TWI376350B - High throughput thermally tempered microreactor devices and methods - Google Patents

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TWI376350B
TWI376350B TW096116577A TW96116577A TWI376350B TW I376350 B TWI376350 B TW I376350B TW 096116577 A TW096116577 A TW 096116577A TW 96116577 A TW96116577 A TW 96116577A TW I376350 B TWI376350 B TW I376350B
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Bieler Nikolaus
Claude Guermeur Celine
Lobet Olivier
Moreno Mixime
Roberge Dominique
Woehl Pierre
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Corning Inc
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    • Y10T436/25—Chemistry: analytical and immunological testing including sample preparation
    • Y10T436/2575—Volumetric liquid transfer

Description

1376350 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明一痛又係關於微反應器以及微流體裝置以及系統 ，通常裝置具有至少一個獨特尺寸約為數毫米或更小，以及 特別是高通量熱回火微反應器裝置及微流體裝置。 【先前技術】
目刖微反應器技術一項焦點為關於使用高的面積與體 積之比值於小的通道中-比一般原料反應器大十的1次或更 多次方-以在化學實驗室工作以及在化學處理過程及製造 過程提供多項優點。
具有高的面積與體積比值之裝置在小的體積内具有提 供高的熱量及質量轉移速率。十分熟知潛在優點包含(1) 經由較高生產量及純度之效率以及較高製造率，（2)經由顯 著地減小處理過程之體積而改善安全性，（3)達到新的處理 過程，新的反應作用，或新的反應方法，無其他方面易受影 響之因素因而可提供較大產量或其他優點。 不過在提供微反應器裝置及處理過程以達到高通量， 高產量’快速放熱或快速吸熱反應作用良好控制性能存在 一些挑戰工作’特別是在溫度靈敏性方面。快速放熱或快 速吸熱反應作用能夠快速地產生或吸收充份熱量以顯著地 改變反應劑溫度。彳既如所需要反應作用為特別地溫度靈敏 性，由反應作用產生或吸收之熱量通常導致不良或甚至於 為零生產量，此由於不良反應控制所致產生不想要或盔 控制之反應作用。 ‘ ' 第5 頁 在微反應器環境中維持局部莫耳比值等於或低於所需 °力於許纽麟用高度地對任何-種 過剩反應劑為靈敏的，該項反應劑局部堆積高於城作用 所需要莫耳比值會導致神要副侧或賴發生之反應作 用以及導致產量損失。 預期使用於溫度靈敏性快速放熱或快速吸熱反應作用 之微幻1'器裝置通常相對於其他微反應器裝置將提供具 有較小尺寸通道，例如大約⑽微米或更小以在通道内達 成非常高絲面與體積之比值。較高的面積與體積之比值 提供較快速熱量轉移，相對於較大尺寸之裝置通常能夠改 善反應控制以及產量。但是減小通道尺寸通常亦降低流量 ，特別是假如壓力降低保持為合理數值之情況。 作為補償作用或抵銷在微反應裝置中傾向減小通量之 方式’可採用11外部數量增加”或"内部數量增力σ»或兩者。 外部數量增加包含平行地放置多個分離之微反應器裝置， 使外部流體分配設備傳送流體至該裝置。内部數量增加包 括含有多個混合及/或反應槽平行地在微反應器裝置内。 在任何一個情況中，流量平衡變為關鍵的以及小的流量偏 差將產生局部不平衡莫耳比值而產生不良的反應控制。 數罝增加亦會是昂貴的。外部數量增加需要外部調整 控制糸統，其需要相當的費用。在内部數量增加以及被動 性外部流量分流之情況，甚至於流體通道小心設計以及嚴 格控制製造，在一般裝置中十分難以充份地達成流量平衡 。裝置經過一段使用時間後些微的化學或機械腐蝕將改變 1376350 ML里平衡以及產生莫耳比值改變其更進一步降低性能。 因而相對於沒有作數量增加情況或能夠達成較高流量而沒 有作數量増加情泥》裝置之使用壽命縮短，以及費用增加。 除此，對於—個反應作用或反應系統，被動性流量分配器設 • 计產生良好的流量平衡，然而對另一個反應作用或反應系 ' 統無法產生良好的性能。内部數量增加因而能夠縮小已知 裝置之應用範圍，其需要裝置數量增加或設計來解決已知 範圍之反應參數，使相關費用增加。， - 因而辑要微反應裝置以及方法特別地良好地適用於經 濟i妓可罪性土键成較高通量，生產量，（好控制快速放熱 或)·夬速吸熱魏之性能，及/或作為提供高程度啦^制局部 莫耳比值。 【發明内容】 發n微反應裝置具有至少-個流體通道 以熱學控制或鮮緩衝雜，以及具有包含主要入口及多 % 轉—人σ之主要工倾體通道。主要Mifit之斷面面 積通常在0. 25至100平方毫米細内，需要地在〇. 3至2〇平 - 方毫米，以及更需要触〇 5至6平方毫米範圍内。第二入 之間著主要流體通道的間距優先地至少為通道平均斷 面面積根義二倍，使得在域流麵道愤體流動具有 不可忽略時間及空間，使得任何流體在已知的第二入口流 入及到達T-第二入口之前在其中混合或縣混合及 反應或開始反應。 裝置亦包含至少-個第二工作流動通道，需要具有平 ^ 7 頁 均斷面面積在G. 25至IGG平方毫米_内需要在G 3至2〇 平方毫米，以及更需要在0. 5至6平方亳米。第二流體通道 具有入口及多個出口，其包含最終出口。每一出口血相對 駐要流親道多轉二人π之—為_連通的，使出口 及第二入π由最接近兩個通道切至離人口處最遠者絲 地配對。因而連續性地流入第二流體通道之流體有效地逐 漸地加入連續性地流入主要流體通道之流體内。 主要流體通道需要依序地在每一第二入口之間包含混 合區段及㈣時間H段。混合區段主要細通道需要包含 較狹窄較為胃曲之H段。停料辦段主要細通道需要 包含較寬廣較不彎曲之區段。較狹窄較·彎曲區段提供所需 ，之混合效果崎低-些壓力，然峨寬雜不彎曲區段 提供所需要之糾綱，喊力降低則、，在該過程中反應 作用，熱交換，或其他處理過程將進行或持續性地進行。較 狹窄較彎_段錢騎道巾需要包含鱗或轉彎，曲線 f轉彎位於超過-個平面巾。該三料曲型式之彎曲通道 提^改善混合’相對於全部在一個平面中具有轉彎或曲線 之％曲通道，纟鳄肖赋為經由财效地產生二次混合 。每—較狹窄較彎曲區段以及每-較寬廣 較不彎曲區段共有至少一個以及需要具有至少兩個共同壁 板，其具有触制流體通道，使得在每一較狹窄較彎曲區段 處及一較寬廣較小f曲區段處提供触制或熱交換。 沿著第二流體通道方向出口之間距需要距離至少為第 二流體通道平躺面積根狀人倍。鞠t冑之長度尺寸 與斷面尺寸的比值能夠在第二流動通道内可靠性輯成所 祐要之壓力降低。沿著第二通道朝向遠離入口之方向由第 二通道離開的出叫⑽離由—個出口至下—出σ為增加 的。此允终在第二流體通道内產生適當的額外壓力降低， 儘管當流體_連雜乡概_舰流量賴小。可加 β變化’ $^_道之斷面賴常朝向雜人σ之方向 減小以產生適當的壓力降低。 由於更進-步額外或其他方式提供適當的壓力降低或 在主要及第二流體it道之職封目匹配壓力，在朝向遠離 主要流體通道入口之方向主要流體通道之連續性多個彎曲 區段的斷面面積將增力0,或包含於每一多個彎曲區段之阻 隔尺寸由一個彎曲區段至下一區段將減小。需要採用這些 產生不同的壓力降低或管理降低壓力特性，使得主要以及 第二流體通道相對彼此平衡，其中以第一流量流入主要流 體通道之第一工作流體以及以第二流量流入第二流體通道 之第二工作流體將只在主要流體通道中混合以及通常並 不在第二流體通道中混合。 依據本發明一項實施例，連續性多個彎曲區段可基於 異於壓力降低理由彼此可加以變化。藉由改變設計及/或 多個彎曲區段之長度，在該每一區段處混合效率在需要時 可加以變化。壓力平衡再次地可藉由第二流體通道之互 補性設計最佳化。 依據本發明一項實施例，主要流體通道，一個或多個 第二流體通道，以及至少一個熱學控制流體通道全部包含 於單一整體物體中。物體需要由玻璃或玻璃陶瓷所構成， 但是亦可使用其他材料例如陶瓷，金屬及塑膠所構成。
在另一實施例中，主要流體通道以及至少一個熱控制 心體通道包含於第一整體物體内以及第二流體通道包含 於第二整體物體内，由第二流體通道之出口經由一條多路 匕或多個各別流體賴合配件耦合至主要流體通道之第二入 口。在該實施例中，第二單體物體可包含第二或額外熱控 制流體通道，其可由第一整體物體中至少一條熱控制流體 通道分離地供應或加以控制。
所產生裝置達成較大熱控制以及較高通量，比現存或 先剞提出微流體裝置更經濟。由於上述簡單說明裳置及方 法特性，在裝置中進行反應或混合之處理過程沿著主要流 體通道串連地分佈，而非在非常小的斷面面積通道中以大 塁平行地進行，如同一般數量增加之裝置。較嚴密熱控制 達成而不需要減小通道尺寸以及相關平行性需求以克服較 低通量。由於數量增加需求減緩，外部數量增加之精密果 之費用減為最低，以及可避免一般在内部數量增加發生不 良控制流體平衡之機會及費用。 相對於採用平行數量增加(或甚至於採用單一整體混 合器)之微流體裝置亦可提昇熱控制，因為本發明串連構造 不可避免地產生較低絕熱溫度提高（或降低)甚至於超過最 微細區分平行反應設計。此係由於在該型式裝置中已知一 個混合器由於反應產生之能量(或消耗)擴散於整個較大流 體質量超過平行數量增加反應器或整體反應器，由於整個 第丨〇 頁 主要通道反應劑流動存在於每一瓦^點處。假設在主要及 第一通道中桃里或熱流量為相等例如相等地區分為由四 個第二通道出口流出之流量，在本發明裝置中第-會合或 混合器位置處(其中總流量為最小處)絕熱溫度底線只 疋相同平行分流混合II結構之絕熱溫度變化的2/5。假如 在主要流體贼帽—量大料二通道叙，本發明之 優點只會增加。例如，主要通道與第二通道熱流量比值為 2.1’在本發明第二通道具有四個出口之裝置中在第一混合 或會合點處絕熱溫度變化只是平行或整體混合器之ι/3。 依據本_，各職體分狀細分姑獅於-個 或多個第二流體通道中但是並不採用於主要流體通道中 除此，在第二流體通道巾流體分流與傳統内部(或外部） 數量增加之航應H為關的赋。在細的壓力及流量 下並不使用許多平行流動，使用不同壓力下由第二流體通 分流或丨C7。使肖通道特獅彳如為次通道長 度以在每一連續性出口處提供較健力該長度沿著通道 由個出口至下一出口改變。因而所導力降低與相關 主要流體通道中流體壓力降低相匹軋因而保證在主要流 體通道中流體並不會離開通道，以及混合及/或反應處理過 程實質上全部發生社要雜通道巾以及而並不在第二流 體通道中發生。 連續性串連混合或加入一種反應劑至另一由本發明所 提供反應劑中亦改善局部莫耳比值控制優於先前類似通量 μ之微反應ϋ結構。由於^越通如姆於總流量 1376350 較小數董地加入，第二流體反應劑有效地加入至主要流體 反應劑及該反應劑任何局部過量累積之機率將減為最低。 - 除此’與先前微反應器裝置一般平行數量增加方式作 • 比較，在本發明裝置中第二通道不同分束流動間存在或產 • 生之流體不平衡並非關鍵性能。先前裝置之平行特性導致 兩種或全部流入反應劑流體之流動分流的需求，使得在一 個反應劑通道中不平衡通常直接地在微反應器裝置中至少 一個位置處導致過高莫耳比值之條件。該不平衡亦會結合 、不平衡，麟料小的不平_:有非f大的影響，特別 .是在較靈敏反應作用中。 在本發明中，加以比較，對於一種或多種反應劑莫耳比 值等於或低於目標值情況下表現良好之大數目反應表現 ^好反應作用之適當條件通常能夠立即地加以維持而不受 第二流體通道中流量變化影響。只要壓力平衡為適當的以 限制流入主要通道之反應劑於該通道中，以及只要在主要 % 入叹流動為所需要莫耳比值或甚至於麵表 ’由第二财私线顿之斜触量無絲生不利之 - =大莫耳比值件。絲是敎的，可 應性能。 里兀j人 钚日：如第二流體通道提供於第二整體物體内，如依據本 二里—實施例’多個交替第二整體物體可供應作為本發 二j或系統之部份。多個交替第二整體物體至少一些第 —倾乡辦際參雜化絲二整體物 固或多個其他物理參數不同，使得適—力平衡能 < S ) 第12 頁 1376350 夠維持於廣泛範圍之反應劑或工作流體種類以及流動其 藉由由一個第二流體通道切換至另一第二流體通道。一方 面其將避免多個精密泵之費用，另一方面對於單一反應或 反應種類只花用内部流動分流最佳化之微反應器裝置的費 用。相反地^閉卓外部組件能夠以數個可相互交換型式提 供以處理串列流動分流以及對廣泛種類反應劑或工作流體 種類及流量之壓力管控。雖然在不同的操作條件下需要最 高彈性，不過多個泵或其他可變化外部控制當然為最需要 的以及為最經濟之解決方式。 本發明另外一項為第二物體本身，其形成歧管裝置包 含至少一個工作流體通道(相當於其他實施例第二工作流 體通道)，其具有平均斷面面積在〇 25至1〇〇平方微米範圍 内，該工作流體通道具有入口於其第-端部處連通裳置外 部以及多個丨D處，總共至少三辦連地沿著其長度位於 相隔之位置處，其亦連通裝置之外部。在工作通道端部處 包含最終出口之多個較大出口在第二及第三出口之間而大 於在第-與第二出口間之情況，其通道以一種或多種之長 度，斷面面積，流動限制器數目以及由一個出口至下一出口 流動限制H之尺寸碰化，使得在已知固定流量及黏滞係 數下兒作標準化之壓力降低為較大。 1 在本發明另一項中，所提供微反應器裝置包含至少一 個熱控制流體通道以及主要工作流體通道，其平均斷ς面 積在〇. 25至100平方毫米範圍内，主要流體通道且有主要入 口以及多轉二人口串連地沿著其長度位於她位置處， 2要及第二入口與裝置之外部連通。帛二入口間之間距沿 著主要流體通道之長度至少為主要流體通道平均斷面面積 兩倍。主要流體通道包含混合區段以及停留 轉―⑽。絲區财技魏魏 ::狹窄較彎曲的區段以及停留區段需要較寬廣較不彎曲的 - 區段。在依據本發明該項裝置中，並無第二通道提供於裝 置内。在此所揭示供應流體裝置例如為各別泵或系列歧管 、 可由使用者選擇性加贿用。此允許依據_串連數目增 加混合器以混合兩種反應劑之方法作改變。例如，第二反 應劑所使用入口小於第二入口總數情況，額外的第二入口 可使用作為其他用途例如為供應其他流體例如化學或熱驟 冷流體於第二反細供料之間，或例如供應其他反應劑以 作為其他種類的反應。 在本發明裝置另一項變化中，超過—組第二入口可提 供至主要流體通道内，使得兩種不同的流體可沿著主要通 % 道在多點處加入。該裝置可包含或不包含一個或多個整體 第二流體通道以供應各組多個第二入口。 通吊’本發明裝置糟由保持相對於類似熱控制能力之 微流體裝置的相當大斷面面積，本發明裝置亦提供減小塞 住及阻塞傾向之可能。 本發明其他特性及優點將揭示於下列詳細說明中，熟 知此技術者可由該說明立即地了解部份，或藉由實施下列 詳細說明，申凊專利範圍以及附圖之内容而明瞭。 人們了解本發明之先前一般說明及下列詳細說明在於 第14 頁 提供概念或架構以了解申請專利範圍界定出本發明之原理 及特性。所包含晒在於提供更進一步了解本發明以及 在此加入作為發明酬書之—雜。_顯和本發明不 同的實施例及隨同詳細說明以解釋本發明mm 【實施方式】 圖1為本發明微流體裝置4 —項實施例之示意性地斷面 圖。圖1某種程度_示出目前本公司所使用優先製造方 法以實施依縣拥找置，喊树不會受隱該 方法形成之裝置。 从依據這些方法，微流體裝置之壁板藉由成形玻璃料例 如藉由鑄造於玻璃級上而形成。所形成結構猶後被堆疊 二及燒結在一起以形成一件式或整體裝置。為了更進一步 說明該型式製造方法例如可參閱本公司之細第趣 號專利。該;Jr法顯示於圖中，其中玻璃或其他適當材料之 基板10, 20,30,40,50,及60均與一組多層壁板結構15, 25， 35,45, 55’及65結合。為了製造裝置相對應壁板結構形成 於相對應餘上，而後將具有級在上面之絲加以堆疊 及$結在-起，其職單—結構6，裝置4由該結構所構成。 /主^兩個壁板結構35及45位於基板3〇及4〇間之空間中。圖 1實施例找置襲找六個絲及六健板結翻始地 形成於其中，壁板結構35及45彼此靠在一起以及燒結在一 起於最終裝置_。 在圖1中，壁板結構表示為斷面(具有斷面斜線)以代表 壁板，其區分一個或多個所顯示流體通道於圖之平面内，例 0由以黑色箭頭9〇表示之主要流體通道A區分以白 ==80表禾之胁制流體通道ς或作為界定裝置外側邊 板，例如為壁板75。壁板結構以陰影表示，例如壁板 為背景以及並不區分所顯*之通道，至少並不在所顯示 平面内。當壁板為背景時，使用箭頭例如為箭頭100以代表 该情況。絲騎蚊雜關-條_频碰不會作 為限制另聰^，所顯示箭頭例如為箭頭⑽通過結構後面 以顯示出流動路控。尺寸及主要空間關係只作為容易顯示 以及並不細比例。為了容躺示，其巾觸示斷面及路 徑亦加以簡化。 ,如上述所說明，圖1中所表示實施例包含熱控制或熱緩 m體之道ς流·向通常以自色箭頭8G表示。流 體通道C包含入口 82及出口 84，以及在裝置4内被區分為兩 層’第一層在基板20及30之間以及第二層在基板4〇及5〇之 間°通過各別基板之洞孔86及88允許流體通道c中流體到 達第一及第二層。作為所顯示實施例之變化，可採用流體 通道C之第三或第三及第四層使第三層在所顯示所有層最 上面或在所顯示所有層最下面以及假如存在第四層則在另 一最遠處。 在圖1所顯示本發明實施例亦包含主要流體通道A，由 黑色箭頭90表示。主要流體通道a包含主要入口 92,通道直 接地移動通過基板1〇, 2〇,及30以及進入基板30及40間之空 間。主要流體通道A更進一步包含額外入口或”第二"入口 (顯示出兩個）。 第16 頁 ^76350 主要流體通道A之斷面面積通常在〇 25至loo平方毫米 範圍内，需要秘0.3至20平方毫米細内，以及更需要地 在〇. 5至6平方毫米範圍内。在連續性第二入口 94間沿著主 要流體通道Α之間距優先地至少為通道平均斷面面積根號 之兩倍，使得在主要流體通道中流體流動具有不可忽視時 間及空間，在其中在已知第二入口處進入之任何流體於達
到下一第二入口之前進行混合或開始混合及/或反應或開 始反應。
在連續性第二入口 94之間，以及在最後該入口 94後，主 要路徑依序地由離開入口 92之方向包含較為狹窄較彎曲區 段130型式之混合區段(部份藉由包含壁板132及134於壁板 結構45及35内），以及較為寬廣較不彎曲區段14〇型式之停 留區段，在該實施例中位於基板5〇及6〇間之空間中以及藉 由洞孔145通過基板40及50。較為狹窄較為彎曲區段13〇構 成混合區段，在相同的壓力降低情況下具有所需要之混合 效果。雖然較為狹窄較彎曲區段相信為優先的，作為替代 該較為狹窄較彎曲區段，混合區段可由具有圖案化底板或 壁板之通道區段形成，例如排列成產生混合作用之圖案。 為較為寬廣較不彎曲區段14〇型式之停留時間區段有效地 提供一些所需要停留時間，在反應，熱交換，或其他處理過 程進行或持續進行過程中產生最小壓力降低。對於較為 寬廣較不彎曲區段140通常需要充份體積使得反應及熱調 節具有時間以在到達下一更彎曲區段13〇之前發生。穿過 不同的各別基板之洞孔98在其下游端部處形成主要流體 第17 頁 1376350 通道A之出口。 如圖1所示，通道Λ每一較為彎曲區段丨3〇及每—較為寬 廣較不彎曲區段140與熱控制流體通道c共用共同的壁板，免 每一區段130基板40為通道c共用壁板，然而每—區段14〇基 板為通道C共用基板。該排列在主要通道a之每—較彎曲區 段130及每-較寬廣較不彎曲區段14〇處提供直接_制或 熱交換。 圖1實施例之裝置亦包含第二工作流體通道B，具有流 動路徑通常以較淡灰色箭頭100表示，以及需要地具有斷面 面積在0. 25至100平方毫米範圍内，較需要地在〇 3至2〇平 方毫米範圍内，最需要地在0.5至6平方毫米範圍内。第二 流體通道B具有入口 1〇2及多個出口 1〇4,其包含最終出口 106。每一出口與相對應主要流體通道A多個第二入口 1〇4 之一為流體逹通的，並使出口與第二入口由兩個通道最靠 近入口 92,102至其最遠者依序地配對。 第二流體通道B在連續性出口 1〇4間相對於通道斷面尺 寸需要具有相當高的長度尺寸。此允許所需要壓力降低數 里重現性地及一致地在第二流體通道|^内產生◊雖然並不 顯π於圖1中，其中只有兩個出口 1〇4顯示出，在出口 1〇4間 由個出口至下一出口在朝向遠離入口 102之方向沿著第 二通道Β離第二通道之距離需要增加。此允許適當的額外 壓力降低產生於連續性出口 1〇4間之第二流體通道β内儘 官當流體軸it續性彡彳_ π 1()4糊之流餅低。換言 之’沿著第二工作流體通道對已知的流量及黏滯係數標準 (S ) 第18 頁 1376350 化之壓力降低在連續性配對出口之間在朝著遠離入口之方 向為增加的。可加以變化，第二流體通道1〇4之斷面面積通 常在朝著遠離入口 102之方向為減小的以提供適當的壓力 . 降低。 • 作為更進一步額外或其他提供適當壓力降低或主要與 第二流體通道A及B間之壓力相匹配的方式，主要流體通道 連續性多個彎曲區段130在遠離主要流體通道Α入口 92之方 向增加平均斷面直徑，或包含於每一較為彎曲區段内例如 共同作用壁板132及134或類似元件之阻隔物尺寸由__ 、#曲區段130至下-區段將減小。這些不同的產生壓力降 低或管理壓力降低特性需要加以採用，使得主要及第二流 體通道Α及Β相對彼此保持平衡，其中第一工作流體以第一 流置進入主要流體通道以及巾第：卫作流體以第二流量進 入主要流體贼，力碰體卩社賊體财巾混合，以及 通常並不會在第二流體通道中混合。 依據圖1所顯示拇明實施例，主要流體通道A，第二流 體通道B，以及熱控制流體通道c全部包含於單一整體物體6 %内。物體6需要由玻璃，玻璃触，_麟構成以及以上 摘朗及參封式製如。触6柯由其蹄料 例如金屬或娜形成。作為另—實施例，物體6可為非整體 性’即為了修理或清理可加以拆除。 圖2為本發明微反應器裝置或系統4之另-實施例示意 斷面圖裝置或系統包含兩個為第一整體物體6以及第 二整體物體8型式之單件式，其由流體耦合配件15〇加以耦 第19 頁 i37635° 合。在圖2另-實施例之裝置或系統中，主要流體通道八以 及至少一個熱控制流體之通道C包含於第一整體物體6中 以及第二流體通道B包含於第二整體物體8中第二流體通道 B之出口 104藉由各別流體耦合配件15〇耦合至主要流體通 道A之第二入口 94。作為圖2實施例之變化亦可採用單一 流體耦合配件，耦合g己件具有多個通道相對應於流體配件 150 〇 本發明主要流體通道與一個或多個第二流體通道間特 ^ 定關係，以及本發明其他項目特性可藉由參考附圖4-7示咅、 圖而了解。圖4為示意圖，其顯示出一項實施例類似於圖i 及2所顯示實施•例，其顯示出主要流體通道A與一個第二流 體通道B間之關係。 參考圖4,主要流體通道A以較低水平線表示，由入口骀 至出口 98。多個第二入口 94沿著主要通道a串連地分隔。 沿著主要通道A，在連續性第二入口 94之間以及最後出口 94 與出口 98之間，沿著朝向遠離入口 92之方向依序地放置通 ’ 道A之較為狹窄較彎曲區段130(由有銳角之鑛絲表示）以 及通道A之較為寬廣較不彎曲區段14〇(由寬廣彎曲線表示） 。第二通道B由上側水平線表示，由入口 1〇2至最終出口 1〇6 。\/支終出口 106之多個出口 104串連地沿著通道8配置 。第三通道B出口 1〇4與主要通道A各別第二入口 94為流體 連通的。 在該實施例中，第二通道B延伸長度區段16〇型式之管 理壓力元件位於每一連續性出口 1〇4之間。由密集彎曲線 第20 頁 1376350 代表之延伸長度區段160冑要具有相#大的長度與斷面積 地產生所需要的壓力降低。如該圖 所示，在遠離入口 102方向沿著第二流體通道Β之多個出口 104間的距離需要由每一連續性出口 1〇4至下一出口逐漸地 增加，因而允許每一連續性出口相對先前出口減小壓力以 與每一相對第二入口 94處之主要通道a中壓力相匹配。
本發明壓力平衡有助於確保進入通道A流體與進入通 道6流體之任何混合或反應作用只發生於通道a中。沿著第 二流體通道B增加連續性多個出口 1〇4間之距離以平衡壓力 具有優點優於製造誤差被緩和之其他情況，因為對於已知 的流里及黏滯係數標準化之壓力降低主要地決定於相當長 流體路徑長度，以及相對於該長度，任何長度之製造變化通 常為相當小。如上述所說明，該壓力平衡可藉由其他方式 例如在朝向遠離入口 102的方向通道B之寬度或斷面減小， 以及在通道A結構内全部地或部份地達成變化。
圖5示意圖顯示出圖3中所顯示型式裝置4之流動路徑 之單元，其中主要流體通道A具有多個第二入口 94直接地可 由裝置4外部進入。在依據本發明一項方法中，第一反應劑 能夠流入入口處裝置到達通道A，同時第二反應劑可流入每 一多個第二入口 94。在第二入口 94並非全部作為第二反應 劑使用情況下，部份入口可使用作為其他用途例如加入其 他反應劑作為多步驟反應或在加入反應劑之間作為加入熱 學或化學驟冷劑。 本發明其他實施例示意性地顯示於圖6中。圖6實施例 第21 頁 相對於圖4實施例為增加額外第二流體通道D。類似於第二 通道B，額外第二通道D具有入口 172,以及多個出口 174，包 含最終出口 176。圖5實施例亦包含額外進入主要流體通道 A之第二入口 96。其各別地與額外第二流體通道d之多個出 口 174為流體相通的。 可採用額外的第二流體通道D以加入額外的反應劑流 體或工作流脫其包含異於反應劑之工作流體例如為進入 主要通道A之加熱或驟冷劑，或其他流體。在該實施例中， 額外的第二入口 96位於通道A各別較為狹窄較彎曲區段13〇 中間，其允許在部份混合後但是在已知較彎曲區段13〇端部 相關減小混合作用之前由通道D加入流體亦可選擇其他位 置。第二通道B或D或兩者可由主要通道A該區段包含於分 #^體物體内’藉由如同圖2實施例中流體配件輕合或 可任一或兩者整體形成於包含主要通道A之單一整體物體 内，如同圖1實施例中情況。 本發明另一實施例示意性地顯示於圖7中。在圖7實施 例中’主要流體通道A之一個或多個較狹窄較彎曲區段與主 要流體通道A之一個或多個其他較狹窄較彎曲區段不同。 4所顯示實蝴1Μ較為狹雜彎曲區段130a而 短於較為狹窄較彎曲區段⑽，及較為狹窄較彎曲區段· t於較為狹窄較彎曲區段13〇。該變化能夠使本發明裝置 k供不同型式或程度之混合例如快速及相當緩慢之混合， 例如在主要流體通道A及第二流體通道B不同的會合點處。 在通道A較寬廣較不彎曲區段14〇亦可採用變化，例如圖中 所顯示通道A之另-較長區段14〇a，以及在第二通道B内可 提供相狀變化以產生所需要之壓力平衡，使得反應作用 發生於通遏A中發生，而不在通道B中發生。混合型式或混 合速度及停留時間長度能夠對特定城作用例如多個階段
，多個元件反應作用特別設計。例如圖6實施例，主要通道A 及第二通道B可包含於單一整體物體内或外圍於各別獨立 整體物體内。 圖8顯示出本發明微反應器裝置4之另一實施例示意性 斷面。在圖8另一實施例之裝置4中主要流體通道八以及熱 控制流體至少一條通道C包含於第一整體物體6内以及第、 二流體通道B與熱控制流體之額外通道E共同地包含於第二 整體物體8内。第二流體通道b之出口 1〇4經由多個獨立輕 合配件150耦合至主要流體通道A之第二入口 94。如圖2實 施例中，假如需要情況下亦可採用具有多個通道之單一流 體耦合配件。圖8實施例允許反應劑在第二流體通道b中預 先加熱或預先冷卻，以及甚至於在需要情況下允許保持進 入通過第二通道之反應劑溫度不同於進入通過主要入口到 達通道A之反應劑溫度。 圖9-13為使用來形成圖2整體物體6另一實施例之壁板 結構或類似結構的不同平面圖。圖9-13,以及14及15中外 形相對尺寸通常依據内部一致比例，及以大約1:1顯示出。 圖9為壁板結構25例如如圖2所顯示初始形成於基板 上。圖9中所顯示壁板結構包含界定出裝置外側壁板之壁 板結構75,提供支撐及強度之壁板結構76,以及可作為導引 第23 頁 範例中所顯示相關流體，以及作為限制流體以及將流體通 過壁板界定出層之壁板結構78。在相對應基板20中洞孔位 置顯示為大的黑色洞孔。部份洞孔通過相關流體經由壁板 結構25所形成之層。這些洞孔包含到達通道A之主要入口 92’到達通道人之第二入口 94，以及構成通道人出口之洞孔98 。洞孔86及88提供進出由壁板結構25界定出之層，其形成 部份熱控制流體通道c。支樓壁板結構76由洞孔部及88伸 出以導引熱控制流體於層内成為某種程度之均勻流動圖案。 圖10為壁板結構35之平面圖，壁板結構初始形成於圖2 所”、、員示基板20上。在圖1〇中所顯示壁板結構邪包含界定出 裝置外側壁板之壁板結構75,提供支標及強度之壁板結構 76’作為限制流體及導引流體於壁板結構％界定出之層内 的壁板結構76,以及作為限制流體以及將流體通過壁板35 界定出之層的壁板結構78。在相關基板3〇中洞孔亦顯示出 同孔通過相關流體流經層，這些洞孔包含為通道c部份之 洞孔86及88,以及形成通道A出口部份之洞孔％。提供進出 35界疋出（以及部份由顯示於底下壁板結構奶 界定出，因為其彼此鄰接如圖2所示)層之洞孔包含到達通 2之主要人口 92以及到^之多轉二人口 94,在該情況 〜共為4個。圖10中所顯示壁板結構35界定出通道a之部 份較為狹窄較彎曲區段13〇為系列_空腔在圖中為垂直 f向°作為部份壁板結構35,每一該空腔在每一端部亦包 ^為物136形式之轉。雜結構35亦界⑽通道A部 純寬廣較不彎曲區段14〇，在_3實施僧位於絲4〇 第24 頁 1376350 與50之間以及基板50與60之間。 圖11為壁板結構45之平面圖，其初始地形成於圖2所顯 示之基板40上。在圖11所顯示之壁板結構45包含作為與圖 10所顯示之相同一般功能的壁板結構。亦顯示出相對應基 ' 板40中之洞孔。洞孔通過相關流體流經層，這些洞孔包含 為通道C部份之洞孔86及88,以及形成通道A出口部份之洞 孔98。洞孔提供作為由壁板結構45(以及顯示於圖1〇中壁 板結構35)界定出之層的出口及再進入以及形成通道A之部 、 份較寬廣較不彎曲區段140。在® 10中所顯示壁板結構45 界定出通道A之部份較為狹窄較彎曲區段丨3〇作為一系列卵 形空腔，其在圖中為水平指向。作為部份壁板結構45，每一 該空腔在每一端部亦包含為柱狀物136型式之阻隔物。壁 板結構45亦界定出通道a通達洞孔145之部份較寬廣較不彎 曲區段140。 如圖8及9所示，由壁板結構35及45界定出通道A之每一 、 較為狹窄較彎曲區段130在通道中提供一系列曲線或轉彎， 其包含向下彎曲(進入圖之平面内）進入圖u之印形空腔以 及向上(離開圖之平面）進入目1〇㈣空腔以及向左以及 向右沿著圖11之印形空腔，以及向下沿著晒之平面並沿 著圖10之_空腔。這些在通道A中轉彎或曲線有效地位 於至少賴平面巾，錢因而為三維彎_及在通道内流 動峨體内提供有效產生第二流動。與其他微混合器設計比 較，其只需非常小的壓力降低❿能夠達成快速及完全的混 合0 第 25 頁 1376350 圖12為壁板結構55之平面圖該壁板結構為初始地形 成於圖2所顯不触5〇上。在相對應紐55中之洞孔位置 亦顯不出。洞孔145單躺通過相關流體流經壁板結構防 所形成之層。通過絲4〇以及顯示於圖j i之洞孔部及88提 供進出圖12令壁板結構55所界定出之層，該層形成部份熱 • 控繼體通道並不需要通過級以及顯示於圖12中之 洞孔86a及88a，但是其為構成另一實施例之選擇性洞孔，在 其中額外的熱控制層可加入於圖2所顯示之層底下，或其中 ' 進人紐概麵道c可細2觸示裝置;Tf而非由上面 提供。 圖13為壁板結構65之平面圖，該壁板結構為初始地形 成於圖2所顯示級6〇上。在圖13所顯示壁板結構65界定 出通道A之額外部份較寬廣較不彎曲區段140。如圖中可看 到，四個該部份包含於由壁板結構65界定出之層内。進出 這些部份由通過練40及50之洞孔145提供其位置顯示於 ^ 圖9及10中，以及由該最後部份之出口由通過每一基板20， 30,40及50之洞孔98提供，如圖2及7—1〇所顯示。分佈通道a 之較寬廣較不彎曲區段14〇在圖2所顯示種類裝置内兩層之 間，其在較寬廣較不彎曲區段14〇魄供較大體積，同時保 持較小的整體裝置尺寸。較大體積允許通達通道A的連續 性入口 92間之合理較長停留時間，使得在達到下一入口 94 之前反應作用能夠完全進行以及熱量移除或加入為所需要 情況。 圖14為壁板結構15a之平面圖，該壁板結構為初始地形 (S ) 第26 頁 1376350
ί圓8所顯示編G上。壁板結構15a界定出如圖2 及/tH猶B之實細，其構成_連岐管之内部通道 峨用於本發财。在械紐1G巾洞硫置顯示為黑色 圓=。通過級15a之洞孔提供通道B之出口，其包含通道b 之最後出P 106。進入通道3之入口 1〇2由通過圖2及6所顯 不^ 11之洞孔提供於圖14所示位置1〇2處。如圖μ所示， 沿著第二流體通道B在連續性多個出口間炫触朝著遠， 離第二流體通道B人口健1G3以及朝著最後出口 之方 向由每-連續性出口 1〇4至下—出口為增加的。提供至連 續性出口 104之連續性較長通道部份在每一出口處提供增 加之壓力降低(對已知的流量及黏滯係數標準化)，其允許 流體平衡使得在主要通道A巾聽.來自第二通道6反應 劑之接觸只在主要通道A内發生。 〜 圖15為壁板結構15a另一實施例之平面圖。該實施例 類似於圖14之情況，除了入口位置103不同以及通道長度 為較長，寬度為較小，以及由一個出口 1〇4至下一出口之長 度為較大而大於圖14情況。依據圖15串連歧管能夠在連續 性歧管出口 104處提供較大的壓力降低，大於相同條件下圖Λ 14之情況。因而圖15之實施例對歧管中較低黏滞係數及/ 或較低流量作最佳化優於圖14之實施例。假如串連歧管並 非永久性地固定至裝置如圖1所示，而可由其中移除如圖2 及圖8所示，能夠使用一些標準化歧管以含蓋可能操作條件 之合理寬廣範圍，因而提供彈性同時仍然節省許多需要用 來操作反應器系之費用。如圖14所示，在圖2實施例中並不 第27頁 板及89’但疋目别提供出入至藉由圖8實施例中壁 構17界定出之層，其中壁板結構17界定出紐制通道£ =二整體物體8内。壁板結構17需要類似於圖9之壁板結 構。5以及圖12之壁板結構55。 在本發明上騎說明不同實施例中，在本發明裝置或 hum切麵料地沿著主 要流體通道分佈，而非在非常小斷面積通道中以平行方式 進行，如同内部數量增加之裝置。達成較嚴格熱控制而i 2要減小通道尺相及_平行性絲以克服朝向較低通 置之傾向。只在-個或多個第二流體通道中而並不在主要 流體通道中使用串連而非平行流動分流器。此允許反應劑 理想莫耳比值總是由相同-側接近，❿沒有在不想要比值 下操作之流體不平衡之風險。除此，相對於為單一會合點 之/比5器，在母一會合點處反應劑較少量增力〇確保增加反 應劑之局部過度莫耳比值的增加為不可能發生的，只要改 善莫耳比值控制。 相對於使用平行數目增加之微反應裝置(或甚至於採 用單一整體混合器)，熱控制亦被提昇，因為本發明串連構 造導致較低絕熱溫度上昇（或較低減小)低於最微細區分平 行反應设S十。此亦因為在目前型式反應裝置中在某一混合 器處由反應作用產生(或消耗)之能量分佈於整個較大流體 質量而非在平行數量增加反應器或整體反應器中，由於通 道A全部反應劑流體存在於每一反應作用點處。假設通道a 及B中相同的流動及熱流動，以及由通道b四個出口流出相 同區分流動，在本發明裝置中第一混合器位置處(總流量為 最小處)底線絕熱性溫度變化只是相同分流平行混合器結 構之絕熱溫度變化之2/5。假如在通道A中總熱流量為較大 而大於通道B，則目前構造之優點只會增加。例如，當通道a 熱洲_畺與通道B情況之比值為2:1，則在本發明具有四個出 口 104之裝置中在第一混合點處絕熱性溫度變化只有平行 或整體混合器之1/3。 月匕夠文益於本發明微反應裝置特別是莫耳比值控制之 反應作用範例包含溴化作用， CH3 Br H3C-C-CH=CH2 + Br2 -► H3C-C-CH-CH2
Clk 0¾ Br Ϊ此顯示出3, 3 4基丁+狀戲湖。飯麟用可 藉由从、力σ 78 C >貞’在氣仿巾溶液至了烯在氯仿巾溶液進行 :無論何時演為超過所需要之莫耳比值，其他異於雙鍵功 生，—觸嶋下淋想要之產物將形 成： 9H3 Br H3c~c-ch-ch2 CHgBr Br 反應作用例如輯基笨甲酸氣化物與麵三 =氣基虱化物之還原作用亦能夠得到受益。在乙财 物在二甘醇二情中··此夠加入至，苯酿氣化 第29 頁 工376350
N〇2 0 丫 ci
LifHAl(〇/Bu)3] N〇2 假如有任何局部過多氫化物，將發生不想要亞硝基更進— 步還原為胺基，或盤類還原為醇類之結果。
本發明亦可使用於酯化作用，例如兒茶酚與苯甲醯氣 之反應作用：
笨曱酿氯可加入室溫兒茶酚與碳酸鈉水溶液中。需要 嚴格的控制局部莫耳比值，因為苯甲醯氯之高局部濃度將 導致較多二酯類形成。 【圖式簡單說明】 第-圖為本發明微流體裝置一項實施例之示意性斷面 圖。 第二圖為本發明微流體裝置或紐另—實施例之示音 性斷面圖。 第三圖為本發明微流體駿另―實施例之示意性斷面 圖。 細圖為示意圖’其顯示出存在於本發明特定實施例 中特定流體元件之關係。 ' *五圖為示意亂其顯示出存在於本發明特定其他實 頁 第30 施例中特定流體元件之關係。 第六圖為示意圖，其仍顯示出存在於本發明特定其他 實施例中特定流體元件之關係。 第七圖為示意圖，其仍顯示出存在於本發明特定其他 實施例中特定流體元件之關係。 第八圖為本發明微流體裝置或系統另一實施例之示意 性斷面圖。 第九圖至第十三圖為壁板結構之平面圖，其可形成第 .圖或類似結構整體物體6之實施例。 第十四圖為壁板結構之平面圖，其可形成第二圖第 整體物體8之實施例部份。 第十五圖為另-壁板結構之平面圖，其可形成第 第二整體物體8之實施例部份。 附圖元件符號說明： 裝置4;單-結構6;整體物體8;級1〇11，12 30,40, 50, 60;壁板結構 15,15a，17,25,35,45,55 65 · ’， 70, 75;壁板結構76, 77, 78;白色箭頭80;乂口 82;出，板 84;洞孔86’86a，87,88,88a，89;黑色箭頭9〇;主要入= 92;第二入口 94;第二入口 96;洞孔98;箭頭1〇〇·入: 102,103;出口 104;最終出口 1〇6;壁板11〇;箭頭 合區段130;壁板132,134;柱狀物136;停留區段；混 孔145，·流體搞合配件150;延伸長度區段16〇.入口 ，洞 出口 174’·最終出口 176;延伸長度區段18〇。 172; 第3丨頁

Claims (1)

  1. 公告本I 十、申請專利範圍： 1. 一種整體微反應裝置，其包含： 至少一個熱控制流體通道； 主要工作流體通道，其具有平均斷面面積在〇. 25至100 平方毫米範圍内，該主要流體通道具有主要入口在其第一 端部處與裝置之外部連通，以及具有多個第二入口沿著其 長度串連地位於相隔之位置處，沿著主要流體通道第二入 口間之間距長度至少為通道平均斷面面積根號的二倍； 至少一個第二工作流體通道，其具有平均斷面面積在 〇· 25至1〇〇平方毫米範圍内該第二流體通道具有主要入 口在其第一端部處以及多個出口沿著其長度串連地位於 相隔之位置處，該多個出口包含最終出口位於其端部處， 每一出口與主要流體通道多個第二入口對應一個流體連 通，該對應依序地由最靠近主要以及第二流體通道各別第 一端部之出口及入口至其最遠入口及出口加以建立； 其中主要流體通道在朝向遠離主要流體通道之第一端 部的方向在多個第二人口之間依序地包含第—混合區段 以及第二停留時間區段；以及混合區段包含較為狹窄較彎 曲區段以及停㈣_段包含較寬廣較柯曲區段。 2. 依據申請專利範圍第1項之裝置，其中沿著第二流體通 道在連續性多個出口間之距離，在遠朝向離第二流體通道 入口之方向，由每-連續性出σ至下_出σ為增加的。 3. 依據申請專利範圍第1或2項之裝置，其中第二流體通 道之斷面面積在朝向遠離其人口之方向為減小的。 第32 頁 1003 IS0040-0 1376350 100. 4.2*9 4.依據”專利_第1項之裝置，其中每-較為狹窄較 f曲區段在通道中包含曲線或轉彎，該曲線或轉彎位 過一個平面中。 5·依據申請專利範圍第i項之裝置其中每一較 彎曲區段細至少—雜有熱控制流體通道之共同壁^ 該通道由至少一個熱控制流體通道選取出。 6·依據巾請專利範圍第1項之裝置，其中主要流體通道之 -個或多她為狹窄較彎曲區段與主要流體通道之其他 一個或多個較為狹窄較彎曲區段不同。 7. 依據㈣專概_丨項之裝置，其巾主要流體通道之 連續性較為狹窄較f曲區段輯面_在朝向遠離主要 流體通道之入口方向為增加的。 8. 依據申請專利範圍第1項之裝置，其中主要流體通道之 較為狹窄較彎曲n段在流體路徑内包含阻隔物。 9. 依據”專概_ 8項之裝置，其中闻物之尺寸在 在朝向遠離主要流體通道之入口方向由每一連續性較 彎曲區段至下一區段為減小的❶ 一 10. 依據申請專利範圍第1項之裝置其中整體物體由玻璃， 玻璃陶瓷》，或陶堯所構成。 11. 依據申請專利範圍第丨項之裝置其中整體物體由至少 一種玻璃，玻璃陶瓷，陶瓷，金屬，及塑膠所構成。 12. 依據申請專利範圍第1項之裝置其中主要流體通道及 第一流體通道相對彼此為平衡的，使得以第一流量進入主 要流體通道之第一工作流體與以第二流量進入第二流體 第33 頁· 0961,16577 1003150040-0 "· 29 1376.350 通道之弟一工作流體之混合作用只發生於主要流體通道 内。 13‘依據申請專利範圍第丨項之裝置其中主要流體通道具 有平均斷面面積在0.3至20平方毫米範圍内。 H.依據申請專利範圍第1項之裝置，其中主要流體通道具 有平均斷面面積在0.5至6平方毫米範圍内。 15. 依據申請專利範圍第i項之裝置其中第二流體通道具 有平均斷面面積在0.3至20平方毫米範圍内。 、 16. 依據申請專利範圍第丨項之裝置其中第二流體通道具 有平均斷面面積在0.5至6平方毫米範圍内。 17. 種微反應糸統，該系統包含至少兩個整體性物件包 第一物件，其包含： 至少一個熱控制流體通道； 主要工作流體通道，其具有平均斷面面積在〇·25至 • ι〇0 τ方毫米範圍内，該主要流體通道具有主要入口在其 第-端部處轉第一物件之外部連通，沿著主要流體通道第 一入口間之間距長度至少為通道平均斷面面積根號的二 至少一個第二物件，其包含： 至^ —個第二工作越通道，其具有平觸面面積在 直^100平方毫米範圍内該第二流體通道具有入口在 :第—端部處與第二物件之外部連通，以及多個出口串連 地沿者其長纽於相驗置處祕第二物件之外部連通， 第’34 頁 0961.16577 1003.150040-0 該多個出口包含最終出口位於其端部處在第二物件中第 二流體通道出口之相對位置及間距相匹配於第一物件中 主要流體通道之至少部份第二人σ的相對間距，使得直接 々IL體父互連結之每一各個出口對準於各個入口； 其中主要流體通道在朝向遠離主要流體通道之第一端 部方向在—第二人口之序地包含第—混合區段以 及第一停留時間區段；以及混合區段包含較為狹窄較彎曲 區段以及停留時間區段包含較寬廣較不彎曲區段。 18. 依據申請專利範圍f 17項之系統，其中沿著第二流體 通道連續性地乡㈣口間之麟，在朝向遠離第二流體通 道之入口方向，由每—連續性出口至下-出σ為增加的。 19. 依據申請專利範圍第17項之系統，其中第二流體通道 之斷面面積在朝向遠離其入口之方向為減小的。 20. 依據申請專利範圍们7項之系統其中每一較為狹窄 較彎曲隨在it道巾包含轉或鱗，制線或轉彎位於 超過一個平面中。 21. 依據申請專利範圍第17項之系統其中每一較為狹窄 較彎曲區段共用至少一個具有熱控制流體通道之共同壁 板，該通道由至少一個熱控制流體通道選取出。 22·依據申凊專利範圍第η項之系統其中主要流體通道 之一個或多個較為狹窄較彎曲區段與主要流體通道之其 他一個或多個較為狹窄較彎曲區段不同。 23.依據申請專利範圍第17項之系統其中主要流體通道 之連續性較為狹窄較脊曲區段的斷面面積在朝向遠離主 第35 頁 1 r\ri4 1376.350 100. 4> 要流體通道之入口方向為增加的。 24. 依據申請專利範圍第17項之系統其中主要流體通道 之較為狹窄較彎曲區段在流體路徑内包含阻隔物。、 25. 依據申請專利範圍第24項之系統，其中^隔物之 在朝向遠離主要流體通道之入口方向由每—連· 彎曲區段至下一區段為減小的。 w 26. 依據申請專利賴第17項之系統，其中第一物件由玻 φ 璃，玻璃陶瓷，或陶瓷所構成。 27. 依據申請專利範圍第17項之系統其中第—物件由至 少、一種玻璃，玻璃陶究，陶曼，金屬，及塑膠所構成。 28. 依據申請專利範圍第17項之系統，其中主要流體通道 及第-流體通道相對彼此為平衡的，使得以第一流量進入 主要流體通道之第-卫作流體與以第二流量進入第二产 體通道之第二1作流體之齡_只發生於主要流體^ 道内。 • '依據申請專利範圍第17項之系統，其中主要流體通道 具有平均斷面面積在〇. 3至2〇平方毫米範圍内。 30.依據申請專利範圍第17項之系統其中主要流體通道 具有平均斷面面積在〇.5至6平方毫錄圍内。 3L依據申請專利範圍第17項之系統其中第二流體通道 具有平均斷面面積在0.3至2〇平方毫米範圍内。 32. 依據申請專利範圍第17項之系統其中第二流體通道 具有平均斷面面積在〇· 5至6平方毫米範圍内。 33. 依據申請專利範圍第17項之系統其令第二物件更進 第36 頁 0961.16577 1003.150040-0 100.4.2*9 —步包含第二熱控織體通道。 據申。月專利範圍帛17項之系統其中第二物件中第 二流f通道之出σ相對位置及間距相匹配於第-物件中 ，要體通道之每-第二出口之相對間距，使得直接流體 父互連結之每_各個出σ對準於各個入口。
    35.依射請專利範圍第17項之系統其中更進一步包含 人個或夕個額外的第二物件’其每—第二物件經由流體賴 :配件選擇性她合至第—物件至少部份該額外第二物 件之第二_通道的—個或多個物理參數與第二物件不 36·依據申請專利範圍f 35項之系統，其中至少部份該額 外第一物件之第二流體通道的總長度作改變。 37. 依射請專利範圍第36項之祕，其中至少部份該額 外第二物件之第二流體通道的平均斷面面積作改變。
    38. 依據申請補細第36項之祕，其中至少部份該額 外第二物件之第二流體通道的高度作改變。 39. —種微反應裝置，該裝置包含： 至少一個熱控制流體通道； 主要工作越通道，其具有平均斷面面積在Q 25至⑽ 平方毫米翻内，触要流體魏具有主要人口在其第一 端部處與裝置之外料通，以及具有多個第二人口串連地 沿著其長度位於相隔位置處亦與裝置之外部連通，沿著主 要流體通道第二人σ間之間距長度至少為通道平均斷面 面積根號的二倍，社要流體通道在朝向赫主要流體通 第37頁 .0961.1^577 1003.150040-0 道之第一端部方向在多個第二入口之間依序地包含第一 混合區段以及第二停留時間區段。 40.依據申請專利範圍第39項之裝置，其中混合區段包含 較為狹窄較彎曲區段以及停留時間區段包含較寬廣較不 彎曲區段。 41. 依據申請專利範圍第4〇項之裝置其中每一較為狹窄 較彎曲區段在通道中包含曲線或轉彎該曲線或轉彎位於 超過^一個平面中。 42. 依據申請專利範圍第4〇項之裝置其中每一較為狹窄 較彎曲區段以及每-較寬廣較不彎曲區段共用至少一個 具有熱控制流體通道之共同壁板，該通道由至少一個熱控 制流體通道選取出。 43·依據申請專利範圍第4〇項之裝置，其中主要流體通道 之一個或多個較為狹窄較彎曲區段與主要流體通道之其 他一個或多個較為狹窄較彎曲區段不同。 44·依據申請專利範圍帛4〇項之裝置其中主要流體通道 之連續性較為狹窄較彎曲區段崎面面積在朝向遠離主 要流體通道之入口方向為增加的。 45·依據t請翻細第4Q項之裝置，其巾主要流體通道 之較為狹窄較f曲區段在流體路翻包含阻隔物。 46.依據申請專利範圍第45項之裝置其中阻隔物之尺寸 在朝向遠離主要流體通道之人口方向由每-連續性較為 彎曲區段至下一區段為減小的。 47·依據中賴_第39項之裝置，其巾裝置由玻璃，玻 第38 頁 Ό961.1^77· 1003,150040-0 璃陶究，或陶曼所構成。 48. 依據申請專利範圍第39項之裝置，其中裝置由至少一 種玻璃，玻璃陶瓷，陶瓷，金屬，及塑膠所構成。 49. 依據申請專利範圍第39項之裝置，其中主要流體通道 具有平均斷面面積在0.3至20平方毫米範圍内。 50. 依據申請專利範圍第39項之裝置，其中主要流體通道 具有平均斷面面積在0.5至6平方毫米範圍内。 51. 依據申請專利範圍第39項之裝置，其中在裝置中主要 流體通道之第二入口位置彼此相對著，使得直接流體交互 連結對準於共同作用之歧管裝置。 52. 依據申請專利範圍第39項之裝置，其中在裝置中主要 流體通道之第二入口沿著一條線彼此相對均勻地分隔。 53. —種微流體歧管裝置，該裝置包含至少一個工作流體 通道，其具有平均斷面面積在〇. 25至1〇〇平方毫米範圍内， 該工作流體通道具有入口在其第一端部處與裝置之外部 連通，以及具有總數至少三個出口串連地沿著其長度位於 相隔之位置處亦與裝置之外部連通，該多個出口包含最終 出口於其端部處’一個或多個工作流體通道在長度斷面 面積，流動限制器數目以及流動限制器尺寸由一個出口至 下一出口作改變，使得在第二及第三出口之間對某一流量 及黏π係數作標準化之壓力降低為較大而大於第一及第 二出口間之壓力降低。 54. 依據申請專利範圍第53項之裝置，其中多個出口總數 為大於3。 第39 頁 1003150040-0 • ，* 1376350 ,· 100. 4. 29 55.依據申請專利範圍第54項之裝置其中對某一流量及 黏滞係數作標準化之壓力降低，在朝向雜人口之方向在 連續性每一對出口間為增加的。 56旦依據申物_第53項之裝置其中工作流體通道 在長度上作變化。 57’依據申請專利範圍第53項之裝置其中工作流體通道 又作是化’但疋在斷面面積並無任何顯著程度變 化。 1\依射__第53項之裝置，其巾更進-步包含 /jm·度控制流體通道。 ^依射物細㈣項之裝置，其中出口共線地排 列0 專利減第53項之裝置，其巾出口位置將使 付與共同作用額外的微流體裝置之人口相匹配。 且明專利範圍第53項之裝置，其中主要流體通道 二有千均斷面面積在〇. 3至2()平方毫来範圍内。 62.依據申請專利範圍第 1右_ 53項之裝置，其中主要流體通道 有千均1«面積在〇.5至6平方毫錄圍内。 第4〇 頁 ：P96la6S77： :1003,150040-0
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