TWI376555B - - Google Patents

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1376555 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係與液晶顯示面板及液晶顯示裝置之製造方法有 關’可適用於譬如TN(Twisted NematicA轉向列）、ECB (Electrically Controlled Birefringence:電場控制雙折射）、 STN (Super Twisted Nematic:超扭轉向列）、Ips(In_plane Switching:平面轉換）等液晶模式。本發明係藉由使配向膜 之下面成為溝形狀而將配向能賦予配向膜，因此，相較於 先前’生產力高’可確保充分之錨定強度、畫質。 【先前技術】 先前，在TN、ECB、STN、IPS等各種液晶模式之液晶 顯示面板方面，係藉由配向處理而使液晶分子往一定方向 進行配向，此種配向處理已有各種手法被提出。 在此，屬於此配向處理之一的摩擦法，係被最頻繁使用 之方法，把藉由包含聚醢亞胺等高分子膜的配向膜形成於 透明電極上之後，以表面裝有布等之滾筒將此配向膜往一 疋方向摩擦，藉由此方式而將配向能賦予此配向膜。然 而，在摩擦法方面，有附著摩擦屑等而污染配向膜表面之 虞，又，亦有因靜電之發生而破壞TFT(薄膜電晶體）之 虞。 取代摩擦法之配向處理方法的所謂光柵法，係將基板表 面之配向膜加工而形成光柵（溝），利用藉由此光柵之彈性 變形而使液晶分子進行配向》在光柵法方面，液晶分子係 沿著彈性自由能呈最穩定之光柵往平行方向進行配向。 123215.doc i 1376555 關於此光栅法，在]^旧31€31111^3 6(31.>[.八卩卩1.?11)^，52, 210(1981)中提出如下方法：將光照射於形成配向膜之感光 性聚合物，以一定之間隔將光柵形成直線狀。又，在曰本 特開平1 1 -21 8 763號公報中提出如下方法：將光照射於基 板上之光聚合成聚合物，而形成光柵狀之配向膜。又，在 曰本特開2000-1〇5 3 80號公報中提出如下方法：應用轉印 之手法’將光栅之凹凸形狀形成於樹脂塗佈膜，而形成光 栅狀之配向膜，而該樹脂塗佈膜形成於基板表面者。 在此光柵法方面，藉由光柵之間距與高度之調節而可控 制錫定能’此點已為一般所知（γ· 〇hta et al” J.J.Appl. Phys·，43, 4310(2004)) ° 又，在光栅法方面，亦有利用聚醯亞胺等配向膜材本身 具有之配向限制力而提昇錨定強度的方法被提出。亦即， 在曰本特開平5-88 177號公報中，提出藉由光微影法而將 感光性聚醯亞胺進行圖案化之方法，·又，在日本特開平8_ 1 14804號公報中提出如下方法：在特定方向方面為條紋 狀，在與此特定方向呈正交之方向方面，係將表面形狀為 鋸齒狀之凹凸形狀形成於第1配向膜之表面，在此第丨配向 膜上，將分子抽往此往正交方向呈一致之有機物進行疊層 而形成配向膜。又，在曰本特開平3_2〇922〇號公報中提出 如下方法：將感光性玻璃進行光蝕刻，在表面形成凹凸形 狀後，進行塗佈配向材。 再者，根據光栅法，可防止藉由摩擦法之配向膜表面的 污染、及靜電的產生。 123215.doc 1376555 然而，在藉由光柵法單純僅利用彈性變形效果而使液晶 分子進行配向之情料’為了成為與摩擦法同等之錫定強 度，則有必要使溝之間距P與高度H之比T(=H/p)充分變 大。具體而言，根據上述（Y. 〇hta et al，LJ Appiphys， 43，4310(2004)) ’為了獲得與作摩擦處理後之配向膜同等 之方位角錨定強度（約lxl〇-4[J/m2])，則有必要使溝之間距 P與高度Η之比T成為1以上。基於此因，由於以實用所構 想之光栅之間距為1 [μηι]以上’因此，為了確保充分之方 位角錨定強度，在單純僅利用彈性變形效果而使液晶分子 進行配向之情形時，則有必要使光柵之深度成為1 [μηι]以 上。在此’在液晶顯示面板方面，由於晶胞間隙為 3〜4[μιη]程度’因此，如使光柵之深度成為丨^叫以上，則 造成深度為1 [μιη]以上之週期性凹凸形成於面板面内，導 致遲滯在面板面内發生變化，而使得對比度難以充分得到 確保。又’如考慮生產力，則係以使光柵之深度未達1 [μηι] 來確保充分之錨定強度為理想。 藉由此方式’在藉由光柵法單純僅利用彈性變形效果而 使液晶分子進行配向之情形時，在確保充分之錨定強度之 點上，在實用上，仍存有未盡完備的問題。 相對於此，如根據利用配向膜材本身具有之配向限制力 而提昇錨定強度的方法，則即使使光柵之深度未達1 [μΓη]， 亦可預測可確保充分之錨定強度。 然而，在曰本特開平5-88 177號公報所揭示之手法方 面’僅具有感光性之材料才可應用於配向膜，因此具有如 123215.doc 1376555 下問題纟迄今生產上穩定使用之耐熱性、機械性強度、 化學性穩定性、„保持特性優良之材料變得無法使用。 又’在日本待開平8·1148〇4號公報所揭示之手法方面具 有如下問題：由於有必要使配向膜形成疊層構造，故製造 程序變得複雜’生產力劣化。又，在日本特開平3•咖 號公報所揭不之手法方面，具有如下問題：使配向膜之高 分子鏈之方向成為一致的方法不明確，藉由此法在實用 上’仍存有未盡完備的問題。 [專利文獻丨]日本特開平11-218763號公報 [專利文獻2]曰本特開20〇〇·1〇538〇號公報 [專利文獻3]日本特開平5_88 1 77號公報 [專利文獻4]日本特開平8· 114804號公報 [專利文獻5]日本特開平3-209220號公報 [非專利文獻 l]M.Nakamura et al. J.Appl.Phys，52,210 (1981) [非專利文獻 2] Υ· 〇hta et al·，J.J.Appl.Phys·, 43，4310 (2004) 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 本發明係考慮以上之點而完成者，提供一種液晶顯示面 板及液晶顯示面板之製造方法，其係將該等問題點一舉解 決’相較於先前，生產性高，可確保充分之錨定強度、畫 質。 (解決問題之技術手段） 123215.doc 1376555 、上述之問題，請求項1之發明係應用於將液晶保 持於對向之2個基板間之液晶顯示面板，在前述㈣基板中 至少1個基板上，製作配向膜之面的形狀形成為溝形狀， i溝形狀係彳i特定方向延長之溝反覆形成於與前述特定方 向正交之方向纟；以高分子膜覆蓋前述溝形狀，而形成高 分子鏈於前述正交之方向一致之前述配向膜。

又，請求項18之發明係應用於將液晶保持於對向之2個 基板間之液晶顯示面板，在前述2個基板中至少丨個基板 上，製作配向臈之面的形狀步成為溝形狀，而該溝形狀往 特定方向延長之溝反覆形成於與前述特定方向正交之方向 者；以高分子膜覆蓋前述溝形狀，而形成使前述液晶之分 子往則述正交之方向配向之前述配向膜。

