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Description
1376555 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係與液晶顯示面板及液晶顯示裝置之製造方法有 關’可適用於譬如TN(Twisted NematicA轉向列)、ECB (Electrically Controlled Birefringence:電場控制雙折射)、 STN (Super Twisted Nematic:超扭轉向列)、Ips(In_plane Switching:平面轉換)等液晶模式。本發明係藉由使配向膜 之下面成為溝形狀而將配向能賦予配向膜,因此,相較於 先前’生產力高’可確保充分之錨定強度、畫質。 【先前技術】 先前,在TN、ECB、STN、IPS等各種液晶模式之液晶 顯示面板方面,係藉由配向處理而使液晶分子往一定方向 進行配向,此種配向處理已有各種手法被提出。 在此,屬於此配向處理之一的摩擦法,係被最頻繁使用 之方法,把藉由包含聚醢亞胺等高分子膜的配向膜形成於 透明電極上之後,以表面裝有布等之滾筒將此配向膜往一 疋方向摩擦,藉由此方式而將配向能賦予此配向膜。然 而,在摩擦法方面,有附著摩擦屑等而污染配向膜表面之 虞,又,亦有因靜電之發生而破壞TFT(薄膜電晶體)之 虞。 取代摩擦法之配向處理方法的所謂光柵法,係將基板表 面之配向膜加工而形成光柵(溝),利用藉由此光柵之彈性 變形而使液晶分子進行配向》在光柵法方面,液晶分子係 沿著彈性自由能呈最穩定之光柵往平行方向進行配向。 123215.doc i 1376555 關於此光栅法,在]^旧31€31111^3 6(31.>[.八卩卩1.?11)^,52, 210(1981)中提出如下方法:將光照射於形成配向膜之感光 性聚合物,以一定之間隔將光柵形成直線狀。又,在曰本 特開平1 1 -21 8 763號公報中提出如下方法:將光照射於基 板上之光聚合成聚合物,而形成光柵狀之配向膜。又,在 曰本特開2000-1〇5 3 80號公報中提出如下方法:應用轉印 之手法’將光栅之凹凸形狀形成於樹脂塗佈膜,而形成光 栅狀之配向膜,而該樹脂塗佈膜形成於基板表面者。 在此光柵法方面,藉由光柵之間距與高度之調節而可控 制錫定能’此點已為一般所知(γ· 〇hta et al” J.J.Appl. Phys·,43, 4310(2004)) ° 又,在光栅法方面,亦有利用聚醯亞胺等配向膜材本身 具有之配向限制力而提昇錨定強度的方法被提出。亦即, 在曰本特開平5-88 177號公報中,提出藉由光微影法而將 感光性聚醯亞胺進行圖案化之方法,·又,在日本特開平8_ 1 14804號公報中提出如下方法:在特定方向方面為條紋 狀,在與此特定方向呈正交之方向方面,係將表面形狀為 鋸齒狀之凹凸形狀形成於第1配向膜之表面,在此第丨配向 膜上,將分子抽往此往正交方向呈一致之有機物進行疊層 而形成配向膜。又,在曰本特開平3_2〇922〇號公報中提出 如下方法:將感光性玻璃進行光蝕刻,在表面形成凹凸形 狀後,進行塗佈配向材。 再者,根據光栅法,可防止藉由摩擦法之配向膜表面的 污染、及靜電的產生。 123215.doc 1376555 然而,在藉由光柵法單純僅利用彈性變形效果而使液晶 分子進行配向之情料’為了成為與摩擦法同等之錫定強 度,則有必要使溝之間距P與高度H之比T(=H/p)充分變 大。具體而言,根據上述(Y. 〇hta et al,LJ Appiphys, 43,4310(2004)) ’為了獲得與作摩擦處理後之配向膜同等 之方位角錨定強度(約lxl〇-4[J/m2]),則有必要使溝之間距 P與高度Η之比T成為1以上。基於此因,由於以實用所構 想之光栅之間距為1 [μηι]以上’因此,為了確保充分之方 位角錨定強度,在單純僅利用彈性變形效果而使液晶分子 進行配向之情形時,則有必要使光柵之深度成為1 [μηι]以 上。在此’在液晶顯示面板方面,由於晶胞間隙為 3〜4[μιη]程度’因此,如使光柵之深度成為丨^叫以上,則 造成深度為1 [μιη]以上之週期性凹凸形成於面板面内,導 致遲滯在面板面内發生變化,而使得對比度難以充分得到 確保。又’如考慮生產力,則係以使光柵之深度未達1 [μηι] 來確保充分之錨定強度為理想。 藉由此方式’在藉由光柵法單純僅利用彈性變形效果而 使液晶分子進行配向之情形時,在確保充分之錨定強度之 點上,在實用上,仍存有未盡完備的問題。 相對於此,如根據利用配向膜材本身具有之配向限制力 而提昇錨定強度的方法,則即使使光柵之深度未達1 [μΓη], 亦可預測可確保充分之錨定強度。 然而,在曰本特開平5-88 177號公報所揭示之手法方 面’僅具有感光性之材料才可應用於配向膜,因此具有如 123215.doc 1376555 下問題纟迄今生產上穩定使用之耐熱性、機械性強度、 化學性穩定性、„保持特性優良之材料變得無法使用。 又’在日本待開平8·1148〇4號公報所揭示之手法方面具 有如下問題:由於有必要使配向膜形成疊層構造,故製造 程序變得複雜’生產力劣化。又,在日本特開平3•咖 號公報所揭不之手法方面,具有如下問題:使配向膜之高 分子鏈之方向成為一致的方法不明確,藉由此法在實用 上’仍存有未盡完備的問題。 [專利文獻丨]日本特開平11-218763號公報 [專利文獻2]曰本特開20〇〇·1〇538〇號公報 [專利文獻3]日本特開平5_88 1 77號公報 [專利文獻4]日本特開平8· 114804號公報 [專利文獻5]日本特開平3-209220號公報 [非專利文獻 l]M.Nakamura et al. J.Appl.Phys,52,210 (1981) [非專利文獻 2] Υ· 〇hta et al·,J.J.Appl.Phys·, 43,4310 (2004) 【發明内容】 (發明所欲解決之問題) 本發明係考慮以上之點而完成者,提供一種液晶顯示面 板及液晶顯示面板之製造方法,其係將該等問題點一舉解 決’相較於先前,生產性高,可確保充分之錨定強度、畫 質。 (解決問題之技術手段) 123215.doc 1376555 、上述之問題,請求項1之發明係應用於將液晶保 持於對向之2個基板間之液晶顯示面板,在前述㈣基板中 至少1個基板上,製作配向膜之面的形狀形成為溝形狀, i溝形狀係彳i特定方向延長之溝反覆形成於與前述特定方 向正交之方向纟;以高分子膜覆蓋前述溝形狀,而形成高 分子鏈於前述正交之方向一致之前述配向膜。
又,請求項18之發明係應用於將液晶保持於對向之2個 基板間之液晶顯示面板,在前述2個基板中至少丨個基板 上,製作配向臈之面的形狀步成為溝形狀,而該溝形狀往 特定方向延長之溝反覆形成於與前述特定方向正交之方向 者;以高分子膜覆蓋前述溝形狀,而形成使前述液晶之分 子往則述正交之方向配向之前述配向膜。
又,請求項34之發明係應用於將液晶保持於對向之2個 基板間之液晶顯示面板,在前述2個基板中至少1個基板 上,在絕緣基板上依序形成:相位差板之配向膜,其係將 面以高分子膜覆蓋,高分子鏈於前述正交之方向一致,而 該面係往特定方向延長之溝反覆形成於與前述特定方向正 交之方向者;及由液晶所成之相位差板,而該液晶係往藉 由前述相位差板之配向膜而決定之方向配向者。 又,請求項35之發明係應用於將液晶保持於對向之2個 基板間之液晶顯示面板,在前述2個基板中至少1個基板 上’在絕緣基板上依序形成:相位差板之配向膜,其係將 面以高分子膜覆蓋,而該面係往特定方向延長之溝反覆形 成於與前述特定方向正交之方向者:及由液晶所成之相位 I23215.doc 1376555 差板,而該液晶係分子往前述正交之方向配向者。 又’請求項36之發明係應用於將液晶保持於對向之㈣ 基板間之液晶顯示面板的製造方法’前述液晶顯示面板的 製造方法係在前述2個基板中至少丨個基板上,包含:溝加 工步驟,其係將前述!個基板加工成製作配向膜之面的雙 狀成為溝载’該溝形㈣往特定方向延長之溝反覆形^ 於與前述特定方向正交之方向者;及配向膜製作步驟其 係以高分子膜覆蓋料溝形狀㈣成高分子鏈於前述正交 之方向一致之前述配向膜。 