TWI374478B - Electronic device manufacture - Google Patents

Electronic device manufacture Download PDF

Info

Publication number
TWI374478B
TWI374478B TW097104784A TW97104784A TWI374478B TW I374478 B TWI374478 B TW I374478B TW 097104784 A TW097104784 A TW 097104784A TW 97104784 A TW97104784 A TW 97104784A TW I374478 B TWI374478 B TW I374478B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
acid
rti
photoresist
composition
rtigt
Prior art date
Application number
TW097104784A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200903579A (en
Inventor
Iii Peter Trefonas
Dong Won Chung
Original Assignee
Rohm & Haas Elect Mat
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm & Haas Elect Mat filed Critical Rohm & Haas Elect Mat
Publication of TW200903579A publication Critical patent/TW200903579A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI374478B publication Critical patent/TWI374478B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0338Process specially adapted to improve the resolution of the mask
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0035Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

1374478 寬度的總和。 然:,由於諸如光學及輻射波長之因素,光微影技術 具有最小間距’小於此間距’特^的光微影技術無法可 靠地形成特徵。此會侷限特徵尺寸減小。 希望具有提供減小尺寸之電子裝1特徵的新方法。 【發明内容】 我們現在提供製造半導體裝置之新方法。本發明之方 法能夠製造減小尺寸之高度解析之特徵(例如互 路)。 电 在一方面,本發明之方法可包括: 1)將可成像之材料(例如光阻)沉積在基板表面(例如視 需要以有機及/或無機層外覆之半導體晶圓)上; ♦ 10使可成像之材料成像並顯影以提供浮凸影像(例如 光阻浮凸影像);以及 凸^可固化或可硬化之有機或無機組成物塗覆在浮 如藉由活化輻射之全面曝光⑽。d exp_re)及/ ::理使可固化之組成物固化,於其中可發生組成物成 :凸二 硬化可藉由自被包覆之可成像之材料之 于凸像遷移的酸予以健; V)進行處理(例如’諸如利用可包含氧氣且可 性離蝴劑之氣體電聚予以姓刻,或者藉由顯影(如藉= 驗性顯影劑組成物處理))以提供包括由有機或無機 、、且成物所包覆之可成像之材料的複合浮凸影像; 94226 6 丄:^/4478 者0 依料發明所使用之特佳光阻可包括具有足夠的擴散 長度以引發外覆之可固化之組成物之交聯(包含任何類型 ^硬^之可㈣㈣性成分。例示之可擴散㈣性成分為 二氟甲~酸。 此外,可使用設置在光阻上之獨立的頂塗⑽叫或 阻障層組成物,且該頂塗或阻障層組成物可用於侷限酸(如 籲光產生酸)之向上遽出。適合之頂塗組成物及其用途係揭露 於Ganagher等人之美國專利公開案第鳩/〇ι〇助號。 適。之頂塗組成物可含有有機⑦樹脂(如揭露於美國專利 公開案第2006/0105272號者)。 依據本發明所使用之較佳之可固化之組成物(本文有 時亦稱為外覆組成物)可包含下述.組成物:包括視需要與一 種或多種交聯劑(該交聯劑可於酸存在下反應)組合之含石夕 成分(例如含錢脂)之組成物。此樹脂成分本身在酸的存 豢在:可適當地為具反應性者(可固化者),由而排除對個別 之又聯劑成分的需求。在該種較佳系統中,可固化之組成 可成像之材料遷移出之酸(包含光產生酸)的存在下 可又如或者固化。自可成像之材料遷移出之酸較佳係橫向 矛夕至可固化之組成物中以引發交聯反應,宜主要朝橫 2。較佳之可固化之組成物可包括一種或多種含有作為交 耳vp位置之官能基的成分(例如一種或多種樹脂),該等官能 基^含例如矽醇位置、羥基烷基單元、羥基苯基單元、環 氧單元、酸肝單元、内酯單元、四氫化石夕單元、石夕烧基酯 94226 1374478 (silyl ester)單元及/或石夕炫基驗(siiy〗地⑺單元。 