又，請求項34之發明係應用於將液晶保持於對向之2個 基板間之液晶顯示面板，在前述2個基板中至少1個基板 上，在絕緣基板上依序形成：相位差板之配向膜，其係將 面以高分子膜覆蓋，高分子鏈於前述正交之方向一致，而 該面係往特定方向延長之溝反覆形成於與前述特定方向正 交之方向者；及由液晶所成之相位差板，而該液晶係往藉 由前述相位差板之配向膜而決定之方向配向者。 又，請求項35之發明係應用於將液晶保持於對向之2個 基板間之液晶顯示面板，在前述2個基板中至少1個基板 上’在絕緣基板上依序形成：相位差板之配向膜，其係將 面以高分子膜覆蓋，而該面係往特定方向延長之溝反覆形 成於與前述特定方向正交之方向者：及由液晶所成之相位 I23215.doc 1376555 差板，而該液晶係分子往前述正交之方向配向者。 又’請求項36之發明係應用於將液晶保持於對向之㈣ 基板間之液晶顯示面板的製造方法’前述液晶顯示面板的 製造方法係在前述2個基板中至少丨個基板上，包含：溝加 工步驟，其係將前述!個基板加工成製作配向膜之面的雙 狀成為溝载’該溝形㈣往特定方向延長之溝反覆形^ 於與前述特定方向正交之方向者；及配向膜製作步驟其 係以高分子膜覆蓋料溝形狀㈣成高分子鏈於前述正交 之方向一致之前述配向膜。 又，請求項37之發明係應用於將液晶保持於對向之玲 基板間之液晶顯示面板的製造方法，前述2個基板係在絕 緣基板上依序形成電極、配向膜，前述液晶顯示面板的製 造方法係在前述2個基板中至少丨個基板上，包含：溝加工 步驟，其係將前述i個基板加工成製作配向膜之面的㈣ 成為溝形狀，該溝形狀係往特定方向延長之溝反覆形成於 與前述特定方向正交之方向纟；及配向膜製”驟其係 以兩分子膜覆蓋前述溝形狀而形成使前述液晶分子往前述 正父之方向進行配向之前述配向膜。 又，請求項38之發明係應用於將液晶保持於對向之2個 基板間之液晶顯示面板的製造方法，前述2個基板中至少丄 個基板係在透明基板上依序設置相位差板之配向膜、相位 差板’前述液晶顯示面板之製造方法包含：溝加工步驟， 其係將前述1個基板加卫成製作前述配向膜之面的形狀成 為溝形狀’該溝形狀係往特定方向延長之歧覆形成於與 123215.doc 1376555 前述特定方向正交之方向者；配向膜製作步驟，其係以高 分子膜覆蓋前述溝形狀而形成高分子鏈於前述正交之方向 一致的前述配向膜；液晶配置步驟，其係將液晶配置於前 述配向膜上；及固化步驟，其係將前述液晶進行固化。 又，請求項39之發明係應用於將液晶保持於對向之2個 基板間之液晶顯示面板的製造方法，前述2個基板中至少^ 個基板係在透明基板上依序設置相位差板之配向膜'相位 差板，前述液晶顯示面板之製造方法包含：溝加工步驟， 其係將前述1個基板加工成製作前述配向膜之面的形狀成 為溝㈣，該溝㈣係往特定方向延長之溝反覆形成於與 前述特定方向正交之方向者；配向膜製作步驟，其係以高 刀子膜覆蓋刖述溝形狀而形成前述配向膜；液晶配置^ 驟，其係在前述配向膜上配置分子往前述正交之方向配向 之液晶；及固化步驟，其係將前述液晶進行固化。 又，請求項40之發明係應用於將液晶保持於對向之2個 基板間之液晶顯示面板，在前述2個基板中至少丨個基板 上，製作配向膜之面钓形狀形成為溝形狀，該溝形狀係往 特定方向延長之溝反覆形成於與前述特定方向正交之方向 以高分子膜覆蓋前述溝形狀而形成高分子鏈於前述特 定之方向一致之前述配向膜。 又，請求項4丨之發明係應用於將液晶保持於對向之之個 基板間之液晶顯示面板，在前述2個基板中至少丨個基板 上’製作配向膜之面的形狀形成為溝形狀，該溝形狀：往 特定方向延長之溝反覆形成於與前述特定方向正交之方向 123215.doc 1376555 者，以同分子膜覆蓋前述溝形狀而形成使前述液晶 往則述特定之方向配向之前述配向膜。 藉由明求項1、請求項18、請求項36或請求項37之 的配向膜，係藉由製作時之熱處理的伸縮，高分子於與溝 之延長方向正交之方向一致，而得以確保配向能；而該配 向膜係以高分子膜覆蓋溝形狀而形成，該溝形狀係往特定 方向延長之溝反覆形成於正交之方向者。藉此，如根據社 求項1、請求項！8、請求項36或請求項37之構成，則可: 由簡易之步驟’確保高生產性而製作配向膜。在此，如此 所確保的配向能即使不使溝之深度變深，亦可藉由充分之 錫定強度而使液晶分子配向，將先前技術之問題點一舉解 決’因此相較於先前，生產性高，可確保充分之錯定強 度、畫質。 又藉由清求項34、請求項35、請求項爾請求項以 構成的ί目位差板之配向膜，係藉由製作時之熱處理的伸 縮’高分子於與溝之延長方向正交之方向一致，而得以確 保配向能；而該相位差板之配向膜係以高分子膜覆蓋面而 形成’該面係往特定方向延長之溝反覆形成於正交之方向 者°藉此’如根據請求項34、請求項35、請求項38或請求 之構成，則可藉由簡易之步驟，確保高生產性而製作 配向膜。又’利用此相位差板之配向膜可製作相位差板。 又’藉由請求項40或請求項41之構成的配向膜，係藉由 製作時之熱處理的伸縮，高分子於特定方向一致而得以 確保配向能；而該配向膜係以高分子膜覆蓋溝形狀而形 123215.doc -12- 1376555 成，該溝形狀係往特定方向延長之溝反覆形成於正交之方 向者。藉此，如根據請求項40或請求項41之構成，則可藉 由簡易之步驟，確保高生產性而製作配向膜。在此，如此 所確保的配向能即使不使溝之深度變深，亦可藉由充分之 錨定強度而使液晶分子配向，將先前技術之問題點一舉解 決，因此相較於先前，生產性高，可確保充分之錨定強 度、畫質》 (發明之效果） 根據本發明，相較於先前，生產性高，可確保充分之錨 定強度與晝質。 【實施方式】 以下，一面適宜參考圖式，一面針對本發明之實施例作 詳細說明。 [第1實施例] (1)實施例之構成及動作 圖1係將應用於本發明之第1實施例之液晶顯示裝置之液 晶顯示面板1部分擴大顯示的剖面圖。此實施例之液晶顯 示裝置係所謂穿透型或反射型，在此圖1中，於液晶顯示 面板1之上侧即表面側等設置偏光板等。又，在穿透型方 面’在此圖1中，於液晶顯示面板1之下側即背面側設置背 光裝置；在反射型方面’在此圖1中，於液晶顯示面板1之 上側即表面側設置前光裝置。 此液晶顯示面板1係藉由TFT陣列基板2與CF基板3而挾 持液晶。在此，CF基板3係於透明之絕緣基板（玻璃基板4) 123215.doc 13 1376555 上’藉由將衫色遽光片5、絕緣膜6、藉由透明電極之電極 7、配向膜8依序形成而製作。在此，電極7通常係將 IT〇(Indium Tin Oxide:銦錫氧化物）成膜於全面而形成者， 但將如各像素或各次像素進行圖案化亦可。又，配向膜8 係藉由印刷法將可溶性聚醯亞胺與聚胺酸之混合物作為誘 發水平配向之液晶配向材進行塗佈後，以2〇〇度之溫度作 75分鐘燒結，藉由此方式，而將聚醯亞胺薄膜藉由膜厚 50[nm]予以形成；其後，藉由摩擦處理賦予配向能而製 作。再者’摩擦處理之方向係此圖中之箭頭方向，亦即與 後述溝Μ之延長方向呈正交之方向。 相對於此，如圖2所示般，TFT陣列基板2係於透明之絕 緣基板（玻璃基板10)形成TFT等後形成絕緣膜11，並在此 絕緣膜11上將電極12、配向膜13依序形成而製作。 在TFT陣列基板2方面’製作配向膜13之面的形狀係形 成為溝形狀’而其係往特定方向呈直線狀延長之溝往與此 特定方向呈正交之方向反覆形成者；以高分子膜覆蓋此溝 形狀’而形成配向膜13 »又，在此實施例中，絕緣膜1丨之 表面形狀係形成此溝形狀’製作配向膜13之面係形成為溝 形狀。 在此’在溝Μ方面’其剖面形狀係形成為以溝μ之頂點 為中心的對稱形狀之約略圓弧形狀。又，溝Μ係藉由間距 Ρ為1 [μιη]、高度（深度）Η為200[nm]而形成，藉由此方式， 藉由間距P與高度Η之比T(=H/P)為未達iioj而形成。 更具體而言，在TFT陣列基板2上，絕緣膜丨丨係以酚醛樹 123215.doc -14- 月曰系、丙烯酸系等有機物抗蝕劑材料、或幻〇2、、或 以Si〇2、SiN為主成分之無機系之材料所形成。 在此，以感光性之有機物抗蝕劑材料形成絕緣膜12之情 >時TFT陣列基板2係在塗佈感光性之有機物抗餘劑材料 後，進仃預烘烤，其後，使用具有對應於溝M之圖案的遮 罩，藉由紫外線等而將抗蝕劑材料進行曝光。又，進行顯 像、後烘烤，藉由此方式，應用光微影法，將絕緣膜i ^之 表面加工為溝形狀。再者，利用從不同2方向照射之光束 的干涉’以取代使用遮罩，而進行曝光處理亦可。又，應 用奈米Μ印法等之手法以取代光微影法亦可。 