又,請求項37之發明係應用於將液晶保持於對向之玲 基板間之液晶顯示面板的製造方法,前述2個基板係在絕 緣基板上依序形成電極、配向膜,前述液晶顯示面板的製 造方法係在前述2個基板中至少丨個基板上,包含:溝加工 步驟,其係將前述i個基板加工成製作配向膜之面的㈣ 成為溝形狀,該溝形狀係往特定方向延長之溝反覆形成於 與前述特定方向正交之方向纟;及配向膜製”驟其係 以兩分子膜覆蓋前述溝形狀而形成使前述液晶分子往前述 正父之方向進行配向之前述配向膜。 又,請求項38之發明係應用於將液晶保持於對向之2個 基板間之液晶顯示面板的製造方法,前述2個基板中至少丄 個基板係在透明基板上依序設置相位差板之配向膜、相位 差板’前述液晶顯示面板之製造方法包含:溝加工步驟, 其係將前述1個基板加卫成製作前述配向膜之面的形狀成 為溝形狀’該溝形狀係往特定方向延長之歧覆形成於與 123215.doc 1376555 前述特定方向正交之方向者;配向膜製作步驟,其係以高 分子膜覆蓋前述溝形狀而形成高分子鏈於前述正交之方向 一致的前述配向膜;液晶配置步驟,其係將液晶配置於前 述配向膜上;及固化步驟,其係將前述液晶進行固化。 又,請求項39之發明係應用於將液晶保持於對向之2個 基板間之液晶顯示面板的製造方法,前述2個基板中至少^ 個基板係在透明基板上依序設置相位差板之配向膜'相位 差板,前述液晶顯示面板之製造方法包含:溝加工步驟, 其係將前述1個基板加工成製作前述配向膜之面的形狀成 為溝㈣,該溝㈣係往特定方向延長之溝反覆形成於與 前述特定方向正交之方向者;配向膜製作步驟,其係以高 刀子膜覆蓋刖述溝形狀而形成前述配向膜;液晶配置^ 驟,其係在前述配向膜上配置分子往前述正交之方向配向 之液晶;及固化步驟,其係將前述液晶進行固化。 又,請求項40之發明係應用於將液晶保持於對向之2個 基板間之液晶顯示面板,在前述2個基板中至少丨個基板 上,製作配向膜之面钓形狀形成為溝形狀,該溝形狀係往 特定方向延長之溝反覆形成於與前述特定方向正交之方向 以高分子膜覆蓋前述溝形狀而形成高分子鏈於前述特 定之方向一致之前述配向膜。 又,請求項4丨之發明係應用於將液晶保持於對向之之個 基板間之液晶顯示面板,在前述2個基板中至少丨個基板 上’製作配向膜之面的形狀形成為溝形狀,該溝形狀:往 特定方向延長之溝反覆形成於與前述特定方向正交之方向 123215.doc 1376555 者,以同分子膜覆蓋前述溝形狀而形成使前述液晶 往則述特定之方向配向之前述配向膜。 藉由明求項1、請求項18、請求項36或請求項37之 的配向膜,係藉由製作時之熱處理的伸縮,高分子於與溝 之延長方向正交之方向一致,而得以確保配向能;而該配 向膜係以高分子膜覆蓋溝形狀而形成,該溝形狀係往特定 方向延長之溝反覆形成於正交之方向者。藉此,如根據社 求項1、請求項!8、請求項36或請求項37之構成,則可: 由簡易之步驟’確保高生產性而製作配向膜。在此,如此 所確保的配向能即使不使溝之深度變深,亦可藉由充分之 錫定強度而使液晶分子配向,將先前技術之問題點一舉解 決’因此相較於先前,生產性高,可確保充分之錯定強 度、畫質。 又藉由清求項34、請求項35、請求項爾請求項以 構成的ί目位差板之配向膜,係藉由製作時之熱處理的伸 縮’高分子於與溝之延長方向正交之方向一致,而得以確 保配向能;而該相位差板之配向膜係以高分子膜覆蓋面而 形成’該面係往特定方向延長之溝反覆形成於正交之方向 者°藉此’如根據請求項34、請求項35、請求項38或請求 之構成,則可藉由簡易之步驟,確保高生產性而製作 配向膜。又’利用此相位差板之配向膜可製作相位差板。 又’藉由請求項40或請求項41之構成的配向膜,係藉由 製作時之熱處理的伸縮,高分子於特定方向一致而得以 確保配向能;而該配向膜係以高分子膜覆蓋溝形狀而形 123215.doc -12- 1376555 成,該溝形狀係往特定方向延長之溝反覆形成於正交之方 向者。藉此,如根據請求項40或請求項41之構成,則可藉 由簡易之步驟,確保高生產性而製作配向膜。在此,如此 所確保的配向能即使不使溝之深度變深,亦可藉由充分之 錨定強度而使液晶分子配向,將先前技術之問題點一舉解 決,因此相較於先前,生產性高,可確保充分之錨定強 度、畫質》 (發明之效果) 根據本發明,相較於先前,生產性高,可確保充分之錨 定強度與晝質。 【實施方式】 以下,一面適宜參考圖式,一面針對本發明之實施例作 詳細說明。 [第1實施例] (1)實施例之構成及動作 圖1係將應用於本發明之第1實施例之液晶顯示裝置之液 晶顯示面板1部分擴大顯示的剖面圖。此實施例之液晶顯 示裝置係所謂穿透型或反射型,在此圖1中,於液晶顯示 面板1之上侧即表面側等設置偏光板等。又,在穿透型方 面’在此圖1中,於液晶顯示面板1之下側即背面側設置背 光裝置;在反射型方面’在此圖1中,於液晶顯示面板1之 上側即表面側設置前光裝置。 此液晶顯示面板1係藉由TFT陣列基板2與CF基板3而挾 持液晶。在此,CF基板3係於透明之絕緣基板(玻璃基板4) 123215.doc 13 1376555 上’藉由將衫色遽光片5、絕緣膜6、藉由透明電極之電極 7、配向膜8依序形成而製作。在此,電極7通常係將 IT〇(Indium Tin Oxide:銦錫氧化物)成膜於全面而形成者, 但將如各像素或各次像素進行圖案化亦可。又,配向膜8 係藉由印刷法將可溶性聚醯亞胺與聚胺酸之混合物作為誘 發水平配向之液晶配向材進行塗佈後,以2〇〇度之溫度作 75分鐘燒結,藉由此方式,而將聚醯亞胺薄膜藉由膜厚 50[nm]予以形成;其後,藉由摩擦處理賦予配向能而製 作。再者’摩擦處理之方向係此圖中之箭頭方向,亦即與 後述溝Μ之延長方向呈正交之方向。 相對於此,如圖2所示般,TFT陣列基板2係於透明之絕 緣基板(玻璃基板10)形成TFT等後形成絕緣膜11,並在此 絕緣膜11上將電極12、配向膜13依序形成而製作。 在TFT陣列基板2方面’製作配向膜13之面的形狀係形 成為溝形狀’而其係往特定方向呈直線狀延長之溝往與此 特定方向呈正交之方向反覆形成者;以高分子膜覆蓋此溝 形狀’而形成配向膜13 »又,在此實施例中,絕緣膜1丨之 表面形狀係形成此溝形狀’製作配向膜13之面係形成為溝 形狀。 在此’在溝Μ方面’其剖面形狀係形成為以溝μ之頂點 為中心的對稱形狀之約略圓弧形狀。又,溝Μ係藉由間距 Ρ為1 [μιη]、高度(深度)Η為200[nm]而形成,藉由此方式, 藉由間距P與高度Η之比T(=H/P)為未達iioj而形成。 更具體而言,在TFT陣列基板2上,絕緣膜丨丨係以酚醛樹 123215.doc -14- 月曰系、丙烯酸系等有機物抗蝕劑材料、或幻〇2、、或 以Si〇2、SiN為主成分之無機系之材料所形成。 在此,以感光性之有機物抗蝕劑材料形成絕緣膜12之情 >時TFT陣列基板2係在塗佈感光性之有機物抗餘劑材料 後,進仃預烘烤,其後,使用具有對應於溝M之圖案的遮 罩,藉由紫外線等而將抗蝕劑材料進行曝光。又,進行顯 像、後烘烤,藉由此方式,應用光微影法,將絕緣膜i ^之 表面加工為溝形狀。再者,利用從不同2方向照射之光束 的干涉’以取代使用遮罩,而進行曝光處理亦可。又,應 用奈米Μ印法等之手法以取代光微影法亦可。 又,以無機系材料形成絕緣膜11之情形時,TFT陣列基 板2係藉由真空蒸鍍、濺鍍、CVD等,將此無機系材料Z 特定膜厚進行沈積後,藉由光微影法,將感光性有機物抗 钱劑材料圖案化為溝狀,其後,進行濕式㈣或乾式钱 亥J使配向膜13之側面成為溝形狀。&,絕緣膜i i亦可使 用般市售之無機系材料與有機系材料之混合物中且有感 光性的材料進行製作,此一情形,經過藉由光微影:作圖 案化後再進行燒結等過程’藉由此方式,有機物系之成分 係飛散於氣體環境中’而主要由無機物之成分進行形成絕 又’在電極12方面’如為穿透型,通常係將ιτ〇等透明 電極材料成膜於全面後,進行圖案化而形成。再者,如為 反射型,則應用鋁、銀等金屬材料亦可。 配向膜13係將一般所使用之聚酿亞胺系之材料,藉由平 123215.doc 15- J376555 版印刷法進行塗佈後,以度之溫度進行乃分鐘燒結使 之成膜。配向膜13係、藉由此燒結處理’而使配向膜中之古 分子鏈往與溝Μ之延長方向呈正交之方向成為—致,而: 賦予配向能》再者,在配向膜13之塗佈法方面,可應用如 下各種手法:旋轉塗佈法;浸泡於溶液之槽中的浸泡法, 而該溶液係以γ-丁内醋、丙酮等溶劑稀釋之後者;藉由喷 霧器進行喷霧之方法等。 在此,配向膜13係在使下層之表面形狀成為溝形狀之狀 態下’於進行配向材之塗佈、燒結之過程中,使配向膜中 之高分子鍵之方向與對溝歡延長方向呈正交之方向成為 一致,而賦予配向能。此係在燒結時之溫度上昇、溫度下 降的過程中,基板10進行膨脹、收縮,而藉由此膨脹、收 縮所產生之應力可視為,係藉由單軸延伸效果而使配向膜 中之高分子鏈往此正交之方向成為一致的要因之一;而單 軸延伸效果係藉由溝形狀而往配向膜13之特定方向進行作 用者。 根據作各種檢討後的結果,發現了藉由如此之㈣ 後的燒結而使分子軸往一定之方向成為一致,則在配向膜 13之下面側,有必要形成往與此一定方向呈正交之方向延 長的溝Μ ;如為單純之突起、凹&,則配向膜之分子轴係 往從各頂點朝末端之方向排列,並無法往特定方向賦予配 向能。 又,在溝Μ方面,即使為間距ρ與高度η之比τ(=Η/ρ)未 達丨之情形,亦可充分賦予配向能。如從在配向膜13之下 123215.doc -16- 1376555 面側進行加工為溝形狀之觀點,將間距P與高度Η之比了設 為未達1 ’更理想者為’將間距Ρ與尚度Η之比τ設為未達 〇·5,則可提昇生產力。 液晶顯示面板1係在將TFT陣列基板2、CF基板3以黏合 • 材進行貼合後,將具有正之介電率各向異性的向列型液晶 、 佈植於此等TFT陣列基板2、CF基板3間之間隙而形成。再 者’在此圖1中,液晶分子係以符號15表示,θ、θ/2係表 • 示液晶分子丨5之傾斜角。此一情形,進行佈植液晶並確認 液晶分子1 5之配向方向後,可確認:在TFT陣列基板2侧面 上,液晶分子15係往與溝Μ之延長方向呈正交之方向進行 配向’如圖1所示般’以使溝Μ之延長方向與摩擦方向呈 正父之方式將TFT陣列基板2、CF基板3貼合之情形時,液 晶分子15係進行水平配向。再者,以使溝μ之延長方向與 摩擦方向呈平行之方式將TFT陣列基板2 ' CF基板3貼合之 清形時,可確認:液晶分子15係進行扭轉向列型配向。 # 亦即,圖4係顯示,藉由與圖3之對比,液晶顯示面板1 的1像素(紅色 '綠色、藍色之次像素1組)之藉由偏光顯微 鏡的觀測結果之照片’其係將偏光板設為正交偏光下配 • 置’在其間配置作水平配向之液晶顯示面板1並作觀測之 - 情形°再者,液晶顯示面板1係配置為光學轴與偏光子之 , 吸收轴呈平行。又’圖3係省略了 TFT陣列基板2側之配向 膜13而與此液晶顯示面板1作同一構成的液晶顯示面板之 藉由與圖4同一條件之觀測結果;而該液晶顯示面板係藉 由單純僅利用彈性變形效果而使液晶分子配向的先前之光 123215.doc 17 1376555 栅法者。 此一情形,如液晶顯示面板1之光學轴為完全一致的 話,則從偏光子射入之光並不產生相位變化,觀察時係呈 現黑。然而’如局部性光學軸偏離,則觀察時呈現灰或白 之條紋。 根據此圖3及圖4之觀測結果,在圖4方面,觀察時係呈 現較黑’因此,相較於藉由單純僅利用彈性變形效果而使 液晶分子配向的先前之光柵法的液晶顯示面板,可判斷, 此實施例之液晶顯示面板1方面係配向限制力較高。 又’在此實施例之液晶顯示面板1方面,溝之間距p與高 度Η之比T為1以下之〇.2 ’因此’相較於此比有必要為1以 上且單純僅利用彈性變形效果而使液晶分子配向的先前之 光栅法,可格外使溝Μ之製作程序簡略化,可確保高生產 力。又’可應用各種特性優良之材料進行生產,再者,藉 由可簡易且確實地賦予配向能,而可有效迴避在光柵法中 利用配向膜材本身具有之配向限制力的先前構成之各種問 題點。 又,從圖3及圖4之觀察結果,在此實施例之液晶顯示面 板1方面,於TFT陣列基•板2側液晶分子係往與溝Μ之延長 方向呈正交之方向進行配向,相對於此,可確認,在藉由 先則之光柵法的液晶顯示面板方面,於TFT陣列基板2側液 晶分子係往與溝Μ之延長方向呈平行方向進行配向。藉由 此方式,可確認,藉由此實施例之配向膜丨3的液晶分子i 5 之配向,係與藉由利用彈性變形效果的先前之光栅法者不 123215.doc 1376555 同0 又’藉由晶體旋轉法將呈水平配向之液晶晶胞之傾斜角 進行測定’結果為約1.5度。在此,由於將tFT陣列基板2 及CF基板3 —起作摩擦處理之情形時之液晶晶胞的傾斜角 為約3度’因此,在藉由此實施例之液晶顯示面板1方面, 可考慮’ CF基板3之表面的傾斜角θ為3度,TFT陣列基板2 之表面的傾斜角為〇度。 圖5係顯示將電壓施加於此液晶顯示面板1之情形的模式 圖。此液晶顯示面板1即使施加電塵,在TFT陣列基板2、 CF基板3之界面近旁’液晶分子之配向亦無變化,隨著遠 離界面,液晶分子15之傾斜角逐漸變大,在tFT陣列基板2 及CF基板3間之中央部分,傾斜角成為約9〇度,變為最 大。 藉由旋轉檢光子法將此電壓施加時之遲滯進行測定,與 將TFT陣列基板2、CF基板3 —起作摩擦處理後之液晶晶胞 的遲滯作比較《在此,錨定強度弱的情形時,藉由電壓施 加,位於在TFT陣列基板2側之界面的液晶分子之傾斜角產 生變化,因此,相較於將TFT陣列基板2、CF基板3 —起作 摩擦處理後之液晶晶胞,遲滯係變小。然而,根據測定後 之結果,電壓施加時,&實施例之液晶顯示面板1係被測 定出與將TFT陣列基板2、CF基板3—起作摩擦處理後之液 晶晶胞為約略同等之遲滯,藉由此方式,可確認,藉由 TFT陣列基板2側之配向膜13而確保了充分之錨定強度。θ 再者,在此^之例中,係針對分別藉由溝形狀及摩擦 123215.doc 1376555 處理而將配向能賦予TFT陣列基板2之配向膜13及CF基板3 之配向膜8之情形進行敘述,但本實施例並不限於此,如 與其相反’分別藉由摩擦處理及溝形狀而將配向能賦予 TFT陣列基板2之配向膜13及CF基板3之配向膜8亦可; • 又,藉由溝形狀而將配向能賦予TFT陣列基板2及CF基板3 、 之配向膜8、13之雙方亦可。又,在此肩j之例中,係針對 將向列型液晶應用之情形進行敘述,但可將層列型、膽固 _ 醇型等各種液晶作廣泛應用。 (2)實施例之效果 根據以上之構成,在挾持液晶而呈對向之2個基板2' 3 之至少之1個基板2上,使製作配向膜13之面的形狀成為溝 形狀’將此溝形狀以高分子膜覆蓋,而形成配向膜13,藉 由此方式,相較於先前生產力更高,可確保充分之錨定強 度晝質,而該溝形狀係在特定方向延長之溝μ與此特定 方向呈正交之方向反覆形成者。 • 亦即,在此1個基板上,以使高分子鏈往此正交之方向 呈一致之方式而形成配向膜13,藉由此方式,相較於單純 利用彈眭變开^效果的先則之光栅法,可使溝之深度變淺而 - 確保充分之錨定強度,可提昇生產力。 w 又,藉由根據溝之單轴延伸效果,而形成為高分子鏈往 此正交之方向呈一致,藉由此方式,可簡易賦予配向能。 又,將溝之深度以溝之間距進行除算後之值係未達i, 藉由此方式’可確保高生產力。 又,在此1個基板表面,藉由設定使液晶之分子往此正 123215.doc •20- 1376555 交之方向進行配向’而可廣泛應用向列型液晶、層列型、 膽固醇型等各種液晶。 又,使形成於玻璃基板10及電極12間之絕緣膜11的表面 形狀成為溝形狀,使製作配向膜13之面的形狀成為溝形 狀,藉由此方式,可將進行加工絕緣膜Π的各種手法作廣 泛應用,故相較於先前生產力更高,可確保充分之錨定強 度、晝質。
[第2實施例] 圖6係藉由與圖2之對比,顯示應用於本發明之第2實施 例之液晶顯示面板的TFT陣列基板之立體圖。在此TFT陣 列基板22方面,取代絕緣膜u之表面形狀,電極12之表面 形狀係形成為溝形狀,製作配向膜13之面的形狀係形成為 溝形狀。在此實施例之液晶顯示面板方面,除了與此溝形 狀之加工有關之點為不同點外,係形成為與第丨實施例之 液晶顯示面1板為同—。
亦即,與此實施例有關之TFT陣列基板22,係與針對第 1實施例所述同樣’在玻璃基板10上藉由—定之膜厚而形 成絕緣膜11 ° x ’接著’將IT〇、銘、銀等成膜後,藉由 光微影法將感純抗㈣丨圖案化㈣狀,進行濕式钱刻處 理或乾式蝕刻處理,於電極12形成溝形狀。再者,與針對
