媒體之記錄特性可予改善。 本發明係使用特定態樣予以詳細說明，但在不偏離本 φ 發明之意圖與範圍可作各種變更及變形，對當業者爲自 明。 另外，本發明係根據2004年4月23日申請之日本申 請案（特願2004-128002)及2004年4月28日申請之曰本 申請案（特願2004- 1 33 826)，其全部內容在此引用並予援 用。 【_、式簡單說明】 第1圖可適用本實施型態之光記錄媒體一例之說明 圖。 第2圖可適用本實施型態之光記錄媒體製造方法之說 明圖。 第3圖可適用本實施型態之光記錄媒體其他例之說明 圖。 第4圖實施例1，實施例2及比較例中表示第2記錄 層之最適記錄功率與（第2記錄層色素之光學密度）/(第1 記錄層色素之光學密度）之關係圖。 -46- (43) 1377572 第5圖如表4所示，關於3種光記錄媒體，表示記錄 感度比（第2記錄層/第1記錄層）與（第2記錄層色素之光 學密度）/(第1記錄層色素之光學密度）之關係圖。 【主要元件符號說明】 1 00,3 00...光記錄媒體 101，201，3 0 1 ...第 1 基板
102，i0.2,3 0 2...第 1 記錄層 1 03,203,3 03 ·..第 1 反射層 1 04,204…中間層 204_a...紫外線硬化性樹脂層 10 5,2 05,3 0 5...第.2 記錄層 1 0 6,206,3 06〜.第2反射層 1 07,207...黏接層 1 0 8,208,3 07·.·第 2 基板 φ 11 0,3 10...雷射光 2 10…樹脂壓件 3 0 4....黏接層（中間層） 3 0 8.,..緩衝層 -47-

Claims (1)

1317572 第094112894號專利申請案中文申請專利範圍修正本 民國 申請專利範圍 Ό1年3 年月 月曰#9正4修正 1· 一種光記錄媒體，其爲具有，以光可使資訊之記錄 再生之第1記錄層與，至少一層之第2記錄層，如此所構 成之光記錄媒體中，其特徵爲， 含於該第2記錄層色素之光學密度，比最近於該光入 射側之含於該第1記錄層色素之光學密度更大者， 且含於該第2記錄層之該色素相對於該光之消光係數 爲0.5以下。 2.如申請專利範圍第丨項記載之光記錄媒體，其中含 於該第2記錄層之該色素之光學密度爲〇.005以上， 〇 · 0 1 5以下者。 3. 如申請專利範圍第〗項記載之光記錄媒體，其中含 於該第2記錄層色素之光學密度，爲含於該第1記錄層色 素光學密度之1 · 3倍以上。 4. 如申請專利範圍第丨項記載之光記錄媒體，其中該 第2記錄層厚度爲5〇nm以上，200nm以下。 5 ·如申請專利範圍第丨項記載之光記錄媒體，其中該 第1記錄層與該第2記錄層之間，具有厚度5 nm以上， 5 Onm以下之半透明反射層。 6.如申請專利範圍第丨項記載之光記錄媒體，其中該 光之波長爲350nm〜900nm。 7.如申請專利範圍第丨項記載之光記錄媒體，其中含 1377572 於該第2記錄層之該色素，係選自下述一般式（I)及/或一 般式（II)所示之含金屬偶氮色素，
(但，式中環A1及環A2，係各自獨立可具有取代基 之含氮芳香族雜環，環B1及環B2，係各自獨立可具有取 代基之芳香族環，X係以至少2個氟原子取代之碳數1〜 碳數6之烷基）。 8. 如申請專利範圍第1項記載之光記錄媒體T其中含 於該第2記錄層之該色素之折射率爲1.0以上。 9. 一種光記錄媒體，其爲具有雙層記錄層之光記錄媒 體中，其特徵爲， 在設於記錄光入射側之第1記錄層使資訊記錄之記錄 功率（P 1 )與，設於遠離該記錄光入射側之側的第2記錄層 使資訊記錄之記錄功率（P2)，兩者之比（P2)/(P1)爲不足 1.16之方式，使該第2記錄層含有含鎳偶氮色素，其光學 密度比該第1記錄層所含色素之該記錄光中之光學密度更 大， 且含於該第2記錄層之該色素相對於該光之消光係數 -2- 1377572 爲0.5以下。 10.如申請專利範圍第9項記 於該第2記錄層之該含鎳偶氮色 第1記錄層之該色素光學密度更^ 載之光記錄媒體，其中含 素之光學密度，比含於該 :1 . 〇 5倍以上者。 -3-
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