TWI377189B - Hydrocarbon compound, charge-transporting material, charge-transporting material composition, and organic electroluminescent element - Google Patents

Hydrocarbon compound, charge-transporting material, charge-transporting material composition, and organic electroluminescent element Download PDF

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TWI377189B
TWI377189B TW095137103A TW95137103A TWI377189B TW I377189 B TWI377189 B TW I377189B TW 095137103 A TW095137103 A TW 095137103A TW 95137103 A TW95137103 A TW 95137103A TW I377189 B TWI377189 B TW I377189B
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Okabe Misako
Kawamura Yuichiro
Ogata Tomoyuki
Takahashi Atsushi
Iida Koichiro
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Mitsubishi Chem Corp
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Description

1377189 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於新穎煙化合物、由該煙化合物所構成之電 :輸送材料、及含該烴化合物的電荷輪送材料組成物。本 X明亦關於使用該娌化合物的高亮度、高效 機電致發光元件。 可卩有 【先前技術】 =機薄膜的電致發光元件正進行開發中。使用有機 ，專膜的電致發光元件、即有機電致發光元件，通常係在基 板上具有：陽#、陰極、及言免置於該等二極間且至少含^ :光層的有機層。有機層係除了發光層之外，尚使用諸如 電洞注入層、電洞輸送層、電洞阻礙層、電子輸送層、電 子注入層等。通常藉由將該等層進行積層便可使用 ^機電致發光元件。習知有機電致發光元件係利用榮光發 —但為了嘗試提升元件的發光效率，探討有非使用營 而改為採用磷光發光者。然而，即使採用碟光發光，仍耷 法獲得充分的發光效率、亮度及壽命。 … 在下述非專利文獻1與2中提案有分散性優越之球狀分 子的下述化合物（CM)、.2)等，並使用於增黏劑、 劑、奈米科技領域用、分子量或分子容標準物質用、乂射 ^ f月欠射用等方面’其耐熱性亦優越，在各種領域中備受 [化1] 312XP/發明說明書(補件)/96_〇2/951371〇3 6 1377189
.…、、而，該等化合物在對有機溶劑的溶解性上將出現問 題，頗難施行濕式製冑，且作為4光發光材料的有機電致 發光元件之電荷輸送材料，將有電解氧化還原電位差較小 的問題。 因而，期待耐熱性、耐光性均優越，且對有機溶劑的溶 解性良好，同時具有較高的單重態與三重態激發能階，並 具有較大之電解氧化還原電位差的材料。 非專利文獻 l:Chem. Mater· 1 990 年，2，第 346-349 頁 非專利文獻 2:J. Am. Chem. Soc. 1992 年，第 114 _ 1018-1025 頁 .【發明内容】 本發明之目的在提供一種耐熱性、耐光性均優越，且對 有機溶劑的溶解性良好，同時具有較高的#重態與三重库 激，能階，並具有較大電解氧化還原電位差的烴化合物^ 電荷輸送材料，以及含有該烴化合物所構成的電荷輸送材 料組成物、使用該烴化合物的高亮度、高效率且具長壽命 的有機電致發光元件。 本發明的烴化合物係分子内具有下述一般式（！）所示部 312XP/發明說明書(補件)/96_〇2/95i371〇3 分構造。 [化2]
G
式（I)中’ G係指下述一般式（11)所示取代基；Rl、R2 各自獨立的任意烴基。式（1)中，R、R2及G所鍵結的 本裱係除R1、R2及G以外並未具有其他的取代基。
[化3]
式（⑴中指各自獨立的氫原子或任意煙基 二)所示之聯三苯基係除了㈣以外並未具有其他的車 代暴。 本發明電荷輸送材料係由本發明烴化合物所構成。 •物本= 的電荷輸送材料組成物係含有:本發明的㈣ • 物、及溶劑。 本^的有機電解發^件係在基板上具有：陽極、陰 極、及设置於該等二極間之發光 含該烴化合物的層。 八行徵在於·具有 【實施方式】 具有下述特定構造 且對有機溶劑的溶 重態激發能階，並 本發明者等經深入鑽研，結果發現， 的烴化合物，耐熱性、耐光性均優越， 解性良好，料具有“的單重態與三 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 1377189 具有較大之電解氧化還原電位差，藉由使用該烴化合物， 便可獲得有;^電致I光元件，特別係磷光發光性有機電致 -發光元件中的高效率且長壽命裝置。 本發明遂根據此種發現而達成，本發㈣烴化合物係分 子内具有下述一般式（I)所示之部分構造。 本？明的電荷輸送材料係由該烴化合物所構成。本發明 的电荷輸送材料組成物係含有該烴化合物與溶劑。 鲁本發明的有機電致發光元件係在基板上具有：陽極、陰 極、及設置於該等二極間之發光層者，其特徵在於：且^ 含該烴化合物的層。 [化4]
Q (I) R1-0^R2 R! 式⑴中，G係指下述一般式(⑴所示之取代基；ri、 係指各自獨立的任意烴基。此外，式（1)中，ri r2 基 [化5] :鍵結的苯環係除了 R、R2及G以外並未具有其他的取代
(II) 的3氫原子或任意烴基。此 R〜R以外並未具有其他 式（II)中，R3〜R5係指各自獨立 外’式（II)所示聯三苯基係除了 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 9 1377189 的取代基。 本發明的烴化合物係耐熱性、耐光性均優越且對有機 =劑的溶解性I好’同_具有較高的單重態與三重態激發 能階，並具有校大電解氧化還原電位差。 故，依照由該烴化合物所構成的電荷輸送材料、含該烴 化口物的電荷輪送材料組成物、及使用該烴化合物的有機 包致發光元件，便可提供高亮度、高效率且長壽命的有 電致發光元件。 所以，使用本發明烴化合物的有機電致發光元件係可考 慮應用於表現平板顯示器（例如0A電腦用、掛壁式電 視）、車用顯示元件、㈣電話顯示及面發光體等特徵之 丰源（例如影印機光源、液晶顯示器與測量器類的背光燈 光源）顯示板、號誌燈等方面，其技術價值頗大。 再者，由本發明烴化合物所構成的電荷輸送材料、及含 該烴化合物的電荷輸送材料組成物，因為具有本質優越的 電化學耐久性，因而不僅侷限於有機電致發光元件此外 尚可有效利用於電子照相感光體等方面。 以下針對本發明實施形態進行詳細說明，以下所記載的 構成要件說明僅為本發明實施形態一例（代表例）而已，在 不逾越本發明主旨的前提下，並不僅特定於該等内容。 [烴化合物] 本發明化合物係烴化合物，即僅由碳原子與氫原子所構 成的化合物。 本發明烴化合物的特徵在於：分子内具有一般式（1)所 312ΧΡ/^^β 明書(補件)/96·02/95137103 ι〇 ^//189 不之部分構造（以下稱「部分構造I」）。 [化6] (I) riJ0^r2
弋（I)中，G係指下述一般式（II)所示之取代基；ri、r5 係才曰各自獨立的任意烴基。此外’式（I)中，f、R2及G :鍵結的笨環係除了 Rm以外並未具有其他的取代 [化7]
Οι) 式⑴）中指各自獨立的氫原子或任意煙基。此 卜’式（II)所示聯三苯基係除了 以外並未 的取代基。 β /、他 另外’本發明的烴化合物係在1分子 μ、+、Μ、 鬥具有2個以上的 刀構造！，所以當-般式⑴中的g、r1、r2分別存 在2個以上的情況，！分子内複數存在的g係可 可互異，且1分子内複數存在的Rl、R2传 、 、 « , 诉可為相同亦可互 異。此外，G、R、R2係亦可分別鍵結形成環。 再者，關於一般式（II)中的R3〜R5，亦θ W疋由於在】八了 t存在2個以上的上述部分構造丨、或R1 、 刀卞 所示之取代基，而1分子内複數地存在 ^一般式（ίΙ) 隹泫卓的情況，該等 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96·02/95137103 11 丄丄/7189 係可為相同亦可互異。 [1 ]構造上之特徵 本發明的烴化合物係藉由具有1個以上之伸笨其以m一 位直鏈狀地複數連結的部分 土 代美门，而見女VI 構（述—般式⑴）所示取 气土 G)而具有優越非晶質性、對t一/ 之高溶解性。 戸曰曰質"方香知烴系有機溶劑 由優越非晶質性、對芳香族糸 ^ m n ^ ^ ^ 方香私经糸有機洛劑具高溶解性的 匕：獲仔|父局的單重態與三重態激發能階之觀點 '及 氧化還原電位差的觀點而言，尤以具有2個以上之 ^土以m-位直鏈狀地複數連結的部分構 ί⑴所示取代基G)者為佳，更以3個以上為佳。此； ‘刀構造係藉甴存在有於卜3、5_位具有取代基的苯環（上 述瓜式（〗）），便可在不致損及上述優越特徵的前提下， 兼具有較高的玻螭轉移溫度。 一由高電荷輸送性的觀點 '優越f化學耐久性的觀點、或 #兩玻璃轉移溫度的觀點而言，最好分子内的部分構造係具 ，有1個以上的對聯二苯骨架，尤以2個以上為佳。對聯三 笨骨架特別以下述-般式（IV)所示者為佳（（ιν)式中，r6 與R7係指各自獨立的氫原子或任意煙基）。 [化8] R6
[2JR1 ' R2 312XP/#BJ^*(Mft)/96-02/95137103 12 (IV) 心i (rn其二’R與R2係指各自獨立的任意烴基。 t 基的具體·佳者如下述： 石反數1〜30的烷基（例 正丁基、異丁基、第上甲基、乙基、正丙基、異丙基、 基等）； —丁基、正己基、環己基、辛基、癸 ^炭數2〜的稀基（例如：乙稀基、2,2_二甲基乙稀基 石反數2〜30的炔基（例如.乙炔美 環碳^的，香族煙基(例如'苯環、蔡環⑽^ & 四環、笨并純、 螢環⑴财anthene)等之源自六元環的單環 美…化合㈣1價基、或該等所複數個連結形成的1價 基（恥本基、聯三苯基等））； ::碳數卜30的燒基、碳數6,的芳香族烴基為佳， 取么為R及/或R2為一般式（11)所示取代基。 上述取代基亦可更進—步具有任意數量的取代基。該取 代基的較佳具體例係如同上述取代基。 [3]R3〜R7 " -般式（II)t的指各自獨立的氫原子或任音煙 該任意烴基的具體例最好如： 異丙基、 辛基、癸 碳數1〜30的烧基（例如：f基'乙基、正丙基 正丁基、異丁基、第三丁基、正己基、環己基、 基等）； " 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 13 7 等f數2〜3〇的婦基（例如：乙稀基、2,2-二甲基乙婦基 ，數2〜30的炔基（例如：乙炔基等）； 碳：6’的芳香族烴基(例如:苯環、萘環、蒽環、菲 、四¥環、祐環、苯并祐環、篇環、三鄰苯環 環 总笛XB姑 必 他艰、二鄰笨環、 自六元環的單環或2〜5縮合環的1價基、或 θ" 數個連結形成的1價基（聯苯基、聯三苯基等））. 最^數卜Μ的燒基、碳數6〜Μ的芳香族烴基為佳， 佳為本基或該等所複數個連結形成的1價基。 代代基亦可更進一步具有任意數量的取代基。該取 =、較佳具體例係如同上述取代基的具體例。 R特別以氫原子、碳數卜30的烧基、或碳數6〜 =烴基為佳’更以氫原子、或碳數卜3G的芳香族煙基 R_特別以氫原子、碳數卜30的烷基或碳數6〜3〇的芳香 族烴基為佳，由不損及對有機溶劑的溶解性觀點而言方 好為氫原子、或碳數卜30的烷基。 R特別以氫原子、碳數卜30的烷基、或碳數6〜3{) 香族蛵基為佳，由電氧化還原耐性的觀點而言， 失= 原子。 叹开為虱 特別以氫原子、碳數卜刊的烷基、或碳數6~3〇 香紅烴基為佳，更以氫原子、或碳數6〜3〇的芳 、芳 為佳。 万胥麵烴基 R特別以氫原子、碳數卜⑽的烷基、或碳數 的芳 31 2χρ/^β^|^Η^^(^^)/96-〇2/95 137103 14 1377189 香族烴基為佳，更以氫 為佳。 “數6〜30的芳香族烴基 [4]1分子内的部分構造I數量 本發明的烴化合物係只要ρ 構造I便可，其數量並無特別限制内;=以上的部分 1數量最好在卜10範圍内’尤子内内/土部分構造 右部分構造I數量超過該上 广。 導致氣化溫度上升㈣更頗難將不純物去除， 對有機溶劑的溶解性^ 鑛法施行製膜，恐將造成 礙的狀況發生，因而最好避免。 W了衣膜造成障 [5 ]煙化合物的分子量 本發明趣化合物的分 以下為佳。若炉化八你：里最好在5_以下，尤以3_ 物去除，導勒^ 刀子量超過該上限’便頗難將不純 恐將造成對有度上升而較難湘蒸鍍法施行製膜， 膜造成障礙的/溶劑的溶解性降低，而對依濕式法施行製 膜w成障礙的狀況發生，因而最好避免。 為：者广化合物分子量最好在500以上，尤以_以上 限^執Γ -800以上為佳。若煙化合物分子量少於該下 雖W用:將降低’實用性受限制，氣化溫度將降低，頗 ψ 条錄法施行製膜’在利用濕式法施行製膜時，恐將 現膜質降低等障礙，因而最好避免。 [6]烴化合物之較佳構造 本七明的烴化合物特別以下述一般式（111)、（ Iν_ι)、 IV-2)任一者所示化合物為佳： 31250>__#(_^/96_〇2/95137 阳 [化9]
分子中所 〇 式中，R3與R、如同上述式⑴ 二的複數^“可㈣彳目同亦可互異。 [化10] 共
^ 1)中，R3及R4係如同上述式（11)中的定義。一分 中所3的複數R肖係可分別相同亦可互異。鱼 係指各自獨立的氫原子或任意烴基。 W /、 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 16 1377189 [化 11]
式（IV-2)中，R與R4係如同上述式（⑴中的定義。 J係指各自獨立的氫原子或任意煙基。一分子中所含的 複數R與R係可分別相同亦可互異。 [7 ]烴化合物之例示 •以下，例不本發明化合物的較佳具體例，惟本發明並 . 不僅侷限於該等。
312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 17 1377189 [化 12]
312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 18 < S > 1377189 [化 13]
312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 19 1377189 [化 14]
312XP/發明說明書(補件)/96-02/9513Ή 03 1377189 [化 15]
312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 21
S 1377189 [化 16]
312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 22 s 1377189 [化 17]
312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 23 1377189 [化 18]
312XP/發明說明書(補件)/96-02/9513*7103 24 1377189 [化 19]
312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 25 f s. 1377189 [化 20]
[化 21]
312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 26
1377189
[化 22]
[8 ]煙化合物之合成法 本發明烴化合物係利用周知手法的組合便可合成。 合成方法具體例係如下示。 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 27 ^//189 ’ t中間體係屬一般可取得的情況時，當 合成的前階段。 $ % 以下的反應式中，R«係指任意烴基，亦 載R、R2同義，*八工Λ八古…。 發月所1己 為相同亦丄分子中含有複數心的情況，分別可 如任Ϊ烴基或可取代烴基的任意脫離性取代基（例 Y伤；：、虱、氟、三氟曱烷磺醯基、對曱笨磺醯基等）； 灵s二。Γ、~_)2等取代爛原子、，X基、 基、-Snx2*(其中，X係指碘、漠、 化金屬元素。 1亂等鹵原子)等鹵 本,明的一般式⑴所示之部分構造係例如可利用以下 所不1)〜3)的手法進行合成。 1)使用酸觸媒的乙醯基環化反應 [化 23]
312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 28 本反應所使用的酸觸媒係有如：四氯化欽、四氣 f酸、硫酸、三氯化紹、氣化亞磺酿、三氟化硼·乙醚_、 &酸、刷7、Nafi〇n Η(參照 Catalysis W⑽，略: 341-344’（1 990))等，相對於原料的乙酿基】莫耳當 使用0.H。。莫耳左右。上述反應亦可在無溶劑下實施予 而所使用的溶齊“系可使用諸如··水、甲醇、乙醇、異丙醇、
二？二醇、甲笨、二甲苯、氯苯、二氣苯、己烷、氯仿、 二氣甲烷、二氣乙&、四氣化碳、二乙醚、四氫呋喃、二 '^烧、二甲氧基乙烧、乙二醇單乙喊、硫酸、醋酸等，或 該等2種以上的混合溶劑。溫度條件係在_2〇〜2〇〇它範圍 内，最好〇〜1〇〇ΐ範圍内。反應時間通常在3〇分〜48小時 左右。反應系統中的環境係為大氣、乾燥空氣、氮、氬等， 最好為乾燥空氣、氮、氬。此外，視需要亦可共存著三甲 氧基甲烷等。 上述反應的關聯文獻係有如： φ Journal of Chemical Research, Synopses, (12), ,778-779, (2003) >
Polymer Preprints (American Chemical Society, Division of Polymer Chemistry), 44(2), 811, (2003)' Huaxue Tongbao, 67(9), 700-701, (2004) '
Journal of Chinese Chemical Society (Taipei, Taiwan), 49(1), 91-94, (2002) '
Synlett， （12)， 1947-1949， （2001)、
Huaxue Shiji， 22(6)， 331-332， 359， （2000)、 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 29 1377189
Huaxue Tongbao, (8), 21-22, (2000) '
Huaxue Shiji, 41(3), 130-131, (2000)'
Journal Chemical Research Synopses, (7), 232-233, (1997)、
Tetrahedron Letters, 38(6), 1071-1074, (1997) > Tetrahedron Letters, 32(33), 4175-4176, (1 991 ) ' • Catalysis Letters, 6(3-6), 341-344, (1 990) ' • Chemische Berichte, 121(12)， 2179-2185’ （1988)、 ‘ Journal of Organic Chemistry, 69， 6050-6058, (2004) •等，視需要可利用該等所記載的具體條件。
. 再者’當此處所獲得化合物係屬於中間體的情況（即，Q 相當於X的情況），便可使用周知的芳香基-芳香基偶合手 法，藉由導入3-聯苯基或其類似基，可獲得本發明的烴 化合物。 • 周知的芳香基_芳香基偶合手法，具體係可採取諸如： -「Palladium in Heter〇cyclic Chemistry: A guide for the Synthetic Chemist」（第二版、2002、Jie jack Li and
GordonW. Gribble、Pergamon公司）、「拓展過渡金屬的 有機合成其多彩反應形式與最新成果」（1997年、辻二郎、 化學同仁公司）、「Vollhardt and Sch〇re現代有機化學 下」（2004年、K. P. C· Vollhardt、化學同人公司））等 所記載或引用之相關i化料基與料基喊自旨之偶合 反應等環間鍵結（偶合）反應）。 σ 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96.02/9513*71 30 1377189 2)由°比啶鑌鹽之合成 例如 可利用 Journal fuer Praktische Chemie(Liepzig)’ 327(5)，775-788，（1 985)中所記载的 下述反應。 [化 24]
* αο4·
— 再者，當此處所獲得化合物係屬於中間體的情況（即，Q 相當於X的情況）’便可使用前述周知的芳香基-芳香基偶
，合手法’藉由導入3-聯苯基或其類似基，可獲得本發明 的烴化合物 X 3)由聚_化物之合成 例如可利用下述反應等。 [化 25]
312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 31 在非活性氣體環境下，將齒化芳 酸、芳香基硼酸酯、芸禾/、堵如方香基硼 基漠化鎮、芳芳香基氯化辞、芳香 以及肆（：苯義膦Γ等（相對於x為以1·5當量）， 0 oom 1 等〇價鈀觸媒（相對於X為 。.峨〜〇.2當量)，如第三丁氧基納、第 “ 酸鎚 '碳酸納、碳酸钾、碌 氫氧化納等驗（相對ΗΑ2ιη乙胺1氧化鉀、 醇、正己醇、乙4 ,為1〇當1)，如:水1醇、乙 乙一知、乙二醇單乙醚、二乙醚、二 乙烷、四氫呋喃、i 4__ 土 -着絮τ烷本、甲苯、二甲苯、氯苯、 一，甲炫、Ν，Ν~二甲基甲醯胺、環己烧、環己嗣、 本甲m日、醋酸乙_等溶劑（相對於X為G.G1〜刚升/ 莫耳左右）等，一起d15(rc溫度條件，施行卜 時程度的攪拌，便可進行上述反應。 需要經由上述反應式中之中間體1或2時的合成手法， 其相關文獻具體有如:Bull Chem s〇c Jpn 3122 — 3126，（1 989)、加加-，13，2m_2i85)，， (2004) > Journal of the American Chemical Society, 114(3)，1018-1 025,（1992)、Chem· Mater.，2, 346-349 (1990)等。 ’ 再者，上述合成方法例所示之構造係可使用任意周知連 結手段，形成更大分子量的化合物。 化合物的精製方法係可利用諸如··「分離精製技術手冊」 (1 993年、日本化學（財）彙編）、「依化學轉換法所施行的 微量成分及難精製物質之高度分離」（1988年、ipc(股） 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 32 1377189 =版）、或「實驗化學講座（第4版M」⑽ 學（財）彙編）中在「分離與精製 I日本化 知技術。 褙衣」項中所兄載的方法等周 :體：有如:萃取(包括:懸浮洗淨、煮沸洗淨、 ::二洗淨)、吸附、吸藏、融解、晶析(包括從溶劑 再、，Ό日日、再沉澱）、蒸餾（常壓蒸餾、減壓蒸餾）、— ‘發、昇華（常壓昇華、減壓昇華）、離子交換、透析、過遠洛 超過濾、逆渗透、加壓滲透、帶域溶解、電泳、離心分離 浮選分離、沉澱分離、磁分離、各種色層分析儀（形狀分 類：管柱、濾紙、薄層、毛細管。移動相分類：氣體、液體、 *膠束、超臨界流體。分離機構：吸附 '分配、離子交換、 ，分子篩、螯合、凝膠過濾、排除、親和層析）等。 、 生成物的確認與純度分析方法，視需要係可採取諸如： 氣相色層分析儀（GC)、高速液相色層分析儀（HPLC)、高速 .胺基酸分析儀（AAA)、毛細管電泳測量（ce)、分子篩層析 •法（SEC)、凝膠滲透色層分析儀（Gpc)、交叉分級層析（CFc) .質量分析（MS、LC/MS、GC/MS、MS/MS)、核磁共振裝置 (NMRGHNMR，13CNMR))、傅立葉轉換紅外分光高度計 (FT-IR)、紫外可見近紅外分光高度計（uv VIS、NIR)、電 子自旋共振裝置（ESR)、穿透式電子顯微鏡（TEM-EDX)、電 子探束微分析儀（ΕΡΜΑ)、金屬元素分析（離子色層分析 儀、感應耦合電漿原子發射光譜分析儀（ICP-AES)、原子 吸收光譜（AAS)、螢光X射線分析儀（XRF))、非金屬元素 分析、微量成分分析（ICP-MS、GF-AAS、GD-MS)等。 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-02/95137103 33 1377189 [9 ]烴化合物之用途 本發明的烴化合物因為具有高電荷輸送性，因而頗適合 作為電荷輸送材料，並可使用於諸如電子照相感光體、二 機電致發光元件、光電轉換元件、有機太陽電池、有機整 流元件等方面。 再者’因為具有較高的三重態激發能階因而藉由使用 ‘由本發明烴化合物所構成之電荷輸送材料，便可獲得对熱 性優越、長期間安定驅動（發光）的有機電致發光元件。 故，本發明烴化合物與電荷輸送材料將特別適合作為有機 電致發光元件材料。 · [電荷輸送材料組成物] .本發明的電荷輸送材料組成物係含有前述的本發明烴 化合物與溶劑，最好使用於有機電致發光元件用。 [1 ]溶劑 ▲本發明的電荷輸送材料組成物中所含溶劑，係只要屬於 •能將溶質的本發明電荷輸送材料進行良好溶解之溶劑 *便可，其餘並無特別限制。 因為本發明電荷冑送材料的溶解性非常高，因而將可適 用各種溶劑。例如：甲苯、二甲苯、二甲氧笨青微素 Oi^thicmin)、環己基苯、萘滿等芳香族烴；氣笨、二 氣苯、二氯苯等鹵化芳香族烴；12_二甲氧基苯、1 3一 一甲氧基苯、菌香酸、苯乙峻、2一曱氧基曱苯、3一基 甲苯、4-甲氧基甲苯、2,3_二甲基菌香謎、2,4 裔 香趟等芳香族峻；醋酸苯醋、丙酸苯醋、笨甲酸甲/笨 312XP/發明說明書(補件)/96—〇2/95丨37丨〇3 1377189 甲酸乙酯、苯甲酸丙酯、苯曱酸正 ，、環辛㈣具脂環的酮;甲基等=:心 _ ;甲基乙基_、環己醇、環辛醇等具脂1 己醇等脂肪族醇；乙二醇二甲喊、乙二醇二乙：、，乙丁:丙 广-1-單甲基_(PGMEA)等脂肪族_ ;醋酸乙龜、許酸 正丁酿、㈣乙醋、㈣正丁錯等脂肪族酿料。心之 k由水=解度較低、不容易變f的觀點而言^好為 :::、二甲氧苯青黴素、環己基苯、蔡滿等芳香 在有機電致發光元件中，因為陰極等大多使用會因水分 而明顯劣化的材料，因而組成物中存在的水分，若 ^的膜中將有殘留水分，财導致元件特性 能 性，故最好避免。 降低組成物中之水分量的方法有如：氮氣密封使用乾 無劑、將溶劑預先施行脫水、使用水溶解度較低的溶劑 專。其中’當使用水溶解度較低的溶_，於濕式製膜步 驟中，可防止溶液膜吸收大氣中的水分而白化之現象，因 而較佳。由此種觀點而言，本實施形態所適用的電荷輸送 材料組成物，最好例如251下的水溶解度為丨重量％以下 (尤以0. 1重量％以下為佳）之溶劑，在組成物中含有1〇重 量％以上。 再者，濕式製膜時，為降低因從組成物所產生的溶劑蒸 發所導致之製膜安定性降低的狀況，電荷輸送材料組成物 所使用之/合劑的沸點在丨00。〇以上，較佳沸點達150它以 312XP/發明說明書(補件)/96_02/951371〇3 35 獲得斷以上的溶劑將具效果。此外，為能 速度進行1:膜因:須，後的液膜中㈣ 100〇C.r 30t, _，最好沸:未 =Γ 之使用將屬有效。 印點未滿230 C的溶劑 滿足上述條件（即，溶質溶解性、蒸發 的條件）之溶劑传可I 、 又水各解度 件之溶劑的Ή往‘無法選擇能滿足全部條 瞻光：：時’亦可將2種以上的溶劑混合使用。 .本發明的電荷輸送材料組成物最好含有 ，所謂;;發储料」係指在本發明電荷輸送材料組成物中 主要進仃發光的成分，相當於有機EL裝置的推雜成分。 從該電荷輸送材料組成物所發出之光量（單位：cd/m2) 中’通常1(Μ〇〇%、較佳2(Μ〇〇%、更佳5(M〇〇%、最佳 • 80 10(U被鑑定為從某成分材料進行發光的情況時，便將 •其定義為「發光材料」。 發光材料係可適用任意的周知材料，可單獨或複數混合 使用螢光發光材料或磷光發光材料，由内部量子效率的觀 點而言，最好為磷光發光材料。 再者’在提升對溶劑的溶解性之目的下，降低發光材料 分子的對稱性與剛性、或導入烷基等親油性取代基之事亦 屬重要》 發出藍色發光的螢光色素係有如：茈、芘、蒽、闊馬靈、 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 36 素係有如二=)r苯：該等的衍生物等。綠色螢光色 色素係有如：紅癸烯/T t、闊馬靈料物等。黃色營光 有如:_系化=笨:=生物等。紅色營光色素係 衍生物、笨并嗔 南何生物、若丹明（Rhodamine) 麟光發光材㈣：：有氮雜笨并㈣等。 鱼屬的有機金屬錯合物。 矢〒 含有選擇自週期表第7至 金屬錯合物中，較佳的金屬係有：.二金屬的磷先银性有機 般式（v)„t下、f金4。該4有機金屬錯合物最好如下述— :二:Γ般式(VI)所示化合物。 [化26] 保心〇、1或2。
(VI) 一般式（VI)中，…係指金屬 指分別獨立的取代基。其中， 與 R95。 ’ Τ係指碳或氮。R92〜R95係 富τ為氮的情況，便無反94 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-02/95137103 37 1377189 以下，首先針對一般式（V)所示化合物進行說明。 一般式（V)中，Μ係指任意金屬，較佳的具體例係有如 選擇自週期表第7至11族中之金屬，諸如前述金屬。 再者，一般式（V)中的雙芽配位基L與L’係指分別具有 以下部分構造的配位基。 [化 27]
[化 28]
Μ Μ 3 0 Ο S Ο S Ο Ο
312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-02/95137103 38 丄377189
CaH60C2H40
FaC tv〇 0>λη 而言’特別以下述所舉例者
L係由錯合物安定性的觀點 為佳。 [化 29] 0-0 CV〇 ^述L、L，的部分構造中，環A1係指芳香族煙基 香知雜裱基，該等亦可具有取代基。此外，環 ^ 氮芳香族雜環基，該等亦可具有取代基。 當環Al、A2具有取代基的情況時，較佳的取代基係有 _如：氟原子等齒原子；甲基、乙基等烷基；乙烯基等^基； •甲氧羰基、乙氧羰基等烷氧羰基；甲氧基、乙氧基等^氧 棊’本氧基、苄乳基等芳氧基；二甲胺基、二乙胺基等_ 烷胺基；二苯胺基等二芳香胺基；咔唑基；乙醯基等醯基； 三氟曱基等鹵烷基；氰基；苯基、萘基、菲基等芳香族烴 基等等。 1 一般式（V)所示化合物尤以下述一般式（Va)、（Vb)、CVej 所示化合物為佳。 [化 30] 312XP/發明說明書(補件)/96-〇2/95137103 39 丄J / /丄07 一般式（Va)cf7，『心t
屬的價數。此外，r糸指與M相同的金屬，w係指上述金 基，環A2係指亦係指亦可具有取代基的芳香族烴 [化31] 、取代基的含氮芳香族雜環基。
(Vb) 一般式（Vb)中，r係指與㈠ ，屬的價數，卜，環A1係指亦可具有取代基 •基、或亦可具有取代基的芳香糝雜„ 香族 具有取代基的含氮芳香族雜環基。 ’、θ亦"5] [化 32]
(Vc) 312XP/發明說明書(補件)/96·02/95137103 40 !377189 —般式（Vc)中’ MC係指與Μ相同的金屬 屬的價數。此外，j係指〇、丨或2。 四係“上述金 係指分別獨立之亦可具有取代基的芳另香:二A;與環 有取代基的芳香族雜環基。環A2 *環a 亦可具 之亦可具有取代基的含氮芳香族^刀別獨立 上述一般式（Va)、（Vb)、（Vc)中 最好如：苯基、聯笨基、萘基、葱基m^A1的基 笨并噻吩基、笨并呋喃基、吡"夫南基、 味唾基等。 基比定基、噎啦基、異㈣基、 :者，…環A2’之基最好如:吼絲、嘴絲1 “A二=二开㈣基、笨并十坐基、苯并味唾基 喹啉基、異喹啉基、喹哼啉基、菲啶基等。
再者’ 一般式（Va)、（Vb)、（vc)所示化合物中所亦可呈 有的取代基，係可舉例如：氟原子等南原子；甲基、乙基 等烷基；乙烯基等烯基；f氧羰基、乙氧羰基等烷氧羰基土; 甲氧基、乙氧基等烷氧基；苯氧基、苄氧基等芳氧基；二 f胺基、二乙胺基等二烷胺基；二苯胺基等二芳香基胺 基，咔唑基；乙醯基等醯基；三氟甲基等齒烷基；氰基等。 當上述取代基係烷基的情況時，其碳數通常為丨以上、 6以下。當取代基為稀基的情況時，碳數通常為2以上、 6以下。當取代基為烷氧羰基的情況時，碳數通常為2以 上、6以下。當取代基為烷氧基的情況時，碳數通常為工 以上、6以下》當取代基為芳氧基的情況時，碳數通常為 6以上、14以下。當取代基為二烷胺基的情況時，碳數通 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 41 1377189 時2以24以下。當取代基為二芳香基胺基的情況 =碳數通常為12以上、28以下。當取代基為醯基的情 =，碳數通常為i以上、14以下。當取代基為㈣基 的情況時’碳數為通常1以上、12以下。 另外，該等取代基亦可相互連結而形成環。具體例係有 沾.¾ Ai所含㈣取代基、與環A2所含有的取代基相鍵 ':口、或環所含有的取代基、與環A2，所含有的取代基 ^鍵結，而形成一個縮合環。此種縮合環基係有如7 8_ 笨并喹啉基等。 ， 其中，環A1、環A1，、環A2及環A2’的取代基，尤以 諸如：烧基、烧氧基、芳香族烴基、氰基、㈣子、齒烧 基、二芳香基胺基、咔唑基等為佳。 再者’ 一般式（Va)、（Vb)、（Vc)中的Ma、Mb、Mc最好為 諸如：釕、铑、鈀、銀、銖、餓、銥、白金或金。
上述一般式（V)、（Va)、（Vb)或（Vc)所示之有機金屬錯 合物的具體例係如下示，惟並不僅侷限於下述化合物曰 下’ Ph係指「笨基」）。 以 [化 33]
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[化 34]
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上、厂 L J 3 L 」3 3 物中述：般式(V)、(Va)、(Vb)、(Vc)所示有機金屬鋪 為 寺別以配位基L及/或L，係2-芳香基吡啶系配你 I甘1即最好具有2-芳香基吡啶、在其上鍵結著任专 二、及在其上縮合著任意基的化合物。 其-人’針對上述一般式（VI)所示化合物進行說明。 二式(VI)中’ r係指金屬’具體例係選擇自週期表 1族中的金屬’有如前述金屬。其中最好為如：釘 0 、、銀、銖、鐵、銥、白金或金，特 2價金屬為佳。 曰金把 312Χί>/發明說明書(補件)/96-02/95137103 44 1377189 2者，一般式（VI)中，R92及R93係指分別獨立之氫片子、 鹵原子、烷基、芳烷基、烯基、美 原子 轶# 虱基、胺基、醯基、烷氧 ί基、竣基、錄基、院胺基、W胺基、a基、經基 方軋基、芳香族烴基、或芳香族雜環基。 再，，當T為碳的情況時’ R“與r95係指分別獨立，如 同R92與R”所例示的取代基。此外，如前述當T為氮的 情況時，將無R94與R95。 再者，R92〜R95係可更進一步具有取代基。此情況下可更 進一步具有的取代基並無特別限制，可將任意基當作取代 基。 再者，R92〜R95亦可相互連結形成環，該環亦可更進一步 具有任意取代基。 一般式（VI)所示有機金屬錯合物的具體例（T-1、 T-1 〇〜τ-15 )係如下示’惟並不僅侷限於下述例示化合物。 另外’以下’ Me係指曱基’ Et係指乙基。 [化 35]
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(T'1« (Τ-13)
亦可使用W02005/019373號公朝 (Τ-14) 再者，有機金屬錯合物 t所記載的化合物。 [3 ]其他成分 二m材:二成:中’除:前述的落_ 溶劑係有如:N，N -二甲λ :醯胺他各種’谷劑。此種其㈣ 脸 土甲醢胺、Ν，Ν一二甲基乙醯胺等_ 胺類，二甲基亞砜等。 此外，尚可含有均塗劑、消泡劑等各種添加劑。 再：，當利用濕式製臈幻"層以上的層施行積層之 =為防止該等W目溶狀況，而在使製膜後硬化而不 之目的下亦可預先含有切化性樹脂、熱硬化性樹 月曰0 ⑷電荷輸送材料組成物中之材料濃度與調配比 :發：的電荷輸送材料組成物中，電荷輸送材料 '發光 材科、及視需要可添加成分(均塗劑等)等的固形份漠度， 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96_q2/951371〇3 通常係Ο ο 1 #旦0/ 重d!，上’最好°.°5重量%以上，尤以0.1 «上為佳且=以。.5請以上為佳’特以1重量* 尤以Μ壬 在80重量％以下，最好50重量％以下， = 下為佳，更以3〇重㈣下為佳，特以 將頗_成:膜佳：若該濃度低於下限，在形成薄膜時， 再 、反之，右超過上限，則將頗難形成薄膜。 荷發明的電荷輸送材料組成物中，發光材料/電 0.5/Μ q、 常係〇.1/99.9以上，最好 .以上，尤以1/99以上為佳，更以2/98以上為 以下=常在^以下，最好_以下，尤以_ 超過"h 2G/8G以下為佳。若該比值低於下限、或 。。朴'^，恐將導致發光效率明顯降低的狀況發生。 [5 ]電荷輸送材料組成物之調製方法 ,本發明的電荷輸送材料組成物係將由電荷輸送材料發 光材料、及視需要可添加的均塗劑與消泡劑等各種添加劑 所構成溶質，溶解於適當溶劑中便可調製得。為能縮短溶 解步驟所需要㈣間，以及為能保持組成物中的溶質濃度 均勻，通常係將溶液一邊施行攪拌一邊進行溶質的溶解。 溶解步驟係可在常溫下實施，但是當溶解速度較慢時亦 可施行加熱而使之溶解。待溶解步驟結束後，視需要亦可 經由過濾等過濾步驟。 [6 ]電荷輸送材料組成物的性狀、物性等 <水分濃度> 當使用本發明的電荷輸送材料組成物並依照濕式製膜 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 47 1377189 法施行層形成，而進行有機電致發光元件製造時，若在所 使用電荷輸送材料組成物中存在有水分，則水分將混入所 彡成的膜中而損及膜的均勻性，因而本發明電荷輸送材料 組成物中的水分含有量係越少越少。此外，一般因為右播 電致發光元件的陰極等大多使用將因水分而明顯劣化的 材料，因而當電荷輸送材料組成物+存在有水分時，在乾 燥後的膜中將殘留水分，有導致元件特性降低的可能性， 故最好避免。 具體而言，本發明電荷輸送材料組成物中所含水分量， 通常在1重量％以下，最好01重量％以下，尤以〇 〇ι重 量％以下為佳。 電荷輸送材料組成物中的水分濃度測量方法，最好採取 日本工業規格「化學製品之水分測量法」UISKG_:2001 ) 所記載的方法，例如可利用凱式試劑法（JISK〇2u_l348 等施行分析。 <均勻性> 本發明的電何輸送材料組成物在為提高濕式製膜製程 I的安定^生（例如噴墨製膜法中，從喷嘴所喷出的喷出安 定性）’取好在常溫下呈均勻液狀。所謂「常溫下呈均勻 液狀」係指組成物由均勻相構成的液體，且組成物中未含 有粒徑0. 1 e m以上的粒子成分。 3 <物性> 相關本發明電荷輸送材料組成物的黏度，若黏度極低的 情況’例如在製膜步驟中’將因過度的液膜流動而導致塗 312XP/發明說明書(補件)/96·〇2/951371〇3 48 1^/7189 不均勻，在噴墨製膜時將容易發生喷嘴喷出不良等狀 况，反之，當黏度極高的情況，在喷墨製膜時將容易引發 -噴嘴堵塞等狀泥。所以，本發明組成物在25<t下的黏度， 通吊在2mPa · s以上，最好3mPa · s以上，尤以5mPa · s 以上為佳，通常在1 000mpa · s以下，最好100mPa · s以 下’尤以50mPa · s以下為佳。 - 再者，當本發明電荷輸送材料組成物的表面張力偏高 時，製膜用液對基板的潤濕性將降低，導致液膜均塗性惡 化，在乾燥時將容易發生製膜面零亂等問題，因而本發明 組成物在20t下的表面張力，通常小於5〇mN/m，最好小 ，於 40mN/m 。 再者，當本發明電荷輸送材料組成物的蒸氣壓偏高時， 將因溶劑蒸發而容易發生溶質濃度變化等問題。所以，本 發明組成物在25°C下的蒸氣壓通常在50mmHg以下，最好 lOmmHg以下，尤以immHg以下為佳。 _[ 7 ]電何輸送材料組成物之保存方法 . 本發明電荷輸送材料組成物最好填充於能防止紫外線 穿透的谷器、例如褐色玻璃瓶等之中，並鎖蓋保管。保管 溫度通常在-3(TC以上，最好以上，且通常在35°c以 下’最好2 5 °C以下。 [有機電致發光元件] 本發明有機電致發光元件係在基板上，至少具有：陽 極、陰極、及在該等二極間所設置發光層，其特徵在於： 具有含本發明烴化合物的層。該層最好屬於使用本發明電 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 49 1377189 荷輸送材料組成物，並利用濕式製膜法所形成的層，特別 以該層係發光層為佳。 再者，特佳係本發明的烴化合物被含於發光層或電洞阻 礙層中。 圖1〜9所示係本發明有機電致發光元件的較佳構造例 之剖面示意圖’圖！中’ i係基板，2係陽極，3係電洞 注入層，4係發光層，5係電子注入層，6係陰極。 [1 ]基板 ，板1將成為有機電致發光元件的支撐體，係使用諸如 石英或玻璃之板、金屬板或金屬羯、塑勝膜或片等。特別 =玻璃板、或㈣旨 '聚甲基丙烯酸醋、聚碳酸醋、聚石風等 透明合成樹脂板為佳。當使用合成樹脂基板時，必須留音 =。若基板阻氣性過小，將因通過基板的外氣導‘ 2電致發光元件發生劣化狀況，因而最好避免。因而 單面上設置緻密氧化⑽，俾確保阻 乱性的方法亦屬較佳方法之一。 [2 ]陽極 (電陽極2 °陽極2係具有對發光層侧的層 = 光層4等)施行電洞注入的作用。 忒％極2通常係由諸如：鋁、 金屬，·銦及/或錫的氧化物等金屬二；鋪、、白金等 金屬，·破黑、或聚(”基d:?;，等齒化 性高分子等等所構成。^ »略、聚苯胺等導電 陽極2之形成通常大多採取諸如：滅鐘法、真空蒸鐘法 312XP/發明說明書(補件y96Q2/95】3 7如 5〇 , { 1377189 、方法實施。料，當使用諸如：料金屬微粒子、碰化 銅等微粒子、碳黑、導電性金屬氧化物微粒子、導電性古 分子微粉末等拖行陽極形成的情況，亦可分散於適^ 結樹脂溶液中，藉由塗佈於基板i上便可形成陽極田2。此 外$導電性南分子的情;;兄，亦可利用電解聚合直接在基 板1上形成薄膜、或在基板i上施行導電性高分子塗佈土， ‘便可形成陽極2(APP1. Phys. Lett.，第6〇期第2 .頁，1 992 年）。 ‘ 、"陽極2通常係屬於單層構造，但是視需要，亦可作成由 複數材料所構成的積層構造。 '陽極2厚度係依所需求的透明性而異。當需要透明性的 -情況時’通常將可見光的穿透率設定在6〇%以上，最好8〇% 以上。此情況下，陽極厚度通常在5nm以上，最好1〇nm 以上，且通常在1 000nm以下，最好5〇〇nm以下左右。杏 即使不透明亦可的情況，陽極2厚度可為任意，亦可陽二 ^ 2與基板1為相同厚度。此外’亦可更進一步在上述陽極 .· 2上再積層著不同的導電材料。 ”在將陽極上所附著不純物去除，而調整電離電勢俾提升 電/同注入性之目的下，最好對陽極表面施行紫外線（UV)〆 臭氧處理，或施行氧電漿、氬電漿處理。 [3 ]電洞注入層 電洞注入層3係用於將電洞從陽極2輸送至發光層4中 的層’較佳係在電洞注入層3中含有電洞輸送性化合物。 在電洞注入層3中，從電中性化合物中去除丨個電子的 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 丄J / / b離子自由基，蔣你 子，藉此則電洞^;動,電中性化合物中接受一個電 〇 ,,. 移動。备兀件非通電時的電洞注入屏 Γ/tn^r 送二提供電子，而生成電洞輪 性電洞輸送性化合物在_離子自由基與電中 的輸送。“物之間執仃電子收授’藉此便進行電洞 :在電洞;主入層3中含有陽離子自由基化合 陽極2所產生之惫仆m將依由 送所必要的陽離子自由美 濃度以上，存在著電洞輸 妨離子自由基，而提升電洞輸送性能， 2注入層3中最好含有陽離子自由基化合物。若在陽： 二將順暢地進行電子收授，因而在電 含有陽離子自由基化合物與電洞輸送性化合物。取好 二所謂「陽離子自由基化合物」係 运性化合物中除去-個電子的化學種子之陽離 基，以及共軛陰離子所構成的離子化合物，由 移動的電洞（自由載子）。 ，、備有谷易 :者，藉由在電润輸送性化合物中混合著電子受 口勿’便將從電讀送性化合物朝電子受 -個電子的移動’而生成上述陽離子自由基化 子受體性化合物。 疋旺化口物與電 312ΧΡ/§ 明說明書(補件)/96·〇2/95137ΐ 03 若整理以上的較佳材料，則在電洞注入層3中最好含有 52 l377l89 電洞輸达性化合物，尤以含有電洞輸送性化合物愈電子兵 物為佳。此外，在電洞注入層3中最好含有陽： 基化合物，尤以含有陽離子自由基化合物與電洞輸 送性化合物為佳。 m輸 再者’視需要在電洞注人層3亦可含有不易形成 阱（trap)的黏結樹脂、塗佈性改良劑。 曰 式：L電洞注入層3亦可僅將電子受體性化合物利用渴 4膜法’在陽極2上施行製膜，並從其上面直接地將 發明電荷輸送材料組成物施行塗佈、積層。此情況下，’ 發明電荷輸送材料組成物其中一部分將 :生化合物間之相互作用，而形成電洞注^ (電洞輸送性化合物） 的==送性化合物最好為具有4 5叫.㈣電離電勢 :洞：：性化合物之例子係除本發明的 :外:：有如··芳香族胺化合物、敗菁衍生物"卜琳衍生 :、券聚嗟吩衍生物、聚嗟吩衍生物等。其中由 ’ 1:見光穿透率的觀點而言’最好為芳香族胺化合：。 方香域化合物中，特別以本發明的電荷輸 族三級胺化合物為佳。此處所謂「芳香族三級胺化 係指具芳香族三級胺構造的化合物二」 族三級胺之基的化合物。 函盖具有源自方香 芳香族二級胺化合物的種類並無特別 滑化效果的觀點而言，最好重量平 、 面平 』刀千置達1000以 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 53 •ί 1377189 上 '且1000000以下的尚分子化合物（重複單位相連的聚 合型烴化合物）。 务香族二級胺咼分子化合物的較佳例，係有如具有下述 一般式（VII)所示重複單位的高分子化合物。 [化 36]
—瑕w i u宁 日甘曰脚见，且亦可且3
取代基的芳香族烴基、或亦可具有取美 A 基。Ar23〜Ar25 #浐夂自猸六 土 、方香族雜ί ^ 係才曰各自獨立’且亦可具有取代基的2僧, 香㈣基、或村具有取代基的2價料 、 指選擇自下述連結基群中的連結基。此外 [同化-二原子上所鍵結的二個基亦可相互鍵結形成環。
-s- 上述各式中，Ar3、Ar4丨位 ° 可具有 雜環的 取代基之芳香族烴環'或亦=;基= 312XP/#^l8^#(^f4：)/96^)2/95137103 54 /189 1價或2價基。R3，與r32係 代基。 9自獨立的氫原子或任意取
Ar21 〜Ar2、Ar3!〜Ar41 係可 香族雜環的1價或2價基。用源自任意芳香族烴環或芳 此外：亦可具有任意的二：等係可為相同’亦可互異。 該芳香族烴環係有如:丄一 環。具體例係有如：苯環、蔡产、'”單環4 2~5縮合 ¥環、拓環、苯并_、篇環Λ二、菲環、花環 '四 g環等。 —郇本裱、苊環、螢蔥環、 再者’該芳香族雜環係 __ -合環。具體例係有如、=、疋環的單環或2〜4縮 并喧吩環、对環、吼#。本# °夫喃環…塞吩環、笨 嗟吩并料/盡=、°比°各并㈣環、料并^各環、 岙％开比各％、噻吩并噻吩環、 衣 噻吩并呋喃環、苯#I w 展、氟化呋喃環、 環、-二:環異二"、：并異㈣環 '笨并” 環、㈣環、菲料=== :<圭唑啉壞、喹唑啉酮環、奠環(咖_ 312XP/@B>^ 明書(補件)/96-02/95137103 55 1377189 限制’例如選擇自下述取代基群w中的1種或2種以上。 <取代基群W > 如曱基、乙基等碳數通常為1以上、通常為1〇以下、 最好8以下的烷基；如乙烯基等碳數通常為2以上、通常 為11以下、最好5以下的烯基；如乙炔基等碳數通常為 2以上、通常為π以下、最好5以下的炔基；如曱氧基、 .乙氧基等碳數通常為1以上、通常為1〇以下，最好6以 •下的烧氧基；如苯氧基、萘氧基、吼啶氧基等碳數通常為 i 4以上、最好5以上，通常為25以下、最好14以下的芳 氧基，如甲氧羰基、乙氧羰基等碳數通常為2以上、通常 -11以下、最好7以下的烷氧羰基；如二曱胺基、二乙胺 .基等碳數通常為2以上、通常為20以下、最好12以下的 二烷胺基；如二苯胺基、二曱笨胺基、卜咔唑基等碳數通 常為10以上’最好12以上，通常為3〇以下、最好22以 下的二芳香胺基；如苯基曱胺基等碳數通常為6以上、最 _好7以上’通常為25以下、最好17以下的芳香烷胺基； .如乙醯基、苯酿基等碳數通常為2以上、通常為以下、 最好7以下的醯基；如氟原子、氯原子等鹵原子；如三氟 曱基等碳數通常為1以上、通常為8以下、最好4以下的 鹵烧基；如硫代曱基、硫代乙基等碳數通常為1以上、通 常為10以下’最好6以下的烷硫基；如苯硫基、萘硫基、 吡啶硫基等碳數通常為4以上，最好5以上，通常為25 以下’最好14以下的硫代芳香基；如三甲基矽烷基、三 苯基矽烷基等碳數通常為2以上、最好3以上，通常為 312XP/發明說明書(補件)/96·〇2/95137103 56 1377189 33以下、最好26以下的矽烷基；如三曱基矽氧院基、三 笨基矽氧烷基等碳數通常為2以上、最好3以上，通常為 33以下、最好26以下的矽氧烷基；如氰基；笨基、萘基 等碳數通常為6以上、通常為30以下、最好18以下的芳 香私烴裱基；如噻吩基、吡啶基等碳數通常為3以上、最 21上!f吊為28以下、最好17以下的芳香族雜環基。
Ar Ar係由高分子化合物的溶解性、耐熱性電洞 主入/輸送性觀點而言，最好為源自苯環、萘環、、 噻吩環、吡啶環的1價基’尤以苯基、萘基為佳。衣 :者’ Ar 〜Ar25係由耐熱性、及包括氧化還原電位在内 二二二二輸送性觀點而言，最好為源自苯環、萘環、 =、菲王哀的2價基，尤以伸笨基、聯伸苯基'伸蔡基為 R' 亦可U、用氯原子或任意取代基。該等係可互同 取絲則;:基;的限制，若例示可適用1 J啕如.烷基、烯基、炔基、烷氧 矽氧烷基、芳香族炉其.A 虱基矽烷基 具體例係有如在上述取 原子或*1 且中所例示的各基。 八有叙式（VII)所示重複單位 _ 化合物且你I -h- ^香無二級胺南分"ΐ π。物具體例，係有如W02005 物，較佳例亦ίΐ]，古024諕所記載的化4 ::較佳例亦同’有如下述構 均不僅侷限於該等。 I亿u物（ΡΒ-1)，摊 [化 38] 3I2XP/^^i^^e(M^)/96-02/95137103 57 1377189
ΡΒ·1 其他的芳香族三級胺高分子化合物之較佳例，係有如含 有下述一般式（VIII)及/或一般式（IX)所示重複單位的高 分子化合物。 门 [化 39]
(VI) (DC) R43 -般式σπυ、（ΙΧ)中’Αγ45、Αγ47及紅48係指各自獨 ’且亦可具有取代基的芳香族烴基、或亦可具有取代基 的芳香族雜環基。Ar“與Ar“係指各自獨立，且亦可具有 取代基的2價芳香族烴基'或亦可具有取代基的2價芳香 :雜環基。此外’ Ar4W中，亦可同一 N原子上所鍵結 ^個基相互鍵結形成環。Ar41〜Ar、指各自獨立的氮原 子或任意取代基。 Α，、ΑΓ47、Αγ、Ar“、“6的具體例、較佳例中、亦 可具有取代基㈣及較佳取代基例，係分別如同Μ、A产 312XIV 發明說明書(補件)/96-02/95137103 58 所記載:取代如氫原子或[取代基群w]t 香族烴基、芳香族煙基為佳。、烧基、㈣基、胺基、芳 ===體r;所示重複單位的_^ 如職m/Q89D24 號+ i 土 . j才冋’惟均不僅侷限於該等。 再者，备利用濕式製膜法形 較容易溶解於各種溶劑中的雷2/n/主入層時’取好屬於 級胺化合物最好如：二電二 =合物。芳香族- :-。14187)及非對冑14苯二胺化合物 (Phenylene-dlamine)(日本專利特開福—ο·?)。 再者’亦可從習知使用作為有機電致發光元件的電洞注 入·輸送性薄膜精製材料之芳香族胺化合物中，適當選擇 較容易溶解於各種溶劑中的化合物。可適用為電洞注入層 的電洞輸送性化合物之芳香族胺化合物，係有如利用為^ 機電致發光元件之電洞注人•輪送性層形成材料的習知化 合，。例h 1，卜雙（4-二對甲苯胺基苯基）環己烧等將三 級芳香族胺單元連結的芳香族二胺化合物（曰本專利特開 昭59-1 94393號公報）；如4,4，-雙[N-(卜萘基）_卜苯胺 基]聯苯基所代表之含有2個以上三級胺，且2個以上的 縮合芳香族環被氮原子取代的芳香族胺化合物（日本專利 特開平5-234681號公報）；三苯基苯的衍生物，且具有星 爆式構造的芳香族三胺化合物（美國專利第4 923 774 號）；N，N’-二笨基_N，N，_雙（3-甲基苯基）聯苯基_4，’4,一 312XP/發明說明書(補件)/96·02/951371〇3 59 1377189 二等方香私一胺化合物(美國專利第4,764,625號α 幻對’/甲^甲基1 ’’ ’ _雙（4 —二（對甲苯基）胺基苯 專利特開平3 —2_4號公報）；分子 = 三苯胺衍生物(曰本專利特開： -物(曰本Γ;往基被複數個芳香族二胺基取代的化 :物（日本專利特開平4—1 75395號公報）·利用伸乙基連 、、。了二級芳香族胺單元的芳香族二胺化合物（曰本專利特 開平4—264189號公報）；具有苯乙稀基構造的芳香族二胺 本專利特開平4—290851號公報）；利用嗟吩基將芳香 知—級胺單7^連結的化合物（日本專利特開平4-304466 唬a報），星爆式芳香族三胺化合物（曰本專利特開平 4一308688號公報）；节基苯基化合物（日本專利特開平 4一364153號公報）；利用苐基將三級胺連結的化合物（日 本專利特開平5-25473號公報）；三胺化合物（日本專利特 開平5-239455號公報）；雙二^比啶基胺基聯苯基（日本專 利特開平5-320634號公報）；N，N，N-三苯胺衍生物（日本 專利特開平6-1972號公報）；具有吩哼畊構造的芳香族二 胺（日本專利特開平7-138562號公報）；二胺基苯基菲啶 衍生物（日本專利特開平7-252474號公報）；腙化合物（曰 本專利特開平2-311591號公報）；矽氮烷化合物（美國專 利第4, 950, 950號公報）；矽烷胺衍生物（日本專利特開平 6-49079號公報）；磷胺衍生物（日本專利特開平6—25659 號公報）；喹吖啶酮化合物等。該等芳香族胺化合物視需 要亦可混合使用2種以上。 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 60 1377189 再者，可適用為電洞注入層之電洞輸送性化合物的酞菁 衍生物或。卜琳衍生物之較佳具體例，係可舉例如：外琳、 -5，10，15,20-四苯基-21h，23H-。卜啉、5，10，15 2〇:四苯基 -21H，23H-卟啉鈷（Π)、5，10，15,20-四苯基_21112311_〇卜 啉銅（11)、5，10，15,20-四苯基-2111，2311-。卜啉鋅（11)、 5, 10, 15, 20-四苯基 _21H，23H-卟啉氧化釩（IV)、 • 5, 10, 15, 20-四（4-吡啶基）-21H，23H-卟啉、29H，31H—酞菁 銅（11)、酞菁辞（π )、酞菁鈦、酞菁氧化鎂、酞菁鉛、酞 菁銅（II)、4’4’，4"，4’"-四氮雜-2911，3111-酞菁等。 再者，可適用為電洞注入層之電洞輸送性化合物的寡聚 -噻吩衍生物之較佳具體例，係可舉例如四噻吩及其衍 .生物、α-六噻吩及其衍生物、含有萘環的寡聚噻吩衍生 物（日本專利特開平6-256341 )等。 再者，可適用為本發明電洞輸送性化合物的聚 物之較佳具體例，係有如：聚（3, 4_乙烯二氧噻 •吩）（PEDOT)、聚（3-己基噻吩）等。 . 另外，該等電洞輸送性化合物的分子量，係除了高分子 化合物（重複單位相連結的聚合性化合物）之情況外，通常 為9〇〇〇以下，最好5000以下，且通常為2〇〇以上，最好 400以上的範圍内。若電洞輸送性化合物的分子量過高， 合成與精製將較為困難，最好避免，反之，若分子量過低， 耐熱性恐將降低，最好避免。 電洞注入層材料所使用的電洞輸送性化合物，係可單獨 含有此種化合物中之任一種，亦可含有2種以上。當含有 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 61 1^/7189 …之電洞輸送性化合物的情況時，其組合可為任 二以㈣合併使用芳香族三級胺高分子化合物之i種或2 φ 、與其他電洞輪送性化合物之1種或2種以上。 <電子受體性化合物> 洞性化合物係絲化力，最料具有能從上述電 一^合物中接收—個電子之能力的化合物，具體而 。，取好為電子親和力4eV以上的化合物，尤卩5ev以上 的化合物為佳。 趟^如：4—異丙基一4’ —曱基二苯基硬鑌肆（五氟苯基）硼酸 褒等經有機基取代的鑌鹽；氣化鐵（iii)(日本專利特開平 11-251G67)、過氧化二硫酸錢等高原子價無機化合物；四 氰基乙烯等氰基化合物；參(五氟苯基)硼烷(日本專利特 開2003-31365)等芳香族硼化合物；富樂稀（fuUe咖） 衍生物、蛾等。 上述化合物中，由具有強氧化力的觀點而言，最好為經 •有機基取代的鑌鹽、高原子價無機化合物，由可溶於各種 -洛劑中、且可適用濕式塗佈的觀點而言，最好為經有機基 取代的鑌鹽、氰基化合物、芳香族硼化合物。 電子文體性化合物之較佳例的經有機基取代之鏽鹽、氰 基化合物、芳香族硼化合物的具體例，係1有如 W02005/089024號所記載的化合物，較佳例亦同，可舉例 如下述構造式所示之化合物（A-2)，惟均不僅侷限於該^ [化 40] ' ° 312XP/發明說明書(補件)/96·02/95137103 62 1377189
<陽離子自由基化合物> %離子自由基化合物传 去一個雷名认I風物係丸由從電洞輸送性化合物中技 構成的雜：2干種子之陽離子自由基、及共軛陰離子齊 構成的離子化合物。i中，木 送性古八^離子自由基係源自電洞軺 达f生间刀子化合物的情況，陽離子自由基便成為從 化合物的重複單位中除去一個電子的構造。 -刀 :::自由基最好係屬於從電洞輸送性化合物的前述 化&物中除去—個電子的化學種子，由非晶質性、可見光 穿透率、耐熱性、溶解性等觀點而言， 送性化合物的更佳化合物中除去—個電子的化學種子 險離子自由基化合物係藉由將前述電洞輸送性化合物 與電子受體性化合物進行混合便可生H藉由將前述 電洞輸送性化合物與電子受體性化合物進行混合，便產生 從電洞輸送性化合物朝電子受體性化合物進行電子移 動，並生成由電洞輸送性化合物的陽離子自由基、與共軛 陰離子所構成的陽離子離子化合物。 PEDOT/PSS(Adv. Mater.， 2000 年，第 12 期第 481 頁）、苯胺綠（emeraldine)鹽酸鹽（j. Phys Chem iqQn 年，第94期，》7716頁）等源自高分子化合物的陽離子 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 63 丄 J / / 合物，係利用氧化聚合（脫氫聚合）所生成，即將 ，性溶液中，使用過氧化二硫酸鹽等施 二電，學氧化便可生成。當施行該氧化聚合（脫氫聚合） 錯由早體被氧化將被高分子化，且生成將源自酸性溶 一的陰離子當作共㈣離子之從高分子重複單財除去 一個電子的陽離子自由基。 ’、 陽層3係利用濕式製膜法或真空蒸鍍法形成於 •陽極2係一般所使用的IT〇(銦·錫氧化物)，除了表面 2度具有1Qnm左右的粗度（Ra)之外，大多具有局部性突 -起:將有容易發生短路缺陷的問題。在陽極2上所形成的 τ電洞注入層3將利用濕式製膜法形成，相較於利用真空基 錢法形成的情泥下，具有減輕因該等陽極表面的凹凸所引 發之元件缺陷狀況的優點。 當依濕式製膜法進行層形成的情況，係將既定量的前述 φ各材料（電洞輸送性化合4勿、電子受體性化合才勿、陽離子 .自由基化口物)中1種或2種以上，視需要添加不致成為 電荷陷牌的黏結樹脂或塗佈性改良劑，並溶解於溶劑中， 而調衣塗佈/谷液，再利用諸如旋塗、喷塗、浸塗、模頭塗 =、可撓印刷、網版印刷、噴墨法等濕式製膜法，塗佈於 陽極上，經乾燥便形成電洞注入層3。 作為用於採取濕式製膜法進行層形成而所使用的溶 劑，係只要屬於能將前述各材料（電洞輸送性化合物、電 子受體性化合物、陽離子自由基化合物）溶解的溶劑便 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96.02/95137103 64 Γ189 類並無特別的限制’但最好不要含有存在使電洞 曰斤使用之各材料（電洞輸送性化合物 '電子受體性 二：：：自由基化合物)失活之虞的去活物質、或 曰便去活物質產生的溶劑。 兩J。件的較佳溶劑係有如：趟系溶劑及醋系溶 -一八體而吕’醚系溶劑係有如：乙二醇二曱醚、乙二醇 ===酸丙二醇單甲基㈣（PGMEA)等脂肪族m ί甲二甲氧基笨1㈣、苯乙趟、2_甲氧 驗、2 4-二甲：：：本、4~甲氧基甲苯、2,3-二甲基菌香 如.n— ^ 等芳香_等。H容劑係可舉例 如.醋酸乙酉曰、醋酸正丁酿、乳酸乙 =醋酸苯醋、丙酸苯醋、笨曱酸曱醋、苯二= 使m甲酸正丁酯等芳香族醋等等。該等可單獨 吏則-種’亦可依任意組合與比率使用2種以上。 除了上述，劑及I系溶劑以外，能使用的溶劑尚有 .广、甲本、二甲苯等芳香族烴系溶劑；U 醯胺、N，N-二甲基乙醯胺等醯土 等。該等可單獨使用任—種，二硬等 2種以上。抓-λ. 、可依任思組合與比率使用 2種以上此外’亦可組合使用該 二用上W溶劑及酯系溶劑中St 2種以上。特別係如苯、曱笨、- 裡4 因為將電”❹化合物㈣自 能最好⑽溶劑及酷系溶劑混合:用 塗佈洛液中的溶劑濃度通常係Η重量％以上’最好3〇 65 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-02/95137103 1377189 ^量%以上，尤以50%重量以上為佳’且通常在99 =以下，最好99.99重量％以下，尤以99』重量 為佳。另外，當將2種以上溶劑混合使用時’係使 5亥4溶劑的合計滿足該範圍。 ’、 真U鍍法進行㈣成的情況，係將前述各材料 (電洞輸送性化合物、電子受體性化合物、陽離子自由基 :匕合物)中之1種或2種以上，裝入於在真空容 ，網中(當使用2種以上材料時，便裝入各自的㈣ 中），再利用適當的真空果將真空容器内排氣至『pa左 右後’對掛塌加熱（當使用2種以上材料時，則對各自的 -掛場施行加熱）’在控制蒸發量的情況下進行蒸發（當使用 2種以上材料時，在分別獨立控制蒸發量的情況下進行蒸 發），而於朝向坩堝放置的基板之陽極上形成電洞注入 層。另外，當使用2種以上材料時，亦可將該等混合物裝 入掛瑪中，、經加熱並蒸發則可使用於形成電洞注入層。 •依此所形成之電洞注入層3的膜厚通常在5nm以上最 .好10⑽以上，且通常在l〇〇〇nm以下，最好在500nm以下 的範圍内。 另外，電洞沒入層3亦可如圖6所示，可將其省略。 [4]發光層 在電洞;主入層3上通常設有發光層4。發光層4係例如 含有前述發光材料的層，在經賦予電場的電極間，利用從 陽極2通過電洞注人層3所注人的電洞、與從陰極6通過 電子輸送層5所注入的電子間之再結合而被激發，構成主 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 66 1377189 ===層4最好含有發光材料(摻質)、與1 -物作為主二 發光層4尤以含有本發明之煙化 1姑田為為佳，雖可利用真空蒸鍍法形成，但是_ 電荷輸送材料組成物，便可利用濕式製膜: 進仃層製作，因而特佳。 利謂1濕式製膜法」係如前述，將含溶劑的組成物 J用诸= 疋塗、嘴塗、浸塗、模頭塗佈、可挽印刷、網版 印刷、喷墨法等方法進行製膜。 另外，發光層4在不損及本發明性能之範圍内尚可含 有其他的材料、成分。此外，發光層4可為由2層或3層 以上所構成的複層構造’此情況下，各層的組成比可^ 異亦可含有不同的材料。另外，亦可在層間設置由五氧 化釩等構成的電荷產生層。 一般在有機電致發光元件中，當使用相同材料的情況 時，因為電極間膜厚越薄，實際電場將越大，所注入電流 將增加，因㈣動電壓將降低。故，電極間之總膜厚越薄二 有機電致發光元件的驅動電壓將越降低 請等電極上將因所產生的突起而發生短路現=而 需要某程度的膜厚。 本發明中，除了發光層4以外，當尚具有電洞注入層3、 及後述電子輸送層5等有機層的情況，發光層4、與電洞 注入層3、電子輸送層5等其他有機層的合計總膜厚通常 設定在30nm以上，最好50nm以上，尤以l〇〇nm以上為佳， 且通常在lOOOnm以下，最好5〇〇nm以下，尤以3〇〇nm以 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 67 下為佳。此外，當除了發 述電子注入層5之導電二電洞注人層3、後 電莅旦捣描4 時因為主入發光層4中的 少發朵厗曰4因而例如在增加電洞注入層3膜厚，並減 下1 轉’㈣總膜厚維持於某程度膜厚的狀態 下’便可降低驅動電壓。 =以’發光層4膜厚通常設定在1〇nm以上，最好2〇酿 ，且通常在300nm以下，最好2〇〇nm以下。另外本 :明的元件係當在陽極與陰極二極間僅具有發光層4 寺，發光層4膜厚通常設定在3〇nm以上，最好5〇nm以上， 且通常在50〇nm以下，最好3〇〇nm以下。 [5 ]電子注入層 電子/主入層5係具有將從陰極6所注入的電子、效率佳 地注^於發光層4 t的作用。為了能效率佳地施行電子注 形成電子主入層5的材料最好使用功函數較低的金 屬，諸如：鈉、鉋等鹼金屬、或鋇、鈣等鹼土族金屬。 電子注入層5膜厚最好為0. 1〜5nm。 再者，在陰極6與發光層4或後述電子輸送層8間之界 面處，如圖8、9所示，插入LiF、MgF2、Li2〇、Cs2C〇3等 陰極緩衝層10(厚度〇. 左右），亦屬提升元件效率 的有效方法（Appl. PhyS. Lett.,第70期，第152頁， 1 997年；日本專利特開平1〇_74586號公報；IEEETrans
Electron. Devices,第 44 期，第 1245 頁，1997 年；SID
Digest, 154 頁）。 再者’在諸如後述之向二氮雜菲（bath〇phenanthr〇line) 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 68 1377189 等含氮雜環化合物、8_羥基喹啉的鋁錯合物等金屬錯合物 所代表的有機電子輸送材料中，最好摻雜入諸如鈉、鉀、 绝、鋰、铷等鹼金屬（日本專利特開平1〇 27〇171號公報、 特開2002-100478號公報、特開20〇2_1〇〇482號公報等所 °己載），將可兼顧電子注入•輸送性提升與優越膜質。此 it况下的膜厚通常設定在5nm以上，最好！ 〇nm以上且 '通常設定在2〇〇nm以下，最好100nm以下。 電子注入層5係如同發光層4，利用濕式製膜法或真空 蒸鍍法，積層於發光層4上便可形成。當採取真空蒸鍍法 的情況，便在真空容器内所設置的坩堝或金屬瓶中裝入蒸 -鍍源，並將真空容器内利用適當真空泵施行排氣至^ 〇_4以 •左右，然後再對坩堝或金屬瓶施行加熱而蒸發，而在與坩 堝或金屬瓶相對向放置的基板上形成電子注入層。 鹼金屬的蒸鍍係使用將鉻酸鹼金屬與還原劑填充於鎳 鉻合金（nichrome)中的鹼金屬分配器實施。藉由將該分配 •态在真空容器内施行加熱，鉻酸鹼金屬將還原而使鹼金屬 .蒸發。當將有機電子輸送材料與鹼金屬施行共蒸鍍時，則 將有機電子輸送材料裝入在真空容器内所設置的坩堝 令，並將真空容器内利用適當真空泵施行排氣至1 〇—4pa左 右，然後再對各個坩堝與分配器同時施行加熱而蒸發而 在與掛禍及分配器相對向放置的基板上形成電子注入層。 此時電子/主入層5膜厚方向上係施行均勻共蒸鍵，但 是在膜厚方向上亦可呈現濃度分佈狀態。 另外’電子注入層5亦可如圖5〜9所示般將其省略。 312XP/發明說明書(補件)/96-〇2/951371〇3 69 1377189 [6 ]陰極 陰極6係具有對發光層側之層（電子注入層5或發光層 等）;主入電子的作用。作為陰極6使用的材料係可使用 上述陽極2所使用的材料，但是為能效率佳地施行電子注 入，最好使用功函數低的金屬，諸如··錫m 鋁銀等適當金屬或該等的合金。具體例係有如：鎖-銀合 金、鎮-銦合金、鐘合金等低功函數合金電極。 陰極6膜料常係如㈣極2。㈣由低功函數金屬所 ，成之陰極進行保護之目的下，若在其上面更進一步積層 著功函數高且對大氣呈安定的金屬層，將可增加元件安定 性。為達該目的，最好使用諸如：紹、銀、銅、鎮、絡、 金、白金等金屬。 [7 ]其他的構成層 以上，雖就圖1所示層構造的元件為中心進行說明，但 在本發明有機電致發光元件的陽極2、與陰極6及發光層 4之間’於不知及性能之前提下，除了上述所說明的層之 外尚可°又有任意層，且亦可將除了發光層4以外的任意 層省略。 。 亦γ具有的層係有如電子輸送層7。電子輸送層7係在 更加提升元件發光效率之目的下，如圖2所示，設置於發 光層4與電子注入層5之間。
電子輸送層7係由在被賦予電場的電極間，能將從陰極 6所注入的電子效率佳地朝發光層4方向進行輸送的化合 物所形成。電子輸送層7所使用的電子輸送性化合物係I 312XP/^B^Bg^(iifif;)/96〇2/95i37i〇3 7〇 f屬於能將來自陰極6或電子注入層5的電子注入效率 化合物二回電子移動度之被注入電子效率佳地進行輸送的 外滿|此種條件的材料係有如本發明的電荷輸送材料。此 其他尚有如：8_羥基喹啉的鋁錯合物等金屬錯合物（曰 特開昭59-1 94393號公報）、1G_㈣苯并㈤喧琳 .松”㈣合物、，二㈣生物、二苯乙烯基聯苯基衍生 ‘、„夕諾曹、衍生物、3一或5*~羥基黃素酮金屬錯合物、苯 并，唑金屬錯合物、苯并噻唑金屬錯合物、三苯并咪唑苯 (美國專利第5, 645, 948號）、料琳化合物（日本專利特 .開平6-207169號公報）、菲啉衍生物（日本專利特開平 .5-331459號公報）、2_第三丁基_91G_NN，二氰基葱職 二亞胺、η型氫化非晶質碳化矽、n型硫化鋅、n型 鋅等。 電子輸送層7膜厚通常下限係lnm，最好5nm左右，而 •上限通常係3〇〇nm，最好i〇〇nm左右。 .電子輸送層7係如同電洞注入層3,利用濕式製膜法或 真空蒸鍍法積層於發光層4上而形成。通常係採取真空蒸 鍍法。 再者，特別作為發光物質係使用磷光材料或藍色發光材 料的情況時，如圖3、4、7〜9所示，設置電洞阻礙層8亦 屬有效方法。電洞阻礙層8係將電洞與電子封鎖於發光層 4内，具有提升發光效率的功能。即，電洞阻礙層8係藉 由阻止從發光層4所移動來的電洞到達電子輸送層7，而 312XP/發明說明書(補件)/96^02/95137103 71 U/7189 成：ί 4内增加與電子間之再結合機率，並將所生 發光層4内的作用，以及將從電子輸送層 用。斤注入的電子效率佳地朝發光層4方向進行輸送的作 係由具有阻止從陽極2所移動來的電洞到 進且將從陰極6所注入之電子效率佳地
輪送的化合物，在發光層4上依鄰接 發先層4之陰極6側界面的方式進行積層形成。 對構成電洞阻礙層8的材料所要求物性係有如：高電子 移動度且低電洞移動度、能隙⑽MO、L_差）較大、激 發三重態能階（T1)較高。 -滿&此種條件的電洞阻礙層㈣最好使用本發明電荷 輪送材料。其他尚有如：雙（2_甲基_8,基料）（盼鹽） 鋁、雙（2_甲基一 8 一經基噎琳）（三苯基石夕院鹽）紹等混合配 位基錯合物，雙（2-甲基_8_羥基喹啉）鋁-以_氧基雙_(2一 •甲基-8-羥基喹啉）鋁雙核金屬錯合物等金屬錯合物；二苯 ‘乙稀基聯苯基衍生物等苯乙烯基化合物（日本專利特開平 11-242996)、3-(4-聯苯基）-4-苯基_5(4_第三丁基苯 基）-1’2, 4-三唑等三唑衍生物（日本專利特開平7—41759 號公報）、貝索固盤（Bathocuproine)等菲啉衍生物（日本 專利特開平10-79297號公報）。 再者，在W02005/022962號公報中所記載之至少具有一 個2, 4, 6位被取代之吡啶環的化合物，亦屬較佳的電洞阻 礙材料。 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 72 1377189 電洞阻礙層8膜厚通常係設定在0.3nm以上，最好〇 5nm 以上，且通常設定在lOOnm以下，最好50nm以下。 電洞阻礙層8亦是可依如同電洞注入層3的相同方法形 成，而通常係採取真空蒸鍍法。 電子輸送層7與電洞阻礙層8係視需要適當設置便可， 有諸如_·1)僅設置電子輸送層、2)僅設置電洞阻礙層、3) ：電洞阻礙層/電子輸送層之積層、4)均未使用等用法。 在如同電洞阻礙層8之目的下，將如圖4、9所示，在 電/同庄入層3與發光層4之間設置電子阻止層9將屬有效 方法。電子阻止層9係藉由阻止從發光層4所移動來的電 _ 2到達電洞注入層3,而在發光層4内增加與電洞之再結 合機率，並將所生成的激子封鎖於發光層4内的作用，以 及將從電洞注入層3所注入的電洞效率佳地朝發光層4方 向進行輸送的作用。 對構成電子阻止層9所要求特性係有如：電洞輪送性 #高、能隙（H_、L_差）較大、激發三重態能階⑴）較 •馬。此外，最好當利用濕式製膜法形成發光層4時，電子 阻止層9亦利用濕式製膜法形成，將使元件製造趨於容 易。 所以’電子阻止層9亦最好具有濕式製膜適合性，此種 電子阻止層9所使用的材料係除了本發明電荷輸送材料 之外，尚有如F8-TFB所代表的二辛基第與三苯胺之 物（WO2004/084260號公報記載）等。 另外，當利用乾式成膜法（蒸鑛法等）形成發光層的情況 312XP/發明說明書(補件)/%·〇2/95137103 73 二二子:止有二所使用的材料係除了本發明電荷輸送材 ^ ^ ^ ·，4 ~雙[N~(卜萘基）-N-苯胺基]聯苯基 = 以上三級胺、且2個以上的縮合芳香族環 ;八報所广代的芳香族二胺(曰本專利特開平5-234681 式結構的芳香族胺化二τ本胺基)二本胺等具有星爆 、化。物（】.Lumin.，第 72-74 期、第 985 ，由三苯胺四聚體所樽成之芳香族胺化合物 (jhem. C0mmun.，第 2m 頁、1 996 年）2, 2,，7, 7，肆（二 + 土）9, 9螺雙苐等螺化合物（Synth. Metals,第91 期、第209頁、1叫7企、.,, 年）、4, 4 —N, Ν’ _二咔唑聯苯基等咔 生物、或下述―般式⑷所示之單胺化合物等。該等 )匕。物係可單獨使用！種，亦可視需要混合 [化 41]
式（a)中，R〜R係指氫原子、芳香基或烷基。Rll〜Rig 係可:f別相同亦可互異。當m芳香基或烷基時， R〜R亦可更進一步具有作為取代基的芳香基或烷基。 除了上述化合物以外，電子阻止層9材料尚有如：聚乙 烯基咔唑、聚乙烯基三苯胺（日本專利特開平7—5如Μ號 公報）、含四苯基聯苯胺的聚伸芳醚砜（p〇lym. Mv. Tech， 312XP/發明說明書(補件y96，Q2/95丨3 丨Q3 1377189 第7期、第33頁、1996年）等高分子材料。 當採取真空蒸鍍法時，係將電子阻止層9材料裝入 於真空容器内的_中，並將真空容器内利用適當真Γ粟 =二"a左右，然後再對堆塌施行加熱，而：電 ==在⑽相對向放置的基板1上所形成 電m層3上面’形成電子阻止層9。 戶=:6可為：圖1相反的構造，即在基板1上依序積 曰·灰和6、電子注入層5、發光層4、電洞注入層3、 陽極2,如前述般，亦可在至少其中一者具高透明性的2 片基板間’設置本發明的有機電致發光元件。同樣的，亦 可積層形成與圖2〜圖9所示之上述各層構造呈相反的構 造0 再，可形成將圖丨所示之層構造複數層重疊的構造 ^將务光單元複數積層的構造）。此時，若取代層間（發光 單元間）界面層（當陽極為ITO、陰極為A1的情況時，則 為該2層），改為將例如等使用作為電荷產生層 (CGL)，則層間的障礙將減少，由發光效率、驅動電壓的 觀點而言，將屬更佳。 本發明中，有機電致發光元件可適用於單一元件、由陣 列狀配置的構造所形成之元件、及將陽極與陰極呈X-Y矩 陣狀配置之構造的任何形式。 (實施例） 其次’針對本發明利用實施例進行更具體的說明，惟本 發明在不逾越主旨前提下，並不僅侷限於以下實施例的記 312XP/發明說明書(補件)/96·〇2/95 j 37 i 〇3 75 1377189 另外’下述t ’玻璃轉移溫度係利用dsc測量而求得， 氣化溫度係利用TG-DTA測量而求得，融點係利用DSC測 量或TG-DTA測量而求得。 [合成例1:本發明烴化合物（1 —丨）之合成] [化 42]
在200mL四口燒瓶中’於氮氣中添加3，溴苯乙鋼 • (11 · 9g)、脫水乙醇，並再滴入添加四氣矽院（2〇· 3g)。於 •室溫攪拌6小時後，放入於冰中並濾取所析出的固體。將 濾取物溶解於甲苯中，將不溶物去除，再利用乙醇與甲笨 的混合溶劑施行再結晶，獲得化合物（I_la)的白色針狀結 晶（6. 4g)。 在300mL四口燒瓶中.，添加化合物、3一聯 苯基硼酸（2· 5g)、1，2-二甲氧基乙烷（96mL)、水（14此）， 並施行氮氣泡。在該系統中添加碳酸卸（4. 〇g)、肆（二笨 基膦）把（0 ) (332mg) ’並施行6小時的加熱回流。利用二 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 76 1377189 氣甲烧施行萃取，並裝入活性白土且施行攪拌。將固形份 過濾並去除後，經濃縮，再將其施行管柱色層分析，然後 施行昇華精製，獲得目標物的烴化合物（Ι_1Τ(1. 7g)。 該化合物的玻璃轉移溫度係83。〇。 DEI-MS m/z=762(M+) [合成例2:本發明烴化合物（卜2)之合成] [化 43]
在氮壤境下’於3〇〇mL四口燒瓶中，在化合物 I-la(6· 99g)、3-聯苯基硼酸（5. 1〇g)、甲苯（64mL)、及乙 醇（16mL)的混合溶液中，依序添加碳酸鉀（8.90g)與水 (32mL)的混合溶液、肆（三苯基膦）鈀（〇)(744mg)，並在加 •，回流下施行8小時搅摔。從所獲得溶液中利用甲苯施行 .萃取’再將萃取溶液利用碳酸氫納水溶液施行洗淨後，經 添加無水硫酸鎂之後，將固形份過滤去除，並施行濃縮: 將其利用矽膠管柱色層分析儀(展開溶劑:正己烷/二氯甲 烧=3/卜1/1)、及在f醇溶劑中的懸浮洗淨而施行精製， :獲得目標物I-2a(3.33g)與目標物^“丨17g)。 目私物I-2a及目標物卜3a係利用lH NMR(4〇〇MHz;重 丙酮溶劑）及DEI-MS進行鑑定。 目標物I-2a 312XP/發明說明書(補件)/96^02/95137103 77 1377189 DEI-MS m/z=688(M+) 1H-NMR(400MHz, CD3C0CD3)7. 29~8. 24ppm(33H, m) 目標物I - 3 a DEI-MS m/z=614(M+) lH-NMR(400MHz, CD3C0CD3)7. 27-8. 25ppm(24H, m) [化 44]
在氮環境下，於200mL四口燒瓶中，對化合物 I-2a(3. 26g)、4-聯苯基硼酸（1. 13g)、曱苯（24mL)、及乙 醇（6mL)的混合溶液中，依序添加碳酸鉀（1. 63g)與水（6mL) 的混合溶液、及肆（三苯基膦）鈀（0)(274mg)，並在加熱回 _流下施行6. 5小時攪拌。從所獲得溶液中利用曱苯施行萃 . 取，再將萃取溶液利用碳酸氫鈉水溶液施行洗淨後，經添 加無水硫酸鎂之後，再將固形份過濾去除，並施行濃縮。 將其利用矽膠管柱色層分析儀（展開溶劑：正己烷/二氯曱 烷=5/1〜4/1)施行精製，獲得目標物1-2(3. OOg)。再將其 於高真空下，依最高加熱溫度400 °C的條件施行昇華精 製，獲得高純度的目標物1-2(1. 89g)。 該化合物的玻璃轉移溫度係87°C，結晶化溫度與融點 均未觀測到，氣化開始溫度係531 °C。 312XP/發明說明書(補件)/96·02/95137103 78 1377189 DEI-MS m/z=762(M+) 1H-NMR(400MHz, CD3C0CD3)7. 33^8. 27ppm(42H, m) [合成例3:本發明烴化合物（1-3)之合成] [化 45]
在氮環境下，於l〇〇mL四口燒瓶中，對化合物 log)、4-聯苯基硼酸（1. 06g)、甲笨（9mL)、及乙 醇_的混合溶液中’依序添加碳酸鉀（"⑷盥水 (4·—)的混合溶液、肆(三苯基膦)鈀⑻(1〇3邶)，並於 加熱回流下施行6小時攪拌1所獲得混合溶液的二 部分’利帛薄層石夕膠管柱色層分析儀（展開溶劑：正己 一氯曱烧）施行精製，便獲得目標物丨_ 3。 DEI-MS m/z=762(M+) [合成例4:本發明烴化合物（ι—4)之合成] [化 46] 3 ΠΧΡ/發明說明書(補件)/96_〇2/95137103 79 1377189 "Or
縫
(12.99g)、3-聯苯基侧酸（1Qg)、及u —二曱氧基乙烧 〇84mL)的混合溶液中’依序添加碳酸鉀(15.9g)盥水 (60mL)的混合溶液、肆（三苯基膦）纪⑻U.59g)，並在加 熱回流下崎5· 5 +時授拌。從所獲得溶液中，利用二氯 甲烧施行萃取’再將所萃取溶液利用食鹽水施行洗淨後， 經添加無水硫酸鎂與活性白土之後’再將固形份過濾去 除’並濃縮。將其利用謂管柱色層分析儀施行精製，獲 得目標物I - 4 a。 在300mL四口燒瓶中，於氮氣中添加化合物 I-4a(7,9g)、脫水醚（50ml)。一邊利用乾冰浴將系統冷卻 至-70°C附近一邊施行攪拌，緩慢添加正丁基鋰的 1.58mol/L己烷溶液（π. 7ml)。然後，將系統回復至室溫 之後，再度冷卻至-70 t附近，添加硼酸三異丙= (11.7ml)，經緩慢回復至室溫後，呈白濁。放入於冰中， 經中和後，再利用曱苯· Brine施行萃取洗淨，然後施行 減壓濃縮’並利用己烧施行懸浮清洗，獲得白色粉末的化 合物 I-4b(5. lg)。 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 80 1377189 在300mL四口燒瓶中，添加化合物l-4b(4. 3g)、化合 物 I-la(2. lg)、1，2-二甲氧基乙烷（12〇mL)、及水（18mL)， 並施行氮氣泡。在系統中添加碳酸鉀（5. Og)、肆（三苯基 膦）把（0) (418mg)，並施行6小時加熱回流。利用二氣甲 烷施仃萃取，鉍施行活性白土處理後，將固形份過濾去 除。施打減壓濃縮，並將其利用矽膠管柱色層分析儀施行 .精製便獲得目標物ϊ_4(3. 8g)。再將其一部份在高真空 下，於最咼加熱溫度49〇。(：的條件下施行昇華精製，獲得 而純度目標物I-4(1. 4g)。 該化合物的玻璃轉移溫度係99〇c，結晶化溫度與融點 •均未觀測到’氣化開始溫度係56pc。 r DEI-MS m/z=990(M+) [實施例1 :本發明烴化合物之評估] <對甲苯的溶解性評估> 調查烴化合物（丨—丨）、（1-2)、（1-4)在常溫常壓下，對 •甲苯的溶解度。結果如表j所示。 • <氧化還原電位評估> 利用循環伏安計測量烴化合物（Ι_υ的氧化還原電位。 作為支撐電解質，係將過氯酸四丁基銨〇 lm〇1/L，溶 解於將乙腈與四氫呋喃於25°c下依容量比1:1進行混合 的溶劑中，再溶解烴化合物（I_1)lmm〇1/L，針對該溶液施 行測量。 作用電極係使用玻璃碳（BAS公司製），輔助電極係使用 白金線，參照電極係使用銀線，並依牵拉速度1 〇〇mV/s施 31發明說明書(補件)/96-02/95137103 81 行測量。 二茂鐵離子（Fc/Fc+)作為 SCE ’並將電位換算為輔 氧化還原電位係使用二茂鐵/ 内部標準，其電位係+0.41V vs. 助飽和甘汞電極（SCE)。 上述評估結果係如表2所示 〈二重態激發能階評估> 化合物（卜υ與（卜4) ’在氮環境下，於稀薄乙醇 =中’利用溫度m下的磷光光譜施行三重態激發 測量。 斤獲得磷光光4中，係將在波長最短位置處所觀測到的 峰頂波長視為「三重態激發能階（ηπ])」。 上述5平估結果係如表3所示。 [比較例1:習知化合物（C-丨）評估] 針對刚揭化合物（C-1 )，如同實施例1般，施行對曱笨 的溶解性、氧化還原電位及三重態激發能階的評估，結果 如表1〜3所示。 [表1 ] 例 化合物 對甲苯的溶解度 (重量％) 實施例1 1-1 17 1-2 >10 1-4 22 比較例1 C-1 <2 --— 3!2ΧΡ/發明說明書(補件)/96·02/9513·7103 82 1377189 [表2 ] 例 化合物 Γ1，氧化電位 [V vs. SCE] 還原電位 [V vs. SCE] ~~----- 氧化還原電位差 [V] 左 實施例1 1-1 + 1. 43 -2. 40 3. 83 比較例1 C-1 + 1. 77 -2. 43 ------ 4. 20
例 化合物 三重態激發能階 (nm) 實施例1 1-1 442 1-4 442 比較例1 C-1 460 由表卜3中得知，本發明煙化合物將顯示出特徵性優越 的心合解性，且氧化還原電位差亦較大於習知化合物。 此外，可知本發明烴化合物的三重態激發能階亦較大於習 [實施例2 :有機電致發光元件之製造、評估] 一依…、X下方法進行具有圖8戶斤示構造的有機電致發光 元件之製作。 x 將在玻璃基板1上積層著銦•錫氧化物（ITO)透明導 膜150nm者⑽鍍製膜品；片電阻15〇)，使用普通的 學微影技術與鹽酸蝕刻，施行圖案化處理而形成寬2随 條紋以成為陽極2。將已形成圖案的ιτ〇基板依序利 丙酮施行超音波洗淨、洲純水騎水洗、抑異丙醇 行超音波洗淨，經洗淨後’再施行吹氮而予以乾燥， 施行紫外線臭氡洗淨。 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96·02/951371〇3 83 如下述依照濕式製膜法形成電洞注入層3 丘“咖係使用具有τ述構造式之芳香族胺基的非 ，、輛糸向分子化合物[ΡΒ-1(重量平均分子量：29侧數平 均分子量：1 2600)]、與下示構造式之電子受體性化合物 Q-2) ’並依下述條件施行旋塗。 [化 47]
PB-1
B-
旋塗條件： 溶劑 苯甲酸乙酯 塗佈液濃度 PB-1 2. 0重量％ A-2 0. 4 重量 ％ 旋塗機旋轉數 1500rpm 旋塗機旋轉時間 30秒 312XP/發明說明書(補件)/96.〇2/95 i 37 j 〇3 84 1377189 乾燥條件 23(TCxl5分 依照上述旋塗便形成膜厚3〇nm的均勻薄膜。 接著’如下述依照濕式製膜法形成發光層4。發光層4 材料係將合成例1所合成的本發明烴化合物（〗）、與下 不構造式的銥錯合物（D-1)、與一起使用作為溶劑的曱笨 調製成電荷輸送材料組成物，並使用該電荷輪送材料組成 物依下述條件施行旋塗。 ’ [化 48]
[化 49]
旋塗條件： 溶劑 甲苯 組成物中濃度 1-1 2.0重量％ 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 85 ^//189 D-l 0. 1 重量 ％ 旋塗機旋轉數 15〇〇rpm 旋塗機旋轉時間6〇秒 乾燥條件 8(TCx60分（減壓下） 利用上述旋塗可形成膜厚60nm的均勻薄膜。 其-人’將電洞阻礙層8的下示吡啶衍生物（jjgy )，在坩 。/皿度260〜264 C下，依蒸鍵速度〇. 〇5nm/秒積層5nm之 膜厚。蒸鍍時的真空度係3. 9x10—4Pa(約3. 0xl0_6Torr)。 [化 50]
其次，在電洞阻礙層8上，將電子輸送層7的下示鋁之 8-羥基喹啉錯合物(^卜^同樣地施行蒸鍍。此時，鋁的 蠢8-赵基啥琳錯合物之坩堝溫度係控制在213~247t範圍 •内’蒸鑛時的真空度係設定為3. 9xlO_4Pa(約 3. 0x10 6Torr)，蒸鍍速度係〇丨四/秒，膜厚設定為3〇nm。 [化 51]
在上述電洞阻礙層8與電子輸送層7施行真空蒸鍍時， 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 86 1377189 基板溫度係保持於室溫。 在此將已施行蒸鍍至形成電子輸送層7的元件，從上述 真空蒸鍍裝置内取出於大氣中，將作為陰極蒸鍍用遮罩的 寬2mm條紋狀蔭蔽罩（shad〇w mask)，依與陽極2的IT〇 條紋呈正交狀態的方式密接於元件，並設置於另一真空蒸 鍍裝置内，如同有機層般將裝置内的真空度排氣至 • 2· 0xl〇-6Torr(約 2. 6xl(T4Pa)以下。 其次’使用鉬瓶並依蒸鍍速度〇. 07nm/秒、真空度 2. 2xl〇—6T〇rr(約3.0xl0_4pa)的條件，將氟化鋰（以^在^ 子輸送層7上形成〇.5nm膜厚作為陰極緩衝層1〇<5接著， -作為陰極6係將鋁同樣地利用鉬瓶加熱，並依蒸鍍速度 〇.3nm/秒、真空度 4.3xl〇-6T〇rr(約 5.6xl〇>a)的條件 ^ 形成膜厚80nm鋁層便完成陰極6。以上在施行陰極緩衝 層1 〇與陰極6的蒸鍍時，基板溫度係保持於室溫中。 依上述，便獲得具有尺寸2mmx2inm發光面積部分的有機 >電致發光元件。 該元件的發光特性係如表4所示。 元件發光光譜的尖峰波長係470nm，鑑定為屬於源自銥 錯合物（D-1)。 [實施例3:有機電致發光元件之製造、評估] 除了取代銥錯合物（D-1)，改為使用下式構造式銥錯合 物（D-2)之外，其餘均如同實施例丨般地製作有機電致發 光元件。 該元件的發光特性係如表4所示。 312XP/發明說明書(補件)/96·02/95137103 87 1377189 [化 52]
元件發光光4的極大波長係5丨2nm，鑑定為屬於源自銥 -錯合物（D-2)。發光的CIE色度係（〇 295 〇 616)。 .[表 4] 例 —----- 依錯合物種類 亮度/電流 [cd/A] @100cd/m2 電壓 [V] 2 @100cd/m2 發光效率 [lm/w] @100cd/m2 實施例2 D-1 4. 9 10. 0 1. 6 實施例3 D-2 13. 9 11.2 3. 9 由表4中得知，將本發明烴化合物（卜丨）使用作為發光 材料主材料的有機電致發光元件，將具有優越的電荷輸送 性，且不易結晶化，因而將可獲得均勻發光，提高發光效 率’可依低電壓進行驅動。 [實施例4:有機電致發光元件之製造] 具有圖9所示構造的有機電致發光元件，係依照以下方 法進行製作。 將在玻璃基板1上積層著15〇nm之銦•錫氧化物（Ιτ〇) 透明導電膜2者（濺鍍製膜品；片電阻15Ω)，使用普通 的光學微影技術與鹽酸蝕刻，施行圖案化處理而形成寬 2mm的條紋以成為陽極。將已形成圖案的ΙΤ〇基板，依序 利用丙酮施行超音波洗淨、利用純水施行水洗、利用異丙 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96.02/95137103 88 1377189 醇施行超音波洗淨，經洗淨後，再施行吹氮而予以乾燥， 最後施行紫外線臭氧洗淨。 電洞注入層3材料係使用實施例2中所使用之具有芳香 叙胺基的非共輛系向分子化合物（PB_ 1 )、與電子受體性化 合物（A-2)，並依下述如同實施例2的相同條件施行旋 塗形成膜厚3Onm的均勻薄膜。
其次’將已形成電洞注入層3的基板設置於真空蒸鑛褒 置内。並對上述裝置利用油旋轉泵施行粗排氣後，再利用 低胤泵對裝置内施行排氣直到真空度達約0x10 以 下。放入在上述裝置内所配置的陶瓷坩堝中，並對坩堝周 圍利用㈣加熱H施行加熱，而施行下示芳香胺化合物 ⑽-υ的蒸鍍。蒸料的真空度係2 4xi(r4pa，並依基錢 速度o.inm/秒獲得臈厚30nm的電子阻止層9。 & [化 53] "
(EB- 1) 接著，將作為發光層4之主成分（主材料）的下示化合 (Η-Di及作為副成分（摻質）的上述有機錶錯合物⑻ 分別設置於各自的陶瓷坩堝中，並利用二元乒墓鍍 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 89 1377189 (two-element co-evaporation method)施行成膜。 [化 54]
^ (H-i) 分別控制為化合物（H-l)的蒸鍍速度0. lnm/秒、銥錯合 物（D-1)的坩堝溫度25卜254。〇、蒸鍍速度〇 〇〇8nm/秒， -而在電子阻止層9上積層著膜厚3〇nm且含有銥錯合物 (〇-1)7重量％的發光層4。蒸鍍時的真空度係2. 〇xl〇-4pa。 再者電’同阻礙層8係將本發明烴化合物（I _ 1)依掛禍 溫度449〜452°C、蒸鍍速度o.inm/秒的條件積層5nm之膜 厚。蒸鍍時的真空度係1.8xi〇-4pa。 • 在電洞阻礙層8上，同樣地蒸鍍上述鋁的8_羥基喹啉 *錯合物（ΕΊΜ)作為電子輸送層7。此時鋁的8-羥基喹啉錯 合物之坩堝溫度係控制在239〜244〇C範圍内，並依蒸鍍時 的真空度1. 5x10 4Pa、蒸鍍速度〇_ inm/秒的條件形成膜厚 15nm ° 在施行上述電子阻止層9、發光層4、電洞阻礙層8及 電子輸送層7的真空蒸鍍時，基板溫度係保持於室溫。 在此，將已施行蒸鍍至形成電子輸送層7的元件，從上 述真空蒸鍍裝置内暫時取出於大氣t，將陰極蒸鍍用遮罩 312XP/發明說明書(補件)/96.02/95137103 90 1377189 的寬2πυπ條紋狀蔭蔽罩，依與陽極2的IT〇條紋呈正交狀 態的方式密接於元件，並設置於各自的真空蒸鑛裝置内， 再如同有機層般，將裝置内施行排氣直到真空度達 2· Oxio Pa以下。首先，將氟化鋰（LiF)使用鉬瓶依蒸 鍍速度O.Olmn/秒、真空度4.7xl〇-5pa的條件，在電子輸 送層7上形成0·5ηπι膜厚作為陰極緩衝層1〇〇其次將 •鋁同樣地利用鉬瓶施行加熱，並依蒸鍍速度〇 4nm/秒: 真空度2. 5x10 4Pa的條件，積層膜厚8〇nm的鋁層而形成 陰極6。以上在施行陰極緩衝層1〇與陰極6的蒸鍍時， 基板溫度係保持於室溫中。 '依上述，獲得具有尺寸2mmx2min發光面積部分的有機電 致發光元件。 [實施例5 :有機電致發光元件之製造] 製作具有圖9所示構造的有機電致發光元件。除了將電 子輸送層7膜厚設定為30nm之外，其餘均如同實施例* φ般進行，獲得具有尺寸2mmx2mm發光面積部分的有機電致 . 發光元件。 [實施例6 :有機電致發光元件之製造] 製作具有圖9所示構造的有機電致發光元件。除了電子 輸送層7係將下示（ET-2)在坩堝溫度190〜19ιΐ、蒸鍍速 度0. 1 nm/秒的條件下，積層5nm膜厚之外，其餘均如同 實施例4般進行，獲得具有尺寸2mmx2mm發光面積部分的 有機電致發光元件。 [化 55] 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 91 丄 J / /
、㈣ 「 （ΕΤ”2) L實：例7:有機電致發光元件之製造] 子St: 9所示構造的有機電致發光元件。除了將1 使用的材料改為上述化合物(㈣之 積部分的有機電致發光元件。 [只施例8.有機電致發光元件之製造] 製作具有圖9所示構造的有機電致發 洞阻礙層以Π A ln 職件。除了將電 η-從 之外，其餘均如同實施例：
Si件得具有尺寸2一發光面積部分的有機電致 [只知例9:有機電致發光元件之製造] 製作具有圖9所示構造的有機電致發光元件。除 輸送層7係將下示化合物（ΕΤ_3)依㈣溫度222〜2饥、 蒸鍍速度O.lnm/秒的條件，積層5nm獏厚之外盆 如同實施例7般進行，獲得具有尺寸2_2mm發光面、部 分的有機電致發光元件。 、 [化 56] 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 1377189
.[實施例10:有機電致發光元件之製造] •製作具有圖9所示構造的有機電致路也一 j洞限丨!_展β时广 發光凡件。除了將電 ，/Π限止層8膜厚設定為1〇nm之 复 肘卓 般進行，掸尸 八餘均如同實施例！ 發光元件。 m發先面積部分的有機電勤 .[貝施例11 ··有機電致發光元件之製造] 例!二具/圖9所示構造的有機電致發光元件。如同實施 1 曼’形成至電子阻止層9等各層。其次，將作為 之主成分（主材料）的化合物㈣及本㈣_ • 口物（ι-υ、以及作為副成分（摻質）的有機銀錯合物 ❿1)’設置於各自的陶―财，並利用三元共蒸鑛法 施行成^分別控制為化合物（ίΜ)的蒸料度〇.〇w 秒、化合物（1-1)的坩堝溫度376〜382它、蒸鍍速度 0. 05nm/秒、銥錯合物（D_i)的坩堝溫度251〜254它蒸鍍 速度〇.〇08nm/秒，而在電子阻止層9上積層著膜厚3〇nm、 且含有銥錯合物（D-i)7重量％的發光層4。蒸鍍時的真空 度係 9. 4xl(T5pa。 接著’將化合物（ET-2)依坩堝溫度225〜226°C、蒸鍍速 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 n, 1377189 度O^lnm/秒的條件形成5nm膜厚而積層作為電洞阻礙層 8。蒸鍍時的真空度係6. 8xl〇-5pa。 曰 在該電洞阻礙層8上，將化合物（ΕΤ_υ同樣地施行蒸鑛 而成為電子輸送層7。此時化合物（ΕΤ_υ的㈣溫度係^ 制在235〜238t範圍内，蒸鍍時的真空度係6切❿、 瘵鍍逮度0. lnm/秒，且將膜厚設定為15挪。 _在施行上述電子阻止層9、發光層4、電洞阻礙層8及 _電子輸送層7的真空蒸鐘時，基板溫度係保持於室〜 最後，如同實施例4〜Η，藉由形成陰極緩衝層^靜 ，6:獲得具有尺寸2mmx2fflm發光面積部分的有機電致發 [實施例12:有機電致發光元件之製造] 製作具有圖9所示構造的有機電致發光元件 子輸送層7膜厚設定為3〇抓之 :了將電 般進行，獲得具有尺寸—光面::::= 發光元件。 刀幻有機電致 [實施例13:有機電致發光元件之製造] 製作具有圖9所示構造的有機電致發 光層4上並未形成電洞阻礙層8之外’其二如 11心進订，㈣具有尺寸2_2mm發光面 電致發光元件。 丨刀的有機 [實施例14:有機電致發光元件之製造] 除了在發 同實施例 製作具有圖9所示構造的有機電致發光元件。 光層4上並未形成電洞阻礙層8之外，其餘岣如 312XP/^IS0J#(iift)/96-O2/951371O3 〇. 1377189 12般進行’獲得具有尺寸2_2顧發光 電致發光元件。 積#刀的有機 [實施例15:有機電致發光元件之製造] 製作具有圖9所示構造的有機電致發光元件。 例4〜14般，形成至電子阻止層9等各層。 。只知 接著’將發光層4更進—步蒸鍍為雙層積層 先，作為第1層係將作真士 士、、, ' 首 (Η η你： 成分（主材料）的化合物 各自的陶究㈣中，並利用二元共蒸鐘法施行成)膜二置於 分別控制成化合物（ίΜ)的蒸鍍速度G. W秒、銀錯人 物㈣的㈣溫度255〜256ΐ、蒸鑛速度〇〇〇心τ =子阻止層9上積層著膜厚2〇nm、且含銀錯合物 2 3 ΠΤ『置%的細4之第1層。蒸鍍時的真空度係 其次，發光層4的帛2層係將作為主成分（主材料）的本 發明化合物（卜1 )、作為副成分（摻質）的有機銀錯合物 (D-1)，分別設置於各自的陶莞坩堝中，並利用二元共某 鍍法施行成膜。 、 为別控制成化合物（1-1)的坩堝溫度396~39rc、蒸鍍 速度O.lnm/秒、銥錯合物（d_i)的坩堝溫度256〜257乞、 蒸鍍速度0.008nm/秒，在發光層4的第i層上積層著膜 厚l〇nm、且含銥錯合物（D_1)7重量％的發光層4之第2 層。蒸鍍時的真空度係2. lxi〇-4Pa。 接著’電洞阻礙層8係將化合物（ET_2)依坩堝溫度 312XP/^^lftH§^(igfifi)/96-〇2/95137103 95 1377189 5mn之膜厚。 =5〜226°C、蒸鍍速度〇. lnm/秒的條件積層 蒸鍍時的真空度係1.6xl〇-4pa。 开礙層8上，將化合物⑽―1)同樣地施行蒸鍍而 此時化合物⑽溫度係控制 在233〜236C範圍内’蒸鍍時的真空度係16χΐ〇、、蒸 鍍速度係0. lnm/秒，膜厚係3〇nm。 “’、 在施：上述電子阻止層9、發光層4、電洞阻礙層8及
子輸运層7的真空蒸鍍時’基板溫度係保持於室溫。 最後’如同實施例4〜14般’藉由形成陰極緩衝層1〇、 而獲得具有尺寸2麵2龍發光面積部分的有機 電致發光元件。 -[實施例16:有機電致發光元件之製造] 製作具有圖9所示構造的有機電致發光元件。於形成發 先層4之際，除了將第i層膜厚設定為—、將第之層 ，厚設定為2Gnm之外，其餘均如同實施例15般進行 φ得^具有尺寸2minx2min發光面積部分的有機電致發光元件二 ，[實施例17:有機電致發光元件之製造] 製作具有圖9所示構造的有機電致發光元件。除了在發 光層4上並未形成電洞阻礙層8之外，其餘均如同實施例 U般進行，獲得具有尺寸2mmx2mm發光面積部分的有機 電致發光元件。 [實施例18 :有機電致發光元件之製造] 製作具有圖9所示構造的有機電致發光元件。除了在發 光層4上並未形成電洞阻礙層8之外，其餘均如同實施例 312XP/發明說明書(補件)/%_〇2/951371〇3 96 1377189 舨進仃，獲得具有尺寸2mmx2mm發光面 電致發光元件。 [貝施例19:有機電致發光元件之製造] 製作具有圖9所示構造的有機電致發光元件。如同實施 例4般’形成至電子阻止層9等各層後依如下述形成發 光層4將發光層4之作為主成分（主材料）的本發明化合 物（I 1 )、以及作為副成分（摻質）之在實施例3中所使用 •的有機銥錯合物（D-2)，設置於各自的陶瓷坩堝中，並利 用二元共蒸鍍法施行成膜。 分別控制成化合物（Ι-υ的蒸鍍速度〇〇8nm/秒、銥錯 合物（D-2)的蒸鍍速度0.005nm/秒，形成膜厚32nm且含 •有銥錯合物（D-2)6重量％的發光層此時化合物（丨一】） 的坩堝脈度係396〜436°C、銥錯合物（D-2)的坩堝溫度係 271 〜273°C，真空度係 l.2xl(T4pa。 其次，將上述吡啶衍生物（HB-丨）依蒸鍍速度Q.〇9nm/ •秒，形成5nm厚度的電洞阻礙層8。此時吡啶衍生物^^玉） •的坩堝溫度係262〜264°C，真空度係1. 〇xi〇-4pa。 在施行上述發光層4與電洞阻礙層8的真空蒸鍍時，美 板溫度係保持於室溫。 & 接著’藉由如同實施例4般地形成電子輸送層7、陰極 緩衝層10及陰極6，便獲得具有尺寸2mmx2mm發光S積 部分的有機電致發光元件。 [實施例20 :有機電致發光元件之製造] 製作具有圖9所示構造的有機電致發光元件。如同實施 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 97 1377189 例4般，形成至電子阻 ^ m λ 禮9导各層後’依如下述形成發 先層4。將發光層4之作為 ^ y =的本發明烴化合物("二及 的有機銥錯合物（D-2) m夂白“成 用_ _ U # °又置於各自的陶瓷坩堝令’並利 一凡共蒸鍍法施行成膜。 [化 57]
分別控制成化合物（1-3)的蒸鍍速度〇. lnm/秒、銥錯合 物（D-2)的蒸鍍速度〇.〇〇6nm/秒，而形成膜厚32nm且含 φ有鈒錯合物（D-2)6重量％的發光層4。此時銥錯合物（D_2) ，的坩堝溫度係272〜275t：，真空度係1. lxl〇_4pa。 其次’將"比啶衍生物（HB-1)依蒸鑛速度〇.〇9nm/秒形成 511111的電洞阻礙層8。此時（仙-1)的坩堝溫度係262〜264 °C ’ 真空度係 1. 〇xl〇-4pa。 在施行上述發光層4及電洞阻礙層8的真空蒸鍍時，基 板溫度係保持於室溫。 接著，藉由如同實施例4般的形成電子輸送層7、陰極 緩衝層10及陰極6,便獲得具有尺寸2mmx2mm發光面積 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 98 1377189 部分的有機電致發光元件。 [實施例21:有機電致發光元件之製造] 製作具有圖9所示構造的有機電致發光元件。如同實施 例4般地形成電洞注入層3之後，將已形成電洞注入層3 的基板設置於真空蒸鍍裝置内。對上述裝置利用油旋轉泵 施订粗排氣之後，使用低溫泵對裝置内施行排氣，直到真 •二度達約3. 0x10 4Pa以下。裝入於上述裝置内所配置的陶 •瓷坩堝中，利用鈕絲加熱器對坩堝周圍施行加熱，而施行 下示芳香胺化合物（HT-1)的蒸鍍。蒸鍍時係依真空度 2.4xl(T5pa、蒸鍍速度〇丨⑽/秒的條件，獲得膜厚4〇⑽ -的電子阻止層9。此時的坩堝溫度係247〜263r，真 •係 2. 4xl〇_5pa。 又 [化 58]
其次，施行發光層4的成膜。將發光層4之作為主成分 (主材料）的本發明烴化合物（H)、以及作為副成分（推二 的有機銥錯合物（D-2)，設置於各自的陶瓷坩堝中，並利 . 用一元共蒸鍵法施行成膜。 分別控制成化合物（Ν1)的蒸鑛速度G Q8nm/秒、錶尹 合物（D-2)的蒸鐘速度〇.G〇5mn/秒，形成膜厚32nm且^ 312Xp/發明說明書(補件)/96-02/95137103 〇〇 1377189 有銀錯合物（D-2)6重量％的發光層4。此時化合物（ι_ι) 的掛竭溫度係333〜334°C，銀錯合物（D-2)的堆禍溫度係 269〜271。(：，真空度係 3. 5xl(T5Pa。 其次，將吡啶衍生物（HB-1)依蒸鍍速度〇. 〇9nm/秒形成 5nm厚度的電洞阻礙層8。此時吡啶衍生物（HB-丨）的掛禍 溫度係239〜242〇C，真空度係3. lxl〇-5pa。 . 在施行上述發光層4與電洞阻礙層8的真空蒸鍍時，基 .板溫度係保持於室溫。 馨 接著，藉由如同實施例4般地形成電子輸送層7、陰極 緩衝層10及陰極6，便獲得具有尺寸2mmx2mro發光面積 -部分的有機電致發光元件。 [實施例22:有機電致發光元件之製造] 製作具有圖9所示構造的有機電致發光元件。如同實施 例4般地形成至電子阻止層9等各層後，依如下述形成發 光層4。將發光層4之作為主成分（主材料）的下示咔唑衍 •生物（EM-1)、以及作為副成分（摻質）的有機銥錯合物 • (D — 2)，設置於各自的陶瓷坩堝中，並利用二元共蒸鍍法 施行成膜。 [化 59]
分別控制成化合物（EM-1)的蒸鍍速度〇. 〇7nm/秒、銥錯 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 100 1377189 合物（D-2)的蒸鍍速度〇.〇〇4mn/秒，形成膜厚32nm且含 有銥錯合物（D-2)6.4重量％的發光層4。此時銥錯合物 (D-2)的坩堝溫度係243°C，真空度係7. lxi〇-5Pa。 其次，將本發明烴化合物（1-1)依蒸鍍速度〇〇8nm/秒 形成5nm的電洞阻礙層8。此時化合物（Ι_υ的坩堝溫度 係 342-357Ϊ：，真空度係 6.9xlO-5Pa。 . 在施行上述發光層4與電洞阻礙層8的真空蒸鍍時，基 .板溫度係保持於室溫。 鲁接著，藉由如同實施例4般地形成電子輸送層7、陰極 緩衝層10及陰極6，便獲得具有尺寸2mmx2min發光面積 -部分的有機電致發光元件。 .[實施例23:有機電致發光元件之製造] 製作具有圖9所示構造的有機電致發光元件。如同實施 例4般地形成至電子阻止層9等各層後，再依如下述形成 發光層4。將發光層4之作為主成分（主材料）的咔唑衍生 籲物（EM-1)、以及作為副成分（摻質）的有機銥錯合物 * (D—2) ’設置於各自的陶瓷坩堝中，並利用二元共蒸錢法 施行成膜。 分別控制成化合物（EM-1)的蒸鍍速度〇. 〇7nm/秒、銀錯 合物（D-2)的蒸鍍速度〇.〇〇4nm/秒，形成膜厚32nm且含 有鈒錯合物（D-2)6.4重量％的發光層4。此時銀錯合物 (D-2)的坩堝溫度係243〇C，真空度係7. lxlO_5Pa。 其次，將依合成例2所合成的本發明烴化合物（U)， 依蒸鑛速度0. 〇8nm/秒形成5nm的電洞阻礙層8 ^此時化 312XP/發明說明書(補件)/96·02/95137103 101 1377189 合物（1-2)的坩堝溫度係398〜405 °C，真空度係 l〇-5Pa。 ’、 ’、 [化 60]
I 一 2 •在施行上述發光層4與電洞阻礙層8的真空蒸鍍時， 板溫度係保持於室溫。 土 接著，藉由如同實施例4般地形成電子輸送層7、陰極 緩衝層10及陰極6，便獲得具有尺寸2mmx2mm發光面 部分的有機電致發光元件。 •[比較例2 :有機電致發光元件之製造] •除了發光層4之主成分係使用下示。卡唾衍生物（1) 之外，其餘均如同實施例21般地進行元件製作。此時的 發光層4成膜係將作為主成分（主材料）的化合物 (EM 1)、以及作為副成分（摻質）的有機銥錯合物， 〇又置於各自的陶瓷坩堝中，並利用二元共蒸鍍法施行成 膜。 [化 61] 312XP/發明說明書(補件)/96·〇2/95137ι〇3 102 I3?7189
EM- 1
分別控制成化合物（EM-1)的蒸鐘速度〇. 〇8nm/秒、銀錯 合物（D-2)的蒸鍍速度0.005nm/秒’形成膜厚32nm且含 有銀錯合物（D-2)6重量％的發光層4。此時銀錯合物 的坩堝溫度係26卜265°C，真空度係1. 2xl〇-4pa。 其次，將吼啶衍生物（HB-1)依蒸鍍速度〇 〇9nm/秒形成 5nm的電洞阻礙層8。此時η比咬衍生物（1)的时塥溫度 係 239〜242°C，真空度係 3. lxl〇-5Pa。 • 接著’藉由如同實施例21般地形成電子輸送層7、陰 極緩衝層10及陰極6,便獲得具有尺寸2mmx2mm發光: 積部分的有機電致發光元件。 [比較例3:有機電致發光元件之製造] % 除了發光層4的主成分係使用化合物（〇1)之外，其餘 •，均如同實施例19般地進行元件製作◊此時發光層4的成 膜係將作為主成分（主材料）的化合物（c_〇、以及作為副 成分（摻質）的有機銥錯合物（D—2)，設置於各自的陶竞^ 禍中’並利用一元共蒸鑛法施行成膜。 [化 62] ' 3I2Xp^HJlftBge(ffim/96-02/95137103 103 1377189
分別控制成化合物（OD的蒸鍍速度〇 〇811[11/秒、銥錯 ‘合物（D-2)的蒸鍍速度0.005nm/秒，形成膜厚32nm且含 有鉉錯合物（D-2)6重量％的發光層4。此時化合物（c-i) 的坩堝溫度係331〜337°C，銥錯合物（D-2)的坩堝溫度係 • 240〜241Ϊ ’ 真空度係 7.5xl(T5Pa。 ^ 其次，將吡啶衍生物（HB—1)依蒸鍍速度0. 09nm/秒形成 5nm的電洞阻礙層8。此時吡啶衍生物的坩堝溫度 係 231〜236t，真空度係 6. 6xl〇_5Pa。 接著，藉由如同實施例19般地形成電子輸送層7、陰 #極緩衝層1〇及陰極6，便獲得具有尺寸2mmx2mm發光面 -積部分的有機電致發光元件。 [有機電致發光元件之評估] —依實施例4~18所獲得元件的發光特性，整理如表5所 不。表5中，最大發光亮度係指電流密度〇.25α/(^2下的 數值，發光效率、亮度/電流、電壓係指亮度1〇〇cd/m2下 的數值，電壓@2500cd、亮度/電流@25〇〇cd係指亮度 5 00cd/m下的數值。元件發光光譜的極大波長係‘Η⑽， 鑑定為屬於來自有機銥錯合物⑺—^者。 312XP/發明說明書(補件)/96·〇2/95ι371〇3 104 1377189 [表5 ] 發光起始電壓 [V] 最大發光亮度 [cd/m2] 電壓[V] 亮度/電流 [cd/A] 發光效率 [Im/W] 電麼 025OOcd [V] 亮度/電流 @2500cd [cd/A] 實施例4 6.2 3148 8. 5 1.0 0.4 12. 5 1.3 實施例5 6.4 8468 9. 2 2.4 0.8 13.8 3.2 實施例6 8. 2 11590 11. 1 1.5 0.4 14.7 2.5 實施例7 8. 9 17750 11.7 3. 0 0.8 15. 5 4.1 實施例8 8. 0 18080 10.4 2. 8 0.9 13.8 4.0 實施例9 7. 0 23190 8.2 6. 1 2.3 10. 7 9.6 實施例10 7. 1 22430 8. 5 6. 5 2.4 11.2 10.4 實施例11 5. 1 14320 6. 6 2. 7 1.3 9.3 4.9 實施例12 5. 1 18940 6.8 4. 0 1.8 9. 6 6.6 實施例13 5. 0 7843 7. 0 1.4 0.6 9. 9 2.6 實施例14 5. 0 13020 6.8 2.5 1.2 9.8 4.3 貫施例15 5.9 19240 7. 0 11.0 4.9 9. 5 13.5 貫施例16 4. 9 19430 6. 1 19. 5 10. 0 8. 9 19. 5 實施例17 5. 4 16420 7. 1 4.3 1.9 「9.7 8.1 實施例18 4.8 17960 6. 1 10.8 5. 5 8.8 14.3
將依實施例19〜2 3及比較例2〜3所獲得元件的發光特 性，整理如表6所示。表6中，最大發光亮度係指電流密 度0. 25A/cm2下的數值，發光效率、亮度/電流、電壓係指 亮度100cd/m2下的數值’電壓@2500cd、亮度/電流@2500cd 係指亮度250 Ocd/m2下的數值。元件發光光譜的極大波長 係512nm，鑑定屬於來自有機銀錯合物（D_2)者。 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 1377189 [表6] 發光起始電堡 [V] 最大發光亮度 [cd/m2l 電壓[V] 亮度/電流 [cd/A] 發光效率 [Im/ff] 電壓 @2500cd [V] 亮度/電流 ®2500cd [cd/A] 實施例1 ί 實施例20 4. 0 52320 5.3 46.6 27.9 8.2 36. 7 3. 2 65310 4.9 54.5 35.0 7.3 49.9 實施例21 4. 0 34920 5. 2 38.0 '23.0 7.9 24. 2 實施例22 3. 8 66250 5.4 25.8 14.9 8.4 31. 7 實施例23 3.5 66190 5. 3 41.3 24.4 8.4 40.8 比較例2 3. 1 42710 5.0 38.4 24.1 7.4 28. 1 比較例3 3.4 ϊ Ο Λ 1 49800. 5. 0 47.5 29.8 7.4 40.0 針對依實施例2G、實施例21及比較例2所製得元件， -依以下條件施行連續通電試驗。 1通電電流波形 DC(直流）定電流 通電電流密度 30mA/cm2(—定）
試驗環境溫度 23°G 針對各元件測量亮度直到成為開始 •時間(亮度半衰時間）、结果如表7所示。“值時的 •[表 7] 發光層主成分 實施例20之元件 實施例21之元件 比較例2之元件 ※針對實施例— 5 ^ ^ m 口為4驗中的亮度並未降低 插而求得。 X通電時間曲線施行外 312XP/發明說明書(補件)/9642/95137103 106
1377189 藉此得知，本發明化合物係相對於習知已知的化合物 W，連續通電時（即連續點燈時）的以 越。 [實施例22] 依以下條件 針對實施例19與比較例3所製得的元件， 施行連續通電試驗。 通電電流波形 DC(直流）定電流 通電電流密度 250mA/cm2(—定）
試驗環境溫度 231 針對各元件，測量將通電40秒後的亮度、除以通電開 始時亮度的數值。結果如表8所示。
由此得知’本發明化合物係相較於習知已知化合來 c-i，連續通電時（即連續點燈時）的安定性較優越。 雖針對本發明使用特定態樣進行詳細說明，惟在不脫逸 本發明意圖與範疇之前提下，將可進行各種變更，此乃熟 習此技術者可輕易思及。 另外’本申請案係以2005年10月7曰所提出申請的曰 本專利申請案（特願2005-2951 10)為基礎，並援引使用其 整體内容。 【圖式簡單說明】 圖1為本發明有機電致發光元件一例的示意剖視圖。 312XP/發明說明書(補件)/96__5丨37 i 107 1377189 圖2為本發明有機電致發光元件另一例的示意剖視圖。 圖3為本發明有機電致發光元件另一例的示意剖視圖。 圖4為本發明有機電致發光元件另一例的示意剖視圖。 圖5為本發明有機電致發光元件另一例的示意剖視圖。 圖6為本發明有機電致發光元件另一例的示意剖視圖。 圖7為本發明有機電致發光元件另一例的示意剖視圖。 圖8為本發明有機電致發光元件另一例的示意剖視圖。 圖9為本發明有機電致發光元件另一例的示意剖視圖。 【主要元件符號說明】 1 基板 2 陽極. 3 電洞注入層 4 發光層 5 電子注入層 6 陰極 7 電子輸送層 8 電洞阻礙層 9 電子阻止層 10 陰極緩衝層 312XP/發明說明書(補件)/96-02/95137103 108

Claims (1)

1377189
申請專利範園 卜心月w修正替換頁j *-------------/ Μ 2 〇 2012 替換本 1.—種烴化合物，係在分子内具有下述一般式（丨）所示 之部分構造； [化 63] G
. 式（I )中，G係指下述一般式（11 )所示之取代基；RI、R2 • 係指各自獨立的下述任意烴基；式（1)中，Rl、R2及G所鍵 結的苯環係除了 R1、R2及G以外並未具有其他的取代基； [化 64]
(II) 式（Π)中，R3〜R5係指各自獨立的氫原子或下述任意烴 基；式（11)所示聯三苯基係除了 R3〜R5以外並未具有其他 的取代基；上述任意烴基係選自碳數之烷基、碳數 2〜30之烯基、碳數2〜3〇之炔基、碳數6 3〇之芳香族烴 基中的任一者。 2. 如申請專利範圍第1項之烴化合物，其中，Rl係上述 一般式（11)所示之取代基。 ) 3. 如申請專利範圍第1項之烴化合物，其中，R2係上 —般式（II)所示.之取代基。 ' 4 ·如申凊專利範圍第1項之烴化合物，其中，上述炉化 95137103 109 1377189 1/。/年β月·^修正替換負1 l„_______J 合物係下述一般式（Π I )所示： [化 65]
式（πυ中’ r3與r4係如同上述式（π)中的定義；一分 子中所含的複敫R3與R4係可分別相同亦可 5.如申請專利範圍第丨項之烴化合物，/、。 具有對聯三苯腎架作為部分構造。 其中，分子内係 6.如申請專利範圍第5項之烴化合物， 合物係下述—般式（IV-1)所示： 其中，上述烴化
[化 66]
95137103 110 1377189 卜|年6月π日修正替換頁j 式（IV-1)中’ R、R4係如同上述式（ 、 係指各自獨立的氣原子或上述任意煙基。異，… 7.如申請專利範圍第5項之烴化 合物係下述-般式(I")所示： ，、中’上述煙化 [化 67]
式（IV-2 )中，R3 应 R4 得；p! L "7抑各…… 式(⑴中的定義；R6 ^係心各自獨立的氫原子或上述任意烴基；—分子中所 δ的硬數R6與R7係可分別相同亦可互異。 子中所含的複數…係可分別相同的義:：； 申請專利範圍第1至7項中任」項。之烴化合物，其 述任意烴基為碳數6〜30之芳香族萨其。 :如申請專利範圍第1項之煙化合物:；土中，分子量係 500〜50〇〇之範圍内。 10. —種電荷輸送材料 係包含申請專利範圍第1項之 95137103 111 1377189 I '—___ 1卜忤(> _時轉換g 烴化合物。 --------- 種免荷輪送材料組成物八 1項之烴化合物、及溶劑。 ’、3有申請專利範圍第 12. 如申請專利範圍第u項之電 更進-步含有磷光發光材料。。輸迗材料組成物’係 13. -種有機電致發光元件，係在基板上具有陽極 極、及設置於該等二極間之發光層者，其特徵在於:於： 述二極間具有含申請專利範圍第1項之烴化合物的有機 層’上述有機層係發光層或電洞阻礙層。
95137103 112
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