第1實施例所述同樣,如將圖6所示構成應用於CF基板側亦 可〇 J 如此實施例般,即使取代絕緣膜之表面形狀,使電極12 之表面形狀成為溝形狀,使製作配向膜之面的形狀成為溝 I23215.doc 开>狀,亦可獲得與第1實施例同樣之效果。 [第3實施例] 圖7係藉由與圖2之對比’顯示應用於本發明之第3實施 例之液晶顯示裝置之液晶顯示面板的TFT陣列基板之立體 圖。在此TFT陣列基板32方面,取代絕緣膜η之表面形 狀,絕緣基板(玻璃基板1〇)之表面形狀係直接成為溝形 狀,製作配向膜13之面的形狀係形成為溝形狀。除了與此 溝形狀之加工有關之點為不同點外,此實施例之液晶顯示 面板係形成為與第1實施例之液晶顯示面板丨為同一。再 者,在此圖7之例中,雖省略了絕緣膜,但依照需要,亦 可設置絕緣膜。 亦即,在TFT陣列基板32方面,於玻璃基板〗〇之表面側 上,藉由光微影法將感光性抗蝕劑圖案化為溝狀後,進行 邊式餘刻處理或乾式㈣處理,玻璃基板1()之表面側係被 加工為溝形狀。其後,依序製作電極12、配向膜13。再 者’與針對第i實施例所述同樣,如將圖7所示構成應用於 CF基板側亦可。 如此實施例般’即使取代絕緣膜之表面形狀,使絕緣基 板之表面形狀成為溝形狀,使製作配向膜之 溝形狀,村㈣與第丨實施㈣樣之效果。 成為 [第4實施例] 係藉由與圖1之對比,顯示應用於本發明之第 例之液晶顯示裝置之涪a酤-;& 貫施 置之液明顯不面板的剖面圖。此實施例之 夜日日顯示面板^ ” 了下列之點外,係構成為與第1〜第3實 123215.doc -22- 1376555 施例之液晶顯示面板為同一;而前述點係:形成於丁FT陣 列基板42之溝IV[的剖面形狀不同、及在CF基板43側亦形成 與TFT陣列基板42同樣之溝形狀。再者,為了容易理解, 在此圖8、後述圖9及圖10中’與第1實施例同樣,係顯示 使絕緣膜6、11之表面形狀成為溝形狀之圖。 亦即,如圖9所示般,在TFT陣列基板42上,橫切溝Μ之 方向的剖面形狀,係以溝Μ之頂點為中心而形成非對稱形 狀。藉由此方式,液晶顯示面板41係將位於TFT陣列基板 42之表面的液晶分子1 5的傾斜角Θ控制為以此非對稱形狀 所決定之角度。 亦即,在此實施例中,TFT陣列基板42係以剖面形狀成 為鑛齒形狀之方式而形成溝Μ,藉由此方式,係以藉由j 對斜面Ml及M2之剖面三角形形狀的突條依序以特定間距 反覆之方式’而形成溝形狀。藉由此方式,在Τρτ陣列基 板42方面,對與玻璃基板1〇之表面呈平行之面η的此1對斜 面Ml及M2的形成角度Θ1、Θ2,係被設定為不同角度,而 控制液晶分子15的傾斜角。再者,溝之剖面形狀並不限於 如此圖9所示般使别面形狀成為鑛齒形狀的情形,馨如, 使溝Μ之頂點偏向一方之側而成為非對稱形狀之情形等, 總之,將溝形成非對稱形狀,而可將液晶分子15的傾斜角 作各種控制。 更具體而言,在此實施例中,溝Μ係形成為間距ρ為 1[μπι]、高度Η為200[nm],角度Θ1設定為3度。又,與第J 實施例同樣,將聚醯亞胺系之材料塗佈後,以2〇〇度之溫 123215.doc -23- 1376555 度作75分鐘燒結,藉由50 [nm]而將配向膜13進行成膜。 又,在CF基板43方®,亦在將溝形&形成為與tft陣列基 板42為同一後,進行形成配向膜8。 此實施例之液晶顯示面板41係在將TFT陣列基板42、cF , 基板43以黏合材進行貼合後,將具有正之介電率各向異性 - 的向列型液晶佈植於此等TFT陣列基板42、CF基板判間之 間隙而形成。 φ 在此,與針對第1實施例所述同樣,進行確認液晶分子 15之配向方向後,可確認係往與溝M之延長方向呈正交之 方白進行配向。又,可確認:如圖8所示般,以如下方式 將TFT陣列基板42、CF基板43貼合之情形時,係成為水平 配向,而該方式係:使位於TFT陣列基板42之鋸齒形狀的 連續方向、與位MCF基板43之鋸齒形狀的連續方向成為逆 向;而以如下方式將TFT陣列基板42、CF基板Μ貼合之情 形時’係成為π配向,而該方式係:使位於tft陣列基板42 • 之鋸齒形狀的連續方向、與位於CF基板43之鋸齒形狀的連 續方向成為同向。 圖10係顯示將電壓施加於此液晶顯示面板41之情形的模 - 式圖。此液晶顯示面板41即使施加電壓,在TFT陣列基板 . 42、CF基板43之界面近旁,液晶分子之配向亦無變化,隨 著遠離界面’液晶分子15之傾斜角逐漸變大,在tft陣列 基板42及CF基板43間之中央部分,傾斜角成為約9〇度,變 為最大。液晶顯示面板41在此狀態下,係被測定出與將 TFT陣列基板、CF基板—起作摩擦處理後之液晶晶胞為約 123215.doc • 24· 1376555 略同等之㈣’藉由此方式,可確認確保了充分之錯定強 度。 根據以上搆成,將橫切溝之方向的剖面形狀以溝之頂 點為中心而形成非對稱形狀;藉由此方式,而將液晶分子 的傾斜角作各種控制。 [第5實施例] 圖11係藉由與圖1之對比,顯示應用於本發明之第5實施 例之液晶顯示裝置之液晶顯示面板的剖面圖。此實施例之 液晶顯示面板51除了下列之點外,係構成為與第卜第3實 施例之液晶顯示面板1為同一;而前述點係:取代具有正 之介電率各向異性的向列型液晶,而將具有負之介電率各 向異性的向列型液晶佈植於TFT陣列基板2&CF基板3之 間、及使用綉發垂直配向之配向膜。再者,為了容易理 解’在此圖11、後述圖12中,與第1實施例同樣,係顯示 使絕緣膜11之表面形狀成為溝形狀之圖。 此情形’可確認,液晶分子5 5係往液晶顯示面板5 1之厚 度方向進行配向,呈現垂直配向β 在此,圖12係顯示將電壓施加於此液晶顯示面板5 1之情 形的模式圖。此液晶顯示面板5 1即使施加電壓,在TFT陣 列基板2、CF基板3之界面近旁,液晶分子55之配向亦無變 化’隨著遠離界面,液晶分子55之傾斜角逐漸變小,在 TFT陣列基板2及CF基板3間之中央部分,傾斜角成為約〇 度’變為最小。可確認,此傾斜角成為約〇度之液晶分子 55之配向方向係與溝之延長方向呈正交之方向,而傾斜之 123215.doc -25· 1376555 方向係藉由摩擦方向而決定。 根據此實施例,即使應用具有負之介電率各向異性的向 列型液晶,亦可獲得與上述實施例同樣之效果。 [第6實施例]
圖13及圖14係藉由與圖8及圖10之對比,顯示應用於本 發明之第6實施例之液晶顯示裝置之液晶顯示面板的剖面 圖。此實施例之液晶顯示面板61除了下列之點外係構成 為與第4實施例之液晶顯示面㈣為同而前述點係: 取代八有正之介電率各向異性的向列型液晶,而將具有負 之介電率各向異性的向列型液晶佈植於叮丁陣列基板“及 CF基板43之間、及使用誘發垂直配向之配向膜。再者,為 了容易理解’纟此圖13及圖M中,與圖8同樣,錢示使 絕緣膜6、11之表面形狀成為溝形狀之圖。 此情形,亦與第5實施例同樣,可確認,液晶分子“係 往液晶顯示面板61之厚度方向進行配向,呈垂直配向。
又,可確認,在TFT陣列基板42、CF基板43之界面近旁, 以用溝形狀所決定之方向的傾斜角,對玻璃基板4、ι〇之 表面往垂直方向進行配向。 又,即使施加電壓,在TFT陣列基板42、CF基板43之界 面近旁,液晶分子55之配向亦無變化,隨著遠離界面,液 晶分子55之傾斜角逐漸變小,在TFT陣列基板“及以基板 43間之中央部分,傾斜角成為約〇度變為最小。可確 涊,此傾斜角成為約〇度之液晶分子55之配向方向係與溝 之延長方向至正交之方向。 123215.doc • 26 - 1376555 根據此實施例,即使應用具有負之介電率各向異性的向 列型液晶,亦可獲得與上述第4實施例同樣之效果。 [第7實施例] 圖15係顯示應用於本發明之第7實施例之液晶顯示裝置 的液晶顯示面板之1像素的概略構成之俯視圖。圖16係以 A-A線切取顯示此液晶顯示面板71的詳細剖面圖。又此 圖15係將形成於CF基板73之溝Μ與液晶分子15 一起顯示之 圖。 此液晶顯示面板71係所謂半穿透型,在1個像素中設有 反射顯示部74與穿透顯示部75,在TFT陣列基板72之下 面’係依序設有1/4波長板76、1/2波長板77、偏光板78。 又’在CF基板73之上面’係依序設有1/4波長板79、1/2波 長板80、偏光板81。 在此’ TFT陣列基板72係在玻璃基板10上依序形成絕緣 膜11、電極12、配向膜13後,進行摩擦處理,將配向能賦 予配向膜13。又,在反射顯示部74方面,係以使射入光散 射之方式,在絕緣膜11形成凹凸形狀,電極12、配向膜13 之表面側係形成凹凸形狀。 又,CF基板73係在玻璃基板4依序形成彩色濾光片5、絕 緣膜6、電極7、配向膜8’與針對第1〜第4實施例所述tft 陣列基板同樣,藉由使形成配向膜8之面的形狀成為溝形 狀,而將配向能賦予配向膜8。 在此,在此液晶顯示面板71,反射顯示部74、穿透顯示 部75係實施同一之軸角度、遲滞的光學設計,TFT陣列基 123215.doc • 27- 1376555 板72及CF基板73間之間隙係設定為同一間隔。又,在穿透 顯示部75方面,形成於CF基板73之溝Μ的延長方向係設定 為與位於TFT陣列基板72之摩擦方向呈一致,相對於此, 在反射顯示部74方面,形成於CF基板73之溝Μ的延長方向 係設定為對位於TFT陣列基板72之摩擦方向呈斜向傾斜之 方向。
藉由此方式,此液晶顯示面板71無須在反射顯示部74及 穿透顯示部75 ’於TFT陣列基板72及CF基板73間之間隙設 置階差’即可在1個像素内簡易確保不同之配向。再者, 在此實施例十,穿透顯示部75係設為水平配向,而反射顯 示部74係設為50度扭轉配向。再者’反射顯示部74之扭轉 角度並不限於50度,在40度〜70度之範圍内,可構成半穿 透型液晶顯示面板7 1。因此,在此實施例中,對位於穿透 顯示部75之溝Μ的延長方向,位於反射顯示部74之溝厘的
延長方向雖設定為呈50度之角度,但此角度在4〇度〜7〇度 之範圍内,即可供實用之用。 亦Ρ纟|穿透型之液晶顯示面板中於穿透顯示部方 面,從背面射入之光係單純穿透液晶而射出,相對的在 反射顯示部方面’射人⑽進行往返於液晶。藉由此方 =為了在穿透顯示部與反射顯示部將同—之相位差賦予 二’相較於穿透顯示部’有必要將反射顯示部之間隙 ::為"2之間隔;在穿透顯示部與反射顯示部,有必要 在TFT陣列基板及或CF基板之液晶側面設置階差。 然而,在以此方式設置階差的情形,程序會變得繁雜, 123215.doc -28- 1376555 降低生產力。又*會因階#而甚& …s “ 階差而產生光漏,亦有對比降低的 問通。再者’針對光漏,雖也有將穿透顯示部之反射顯 部側境界以金屬電極覆蓋以進行遮光的方法,然而,此情 形,會產生非供顯示工上 顯不之無效區域,而成為高精細化之障 礙0 片然而,根據此實施例,藉由無須設置如此之階差,而以 簡易之程序即可構成尚反射率、高開口率之液晶顯示面 板。
再者,在此實施例中,係針對在CF基板73侧藉由溝形狀 而將配向㈣予之情形的配向膜作敘述,然而,取代之, 而在TFTP車列基板72側,藉由溝形狀而將配向能賦予配向 臈亦可·,又,在CF基板73及打丁陣列基板72雙方’藉由溝 形狀而將配向能賦予配向膜亦可。又,在CF基板73及TFT 陣列基板72雙方,藉由溝形狀而 將配向能賦予配向膜之情 形時’可在CF基板73及订丁陣列基板72雙方或【方,對位 於穿透顯示部之溝的延長方向,使位於反射顯示部之溝的 延長方向成為傾斜。 又’如此方式般’在CF基板73及TFT陣列基板72,藉由 溝形狀而將配向能賦予配向膜之情形時,如針對第4實施 例所述般’使溝之剖面形狀成為非對稱形狀而控制傾斜角 亦可。 又’如針對第5、6實施例所述般,取代具有正之介電率 各向異性的液晶,而應用具有負之介電率各向異性的液晶 亦可。 1232l5.doc •29· ^76555 又’按照構成丨個像素之各次像素,在f透顯示部及或 反射顯示部使溝Μ之傾斜作變化,按照各次像素將光學 特性作最佳化亦可。再者,如此方式般,按照各次像素將 光學特性作最佳化之構成方面,並不限於半穿透型液晶顯 不面板,亦可應用於穿透型液晶顯示面板、反射型液晶顯 板亦gp譬如,在將CF基板與TFT陣列基板間之間 隙對綠色最佳化的情形,在藍色方面間隙的間隔係過大, 而在紅色方面間隙的間隔則變得過短。基於此因此情 形’對綠色之次像素,在藍色及紅色之次像素,分別使溝 之延長方㈣斜’藉由此方式’可按照各次像素使光學特 性作最佳化。 根據以上構成,1個像素係以穿透顯示部與反射顯示部 形成,藉由對位於穿透顯示部之溝的延長方向使位於反射 顯不部之溝的延長方向呈傾斜,則可以簡易之程序製得高 畫質之半穿透型液晶顯示面板。 [第8實施例] 圖17係藉由與圖2之對比,顯示應用於本發明之第8實施 例之液晶顯示裝置之TFT陣列基板92的構成之立體圖。在 此TFT陣列基板92方面,係以使藉由一定之間距p的溝河不 作疋條數以上連續的方式,而形成溝Μ。更具體而言, 在TFT陣列基板92方面’係設定為,在連續之溝μ上,使 間距Ρ作隨機式變化。藉由此方式,TFT陣列基板92係被 設定為’連續之溝“並不作為衍射光柵而產生功能。此實 施例之液晶顯示面板,除了位於此叮下陣列基板92之間距 123215.doc 1376555 p的設定為不同之點外,係構成為與上述各實施例為同 — 〇 亦即,在藉由一定之間距p而形成溝M之情形時,此週 期性之溝Μ係作為衍射光栅而產生功能,因而可察覺彩虹 色之干涉條紋,使畫質明顯劣化。在穿透型液晶顯示面板 之情形’由於配向膜與折射率約1.5之液晶接觸,因此, 雖非使溝Μ完全暴露於空氣中之程度,但ΙΤ〇等透明電極 之折射率約為2,所以會產生彩虹色之干涉條紋。又,在 如為反射型液晶顯示面板’則彩虹色之干涉條紋變得明 顯。 然而,如此實施例般’設定為,使間距ρ作隨機式變 化,使藉由一定之間距Ρ的溝Μ不作一定條數以上連續, 則可防止如此之彩虹色之干涉條紋的產生,防止畫質的劣 化。 再者,在此實施例中,係針對將溝形狀形成於TFT陣列 基板側而賦予配向能之情形作敘述,然而,此彩虹色之干 涉條紋的防止方法,係可應用上述各實施例以及以下所說 明之各實施例的任何一個。 在此實施例中,係以藉由一定之間距的溝不作一定條數 以上連續之方式,藉由使間距為可變,而可防止彩虹色之 干涉條紋,防止晝質的劣化。 [第9實施例] 圖18係藉由與圖16之對比,顯示應用於本發明之第9實 施例之液晶顯示裝置之液晶顯示面板的剖面圖。在此實施 123215.doc • 31 - 例之液晶顯禾面板101方面,如為與上述實施例同一之構 成’則賦予對應之符號並顯示,但適宜省略重複之說明。 此液晶顯示面板101係穿透型,在TFT陣列基板102之下 面,係依序設置1/4波長板76、1/2波長板77 '偏光板78。 相對於此’在CF基板103之上面,係依序設置1/2波長板 8〇、偏光板81 ;在CF基板103之玻璃基板4係形成1/4波長 板0 在此’ CF基板103係於玻璃基板4上依序形成絕緣膜 105、配向膜1〇6。在CF基板103方面,形成此配向膜1〇6之 面,係以與針對上述第1〜第3實施例所述同樣之方式,而 形成為溝形狀’並以覆蓋此溝形狀之方式,以特定之膜厚 進行塗佈高分子材料。又’其後,經過加熱、冷卻之加工 程序,而形成配向膜106。 其後’ CF基板103係被塗佈相位差板用之向列型液晶材 料’構成此向列型液晶材料之液晶分子1〇8係藉由配向膜 106 ’而進行配向於與溝μ之延長方向呈正交之方向,而 溝Μ係形成於配向膜1〇6者^ CF基板103係在此狀態下被照 射紫外線’使液晶材料固化,而在玻璃基板4形成Α板之 1/4波長板1〇7。其後’ CF基板103係依序形成彩色濾光片 5、絕緣膜6、電極7、配向膜8,藉由摩擦法將配向能賦予 配向膜8。 相對於此’ TFT陣列基板102係依序在玻璃基板1〇形成 絕緣膜11、電極12、配向膜13後’藉由摩擦法將配向能賦 予配向膜13。 123215.doc -32· 1376555 96 y 'T如針對第3實施例所述般,將玻璃基板4之表 面形狀加工為溝形狀,以取代如此方式般將絕緣膜105之 表面形狀加工為溝形狀。