又，以無機系材料形成絕緣膜11之情形時，TFT陣列基 板2係藉由真空蒸鍍、濺鍍、CVD等，將此無機系材料Z 特定膜厚進行沈積後，藉由光微影法，將感光性有機物抗 钱劑材料圖案化為溝狀，其後，進行濕式㈣或乾式钱 亥J使配向膜13之側面成為溝形狀。&，絕緣膜i i亦可使 用般市售之無機系材料與有機系材料之混合物中且有感 光性的材料進行製作，此一情形，經過藉由光微影:作圖 案化後再進行燒結等過程’藉由此方式，有機物系之成分 係飛散於氣體環境中’而主要由無機物之成分進行形成絕 又’在電極12方面’如為穿透型，通常係將ιτ〇等透明 電極材料成膜於全面後，進行圖案化而形成。再者，如為 反射型，則應用鋁、銀等金屬材料亦可。 配向膜13係將一般所使用之聚酿亞胺系之材料，藉由平 123215.doc 15- J376555 版印刷法進行塗佈後，以度之溫度進行乃分鐘燒結使 之成膜。配向膜13係、藉由此燒結處理’而使配向膜中之古 分子鏈往與溝Μ之延長方向呈正交之方向成為—致，而: 賦予配向能》再者，在配向膜13之塗佈法方面，可應用如 下各種手法：旋轉塗佈法；浸泡於溶液之槽中的浸泡法， 而該溶液係以γ-丁内醋、丙酮等溶劑稀釋之後者；藉由喷 霧器進行喷霧之方法等。 在此，配向膜13係在使下層之表面形狀成為溝形狀之狀 態下’於進行配向材之塗佈、燒結之過程中，使配向膜中 之高分子鍵之方向與對溝歡延長方向呈正交之方向成為 一致，而賦予配向能。此係在燒結時之溫度上昇、溫度下 降的過程中，基板10進行膨脹、收縮，而藉由此膨脹、收 縮所產生之應力可視為，係藉由單軸延伸效果而使配向膜 中之高分子鏈往此正交之方向成為一致的要因之一；而單 軸延伸效果係藉由溝形狀而往配向膜13之特定方向進行作 用者。 根據作各種檢討後的結果，發現了藉由如此之㈣ 後的燒結而使分子軸往一定之方向成為一致，則在配向膜 13之下面側，有必要形成往與此一定方向呈正交之方向延 長的溝Μ ;如為單純之突起、凹&，則配向膜之分子轴係 往從各頂點朝末端之方向排列，並無法往特定方向賦予配 向能。 又，在溝Μ方面，即使為間距ρ與高度η之比τ(=Η/ρ)未 達丨之情形，亦可充分賦予配向能。如從在配向膜13之下 123215.doc -16- 1376555 面側進行加工為溝形狀之觀點，將間距P與高度Η之比了設 為未達1 ’更理想者為’將間距Ρ與尚度Η之比τ設為未達 〇·5，則可提昇生產力。 液晶顯示面板1係在將TFT陣列基板2、CF基板3以黏合 • 材進行貼合後，將具有正之介電率各向異性的向列型液晶 、 佈植於此等TFT陣列基板2、CF基板3間之間隙而形成。再 者’在此圖1中，液晶分子係以符號15表示，θ、θ/2係表 • 示液晶分子丨5之傾斜角。此一情形，進行佈植液晶並確認 液晶分子1 5之配向方向後，可確認：在TFT陣列基板2侧面 上，液晶分子15係往與溝Μ之延長方向呈正交之方向進行 配向’如圖1所示般’以使溝Μ之延長方向與摩擦方向呈 正父之方式將TFT陣列基板2、CF基板3貼合之情形時，液 晶分子15係進行水平配向。再者，以使溝μ之延長方向與 摩擦方向呈平行之方式將TFT陣列基板2 ' CF基板3貼合之 清形時，可確認：液晶分子15係進行扭轉向列型配向。 # 亦即，圖4係顯示，藉由與圖3之對比，液晶顯示面板1 的1像素（紅色 '綠色、藍色之次像素1組）之藉由偏光顯微 鏡的觀測結果之照片’其係將偏光板設為正交偏光下配 • 置’在其間配置作水平配向之液晶顯示面板1並作觀測之 - 情形°再者，液晶顯示面板1係配置為光學轴與偏光子之 ， 吸收轴呈平行。又’圖3係省略了 TFT陣列基板2側之配向 膜13而與此液晶顯示面板1作同一構成的液晶顯示面板之 藉由與圖4同一條件之觀測結果；而該液晶顯示面板係藉 由單純僅利用彈性變形效果而使液晶分子配向的先前之光 123215.doc 17 1376555 栅法者。 此一情形，如液晶顯示面板1之光學轴為完全一致的 話，則從偏光子射入之光並不產生相位變化，觀察時係呈 現黑。然而’如局部性光學軸偏離，則觀察時呈現灰或白 之條紋。 根據此圖3及圖4之觀測結果，在圖4方面，觀察時係呈 現較黑’因此，相較於藉由單純僅利用彈性變形效果而使 液晶分子配向的先前之光柵法的液晶顯示面板，可判斷， 此實施例之液晶顯示面板1方面係配向限制力較高。 又’在此實施例之液晶顯示面板1方面，溝之間距p與高 度Η之比T為1以下之〇.2 ’因此’相較於此比有必要為1以 上且單純僅利用彈性變形效果而使液晶分子配向的先前之 光栅法，可格外使溝Μ之製作程序簡略化，可確保高生產 力。又’可應用各種特性優良之材料進行生產，再者，藉 由可簡易且確實地賦予配向能，而可有效迴避在光柵法中 利用配向膜材本身具有之配向限制力的先前構成之各種問 題點。 又，從圖3及圖4之觀察結果，在此實施例之液晶顯示面 板1方面，於TFT陣列基•板2側液晶分子係往與溝Μ之延長 方向呈正交之方向進行配向，相對於此，可確認，在藉由 先則之光柵法的液晶顯示面板方面，於TFT陣列基板2側液 晶分子係往與溝Μ之延長方向呈平行方向進行配向。藉由 此方式，可確認，藉由此實施例之配向膜丨3的液晶分子i 5 之配向，係與藉由利用彈性變形效果的先前之光栅法者不 123215.doc 1376555 同0 又’藉由晶體旋轉法將呈水平配向之液晶晶胞之傾斜角 進行測定’結果為約1.5度。在此，由於將tFT陣列基板2 及CF基板3 —起作摩擦處理之情形時之液晶晶胞的傾斜角 為約3度’因此，在藉由此實施例之液晶顯示面板1方面， 可考慮’ CF基板3之表面的傾斜角θ為3度，TFT陣列基板2 之表面的傾斜角為〇度。 圖5係顯示將電壓施加於此液晶顯示面板1之情形的模式 圖。此液晶顯示面板1即使施加電塵，在TFT陣列基板2、 CF基板3之界面近旁’液晶分子之配向亦無變化，隨著遠 離界面，液晶分子15之傾斜角逐漸變大，在tFT陣列基板2 及CF基板3間之中央部分，傾斜角成為約9〇度，變為最 大。 藉由旋轉檢光子法將此電壓施加時之遲滯進行測定，與 將TFT陣列基板2、CF基板3 —起作摩擦處理後之液晶晶胞 的遲滯作比較《在此，錨定強度弱的情形時，藉由電壓施 加，位於在TFT陣列基板2側之界面的液晶分子之傾斜角產 生變化，因此，相較於將TFT陣列基板2、CF基板3 —起作 摩擦處理後之液晶晶胞，遲滯係變小。然而，根據測定後 之結果，電壓施加時，&實施例之液晶顯示面板1係被測 定出與將TFT陣列基板2、CF基板3—起作摩擦處理後之液 晶晶胞為約略同等之遲滯，藉由此方式，可確認，藉由 TFT陣列基板2側之配向膜13而確保了充分之錨定強度。θ 再者，在此^之例中，係針對分別藉由溝形狀及摩擦 123215.doc 1376555 處理而將配向能賦予TFT陣列基板2之配向膜13及CF基板3 之配向膜8之情形進行敘述，但本實施例並不限於此，如 與其相反’分別藉由摩擦處理及溝形狀而將配向能賦予 TFT陣列基板2之配向膜13及CF基板3之配向膜8亦可； • 又，藉由溝形狀而將配向能賦予TFT陣列基板2及CF基板3 、 之配向膜8、13之雙方亦可。又，在此肩j之例中，係針對 將向列型液晶應用之情形進行敘述，但可將層列型、膽固 _ 醇型等各種液晶作廣泛應用。 (2)實施例之效果 根據以上之構成，在挾持液晶而呈對向之2個基板2' 3 之至少之1個基板2上，使製作配向膜13之面的形狀成為溝 形狀’將此溝形狀以高分子膜覆蓋，而形成配向膜13，藉 由此方式，相較於先前生產力更高，可確保充分之錨定強 度晝質，而該溝形狀係在特定方向延長之溝μ與此特定 方向呈正交之方向反覆形成者。 • 亦即，在此1個基板上，以使高分子鏈往此正交之方向 呈一致之方式而形成配向膜13，藉由此方式，相較於單純 利用彈眭變开^效果的先則之光栅法，可使溝之深度變淺而 - 確保充分之錨定強度，可提昇生產力。 w 又，藉由根據溝之單轴延伸效果，而形成為高分子鏈往 此正交之方向呈一致，藉由此方式，可簡易賦予配向能。 又，將溝之深度以溝之間距進行除算後之值係未達i， 藉由此方式’可確保高生產力。 又，在此1個基板表面，藉由設定使液晶之分子往此正 123215.doc •20- 1376555 交之方向進行配向’而可廣泛應用向列型液晶、層列型、 膽固醇型等各種液晶。 又，使形成於玻璃基板10及電極12間之絕緣膜11的表面 形狀成為溝形狀，使製作配向膜13之面的形狀成為溝形 狀，藉由此方式，可將進行加工絕緣膜Π的各種手法作廣 泛應用，故相較於先前生產力更高，可確保充分之錨定強 度、晝質。

[第2實施例] 圖6係藉由與圖2之對比，顯示應用於本發明之第2實施 例之液晶顯示面板的TFT陣列基板之立體圖。在此TFT陣 列基板22方面，取代絕緣膜u之表面形狀，電極12之表面 形狀係形成為溝形狀，製作配向膜13之面的形狀係形成為 溝形狀。在此實施例之液晶顯示面板方面，除了與此溝形 狀之加工有關之點為不同點外，係形成為與第丨實施例之 液晶顯示面1板為同—。

亦即，與此實施例有關之TFT陣列基板22，係與針對第 1實施例所述同樣’在玻璃基板10上藉由—定之膜厚而形 成絕緣膜11 ° x ’接著’將IT〇、銘、銀等成膜後，藉由 光微影法將感純抗㈣丨圖案化㈣狀，進行濕式钱刻處 理或乾式蝕刻處理，於電極12形成溝形狀。再者，與針對

第1實施例所述同樣，如將圖6所示構成應用於CF基板側亦 可〇 J 如此實施例般，即使取代絕緣膜之表面形狀，使電極12 之表面形狀成為溝形狀，使製作配向膜之面的形狀成為溝 I23215.doc 开>狀，亦可獲得與第1實施例同樣之效果。 [第3實施例] 圖7係藉由與圖2之對比’顯示應用於本發明之第3實施 例之液晶顯示裝置之液晶顯示面板的TFT陣列基板之立體 圖。在此TFT陣列基板32方面，取代絕緣膜η之表面形 狀，絕緣基板（玻璃基板1〇)之表面形狀係直接成為溝形 狀，製作配向膜13之面的形狀係形成為溝形狀。除了與此 溝形狀之加工有關之點為不同點外，此實施例之液晶顯示 面板係形成為與第1實施例之液晶顯示面板丨為同一。再 者，在此圖7之例中，雖省略了絕緣膜，但依照需要，亦 可設置絕緣膜。 亦即，在TFT陣列基板32方面，於玻璃基板〗〇之表面側 上，藉由光微影法將感光性抗蝕劑圖案化為溝狀後，進行 邊式餘刻處理或乾式㈣處理，玻璃基板1()之表面側係被 加工為溝形狀。其後，依序製作電極12、配向膜13。再 者’與針對第i實施例所述同樣，如將圖7所示構成應用於 CF基板側亦可。 如此實施例般’即使取代絕緣膜之表面形狀，使絕緣基 板之表面形狀成為溝形狀，使製作配向膜之 溝形狀，村㈣與第丨實施㈣樣之效果。 成為 [第4實施例] 係藉由與圖1之對比，顯示應用於本發明之第 例之液晶顯示裝置之涪a酤-;& 貫施 置之液明顯不面板的剖面圖。此實施例之 夜日日顯示面板^ ” 了下列之點外，係構成為與第1〜第3實 123215.doc -22- 1376555 施例之液晶顯示面板為同一；而前述點係：形成於丁FT陣 列基板42之溝IV[的剖面形狀不同、及在CF基板43側亦形成 與TFT陣列基板42同樣之溝形狀。再者，為了容易理解， 在此圖8、後述圖9及圖10中’與第1實施例同樣，係顯示 使絕緣膜6、11之表面形狀成為溝形狀之圖。 亦即，如圖9所示般，在TFT陣列基板42上，橫切溝Μ之 方向的剖面形狀，係以溝Μ之頂點為中心而形成非對稱形 狀。藉由此方式，液晶顯示面板41係將位於TFT陣列基板 42之表面的液晶分子1 5的傾斜角Θ控制為以此非對稱形狀 所決定之角度。 亦即，在此實施例中，TFT陣列基板42係以剖面形狀成 為鑛齒形狀之方式而形成溝Μ，藉由此方式，係以藉由j 對斜面Ml及M2之剖面三角形形狀的突條依序以特定間距 反覆之方式’而形成溝形狀。藉由此方式，在Τρτ陣列基 板42方面，對與玻璃基板1〇之表面呈平行之面η的此1對斜 面Ml及M2的形成角度Θ1、Θ2，係被設定為不同角度，而 控制液晶分子15的傾斜角。再者，溝之剖面形狀並不限於 如此圖9所示般使别面形狀成為鑛齒形狀的情形，馨如， 使溝Μ之頂點偏向一方之側而成為非對稱形狀之情形等， 總之，將溝形成非對稱形狀，而可將液晶分子15的傾斜角 作各種控制。 更具體而言，在此實施例中，溝Μ係形成為間距ρ為 1[μπι]、高度Η為200[nm]，角度Θ1設定為3度。又，與第J 實施例同樣，將聚醯亞胺系之材料塗佈後，以2〇〇度之溫 123215.doc -23- 1376555 度作75分鐘燒結，藉由50 [nm]而將配向膜13進行成膜。 又，在CF基板43方®，亦在將溝形&形成為與tft陣列基 板42為同一後，進行形成配向膜8。 此實施例之液晶顯示面板41係在將TFT陣列基板42、cF ， 基板43以黏合材進行貼合後，將具有正之介電率各向異性 - 的向列型液晶佈植於此等TFT陣列基板42、CF基板判間之 間隙而形成。 φ 在此，與針對第1實施例所述同樣，進行確認液晶分子 15之配向方向後，可確認係往與溝M之延長方向呈正交之 方白進行配向。又，可確認：如圖8所示般，以如下方式 將TFT陣列基板42、CF基板43貼合之情形時，係成為水平 配向，而該方式係：使位於TFT陣列基板42之鋸齒形狀的 連續方向、與位MCF基板43之鋸齒形狀的連續方向成為逆 向；而以如下方式將TFT陣列基板42、CF基板Μ貼合之情 形時’係成為π配向，而該方式係：使位於tft陣列基板42 • 之鋸齒形狀的連續方向、與位於CF基板43之鋸齒形狀的連 續方向成為同向。 圖10係顯示將電壓施加於此液晶顯示面板41之情形的模 - 式圖。此液晶顯示面板41即使施加電壓，在TFT陣列基板 . 42、CF基板43之界面近旁，液晶分子之配向亦無變化，隨 著遠離界面’液晶分子15之傾斜角逐漸變大，在tft陣列 基板42及CF基板43間之中央部分，傾斜角成為約9〇度，變 為最大。液晶顯示面板41在此狀態下，係被測定出與將 TFT陣列基板、CF基板—起作摩擦處理後之液晶晶胞為約 123215.doc • 24· 1376555 略同等之㈣’藉由此方式，可確認確保了充分之錯定強 度。 根據以上搆成，將橫切溝之方向的剖面形狀以溝之頂 點為中心而形成非對稱形狀；藉由此方式，而將液晶分子 的傾斜角作各種控制。 [第5實施例] 圖11係藉由與圖1之對比，顯示應用於本發明之第5實施 例之液晶顯示裝置之液晶顯示面板的剖面圖。此實施例之 液晶顯示面板51除了下列之點外，係構成為與第卜第3實 施例之液晶顯示面板1為同一；而前述點係：取代具有正 之介電率各向異性的向列型液晶，而將具有負之介電率各 向異性的向列型液晶佈植於TFT陣列基板2&CF基板3之 間、及使用綉發垂直配向之配向膜。再者，為了容易理 解’在此圖11、後述圖12中，與第1實施例同樣，係顯示 使絕緣膜11之表面形狀成為溝形狀之圖。 此情形’可確認，液晶分子5 5係往液晶顯示面板5 1之厚 度方向進行配向，呈現垂直配向β 在此，圖12係顯示將電壓施加於此液晶顯示面板5 1之情 形的模式圖。此液晶顯示面板5 1即使施加電壓，在TFT陣 列基板2、CF基板3之界面近旁，液晶分子55之配向亦無變 化’隨著遠離界面，液晶分子55之傾斜角逐漸變小，在 TFT陣列基板2及CF基板3間之中央部分，傾斜角成為約〇 度’變為最小。可確認，此傾斜角成為約〇度之液晶分子 55之配向方向係與溝之延長方向呈正交之方向，而傾斜之 123215.doc -25· 1376555 方向係藉由摩擦方向而決定。 根據此實施例，即使應用具有負之介電率各向異性的向 列型液晶，亦可獲得與上述實施例同樣之效果。 [第6實施例]

圖13及圖14係藉由與圖8及圖10之對比，顯示應用於本 發明之第6實施例之液晶顯示裝置之液晶顯示面板的剖面 圖。此實施例之液晶顯示面板61除了下列之點外係構成 為與第4實施例之液晶顯示面㈣為同而前述點係： 取代八有正之介電率各向異性的向列型液晶，而將具有負 之介電率各向異性的向列型液晶佈植於叮丁陣列基板“及 CF基板43之間、及使用誘發垂直配向之配向膜。再者，為 了容易理解’纟此圖13及圖M中，與圖8同樣，錢示使 絕緣膜6、11之表面形狀成為溝形狀之圖。 此情形，亦與第5實施例同樣，可確認，液晶分子“係 往液晶顯示面板61之厚度方向進行配向，呈垂直配向。

又，可確認，在TFT陣列基板42、CF基板43之界面近旁， 以用溝形狀所決定之方向的傾斜角，對玻璃基板4、ι〇之 表面往垂直方向進行配向。 又，即使施加電壓，在TFT陣列基板42、CF基板43之界 面近旁，液晶分子55之配向亦無變化，隨著遠離界面，液 晶分子55之傾斜角逐漸變小，在TFT陣列基板“及以基板 43間之中央部分，傾斜角成為約〇度變為最小。可確 涊，此傾斜角成為約〇度之液晶分子55之配向方向係與溝 之延長方向至正交之方向。 123215.doc • 26 - 1376555 根據此實施例，即使應用具有負之介電率各向異性的向 列型液晶，亦可獲得與上述第4實施例同樣之效果。 [第7實施例] 圖15係顯示應用於本發明之第7實施例之液晶顯示裝置 的液晶顯示面板之1像素的概略構成之俯視圖。圖16係以 A-A線切取顯示此液晶顯示面板71的詳細剖面圖。又此 圖15係將形成於CF基板73之溝Μ與液晶分子15 一起顯示之 圖。 此液晶顯示面板71係所謂半穿透型，在1個像素中設有 反射顯示部74與穿透顯示部75，在TFT陣列基板72之下 面’係依序設有1/4波長板76、1/2波長板77、偏光板78。 又’在CF基板73之上面’係依序設有1/4波長板79、1/2波 長板80、偏光板81。 在此’ TFT陣列基板72係在玻璃基板10上依序形成絕緣 膜11、電極12、配向膜13後，進行摩擦處理，將配向能賦 予配向膜13。又，在反射顯示部74方面，係以使射入光散 射之方式，在絕緣膜11形成凹凸形狀，電極12、配向膜13 之表面側係形成凹凸形狀。 又，CF基板73係在玻璃基板4依序形成彩色濾光片5、絕 緣膜6、電極7、配向膜8’與針對第1〜第4實施例所述tft 陣列基板同樣，藉由使形成配向膜8之面的形狀成為溝形 狀，而將配向能賦予配向膜8。 在此，在此液晶顯示面板71，反射顯示部74、穿透顯示 部75係實施同一之軸角度、遲滞的光學設計，TFT陣列基 123215.doc • 27- 1376555 板72及CF基板73間之間隙係設定為同一間隔。又，在穿透 顯示部75方面，形成於CF基板73之溝Μ的延長方向係設定 為與位於TFT陣列基板72之摩擦方向呈一致，相對於此， 在反射顯示部74方面，形成於CF基板73之溝Μ的延長方向 係設定為對位於TFT陣列基板72之摩擦方向呈斜向傾斜之 方向。

藉由此方式，此液晶顯示面板71無須在反射顯示部74及 穿透顯示部75 ’於TFT陣列基板72及CF基板73間之間隙設 置階差’即可在1個像素内簡易確保不同之配向。再者， 在此實施例十，穿透顯示部75係設為水平配向，而反射顯 示部74係設為50度扭轉配向。再者’反射顯示部74之扭轉 角度並不限於50度，在40度〜70度之範圍内，可構成半穿 透型液晶顯示面板7 1。因此，在此實施例中，對位於穿透 顯示部75之溝Μ的延長方向，位於反射顯示部74之溝厘的

延長方向雖設定為呈50度之角度，但此角度在4〇度〜7〇度 之範圍内，即可供實用之用。 亦Ρ纟|穿透型之液晶顯示面板中於穿透顯示部方 面，從背面射入之光係單純穿透液晶而射出，相對的在 反射顯示部方面’射人⑽進行往返於液晶。藉由此方 =為了在穿透顯示部與反射顯示部將同—之相位差賦予 二’相較於穿透顯示部’有必要將反射顯示部之間隙 ::為"2之間隔；在穿透顯示部與反射顯示部，有必要 在TFT陣列基板及或CF基板之液晶側面設置階差。 然而，在以此方式設置階差的情形，程序會變得繁雜， 123215.doc -28- 1376555 降低生產力。又*會因階#而甚& …s “ 階差而產生光漏，亦有對比降低的 問通。再者’針對光漏，雖也有將穿透顯示部之反射顯 部側境界以金屬電極覆蓋以進行遮光的方法，然而，此情 形，會產生非供顯示工上 顯不之無效區域，而成為高精細化之障 礙0 片然而，根據此實施例，藉由無須設置如此之階差，而以 簡易之程序即可構成尚反射率、高開口率之液晶顯示面 板。

再者，在此實施例中，係針對在CF基板73侧藉由溝形狀 而將配向㈣予之情形的配向膜作敘述，然而，取代之， 而在TFTP車列基板72側，藉由溝形狀而將配向能賦予配向 臈亦可·，又，在CF基板73及打丁陣列基板72雙方’藉由溝 形狀而將配向能賦予配向膜亦可。又，在CF基板73及TFT 陣列基板72雙方，藉由溝形狀而 將配向能賦予配向膜之情 形時’可在CF基板73及订丁陣列基板72雙方或【方，對位 於穿透顯示部之溝的延長方向，使位於反射顯示部之溝的 延長方向成為傾斜。 又’如此方式般’在CF基板73及TFT陣列基板72，藉由 溝形狀而將配向能賦予配向膜之情形時，如針對第4實施 例所述般’使溝之剖面形狀成為非對稱形狀而控制傾斜角 亦可。 又’如針對第5、6實施例所述般，取代具有正之介電率 各向異性的液晶，而應用具有負之介電率各向異性的液晶 亦可。 1232l5.doc •29· ^76555 又’按照構成丨個像素之各次像素，在f透顯示部及或 反射顯示部使溝Μ之傾斜作變化，按照各次像素將光學 特性作最佳化亦可。再者，如此方式般，按照各次像素將 光學特性作最佳化之構成方面，並不限於半穿透型液晶顯 不面板，亦可應用於穿透型液晶顯示面板、反射型液晶顯 板亦gp譬如，在將CF基板與TFT陣列基板間之間 隙對綠色最佳化的情形，在藍色方面間隙的間隔係過大， 而在紅色方面間隙的間隔則變得過短。基於此因此情 形’對綠色之次像素，在藍色及紅色之次像素，分別使溝 之延長方㈣斜’藉由此方式’可按照各次像素使光學特 性作最佳化。 根據以上構成，1個像素係以穿透顯示部與反射顯示部 形成，藉由對位於穿透顯示部之溝的延長方向使位於反射 顯不部之溝的延長方向呈傾斜，則可以簡易之程序製得高 畫質之半穿透型液晶顯示面板。 [第8實施例] 圖17係藉由與圖2之對比，顯示應用於本發明之第8實施 例之液晶顯示裝置之TFT陣列基板92的構成之立體圖。在 此TFT陣列基板92方面，係以使藉由一定之間距p的溝河不 作疋條數以上連續的方式，而形成溝Μ。更具體而言， 在TFT陣列基板92方面’係設定為，在連續之溝μ上，使 間距Ρ作隨機式變化。藉由此方式，TFT陣列基板92係被 設定為’連續之溝“並不作為衍射光柵而產生功能。此實 施例之液晶顯示面板，除了位於此叮下陣列基板92之間距 123215.doc 1376555 p的設定為不同之點外，係構成為與上述各實施例為同 — 〇 亦即，在藉由一定之間距p而形成溝M之情形時，此週 期性之溝Μ係作為衍射光栅而產生功能，因而可察覺彩虹 色之干涉條紋，使畫質明顯劣化。在穿透型液晶顯示面板 之情形’由於配向膜與折射率約1.5之液晶接觸，因此， 雖非使溝Μ完全暴露於空氣中之程度，但ΙΤ〇等透明電極 之折射率約為2,所以會產生彩虹色之干涉條紋。又，在 如為反射型液晶顯示面板’則彩虹色之干涉條紋變得明 顯。 然而，如此實施例般’設定為，使間距ρ作隨機式變 化，使藉由一定之間距Ρ的溝Μ不作一定條數以上連續， 則可防止如此之彩虹色之干涉條紋的產生，防止畫質的劣 化。 再者，在此實施例中，係針對將溝形狀形成於TFT陣列 基板側而賦予配向能之情形作敘述，然而，此彩虹色之干 涉條紋的防止方法，係可應用上述各實施例以及以下所說 明之各實施例的任何一個。 在此實施例中，係以藉由一定之間距的溝不作一定條數 以上連續之方式，藉由使間距為可變，而可防止彩虹色之 干涉條紋，防止晝質的劣化。 [第9實施例] 圖18係藉由與圖16之對比，顯示應用於本發明之第9實 施例之液晶顯示裝置之液晶顯示面板的剖面圖。在此實施 123215.doc • 31 - 例之液晶顯禾面板101方面，如為與上述實施例同一之構 成’則賦予對應之符號並顯示，但適宜省略重複之說明。 此液晶顯示面板101係穿透型，在TFT陣列基板102之下 面，係依序設置1/4波長板76、1/2波長板77 '偏光板78。 相對於此’在CF基板103之上面，係依序設置1/2波長板 8〇、偏光板81 ;在CF基板103之玻璃基板4係形成1/4波長 板0 在此’ CF基板103係於玻璃基板4上依序形成絕緣膜 105、配向膜1〇6。在CF基板103方面，形成此配向膜1〇6之 面，係以與針對上述第1〜第3實施例所述同樣之方式，而 形成為溝形狀’並以覆蓋此溝形狀之方式，以特定之膜厚 進行塗佈高分子材料。又’其後，經過加熱、冷卻之加工 程序，而形成配向膜106。 其後’ CF基板103係被塗佈相位差板用之向列型液晶材 料’構成此向列型液晶材料之液晶分子1〇8係藉由配向膜 106 ’而進行配向於與溝μ之延長方向呈正交之方向，而 溝Μ係形成於配向膜1〇6者^ CF基板103係在此狀態下被照 射紫外線’使液晶材料固化，而在玻璃基板4形成Α板之 1/4波長板1〇7。其後’ CF基板103係依序形成彩色濾光片 5、絕緣膜6、電極7、配向膜8，藉由摩擦法將配向能賦予 配向膜8。 相對於此’ TFT陣列基板102係依序在玻璃基板1〇形成 絕緣膜11、電極12、配向膜13後’藉由摩擦法將配向能賦 予配向膜13。 123215.doc -32· 1376555 96 y 'T如針對第3實施例所述般，將玻璃基板4之表 面形狀加工為溝形狀，以取代如此方式般將絕緣膜105之 表面形狀加工為溝形狀。

根據此實施例’係藉由溝形狀使液晶分子進行配向藉 由在挾持液a日之絕緣基板製作相位差板（1波長板），而可 使王體之厚度變薄。實際上，在此實施例方面可使^ 波長板107之厚度成為數[μπι]以下相較於先前可將全 體之厚度格外減小。χ ’應用先微影法之手法而可將溝形 狀以良好精度形成’藉由此方式，在⑽像素内使溝之延 長方向作變化’而可按照各色之各次像素，進而…個像 素内將光學待性作最佳化。 [第10實施例] 圖19係藉白與圖16及圖18之對比，顯示應用於本發明之 第10實施例之液晶顯示裝置之液晶顯示面板的剖面圖。在 此實施例之液晶顯示面板U1方面，如為與上述實施例同 之構成，則賦予對應之符號並顯示，但適宜省略重複之 說明。此液晶顯示面板lu係半穿透型，藉由反射顯示部 74與穿透顯示部75而形成丨個像素。又’ tft陣列基板係 與圖16之液晶顯示面板71構成為同一，依序設置ι/4波長 板76、1/2波長板77、偏光板71 相對於此，在CF基板113方面，上面係依序設置ι/2波長 板80、偏光板81 ^ CF基板113係以與液晶顯示面板1〇1之 CF基板1〇3同樣的方式，在玻璃基板4形成絕緣膜1〇5、配 向膜1 06、1/4波長板107、彩色濾光片5。装你 ^ 其後，在CF基板 123215.doc 33· 113方面 ，在沈積絕緣膜6之後，譬如應用光微影法之手法 透顯示部75側作選擇性除去，藉由此方式，而在穿透 顯不部75與反射顯示部74形成階差^，其後在依序形 成電極7、配向膜8後，藉由摩擦法將配向能賦予配向膜 8。再者，此穿透顯示部與反射顯示部之階差並不限於對 向CF基板’如設於TFT陣列基板側亦可如設於雙方亦 〇 再者’亦可如針對第3實施例所述般，將玻璃基板4之表 面形狀加工為溝形狀，以取代如此方式般將絕緣膜105之 表面形狀加工為溝形狀。 根據此實施例，在CF基板之液晶面側設置階差而構成半 穿透型液晶顯示面板之情形時，藉由溝形狀使液晶分子進 行配向’藉由在挾持液晶之絕緣基板製作相位差板（1/4波 長板），亦可獲得與第9實施例同樣之效果。 [第11實施例] 圖20係藉由與圖16〜圖19之對比，顯示應用於本發明之 第11實施例之液晶顯示裝置之液晶顯示面板的剖面圖。在 此實施例之液晶顯示面板121方面，如為與上述實施例同 一之構成’則賦予對應之符號並顯示，但適宜省略重複之 說明。此液晶顯示面板121係穿透型，TFT陣列基板1〇2係 與圖18之液晶顯示面板101構成為同一，依序設置1 /4.波長 板76、1/2波長板77、偏光板78。 相對於此，在CF基板123方面，係以與液晶顯示面板ι〇1 之CF基板103同樣的方式，在玻璃基板4形成絕緣膜1〇5、 123215.doc -34· 1376555 配向膜106、1/4波長板107、彩色濾光片5。其後，在CF基 板123方面’在沈積絕緣膜6之後，將此絕緣膜6之表面形 狀加工為溝形狀’形成電極7、配向膜8，藉由此方式，藉 由溝形狀將配向能賦予配向膜8。 再者’亦可如針對第3實施例所述般，將玻璃基板4之表 面形狀加工為溝形狀，以取代如此方式般將絕緣膜105之 表面形狀加工為溝形狀。 根據此實施例’藉由溝形狀使液晶進行配向之情形時， 精由溝形狀使液晶分子進行配向’藉由在挾持液晶之絕緣 基板製作相位差板（1/4波長板），亦可獲得與第9實施例同 樣之效果。 [第12實施例] 圖21係藉由與圖16〜圖19之對比，顯示應用於本發明之 第12實施例之液晶顯示裝置之液晶顯示面板的剖面圖。在 此實施例之液晶顯示面板13 1方面，如為與上述實施例同 一之構成’則賦予對應之符號並顯示，但適宜省略重複之 說明。此液晶顯示面板131係半穿透型’藉由反射顯示部 74與穿透顯示部75而形成1個像素。又’ TFT陣列基板72係 與圖16之液晶顯示面板71構成為同一，依序設置1/4波長 板76、1/2波長板77、偏光板78。 相對於此’在CF基板133方面，係以與液晶顯示面板ι〇1 之CF基板103同樣的方式，在玻璃基板4形成絕緣膜1〇5、 配向膜106、1/4波長板107、彩色濾光片5。其後，在以基 板1 3 3方面，在沈積絕緣膜6之後，將此絕緣膜6之表面形 123215.doc -35· 1376555 狀加工為溝形狀，形成電極7、配向膜8,藉由此方式，藉 由溝形狀將配向能賦予配向膜8。與針對圖16所述液晶顯 示面板71同樣，CF基板133係以在反射顯示部74與穿透顯 示部75，間隙成為相等之方式而形成，再者，設定為使形 成於配向膜8之下面的溝]VI之延長方向成為不同方向。 根據此實施例，在半穿透型液晶顯示面板，使溝之傾斜 作變化以一樣之間隙設置穿透顯示部與反射顯示部之情形 時’藉由溝形狀使液晶分子進行配向，藉由在挾持液晶之 絕緣基板製作相位差板（1/4波長板），亦可獲得與第9實施 例同樣之效果。 [第13實施例] 圖22係藉由與圖15之對比，顯示應用於本發明之第13實 施例之液晶顯示裝置之液晶顯示面板的俯視圖。圖23係以 A-A線切取顯不此液晶顯不面板141的詳細剖面圖。又，圖 24係藉由與圖23之對比，顯示將電壓施加於電極之狀態的 剖面圖。在此實施例之液晶顯示面板141方面，如為與上 述實施例同一之構成’則賦予對應之符號並顯示，但適宜 省略重複之說明。 在此液晶顯示面板141方面，CF基板之配向膜8及TFT陣 列基板之配向膜13係藉由溝形狀而被賦予配向能。再者， 在溝形狀之製作時，如應用第1~第3實施例之何者均可。 在液晶顯示面板141方面，在此等CF基板及TFT陣列基 板中’在從1個像素之中央往上下之方向方面，係以往水 平方向延長之方式形成溝M，又，在從1個像素之中央往 123215.doc •36- Ϊ376555 左右之方向方面’係以往垂直方向延長之方式形成溝m; 藉由此方式，溝Μ係形成為以像素之中央為中心的四角形 形狀。藉由此方式，液晶顯示面板141係設定為：溝Μ係 往以像素中央為基準之各方向形成為對稱形狀；以朝向像 ， 素之中央之方式，在從1個像素之中央往上下之方向方 - 面，液晶分子15係往上下方向進行配向，從1個像素之中 央往左右之方向方面，液晶分子丨5係往水平方向進行配 • 向。 又，在液晶顯示面板14 1方面，在TFT陣列基板中，於i 個像素之中央，以朝CF基板突出之方式而形成四角錐形狀 . 之突起144。藉由此方式，此液晶顯示面板141係設定為， 隨著從1個像素之中央朝向週邊，則傾斜角係變小。藉由 此方式，在液晶顯示面板141方面，從同一之極角對液晶 晶胞射入之光的相位係設定為，即使方位角不同亦成為約 略相等；液晶顯示面板141係以擴大視角之方式構成。 _ 根據此實施例，在1個像素内，藉由變更溝之延長方 向，而可確保所期望之視角。 亦即’溝Μ係往以1個像素之中央為基準往各方向形成 - 為對稱形狀’藉由此方式，可擴大視角。再者，如將1個 - 像素分割為複數之次像素’以各自之中心為基準將溝形成 為對稱形狀亦可。 [第14實施例] 圖25係藉由與圖22之對比，顯示應用於本發明之第14實 施例之液晶顯示裝置之液晶顯示面板的俯視圖。此液晶顯 I23215.doc • 37· 1376555 示面板151除了溝Μ形成為同心圓狀 施例之液晶顯示面板141構成為同— 在1個像素之中央，係設置圓錐形狀 形狀之突起。 根據此實施例，即使將溝形成為 第13實施例之同樣的效果。 [第15實施例]

圖26及圖27係藉由與圖23及圖24之對比，顯示應用於本 發明之第15實施例之液晶顯示裝置的液晶顯示面板之俯視 圖°在此液晶顯示面板m方面’省略了四角錐形狀、圓 錐形狀之突起，除了藉由針對第4實施例所述剖面形狀而 形成溝Μ之點外，係構成與上述第Μ或第14實施例為同 樣。 根據此實施例，即使設定為使溝形狀成為非對稱形狀而

之點外’係與第13實 。又’藉由此方式， 之突起以取代四角錐 同心圓狀，亦可獲得與 控制傾斜角，亦可獲得與第13、14實施例之同樣的效果。 [第16實施例] 再者，在上述第8實施例方面，係針對使溝之間距作隨 機式變化以防止彩虹色之干涉條紋的情形作敘述，然而， 本發明如设定為，在溝之延長方向使溝之寬度作變化以取 代之或加於其上，以防止彩虹色之干涉條紋亦可。 又’在上述第9〜第12實施例方面，係針對將1/4波長板 製作於CF基板之情形作敘述，但本發明並不限於此，亦可 廣泛應用於將1/2波長板、偏向板、其他各種相位差板等 製作於CF基板之情形。又，如設定為將相位差板製作於 123215.doc -38- 1376555 TFT陣列基板側亦可。 又，在上述第9〜第12實施例方面，係針對使用向列型液 晶材料而製作Α板之相位差板的情形作敘述，但本發明並 不限於此，如設定為使用混合配向之液晶材料而製作所謂 〇板之相位差板亦可，可將層列型、膽固醇型、圓盤狀液 晶等各種液晶材料作廣泛應用。又，將誘發垂直配向之配 向膜予以成膜，藉由使液晶分子進行垂直配向，而形成所 謂C板之相位差板亦可。 又’在上述第1 〇~第1 2實施例方面’係針對在Η固像素内 將溝形成為一樣而製作相位差板的情形作敘述，但本發明 並不限於此，如設定為，如與針對第9實施例所述同樣， 在1個像素内使溝之延長方向作變化，按照各色之各次像 素’進而在1個像素内將光學特性作最佳化亦可。 又，在上述第10〜第12實施例方面，係針對在絕緣基板 之液晶側製作相位差板的情形作敘述，但本發明並不限於 此’如設定為’在與此之相反侧製作相位差板亦可。 又，在上述第13〜第15實施例方面，係針對在丨個像素内 變更溝之延長方向的情形作敘述，但本發明並不限於此， 如設定為，在1個次像素内變更溝之延長方向亦可。 又，在上述實施例方面，係針對適宜將第〖〜第4實施例 之手法作選擇性應用而使形成配向膜之面的形狀成為溝形 狀的情形作敘述，但本發明並不限於此，在不損及在各實 施例所說明之構成的範圍内，應用第丨〜第4實施例之其他 的手法以取代在各實施例所說明之手法亦可。 123215.doc -39- 1376555 又’在上述實把例方面’係針對使用玻璃板作為絕緣基 板的情形作敘述，但本發明並不 个限於此，譬如，可廣泛應 用塑膠等各種絕緣基板。 又，在上述實施例方面，係針對將配向膜覆蓋於面之 上’而配向膜之高分子鏈係往與溝呈正交之方向為一致之 情形作敘述，而該面隸特^方向延長之溝往與其呈正交

之方向反覆形成者；然而’如將高分子鏈為往溝之延長方 向呈一致之配向膜予以應用亦可。 又，在上述實施例方面，係針對將配向膜覆蓋於面之 上’而液晶分子係往與溝呈正交之方向為—致之情形作敛 述，而該面係往特定方向延長之溝往與其呈正交之方向反 覆形成者；然而，如將液晶分子為往溝之延長方向呈一致 之配向膜予以應用亦可。 (產業上之可利用性）

本發明係可應用於譬如TN、ECB、STN、IPS等液晶模 式之液晶顯示面板。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示應用於本發明之第丨實施例之液晶顯示裝置之 液晶顯示面板的剖面圖。 圖2係顯示應用於圖1之液晶顯示面板之TFT陣列基板之 立體圖。 圖3係觀測藉由摩擦處理之液晶顯示面板的照片。 圖4係觀測圖1之液晶顯示面板的照片。 圖5係顯示將電壓施加於圖i之液晶顯示面板之狀態的剖 123215.doc -40· 1376555 面圖。 圖6係顯示應用於本發明之第2實施例之液晶顯示裝置之 液晶顯示面板的TFT陣列基板之立體圖。 圖7係顯示應用於本發明之第3實施例之液晶顯示裝置之 液晶顯示面板的TFT陣列基板之立體圖。 圖8係顯示應用於本發明之第4實施例之液晶顯示裝置之 液晶顯示面板的剖面圖。 圖9係顯示圖8之液晶顯示面板的TFT陣列基板之立體 圖。 圖10係顯示將電壓施加於圖8之液晶顯示面板之狀態的 剖面圖。 圖11係顯示應用於本發明之第5實施例之液晶顯示裝置 之液晶顯示面板的剖面圖。 圖12係顯示將電壓施加於圖11之液晶顯示面板之狀態的 剖面圖。 圖13係顯示應用於本發明之第6實施例之液晶顯示裝置 之液晶顯不面板的剖面圖。 圖14係顯示將電壓施加於圖π之液晶顯示面板之狀態的 剖面圖。 圖15係顯示應用於本發明之第7實施例之液晶顯示裝置 的液晶顯示面板之1像素的概略構成之俯視圖。 圖16係以A-A線將圖15切取並顯示之詳細剖面圖。 圖17係顯示應用於本發明之第8實施例之液晶顯示裝置 之TFT陣列基板的構成之立體圖。 123215.doc • 41 - 1376555 圖18係顯示應用於本發明之第9實施例之液晶顯示裝置 的液晶顯示面板之剖面圖。 圖19係顯示應用於本發明之第1〇實施例之液晶顯示裝置 的液晶顯示面板之剖面圖。 圖20係顯示應用於本發明之第丨丨實施例之液晶顯示裝置 的液晶顯示面板之剖面圖。 圖21係顯示應用於本發明之第12實施例之液晶顯示裝置 的液晶顯示面板之剖面圖。 圖22係顯示應用於本發明之第丨3實施例之液晶顯示裝置 的液晶顯示面板之俯視圖。 圖23係圖22之液晶顯示面板之剖面圖。 圖24係顯示將電壓施加於圖22之液晶顯示面板之狀態的 剖面圖。 圖25係顯示應用於本發明之第丨4實施例之液晶顯示裝置 的液晶顯示面板之俯視圖。 圖26係顯示應用於本發明之第丨5實施例之液晶顯示裝置 的液晶顯示面板之剖面圖。 圖27係顯示將電壓施加於圖26之液晶顯示面板之狀態的 剖面圖。 【主要元件符號說明】 1、41 ' 51、61、71、 液晶顯示面板 1〇1 、 111 、 121 、 131 、 141 、 151 、 161 2 ' 22、32 ' 42、72、 TFT陣列基板 123215.doc •42- 1376555 92 ' 102 3 、 43 、 73 、 103 、 113 、 123 ' 133 4、10 6 、 11 、 105 ， 7、12 8 、 13 、 106 ♦ 15 、 55 、 108 74 75 76 ' 79 、 107 ' 77 ' 80 78 ' 81 144 Μ CF基板 玻璃基板 彩色渡光片 絕緣膜 電極 配向膜 液晶分子 反射顯示部 穿透顯示部 1 / 4波長板 1/2波長板 偏光板 突起 溝 123215.doc •43-

Claims (1)

1. ⑶6555 第096143079號專利申請案C- r 0s n/l.7T , 中文申請專利範圍替換本(l〇lf年制月3日丨丨爹正令 十、申請專利範圍： 一^—- K 一種液晶顯示面板，其係將液晶保持於對向之2個基板 間者’其特徵為： 前述2個基板中至少1個基板係 製作配向臈之面的形狀形成為溝形狀，該溝形狀係往 特定方向延長之溝反覆形成於與前述特定方向正交之方 向者； 以高分子臈覆蓋前述溝形狀，而形成高分子鏈於前述 正交之方向一致之前述配向臈； 前述溝係 橫切前述溝之方向的剖面形狀以溝之頂點$中心而形 成為非對稱形狀。 2.如請求項1之液晶顯示面板，其中 前述1個基板之配向膜係 藉由前述溝之單軸延伸效果，而形成為高分子鏈於前 述正交之方向一致。 3 ·如請求項1之液晶顯示面板，其中 前述溝之深度除以前述溝之間距之值係未達1。 4_如請求項1之液晶顯示面板，其中 前述液晶之分子係 往前述正交之方向配向。 5·如請求項1之液晶顯示面板，其中 前述1個基板係 絕緣犋之表面形狀形成為前述溝形狀，盤 衣前述配向 123215-1010503.doc 1376555 ^之面的形狀形成為前述溝形狀，而該絕緣膜係設於與 則述配向膜之前述液晶側相反側者。 6.如請求項1之液晶顯示面板，其中 前述1個基板係 電極之表面形狀形成為前述溝形狀，製作前述配向膜 之面的形狀形成為前述溝形狀，而該電極係、設於與前述 配向膜之前述液晶側相反側者。 .如叫求項1之液晶顯示面板，其中 前述1個基板係 絕緣基板之表面形狀形成為前述溝形狀，製作前述配 向膜之面的形狀形成為前述溝形狀，而該絕緣基板係設 於與前述配向膜之前述液晶側相反側者。 8.如請求項i之液晶顯示面板，其中 前述溝係 橫切前述溝之方向的剖面形狀以溝之頂點為中心而形 成為對稱形狀^ 9·如叫求項1之液晶顯示面板，其中 前述溝形狀係 橫切前述溝之方向的剖面形狀係鋸齒形狀； 對與前述絕緣基板之表面平行之面設定成形成前述鋸 齒形狀之鄰接的1對面的角度不同，並設定前述1個基板 表面之液晶分子的傾斜角。 1〇·如叫求項1之液晶顯示面板，其中 别述液晶係具有正之介電率各向異性的向列型液晶； 123215-1010503.doc 藉由對設於前述2個基板之電極施加電壓，於前述2個 基板之表面上，在前述液晶之分子維持往與前述基板之 表面平行之方向配向的狀態下，於前述2個基板之中央 部分，前述液晶之分子係往對前述基板之表面垂直之方 向配向。 11.如請求項1之液晶顯示面板’其中 前述液晶係具有負之介電率各向異性的向列型液晶； 藉由對SX於前述2個基板之電極施加電壓，於前述2個 基板之表面上，在前述液晶之分子維持往與前述基板之 表面垂直之方向配向的狀態下，於前述2個基板之中央 邛刀，前述液晶之分子係往對前述基板之表面平行之方 向且則述正交之方向配向。 1 2 ·如叫求項1之液晶顯示面板，其中 1個像素係以穿透顯示部與反射顯示部形成； 相對於前述穿透顯示部之前述溝之延長方向，前述反 射顯示部之前述溝之延長方向被設定為傾斜。 13.如請求項1之液晶顯示面板，其中 以前述溝並不藉由一定之間距而連續一定條數以上之 方式’間距於連續之溝變化而形成前述溝。 1 4·如請求項1之液晶顯示面板，其中 前述2個基板中至少1個基板係依序形成： 相位差板之配向膜，其係將面以高分子膜覆蓋，而1 面係往特定方向延長之溝反覆形成於與該特定方向正六 之方向者；及 °正父 ^3215-1010503.^ !376555 由液晶所成之相位差板，而該液晶係往藉由前述相位 差板之配向膜而決定之方向配向者。 15.如請求項1之液晶顯示面板，其中 設定為前述溝延長之方向纟⑼象素内&次像素 更。 如請求項15之液晶顯示面板，其中 以1個像素或次像素之中央為基準，前述溝於各方向 形成對稱形狀。 17. -種液晶顯示面板，其係將液晶保持於對向之2個基板 間者，其特徵為： 前述2個基板令至少1個基板係 製作 特定方 向者； 配向膜之面的形狀形成為溝形狀，該溝形狀係往 向延長之溝反覆形成於與前述特定方向正交之方 以高分子膜覆蓋前述溝形狀，而形成使前 子4則述正交之方向配向之前述配向膜； 前述溝係 述液晶之分 橫切前述溝之方向的剖面形狀以 成為非對稱形狀。 溝之頂點為十心而形 18·如清求項17之液晶顯示面板，其中 月’J述1個基板之配向膜係 藉由前述溝之單軸延伸效果， 述正交之方向一致。 而形成為高分子鏈於前 19_如明求項17之液晶顯示面板，其中 123215-1010503.doc 1376555 20. 21. 22.

   23. 24. 别述溝之深度除以前述溝之間距之值係未達1。 如請求項17之液晶顯示面板，其中 前述1個基板係 絕緣犋之表面形狀形成為前述溝形狀，製作前述配向 =之面的形狀形成為前述溝形&，而該絕緣膜係設於與 心述配向膜之則述液晶侧相反側者。 如。青求項17之液晶顯示面板，其中 前述1個基板係 電極之表面形狀形成為前述溝形狀，製作前述配向膜 之面的形狀形成為前述溝形狀，而該電極係設於與前述 配向膜之前述液晶側相反侧者》 如《•月求項17之液晶顯示面板，其中 前述1個基板係 絕緣基板之表面形狀形成為前述溝形狀，製作前述配 向膜之面的形狀形成為前述溝形狀’而該絕緣基板係設 於與前述配向膜之前述液晶側相反側者。 如請求項17之液晶顯示面板，其十 前述溝係 橫切前述溝之方向的剖面形狀以溝之頂點為中心而形 成為對稱形狀。 如請求項17之液晶顯示面板，其中 前述溝形狀係 橫切前述溝之方向的剖面形狀係鋸齒形狀； 對與前述絕緣基板之表面平行之面設定成形成前述鋸 I23215-10iQ503.doc 1376555 齒形狀之鄰接的1對面的角度不同，並設定前述1個基板 表面之液晶分子的傾斜角。 25. 26. 如請求項17之液晶顯示面板，其中 前述液晶係具有正之介電率各向異性的向列型液晶； 藉由對设於前述2個基板之電極施加電壓，於前述2個 基板之表面上，在前述液晶之分子維持往與前述基板之 表面平行之方向配向的狀態下，於前述2個基板之中央 部分，前述液晶之分子係往對前述基板之表面垂直之方 向配向。 如請求項1 7之液晶顯示面板，其中 前述液晶係具有負之介電率各向異性的向列型液晶； 藉由對設於前述2個基板之電極施加電壓，於前述2個 基板之表面上’在前述液晶之分子維持往與前述基板之 表面垂直之方向配向的狀態下，於前述2個基板之中央 部分，前述液晶之分子係往對前述基板之表面平行之方 向且前述正交之方向配向。 27. 28. 如請求項17之液晶顯示面板，其中 1個像素係由穿透顯示部與反射顯示部所形成； 相對於前述穿透顯示部之前述溝的延長方向，’ 射顯示部之前述溝的延長方向被設定為傾斜。 如請求項17之液晶顯示面板，其中 前述反 以前述溝並不藉由一定之間距而遠螬 ^ ^ ^ , β ^ Π此向逯續一定條數以上戈 29. 方式，間距於連續之溝變化而形成前述溝。 如請求項Π线晶顯示面板，其中 123215-1010503.doc 1376555 前述2個基板中至少1個基板係 在前述絕緣基板上依序形成： 相位差板之配向膜，其係將面以高分子膜覆蓋， 面係往特定方向延長之溝反覆形成於與該特定方向正交 之方向者；及 ^ 由液晶所成之相位差板，而該液晶係往藉由前述相位 差板之配向膜而決定之方向配向者。

   3 0.如請求項17之液晶顯示面板，其中 設定為前述溝延長之方向在1個像素内或次像素内變 更0 3 1.如請求項30之液晶顯示面板，其中 以1個像素或次像素之中央為基準，前述溝於各方向 形成對稱形狀。 3 2. —種液晶顯示面板，其係將液晶保持於對向之2個基板 間者，其特徵為： 前述2個基板中至少1個基板係 在絕緣基板上依序形成： 相位差板之配向膜，其係將面以高分子膜覆，蓋，高分 子鏈於前述正交之方向一致，而該面係往特定方向延長 之溝反覆形成於與前述特定方向正交之方向者.及 由液晶所成之相位差板，而該液晶係往藉由前述相位 差板之配向膜而決定之方向配向者。 其係將液晶保持於對向之2個基板 3 3. —種液晶顯示面板， 間者，其特徵為： 123215-1010503.doc 前述2個基板中至少i個基板係 在絕緣基板上依序形成： 相位差板之配向膜，其係將面以高分子臈覆蓋，而該 面係往特定方向延長之溝反覆形成於與前述特定方向正 交之方向者；及 由液晶所成之相位差板，而該液晶係分子往前述正交 之方向配向者。 34. —種液晶顯示面板之製造方法，該液晶顯示面板係將液 晶保持於對向之2個基板間者，其製造方法之特徵為： 前述液晶顯示面板之製造方法包含： 溝加工步驟，其係在前述2個基板中至少1個基板上， 將前述丨個基板加工成製作配向膜之面的形狀成為溝形 狀，該溝形狀係往特定方向延長之溝反覆形成於與前述 特定方向正交之方向者；及 配向膜製作步驟，其係以高分子膜覆蓋前述溝形狀而 形成高分子鏈於前述正交之方向一致之前述配向臈； 前述溝係 橫切前述溝之方向的剖面形狀以溝之頂點為中心而形 成為非對稱形狀。 35. -種液晶顯示面板之製造方法該液晶顯示面板係將液 晶：持於對向之2個基板間者，其製造方法之特徵為： 前述液晶顯示面板之製造方法包含： 溝加工步驟’其係在前述2個基板中至少i個基板上， 將則述1個基板加工成製作配向膜之面的形狀成為溝形 I23215-I010503.doc 狀，該溝形狀係往特定 特定方向正交之方向者 方向 延長之溝反覆形成於與前述 ;及 配向膜製作步騍，甘办、_ /、係以鬲分子膜覆蓋前述溝形狀而 形成使刖述液晶分早Λ 子隹别述正交之方向配向之前述配向 膜； 前述溝係 橫切前述溝之方向的剖 成為非對稱形狀。 36. 面形狀以溝之頂點為中心而形 該液晶顯示面板係將液 製造方法之特徵為： 一種液晶顯示面板之製造方法， 晶保持於對向之2個基板間者，其 前述2個基板中至少丨個基板係 在透明基板上依序設置相 板； 位差板之配向膜、相位差 刖述液晶顯示面板之製造方法包含： 溝加工步驟，.其係將前述！個基板加工成製作前述配 向膜之面的形狀成為溝形狀，該溝形狀係往特定方向延 長之溝反覆形成於與前述特定方向正交之方向者； 配向膜製作步驟，其係以高分子膜覆蓋前述溝形狀而 形成高分子鍵於前述正交之方向一致的前述相位差板之 配向膜； 液晶配置步驟，其係將液晶配置於前述相位差板之配 向膜上；及 固化步驟，其係將前述液晶進行固化。 37. -種液晶顯示面板之製造方法，該液晶顯示面板係將液 123215-1010503.doc 丄376555 晶保持於對向之2個基板間者，其製造方法之特徵為 前述2個基板_至少丨個基板係 …’ 在透明基板上依序設置配向膜、相位差板； 前述液晶顯示面板之製造方法包含： 溝加工步驟’其孫將前述i個基板加工成製作前述配 向膜之面的形狀成為溝形狀，該溝形狀係往特定方向延 長之溝反覆形成於與前述特定方向正交之方向者； 配：膜製作步驟，其係以高分子膜覆蓋前述溝形狀而 形成前述相位差板之配向膜； 液晶配置步驟，其係在前述相位差板之配向膜上配置 分子往前述正交之方向配向之液晶；及 固化步驟，其係將前述液晶進行固化。 38· —種液晶顯示面板，其係將液晶保持於對向之2個基板 間者，其特徵為： 前述2個基板令至少1個基板係 製作配向膜之面的形狀形成為溝形狀，該溝形狀係往 特定方向延長之溝反覆形成於與前述特定方向正交之方 向者； 以同分子膜覆蓋前述溝形狀而形成高分子鏈於前述特 定之方向一致之前述配向膜； 前述溝係 &切别述溝之方向的剖面形狀以溝之頂點為中心而形 成為非對稱形狀。 39'種液晶顯示面板’其係將液晶保持於對向之2個基板 123215-1010503.doc 1376555 間者’其特徵為： 前述2個基板中至少1個基板係 製作配向膜.之面的形狀形成為溝形狀，該溝形狀係往 特定方向延長之溝反覆形成於與前述特定方向正交之方 向者； 以高分子膜覆蓋前述溝形狀而形成使前述液晶之分子 往前述特定之方向配向之前述配向膜； 前述溝係 ‘ 橫切前述溝之方向的剖面形壯婆 ^狀以溝之頂點為中心而形 成為非對稱形狀》

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