TWI377436B - Euv mask, method for repairing an euv mask and method for repairing a phase defect in a system including at least one layer - Google Patents
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- TWI377436B TWI377436B TW097122705A TW97122705A TWI377436B TW I377436 B TWI377436 B TW I377436B TW 097122705 A TW097122705 A TW 097122705A TW 97122705 A TW97122705 A TW 97122705A TW I377436 B TWI377436 B TW I377436B
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- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims description 147
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 194
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 49
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 31
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 15
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HNZHVTZRIBKSIO-UHFFFAOYSA-N [Cs+].[Cs+].[O-][O-] Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-][O-] HNZHVTZRIBKSIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 claims 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 32
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 15
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 button Chemical compound 0.000 description 2
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSXHWVKGUXMUQE-UHFFFAOYSA-N osmium dioxide Inorganic materials O=[Os]=O XSXHWVKGUXMUQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000000233 ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
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* File:TW4752F 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 . 本發明是有關於一種光罩及修復光罩方法，且特別是 '有關於一種超紫外線光罩及修復超紫外線光罩方法。 【先前技術】 於微電子裝置或微系統（如微機械裝置）之製裡中， 係以平版印刷法（lithographic processes)形成具有多 • 層或基材之結構。其中，首先通常於適當的抗蝕材料形成 抗敍圖樣，且抗钱圖樣係以適當的方法依序地轉換成_; 或一基板。在此過程中’係以光刻暴露法 (photolithographic exposure processes)作為平版印 刷法，其中形成於光罩内之圖樣係投射至抗餘材料。在將 結構微型化之過程係使用具有極短波長之暴露法，如使用 波長為13, 6奈米之超紫外線平版印刷法。由於幾乎所有 的材料會強力地吸收此波長範圍之輻射，因此以往之超紫 •外線光罩大多為具反射性之光罩。典型的超紫外線光罩包 括具有一反射多層結構及一圖樣化光罩層之一基材，此反 射多層結構係設置於基材之上且此圖樣化光罩層係設置 - 於反射多層結構之上。 然而’於超紫外線还料、基材或超紫外線光罩之製造 過程中可能造成缺陷，其中超紫外線光罩係於抗餘材料之 暴露過程中造成缺陷。此些缺陷例如是光罩之表面被污 染、光罩層之圖樣中的缺陷，或是多層結構之内或之上之
File:TW4752F 缺陷。 位於多層結構之内或之上之缺陷稱為多層缺陷。此些 缺陷例如是包括位於多層結構上或包覆在多層結構内之 顆粒、由於基材表面之碰撞或凹陷所產生多層結構之變形 (如到痕），或是多層結構中之單—層之厚度或城度等 素此二缺陷可能使由多層結構所反射之輻射之振幅或 /產生交化。由於從热缺陷部分所反射出之輻射之相位 差具干擾制，將可能導致反射之㈣產生強烈的變化。 【發明内容】 ，本發明係有關於-種超紫外線光罩及修復超紫外線 光罩方法，係藉由反射多層結構及相位差材料降低缺陷對 輪射所產生之變化。 根據本發明之第一方面，提出一種超紫外線光罩包 括基材、一反射多層結構、一相位差材料及一 ，°㈣多層結構係位於基材之上。相位差材料位於反射 夕層結構之上，且位於基材之至少一第一部份之上。光罩 材料位於多層結構之上，且位於基材之多個第二部分之 上。光罩材料係對應於超紫外線光罩之多個光罩圖樣。 根據本發明之第二方面，提出一種修護超紫外線光罩 方法。超紫外線光罩包括一基材、位於基材上之一反射多 層結構及至少-缺陷。缺陷係位於反射多層結構之下或之 令。修護超紫外線光罩方法包括以下步驟。首先，決定基 材之-缺陷d之位置。—暴露_之—相位差係由缺陷^ I3?7436
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File:TW4752F 之缺陷所引起。接著，設置一相位差材料於反射多層結構 之上，且位於基材之至少一第一部份之上，其中第一部份 - 包括部分之缺陷區。 . 根據本發明之第三方面，提出一種修復一系統中之一 .-相位差方法。此系統包括至少一層，其中相位差係由位於 • 此層之上或位於此層内之一缺陷所引起。此方法包括以下 步驟。首先，決定系統之一缺陷區之位置，其中一暴露輻 射之一相位差係由缺陷區内之該缺陷所引起。接著，設置 • -相位差材料於系統之至少H份之上，其中第一部 份包括至少部分之缺陷區。 一為讓本發明之上述内容能更明顯易懂，係配合所附圖 丁及幸乂 4土貝施例，以闡述本發明之實施方法。所附圖示中 之兀件並不用以限定其相對關係。相似之標號用以表示類 似之部分。 、 【實施方式】 下文特舉本發明之一示範實施例並配 詳細說明。本文中所闡述之方向㈣語如「上」、a_^ 係用以表示圖 一七」後」、「主要的」及「之後的」等，,,、川…、小θ ==纟會製之方位。由於本發明之實施例之元件可具 用==(rientati°n)，因此本文中之方向性用語僅 If定於太非用以限定。本發明係可以不同形式實施而不 發'月乂範;提而出ί實Γ列。因此，下文之說明並非限定本 乾圍而吊以申請專利範圍所主張之内容來界定本 1377436
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Fiie:TW4752F 發明之範圍。 ,,帛1八圖繪示一超紫外線光罩10之剖面圖。超紫外線 •光罩10包括一基材11、一反射多層結構12、-相位差材 ·.=:(光罩材料14。基材U係可為任何種類之基材或 •-載體材枓（Carriermaterial)，如玻璃或陶，亦 .層結㈣例如可為30至6()個循環交替形成之 -堆登層，此堆4層例如包括不同折射率之原料，如麵及 癱層之—循環可能約具有7耐米之厚度。除了銦及 • ’亦可使用其他原料如銳或釕。此外，位於一循严夕 某些或全部分介面之中間層例如是朗二ί 鮮材㈣係、設置於多層結構12之上表面，且位於 i射性=之弟—部份112。光罩材料14可為具吸收性' ^目位差之原料’或包括由不同频職成之推疊 二：料14例如是金屬（如鉻、鈕、鈦、鋁或鎢） 鲁H合物（如氮化組、氮化㈣基材料1化麵或氮 2鈦）。-反射層如多層結構或一相位差原料一樣的堆 包括選自由錯、翻、皱、碳或二氧化石夕所組成之 罩。之一。光罩材料14係對應於超紫外線光照之光 樣。光單材料14具有一厚度犯。 :差材料13係設置於多層結構12之上表面且設 _ 1之至少一第一部分〗u。相位差材料丨3於第 第部二二U中具有一厚度旧。厚度dl可近似相等於整個 第一部份⑴，或是多於第一部分ηι。厚度以可等於或 1377436
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File:TW4752F 不同於光罩材料14之厚度d2。相位差材料13可包括與光 罩材料14相同或其他原料。若相位差材料13與光罩材料 -14為相同原料，則相位差材料13之厚度dl不同於光罩材 - 料14之厚度d2。相位差材料13之厚度dl可小於或等於 .-1〇0奈米。然而，厚度dl可大於100奈米並大於光罩材料 14之厚度犯。 相位差材料13例如可包括選自由鍅、鈹、碳或二氧 化矽所組成之群組其中之一，然亦可包括其他原料或具有 •不同原料之堆疊層。相位差材料13例如是具有儘可能低 的吸收能力及儘可能高的相位能力。此外，相位差材料Μ 可包括額外原料。舉例來說，相位差材料13可包括碳元 素（也就是非化學化合物所形成之碳）或氫。此外，相位 差材料13可包括碳結晶，也就是包括有機化合物之殘餘 物:相位差材料13可具低於或至多等於光罩材料14之吸 收能力，相位差材料13《吸收能力係有關於相位差材料 13之厚度dl。相位差材料13之吸收係數可大於光罩材料 14之吸收係數。 相位差材料13可包括以不同原料所組成多層之堆疊 層其中至少一層具有相位能力且其他層不具有相位能 $例如，位於堆疊層最上層之頂層用以提高堆疊層之可 罪度’或用以於製程中產生具有對堆疊層產生正面影響。 一原料之光學屬性可用複合折射率n表示，其 = η (1 - k), ⑴ 八 η係為複合折射率之實數，k係為吸收率，/c=nKe複合折 13//43()
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File:TW4752F 數表示—原料之吸收能力’複合折射率之 = = 起之相位差，折射率n之虛數 數係；為超紫外之值之正數。複合折射率η之實 ㈣幻之數字，上，接近1之正數’通常為介於 之數子，然而亦可為其他數值。 =差材料13心補償多層結構㈣反射之一入射 之；或二相位差。此種相位差係可為設置於多層結構12 結構%之下^缺陷15所引起’缺陷15例如是位於多層 严相。。相位差用以表示與基材11之不具缺陷部 下由二敏传之差值。第1Α圖係繪示—種位於多層結構12 於多之之内缺？5。然而，缺陷15亦可同時形成 夕層、4 12之内。多層結構12之每個層例如是具有局 。不同之厚度，或是形成於多層結構12内之顆粒。缺陷 J為凹洞所形成’例如是於基材u之表面或多層結構 之層產生一細孔或一傷痕’且已一相當小厚度局部地 =，也形成。光照之缺陷15係為不規則之圖樣也 =是說既非投射至抗飯原料之光罩圖樣，也非故意形成之 圖樣。 具有相位差材料13設置其中之第一部份丨丨包括至少 基材11之部分之—缺陷區。—暴露_之相位差係由缺 陷15所引起。此缺陷區並不限定於具有缺陷15之基材u 之，一部份。也就是說，第一部份111可包括基材11中 至夕具缺陷15之部分。然高，第—部份U1可包括基材 11中不具缺陷15之部分，而缺陷15會引起暴露輻射之相 1377436 • »
File:TW4752F
位差。因此，第一部份111可包括基材u產生部份整 個或甚至完全無缺陷15之部分。 I - 於第圖中，將會說明於一多層結構之下或之内形 .成一缺陷之一基材、基材之一缺陷區及一第一部份之相^ .，部份，其中缺陷係引起之一暴露輻射之相位差，且相位差 . 材料係設置於第一部份以補償缺陷。一基材u、位於基材 11上之一多層結構12及位於多層結構12上之—光罩^料 14係繪示於第1B圖。一缺陷15係設置於多層結構12之 •下，並於缺陷區116產生反射之一暴露輻射之相位差。缺 陷區116可大於基材11之一部分，並直接位於缺陷15之 上。缺陷區116甚至可位於與基材n上之缺陷15具有— 距離之處。一相位差材料13係設置於多層結構12上之— 第一部份111内。第一部份111例如是環狀地形成—圈， 如第5B圖之平面圖中所示。因此，第一部份j 11於第夏b 圖之剖面圖中顯示為兩個分開的部份。第一部份丨〖1包括 至少部分之缺陷區116。此外，相位差材料13可形成於缺 陷區116之外，以降低相位時期缺陷區116及基材不受影 響時期之梯度。 〜 具有光罩材料14之第二部份112間之缺陷15之配置 ' 係繪示於第1A圖及第1B圖。於其他實施例中，缺陷15 • 係配置於一第二部份112中。於此情況下，光罩材料14 係為一反射性或一相位差材料，且設置於光罩材料丨4下 之一缺陷15係導致一反射暴露光束之非期望相位移。因 此’相位差材料13亦可形成於對應於第一部份ιη與第 l3?7436 1 ,
FiIe:TW4752F 重t處之光罩材料14之上。然而，相位差 材枓13亦可設置於一吸收光罩材料14之上。 ，有相:差材料13形成之第一部份⑴具有一橫向 長度Η。長度wl及第一部份⑴之形狀係由缺㈣之形 狀之輪向長度所定義。第—部份⑴之長度wi可小於、 大於或等於缺陷15之長度。若長度wl小於缺陷15之長 度，具有-相位差材料13之多個第一部份iu可設置於 缺陷15之上。長度wl例如是小於或等於刚奈米。長度 wl例如是大於或等於50奈米。 所有的原料皆定義其吸收力之光學屬性，一輕射之反 射力或相位移會影像原料。若一原料之厚度或配置處由於 一缺陷而局部地變化’將會引起原料之局部差值。此些差 值會影響交錯或反射輕射之振幅或相位。由缺陷所引起之 交錯或反龍射之相位差可藉由設置於原料上之一相位 差材料之配置處’來降低至可忽略之程度。原料包括一部 份中之缺陷，且交錯或反射_係由缺陷所引^。因此， 用以補償由-㈣利起之—相位差之—相位差材料之 配置處’係不限定於本實施方式中超紫外線光罩或1他 射性原料。 〃 相位缺陷係為被修復，並與包括缺陷之原料之特徵相 互獨立。舉例來說，修復係獨立於超紫外線光罩上之光罩 材料之配置，即超紫外線光罩之設計。因此，缺陷以一遠 距離设置於具有光罩材敎光罩處，並可#補償。此外， 凹洞形式及撞擊形式之缺陷所引起之一向位差係可被補 12 丄 J / /HO〇 • .
File:TW4752F 且相位差之形狀會影 償。補償可調整至精確之橫向長度 響缺陷。 、又 戈僅勺ΐ Ϊ 置處騎影響包㈣陷之原料 ==Γ 陷之原料。舉例來說，僅有少部分 由靜電放㈣-減會於料_中產生影響。修復传為 ^解構性’即包括缺陷之原料（如多層結構）既不會改變 t不會直接被純所影響。因此，當—個第-次修復不成 功’另一個新的修復係可能產生。
第2A圖及第2B圖闡述相位差13之功用。超紫外線 光罩之細節係闡述於第2八圖之剖面圖中。一反射多層結 構12係„又置於一基材u之表面，其中一缺陷^係設置 於夕層結構12之下。在此將說明一凹洞形式之缺陷15。 多層結構12反射具有一相峰211之一射入暴露輕射21。 反射之暴露輕射22具有-相峰22卜暴露輕射22係由具 有缺陷15之多層結構12所反射，且相峰22h系由一無缺 陷之多層結構12補償。 根據本發明實施例之一超紫外線光罩係繪示於第2β 圖之d面圖中。一相位差材料1 3係設置於缺陷1 5之多層 結構12之部分。由於超紫外線之暴露輻射之相位為一相 位差材料，此相位延遲由缺陷所導致反射之暴露輻射22, 之。卩分補償。因此，相峰221，之相位差係減少至一數值， 則利用超紫外線之一暴露之結果係可被忽略。 凹洞形式之缺陷及修復結果係緣示於第2a圖及第2B 圖中。凹洞形式之缺陷15導致反射之暴露輻射22之相位 13 1377436 t t
File:TW4752F 延遲，而碰撞形式之缺陷導致反射之暴露輻射22之高相 位。由於位於超紫外線範圍之輻射之相位為典型之高相 位，相位差材料13之設置處係使得反射之暴露輻射22， •之相位差及位於多層結構12下之相峰221，之相位差，降 ..低至0°。因此，位於利用超紫外線光罩之一暴露缺陷15 之結果’可降低至可忽略之等級。 由於用以提供一暴露輻射之相位差材料13所引起之 相位移之程度取決於既有的原料及厚度，則相位移將被相 #位差材料之原料及厚度之選擇影響。因&，不_望補償相 移差輻射波產升具有破壞性的干擾是可能的。雖然如此， 在超紫外線光罩上允許部分干擾也是可能的，其中這樣的 輻射波不會有破壞性的干擾出現。如此一來，這些部分的 自然的空間擴展可能被阻礙，因此他們將不被使用成一種 抗姓劑材料。 第3A圖及第3B圖繪示本發明實施例之超紫外線光罩 之剖面圖。其中，-相位差材料131或132分別於第一部份 111中具有-固定之厚度。在此固定厚度表示厚度變化少 於5%。第3A圖說明一凹洞形式之缺陷151，而第3B圖說明 一碰撞類型之缺陷152。移相差材料131或132，分別穿過 •整個第-部分111並依照一固定的程度引起相位移。缺陷 151或152引起的相移差’分別可能沒被完全補償。在此， 相位差可能是正或者負的，並可能存在於前面反射暴露賴 射的階段。然而’最後的差別可能被降低到比預先決定的 臨界值小的數值。 1377436 > ,
File:TW4752F 第4 A圖及第4 B圖說明超紫外線光罩之剖面圖。相位差 材料133或134，分別穿過第一份111並為具有變化的厚 -度。第4A圖說明一凹洞類型缺陷151之實施例，而第4β圖 說明一碰撞類型缺陷152之實施例。相位差材料133或134 •之厚度，係分別相符合於一相位移’此相位移係由缺陷151 或152引起。因此，相移差可能被補償得更平滑，並更確 切符合第3Α圖及第3Β圖之實施例。 第5Α圖到第5Ε圖繪示一種相位移材料的配置方式之 • 平面圖。一多層結構12之一缺陷15位於多層結構12之 下或位於多層結構12之内。於第5Α圖到第5Ε圖中，大 約圓形之缺陷15係以數字顯示。然而，缺陷15亦可能為 —橢圓形、一線狀或者任何其他形狀。在缺陷15部分上 方可能具有一橫向長度w3，橫向長度w3符合缺陷的空間 長度特性。空間長度特性例如是部分之空間擴展反射的 相位差係大於30。。 第5B圖繪示位於缺陷15上之一環狀之相位差材料 ⑴相位差材料13係設置於第一部分⑴，以作為一個連 =的圓形之架構。第—部分lu覆蓋部分之缺㈣外的 =’但是不覆蓋在缺陷15|里。第一部分ιη之不完全 豐部分的邊緣可能在缺陷15上方。根據另—實施例， 材：：们11可能在缺陷15上方。於第5β圖令，相位移 =㈣陷15。相位移材料13係設置在部分之第一 八缺二形成一連續的環形架構。第一部分⑴覆蓋 。刀缺1^3 15的邊緣外’但是不覆蓋部分缺陷15邊緣裡 15
File:TW4752F 面。第一部分111可能不完全重疊部分的邊緣在缺陷15 上方。根據另一實施例，第一部份111可能完全延伸至在 缺陷15上方。 排列成環狀之相位差材料13係設置於缺陷15之上， 如第5B圖所示。相位差材料13係設置於第—部份^丨中， 且第一部份111係形成連續之環狀結構。第—部份lu覆 盍位於缺陷15上之一部分之邊緣’但不覆蓋位於缺陷15 上之部分之内。第一部份1U可以缺陷15之中心點為圓 心來設置’如第5B圖所示。然而，第一部份丨丨丨亦可以 缺陷15之中心點為圓心位移。再者，第一部份ui可能 不完全覆蓋缺陷15上之部分之邊緣。於另—實施例中，匕 第一部份111可完全地延伸至位於缺陷15上之部分之 中’或完全地延伸至缺陷15上之部分之外。 根據第5C圖所繪示之實施例中，分別具有相位差材 ^ 131及132之二個第一部分llu及1112，係設置於缺 陷15上。舉例來說，第一部份lu可為如第圖所繪示 之環狀結構。第一部分1112係可為如第5A圖所繪示之圓 形結構。第一部份1111及1112可為分開之部分，且可為 =實之結構 '然而，S —部份lln及1112可完全地或 部分地重疊，且第一部份U11及1112可形成一封閉結 構。第一部份U11及1112係可以相同之圓心設置如第 C圖所不。然而，第一部份丨111及1112亦可位移地設置。 =外，第一部份nll及1112可局部地於缺陷15上之部 刀相互重疊，或是可完全地於缺陷15上之部分之内或之 1377436
File:TW4752F 外產生重疊。相位差材料131及132可為相同物質或具有 不同物質。此外，相位差材料131及132可具有或 - 之厚度。 - a第5D圖繪示相位差材料131及132設置於缺陷15上 .之第-部份liii及1112之另一實施例。第一部份uii •及1Π2可皆具有環形結構，且第一部份U11例如是設置 =第5B圖所示。第一部份uu及1112可以相同之圓心 設置，亦可為相互位移地設置。第一部份lu丨及11丨2可 皆完全地設置於缺陷15上之部分。然而，第—部份⑴！ 及1112兩者之一或兩者可設置於缺陷15 _L之部分之外。 =卜具有另—相位歸料之另多個第—部份可以環形結 構或圓形結構設置於缺陷15之上，如第5八圖所示。 第5E圖繪示相位差材料131至137設置於缺陷π上 第邛伤1111至1117之另一實施例。於此實施例中， 具有-相位差材料之七個第—部份料示於第Μ圖中。 於其他實施例中，係可設置具有一相位差 份。第—部份ιηι至崎形成二 =片且可具有不同規格，例如具有不同角度、内徑及外 =。如上所述，第一部份U11至1117可相互重疊或無重 ® ’並可根據缺陷15共中心地排列或交錯排列。第一部 二1U至1117可為相互分離之部分且形成非緊密結構， 甘錯地設置於其他實施例中，第一部份1⑴至 他开多個第一部份可呈圓形、橢圓形、矩形或其 厂部份1111至1117及另其他多個第一部份更 17 1377436 » »
File:TW4752F 可形成其他圖樣，如西洋棋棋盤圖樣、交叉線條或並列之 線條。 - ，位差材料131至137另其他多個相位差材料可為相 同材質或包括不同材質。此外，相位差材料131至137可 .具有相同或不相同之厚度。 如第5A至第5E圖所繪示，可設置一相位差材料j 3 或不同之相位差材料，以盡可能地補償缺陷15所引起之 相位差。因此’係可校正超紫外線光罩上之相位缺陷並 修復超紫外線光罩。如第5A至第5E圖所繪示，第一部份 111可包括位於一缺陷15±之至少部分之一基板。然而， 第一部份111可設置於與缺陷15之間距有一距離之基板 之其他部分。也就是說，第一部份ln可不包括位於缺陷 15之上之。p刀。此外，具有一光罩材料工4之一第二部分 112可重疊缺陷15上之至少一部分。第二部分ιΐ2可包括 部分之或全部之第一部份⑴。於其他實施例中，單一個 或多個第一部份111可包括具有光罩材料U4支部分之或 全部之第二部分112。 第6圖綠示修復一超紫外線光罩方法之流程圖。需修
復之超紫外線光罩包括一基板、-反射多層結構及至少I 缺陷。反射多層結構係設置於基板之上。缺陷係位於多層 結構之上或之内。超紫外線光單可包括一光罩材料設置於 位於多層結構之上之基板之第二部分。光於 超紫外線光罩之圖樣。首先，如 兀刘/騍310所不，辨識位於 先罩上之缺陷’並決定光罩之基板上之缺陷之部分。缺陷 1377436
I I
File:TW4752F 如步驟S30所示，於藉由判斷多層結構所反射之輻射 之相位差以沈澱相位差材料之後，確認修復是否成功之步 驟係可選擇性地執行，其中相位差係由缺陷引起，並被相 - 位差材料所影響。另一確認修復是否成功之方法為，判斷 .修復之超紫外線光罩所產生之空氣凝象。 如步驟S40所示，受影響之相位差或修復之超紫外線 光罩之空氣凝象可分別與相位差之一預定值或與一預定 空氣凝象相比。 • 若受影響之相位差係大於預定值，或是若判斷之空氣 凝象不符合預定空氣凝象，則可執行另一修復超紫外線之 程序。此修復可包括沈澱另一相位差材料於基板之相同或 另一第一部份，如步驟S20所示。然而，此修復可包括移 除至少部分之相位差材料（如步驟S50)並再次沈澱一相 位差材料（如步驟S20 )。再次沈殿之相位差材料可包括與 原來沈澱之相位差材料不同之物質，並具有與原來沈澱之 相位差材料不同之厚度或不同之排列。 ® 若判斷之狀態與預定狀態不相符，於沈澱一相位差材 料（如步驟S30)及比較判斷之狀態與一預定狀態（如步 驟S40)後，決定超子外線光罩之狀態之步驟係可重複執 • 行。 本發明配合第6圖之說明係用以修復一多層結構系統 或一系統中之一相位虐f損方法，此多層結構系統或系統至 少有一層會影響此層所反射之一韓射。此方法並非用以限 定修復超紫外線光罩。 21 1377436
» I
File:TW4752F 本發明上述實施例所揭露之實施例係以舉例之方 式，但並非用以限定本發明。任何修改、變化及等價配置 . 方式皆落入本發明之範圍。 • 綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然 -.其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常 知識者，在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作各種之 更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專 利範圍所界定者為準。
22 1377436
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File:TW4752F 【圖式簡單說明】 第1A圖及第1 β圖繪示依照本發明較佳實施例之具有 用以修设夕層結構缺陷之一相位差材料一超紫外線光罩 ’ 之剖面圖。 " 第2Α圖繪示不具有一相位差材料之一暴露輻射光束 - 之一缺陷之結果。 第2Β圖繪示不具有用以修復缺陷之一相位差材料之 一暴露輕射光束之一缺陷之結果。 第3Α圖及第3Β圖繪示依照本發明較佳實施例之具有 一不均勻厚度之一相位差材料之一超紫外線光罩之剖面 圖0 弟4Α圖及第4Β圖繪示另一實施例之具有變化之厚度 之一相位差材料之一超紫外線光罩之剖面圖。 第5Α圖到第5Ε圖繪示不同實施例之用以修復缺陷之 相位差材料之配置方式之平面圖。 • 帛6㈣示用以修復—超紫外線光罩方法之流程圖。 【主要元件符號說明】 • Μ:超紫外線光罩 11 :基材 卜 U 卜 1111、1112、1113、1114、1115、1116、1117 : 第—部份 112 :第二部份 116 :缺陷區 23 1377436 « t
File:TW4752F 12 :反射多層結構 13、131、132、133、134、135、136、137 :相位差 材料 • 14 :光罩材料 . 15 :缺陷 151 :凹洞形缺陷 152 :碰撞形缺陷 21 :射入暴露輕射 • 21卜22卜221’ ：相峰 22、22’ ：反射之暴露輻射 dl、d2 :厚度 wl、w2、w3 :橫向長度 S10〜S50:步驟 24
Claims (1)
1377436 101年.05月22日核正替换頁 2012/5/22_la 申復 & 修正 十、申請專利範圍： 1. 一種超紫外線光罩，包括： 一基材； 一反射多層結構，位於該基材之表面； 一相位差材料，位於該反射多層結構之上，且位於該 基材之至少一第一部份之上；以及 一光罩材料，位於該反射多層結構之上，且位於該基 材之複數個第二部分之上，該光罩材料係對應於該超紫外 線光罩之複數個光罩圖樣， 其中，該至少一第一部份係包括該基材之至少部分之 一缺陷區，一暴露輕射之一相位差係由位於該反射多層結 構之下或之中的一缺陷所引起，該相位差材料係補償該相 位差。 2. 如申請專利範圍第1項所述之超紫外線光罩，其 中該相位差材料之厚度係小於或至多等於該光罩材料之 厚度。 3. 如申請專利範圍第1項所述之超紫外線光罩，其 中該相位差材料之厚度係小於或等於100奈米 (nanometer，nm) 〇 4. 如申請專利範圍第1項所述之超紫外線光罩，其 中該相位差材料之原料係相同於該光罩材料之原料，且其 中該相位差材料之厚度係不等於該光罩材料之厚度。 5. 如申請專利範圍第1項所述之超紫外線光罩，其 中該相位差材料之厚度於該至少一第一部份中呈現變化。 097122705 1013195169-0 25 1377436 101年05月Z2日後正替換頁 2012/5/22_la 申復 & 修正 6·如申請專利範圍第1項所述之超紫外線光罩，其 中該相位差材料之厚度於該至少一第一部份中固定不變。 7. 如申請專利範圍第1項所述之超紫外線光罩，其 中該至少一第一部份之一橫向長度係小於或等於奈 米。 8. 如申請專利範圍第1項所述之超紫外線光罩，其 中該相位差材料之吸收能力係低於或至多等於該光罩材 料之吸收能力，該相位差材料之吸收能力係相關於該相位 差材料之厚度。 9. 如申請專利範圍第1項所述之超紫外線光罩，其 中δ亥相位差材料之原料包括選自由鉛 '錮、鈹、碳或二氧 化矽所構成之群組其中之一。 10. 如申請專利範圍第1項所述之超紫外線光罩，其 中該相位差材料之吸收能力係低於該光罩材料之吸收能 力’且/或該相位差材料之相位差能力係高於該光罩材料 之相位差能力。 11. 如申請專利範圍第1項所述之超紫外線光罩，其 中該相位差材料包括由不同物質所形成之堆疊層。 12·如申請專利範圍第1項所述之超紫外線光罩，其 中该至少一第一部份之一橫向長度係小於整個該缺陷區 之一橫向長度。 13. 如申請專利範圍第1項所述之超紫外線光罩，其 中該至少一第一部份係為一環狀結構。 14. 如申請專利範圍第1項所述之超紫外線光罩，其 097122705 1013195169-0 26 1101年05月左日倐正替換頁 2〇i2/5/22_la 申復 & 修正 ^亥至少—第—部份係包括複數個第—部份，該些第一部 =純於該缺陷區之上；且其中位於該缺陷區之上的該些 第一部份係形成對應於該缺陷的圖樣。 5.如申明專利範圍第14項所述之超紫外線光罩， :中位於該缺陷區上之不同之該些第-部份的該相位差 材料具有不同之原料。 ▲ 16.如申凊專利範圍第1項所述之超紫外線光罩其 • t軸位差材料、該相位差材料之厚度及該至少—第一部 份=橫向長度係被決定，使得該反射多層結構所反射之該 暴露輻射的該相位差係以一預定方法被補償。 17. 如申請專利範圍第丨項所述之超紫外線光罩，其 中ό玄至少一第一部份係包括複數個第一部份，該些第一部 份係位於該缺陷區之上；且其中，該相位差材料;'該純 差材料之厚度及該些第一部份之橫向長度與該些第一部 份於該缺陷區上之配置位置係對應於每一個該些第一部 _ 份，使得該相位差以一預定方法被補償。 18. —種修復一超紫外線光罩的方法，該超紫外線光 罩包括一基材、位於該基材上之一反射多層結構及至少一 缺陷，該至少一缺陷係位於該反射多層結構之下或之中， 該方法包括： 決定該基材之一缺陷區之位置，一暴露輻射之一相位 差係由該缺陷區之該至少一缺陷所引起；以及 設置一相位差材料於該反射多層結構之上，該相位差 材料係位於該基材之至少一第一部份之上，其中該至少一 097122705 1013195169-0 27 1377436 101年05月22日按正替换頁 2012/5/22_lsl 申復 & 修正 第一部份包括至少部分之該缺陷區， 其中，該相位差材料係補償該相位差。 19. 如申請專利範圍第18項所述之方法，更包括： 決定該缺陷區之横向長度及/或該相位差；以及 選擇該相位差材料之適當原料、適當厚度及適當位 置，以於設置該相位差材料後，被反射之該暴露輻射的該 相位差藉由一預定方法而受到影響。 20. 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中該超 紫外線光罩更包括一光罩材料位於該反射多層結構之 上，且位於該基材之複數個第二部分之上，該光罩材料係 對應於該超紫外線光罩之複數個光罩圖樣。 21. 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中該相 位差材料係利用一電子束感應氣體注塑物質沈澱方法所 產生。 22. 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中該相 位差材料係設置於該至少一第一部份中，並具有一固定厚 度。 23. 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中該相 位差材料係設置於該至少一第一部份中，且該相位差材料 之厚度從零變化至最大。 24. 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中該相 位差材料之厚度至多為100奈米。 25. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該相 位差材料之厚度係小於或至多等於該光罩材料之厚度。 097122705 1013135169-0 28 1377436 101年.05月22日核正替換頁 2012/5/22_lu 申復 & 修正 26. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該相 位差材料之吸收能力係低於或至多等於該光罩材料之吸 收能力，該相位差材料之吸收能力係相關於該相位差材料 之厚度。 27. 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中該相 位差材料之原料包括選自由锆、鉬、鈹、碳或二氧化矽所 構成之群組其中之一。 28. 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中該相 位差材料包括由不同物質所形成之堆疊層。 29. 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中該至 少一第一部份係包括複數個第一部份，該相位差材料係設 置於位於該缺陷區之上之該些第一部份。 30. 如申請專利範圍第29項所述之方法，其中該些 第一部份係形成一特定圖樣，該特定圖樣係相關於該缺陷 區。 31. 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中該至 少一第一部份係形成為一環狀結構。 32. 如申請專利範圍第18項所述之方法，更包括： 於設置該相位差材料後，決定被該反射多層結構所反 射之一輻射之一相位差，其中該輻射之該相位差係由該至 少一缺陷所造成並受到該相位差材料影響； 比較受影響之該輻射之該相位差及一預定相位差 值；以及 若受影響之該輻射之該相位差大於該預定相位差 097122705 1013195169-0 29 1377436 101年05月22日修正替換百 2012/5/22_lsl 申復&修正 值，至少部分地移除並重新設置該相位差材料。 33. 如申請專利範圍第18項所述之方法，更包括： 於設置該相位差材料後，決定該反射多層結構所反射 之一輻射之相位差，其中該相位差係由該至少一缺陷所造 成並受到該相位差材料影響； 比較受影響之該輻射之該相位差及一預定相位差 值；以及 若受影響之該輻射之該相位差大於該預定相位差 值，設置另一相位差材料於該基材之相同之該至少一第一 部份或另一至少一第一部份。 34. —種修復一系統47之一相位缺陷的方法，該系統 包括至少一層，其中該相位缺陷係由位於該層之上或位於 該層内之一缺陷所引起，該方法包括： 決定該系統之一缺陷區之位置，其中一暴露賴射之一 相位差係由該缺陷區内之該缺陷所引起；以及 設置一相位差材料於該系統之至少一第一部份之 上，其中該至少一第一部份包括至少部分之該缺陷區， 其中，該相位差材料係補償該相位差。 35. 如申請專利範圍第34項所述之方法，更包括： 決定該缺陷區之一橫向長度及/或由該系統所影響之 一輻射之一相位差，其中該輻射之該相位差係由該缺陷所 引起；以及 選擇該相位差材料之適當原料、適當厚度及適當位 置，以於設置該相位差材料後，以一預定方法改變受影響 097122705 1013195169-0 30 1377436 101年.05月22日修正替换頁 2012/5/22_la 申復 & 修正 之該輻射之該相位差。 36.如申請專利範圍第34項所述之方法，其中該系 統係為一多層系統。
097122705 1013195169-0 31
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102007028172A DE102007028172B3 (de) | 2007-06-20 | 2007-06-20 | EUV-Maske und Verfahren zur Reparatur einer EUV-Maske |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200912519A TW200912519A (en) | 2009-03-16 |
| TWI377436B true TWI377436B (en) | 2012-11-21 |
Family
ID=39942373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW097122705A TWI377436B (en) | 2007-06-20 | 2008-06-18 | Euv mask, method for repairing an euv mask and method for repairing a phase defect in a system including at least one layer |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8142958B2 (zh) |
| JP (1) | JP2009010373A (zh) |
| KR (1) | KR100977095B1 (zh) |
| DE (1) | DE102007028172B3 (zh) |
| TW (1) | TWI377436B (zh) |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007028172B3 (de) * | 2007-06-20 | 2008-12-11 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg | EUV-Maske und Verfahren zur Reparatur einer EUV-Maske |
| JP2010219445A (ja) | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画用の基準マークの位置検出方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
| DE102009016952A1 (de) * | 2009-04-07 | 2010-10-21 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verifikationsverfahren für Reparaturen auf Photolithographiemasken |
| KR101096248B1 (ko) * | 2009-05-26 | 2011-12-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 극자외선 위상반전마스크의 제조 방법 |
| JP6211270B2 (ja) * | 2009-06-19 | 2017-10-11 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーションＫｌａ−Ｔｅｎｃｏｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 極紫外線マスクブランクの欠陥検出のための検査システム及び方法 |
| US8592102B2 (en) * | 2009-12-31 | 2013-11-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Cost-effective method for extreme ultraviolet (EUV) mask production |
| KR101097026B1 (ko) | 2010-02-01 | 2011-12-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | Ｅｕｖ 마스크 및 그 형성방법 |
| DE102010025033B4 (de) * | 2010-06-23 | 2021-02-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Defekterkennung und Reparatur von EUV-Masken |
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2007
- 2007-06-20 DE DE102007028172A patent/DE102007028172B3/de active Active
-
2008
- 2008-06-18 JP JP2008158872A patent/JP2009010373A/ja active Pending
- 2008-06-18 TW TW097122705A patent/TWI377436B/zh active
- 2008-06-20 US US12/143,051 patent/US8142958B2/en active Active
- 2008-06-20 KR KR1020080058644A patent/KR100977095B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20080112167A (ko) | 2008-12-24 |
| KR100977095B1 (ko) | 2010-08-19 |
| US20080318138A1 (en) | 2008-12-25 |
| US8142958B2 (en) | 2012-03-27 |
| JP2009010373A (ja) | 2009-01-15 |
| TW200912519A (en) | 2009-03-16 |
| DE102007028172B3 (de) | 2008-12-11 |
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