可使用各式各樣的加工步驟以進一步促進可固化之組 成物的硬化,包含例如曝光於活化輕射(特別是例如全面曝 光)及/或熱處理。在本發明之較佳方法中,可藉由如以顯 影劑(例如鹼性水性顯影劑)處理,或藉由其他方法(如藉由 以活化輕射及/或電槳#刻劑處理)處理而移除可固化之组 成物之未固化的部份。 在某些較佳之方面,可成像之組成物及可固化之组成 物的洗鑄(easting)(例如旋轉㈣)溶劑可具有可區別之溶 解度特性’其中當可固化之組成物外覆至可成像之材料上 時’可固化之組成物之堯鑄溶劑成分不會實質地溶解或引 發混合,如’在-較佳系統中,係使用更具極性之溶劑(如 一種或多種醇類,或醇/水混合物)作為外覆之可固化之组 成物之.洗鑄溶劑。 在其他具體實施财,提供半導體基板,該基板可包 括由可固化之組成物所包覆之光阻組成物之浮凸影像,其 中,光阻組成物之頂部表面實質±不含可固化之組成物。 【實施方式】 本發明之其他方面揭露如下。 第1及2 ®各自圖解地顯示本發明之較佳方法。 現在提供製造電子裝置之薪古、土 _ _ χ ^ 丁衣直之新方法,該方法可適當地包 (a) 在基板上提供光阻浮凸影像; (b) 在光阻浮凸影像上塗覆可固化之組成物以提供光 94226 9 1374478 阻與可固化之組成物的複合物; (C)處理該複合物以提供由可固化之組成物所包覆之 '光阻之浮凸影像; (d)移除光阻同時保留可固化之組成物。 現在參照圖式,第i圖(包含第1A至1E圖)係顯示本 •發明之某個較佳方法。 在第圖中’以平整層(planarizing layer)20然後再 _ 乂抗反射層3 0外覆半導體基板(例如晶圓)10。然後提供光 子凸影像4G。光阻可為正型或負型,雖然對許多應用而 5可能偏好正型光阻。 如第1B圖所描繪,之後在光阻4〇上進一步塗覆組成 物50。較佳地’在自光阻浮凸影像4〇遷移出之光產生酸 的存在下,組成物5〇可硬化(例如,交聯)。藉由顯影(如 、尺i"生釦性顯影劑溶液(例如〇 26N氫氧化四甲銨水溶液) j理)可提供複合物55(包含組成物50與阻劑40兩者)浮凸 鲁:像。如上所討論’較佳之組成& 5〇包含那些含有相較於 ,p二0可呈現提昇之電漿蝕刻劑(如具有氣體電漿者,其 y包含氧軋’且其可包含反應性離子㈣劑)抗性之一種或 2材料者。例如,較佳之组成物5G包含下述組成物:包 種或多種含梦成分,如—種或多種含⑦樹脂之組成物。 第1B圖係說明本發明之較佳方面,其中光阻浮 之頂部表面40a實質上不含或完全地不含組成物%。知 、如第1C及1D圖所描繪,可藉由以蝕刻劑(如可包含 氣且可包含反應性離子蝕刻劑之氣體電漿)處理而移除 94226 10 L374478 使用之較佳正型光阻含有成像有效量之光酸產生劑化合物 及選自下述族群之一種或多種樹脂: 1)含有可提供特別適合於在248nm成像之化學放大型 正型阻劑之酸不穩定基之酚樹脂。此類之特佳樹脂包含: i)含有乙烯基酚及丙烯酸烷酯之聚合單元之聚合物,其中 -聚合之丙烯酸烷酯單元在光酸的存在下會進行去封阻反 應。例示之會進行光酸引發之去封阻反應之丙烯酸烷酯包 3例如丙炸酸弟二丁醋、甲基丙細酸第三丁酉旨、丙烯酸曱 •基金剛烷酯、曱基丙烯酸甲基金剛烷酯及其他會進行光酸 引發反應之丙烯酸非環狀烷酯及脂環族丙烯酸酯,如美國 專利第6,042,997及5,492,793.號中之聚合物;丨丨)含有乙烯 基酚、不含羥基或羧基環取代基之視需要經取代之乙烯基 本基(例如本乙烯)、及丙細酸烧I旨如那些上述聚合物i)所 述之去封阻基之聚合單元之聚合物,如美國專利第 6,〇42,997號所述之聚合物;以及Ui)含有包括會與光酸反 鲁應之縮醛或縮酮部分之重複單元、及視需要之芳香族重複 單元(如苯基或酴基)之聚合物,該種聚合物已見述於美國 專利第 5,929,176 及 6,090,526 號。 2)實質地或完全地不含可提供特別適合於在次於 -20〇nm(sub_200nm)波長如193nm成像之化學放大型正型 阻劑之苯基或其他芳香族基之樹脂。此類之特佳樹脂包 含:1)含有非芳香族基環狀烯烴(内環雙鍵)之聚合單元,如 視需要經取代之降冰稀之聚合物,如美國專利第M43㈣ 及6,(MM64號所述之聚合物;⑴含有㈣酸㈣單元(如 94226 13 1374478 丙烯酸第三丁醋、曱基丙烯酸第三丁酯、丙烯酸曱基金剛 烧醋、甲基丙烯酸曱基金剛烷酯及其他丙烯酸非環狀烷酯 及脂%族丙烯酸酯)之聚合物,該種聚合物已見述於美國專 利第6,057,083號;歐洲專利公開申請案ep〇i〇〇8913A1 及EP00930542A1 ;及美國專利第6 136 5(n號;以及⑴) 3有聚合之酸酐單元,特別是聚合之馬來酸酐及/或衣康酸 針單7G之聚合物,如揭露於歐洲專利公開申請案 I ΕΡ〇ι〇08913Α1及美國專利第6 〇48 662號者。 3)含有包含雜原子,特別是氧及/或硫(但為酸酐以外 2亦即此單元不含酮環料)之重複單元之樹脂,較佳為 貫質上不含或完全不含任何芳香族單元者。雜脂環族單元 較佳稠合於㈣骨架(baekbQne),更佳為其中該樹脂包括 =合之碳脂環族單元如藉由降冰片歸基的聚合反應所提供 或^ gf單1如藉由馬來酸野或衣康酸酐的聚合反應 所提供者。該種樹脂係揭露於pCT/us〇i/i49i4。 4)3有氟取代之樹脂(氟聚合物),例如可藉由四氟乙 者、二=香族基如氟-苯乙稀化合物等的聚合反應所提供 者。該種樹脂的實例係揭露於PCT/US99/21912。 ,合使用於外覆在本發明之塗佈組成物上之正型或負 i光阻之光酸產生劑包含 、 亞胺基%酸酯,如下式之化合物:
〇so2r 式中,R為樟腦、金 剛燒⑨基(例如基)及全氟規基 94226 14 L374478 如全氟(cW2烷基)’特別是全氟辛烷磺酸酯、全氟壬烷磺酸 酯等。特佳之PAG為Ν·[(全氟辛烷磺醯基)氧基]_5_降冰片 烯-2,3-二羧醯亞胺。 碩酸鹽化合物亦為適合之外覆在本發明之塗佈組成物 上之光阻之PAG,特別是磺酸鹽類。適合於193nm及248nm 成像之兩種試劑為下述之PAG 1及2 : 1 2
該種續酸鹽化合物可如歐洲專利申請案96ιΐ8ιιι.(公 開號0783m)所揭露般予以製備,其詳述上述PAG1的合 成0
與上述所描繪之樟腦磺酸鹽基以外之陰離子錯合之上 述兩種料化合物亦為適合者。尤其,餘之陰離子包含 那些式RS03-者,其中R為金剛 另入_ p # , "况烷基(例如Cm2烷基) ===如域心2絲),_是域辛料酸鹽、 全氟丁烷磺酸鹽等。 其他已知之PAG 使用之光阻中。 亦可使Μ與基底塗㈣成物一起 外覆於本發明之塗佈組成物之 ^ ^ ^ (added _H),或乳酸四丁敍,其可 化四丁錄 *,、'貝衫之先阻洋凸影像 94226 15 1J/44/8 的解析度。對在193nm4ut 受阻胺,如二氮雜雙環㊂’較佳之添加驗為 適合以相對小的量,例^ 鼠雜雙環壬稀。添加驗 使用之。 ㈣相對於總固體為約0.G3至5wt% 與外覆之本發明之塗佈組成物-起使用之較佳的負型 阻劑組成物包括在暴露於 ^ f彳的負型 π馱恰會固化、交聯或硬化夕妯 料,與光酸產生劑的混合物。 ㈣,特佳之負型阻劑組成物包*括樹脂黏合劑如齡樹脂、交 耳外劑成分及本發明之来法· +八 性成分。該種組成物及其用途已 揭路於歐洲專财請案G164248 #Q232972以及核發仏 等人之美國專利第5,128,232號。制作為樹^ =U d成刀之較㈣樹脂包含如那些上述所討論之齡酸清 U聚(乙稀基酚)。較佳之交聯劑包含胺類材料,包含三 表氰胺甘脲、笨并胍胺類材料及尿素類材料。通常最佳 者為三聚氰胺1盤樹脂。該種交聯劑係市售可得者,例如 商品名為Cyrnd 300、301及3〇3之由ind她⑹所 販售之二聚氰胺樹脂。商品名為Cymel 117〇、ιΐ7卜、
Powdedmk 1174之由Cytec Industries所販售之甘腺樹脂 及商品名為Cymel 1123及1125之苯并胍胺樹脂。 如上所討論,依據本發明所使用之特佳光阻係包含那 些含有一種或多種可抑制光產生酸透過頂部塗佈層區域濾 出之成分之阻劑,如具有l)Si取代,2)氟取代,3)為高分 枝I 5物,及/或4)為聚合物顆粒之成分。該種光阻係揭露 於 U.S.2006/0246373。 94226 16 1374478 尤其,該種較佳之光阻可会右 混八之#粗了3有一種或多種實質上非可 材科,如揭露於U.s.鳩/024637 之材料。特佳之實質上非可混合之材料包含夺米 , 團如Hybndplastics(—Valley, 加州),Slgma/Aidrich,及其 機基所包覆之Si-0核之分子氧切種=可包含具有由有 t ^ 7,矽醇;以及包含佟车 石虱烷籠狀結構化合物,且可為聚 β Μ酷会、Bt Jffi #么/ ^ m 本乙婦系、丙 系月曰心系(如降冰片婦系)和其他之聚合物及樹脂。 可使用作為實質上非可混合之材料的顆粒(包含有機 、顆拉)包含含Si之材料及氟化之材料。該種顆粒係市售可 2或可例如豬由-種或多種單體與交聯劑及若希望時之 =始劑化合物—岐應㈣以“地合成。反應之單體可 有取代,例如氣、以基、光酸不穩定基(如光酸不 穩疋酉曰或縮藤)、其他驗可溶性基(base_solu驗i心 (㈣類)等。請參見實施们,其係利用多種有區別的單體 I,種顆粒之例示性合成,其中,單體之一係提供光酸 不穩定基給所得之聚合物顆粒。 外覆(可固化)組成物: 如上所討論,較佳之外覆或可固化之組成物可包括有 機聚氧化梦材料’適合者為在極性溶劑(如醇類,包含例如 異丙醇、異丁醇、異戊醇、2•甲基小丁醇、3_甲基_2•戊醇 及乙醇)或醇-水混合物中具有溶解度者。 使用於依據本發明之外覆組成物之一適合種類的含矽 樹脂為丙賴醋共聚物(包含三聚物、四聚物及其他更高級 94226 17 ^74478 L例如,適合之樹脂為丙烯酸或甲基丙稀酸與 3梦烧之單體(如3-甲美呙橋萁备苴本贫 、 〈3 T基丙絲乳基丙基三甲氧基石夕烧)的 w 。該種樹脂適當地與個別(非共價地結合於樹脂) 之交聯劑(如含脸夕^士把 乂 ^如3胺之材料’例如甘腺,如四甲氧基甘服或苯 弁脈胺)組合使用。 其他適合之有機聚氧化石夕樹脂可使用一種或多種有機 =院與-種或多種含碎之交聯劑的部份縮合物予以適當地 備丄其中’該交聯劑含有>4個可水解基。特別適合之含 矽之交聯劑具有5個或6個可水解基。此處所 物”一詞係指能夠進行進一步的縮合反應以增加其分子量 之矽烷募聚物或預聚物或水解產物。 、該種有機聚氧切部份縮合物可藉由包含下述步驟之 方法予以適當地製備:a)使包含一種或多種式(I)RaSiY“ 之石夕貌與一種或多種式(11) R、(R2〇)wSi(R3)cSi(OR4)3此 =烧的混合物在驗性觸媒存在下反Hb)使該混合物 2性觸媒存在下反應;其中R為氫、(kc8)燒基、(CVCi2) 方土烷基、絲代之(C7_Ci2)芳基絲、 芳基J為任何可水解基;0li2之整數之 =及R5係獨立地選自氫、(Ci_c6)烧基、(CVCi2)芳基烧基、 經取代之(c^c〗2)芳基烷基、芳基、及經取代之芳基;R3 為 ⑨基…(CH2)A_、_(CH2)A1K卿^、 (H2)'z伸方基、經取代之伸芳基、或伸芳基醚;E為 、NR $Z;Z^基或經取代之芳基;r6為氫κ 烧基、芳基或經取代之芳基;b及d各自為〇至2之整數; 94226 18 L374478 c為〇至6之整數;以及“㈣及“蜀立地為… 之整數;但R、Ri、R3及R5之至少一者不為氫。
“在一具體實施例中,R為(c^c:4)烷基、苯甲基、羥基 苯甲基、苯乙基或苯基,更佳為甲基、乙基、異丁基、第 三丁基或苯基。γ之適合的可水解基包含,但不限ς,齒 基烧氧基、酿氧基等,較佳為氣及(Ci_C2) 烷軋基。式(I)之適合的有機矽烷包含,但不限於,曱基三 甲氧基钱、甲基三乙氧基钱、苯基三甲氧基料^ 基三乙氧基矽烷、曱苯基三甲氧基矽烷、甲苯基三乙氧基 我、丙基三丙氧基我、異丙基三乙氧基料、異丙基 三丙氧基矽烷、乙基三曱氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、 異丁基三乙氧基矽烷、異丁基三曱氧基矽烷、第三丁基三 乙氧基矽烷、第三丁基三曱氧基矽烷、環己基三甲氧基矽 規裒己基二乙氧基石夕烧、苯曱基三甲氧基石夕烧、苯甲基 三乙氧基矽烷、苯乙基三曱氧基矽烷、羥基苯甲基三甲氧 基矽烷、羥基苯乙基三甲氧基矽烷及羥基苯乙基三乙氧基 矽烷。 土 式(II)之有機矽烧較佳包含那些式中Ri及R5獨立地為 (CrOO烷基、苯曱基、羥基苯甲基、苯乙基或苯基者。R 及R5較佳為甲基、乙基、第三丁基、異丁基及苯基。在一 具體實施例中,R3為((VC]G)烷基、_(CH2)A•、伸芳基、伸 芳基驗及-(CH^-E-iCH2;^2。式(II)之適合的化合物包含, 但不限於,那些式中R3為亞曱基、伸乙基、伸丙基、伸丁 基伸己基、伸降冰片基(norbornylene)、伸環己基,伸苯 19 94226 1374478 基、伸苯基醚、伸萘基及-CH2-C6H4-CH2-。在另一具體實 施例中,c為1至4。 式(II)之適合的有機矽烷包含,但不限於,雙(三曱氧 基矽烷基)甲烷、雙(三乙氧基矽烷基)甲烷、雙(三苯氧基矽 •烷基)甲烷、雙(二甲氧基曱基矽烷基)曱烷、雙(二乙氧基甲 -基矽烷基)甲烷、雙(二甲氧基苯基矽烷基)甲烷、雙(二乙氧 基苯基矽烧基)f烷、雙(甲氧基二甲基矽烷基)甲烷、雙(乙 氧基二甲基矽烷基)甲烷、雙(甲氧基二苯基矽烷基)甲烷、 籲雙(乙氧基二苯基石夕烧基)曱烧、雙(三甲氧基石夕烧基)乙烧、 雙(二乙氧基矽烷基)乙烷、雙(三苯氧基矽燒基)乙烷、雙(二 曱氧基甲基矽烷基)乙烷、雙(二乙氧基曱基矽烷基)乙烷、 雙(一甲氧基苯基矽烷基)乙烷、雙(二乙氧基苯基矽烷基) 乙烷、雙(甲氧基二甲基矽烷基)乙烷、雙(乙氧基二罕基矽 烷基)乙烷、雙(f氧基二苯基矽烷基)乙烷、雙(乙氧基.二苯 基矽烷基)乙烷、1,3-雙(三曱氧基矽烷基)丙烷' 丨,3-雙(三 籲乙氧基矽烷基)丙烷、雙(三苯氧基矽烷基)丙烷、丨,3_ 雙(一甲氧基甲基矽烷基)丙烷、;[,3·雙(二乙氧基曱基矽烷 基)丙烷、1,3-雙(二甲氧基苯基矽烷基)丙烷、〗,3-雙(二乙 氧基苯基矽烷基)丙烷、丨,3_雙(甲氧基二甲基矽烷基)丙 燒1’3 —雙(乙氧基二甲基石夕燒基)丙烧、ι,3-雙(甲氧基二苯 基矽烷基)丙烷、及U-雙(乙氧基二苯基矽烷基)丙 _適合之有機聚氧化矽材料包含,但不限於,倍半矽氧 燒H縮合之鹵石夕烧或燒氧基石夕烧如藉由控制水解而部 份縮合之四乙氧基矽烷(具有500至20,000之數目平均分 94226 20 f 里)’具有 RS1〇3、〇3SiRSi〇3、R2Si〇2 及 〇2SiR山之 古且成物之有機改質之錢鹽(式中R為有機取代基);及具 'SKORU為單體單元之部份縮合之正硬酸鹽。倍半石夕 =為形式Rsl〇h5之聚合石夕酸鹽材料式中R為有機取 二。適合之★倍半石夕氧燒為燒基倍半石夕氧院;芳基倍半石夕 、二你烧基/方基倍半碎氧烧混合物;及烧基倍半♦氧院之 氧燒材料包含倍細之均聚物、倍半 共聚物或其混合物。該些材料通常係市售可得者 或了藉由已知之方法予以製備。 在另一具體貫施例中,古痤取>br 切單體外亦可含有各式各=:材=了=之 氧化石夕材料可進-步包括例如’有機聚 (carbosilane)部份。 第一又恥劑,及碳矽烷 外覆組成物亦可含有 脂)的交聯劑。對於與包括 、'”於主要的樹 適合之交聯劑可為用於人a 成物一起使用而言, 型的交聯劑包含式(11二(:之任何已知的交聯劑。典 鈦、結、給、石夕、鎮、I:):之石夕燒’式中M為銘、 戍Si(〇RlVR%t R為㈦夂)炫基、醯基、 在-1體二中為: 另一具體實施例中二基^基或丁基。在 技藝人士將可感知可使用該笛_二、°或石夕。熟知此項 (II)之石夕燒混合物對該稀二—父聯劑的組合。式(I)與 99:1至1:99,較佳為95.5 ^ ^有機砂燒的比率通常為 • :95’ 更佳為 90:1〇 至 10:9〇。 94226 21 1374478 碳:夕燒部份係指具有(Si_c)x結構之部份如⑻-从 ,·.° ,式中Α為經取代或未經取代之伸烷基或伸芳基,如 、挪2™2.、=SiRCH2· ' 及三 SiCHr,式中 R 通 常為氫但可為任何有機或無機基4合之無機基包含有機 矽、石夕院氧基(siloxyl)、或石夕烧基部份。這些碳石夕炫部份 通常係以“頭對尾,,之方式連接(亦即具有Si心以鍵)而產生 被雜、分支的結構。特別有用之碳石夕烧部份為那些呈有重 複單元⑻仏卿及⑶^⑽聊卿者,式巾㈣至3 及y=i至3。這些重複單元可以j至1〇〇,_,較佳為i至 10,000之任何數目存在於有機聚氧切樹脂中。適合之碳 矽烷前驅物為那些揭露於美國專利第5,153,295 (Whitmarsh 等人)及 6,395,649 號(Wu)者。 有機聚氧化矽部份縮合物可藉由使一種或多種三或二 s月b有機梦院如那些式者、—種或多種含梦之交聯劑如 那二式II者與典型為水反應一段足以使矽烷水解(或部份 •縮口 )以形成具有所要之重量平均分子量之部份縮合物的 時間而製備之。由於乙醇的沸點,故反應溫度典 至8〇°C。水的用量典型為〇」至2 〇莫耳當量,/更典型為 〇·25至175莫耳當量’又更典型為〇 75至15莫耳當量。 典型係使用酸性或驗性觸媒。適合之酸及驗包含強酸及強 =(例如分別為氫氯酸及氫氧化四曱銨),弱酸及弱鹼(例如 刀別為乙敲或二乙胺)。強酸觸媒如氫氯酸典型係使用於催 化1烷的水解及縮合反應。矽烷與水典型係反應〇 5至牦 小時,雖然可使用更長或更短的時間。特別適合的反應時 94226 22 小時。錢的莫耳比率可於廣大範圍變化。-種或多種式(I)矽烷對—括斗、々 ^ ϋ -至⑼,特別是 又更特別是咖0至20:^更特別是9〇:10至1〇:90, 可具機聚氧”部份縮合物 20,_之重量平均八早旦里U份縮合物典型具“ 重量平均分子量;二’:然可使用更高的分子量者。 更,、5L為S 15,〇〇〇,又更典型為幺 10,000,最典型為 $5,〇〇()。 、為= *在形成有機聚氧化石夕部份縮合物,並且視需要地移除 II·生觸媒之後’可視需要地添加安定劑至部份縮合物中:、 該種安定劑較佳為有機酸。適合者為具有至少兩個碳且在 約二至約4之酸解離常數(“PKa,,)之任何有機 酉夂。較佳之有機酸具有約K1至約39,.更佳為約12至約 3.5之PKa。較佳為能夠扮演螯合劑之有機酸。該種螯合有 機酸包含多元幾酸如二_、三一四_和更高級之㈣,以及 以一種或多種經基、_、嗣、盤、胺、酿胺、.亞胺、硫醇 等取代之幾酸。較佳之螯合有機酸為多元缓酸及經經基取 代之幾酸。”經經基取代之幾酸”一詞包含經經基取代之多 元羧酸。適合之有機酸包含,但不限於:草酸、丙二酸、 甲基丙二酸、m二酸、馬來酸、蘋果酸、檸蘋酸、 酒石酸、苯二甲酸、檸檬酸、戊二酸、甘醇酸、乳酸、丙 酮酸、草乙酸、酮戊二酸、水揚酸、及乙酿乙酸。較佳之 有機酸為草酸、丙二酸、二甲基丙:酸、檸檬酸及乳酸, 94226 23 ^/4478 技:機酸的混合物可有利地使用於本發明 酸部份具有pKa ^士將了解多元幾酸於化合物中之各竣 ^ Tt'^m 。對適合使用於本發明之有機酸而言, 内二:具有-一在1… 至1〇^〇月的用里典型為1至10,_PPm,較佳為ίο 峋㈣。該種安定劑的作用係阻止材料的進一步縮人 反應及延長部份縮合物的耐儲時間。 σ 用於調配及鱗外额缝之較佳㈣㈣為任何可 :::分:可固化層組成物的成分(例如一種或多種樹脂) 覺地溶解基底光阻層者。更特別是,調配可固 化,組成物的適合溶劑包含但不限於一種或多種醇類如異 丙_、正丁醇、燒二醇如丙二醇。或者可使用非極性溶劑 如脂肪族及芳香族烴,如十二烷、異辛烷、均三甲苯及二 曱苯。 外覆組成物可藉由將一種或多種固體成分(例如一種 鲁或多種樹脂)混合至一種或多種極性溶劑如那些上文所定 義者或替代之一種或多種非極性溶劑(如上文所定義之脂 肪族及芳香族烴)而適當地成為較佳者。 可固化之組成物之其他適合的視需要之成分包含淬滅 劑(quencher)鹼(例如如那些上文所討論與光阻一起使用者) 及光酸表生劑化合物(例如如那些上文所討論與光阻一起 使用者)。 加工 如上所討論,光阻組成物係藉由各式各樣之方法的任 94226 24 L374478 一種,如旋轉塗佈作為塗覆至基板之塗佈層。阻劑通常係 以約0.02至3#m之乾燥層厚度塗覆在基板上。基板可適 當地為涉及光阻之製程所使用之任何基板。例如,基板可 為矽、二氧化矽或鋁-氧化鋁微電子晶圓。亦可使用砷化 鎵、碳化石夕、陶£、石英或銅基板。用於液晶顯示器或其 他平面面板顯示器應用之基板亦可適當地使用,例如玻璃 基板、氧化銦錫塗佈之基板等。亦可使用用於光學及光學_ 電子裝置(例如波導)之基板。塗覆後,典型係藉由加熱來 乾燥光阻塗佈層以移除溶劑,較佳直至阻劑層不黏為止。 ^後以S知的方式透過光罩利用活化輻射使阻劑層成 像。曝光能量係足以有效地活化阻劑系統之光活性成分以 在阻劑塗佈層中產生圖案化之影像。曝光能量典型係介於 約3至30〇mJW之範圍,且係部份視所使用之曝光工且 和特定之阻劑及阻劑加工而定。若希望可對曝光之阻劑層 施力曝光後《、相產生或提昇塗佈層之曝光與未曝光區 間之溶解度差異。例如,負型酸硬化之光阻典型需要曝光 後加熱以引發酸促進之交聯反應’及許多化學放大型正型 光阻需要曝光後加熱以引發酸促進之去保護反應。曝光後 条件典型包含約5(rc或更高之溫度,更明確地說該溫 度係介於約5〇t至約16(TC之範圍。 然後使曝光之阻劑塗佈層顯影,較佳係利用水性顯影 氮氧化四丁録、氮氧化納、氫氧化鉀、碳酸鋼、碳 2納 '料鈉、偏㈣鈉、氨水等予以料之驗顯影之。 或者,可使用有機顯影劑。-般而言,係依據技藝所認可 94226 25 L374478 之程序進行顯影。 然後可將可固化之組成物塗覆在光阻層上(外覆)。然 後可熱處理(例如超過l〇〇t、n〇〇c、l2〇〇c、13〇〇c、14〇 C或150°c歷時60至120秒)及/或利用活化輻射處理(例如 利用248nm或I93nm輻射之全面曝光)可固化之組成物以 硬化包覆光阻浮凸影像之可固化之組成物區域。來自光阻 斤凸影像之酸可遷移至那些相鄰之可固化之組成物區域以 促進此硬化。然後可固化之組成物之未固化區域可例如利 用電漿蝕刻劑或利用顯影劑組成物(例如水性鹼性顯影劑) 的處理而予以移除。 然後’顯影之基板可在那些裸露光阻之基板區域上選 擇性地加工,例如,依據技藝中眾所周知之程序化學蝕刻 或電鍍裸路光阻之基板區域。適合之钱刻劑包含氫氟酸钱 亥J /合液及電漿:氣體姓刻劑如氧氣電漿姓刻劑。
下述之非限制性實施例說明本發明。 實施例1 :顆粒添加劑製備 較佳之氟化顆粒添加劑係如下製備之: 在反應器容器中置入所欲用量之丙二醇單甲基醚乙酸 酉旨(PGMEA) ’再於&吹掃下加熱至8〇〇c。在冰浴中以⑴ 至90wt/〇机體組成物使下述之單體⑽a、 TMPTA) .、X聯劑及起始劑(過氧新纟酸第三戊酯)名 PGMEA中混合。相對於單體及交聯劑之總量,起始劑的 含量為4%。單體俏以τ、+,β & 糸以下述用!使用之:70wt°/o五氟丙烯酸 酉曰(PFPA)、2Gwt%甲基丙烯酸乙基環戊自旨(EcpMA)、及 94226 26 L374478 10wt%TMPTA :
然後以大約1 ml/min之速率將該單體/交聯劑/起始劑 /PGMEA混合物饋料至反應器容器中。添加至反應器容器 ®完成後,使反應器容器内之混合物的溫度於80°C保持30 分鐘。然後,將另外之2wt%(相對於總單體及交聯劑)起始 劑饋料至反應器中。添加後,使反應器容器内之混合物的 溫度於80°C保持額外之2小時。之後,使反應器容器的溫 度冷卻至室溫。 藉由此程序,提供具有7088之數目平均分子量(Μη) 及19255之重量平均分子量(Mw)之聚合物顆粒。 修實施例2 :光阻製備 藉由以特定用量混合下述材料而製備光阻組成物: 1. 樹脂成分:以光阻組成物之總重量計之,用量為6.79wt% 之甲基丙烯酸2-曱基-2-金剛烷酯//3 -羥基-r 丁内酯曱基 丙烯酸酯/曱基丙烯酸氰基-降冰片基酯之三聚物; 2. 光酸產生劑化合物:以光阻組成物之總重量計之,用量 為0.284wt%之全氟丁烷磺酸第三丁基苯基四亞曱基鏟; 3. 驗添加劑:以光阻組成物之總重量計之,用量為0.017wt% 之N-烷基己内醯胺; 27 94226 L374478 4. 界面活性劑:以光阻組成物之總重量計之,用量為 0.0071 wt%之 R08(含 之界面活性劑,Dainippon Ink & Chemicals公司出品); 5. 實質上非可混合之添加劑:如上述實施例1所製備之具 '有 7088 之 Μη 及 19255 之 Mw 之氟化 PFPA/ECPMA/TMPTA v 三聚物顆粒,且其用量以光阻組成物之總重量計之為 0. 213.t% ; 6. 溶劑成分:丙二醇單甲基醚乙酸酯,用以提供約90%流 籲體組成物。 實施例3 :可固化(外覆)之組成物製備 藉由以特定用量混合下述材料而製備可固化之組成 物: 1. 樹脂成分:藉由甲基丙烯酸與3_甲基丙烯醯基氧基丙基 三曱氧基矽烷之共聚合反應所形成之聚合物; 2. 個別之交聯劑:四曱氧基甘脲; _ 3.溶劑成分:異丁醇,用以提供約90%流體組成物。 實施例4 :加工 將實施例2之光阻旋轉塗佈至其上具有有機抗反射塗 佈組成物之8吋矽晶圓上。使塗覆之光阻塗佈層於90°C軟 供烤60秒。使乾燥之光阻層透過光罩而曝光於193nm輕 射。然後使晶圓於90°C進行曝光後烘烤90秒,後續使用 45秒單次浸置式(single paddle)製程使之於0.26N水性驗 性顯影劑中顯影,以提供光阻浮凸影像。 然後將實施例3之可固化之組成物旋轉塗佈在光阻浮 28 94226

Claims (1)

  1. •1374478 __ |_第97104784號專利f請案 ·: 丨年·4月25日修正替換頁 十、申請專利範圍: 1. 一種電子裝置之製造方法’包括: (a) 在基板表面上塗覆可成像之材料; (b) 使該可成像之材料曝光於圖案化之活化輻射,並 使該曝光之材料顯影以提供浮凸影像; (c) 將可固化之有機或無機組成物塗覆在該浮凸影 像上以提供該可成像之材料與該可固化之組成物的複 合物,且其中該可固化之有機或無機組成物包括含矽成 分; (d)處理該複合物以提供由該可固 覆之可成像之材料的浮凸影像; (e)移除該可成像之材料1 申請專利範圍第1項之方法,其中,在步驟⑷之後, Si固化之組成物相較於先前顯影之可成像之材料係 以減少間距之浮凸影像留存。 3·如申請專利範圍第1項 步驟。 項之方法,其中,係利用單次曝光 成範圍第1項之方法’其中,該複合物在該可 物。枓的頂部表面上實質上不含該可固化之組成 如申睛專利範圍第i 複合物曝光於活化轄射以:二其中,步驟⑷包括使該 後再顯影以移料可㈣該可固化之組成物硬化,然 6.如申請專利之材料。 仏’其中,該可隸之材料 94226修正本 30 M74478 第97104784號專利申請案 101年·4月25日修正替換頁 及可固化之組成物各自含有一種或多種有機成分且係 藉由旋轉塗佈予以塗覆。 7. 如申請專利範圍第1項之方法,其中,該可固化之組成 物包括含矽成分。 8. 如申請專利範圍第1項之方法,其中,該可固化之組成 物係在自該可成像之材料遷移出之酸的存在下交聯。 9. 一種電子裝置之製造方法,包括: (a) 在基板上提供光阻浮凸影像; (b) 在該光阻浮凸影像上塗覆可固化之組成物以提 供光阻與可固化之組成物的複合物,且其中該可固化之 組成物包括含矽成分; (c) 處理該複合物以提供由該可固化之組成物所包 覆之光阻之浮凸影像; (d) 移除該光阻。 31 94226修正本
TW097104784A 2007-02-13 2008-02-12 Electronic device manufacture TWI374478B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US90160007P 2007-02-13 2007-02-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200903579A TW200903579A (en) 2009-01-16
TWI374478B true TWI374478B (en) 2012-10-11

Family

ID=39427668

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097104784A TWI374478B (en) 2007-02-13 2008-02-12 Electronic device manufacture

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9437431B2 (zh)
EP (1) EP1959479A3 (zh)
JP (1) JP5164596B2 (zh)
KR (1) KR101429547B1 (zh)
CN (1) CN101261937B (zh)
TW (1) TWI374478B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8133659B2 (en) 2008-01-29 2012-03-13 Brewer Science Inc. On-track process for patterning hardmask by multiple dark field exposures
US9640396B2 (en) * 2009-01-07 2017-05-02 Brewer Science Inc. Spin-on spacer materials for double- and triple-patterning lithography
US8692310B2 (en) 2009-02-09 2014-04-08 Spansion Llc Gate fringing effect based channel formation for semiconductor device
CN101777493A (zh) * 2010-01-28 2010-07-14 上海宏力半导体制造有限公司 硬掩膜层刻蚀方法
US11393694B2 (en) * 2018-11-13 2022-07-19 Tokyo Electron Limited Method for planarization of organic films

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4491628A (en) 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
DE3584316D1 (de) 1984-06-01 1991-11-14 Rohm & Haas Lichtempfindliche beschichtungszusammensetzung, aus diesem hergestellte thermisch stabile beschichtungen und verfahren zur herstellung von thermisch stabilen polymerbildern.
CA1307695C (en) 1986-01-13 1992-09-22 Wayne Edmund Feely Photosensitive compounds and thermally stable and aqueous developablenegative images
US4968581A (en) 1986-02-24 1990-11-06 Hoechst Celanese Corporation High resolution photoresist of imide containing polymers
US4770974A (en) * 1986-09-18 1988-09-13 International Business Machines Corporation Microlithographic resist containing poly(1,1-dialkylsilazane)
US4810613A (en) 1987-05-22 1989-03-07 Hoechst Celanese Corporation Blocked monomer and polymers therefrom for use as photoresists
DE3721741A1 (de) 1987-07-01 1989-01-12 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien
US5128232A (en) 1989-05-22 1992-07-07 Shiply Company Inc. Photoresist composition with copolymer binder having a major proportion of phenolic units and a minor proportion of non-aromatic cyclic alcoholic units
US5153295A (en) 1990-07-20 1992-10-06 Rensselaer Polytechnic Institute Carbosilane polymer precursors to silicon carbide ceramics
JP3050965B2 (ja) * 1991-09-27 2000-06-12 沖電気工業株式会社 レジストパタンの形成方法
EP0605089B1 (en) 1992-11-03 1999-01-07 International Business Machines Corporation Photoresist composition
US5879856A (en) 1995-12-05 1999-03-09 Shipley Company, L.L.C. Chemically amplified positive photoresists
US5843624A (en) 1996-03-08 1998-12-01 Lucent Technologies Inc. Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
US5861231A (en) 1996-06-11 1999-01-19 Shipley Company, L.L.C. Copolymers and photoresist compositions comprising copolymer resin binder component
US6090526A (en) 1996-09-13 2000-07-18 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions
KR100220951B1 (ko) 1996-12-20 1999-09-15 김영환 비닐 4-테트라히드로피라닐옥시벤잘-비닐 4-히드록시벤잘-비닐 테트라히드로피라닐에테르-비닐 아세테이트 공중합체, 비닐 4-테트라히드로피라닐옥시벤잘-비닐 테트라히드로피라닐에테르-비닐 아세테이트 공중합체 및 그들의 제조방법
TW372337B (en) * 1997-03-31 1999-10-21 Mitsubishi Electric Corp Material for forming micropattern and manufacturing method of semiconductor using the material and semiconductor apparatus
US6057083A (en) 1997-11-04 2000-05-02 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions
US6165674A (en) 1998-01-15 2000-12-26 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions for short wavelength imaging
US6136501A (en) 1998-08-28 2000-10-24 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions comprising same
US6087064A (en) * 1998-09-03 2000-07-11 International Business Machines Corporation Silsesquioxane polymers, method of synthesis, photoresist composition, and multilayer lithographic method
JP4327360B2 (ja) 1998-09-23 2009-09-09 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー ホトレジスト、ポリマーおよびマイクロリソグラフィの方法
KR20000047909A (ko) 1998-12-10 2000-07-25 마티네즈 길러모 이타콘산 무수물 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트조성물
US6048662A (en) 1998-12-15 2000-04-11 Bruhnke; John D. Antireflective coatings comprising poly(oxyalkylene) colorants
US6210856B1 (en) * 1999-01-27 2001-04-03 International Business Machines Corporation Resist composition and process of forming a patterned resist layer on a substrate
US6048664A (en) 1999-03-12 2000-04-11 Lucent Technologies, Inc. Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
US6225238B1 (en) 1999-06-07 2001-05-01 Allied Signal Inc Low dielectric constant polyorganosilicon coatings generated from polycarbosilanes
US6306554B1 (en) 2000-05-09 2001-10-23 Shipley Company, L.L.C. Polymers containing oxygen and sulfur alicyclic units and photoresist compositions comprising same
US20020155389A1 (en) * 2000-10-24 2002-10-24 Bharath Rangarajan Inverse resist coating process
US6383952B1 (en) * 2001-02-28 2002-05-07 Advanced Micro Devices, Inc. RELACS process to double the frequency or pitch of small feature formation
KR100539225B1 (ko) * 2002-06-20 2005-12-27 삼성전자주식회사 히드록시기로 치환된 베이스 폴리머와 에폭시 링을포함하는 실리콘 함유 가교제로 이루어지는 네가티브형레지스트 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성방법
US6566280B1 (en) * 2002-08-26 2003-05-20 Intel Corporation Forming polymer features on a substrate
JP4989047B2 (ja) 2004-07-02 2012-08-01 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. 浸漬リソグラフィ用の組成物及びプロセス
KR20070107017A (ko) * 2004-12-30 2007-11-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 트리밍과 호환되는 라인 에지 조도 감소 방법
EP1720072B1 (en) 2005-05-01 2019-06-05 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Compositons and processes for immersion lithography
US7396781B2 (en) * 2005-06-09 2008-07-08 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for adjusting feature size and position
US8852851B2 (en) * 2006-07-10 2014-10-07 Micron Technology, Inc. Pitch reduction technology using alternating spacer depositions during the formation of a semiconductor device and systems including same
US7790357B2 (en) * 2006-09-12 2010-09-07 Hynix Semiconductor Inc. Method of forming fine pattern of semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
KR101429547B1 (ko) 2014-08-14
CN101261937B (zh) 2013-12-11
JP2008299308A (ja) 2008-12-11
US20080292990A1 (en) 2008-11-27
EP1959479A2 (en) 2008-08-20
JP5164596B2 (ja) 2013-03-21
US9437431B2 (en) 2016-09-06
EP1959479A3 (en) 2010-11-17
CN101261937A (zh) 2008-09-10
KR20080075797A (ko) 2008-08-19
TW200903579A (en) 2009-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI352876B (en) Photoresist composition for immersion lithography
TWI345138B (en) Coating compositions for use with an overcoated photoresist
TWI443457B (zh) 包含鹼反應性成分之組成物及光微影製程
JP6342993B2 (ja) ポリマー型熱酸発生剤を含む組成物及びそれの方法
TWI326803B (en) Coating compositions
TWI420245B (zh) 適於與上塗光阻併用之塗覆組成物
TWI557512B (zh) 適於與上塗光阻併用之塗覆組成物
TW200937132A (en) Compositions and processes for immersion lithography
KR20080066869A (ko) 포토레지스트 후층(厚層)용의 현상가능한 언더코팅 조성물
WO2007023908A1 (ja) 膜形成用材料およびパターン形成方法
TWI716920B (zh) 輻射敏感組合物以及圖案化及金屬化方法
TWI373500B (en) Coating compositions for photolithography
JP2021527949A (ja) Euvリソグラフィ用接着層
TWI516872B (zh) 適於與上塗光阻倂用之塗覆組成物
TWI374478B (en) Electronic device manufacture
US11518730B2 (en) Polymer compositions for self-assembly applications
TW201234109A (en) Compositions comprising base-reactive component and processes for photolithography
TW201030475A (en) Compositions and processes for photolithography
JP3707856B2 (ja) レジストパターンの形成方法
TW200421038A (en) Composition containing acrylic polymer for forming gap-filling material for lithography
TWI479260B (zh) 包含磺化醯胺之光微影組成物及方法
TW201241564A (en) Compositions comprising sugar component and processes for photolithography
JP2022506248A (ja) Pagが固定された表面上でのボトムアップ絶縁保護コーティングおよびフォトパターニング
JP6027758B2 (ja) 組成物及びパターン形成方法
JP2008116926A (ja) 低感度感光性レジスト下層膜形成組成物