根據此實施例’係藉由溝形狀使液晶分子進行配向藉 由在挾持液a日之絕緣基板製作相位差板(1波長板),而可 使王體之厚度變薄。實際上,在此實施例方面可使^ 波長板107之厚度成為數[μπι]以下相較於先前可將全 體之厚度格外減小。χ ’應用先微影法之手法而可將溝形 狀以良好精度形成’藉由此方式,在⑽像素内使溝之延 長方向作變化’而可按照各色之各次像素,進而…個像 素内將光學待性作最佳化。 [第10實施例] 圖19係藉白與圖16及圖18之對比,顯示應用於本發明之 第10實施例之液晶顯示裝置之液晶顯示面板的剖面圖。在 此實施例之液晶顯示面板U1方面,如為與上述實施例同 之構成,則賦予對應之符號並顯示,但適宜省略重複之 說明。此液晶顯示面板lu係半穿透型,藉由反射顯示部 74與穿透顯示部75而形成丨個像素。又’ tft陣列基板係 與圖16之液晶顯示面板71構成為同一,依序設置ι/4波長 板76、1/2波長板77、偏光板71 相對於此,在CF基板113方面,上面係依序設置ι/2波長 板80、偏光板81 ^ CF基板113係以與液晶顯示面板1〇1之 CF基板1〇3同樣的方式,在玻璃基板4形成絕緣膜1〇5、配 向膜1 06、1/4波長板107、彩色濾光片5。装你 ^ 其後,在CF基板 123215.doc 33· 113方面 ,在沈積絕緣膜6之後,譬如應用光微影法之手法 透顯示部75側作選擇性除去,藉由此方式,而在穿透 顯不部75與反射顯示部74形成階差^,其後在依序形 成電極7、配向膜8後,藉由摩擦法將配向能賦予配向膜 8。再者,此穿透顯示部與反射顯示部之階差並不限於對 向CF基板’如設於TFT陣列基板側亦可如設於雙方亦 〇 再者’亦可如針對第3實施例所述般,將玻璃基板4之表 面形狀加工為溝形狀,以取代如此方式般將絕緣膜105之 表面形狀加工為溝形狀。 根據此實施例,在CF基板之液晶面側設置階差而構成半 穿透型液晶顯示面板之情形時,藉由溝形狀使液晶分子進 行配向’藉由在挾持液晶之絕緣基板製作相位差板(1/4波 長板),亦可獲得與第9實施例同樣之效果。 [第11實施例] 圖20係藉由與圖16〜圖19之對比,顯示應用於本發明之 第11實施例之液晶顯示裝置之液晶顯示面板的剖面圖。在 此實施例之液晶顯示面板121方面,如為與上述實施例同 一之構成’則賦予對應之符號並顯示,但適宜省略重複之 說明。此液晶顯示面板121係穿透型,TFT陣列基板1〇2係 與圖18之液晶顯示面板101構成為同一,依序設置1 /4.波長 板76、1/2波長板77、偏光板78。 相對於此,在CF基板123方面,係以與液晶顯示面板ι〇1 之CF基板103同樣的方式,在玻璃基板4形成絕緣膜1〇5、 123215.doc -34· 1376555 配向膜106、1/4波長板107、彩色濾光片5。其後,在CF基 板123方面’在沈積絕緣膜6之後,將此絕緣膜6之表面形 狀加工為溝形狀’形成電極7、配向膜8,藉由此方式,藉 由溝形狀將配向能賦予配向膜8。 再者’亦可如針對第3實施例所述般,將玻璃基板4之表 面形狀加工為溝形狀,以取代如此方式般將絕緣膜105之 表面形狀加工為溝形狀。 根據此實施例’藉由溝形狀使液晶進行配向之情形時, 精由溝形狀使液晶分子進行配向’藉由在挾持液晶之絕緣 基板製作相位差板(1/4波長板),亦可獲得與第9實施例同 樣之效果。 [第12實施例] 圖21係藉由與圖16〜圖19之對比,顯示應用於本發明之 第12實施例之液晶顯示裝置之液晶顯示面板的剖面圖。在 此實施例之液晶顯示面板13 1方面,如為與上述實施例同 一之構成’則賦予對應之符號並顯示,但適宜省略重複之 說明。此液晶顯示面板131係半穿透型’藉由反射顯示部 74與穿透顯示部75而形成1個像素。又’ TFT陣列基板72係 與圖16之液晶顯示面板71構成為同一,依序設置1/4波長 板76、1/2波長板77、偏光板78。 相對於此’在CF基板133方面,係以與液晶顯示面板ι〇1 之CF基板103同樣的方式,在玻璃基板4形成絕緣膜1〇5、 配向膜106、1/4波長板107、彩色濾光片5。其後,在以基 板1 3 3方面,在沈積絕緣膜6之後,將此絕緣膜6之表面形 123215.doc -35· 1376555 狀加工為溝形狀,形成電極7、配向膜8,藉由此方式,藉 由溝形狀將配向能賦予配向膜8。與針對圖16所述液晶顯 示面板71同樣,CF基板133係以在反射顯示部74與穿透顯 示部75,間隙成為相等之方式而形成,再者,設定為使形 成於配向膜8之下面的溝]VI之延長方向成為不同方向。 根據此實施例,在半穿透型液晶顯示面板,使溝之傾斜 作變化以一樣之間隙設置穿透顯示部與反射顯示部之情形 時’藉由溝形狀使液晶分子進行配向,藉由在挾持液晶之 絕緣基板製作相位差板(1/4波長板),亦可獲得與第9實施 例同樣之效果。 [第13實施例] 圖22係藉由與圖15之對比,顯示應用於本發明之第13實 施例之液晶顯示裝置之液晶顯示面板的俯視圖。圖23係以 A-A線切取顯不此液晶顯不面板141的詳細剖面圖。又,圖 24係藉由與圖23之對比,顯示將電壓施加於電極之狀態的 剖面圖。在此實施例之液晶顯示面板141方面,如為與上 述實施例同一之構成’則賦予對應之符號並顯示,但適宜 省略重複之說明。 在此液晶顯示面板141方面,CF基板之配向膜8及TFT陣 列基板之配向膜13係藉由溝形狀而被賦予配向能。再者, 在溝形狀之製作時,如應用第1~第3實施例之何者均可。 在液晶顯示面板141方面,在此等CF基板及TFT陣列基 板中’在從1個像素之中央往上下之方向方面,係以往水 平方向延長之方式形成溝M,又,在從1個像素之中央往 123215.doc •36- Ϊ376555 左右之方向方面’係以往垂直方向延長之方式形成溝m; 藉由此方式,溝Μ係形成為以像素之中央為中心的四角形 形狀。藉由此方式,液晶顯示面板141係設定為:溝Μ係 往以像素中央為基準之各方向形成為對稱形狀;以朝向像 , 素之中央之方式,在從1個像素之中央往上下之方向方 - 面,液晶分子15係往上下方向進行配向,從1個像素之中 央往左右之方向方面,液晶分子丨5係往水平方向進行配 • 向。 又,在液晶顯示面板14 1方面,在TFT陣列基板中,於i 個像素之中央,以朝CF基板突出之方式而形成四角錐形狀 . 之突起144。藉由此方式,此液晶顯示面板141係設定為, 隨著從1個像素之中央朝向週邊,則傾斜角係變小。藉由 此方式,在液晶顯示面板141方面,從同一之極角對液晶 晶胞射入之光的相位係設定為,即使方位角不同亦成為約 略相等;液晶顯示面板141係以擴大視角之方式構成。 _ 根據此實施例,在1個像素内,藉由變更溝之延長方 向,而可確保所期望之視角。 亦即’溝Μ係往以1個像素之中央為基準往各方向形成 - 為對稱形狀’藉由此方式,可擴大視角。再者,如將1個 - 像素分割為複數之次像素’以各自之中心為基準將溝形成 為對稱形狀亦可。 [第14實施例] 圖25係藉由與圖22之對比,顯示應用於本發明之第14實 施例之液晶顯示裝置之液晶顯示面板的俯視圖。此液晶顯 I23215.doc • 37· 1376555 示面板151除了溝Μ形成為同心圓狀 施例之液晶顯示面板141構成為同— 在1個像素之中央,係設置圓錐形狀 形狀之突起。 根據此實施例,即使將溝形成為 第13實施例之同樣的效果。 [第15實施例]
圖26及圖27係藉由與圖23及圖24之對比,顯示應用於本 發明之第15實施例之液晶顯示裝置的液晶顯示面板之俯視 圖°在此液晶顯示面板m方面’省略了四角錐形狀、圓 錐形狀之突起,除了藉由針對第4實施例所述剖面形狀而 形成溝Μ之點外,係構成與上述第Μ或第14實施例為同 樣。 根據此實施例,即使設定為使溝形狀成為非對稱形狀而
之點外’係與第13實 。又’藉由此方式, 之突起以取代四角錐 同心圓狀,亦可獲得與 控制傾斜角,亦可獲得與第13、14實施例之同樣的效果。 [第16實施例] 再者,在上述第8實施例方面,係針對使溝之間距作隨 機式變化以防止彩虹色之干涉條紋的情形作敘述,然而, 本發明如设定為,在溝之延長方向使溝之寬度作變化以取 代之或加於其上,以防止彩虹色之干涉條紋亦可。 又’在上述第9〜第12實施例方面,係針對將1/4波長板 製作於CF基板之情形作敘述,但本發明並不限於此,亦可 廣泛應用於將1/2波長板、偏向板、其他各種相位差板等 製作於CF基板之情形。又,如設定為將相位差板製作於 123215.doc -38- 1376555 TFT陣列基板側亦可。 又,在上述第9〜第12實施例方面,係針對使用向列型液 晶材料而製作Α板之相位差板的情形作敘述,但本發明並 不限於此,如設定為使用混合配向之液晶材料而製作所謂 〇板之相位差板亦可,可將層列型、膽固醇型、圓盤狀液 晶等各種液晶材料作廣泛應用。又,將誘發垂直配向之配 向膜予以成膜,藉由使液晶分子進行垂直配向,而形成所 謂C板之相位差板亦可。 又’在上述第1 〇~第1 2實施例方面’係針對在Η固像素内 將溝形成為一樣而製作相位差板的情形作敘述,但本發明 並不限於此,如設定為,如與針對第9實施例所述同樣, 在1個像素内使溝之延長方向作變化,按照各色之各次像 素’進而在1個像素内將光學特性作最佳化亦可。 又,在上述第10〜第12實施例方面,係針對在絕緣基板 之液晶側製作相位差板的情形作敘述,但本發明並不限於 此’如設定為’在與此之相反侧製作相位差板亦可。 又,在上述第13〜第15實施例方面,係針對在丨個像素内 變更溝之延長方向的情形作敘述,但本發明並不限於此, 如設定為,在1個次像素内變更溝之延長方向亦可。 又,在上述實施例方面,係針對適宜將第〖〜第4實施例 之手法作選擇性應用而使形成配向膜之面的形狀成為溝形 狀的情形作敘述,但本發明並不限於此,在不損及在各實 施例所說明之構成的範圍内,應用第丨〜第4實施例之其他 的手法以取代在各實施例所說明之手法亦可。 123215.doc -39- 1376555 又’在上述實把例方面’係針對使用玻璃板作為絕緣基 板的情形作敘述,但本發明並不 个限於此,譬如,可廣泛應 用塑膠等各種絕緣基板。 又,在上述實施例方面,係針對將配向膜覆蓋於面之 上’而配向膜之高分子鏈係往與溝呈正交之方向為一致之 情形作敘述,而該面隸特^方向延長之溝往與其呈正交
之方向反覆形成者;然而’如將高分子鏈為往溝之延長方 向呈一致之配向膜予以應用亦可。 又,在上述實施例方面,係針對將配向膜覆蓋於面之 上’而液晶分子係往與溝呈正交之方向為—致之情形作敛 述,而該面係往特定方向延長之溝往與其呈正交之方向反 覆形成者;然而,如將液晶分子為往溝之延長方向呈一致 之配向膜予以應用亦可。 (產業上之可利用性)
本發明係可應用於譬如TN、ECB、STN、IPS等液晶模 式之液晶顯示面板。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示應用於本發明之第丨實施例之液晶顯示裝置之 液晶顯示面板的剖面圖。 圖2係顯示應用於圖1之液晶顯示面板之TFT陣列基板之 立體圖。 圖3係觀測藉由摩擦處理之液晶顯示面板的照片。 圖4係觀測圖1之液晶顯示面板的照片。 圖5係顯示將電壓施加於圖i之液晶顯示面板之狀態的剖 123215.doc -40· 1376555 面圖。 圖6係顯示應用於本發明之第2實施例之液晶顯示裝置之 液晶顯示面板的TFT陣列基板之立體圖。 圖7係顯示應用於本發明之第3實施例之液晶顯示裝置之 液晶顯示面板的TFT陣列基板之立體圖。 圖8係顯示應用於本發明之第4實施例之液晶顯示裝置之 液晶顯示面板的剖面圖。 圖9係顯示圖8之液晶顯示面板的TFT陣列基板之立體 圖。 圖10係顯示將電壓施加於圖8之液晶顯示面板之狀態的 剖面圖。 圖11係顯示應用於本發明之第5實施例之液晶顯示裝置 之液晶顯示面板的剖面圖。 圖12係顯示將電壓施加於圖11之液晶顯示面板之狀態的 剖面圖。 圖13係顯示應用於本發明之第6實施例之液晶顯示裝置 之液晶顯不面板的剖面圖。 圖14係顯示將電壓施加於圖π之液晶顯示面板之狀態的 剖面圖。 圖15係顯示應用於本發明之第7實施例之液晶顯示裝置 的液晶顯示面板之1像素的概略構成之俯視圖。 圖16係以A-A線將圖15切取並顯示之詳細剖面圖。 圖17係顯示應用於本發明之第8實施例之液晶顯示裝置 之TFT陣列基板的構成之立體圖。 123215.doc • 41 - 1376555 圖18係顯示應用於本發明之第9實施例之液晶顯示裝置 的液晶顯示面板之剖面圖。 圖19係顯示應用於本發明之第1〇實施例之液晶顯示裝置 的液晶顯示面板之剖面圖。 圖20係顯示應用於本發明之第丨丨實施例之液晶顯示裝置 的液晶顯示面板之剖面圖。 圖21係顯示應用於本發明之第12實施例之液晶顯示裝置 的液晶顯示面板之剖面圖。 圖22係顯示應用於本發明之第丨3實施例之液晶顯示裝置 的液晶顯示面板之俯視圖。 圖23係圖22之液晶顯示面板之剖面圖。 圖24係顯示將電壓施加於圖22之液晶顯示面板之狀態的 剖面圖。 圖25係顯示應用於本發明之第丨4實施例之液晶顯示裝置 的液晶顯示面板之俯視圖。 圖26係顯示應用於本發明之第丨5實施例之液晶顯示裝置 的液晶顯示面板之剖面圖。 圖27係顯示將電壓施加於圖26之液晶顯示面板之狀態的 剖面圖。 【主要元件符號說明】 1、41 ' 51、61、71、 液晶顯示面板 1〇1 、 111 、 121 、 131 、 141 、 151 、 161 2 ' 22、32 ' 42、72、 TFT陣列基板 123215.doc •42- 1376555 92 ' 102 3 、 43 、 73 、 103 、 113 、 123 ' 133 4、10 6 、 11 、 105 , 7、12 8 、 13 、 106 ♦ 15 、 55 、 108 74 75 76 ' 79 、 107 ' 77 ' 80 78 ' 81 144 Μ CF基板 玻璃基板 彩色渡光片 絕緣膜 電極 配向膜 液晶分子 反射顯示部 穿透顯示部 1 / 4波長板 1/2波長板 偏光板 突起 溝 123215.doc •43-
Claims (1)
- ⑶6555 第096143079號專利申請案C- r 0s n/l.7T , 中文申請專利範圍替換本(l〇lf年制月3日丨丨爹正令 十、申請專利範圍: 一^—- K 一種液晶顯示面板,其係將液晶保持於對向之2個基板 間者’其特徵為: 前述2個基板中至少1個基板係 製作配向臈之面的形狀形成為溝形狀,該溝形狀係往 特定方向延長之溝反覆形成於與前述特定方向正交之方 向者; 以高分子臈覆蓋前述溝形狀,而形成高分子鏈於前述 正交之方向一致之前述配向臈; 前述溝係 橫切前述溝之方向的剖面形狀以溝之頂點$中心而形 成為非對稱形狀。 2.如請求項1之液晶顯示面板,其中 前述1個基板之配向膜係 藉由前述溝之單軸延伸效果,而形成為高分子鏈於前 述正交之方向一致。 3 ·如請求項1之液晶顯示面板,其中 前述溝之深度除以前述溝之間距之值係未達1。 4_如請求項1之液晶顯示面板,其中 前述液晶之分子係 往前述正交之方向配向。 5·如請求項1之液晶顯示面板,其中 前述1個基板係 絕緣犋之表面形狀形成為前述溝形狀,盤 衣前述配向 123215-1010503.doc 1376555 ^之面的形狀形成為前述溝形狀,而該絕緣膜係設於與 則述配向膜之前述液晶側相反側者。 6.如請求項1之液晶顯示面板,其中 前述1個基板係 電極之表面形狀形成為前述溝形狀,製作前述配向膜 之面的形狀形成為前述溝形狀,而該電極係、設於與前述 配向膜之前述液晶側相反側者。 .如叫求項1之液晶顯示面板,其中 前述1個基板係 絕緣基板之表面形狀形成為前述溝形狀,製作前述配 向膜之面的形狀形成為前述溝形狀,而該絕緣基板係設 於與前述配向膜之前述液晶側相反側者。 8.如請求項i之液晶顯示面板,其中 前述溝係 橫切前述溝之方向的剖面形狀以溝之頂點為中心而形 成為對稱形狀^ 9·如叫求項1之液晶顯示面板,其中 前述溝形狀係 橫切前述溝之方向的剖面形狀係鋸齒形狀; 對與前述絕緣基板之表面平行之面設定成形成前述鋸 齒形狀之鄰接的1對面的角度不同,並設定前述1個基板 表面之液晶分子的傾斜角。 1〇·如叫求項1之液晶顯示面板,其中 别述液晶係具有正之介電率各向異性的向列型液晶; 123215-1010503.doc 藉由對設於前述2個基板之電極施加電壓,於前述2個 基板之表面上,在前述液晶之分子維持往與前述基板之 表面平行之方向配向的狀態下,於前述2個基板之中央 部分,前述液晶之分子係往對前述基板之表面垂直之方 向配向。 11.如請求項1之液晶顯示面板’其中 前述液晶係具有負之介電率各向異性的向列型液晶; 藉由對SX於前述2個基板之電極施加電壓,於前述2個 基板之表面上,在前述液晶之分子維持往與前述基板之 表面垂直之方向配向的狀態下,於前述2個基板之中央 邛刀,前述液晶之分子係往對前述基板之表面平行之方 向且則述正交之方向配向。 1 2 ·如叫求項1之液晶顯示面板,其中 1個像素係以穿透顯示部與反射顯示部形成; 相對於前述穿透顯示部之前述溝之延長方向,前述反 射顯示部之前述溝之延長方向被設定為傾斜。 13.如請求項1之液晶顯示面板,其中 以前述溝並不藉由一定之間距而連續一定條數以上之 方式’間距於連續之溝變化而形成前述溝。 1 4·如請求項1之液晶顯示面板,其中 前述2個基板中至少1個基板係依序形成: 相位差板之配向膜,其係將面以高分子膜覆蓋,而1 面係往特定方向延長之溝反覆形成於與該特定方向正六 之方向者;及 °正父 ^3215-1010503.^ !376555 由液晶所成之相位差板,而該液晶係往藉由前述相位 差板之配向膜而決定之方向配向者。 15.如請求項1之液晶顯示面板,其中 設定為前述溝延長之方向纟⑼象素内&次像素 更。 如請求項15之液晶顯示面板,其中 以1個像素或次像素之中央為基準,前述溝於各方向 形成對稱形狀。 17. -種液晶顯示面板,其係將液晶保持於對向之2個基板 間者,其特徵為: 前述2個基板令至少1個基板係 製作 特定方 向者; 配向膜之面的形狀形成為溝形狀,該溝形狀係往 向延長之溝反覆形成於與前述特定方向正交之方 以高分子膜覆蓋前述溝形狀,而形成使前 子4則述正交之方向配向之前述配向膜; 前述溝係 述液晶之分 橫切前述溝之方向的剖面形狀以 成為非對稱形狀。 溝之頂點為十心而形 18·如清求項17之液晶顯示面板,其中 月’J述1個基板之配向膜係 藉由前述溝之單軸延伸效果, 述正交之方向一致。 而形成為高分子鏈於前 19_如明求項17之液晶顯示面板,其中 123215-1010503.doc 1376555 20. 21. 22.23. 24. 别述溝之深度除以前述溝之間距之值係未達1。 如請求項17之液晶顯示面板,其中 前述1個基板係 絕緣犋之表面形狀形成為前述溝形狀,製作前述配向 =之面的形狀形成為前述溝形&,而該絕緣膜係設於與 心述配向膜之則述液晶侧相反側者。 如。青求項17之液晶顯示面板,其中 前述1個基板係 電極之表面形狀形成為前述溝形狀,製作前述配向膜 之面的形狀形成為前述溝形狀,而該電極係設於與前述 配向膜之前述液晶側相反侧者》 如《•月求項17之液晶顯示面板,其中 前述1個基板係 絕緣基板之表面形狀形成為前述溝形狀,製作前述配 向膜之面的形狀形成為前述溝形狀’而該絕緣基板係設 於與前述配向膜之前述液晶側相反側者。 如請求項17之液晶顯示面板,其十 前述溝係 橫切前述溝之方向的剖面形狀以溝之頂點為中心而形 成為對稱形狀。 如請求項17之液晶顯示面板,其中 前述溝形狀係 橫切前述溝之方向的剖面形狀係鋸齒形狀; 對與前述絕緣基板之表面平行之面設定成形成前述鋸 I23215-10iQ503.doc 1376555 齒形狀之鄰接的1對面的角度不同,並設定前述1個基板 表面之液晶分子的傾斜角。 25. 26. 如請求項17之液晶顯示面板,其中 前述液晶係具有正之介電率各向異性的向列型液晶; 藉由對设於前述2個基板之電極施加電壓,於前述2個 基板之表面上,在前述液晶之分子維持往與前述基板之 表面平行之方向配向的狀態下,於前述2個基板之中央 部分,前述液晶之分子係往對前述基板之表面垂直之方 向配向。 如請求項1 7之液晶顯示面板,其中 前述液晶係具有負之介電率各向異性的向列型液晶; 藉由對設於前述2個基板之電極施加電壓,於前述2個 基板之表面上’在前述液晶之分子維持往與前述基板之 表面垂直之方向配向的狀態下,於前述2個基板之中央 部分,前述液晶之分子係往對前述基板之表面平行之方 向且前述正交之方向配向。 27. 28. 如請求項17之液晶顯示面板,其中 1個像素係由穿透顯示部與反射顯示部所形成; 相對於前述穿透顯示部之前述溝的延長方向,’ 射顯示部之前述溝的延長方向被設定為傾斜。 如請求項17之液晶顯示面板,其中 前述反 以前述溝並不藉由一定之間距而遠螬 ^ ^ ^ , β ^ Π此向逯續一定條數以上戈 29. 方式,間距於連續之溝變化而形成前述溝。 如請求項Π线晶顯示面板,其中 123215-1010503.doc 1376555 前述2個基板中至少1個基板係 在前述絕緣基板上依序形成: 相位差板之配向膜,其係將面以高分子膜覆蓋, 面係往特定方向延長之溝反覆形成於與該特定方向正交 之方向者;及 ^ 由液晶所成之相位差板,而該液晶係往藉由前述相位 差板之配向膜而決定之方向配向者。3 0.如請求項17之液晶顯示面板,其中 設定為前述溝延長之方向在1個像素内或次像素内變 更0 3 1.如請求項30之液晶顯示面板,其中 以1個像素或次像素之中央為基準,前述溝於各方向 形成對稱形狀。 3 2. —種液晶顯示面板,其係將液晶保持於對向之2個基板 間者,其特徵為: 前述2個基板中至少1個基板係 在絕緣基板上依序形成: 相位差板之配向膜,其係將面以高分子膜覆,蓋,高分 子鏈於前述正交之方向一致,而該面係往特定方向延長 之溝反覆形成於與前述特定方向正交之方向者.及 由液晶所成之相位差板,而該液晶係往藉由前述相位 差板之配向膜而決定之方向配向者。 其係將液晶保持於對向之2個基板 3 3. —種液晶顯示面板, 間者,其特徵為: 123215-1010503.doc 前述2個基板中至少i個基板係 在絕緣基板上依序形成: 相位差板之配向膜,其係將面以高分子臈覆蓋,而該 面係往特定方向延長之溝反覆形成於與前述特定方向正 交之方向者;及 由液晶所成之相位差板,而該液晶係分子往前述正交 之方向配向者。 34. —種液晶顯示面板之製造方法,該液晶顯示面板係將液 晶保持於對向之2個基板間者,其製造方法之特徵為: 前述液晶顯示面板之製造方法包含: 溝加工步驟,其係在前述2個基板中至少1個基板上, 將前述丨個基板加工成製作配向膜之面的形狀成為溝形 狀,該溝形狀係往特定方向延長之溝反覆形成於與前述 特定方向正交之方向者;及 配向膜製作步驟,其係以高分子膜覆蓋前述溝形狀而 形成高分子鏈於前述正交之方向一致之前述配向臈; 前述溝係 橫切前述溝之方向的剖面形狀以溝之頂點為中心而形 成為非對稱形狀。 35. -種液晶顯示面板之製造方法該液晶顯示面板係將液 晶:持於對向之2個基板間者,其製造方法之特徵為: 前述液晶顯示面板之製造方法包含: 溝加工步驟’其係在前述2個基板中至少i個基板上, 將則述1個基板加工成製作配向膜之面的形狀成為溝形 I23215-I010503.doc 狀,該溝形狀係往特定 特定方向正交之方向者 方向 延長之溝反覆形成於與前述 ;及 配向膜製作步騍,甘办、_ /、係以鬲分子膜覆蓋前述溝形狀而 形成使刖述液晶分早Λ 子隹别述正交之方向配向之前述配向 膜; 前述溝係 橫切前述溝之方向的剖 成為非對稱形狀。 36. 面形狀以溝之頂點為中心而形 該液晶顯示面板係將液 製造方法之特徵為: 一種液晶顯示面板之製造方法, 晶保持於對向之2個基板間者,其 前述2個基板中至少丨個基板係 在透明基板上依序設置相 板; 位差板之配向膜、相位差 刖述液晶顯示面板之製造方法包含: 溝加工步驟,.其係將前述!個基板加工成製作前述配 向膜之面的形狀成為溝形狀,該溝形狀係往特定方向延 長之溝反覆形成於與前述特定方向正交之方向者; 配向膜製作步驟,其係以高分子膜覆蓋前述溝形狀而 形成高分子鍵於前述正交之方向一致的前述相位差板之 配向膜; 液晶配置步驟,其係將液晶配置於前述相位差板之配 向膜上;及 固化步驟,其係將前述液晶進行固化。 37. -種液晶顯示面板之製造方法,該液晶顯示面板係將液 123215-1010503.doc 丄376555 晶保持於對向之2個基板間者,其製造方法之特徵為 前述2個基板_至少丨個基板係 …’ 在透明基板上依序設置配向膜、相位差板; 前述液晶顯示面板之製造方法包含: 溝加工步驟’其孫將前述i個基板加工成製作前述配 向膜之面的形狀成為溝形狀,該溝形狀係往特定方向延 長之溝反覆形成於與前述特定方向正交之方向者; 配:膜製作步驟,其係以高分子膜覆蓋前述溝形狀而 形成前述相位差板之配向膜; 液晶配置步驟,其係在前述相位差板之配向膜上配置 分子往前述正交之方向配向之液晶;及 固化步驟,其係將前述液晶進行固化。 38· —種液晶顯示面板,其係將液晶保持於對向之2個基板 間者,其特徵為: 前述2個基板令至少1個基板係 製作配向膜之面的形狀形成為溝形狀,該溝形狀係往 特定方向延長之溝反覆形成於與前述特定方向正交之方 向者; 以同分子膜覆蓋前述溝形狀而形成高分子鏈於前述特 定之方向一致之前述配向膜; 前述溝係 &切别述溝之方向的剖面形狀以溝之頂點為中心而形 成為非對稱形狀。 39'種液晶顯示面板’其係將液晶保持於對向之2個基板 123215-1010503.doc 1376555 間者’其特徵為: 前述2個基板中至少1個基板係 製作配向膜.之面的形狀形成為溝形狀,該溝形狀係往 特定方向延長之溝反覆形成於與前述特定方向正交之方 向者; 以高分子膜覆蓋前述溝形狀而形成使前述液晶之分子 往前述特定之方向配向之前述配向膜; 前述溝係 ‘ 橫切前述溝之方向的剖面形壯婆 ^狀以溝之頂點為中心而形 成為非對稱形狀》I23215-1010503.doc ,11 -
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MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |