JP6342993B2 - ポリマー型熱酸発生剤を含む組成物及びそれの方法 - Google Patents
ポリマー型熱酸発生剤を含む組成物及びそれの方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6342993B2 JP6342993B2 JP2016513365A JP2016513365A JP6342993B2 JP 6342993 B2 JP6342993 B2 JP 6342993B2 JP 2016513365 A JP2016513365 A JP 2016513365A JP 2016513365 A JP2016513365 A JP 2016513365A JP 6342993 B2 JP6342993 B2 JP 6342993B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist pattern
- polymer
- alkylene
- coating solution
- aqueous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 0 CC*C(*)(*)C(*)(*CC)C(N1***C1)=O Chemical compound CC*C(*)(*)C(*)(*CC)C(N1***C1)=O 0.000 description 3
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
- G03F7/405—Treatment with inorganic or organometallic reagents after imagewise removal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/34—Esters containing nitrogen, e.g. N,N-dimethylaminoethyl (meth)acrylate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F226/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen
- C08F226/06—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen by a heterocyclic ring containing nitrogen
- C08F226/10—N-Vinyl-pyrrolidone
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F8/00—Chemical modification by after-treatment
- C08F8/44—Preparation of metal salts or ammonium salts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D133/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D133/04—Homopolymers or copolymers of esters
- C09D133/14—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing halogen, nitrogen, sulfur or oxygen atoms in addition to the carboxy oxygen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D139/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D139/04—Homopolymers or copolymers of monomers containing heterocyclic rings having nitrogen as ring member
- C09D139/06—Homopolymers or copolymers of N-vinyl-pyrrolidones
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2201/00—Properties
- C08L2201/54—Aqueous solutions or dispersions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0048—Photosensitive materials characterised by the solvents or agents facilitating spreading, e.g. tensio-active agents
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
(1)(i)置換されたもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー(前記アクリレート及び/またはメタクリレートは、脱ブロック化に高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定性基で保護されている)と、(ii)ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物との間で、触媒の不在下に形成された反応生成物;
(2)(i)ノボラックポリマー、(ii)2〜7個のフェノール基を有するポリヒドロキシ化合物、及び(iii)ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で、触媒の不在下に形成された反応生成物;
(3)(i)ノボラックポリマー、(ii)置換されたもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー(前記アクリレート及び/またはメタクリレートは、脱ブロック化に高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定性基で保護されている)、及び(iii)ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で、触媒の不在下に形成された反応生成物;
(4)(i)(a)ノボラックポリマー、(b)2〜7個のフェノール基を有するポリヒドロキシ化合物、及び(c)ビニルエーテル及び置換されていないもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で触媒の不在下に形成された反応生成物と、(ii)置換されたもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー(前記アクリレート及び/またはメタクリレートは、脱ブロック化に高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定性基で保護されている)との混合物;及び
(5)(i)(a)ノボラックポリマー、(b)2〜7個のフェノール基を有するポリヒドロキシ化合物、及び(c)ビニルエーテル及び置換されていないもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で触媒の不在下に形成された反応生成物、(ii)置換されたもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー(前記アクリレート及び/またはメタクリレートは、脱ブロック化に高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定性基で保護されている)、及び(iii)ノボラックとの混合物。
例1で製造した123.6gのポリ(N,N−ジメチルアミノエチルアクリレート−co−ビニルピロリドン)を、攪拌しながら428gのアセトニトリル中に溶解した。117gのp−トルエンスルホン酸一水和物(PTSA)を約720gのアセトニトリル中に溶解し、そして濾過して、透明な溶液を得た。このPTSA溶液を、攪拌しながら上記のポリマー溶液中にゆっくりと添加した。添加後、この溶液を室温で18時間乾燥した。次いで、この反応混合物を約50gのメタノールで希釈し、そして濾過紙を通して濾過した。この溶液を、40℃でロータリーエバポレータを用いて約1.5リットルに濃縮した。攪拌しながら、約4リットルのジエチルエーテルをこのポリマー溶液にゆっくりと添加して、白色のポリマーゴムを得た。このポリマーを、攪拌しながら新鮮なジエチルエーテルで二度洗浄した。このポリマーを、上記と同じ手順により、約1リットルのメタノール中に再溶解しそしてジエチルエーテル中に析出することによって更に精製した。最後に、ポリマーを、重量が一定となるまで、50℃の減圧炉中で乾燥した。約165gのポリマーが得られた。
1073.5gのSPN560ノボラック(CYTEC Chemical Co.)(PGMEA中で47.3%の固形物含有率)と組み合わせた1821.6gのCZ−6ポリマー(Dupont Chemical Co.)溶液(PGMEA中で41.32%の固形物含有率)からなる反応混合物を、良好な攪拌、加熱マントル、温度計、温度制御、凝縮器及び圧力ゲージモニターを備えた5つ首5リットルフラスコ中に入れ、よく攪拌しながら二時間で室温から120℃までゆっくりと加熱した。120℃で反応させたら、100gのPGMEA中に溶解した114gのエチルビニルエーテル(EVE)を、反応器中に発生する圧力を監視し、過剰の圧力の発生を避けるように添加速度を調節しながら(すなわち、5lb/in2を超えない添加速度)、攪拌された反応混合物中にゆっくりと加えた。反応が完了した後、攪拌された反応混合物を更に3時間、120℃に維持した。この時間の経過後、残留EVEを一部の溶媒と一緒に留去し、そして反応混合物を室温まで放冷した。反応溶液の最終固形物含有率は約45.6重量%であった。PALポリマーは、次のように溶解速度の変化によって特徴付けした。SPN−560ノボラックの初期溶解速度は、1,000Å/S超(1,200〜1,650)となるように選択し、他方で、CZ−6(DuPontコポリマー6HS/4t−BA)の溶解速度は約27〜30Å/Sであり、このブレンドの反応前の溶解速度は600〜200Å/Sとなる。反応後、EVEによって官能化されたこのブレンドは、2Å/S未満(典型的には約1.3)の溶解速度を有する。
「合成例2」に記載されたポリ(N,N−ジメチルアミノエチルアクリレート−co−N−ビニルピロリドン)トシル酸塩(4g)及び0.0005gの界面活性剤(Pionion SF−485)を、96gの脱イオン水中に溶解した。この調合物を12時間混合して均一な溶液を調製し、そして0.2ミクロンPTFEフィルタで濾過した。
「合成例2」に記載されたポリ(N,N−ジメチルアミノエチルアクリレート−co−N−ビニルピロリドン)トシル酸塩(4g)及び0.0005gの界面活性剤(Pionion SF−485)を、96gの脱イオン水中に溶解した。この調合物を12時間混合して均一な溶液を調製し、そして0.2ミクロンPTFEフィルタで濾過した。
ステップ1 第一のフォトレジストパターン
レジストAZ(登録商標)SZF−153を、10nmAZ(登録商標)Experimental NLD−175中性層で前もってコーティングした6インチSiウェハ上に1.05μm厚のフィルムとしてコーティングした。このフィルムを次いで、110℃/90秒でソフトベークし、365nmステッパを用いて50mJ/cm2で露光し、110℃/120秒でポスト露光ベークし、そして最後に2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)を用いて60秒間現像して、841nm/908nmL/S図形を生成した。
合成例2で製造したポリマーの10重量%溶液を、このポリマーを水中に溶解することによって調製した。界面活性剤SF−485を加えて、界面活性剤含有率を500ppmとした。この溶液を、ステップ1で作製したリソグラフィパターン上に300rpm/30秒でコーティングしそして130℃/180秒でベークし、そして蒸留水で60秒間すすいで、ポリマー型TAGの作用で処理されたリソグラフィ図形を生成した。
合成例3で製造したポリマーの9重量%溶液を、このポリマーをPGMEA中に溶解して調製し、そしてこれを、ステップ2で生成したカプセル封入された図形上に2000rpm/2分間でコーティングし、そしてベーク(100℃/90秒間)した。
合成例2で製造したポリマーの5重量%溶液を、このポリマーを水中に溶解することによって調製した。界面活性剤SF−485を加えて、界面活性剤含有率を500ppmとした。この溶液を、ステップ3で生成したパターン化されたウェハ上に300rpm/30秒間でコーティングし、次いでそのフィルムを120℃/180秒間でベークし、そして最後に2.38重量%TMAHで現像した。これは、上を覆うPALポリマーがフィルムの上面から除去されそして元のパターンと、元のリソグラフィパターン間に残った酸不安定性基含有ポリマーフィルムとの間に細いトレンチも形成された結果、ダブルパターン化図形となったリソグラフィ図形を生成した。
ステップ1:
DI水中のパラ−トルエンスルホン酸(pTSA)の5重量%溶液を、一定に攪拌しながらpHが7.0となるまで、ステップ1で調製された上記のポリ(N,N−ジメチルアミノエチルアクリレート−co−N−ビニルピロリドン)の10重量%溶液にゆっくりと加えた(p−TSAを100モル%添加)。パラトルエンスルホン酸p−TSAの5重量%溶液を目的のpHが達成されるまでゆっくりと更に加えることによって、pH5及びpH2の酸性ポリマー溶液も試験用に同様のやり方で調製した。pH5及びpH2は、それぞれ150モル%及び200モル%のp−TSAを加えることによって達成された。
pH7.0のポリマー溶液の特性データ
13C NMR(CD3OD)データ:δ176.5ppm(>C=O,NVP);δ175.0ppm(>C=O,DMAEA);δ62.2ppm(O−CH2,DMAEA);δ57.6ppm(>N−CH2,DMAEA);δ45.3ppm(−N−CH3,DMAEA);δ45.2ppm(−N−CH2,NVP);δ42.0−34.0ppm(NVP & DMAEAの主鎖−CH,CH2,重複);δ32.2ppm(O=C−CH2,NVP);δ19.0ppm(−N−CH2−CH2−,NVP),δ125.8−129.7ppm(フェニルの−CH),δ140−142.5ppm(pTSAの第四炭素)及びδ20.4(pTSAの−CH3)。
比較合成例1に記載したポリ(N,N−ジメチルアミノエチルアクリレート−co−N−ビニルピロリドン)トシル酸塩を水で希釈して4重量%溶液を得、そして界面活性剤(Pionion SF−485)を500ppm添加し、そしてこの溶液を0.2ミクロンPTFEフィルタで濾過した。
本願は特許請求の範囲に記載の発明に係るものであるが、本願の開示は以下も包含する:
1.
フォトレジストパターン上に層を形成することができる、ポリマー型熱酸発生剤の水性コーティング組成物であって、構造2の少なくとも一種の繰り返し単位を有するポリマーを含む、前記水性コーティング組成物。
2.
ポリマーが、構造1の少なくとも一種の繰り返し単位を含むポリマーとスルホン酸との単離された反応生成物である、上記1に記載の水性コーティング組成物。
3.
ポリマーが構造3の繰り返し単位を更に含む、上記1または2に記載の水性コーティング組成物。
4.
構造(3)の繰り返し単位が次から選択される、上記3に記載のコーティング組成物。
5.
構造(3)のモノマー性単位が次から選択される、上記3または4に記載のコーティング組成物。
Wがメチレン及びエチレンから選択される、上記1または2に記載のコーティング組成物。
7.
水混和性溶媒を更に含む、及び/または界面活性剤、C 1 〜C 8 アルコール及び架橋性化合物から選択される添加剤を更に含む、及び/または架橋性化合物を含まない、上記1〜4のいずれか一つに記載の組成物。
8.
微細電子デバイスを製造する方法であって、
a)基材にフォトレジストパターンを供し;
b)このフォトレジストパターンを、上記1〜7のいずれか一つに記載のポリマー型熱酸発生剤の水性コーティング組成物でコーティングし;
c)フォトレジストパターンと接触している部分のコーティング組成物を、ベークすることによって反応させ;及び
d)反応していない部分のコーティング組成物を水性除去液で除去して、フォトレジストパターンの表面上にコーティングを形成する、
ことを含む前記方法。
9.
a)コーティングされたフォトレジストパターンを、水性塩基現像剤で現像して、フォトレジストパターンのトリミングを行うステップを更に含む、上記8に記載の方法。
10.
a)コーティングされたフォトレジストパターンを、水性塩基可溶化基で保護された酸不安定性基を含むポリマーと、第一のフォトレジストパターンを溶解しない溶媒とを含む第二の組成物でコーティングするステップ;
b)水性塩基可溶性基を保護する酸不安定性基を含むポリマーを含む前記組成物と、上記1に記載のポリマー結合型熱酸発生剤とを、コーティングされたキャップされたフォトレジスト図形をベークすることによって反応させるステップ;及び
c)熱酸発生剤でキャップされたフォトレジスト図形と、酸不安定性基を持つポリマーとの間の境界面で解保護化された材料を、水性アルカリ現像剤で除去するステップ、
を更に含む、上記8に記載の方法。
11.
第二の組成物が、水性アルカリで現像可能なポジトーン化学増幅フォトレジストである、及び/または水性塩基可溶性基を保護する酸不安定性基を含むポリマーが、次の(a)〜(e)からなる群から選択される、上記10に記載の方法。
a)(i)置換されたかもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー(前記アクリレート及び/またはメタクリレートは、脱ブロック化に高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定性基で保護されている)と、(ii)ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物との間で、触媒の不在下に形成された反応生成物;
b)(i)ノボラックポリマー、(ii)2〜7個のフェノール基を有するポリヒドロキシ化合物、及び(iii)ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で、触媒の不在下に形成された反応生成物;
c)(i)ノボラックポリマー、(ii)置換されたかもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー(前記アクリレート及び/またはメタクリレートは、脱ブロック化に高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定性基で保護されている)、及び(iii)ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で、触媒の不在下に形成された反応生成物;
d)(i)(a)ノボラックポリマー、(b)2〜7個のフェノール基を有するポリヒドロキシ化合物、及び(c)ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で触媒の不在下に形成された反応生成物と、(ii)置換されたかもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー(前記アクリレート及び/またはメタクリレートは、脱ブロック化のための高い活性化エネルギーで保護されている)との混合物;及び
e)(i)(a)ノボラックポリマー、(b)2〜7個のフェノール基を有するポリヒドロキシ化合物、及び(c)ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で触媒の不在下に形成された反応生成物、(ii)置換されたかもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー(前記アクリレート及び/またはメタクリレートは、脱ブロック化に高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定性基で保護されている)、及び(iii)ノボラック、の混合物。
12.
熱酸発生剤でキャップされたフォトレジスト図形を溶解しないスピンキャスト溶媒が、C 4 〜C 8 アルキルアセテート、C 8 〜C 12 アルカン、C 4 〜C 8 アルコール、及びこれらの混合物からなる群から選択され、好ましくは酢酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸ペンチル、4−メチル−2−ペンタノール、ペンタノール、及びヘキサノールからなる群から選択される、上記10または11に記載の方法。
13.
微細電子デバイスを製造する方法であって、
a)基材にフォトレジストパターンを供し;
b)このフォトレジストパターンを、上記1〜7のいずれか一つに記載のポリマー型熱酸発生剤の水性コーティング組成物でコーティングし;
c)フォトレジストパターンと接触している部分のコーティング組成物を、ベークすることによって反応させ;
d)反応していない部分のコーティング組成物を水性除去液で除去して、フォトレジストパターンの表面上にコーティングを形成し;
e)コーティングされたフォトレジストパターンを、水性現像剤中に不溶性のポリマーと、第一のフォトレジストパターンを溶解しない溶媒とを含む第二の組成物でコーティングし;及び
f)水性塩基現像剤で現像することによって元のフォトレジストパターンを除去して、リソグラフィ画像反転を起こす、
ことを含む前記方法。
14.
第二の組成物が、水性アルカリによって現像可能なポジトーン化学増幅フォトレジストである、上記13に記載の方法。
15.
水性塩基可溶性基を保護する酸不安定性基を含むポリマーが、次のa)〜e)からなる群から選択される、上記13または14に記載の方法。
a)(i)置換されたかもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー(前記アクリレート及び/またはメタクリレートは、脱ブロック化に高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定性基で保護されている)と、(ii)ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物との間で、触媒の不在下に形成された反応生成物;
b)(i)ノボラックポリマー、(ii)2〜7個のフェノール基を有するポリヒドロキシ化合物、及び(iii)ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で、触媒の不在下に形成された反応生成物;
c)(i)ノボラックポリマー、(ii)置換されたかもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー(このアクリレート及び/またはメタクリレートは、脱ブロック化に高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定性基で保護されている)、及び(iii)ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で、触媒の不在下に形成された反応生成物;
d)(i)(a)ノボラックポリマー、(b)2〜7個のフェノール基を有するポリヒドロキシ化合物、及び(c)ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で触媒の不在下に形成された反応生成物と、(ii)置換されたかもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー(前記アクリレート及び/またはメタクリレートは、脱ブロック化のための高い活性化エネルギーで保護されている)との混合物;及び
e)(i)(a)ノボラックポリマー、(b)2〜7個のフェノール基を有するポリヒドロキシ化合物、及び(c)ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で触媒の不在下に形成された反応生成物、(ii)置換されたもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー(前記アクリレート及び/またはメタクリレートは、脱ブロック化に高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定性基で保護されている)、及び(iii)ノボラック、の混合物。
Claims (18)
- フォトレジストパターン上に層を形成することができる、ポリマー型熱酸発生剤の水性コーティング溶液であって、
前記水性コーティング溶液は、構造2の少なくとも一種の繰り返し単位を有するポリマーを含み、かつ
更に前記ポリマーは構造3の繰り返し単位を更に含み、かつ
更に前記水性コーティング溶液は酸不含でありかつ架橋性化合物を含まず、かつ
更に前記ポリマーは5,000〜200,000g/モルの分子量範囲を有する、
前記水性コーティング溶液。
- フォトレジストパターン上に層を形成することができる、ポリマー型熱酸発生剤の水性コーティング溶液であって、
前記ポリマー型熱酸発生剤は、構造2の少なくとも一種の繰り返し単位を有する単離されたポリマーからなり、かつ
更に前記ポリマーは構造3の繰り返し単位を更に含み、かつ
更に前記水性コーティング溶液は架橋性化合物を含まず、かつ
更に前記ポリマーは5,000〜200,000g/モルの分子量範囲を有する、
前記水性コーティング溶液。
- ポリマーが、構造1の少なくとも一種の繰り返し単位を含みかつ構造3の繰り返し単位を更に含むポリマーとスルホン酸との単離された反応生成物である、請求項1または2に記載の水性コーティング溶液。
- Wがメチレン及びエチレンから選択される、請求項1〜3のいずれか一つに記載のコーティング溶液。
- 水混和性溶媒を更に含む、請求項1〜6のいずれか一つに記載のコーティング溶液。
- 界面活性剤及びC1〜C8アルコールから選択される添加剤を更に含む、請求項1〜7のいずれか一つに記載のコーティング溶液。
- 微細電子デバイスを製造する方法であって、
a)基材にフォトレジストパターンを供し;
b)このフォトレジストパターンを、フォトレジストパターン上に層を形成することができる、ポリマー型熱酸発生剤の水性コーティング溶液でコーティングし、ここで前記水性コーティング溶液は、構造2の少なくとも一種の繰り返し単位を有するポリマーを含み、かつ前記ポリマーは、構造3の繰り返し単位を更に含み、かつ更に前記水性コーティング溶液は酸不含でありかつ架橋性化合物を含まず;
c)フォトレジストパターンと接触している部分のコーティング溶液を、ベークすることによって反応させ;及び
d)反応していない部分のコーティング溶液を水性除去液で除去して、コーティングされたフォトレジストパターンを形成する、
ことを含む前記方法。 - 微細電子デバイスを製造する方法であって、
a)基材にフォトレジストパターンを供し;
b)このフォトレジストパターンを、フォトレジストパターン上に層を形成することができる、ポリマー型熱酸発生剤の水性コーティング溶液でコーティングし、ここで前記ポリマー型熱酸発生剤は、構造2の少なくとも一種の繰り返し単位を有する単離されたポリマーからなり、かつ前記ポリマーは、構造3の繰り返し単位を更に含み、かつ更に前記水性コーティング溶液は架橋性化合物を含まず;
c)フォトレジストパターンと接触している部分のコーティング溶液を、ベークすることによって反応させ;及び
d)反応していない部分のコーティング溶液を水性除去液で除去して、コーティングされたフォトレジストパターンを形成する、
ことを含む前記方法。 - a)コーティングされたフォトレジストパターンを、水性塩基現像剤で現像して、フォトレジストパターンのトリミングを行うステップを更に含む、請求項9または10に記載の方法。
- a)コーティングされたフォトレジストパターンを、水性塩基可溶化基を保護する酸不安定性基を含むポリマーと、コーティングされたフォトレジストパターンを溶解しない溶媒とを含む第二の組成物でコーティングするステップ;
b)水性塩基可溶性基を保護する酸不安定性基を含むポリマーを含む前記第二の組成物と、該ポリマー型熱酸発生剤とを、ベークすることによって反応させるステップ;及び
c)コーティングされたフォトレジストパターンと、酸不安定性基を持つポリマーを含む第二の組成物との間の境界面で解保護化された材料を、水性アルカリ現像剤で除去するステップ、
を更に含む、請求項9または10に記載の方法。 - 第二の組成物が、水性アルカリで現像可能なポジトーン化学増幅フォトレジストである、請求項12に記載の方法。
- コーティングされたフォトレジストパターンを溶解しない溶媒が、C4〜C8アルキルアセテート、C8〜C12アルカン、C4〜C8アルコール、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項12または13に記載の方法。
- コーティングされたフォトレジストパターンを溶解しない溶媒が、酢酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸ペンチル、4−メチル−2−ペンタノール、ペンタノール、及びヘキサノールからなる群から選択される、請求項12〜14のいずれか一つに記載の方法。
- 微細電子デバイスを製造する方法であって、
a)基材にフォトレジストパターンを供し;
b)このフォトレジストパターンを、フォトレジストパターン上に層を形成することができる、ポリマー型熱酸発生剤の水性コーティング溶液でコーティングし、ここで前記水性コーティング溶液は、構造2の少なくとも一種の繰り返し単位を有するポリマーを含み、更にかつ前記ポリマーは、構造3の繰り返し単位を更に含み、かつ更に前記水性コーティング溶液は酸不含でありかつ架橋性化合物を含まず;
c)フォトレジストパターンと接触している部分のコーティング溶液を、ベークすることによって反応させ;
d)反応していない部分のコーティング溶液を水性除去液で除去して、コーティングされたフォトレジストパターンを形成し;
e)コーティングされたフォトレジストパターンを、水性現像剤中に不溶性のポリマーと、コーティングされたフォトレジストパターンを溶解しない溶媒とを含む第二の組成物でコーティングし;及び
f)水性塩基現像剤で現像することによって、リソグラフィ画像反転を起こす、
ことを含む前記方法。 - 微細電子デバイスを製造する方法であって、
a)基材にフォトレジストパターンを供し;
b)このフォトレジストパターンを、フォトレジストパターン上に層を形成することができる、ポリマー型熱酸発生剤の水性コーティング溶液でコーティングし、ここで前記ポリマー型熱酸発生剤は、構造2の少なくとも一種の繰り返し単位を有する単離されたポリマーからなり、更にかつ前記ポリマーは、構造3の繰り返し単位を更に含み、かつ更に前記水性コーティング溶液は架橋性化合物を含まず;
c)フォトレジストパターンと接触している部分のコーティング溶液を、ベークすることによって反応させ;
d)反応していない部分のコーティング溶液を水性除去液で除去して、コーティングされたフォトレジストパターンを形成し;
e)コーティングされたフォトレジストパターンを、水性現像剤中に不溶性のポリマーと、コーティングされたフォトレジストパターンを溶解しない溶媒とを含む第二の組成物でコーティングし;及び
f)水性塩基現像剤で現像することによって、リソグラフィ画像反転を起こす、
ことを含む前記方法。 - 第二の組成物が、水性アルカリによって現像可能なポジトーン化学増幅フォトレジストである、請求項16または17に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/896,936 | 2013-05-17 | ||
US13/896,936 US9291909B2 (en) | 2013-05-17 | 2013-05-17 | Composition comprising a polymeric thermal acid generator and processes thereof |
PCT/EP2014/059999 WO2014184308A1 (en) | 2013-05-17 | 2014-05-15 | A composition comprising a polymeric thermal acid generator and processes thereof |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016526183A JP2016526183A (ja) | 2016-09-01 |
JP2016526183A5 JP2016526183A5 (ja) | 2017-04-27 |
JP6342993B2 true JP6342993B2 (ja) | 2018-06-13 |
Family
ID=50933134
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016513365A Expired - Fee Related JP6342993B2 (ja) | 2013-05-17 | 2014-05-15 | ポリマー型熱酸発生剤を含む組成物及びそれの方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9291909B2 (ja) |
EP (1) | EP2997058A1 (ja) |
JP (1) | JP6342993B2 (ja) |
KR (1) | KR20160011183A (ja) |
CN (1) | CN105164172B (ja) |
SG (1) | SG11201506923PA (ja) |
TW (1) | TWI617890B (ja) |
WO (1) | WO2014184308A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9530662B2 (en) * | 2015-02-25 | 2016-12-27 | GlobalFoundries, Inc. | Methods for fabricating integrated circuits using directed self-assembly including a substantially periodic array of topographical features that includes etch resistant topographical features for transferability control |
US10269623B2 (en) | 2015-06-22 | 2019-04-23 | Intel Corporation | Image tone-reversal with a dielectric using bottom-up cross-linking for back end of line (BEOL) interconnects |
US9530663B1 (en) * | 2015-06-23 | 2016-12-27 | Nanya Technology Corp. | Method for forming a pattern |
US9574104B1 (en) | 2015-10-16 | 2017-02-21 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Compositions and processes for self-assembly of block copolymers |
JP2017157632A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法及びパターン形成方法 |
US9869933B2 (en) * | 2016-03-07 | 2018-01-16 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Pattern trimming methods |
US9910355B2 (en) * | 2016-07-29 | 2018-03-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Method of negative tone development using a copolymer multilayer electrolyte and articles made therefrom |
JP6757623B2 (ja) * | 2016-08-10 | 2020-09-23 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン厚肉化用ポリマー組成物、及びレジストパターン形成方法 |
TWI754661B (zh) | 2016-08-18 | 2022-02-11 | 德商馬克專利公司 | 用於自組裝應用之聚合物組合物 |
US11067893B2 (en) | 2016-12-21 | 2021-07-20 | Merck Patent Gmbh | Compositions and processes for self-assembly of block copolymers |
JPWO2018131495A1 (ja) * | 2017-01-10 | 2019-11-07 | Jsr株式会社 | カバー膜形成方法、基材の処理方法及び組成物 |
US10691023B2 (en) * | 2017-08-24 | 2020-06-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for performing lithography process with post treatment |
FR3075774B1 (fr) * | 2017-12-21 | 2021-07-30 | Commissariat Energie Atomique | Procede de formation d’une structure de guidage chimique sur un substrat et procede de chemo-epitaxie |
JPWO2019131953A1 (ja) * | 2017-12-27 | 2020-12-24 | Jsr株式会社 | パターン形成方法及び感放射線性組成物 |
US11682559B2 (en) | 2020-06-11 | 2023-06-20 | Tokyo Electron Limited | Method to form narrow slot contacts |
CN113835296A (zh) * | 2021-09-28 | 2021-12-24 | 之江实验室 | 一种飞秒激光直写光刻胶组合物 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE543031A (ja) * | 1954-12-29 | |||
JPS5849410A (ja) * | 1981-09-19 | 1983-03-23 | Sanyo Chem Ind Ltd | カチオン性高分子凝集剤 |
US4491628A (en) | 1982-08-23 | 1985-01-01 | International Business Machines Corporation | Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone |
US6130303A (en) * | 1988-12-19 | 2000-10-10 | Cytec Technology Corp. | Water-soluble, highly branched polymeric microparticles |
DE69125634T2 (de) | 1990-01-30 | 1998-01-02 | Wako Pure Chem Ind Ltd | Chemisch verstärktes Photolack-Material |
US5321110A (en) * | 1992-06-29 | 1994-06-14 | Isp Investments Inc. | Cationic polymer compositions |
US5843624A (en) | 1996-03-08 | 1998-12-01 | Lucent Technologies Inc. | Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material |
TW329539B (en) | 1996-07-05 | 1998-04-11 | Mitsubishi Electric Corp | The semiconductor device and its manufacturing method |
US6808859B1 (en) | 1996-12-31 | 2004-10-26 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | ArF photoresist copolymers |
US5863707A (en) | 1997-02-11 | 1999-01-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for producing ultra-fine interconnection features |
US6849377B2 (en) | 1998-09-23 | 2005-02-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoresists, polymers and processes for microlithography |
US6790587B1 (en) | 1999-05-04 | 2004-09-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Fluorinated polymers, photoresists and processes for microlithography |
US6207778B1 (en) * | 1999-05-07 | 2001-03-27 | Isp Investments Inc. | Conditioning/styling terpolymers |
AU2001274579A1 (en) | 2000-06-21 | 2002-01-02 | Asahi Glass Company, Limited | Resist composition |
US6447980B1 (en) | 2000-07-19 | 2002-09-10 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Photoresist composition for deep UV and process thereof |
JP3800538B2 (ja) | 2001-02-09 | 2006-07-26 | 旭硝子株式会社 | レジスト組成物 |
US6723488B2 (en) | 2001-11-07 | 2004-04-20 | Clariant Finance (Bvi) Ltd | Photoresist composition for deep UV radiation containing an additive |
US6916594B2 (en) | 2002-12-30 | 2005-07-12 | Hynix Semiconductor Inc. | Overcoating composition for photoresist and method for forming photoresist pattern using the same |
WO2007141199A2 (de) | 2006-06-09 | 2007-12-13 | Basf Se | Verfahren zum schutz metallischer oberflächen vor korrosion durch fluide medien unter verwendung von ethylen und aminogruppen umfassenden copolymeren |
US7745007B2 (en) | 2006-10-31 | 2010-06-29 | S.D. Warren Company | Release sheets and methods of making the same |
US7923200B2 (en) | 2007-04-09 | 2011-04-12 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Composition for coating over a photoresist pattern comprising a lactam |
US8715918B2 (en) * | 2007-09-25 | 2014-05-06 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Thick film resists |
US7521094B1 (en) | 2008-01-14 | 2009-04-21 | International Business Machines Corporation | Method of forming polymer features by directed self-assembly of block copolymers |
US7745077B2 (en) * | 2008-06-18 | 2010-06-29 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Composition for coating over a photoresist pattern |
BR112012013063B1 (pt) * | 2009-12-01 | 2020-01-21 | Lubrizol Advanced Mat Inc | polímeros de múltiplas finalidades hidroliticamente estáveis |
US8309278B2 (en) | 2010-07-07 | 2012-11-13 | Massachusetts Institute Of Technology | Guided self-assembly of block copolymer line structures for integrated circuit interconnects |
US8691925B2 (en) | 2011-09-23 | 2014-04-08 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Compositions of neutral layer for directed self assembly block copolymers and processes thereof |
-
2013
- 2013-05-17 US US13/896,936 patent/US9291909B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-05-15 CN CN201480024795.8A patent/CN105164172B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-05-15 EP EP14729600.8A patent/EP2997058A1/en not_active Withdrawn
- 2014-05-15 SG SG11201506923PA patent/SG11201506923PA/en unknown
- 2014-05-15 WO PCT/EP2014/059999 patent/WO2014184308A1/en active Application Filing
- 2014-05-15 KR KR1020157032739A patent/KR20160011183A/ko active IP Right Grant
- 2014-05-15 JP JP2016513365A patent/JP6342993B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-05-16 TW TW103117401A patent/TWI617890B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG11201506923PA (en) | 2015-09-29 |
US9291909B2 (en) | 2016-03-22 |
EP2997058A1 (en) | 2016-03-23 |
WO2014184308A1 (en) | 2014-11-20 |
CN105164172B (zh) | 2018-07-10 |
JP2016526183A (ja) | 2016-09-01 |
KR20160011183A (ko) | 2016-01-29 |
US20140342290A1 (en) | 2014-11-20 |
TWI617890B (zh) | 2018-03-11 |
CN105164172A (zh) | 2015-12-16 |
TW201500859A (zh) | 2015-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6342993B2 (ja) | ポリマー型熱酸発生剤を含む組成物及びそれの方法 | |
KR101829955B1 (ko) | 블록 공중합체의 유도 자기조립을 위한 중성층의 조성물 및 이의 방법 | |
CN108137313B (zh) | 用于嵌段共聚物自组装的组合物和方法 | |
TWI515767B (zh) | 使用聚矽氮烷以形成反向曝光影像之硬罩製程 | |
JP5956370B2 (ja) | 珪素含有下層膜材料及びパターン形成方法 | |
KR101858276B1 (ko) | 포토레지스트 패턴 상에 코팅하기 위한 조성물 | |
TW200837097A (en) | Polymer having antireflective properties and high carbon content, hardmask composition including the same, and process for forming a patterned material layer | |
US8334088B2 (en) | Functionalized carbosilane polymers and photoresist compositions containing the same | |
US11518730B2 (en) | Polymer compositions for self-assembly applications | |
JP2023061994A (ja) | ブロックコポリマーの自己組織化のための新規組成物及び方法 | |
US20240219829A1 (en) | Hydrophobic crosslinkable pinning underlayers with improved dry etch capabilities for patterning directed self-assembly of ps-b-pmma type block copolymers | |
TW202319412A (zh) | 新型親水性釘壓mat之開發 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170324 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170324 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20170324 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20170411 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170419 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170714 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170915 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20170915 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180219 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180509 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180517 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6342993 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |