KR101020476B1 - 가스 공급 장치, 반도체 제조 장치 및 가스 공급 장치용 부품 - Google Patents

가스 공급 장치, 반도체 제조 장치 및 가스 공급 장치용 부품 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 종래에 비해 가스 공급 장치로부터 금속 불순물이 발생할 가능성을 저감할 수 있어, 생산성의 향상을 도모할 수 있는 가스 공급 장치, 반도체 제조 장치 및 가스 공급 장치용 부품을 제공한다.
가스 공급 장치(1)의 접속용 블럭(22)은, 가스에 대해서 내식성을 갖는 세라믹 또는 귀금속으로 이루어지며, 가스와 접촉하는 접촉 가스부를 구성하는 내식성 블럭 부재(22a)와, 내식성 블럭 부재(22a)를 감합(嵌合)시키기 위한 감합 구멍(28)을 가지며, 내식성 블럭 부재(22a)의 주위를 둘러싸도록 마련되어, 내식성 블럭 부재(22a)를 보호하는 금속제 블럭 부재(22b)로 구성되어 있다.

Description

가스 공급 장치, 반도체 제조 장치 및 가스 공급 장치용 부품{GAS SUPPLYING APPARATUS, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS, AND COMPONENT FOR GAS SUPPLYING APPARATUS}
본 발명은, 가스 공급원으로부터의 가스를, 피처리물을 처리하기 위한 처리 챔버 내에 공급하기 위한 가스 공급 장치, 이 가스 공급 장치를 이용한 반도체 제조 장치 및, 가스 공급 장치용 부품에 관한 것이다.
종래부터, 반도체 웨이퍼나 LCD 등의 피처리물에 소망하는 처리를 실시하는 반도체 제조 장치에서는, 피처리물을 처리하기 위한 처리 챔버 내에 가스 공급원으로부터의 소정의 가스를 공급하여 성막 처리나 에칭 처리 등을 실시하는 것이 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
또한, 상기와 같은 반도체 제조 장치 등에 사용하는 가스 공급 장치로서는, 가스 공급을 제어하기 위한 복수의 가스 제어 기구, 예를 들면, 가스 유량 제어 기구(매스플로우 콘트롤러 등), 밸브 기구, 가스 압력 제어 기구 등을, 이들 가스 제어 기구를 접속함과 아울러 가스 유로를 형성하는 가스 유로부(예를 들면 유로 블 럭)에 의해서 연결한 구성으로 한 것이 알려져 있으며, 이들 가스 제어 기구 및 가스 유로부는 스테인레스강에 의해서 구성되는 것이 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 2 참조).
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2007-165479호 공보
[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 제2006-132598호 공보
상기와 같은 반도체 제조 장치 등에서는, 염소계 가스나 불소계 가스 등의 부식성이 높은 가스를 사용하는 경우가 있으며, 스테인레스강을 이용한 가스 공급 장치를 사용한 경우, 스테인레스강이 부식되어 철이나 니켈 등의 스테인레스강에 함유되어 있는 물질이 처리 챔버 내 등으로 누출되는 경우가 있다.
예를 들면, 폴리실리콘의 성막을 실시하는 성막 장치에서는, 처리 챔버 내에 퇴적한 폴리실리콘을 제거하기 위한 클리닝 시에, 클리닝 가스로서 불소계 가스를 사용하는 경우가 있다. 이러한 경우, 클리닝시에 가스 공급 장치로부터 철이나 니켈 등의 금속 불순물(메탈 오염물)이 처리 챔버 내에 들어가, 클리닝 종료 후에 성막 처리를 개시했을 때에, 이러한 금속 불순물이 성막된 막 내에 침입하게 된다고 하는 문제가 생긴다.
이 때문에, 클리닝이 종료한 후, 처리 챔버 내에 반도체 웨이퍼를 반입하지 않고, 또는 더미 웨이퍼를 처리 챔버 내에 반입하여, 성막 처리를 실시하고, 처리 챔버의 내벽 부분에 폴리실리콘 등의 얇은 막을 형성하는 소위 프리코팅을 행한 후에, 정규의 반도체 웨이퍼를 반입하여 성막 처리하는 것이 행해지고 있었다. 즉, 이 방법에서는, 프리코팅막 내에 금속 불순물을 봉입함으로써, 정규의 반도체 웨이퍼의 성막 시에, 금속 불순물이 반도체 웨이퍼에 혼입되는 것을 방지하고 있다.
그러나, 상기의 종래기술에서는, 프리코팅에 시간과 비용이 들고, 또한, 프리코팅하는 것에 의해서, 다음 회의 클리닝을 행할 때까지의 기간이 짧아지게 되 어, 생산성의 저하를 초래한다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은, 이러한 종래의 사정에 대처하기 위해 이루어진 것으로, 종래에 비해 가스 공급 장치로부터 금속 불순물이 발생할 가능성을 저감할 수 있어, 생산성의 향상을 도모할 수 있는 가스 공급 장치, 반도체 제조 장치 및 가스 공급 장치용 부품을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 제 1 특징에 따른 가스 공급 장치는, 가스 공급을 제어하기 위한 복수의 가스 제어 기구와, 이들 가스 제어 기구 사이를 접속하는 가스 유로를 형성하는 가스 유로부를 구비하되, 가스 공급원으로부터의 가스를, 피처리물을 처리하기 위한 처리 챔버 내에 공급하기 위한 가스 공급 장치로서, 상기 가스 제어 기구로서, 적어도 가스 유량을 제어하기 위한 가스 유량 제어 기구와, 가스의 공급·정지를 제어하기 위한 밸브 기구를 가지며, 상기 가스 제어 기구 및 상기 가스 유로부의 적어도 일부가, 상기 가스에 대해서 내식성을 가지는 세라믹 또는 귀금속으로 이루어지며, 상기 가스와 접촉하는 접촉 가스부의 적어도 일부를 구성하는 내식성 블럭 부재와, 상기 내식성 블럭 부재를 감합시키기 위한 감합 구멍을 갖고, 상기 내식성 블럭 부재의 주위를 보호하는 금속제 블럭 부재로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 2 특징에 따른 가스 공급 장치는, 상기 제 1 특징에 따른 가스 공급 장치로서, 상기 내식성 블럭이 유리질 카본(vitrescence carbon) 또는 사파이 어로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 3 특징에 따른 가스 공급 장치는, 제 1 특징 또는 제 2 특징에 따른 가스 공급 장치로서, 상기 가스 제어 기구로서, 가스압을 제어하기 위한 압력 제어 기구를 더 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 4 특징에 따른 반도체 제조 장치는, 가스 공급원으로부터의 가스를, 피처리물을 처리하기 위한 처리 챔버 내에 공급하기 위한 가스 공급 장치를 구비한 반도체 제조 장치로서, 상기 가스 공급 장치는, 가스 공급을 제어하기 위한 복수의 가스 제어 기구와, 이들 가스 제어 기구 사이를 접속하는 가스 유로를 형성하는 가스 유로부를 구비하고, 또한, 상기 가스 제어 기구로서, 적어도 가스 유량을 제어하기 위한 가스 유량 제어 기구와, 가스의 공급·정지를 제어하기 위한 밸브 기구를 가지며, 상기 가스 제어 기구 및 상기 가스 유로부의 적어도 일부가, 상기 가스에 대해서 내식성을 갖는 세라믹 또는 귀금속으로 이루어지고, 상기 가스와 접촉하는 접촉 가스부의 적어도 일부를 구성하는 내식성 블럭 부재와, 상기 내식성 블럭 부재를 감합시키기 위한 감합 구멍을 가지며, 상기 내식성 블럭 부재의 주위를 보호하는 금속제 블럭 부재로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 5 특징에 따른 반도체 제조 장치는, 제 4 특징에 따른 반도체 제조 장치로서, 상기 내식성 블럭이 유리질 카본 또는 사파이어로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 6 특징에 따른 반도체 제조 장치는, 제 4 특징 또는 제 5 특징에 따른 반도체 제조 장치로서, 상기 가스 제어 기구로서, 가스압을 제어하기 위한 압력 제어 기구를 더 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 7 특징에 따른 가스 공급 장치용 부품은, 가스를 공급하는 가스 공급 장치의 가스 유로의 일부를 구성하기 위한 가스 공급 장치용 부품으로서, 상기 가스에 대하여 내식성을 가지는 세라믹 또는 귀금속으로 이루어지고, 상기 가스와 접촉하는 접촉 가스부의 적어도 일부를 구성하는 내식성 블럭 부재와, 상기 내식성 블럭 부재를 감합시키기 위한 감합 구멍을 가지며, 상기 내식성 블럭 부재의 주위를 보호하는 금속제 블럭 부재를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 8 특징에 따른 가스 공급 장치용 부품은, 제 7 특징에 따른 가스 공급 장치용 부품으로서, 상기 내식성 블럭이 유리질 카본 또는 사파이어로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 종래에 비해 가스 공급 장치로부터 금속 불순물이 발생할 가능성을 저감할 수 있어, 생산성의 향상을 도모할 수 있는 가스 공급 장치, 반도체 제조 장치 및 가스 공급 장치용 부품을 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 상세를, 도면을 참조하여 실시예에 대해서 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 가스 공급 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 것이다. 도 1에 나타내는 가스 공급 장치(1)에는, 가스 제어 기구로서, 핸드 밸브(2), 압력 제어 기구(레귤레이터)(3), 압력 검출을 위한 프레셔 트랜스듀서(4), 역지 밸브(5), 개폐 밸브(6a, 6b), 유량 제어 기구로서의 매스플로우 콘트롤러(7), 메탈 필터(8)가 가스 공급 방향의 상류측으로부터 이 순서로 마련되어 있다.
또, 가스 공급 장치(1)의 가스 입구측(도 1 중 좌측) 단부에는, 가스 공급원으로부터의 가스 공급 배관을 접속하기 위한 가스 공급 배관 접속용 블럭(20)이 마련되어 있고, 이 가스 공급 배관 접속용 블럭(20)의 배관 접속구(20a) 내에는, 필터(20b)가 삽입되게 되어 있다. 한편, 가스 공급 장치(1)의 가스 출구측(도 1 중 우측) 단부에는, 반도체 제조 장치에 마련된 장치측 배관을 접속하기 위한 장치측 배관 접속용 블럭(21)이 마련되어 있다.
그리고, 가스 공급 배관 접속용 블럭(20)과 장치측 배관 접속용 블럭(21) 사이에는, 복수(도 1에 나타내는 실시예에서는 7개)의 상기한 각 가스 제어 기구끼리의 사이를 접속하여 가스 유로를 형성하기 위한 접속용 블럭(22)이 마련되어 있다. 또, 접속용 블럭(22) 사이의 일부에는, 인접하는 접속용 블럭(22) 사이를, 소망하는 간격을 마련하여 접속하기 위한 접속 배관(23)이 마련되어 있다. 상기한 가스 공급 배관 접속용 블럭(20), 장치측 배관 접속용 블럭(21), 접속용 블럭(22), 및 접속 배관(23)에 의해서 가스 공급 장치(1)의 가스 유로부가 구성되어 있다. 또, 상기한 구성 부품은 기대(24) 상에 마련되고 일체화되어 있다.
도 2는 상기 구성의 가스 공급 장치(1) 중, 가스 공급 장치용 부품인 접속용 블럭(22)의 구성을 나타내는 것으로, 도 2(a)는 평면도, 도 2(b)는 도 2(a)의 A-A 선에 따른 종단면도이다. 도 2에 나타나는 바와 같이, 접속용 블럭(22)은, 가스에 대해서 내식성을 갖는 세라믹 또는 귀금속으로 이루어지고, 가스와 접촉하는 접촉 가스부를 구성하는 내식성 블럭 부재(22a)와, 내식성 블럭 부재(22a)를 감합시키기 위한 감합 구멍(28)을 가지며, 내식성 블럭 부재(22a)의 주위를 둘러싸도록 마련되어, 내식성 블럭 부재(22a)를 보호하는 금속제 블럭 부재(22b)로 구성되어 있다.
도 2(a)에 나타내는 바와 같이, 접속용 블럭(22)의 상면 중 내식성 블럭 부재(22a)의 부분에는, 각각이 가스 제어 기구의 가스 입구 또는 가스 출구와 접속되는 2개의 가스 구멍(25)이 마련되어 있다. 또, 가스 구멍(25) 부분은 W 밀봉 또는 C 밀봉 등에 의해서 기밀 봉지된다. 이 경우, 개스킷은 스테인레스 동제(銅製) 또는 수지제 등으로 이루어진다. 또, 접속용 블럭(22)의 상면 중 금속제 블럭 부재(22b)의 부분에는, 가스 제어 기구를 설치하기 위한 복수(도 2 (a)에 나타내는 예에서는, 2대, 합계 4개)의 나사 구멍(26)이 마련되어 있다.
또, 도 2(b)에 나타내는 바와 같이, 2개의 가스 구멍(25)은, 대략 V자 형상으로 형성된 가스 유로(27)에 의해서 연통되어 있으며, 접촉 가스부로 되는 가스 유로(27)는 모두 내식성 블럭 부재(22a) 내에 형성되어 있다. 이러한 구성으로 함으로써, 접촉 가스부를 스테인레스강 등에 의해서 형성한 경우에, 접촉 가스부에 부식을 발생시키는 가스, 예를 들면 염소계의 가스나 불소계의 가스를 사용한 경우에 있어서도, 접촉 가스부가 부식되어, 가스 중에 철이나 니켈 등의 금속 오염물(메탈 오염물)이 혼입되는 것을 억제할 수 있다.
상기와 같은 염소계의 가스나 불소계의 가스에 대해서 내식성을 가지는 세라 믹 또는 귀금속으로서는, 예를 들면, 유리질 카본(글래시 카본), 사파이어를 적합하게 이용할 수 있다. 일반적으로, 이러한 재료는 가스에 대한 부식성은 높은데, 무르다고 하는 특성을 가지지만, 본 실시예에서는, 주위에 마련한 금속제 블럭 부재(22b)에 의해서 내식성 블럭 부재(22a)를 보호할 수 있어, 다른 가스 공급 장치용 부품을 설치하기 위한 나사 구멍(26) 부분의 기계적 강도 등도 확보할 수 있다. 또, 일반적으로, 상기한 재료는, 복잡한 가공이 곤란하지만, 복잡한 형상을 가지는 부분을 금속제 블럭 부재(22b)측에 마련하는 것에 의해서, 단순한 형상의 내식성 블럭 부재(22a)로 할 수 있어, 가공의 어려움을 경감할 수 있다.
또, 사파이어나 유리질 카본 등의 고가의 재료를 사용한 경우에도, 접속용 블럭(22) 전체를 이들 재료로 구성한 경우에 비해 사용하는 사파이어나 유리질 카본 등의 양을 저감할 수 있어, 가스 공급 장치용 부품 및 가스 공급 장치의 제조 비용의 저감을 도모할 수 있다. 또, 일반적으로, 사파이어나 유리질 카본 등은, 일정한 두께 이상의 두께를 가지는 재료를 제조하는 것이 곤란하지만, 접속용 블럭(22) 전체에 비해 얇은 내식성 블럭 부재(22a)의 두께가 있으면 되기 때문에, 두께의 제한이 있는 사파이어나 유리질 카본 등도 사용할 수 있다.
또, 이상에서는, 접속용 블럭(22)에 대해서만 설명했지만, 가스 공급 배관 접속용 블럭(20), 장치측 배관 접속용 블럭(21), 접속 배관(23), 및, 가스 제어 기구로서의 핸드 밸브(2), 압력 제어 기구(레귤레이터)(3), 압력 검출을 위한 프레셔 트랜스듀서(4), 역지 밸브(5), 개폐 밸브(6a, 6b), 유량 제어 기구로서의 매스플로우 콘트롤러(7), 메탈 필터(8)에 대해서도 마찬가지로 하여, 접촉 가스부를 내식성 블럭 부재에 의해서 구성하고, 그 주위를 금속제 블럭 부재로 보호한 구성으로 할 수 있다.
상기 구성의 본 실시예의 가스 공급 장치(1)에서는, 가스 공급 배관 접속용 블럭(20)에 접속된 가스 공급 배관으로부터 공급되는 소정의 가스가 핸드 밸브(2)를 통한 후 압력 제어 기구(레귤레이터)(3)에 도달하고, 여기서 소정 압력으로 제어된 후, 프레셔 트랜스듀서(4)에서 압력이 검출되며, 역지 밸브(5), 개폐 밸브(6a, 6b)를 통해서 매스플로우 콘트롤러(7)에 도달하고, 여기서 소정 유량으로 제어된 후, 메탈 필터(8)를 통하여, 여기서 소정 입자 직경 이상의 메탈 입자가 제거되어, 장치측 배관 접속용 블럭(21)을 거쳐 반도체 제조 장치의 처리 챔버 내에 공급된다.
상기와 같이 하여 가스가 처리 챔버 내에 공급될 때에, 본 실시예의 가스 공급 장치(1)에서는, 접촉 가스부가 내식성 블럭 부재로 되어 있기 때문에, 접촉 가스부를 스테인레스강에 의해서 형성한 경우에 접촉 가스부에 부식을 발생시키는 가스, 예를 들면 염소계의 가스나 불소계의 가스를 사용한 경우에 있어서도, 가스 공급 장치(1)의 접촉 가스부가 부식되어, 가스 중에 철이나 니켈 등의 금속 오염물(메탈 오염물)이 혼입되는 것을 억제할 수 있다.
예를 들면, 폴리실리콘막을 형성하는 성막 장치에 있어서, 처리 챔버 내에 퇴적된 폴리실리콘막의 클리닝을 행할 때에, 불소 등의 부식성이 높은 가스를 사용한 경우이더라도, 메탈 오염의 발생을 억제할 수 있다. 이 때문에, 클리닝이 종료된 시점에서, 처리 챔버 내벽에 메탈 오염물이 부착되어 있지 않는 상태, 또는, 처 리 챔버 내벽에 메탈 오염물이 부착되어 있다고 하여도 그 양을 종래에 비해 감소시킬 수 있다.
이것에 의해서, 종래 실시하고 있던 전술한 프리코팅 처리(메탈 오염물을 봉입하기 위해서 처리 챔버 내벽 부분에 폴리실리콘 등의 얇은 막을 형성하는 처리)를 생략할 수 있거나, 또는, 보다 얇은 프리코팅막으로 족하기 때문에 프리코팅 처리에 소요되는 시간을 단축할 수 있어, 생산성의 향상을 도모할 수 있다.
또, 상기한 가스 공급 장치(1)만이 아니라, 이 가스 공급 장치(1)에 접속되는 가스 공급 배관 및 장치측 배관 등의 접촉 가스부를 모두 내식성 블럭 부재에 의해서 구성하면, 메탈 오염의 발생을 더욱 억제할 수 있다. 한편, 가스 공급 장치(1)의 접촉 가스부 중 일부만을 내식성 블럭 부재에 의해서 구성하여도, 메탈 오염물을 저감하는 효과를 얻을 수 있다.
도 3은 가스 공급 장치를 구비한 반도체 제조 장치(100)의 구성을 모식적으로 나타낸 것이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 반도체 제조 장치(100)는 내부에 피처리물인 반도체 웨이퍼 W를 수용하여 처리하기 위한 처리 챔버(30)를 구비하고 있다. 이 처리 챔버(30)는 반도체 웨이퍼 W에 소정의 처리, 예를 들면, 성막 처리, 에칭 처리를 실시하는 것으로서, 석영 또는 알루미늄 등으로 소정 형상, 예를 들면 원통 형상으로 구성되어 있다. 또, 도 3에는, 처리 챔버(30) 내에 반도체 웨이퍼 W를 1장만 수용하고, 반도체 웨이퍼 W를 1장씩 처리하는 매엽식의 장치에 대해서 도시하고 있지만, 복수의 반도체 웨이퍼 W를 수용하고, 한번에 복수장의 반도체 웨이퍼 W를 처리하는 패치식의 장치이어도 된다.
도 3에 있어서, 31a~31e는 각각이 소정의 가스를 공급하기 위한 복수(도 3의 예에서는 5개)의 가스 공급원이다. 그리고, 이들 가스 공급원(31a~31e)의 각각이, 각각 별도의 가스 공급 장치(1a~1e)를 거쳐서 처리 챔버(30)에 접속되어 있다.
상기의 가스 공급 장치(1a~1e) 중, 스테인레스강을 부식시키지 않는 가스가 유통되는 것에 대해서는, 접촉 가스부가 스테인레스강제인 종래의 가스 공급 장치로 되어 있다. 또, 스테인레스강을 부식시키는 부식성의 가스, 예를 들면 염소계 가스, 불소계 가스가 유통되는 것에 대해서는, 상술한 접촉 가스부가, 이들 가스에 대해서 내식성을 갖는 세라믹 또는 귀금속으로 이루어지는 내식성 블럭 부재에 의해서 구성된 가스 공급 장치로 되어 있다.
또한, 처리 챔버(30)의 하부에는, 처리 챔버(30) 내부를 배기하기 위한 진공 펌프(32)가 접속되어 있고, 가스 공급 장치(1a~1e)로부터 처리 챔버(30) 내로 공급되어, 반도체 웨이퍼 W의 처리에 제공된 이후의 가스를, 진공 펌프(32)에 의해서 배기하게 되어 있다. 또, 처리 챔버(30)에는, 반도체 웨이퍼 W에 실시하는 처리의 종류에 따라, 예를 들면, 반도체 웨이퍼 W를 가열하기 위한 가열 기구, 반도체 웨이퍼 W를 냉각하기 위한 냉각 기구, 가스를 플라스마화하기 위한 플라스마 발생 기구 등이 마련된다.
상기의 반도체 제조 장치(100)에서는, 염소계의 가스나 불소계의 가스를 사용한 경우에 있어서도, 가스 공급 장치(1a~1e)의 접촉 가스부가 부식되어, 가스 중에 철이나 니켈 등의 금속 오염물(메탈 오염물)이 혼입되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 금속 오염물(메탈 오염물)의 혼입을 억제하기 위해서, 종래 처리 챔버(30)의 클리닝 후에 실시하고 있던 프리코팅 처리를 생략할 수 있거나, 또는, 프리코팅 처리에 소요되는 시간을 단축할 수 있으므로, 생산성의 향상을 도모할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예의 가스 공급 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 도면,
도 2는 도 1의 가스 공급 장치의 주요부 구성을 나타내는 도면,
도 3은 본 발명의 일 실시예의 반도체 제조 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 도면.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
W : 반도체 웨이퍼
1 : 가스 공급 장치
2 : 핸드 밸브
3 : 압력 제어 기구(레귤레이터)
4 : 프레셔 트랜스듀서
5 : 역지 밸브
6a, 6b : 개폐 밸브
7 : 매스플로우 콘트롤러
8 : 메탈 필터
20 : 가스 공급 배관 접속용 블럭
21 : 장치측 배관 접속용 블럭
22 : 접속용 블럭
22a : 내식성 블럭 부재
22b : 금속제 블럭 부재
23 : 접속 배관
24 : 기대

Claims (8)

  1. 가스 공급을 제어하기 위한 복수의 가스 제어 기구와, 이들 가스 제어 기구 사이를 접속하는 가스 유로를 형성하는 가스 유로부를 구비하며, 가스 공급원으로부터의 가스를, 피처리물을 처리하기 위한 처리 챔버 내에 공급하기 위한 가스 공급 장치로서,
    상기 가스 제어 기구로서, 적어도 가스 유량을 제어하기 위한 가스 유량 제어 기구와, 가스의 공급·정지를 제어하기 위한 밸브 기구를 갖되,
    상기 가스 제어 기구 및 상기 가스 유로부의 적어도 일부는,
    상기 가스에 대해서 내식성을 가지는 세라믹 또는 귀금속으로 이루어지고, 상기 가스와 접촉하는 접촉 가스부를 구성하는 내식성 블럭 부재와,
    상기 내식성 블럭 부재를 감합(嵌合)시키기 위한 감합 구멍을 갖고, 상기 내식성 블럭 부재의 주위를 보호하는 금속제 블럭 부재로 구성되어 있는 것
    을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 내식성 블럭은 유리질 카본(vitrescence carbon) 또는 사파이어로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 가스 제어 기구로서, 가스압을 제어하기 위한 압력 제어 기구를 더 구비한 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  4. 가스 공급원으로부터의 가스를, 피처리물을 처리하기 위한 처리 챔버 내에 공급하기 위한 가스 공급 장치를 구비한 반도체 제조 장치로서,
    상기 가스 공급 장치는, 가스 공급을 제어하기 위한 복수의 가스 제어 기구와, 이들 가스 제어 기구 사이를 접속하는 가스 유로를 형성하는 가스 유로부를 구비하고, 또한, 상기 가스 제어 기구로서, 적어도, 가스 유량을 제어하기 위한 가스 유량 제어 기구와, 가스의 공급·정지를 제어하기 위한 밸브 기구를 가지며,
    상기 가스 제어 기구 및 상기 가스 유로부의 적어도 일부는,
    상기 가스에 대해서 내식성을 갖는 세라믹 또는 귀금속으로 이루어지고, 상기 가스와 접촉하는 접촉 가스부를 구성하는 내식성 블럭 부재와,
    상기 내식성 블럭 부재를 감합시키기 위한 감합 구멍을 갖고, 상기 내식성 블럭 부재의 주위를 보호하는 금속제 블럭 부재로 구성되어 있는 것
    을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 내식성 블럭은 유리질 카본 또는 사파이어로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 가스 제어 기구로서, 가스압을 제어하기 위한 압력 제어 기구를 더 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  7. 가스를 공급하는 가스 공급 장치의 가스 유로의 일부를 구성하기 위한 가스 공급 장치용 부품으로서,
    상기 가스에 대해서 내식성을 갖는 세라믹 또는 귀금속으로 이루어지고, 상기 가스와 접촉하는 접촉 가스부를 구성하는 내식성 블럭 부재와,
    상기 내식성 블럭 부재를 감합시키기 위한 감합 구멍을 갖고, 상기 내식성 블럭 부재의 주위를 보호하는 금속제 블럭 부재
    를 구비한 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치용 부품.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 내식성 블럭은 유리질 카본 또는 사파이어로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치용 부품.
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