TWI363152B - Slit valve - Google Patents

Description

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九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明一般係涉及用於處理基材的製程室， •^尤 及用於保護間缝閥密封不因為製程室中 v饰件而退 【先前技街】 用於在基材上製造積體電路（IC)的處 ;尔统一般 包括用於在基材上執行各種製程以形成各種特徵結構和 造（其係構成1C)的製程室。 製程室一般係包括間缝閥，而用以在處理期間選擇 地密封腔室’同時協助基材進出製程室^間鏠閥—般係 括一外殼’其具有一狹長開口 （通常稱之爲間縫閥開口 而用於提供到腔室的物理入口。例如，間縫閥開口可用 〆 在製程室和耦接到製程室的傳送室之間傳送基材。間縫 更包括門以及當門處於關閉位置時提供密封的可壓縮密 構件。可壓縮密封構件通常在製程室中雉捋氣密密封（ 防止腔室之洩漏，以利於保持腔室内部的#大氣壓條件 等）。 然而，典型地採用以在這些製程室中製造1C的許多 程（諸如化學氣相沉積（C VD )、物理氣相沉積（P VD ) 麵刻製程等等）通常會導致製程室中產生揮發性和腐蝕 氣體。這些腐蝕性氣體可能會侵钱間缝關的可壓縮密封 件9所述侵蝕會造成密封構件的退化，從而導致顆粒形 涉 化 係 構 性 包 ) 於 閥 封 以 等 製 > 性 構 成 5 1363152 (其可污染基材）和/或密封構件的失效（其可導致製程氣 艘的戌漏或製程室内的製程條件之不穩定性）。可選地，可 頻繁地替換密封構件（和/或間缝閥及其元件）以防止隨時 間造成的上述退化情況，從而造成停工期和維護成本增 加，並使製程産量降低。 因此，需要-種間縫間，其能減少可壓縮密封構件暴 露於製程室中存在的氣體。 【發明内容】 在此提供-種用力製程^纟有改進的密封性能之間 組件的實施例。在部分實施例中，用於製程室的閥組件包 括：-外殼，具有設置在其受中的開σ，且基材係傳送穿 過該開口；-η，係於實質乎行於外殼的壁之平面中而可 移動地柄接到外殼，並用於選擇性地密封開口 ： 一可壓縮 密封構件，係至少部分設置在η的上表面和外殼的相應表 面之間，用於當門位於關閉位置時’在實質垂直於壁的方 向上藉由壓縮可壓縮密封構件而在η與外殼之間形成密 封；以及-機構，用於限制牙壓縮密封構件暴露於外殼的 製程室側之環境。 在部分實施例中，基材處理系統包括：一具有在其側 α及一閥組件’係設置而接近 壁中形成的開口之製程室’以 開口，並用於選擇性密封該開口。上述閥組件包含：一外 殼，具有設置在其壁中的開炎且基材係傳送穿過該開 口；-門，在實質平行於外殼的受之平面令而可移動地輕 6 1363152 接至外殼，且用於選擇性地密封開口；一可壓縮密封構件， 係至少部分設置在門的上表面和外殼的相應表面之間，且 當門位於關閉位置時，在實質垂直於所述壁的方向上藉由 壓縮可壓縮密封構件而在門與外殼之間形成密封；以及一 機構，用於限制可壓縮密封構件暴露於外殼的製程室側上 之環境。

在本發明的另一實施態樣中，提供一種製造閥组件的 方法。在部分實施例中，製造閥組件的方法包括：提供具 有外殼、門和可壓縮密封構件的閥組件，當門位於關閉位 置時，可壓縮密封構件在門和外殼之間形成密封；以及提 供一歧管給閥組件，所述歧管具有一入口和複數個氣體孔 洞，該些氣體孔洞係設置而用以當門位於關閉位置時，使 歧管和可壓縮密封構件附近的區域為流體連通，藉此，傳 輸到歧管的加壓氣體係至少部分形成氣幕，並且在門位於 關閉位置時，該氣幕撞擊可壓縮密封構件或者流動到可壓 縮密封構件附近。

【實施方式】 本發明提供一種適合在製程室中（諸如在半導體處理 裝置中）使用的間缝閥，其中該間缝閥可能暴露於由於例 如腐蝕性氣體導致的有害環境中。間縫閥一般包含具有外 殼、門、可壓縮密封構件以及用於保護可壓縮密封構件的 機構之閥組件。外殼包括設置在其壁中的開口 ，以協助基 材傳送穿過外殼，例如從一個腔室傳送到另一個腔室。外 7 1363152 殼更包括設置在開口上方並實質垂直於壁而形成的 面。門在實質平行於外殼的壁之平面中而可移動地 外殼，並用於選擇性密封開口。可壓缩密封構件係 門的上表面上，用於接合外殼的密封表面，並當門 閉位置時與密封表面形成密封。 機構係限制可壓縮密封構件暴露於外殼之製程 環境。在部分實施方式中，外殼可包括歧管，該歧 近具有從歧管延伸到外殼的外表面之複數個氣趙孔 封表面之外殼中形成》當門位於關閉位置時.，複數 孔洞有助於加壓氣體之傳送，以撞擊到可壓縮密 上，從而形成限制其他製程氣體接觸可壓縮密封構 幕（gas curtain )。可選地或者以結合方式使用，外 括一物理性障壁。當門位於關閉位置時，物理性障 置位置可充分接近可壓縮密封構件，以在二者之間 小間隙。物理性障壁保護可壓縮密封構件，而使其 暴露於可能存在於製程室中的製程氣體。 雖然在此描述係利用於半導體處理設備中，但 所揭露的間缝閥組件可用於任何期望可防止腔室内 性環境侵钱間縫閥組件的密封之腔室中。例如，第 示出根據本發明的部分實施例之示例性基材處理系 的簡要視圖。在部分實施例中，基材處理系統1 00 真空處理系統諸如半導體處理設備。基材處理系 可包括具有設置在其中的基材支樓件118之製程室 爲了簡潔表示’典型存在於各種製程室的額外元件 密封表 耦接到 設置在 位於關 室側的 管在接 洞的密 個氣體 封構件 件的氣 殼可包 壁之設 界定一 不直接 是在ib 的腐蝕 1圖係 統1〇〇 可爲一 統1〇〇 104 · (諸如 8 1363152 I f

製程氣體入口、排氣幫浦、控制器、RF產生器或其他 源等）於此不再贅述。 隨著基材順著所需製造顺序移動，基材係典型地 進出製程室1〇4。例如，傳送室1〇2可輕接到製程室 以協助將基材放置於基材支撐件118上，或者將基材 材支撐件11 8上移除。開口 i 〇6係設置在傳送室1 〇2 程室104的各個鄰近壁中，以協助基材傳送進出製 104。閥組件108係設置而鄰近開口 1〇6，以協助選擇 封開口 106 。 閥組件108包括可移動以選擇性密封製程室1〇4 110。門110可在大致平行於開口 1〇6的平面之方向 動。致動器U2,諸如氣動致動器、液壓致動器、馬達 其係藉由一或多個桿114而耦接至門11〇。從而致動琴 的操作可控制門11 0的選擇性開啟及關閉。 第2A、2B、2C圖分別示出了根據本發明的部分 例之閥組件1 08的透視圖、前視圖和側视圖。閥組件 一般包括具有開口、門、可壓縮密封構件的外殼，和 保護可壓縮密封構件的機構。例如，如第图所厂、 組件108可包括具有設置在其壁203中的開口 2〇4之 202。開口 2〇4係按照一定尺寸製作以協助穿過其中而 基材。外殼202可由諸如鋁的任何適宜材料製成並 包括一或多個形成於其上的密封表面，以助於與下述 麗縮密封構件形成密封。在帛2A_C圖中所述的實施你 外殼202可具有設置在開口 204上方的上密封表面 電漿 傳送 104 從基 和製 程室 性密 的門 上移 等， 112 實施 108 用以 ，閥 外殼 傳送 且可 的可 !中，

207A 1363152

和設置在開口 204下方的下密封表面 207B。上密封 207A和下密封表面207B可形成而實質垂直於壁203。 如第2C圖所示，閥組件108更包括門206。在實 行於外殼202的壁203之平面中，門206係可移動地 至接近開口 204的外殼202上，並用於（與可壓缩密 件一同使用）選擇性密封開口 204。在本發明的部分 例中，門206之開啟及關閉僅藉由線性移動來達成。門 可由與適於外殼202的上述之相同材料製成。 門206 —般具有與外殼202中所設置的密封表面 如在外殼202中的密封表面207A、207B )相接的相 面。在第2A-C圖中所描述的實施例中，且由第2C圖 別示出者，門206可包括設置以與上密封表面207A 的第一表面209A，和設置以與下密封表面207B相接 二表面209B。在部分實施例中，爲了助於牢固的密封 外殼202上的上密封·表面207A和下密封表面207B以 門206上的第一表面209A和第二表面209B可設置而 垂直於門2 06的移動方向，和/或上密封表面2 0 7A和 封表面207B以及第一表面209A和第二表面209B係 實質平行設置。

可壓縮密封構件可設置在門206和外殼202之間 如，在上密封表面20 7A和下密封表面207B，以及第 面209A和第二表面209B之間），以助於當門206位 閉位置時，在二者之間形成密封。在第2A-C圖中所 及在第2C圖中具體示出的實施例中，上密封件208A 表面 質平 耦接 封構 實施 206 (諸 應表 所特 相接 的第 ，在 及在 實質 下密 彼此 (例 一表 於關 描述 (諸 10 1363152 如0型環、墊圈等）可設置在門206的第一表面2〇9A上， 且下密封件208B可設置在門206的第二表面209B上，而 用於當門206位於關閉位置時接合外殼202的密封表面 20 7A、207B。可選地，在外殼202的各個密封表面207A、 207B上可設置一或多個密封件208A、208B »亦可將單一 役封元件沿耆所期望之表面而設置（例如，門206的第一 和第二表面209 A、209B，或者外殼202的密封表面207 A、 207B)，以提供在此所述的密封能力。 可壓縮密封構件（例如，密封件208A、208B)可由 任何製程相容之材料製成（例如，與製程溫度、壓力、製 程氣體等相容）’而此材料具有在使用期間適於提供所需密 封屬性的功能（例如，在製程壓力下為可壓縮並能夠形成 所需密封八例如，可壓縮密封構件可由彈性材料形成，諸 如全氣彈性材料，或者更具體地為Chemraz® e_38、513、 和 520 材料，Kalrez KLR 9100 和 Sahara 8575、8475、8375

和8385材料等D 閥汲件1 0 8更包括一或多個機構以保護可壓縮密封構 件。此機構係藉由限制可壓縮密封構件暴露於製程室内的 製程環境（該製程環境可包含腐蝕性氣體和/或來自電漿的 反應性物質）來保護可壓縮密封構件。 在部刀實施例中，可提供惰性氣體的氣幕或薄層 (nket )以防止或限制製程室内的任何腐蝕性元素與可 ★ 接觸。例如，在第2A-C圖所示的實施例中， 卜 可更包括設置在其中並具有沿著外殼202分佈的 11 1363152 複數個氣體孔洞210之歧管211β歧管211可設置而鄰近 或夕個密封表面20 7Α、208Α。氣體孔洞21〇係設置以 導引惰性氣流以撞擊可壓縮密封構件，或者使惰性氣體: 到接近可壓縮密封構件4,以在可壓縮密封構件和製程: 内的任何腐蝕性氣體之間形成氣幕。 至

可根據需要而選擇歧管211的尺寸、數量和配置，以 控制氣幕的流速和分佈。在部分實施方式中，歧管川: 直徑可爲約6.35mm + /-約〇.〇8_。可根據需要而選擇氣體 扎洞210的尺寸、間隔、幾何形狀&量以控制氣幕的 流速和分佈。在本發明的部分實施方式中，氣體孔洞2ι〇 的直徑可爲約〇.3〇mm + /-約〇.〇lmm。另外，可根據需要而 選擇任何-或多個氣體孔洞21〇的方向，以控制氣幕的流 動方向。例如，設置在開口 204任一側附近的氣體孔洞21〇 之-部分可在-或多個水平或垂直方向上呈一角度，以引 導部分之氣幕朝向鄰近閥組件1〇8的側部之可壓縮密封構 一般可設置一入口而用於將歧管211搞接到氣體供應 器（未示出）。例如’第5圖插述了根據本發明的部分實施 例之外殼202的示意性截面前視圖，其係示出歧管2u。 在第5圖所描述的實施例中，歧管211係由設置在外殼2〇2 底部的入口 5 06而行經穿過外殼2〇2，並到接近上密封表 ® 207A (在第2A-C圖中示出）的位置。入口 5〇6可具有 適於連接來自氣體源（未示出）之氣體管道的接頭配件。 在第5圖中不出的入〇 5〇6之位置僅是示意性的，其 12 1363152 他的入口位置、或是入口和/或歧管211的數量亦為可行❶ 入口 506和歧管211的尺寸可爲任何適宜的尺寸，以在閥 組件108内提供所需之氣流。在部分實施例中，入口 506 的直徑可爲約6.35mm+/-约〇.〇8mm »儘管在第2A-C圖和 第5圖中示出歧管211係位於外殼202的上部，但是歧管 211(或者其他類似歧管）亦可設置在外殼的其他部位中（諸 如側部、外殼的下部、各側等），或者可選地或以結合方式 使用，可設置在門206内的一或多個位置t。

歧管211可以任何適宜的方式形成，諸如藉由機械加 工而穿過外殼202以形成複數個孔洞，且選擇性密封部分 的孔洞以界定出歧管2 11的所需路徑》在一個示意性實施 例中，複數個孔洞550、560、570、580可機械加工而形成 於外殼202之中。孔洞550、560、570、580係相交以形成 穿過外殼202的流體通道。孔洞550、560、570、580的選 擇性部分可經密封（如由562、572、582之虛線所示出的） 以界定出歧管211。亦可利用其他用於形成歧管的方法， 諸如藉由使至少部分之歧管設置於外殼202之外側，或者 在多部件外殼的一或多個部件上形成部分的歧管，因而在 將外殼組裝之後（諸如垂直分裂之外殼的一半）則可定義 出歧管。 請再往回參照第2A-C圖，在操作中，當門206位於 關閉位置時（例如，在處理期間），可從氣體源（未示出） 提供惰性氣體到歧管2 11。該惰性氣體可經由多個氣體孔 洞210排出歧管211，以形成接近可壓縮密封構件208的 13 1363152 » 氣幕。加虔氣體可爲任何製 农程相合的.惰性氣體，諸女 惰性氣體或對於密封件之材料呈惰性並且不對製程 生的製程不利之其他氣體。 在部分實施例申，可扃制 a 在製程風體供應之前，或 程室内的處理開始進行之前 一 形成氣幕，以避免可壓 構件於最初時即暴露於腔室内的任何腐㉔性空氣。 實施例令，可以預定流逮供應加壓氣體，以形成所 幕.，並限制可壓縮密封構件暴露於腔室内的任何腐 氟。在部分實施射，於製程完成之後、在淨化裳 後、和/或在打開門206之後’可在持續提供氣幕一 時間，以進一步限制可壓縮 难莕封構件暴露於腔室内 腐蚀性空氣。基於製程氡體的濃度達到實際上不退 縮密封構件（謂）的預定限度所f的時間來計算上 的時間。 可選地或以結合方式使用，可提供物理性障壁 物以防止或限制製程室内的任何隸性元素接觸可 封構件1如’在第2A-C圖描述的實施例中，外 :更包括當門206位於關閉位董時設置在可壓縮密 二：封件腿-B)和開口 2〇4 (或者製程室的内部 可理性障壁212。物理性障壁212係設置而足夠 圖壓縮Φ封構件’以在二者之間形成小間隙2! 6。 :不）>物理性障壁212可爲突出物（或者相應的 出件、突唇、凸緣、凸起部、壁'表面，或者是當 於關閉位置時在可壓 '缩密封構件和開p 2〇4 (或 11氮氣、 室内發 者在製 縮密封 在部分 需的氣 蝕性空 程室之 段預定 的任何 化可壓 述預定 或阻障 壓縮密 殼202 封構件 )之間 地接近 b第2C 凹槽）、 門206 製程室 14 1363152 的内部)之間提供阻障的其他構件或元件至少其中之一者。

在第2A-C圖所描述的實施例中，壁214係設置在外 02的開口 204之上部，以保護密封件2〇8ab。以另一 方式描述之，密封件208A可在開σ 2〇4上部中的凹槽或 突出件中形成。物理性障壁212可由任何適宜的方法形 成β在部分實施例中，可藉由在開口 2〇4的上部中以機械 加工形成一凹槽、將材料層附著至開口 2〇4的上表面等方 法或其組合方法而形成物理性障壁212。當將材料層附著 至開口 204的上表面（諸如藉由粘結、銅焊、焊接等）時， 至少部分的歧管211可設置在材料層和開口 204的上表面 之間。

在操作中’當門206位於關閉位置時，壁214 (或其 他物理性障壁2 12)係限制製程室中的腐蝕性氣體無法輕 易地接觸可壓縮密封構件（例如，密封件208Α)。物理性 障壁212係設置而足夠地接近可壓縮密封構件，以在二者 之間界定一小間隙2 1 6，該小間隙2 1 6係限制腐蝕性氣醴 流動到達可壓縮密封構件。在第2A-C圖所描述的實施例 中，密封件20 8Β係設置在開口 204下部的突出件下方， 並且以類似方式而被保護。 閥組件108的外殼202可更包括一或多個開口 （未示 出），以助於門206的致動（例如藉由上方參照第1圖所描 述的桿1 1 4和致動器11 2 )。亦可利用外殼202的其他配 置，而不需要在外殼202中設置開口。 如上所述，可單獨地設置氣幕和物理性障壁機構。例 15 1363152

如，第3圖示出了根據本發明的部分實施例之僅具有物理 性障壁312的閥组件308。除了下述部分帛组件3〇8係 類似於閥組件108。閥组件308包括—外殼3〇2，其示意性 具有設置在外殼302的開口 3〇4上部之壁314。壁314或 者其他物理性㈣312 (類似於上述的物理性障帛212和 壁214)在物理性障壁312和可壓縮密封構件（密封件 208A)之間界定-小間隙316。帛3U或其他物理性障壁 312可如同參照第2A_C圖所述而形成以及作用。 在部分實施例中’如第4圖中所&，閥組件偏根據 本發明的部分實施例可設置而僅具有氣幕。除了下述部 分，閥組件408係類似於闕組件1〇8。闕組件4〇8包括示 意性具有歧管411和複數個氣體孔洞41〇的外殼4〇2，而 氣體孔洞410係設置在外殻4〇2的開口 4〇4上部。歧管4ΐι 和複數個氣體孔·洞410可如同參照第2a c圖所述的歧管 211和複數個氣體孔洞21〇而形成以及作用。

因此，在此提供了具有改善的密封壽命和效能的間缝 閥組件之實施你J。閥組件係有利地限制門的密封構件暴露 於製程室中（闕係安裝於其中）的任何腐蝕性空氣。另外， 在此描述了結合閥纟且件的處理系統。此外，歧管組件可翻 新改進至現有處理系統中。 例如’一或多個歧管可形成在外殼中，和/或可選地， 形成在閥組件的門中。複數個氣體孔洞係形成而用以將歧 管流體連通至闕組件的所需區域，以助於産生並保持上述 的氣幕。歧管可包含入口，並至少部分設置在一區域中， 16 1363152 以助於流體連通至氣體孔洞。在部分實施例中，可藉由鑽 設複數個孔洞以形成歧管。 雖然前述涉及本發明的部分實施例，但是在不脫離本 發明的基本範圍下，本發明亦承認本發明的其他和進一步 的實施例，並且本發明的實施例由以下的申請專利範圍來 決定。 【圖式簡單說明】

爲了能詳細理解本發明的上述特徵，將參照部分在附 圖中示出的實施例而對以上的簡要概述和以下的其他描述 進行本發明的更詳細描述。然而，應該注意到附圖僅示出 了本發明的典型實施例，因此不能理解爲對本發明範圍的 限定，因爲本發明可承認其他等效的實施例。 第1圖示出了根據本發明的部分實施例之基材處理系 統的簡要視圖，

第2A圖示出了根據本發明的部分實施例之閥組件的 透視圖； 第2 B圖示出了根據本發明的部分實施例之閥組件的 前視圖； 第2 C圖示出了根據本發明的部分實施例之閥組件的 側視圖； 第3圖示出了根據本發明的部分實施例之閥組件的側 視圖， 第4圖示出了根據本發明的部分實施例之閥組件的側 17 1363152 視圖， 第5圖示出了根據本發明的部分實施例之閥組件的截 面前視圖。 在此盡可能使用相同的元件符號表示附圖中共有的相 同元件。爲了示意性目的，係簡化在附圖中使用的圖像， 而並未按比例繪示。

【主要元件符號說明】 100 系統 102 傳送室 104 製程室 106 開口 108 閥組件 110 門 112 致動器 114 桿 118 基材支撐件 202 外殼 203 壁 204 開口 206 門 207A (上）密封表面 207B (下）密封表面 208A (上）密封件 208B (下）密封件 209A 第一表面 209B 第二表面 210 氣體孔洞 211 歧管 212 物理性障壁 214 壁 216 小間隙 302 外殼 304 開口 308 閥組件 312 物理性障壁 3 14 壁 3 16 小間隙 402 外殼 404 開口 18 1363152 408 閥組件 411 歧管 550,560,570,5 80 410 氣體孔洞 506 入口 ； 洞 562,572,582 部分

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Claims (1)

1. Γ363152 4》月〜日修⑷正頁 第私々批號專利案、崎ί月蓚正 十、申請專利範圍： 1. 一種用於一製程室的閥组件，包括： 一外殼，係具有設置在該外殼之一壁中的一開口，且 一基材係傳送穿過該開口； 一門，係在實質平行於該外殼的該壁之一平面中而可 移動地耦接至該外殼，以選擇性地密封該開口； 一可壓縮密封構件，係至少部分設置於該門之一上表 面以及該外殼的一相應表面之間，並且在該門位於一關閉 位置時，藉由壓縮該可壓縮密封構件，而在該門與該外殼 之間形成密封；以及 一機構，用於限制該可壓縮密封構件暴露於該外殼的 一製程室侧之一環境，其中該機構包含一歧管，該歧管係 形成於該外殼中而接近該密封表面及複數個氣體孔洞，該 些氣體孔洞係形成於該外殼中，並且由該歧管延伸到該外 殼的一外表面，而用於當該門位於一關閉位置時允許傳輸 到該歧管的一加壓氣體撞擊該可壓縮密封構件。 2. 如申請專利範圍第1項所述之閥組件，其中該外殼更包 含： 一密封表面，係設置於該開口上方，並實質垂直於該 壁 0 3 .如申請專利範圍第2項所述之閥組件，其中該可壓縮密 20 1363152 t。崎-?月(σ曰修(栗)正替换頁 封構件係設置於該門的一上表面上，用於當該門位於一關 閉位置時，與該外殼的該密封表面接合。 4.如申請專利範圍第1項所述之閥組件，其中該機構更包 含當該門位於一關閉位置時設置在該可壓缩密封構件和該 開口之間的一物理性障壁。 5 ·如申請專利範圍第4項所述之閥組件，其中該物理性障 壁包含一突出物、一突出件或一凹槽的至少其中之一者。 6 · —種基材處理系統，包含： 一製程室，係具有形成在該製程室之一側壁中的一開 口；以及 一閥組件，係設置而接近該開口，並用於選擇性密封 該開口 ，該閥組件包含： 一外殼，係具有設置在該外殼之一壁中的一開 口，且一基材係傳送穿過該開口； 一門，係在實質平行於該外殼的該壁之一平面中 而可移動地耦接至該外殼，以選擇性地密封該開口； 一可壓縮密封構件，係至少部分設置於該門的一 上表面以及該外殼的一相應表面之間，並且在該門位 於一關閉位置時，藉由壓縮該可壓縮密封構件，而在 該門與該外殼之間形成密封；以及 21 Γ363152 ίί0^*δ·月f〇日修(jD正替換頁 一機構，用於限制該可壓缩密封構件暴露於該外 殼的一製程室側之一環境，其中該機構包含一歧管， 該歧管係形成於該外殼中而接近該密封表面及複數個 氣體孔洞，該些氣體孔洞係形成於該外殼中，並且由 該歧管延伸到該外殼的一外表面，而用於當該門位於 一關閉位置時允許傳輸到該歧管的一加壓氣體撞擊該 可壓縮密封構件。 7 ·如申請專利範圍第6項所述之基材處理系統，其中該外 殼更包含： 一密封表面，係設置於該開口上方，並且實質垂直於 該壁。 8 ·如申請專利範圍第7項所述之基材處理系統，其中該可 壓縮密封構件係設置於該門的一上表面上，用於當該門位 於一關閉位置時，與該外殼的該密封表面接合。 9. 如申請專利範圍第6項所述之基材處理系統，其中該機 構更包含當該門位於一關閉位置時設置在該可壓縮密封構 件和該開口之間的一物理性障壁。 10. 如申請專利範圍第9項所述之基材處理系統，其中該物 理性障壁包含一突出物、一突出件、一突唇、一凸緣、一 22 1*363152 月…日修Ut)正替換頁 凸起部、一壁或者一構件的至少其_之一者。 11. 一種製造一閥組件的方法，包含： 提供具有一外殼、一門和一可壓縮密封構件的 件，該外殼具有一開口，且該開口係形成於該外殼 中，該門在實質平行於該壁的一方向上而可移動地 該外殼，且當該門位於一關閉位置時，該可壓縮密 在該門和該外殼之間形成密封；以及 提供一歧管給該閥組件，該歧管具有一入口和 氣體孔洞，該些氣體孔洞係設置而用以當該門位於 位置時，使該歧管和接近該可壓縮密封構件的一區 體連通，從而，傳輸到該歧管的一加壓氣體係至少 成一氣幕，且當該門位於一關閉位置時，該氣幕則 可壓縮密封構件或者流動而接近於該可壓縮密封構 12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中提供 之步驟包含： 在該門中形成一歧管。 13. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中提供 之步驟包含： 在該外殼中形成一歧管。 一閥組 之一壁 耦接至 封構件 複數個 一關閉 域為流 部分形 撞擊該 f牛。 該歧管 該歧管 23 Γ363152 ⑼年f月/。曰修(更)正替換頁 14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中在該外殼中 形成該歧管之步驟更包含： 形成貫穿該外殼的複數個孔洞；以及 選擇性密封部分的該些孔洞，以界定該歧管的一預期 路徑。 15. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中提供該歧管 之步驟包含： 耦接一歧管至該門或該外殼的至少其中之一者。 16. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其更包含： 當該門位於一關閉位置時，在該開口中鄰近該可壓縮 密封構件的位置上形成一突出物，以界定在二者之間的一 小間隙。 24