TWI361470B - Processing apparatus - Google Patents

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TWI361470B
TWI361470B TW096134913A TW96134913A TWI361470B TW I361470 B TWI361470 B TW I361470B TW 096134913 A TW096134913 A TW 096134913A TW 96134913 A TW96134913 A TW 96134913A TW I361470 B TWI361470 B TW I361470B
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Description

I36N70 * · w. * - ' 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明關係於處理裝置，更明確地說，有關於處理一 物件的處理裝置。 【先前技術】 通常，當用以製造一例如半導體裝置的裝置之曝光裝 置被使用時會連接至一塗覆機/顯影機。該曝光裝置及塗 覆機/顯影機交替已塗覆有感光劑之晶圓。一晶圓入/出口 機台被置於該曝光裝置及該塗覆機/顯影機之間。該曝光 裝置需要在移除設在晶圓入/出口機台上之晶圓移除後， 塗覆機/顯影機在該裝置變成準備接收其時，供給下一晶 圓。 在傳送曝光晶圓至塗覆機/顯影機時，曝光裝置要求 塗覆機/顯影機將之由晶圓入/出口機台移除，當該裝置將 其設定於入/出口機台上及該塗覆機/顯影機變成準備將之 接收。 在曝光裝置準備接收晶圓時，上述要求塗覆機/顯影 機供給下一晶圓的設計中，塗覆機/顯影機回應於該要求 而作動該晶圓傳輸單元。假設T爲在塗覆機/顯影機接收 一晶圓供給要求後，所需以實際設定晶圓至入/出口機台 的時間。則，曝光裝置一直不能接收下一晶圓，直到經過 時間T，其後該裝置準備接收該晶圓。 同時’在上述要求塗覆機/顯影機自入/出口機台移除 -4- Ι36Ϊ470 ' 晶圓’及塗覆機/顯影機準備接收晶圓時，塗覆機/顯影機 回應於該要求作動晶圓傳輸單元。假設τ爲在塗覆機/顯 影機接收一晶圓移除要求，將晶圓由入/出口機台移除所 需之時間。則曝光裝置不能設定下一晶圓在入/出口機台 上’直到時間T經過爲止，其後，塗覆機/顯影機變成準 備接收晶圓β • 【發明內容】 本發明係針對上述背景，並以其爲本案目標，以改良 爲一處理裝置所執行之製程的生產量。 依據本發明’其中提供有一處理裝置，其包含：一處 理單元’架構以處理一物件；及一控制器，架構以送出一 信號，用以在該處理裝置進入外部裝置可以執行傳輸的狀 態前，要求外部裝置以執行該物件的傳輸進出該處理裝置 〇 ^ 本發明之其他特性將參考附圖由以下之例示實施例的 詳細說明而加以了解。 【實施方式】 本發明之較佳實施例將參考附圖加以詳細說明。第1 圖爲一依據本發明較佳實施例之曝光裝置的主要部份的配 置圖。依據本發明較佳實施例之曝光裝置1〇〇包含：一照 明單元1’其包含光源；一光罩台3，用以固持一光罩（ 母版）2，其上形成有圖案；及一光罩位置量測單元4，用 -5- 1361470 以量測爲該光罩台3所固持之光罩2的位置。該曝光裝置 100也包含一投影光學系統5與—機台單元20，用以對準 塗覆有感光劑的晶圓（基板）9。機台單元20包含：用以 在X及Y方向中對準晶圓9的X-Y機台6:及一 Z機台8 ，用以將晶圓9對準Z方向中。曝光裝置1〇〇也包含一雷 射干涉儀7，用以量測在X及γ方向中之χ_γ機台6的位 置’及一對焦單元10，用以量測在Z方向中之晶圓9的 位置。形成在光罩2中之圖案經由投影光學系統5被投影 至Z機台8上，以在施加至晶圓9的感光劑上形成一潛像 圖案。一顯影機顯影此潛像圖案成爲實體圖案。 第2圖爲依據本發明較佳實施例之微影系統之配置示 意圖。示於第2圖之微影系統300包含塗覆機/顯影機200 及具有如第1圖所示之主要部份的曝光裝置（處理裝置） 100。曝光裝置100包含一曝光室11。該曝光裝置的主部 份’即曝光單元（處理單元）係內建於該曝光室u內。 爲了簡化起見’桌2圖主顯不機台單兀20作爲曝光裝置 100的主要部份。曝光室11加入曝光裝置晶圓傳輸單元（ 以下稱爲EXPO傳輸單元）14、曝光裝置控制器16、及輸 入/輸出單元18,作爲使用者介面。 塗覆機/顯影機200包含一塗覆機/顯影機室u。塗覆 機/顯影機200係內建於塗覆機/顯影機室12內。塗覆機/ 顯影機室1 2加入有一塗覆機/顯影機晶圓傳輸單元（以τ 稱爲CD傳輸單元）15及塗覆機/顯影機控制器I?。 EXPO傳輸單元14接收爲CD傳輸單元15所傳送至 -6 - 1361470 入/出口機台13上之第一位置13a (裝載機台）的晶圓’ 並將之傳輸至在曝光單元中之機台單元20上。EXPO傳輸 單元14傳送已曝光晶圓至入/出口機台13上之第二位置 (卸載機台）13b。該EXPO傳輸單元14有時經由晶圓對 準單元（未示出）傳送晶圓至機台單元20。曝光室丨1有 時加入有多數晶圓傳輸單元。 在以下說明中，"裝載"表示將一晶圓由塗覆機/顯影機 200經由在入/出口機台13的第一位置13a傳送至曝光裝 置100的主部份（機台單元20)的一部份或整個操作。同 時，''卸載”表示將一晶圓經由在入/出口機台13上之第二 位置13b自曝光裝置1〇〇傳送至塗覆機/顯影機200的主 部份的部份或整個操作。 ―”供給要求"或"送入要求"表示由曝光裝置100至塗 覆機/顯影機200的要求，使得CD傳輸單元15供給晶圓 至入/出口機台13上之第一位置13a。一"移除要求"或，，送 出要求'’表示由曝光裝置發出到塗覆機/顯影機200的要求 ，使得CD傳輸單元15將晶圓由入/出口機台13的第二位 置13b移除。曝光裝置100藉由產生裝置100已經進入— 特定狀態的狀態信號，而發出供給要求（送入要求）或移 除要求（送出要求）。一供給要求（送入要求）信號係等 效於代表已經要求供給的狀態信號。一移除要求（送出g 求）信號等效於代表已經要求移除的狀態信號。 第3圖爲作爲使用者介面之輸入/輸出單元18的視窗 顯示例示意圖。於此將解釋顯示於輸入/輸出單元18之_ 1361470 窗上之參數。一輸入欄30係爲輸入"偏移時間（晶圓供給 要求）”的欄位。”偏移時間（晶圓供給要求）"表示產生 晶圓供給要求（送入要求）信號的時間之偏移時間TP1( 如下述），該供給要求係予以由曝光裝置100送至塗覆機 /顯影機200。曝光裝置100產生（作動）比原來要求時機 早該偏移時間的晶圓供給要求（送入要求）信號（輸入-要求）至輸入欄30。在此，原來要求時間表示曝光裝置進 入要求符合無偏移要求時間之時間。例如，當曝光裝置 100進入一晶圓可以由塗覆機/顯影機200進入至入/出口 機台13的第一位置13a的狀態之時間爲供給要求（送入 要求）信號的原來要求時間。如果輸入至輸入欄30的偏 移時間爲0，則在原來要求時間處產生晶圓供給要求（送 入要求）信號（輸入-要求）。 —輸入欄3 2爲輸入”偏移時間（晶圓移除要求），，的 欄位。”偏移時間（晶圓移除要求）"表示產生一予以由曝 光裝置100送出至塗覆機/顯影機200的晶圓移除要求（ 送出要求）的偏移時間TP2 (如後述）。曝光裝置1〇〇在 比原來要求時機早該偏移時間，產生（作動）一晶圓移除 要求（送出要求）信號（晶圓-出）輸入欄30。如上所述 ’於此所述之原來要求時間表示當曝光裝置進入一要求可 以符合一無偏移要求時間的狀態。例如，當曝光裝置！ 〇〇 進入晶圓可以由入/出口機台13之第一位置13a移除時爲 移除要求（送出要求）信號的原來要求時機。如果輸入至 輸入欄30的偏移時間爲〇’則晶圓移除要求（送出要求）
-8- < S 1361470 信號（晶圓-出）在原來要求時機時被產生。 一對話框34係用以開關”學習模式（晶圓供給要求） "功能。當輸入鈎號至開框34a時，"學習模式（晶圓供給 要求）n功能被導通，而當輸入鈎號至關框34b時，則爲 關閉。在學習模式（晶圓供給要求）中，由曝光裝置1〇〇 輸出一晶圓供給要求（送入要求）信號（輸入-要求）至 塗覆機/顯影機200開始到塗覆機/顯影機200供給一晶圓 至入/出口機台1 3的第一位置1 3a的時間被量測。爲晶圓 供給要求（送入要求）信號所界定的偏移時間TP1係根據 所量測得之結果加以決定。當導通"學習模式（晶圓供給 要求）"功能時，輸入至輸入欄30的偏移時間被失效，而 使用根據該量測結果所決定的偏移時間。當"學習模式（ 晶圓供給要求）功能爲關閉時，則輸入至輸入欄3 0的偏 移時間爲有效。 一對話框3 6係用以開關"學習模式（晶圓移除要求） ”功能。”學習模式（晶圓移除要求）”功能係在開框36a輸 入鈎號加以導通，而當在關框36b輸入鈞號時爲關閉。在 學習模式（晶圓移除要求）中，量測曝光裝置1 00輸出晶 圓移除要求（送出要求）信號（晶圓-出）至塗覆機/顯影 機200 —直到塗覆機/顯影機200由入/出口機台13之第二 位置13b移除晶圓的時間。爲晶圓移除要求（送出要求） 所界定的偏移時間係根據量測結果加以決定。當"學習模 式（晶圓移除要求）"功能爲導通，則輸入至輸入欄32之 偏移時間被失效，及偏移時間係使用該量測結果加以替代 -9- 1361470 。當"學習模式（晶圓移除要求）"功能爲關閉，則輸入至 輸入欄32的偏移時間有效。 在以下說明中’晶圓供給要求（送入要求）信號（輸 入-要求）或晶圓移除要求（送出要求）信號（晶圓-出） 在早於原來時機的一時機中輸出係被稱爲先輸出模式，而 此信號在原來時機輸出的模式稱爲正常模式。 第4A及4B圖顯示自塗覆機/顯影機200裝載晶圓至 曝光裝置100的操作例之時序圖。第4A圖顯示正常模式 之操作例。第4B圖顯示先輸出模式之操作例。第4A及 4B圖所示之信號將解釋如下。 <晶圓送入之操作信號> —晶圓送入操作信號爲在曝光裝置100之內部的一狀 態信號，並表示EXPO傳輸單元14的操作狀態。當EXPO 傳輸單元14執行或未執行晶圓傳輸時，此信號係爲處理 中狀態或關閉狀態。 <晶圓感應信號> 晶圓感應信號爲自晶圓檢測感應器1 3 Sa輸出的信號 ，用以檢測晶圓的出現在入/出口機台1 3的第一位置（裝 載機台）13a否。當有無晶圓出現時，此信號係爲有狀態 或無狀態。 <輸入-要求信號>
S -10- 1361470 輸入-要求信號爲一晶圓供給要求（送入要求）信號 (代表晶圓供給正被要求之狀態信號），其係由曝光裝置 控制器16被輸出至塗覆機/顯影機200的塗覆機/顯影機 17。晶圓供給要求（送入要求）信號爲一信號，藉由該信 號曝光裝置100所送出一要求至塗覆機/顯影機200，使得 CD傳送單元15供給一晶圓至入/出口機台13上之第一位 置13a。當晶圓供給被要求或未被要求時，此信號爲要求 狀態或未完備狀態。 <晶圓供給信號> —晶圓供給信號爲自塗覆機/顯影機200之塗覆機/顯 影機控制器17供給至曝光裝置控制器16的信號。當CD 傳輸單元15供給晶圓至入/出口機台13的第一位置13a 時’此信號改變至一供給狀態。當輸入-要求信號改變至 未完備狀態時，此信號改變至未供給狀態。 第5A及5B圖爲一晶圓由曝光裝置1〇〇卸載至塗覆機 /顯影機200之操作例的時序圖。第5A圖顯示正常模式之 操作例。第5B圖顯示先輸出模式之操作例。在第5A及 5B圖中之信號將加以解釋。 <輸出完備信號> 輸出完備信號係爲由塗覆機/顯影機控制器17輸出至 曝光裝置控制器16的傳輸完成信號。輸出完備信號爲一 代表塗覆機/顯影機200準備控制CD傳輸單元15以自入/ -11 - 1361470 出口機台13的第二位置13b移除晶圓的信號。當塗覆機/ 顯影機200準備控制CD傳輸單元15 ’以自入/出口機台 1 3的第二位置1 3 b移除一晶圓時’此信號改變至完備狀態 。當無晶圓信號改變爲一放置狀態時，此信號改變至未完 備狀態。 <無晶圓感應信魂> 一無晶圓感應信號係爲用以自晶圓檢測感應器1 3 Sb 輸出之信號，用以檢測晶圓之出現在入/出口機台1 3的第 二位置13b否。在晶圓有無出現時，此信號分別爲有狀態 與無狀態。 <無晶圓信號> —無晶圓信號爲一由曝光裝置丨〇〇輸出至塗覆機/顯 影機200的晶圓移除要求（送出要求）信號（一代表晶圓 移除被要求之狀態信號）。無晶圓信號係爲一信號，藉由 該信號曝光裝置100要求該塗覆機/顯影機200，使得CD 傳輸單元15將一晶圓自入/出口機台13的第二位置13b 移除。當晶圓是否在入/出口機台13的第二位置13t)上時 ’此信號分別爲要求狀態或未完備狀態。 〈晶圓送出操作信號> 一晶圓送出操作信號爲在塗覆機/顯影機200內部的 狀態信號’並表示CD傳輸單元15的操作狀態。當CD傳
S -12- 1361470 輸單元15有無執行傳輸時，此信號分別爲處理中或關閉 狀態。 第6A圖爲一流程圖，用以顯示在正常模式中，將一 晶圓由塗覆機/顯影機200傳送至曝光裝置1〇〇的操作例 流程圖。 在步驟S601中，EXPO傳輸單元14開始傳輸。更明 確地說，EXPO傳輸單元14開始移動至入/出口機台13的 第一位置13a。此時機相當於第4A圖所示之tl。 在步驟S6 02中，EXPO傳輸單元14固持並將晶圓由 入/出口機台13的第一位置13a移除，並將之移動至機台 單元20。在此時，晶圓感應信號由有狀態改變至無狀態。 此時機對應於第4A圖之t2。 在步驟S6 03中，曝光裝置控制器16等待時間T3 [秒] ，直到EXPO傳輸單元14的手臂收回至安全區域爲止。 在步驟S6 04中，曝光裝置控制器16將晶圓裝載要求 信號（輸入-要求）由未完備狀態改變至要求狀態。此時 機對應於第4A圖之t3。 在步驟S6 05，塗覆機/顯影機200開始將晶圓傳送至 入/出口機台13的第一位置13a。 在第4A圖所示之時間T2係爲CD傳輸單元1 5的手 臂到達入/出口機台1 3的第一位置1 3 a的時間。在時間T2 內，CD傳輸單元15的手臂並未進入入/出口機台13。 在步驟S606，在輸入-要求信號由未完備狀態改變至 要求狀態的時間T1後，CD傳輸單元1 5將一晶圓設定於 f: % -13- 1361470 入/出口機台13的第一位置13a處。在此時機，塗覆機/顯 影機控制器1 7將晶圓供給信號，由未供給狀態改變至供 給狀態。此時機對應於第4A圖所示之t4。在第4A圖所 示之時間T6係爲由CD傳輸單元15的手臂進入入/出口機 台13的第一位置13a直到其設定晶圓第一位置13a的時 間。 第6B圖爲一流程圖，用以先輸出模式中，顯示將一 晶圓由塗覆機/顯影機200傳送至曝光裝置100的操作例 在步驟S61 1中，EXPO傳輸單元14開始傳輸。更明 確地說，EXPO傳輸單元14的手臂開始移動至入/出口機 台13的第一位置13ae 在步驟S612中，曝光裝置控制器16計算時機til， 以將晶圓供給要求（送入要求）信號（輸入要求）由未 完備狀態改變至要求狀態。在先輸出模式中，將晶圓供給 要求（送入要求）信號（輸入-要求）由未完備狀態改變 至要求狀態的時機係早於原來時機時間TP 1。第4B圖例 不時間 TP1爲最大値 TPlmax ( TPlmax = Tl-T6)。時間 TP1可以輸入至輸入欄30，在OSTPlSTPlmax範圍內。 將解釋TP1 max。曝光裝置控制器16事先知道當 EXPO傳輸單元14的手臂開始移動向入/出口機台13之時 機tl開始，EXPO傳輸單元14將一晶圓固定並由入/出口 機台13之第一位置13a移除所需之時間T5。 TPlmax係由（T2-T3 )所決定。如果TPlmax，例如 (s -14- 1361470 - TP 1大於（T2-T3)，則CD傳輸單元15的手臂在EXPO 傳輸單元14的手臂抽回至安全區域前進入入/出口機台13 ，則它們可能彼此碰撞。 曝光裝置控制器16依據公式（1) tl l=tl+T5 + T3-TPl ( 1 ) 來計算將晶圓供要求（送入要求）信號（輸入-要求 )由未完備狀態改變至要求狀態之時機11 1。 φ 在步驟S613中’曝光裝置控制器16在計算時機til 將晶圓供給要求（送入要求）信號（輸入-要求）由未完 備狀態改變至要求狀態。 在步驟S6 14，EXPO傳輸單元14固持晶圓並將一晶 圓由入/出口機台13之第一位置13a移除，並將之移動至 機台單元20。在此時，一晶圓感應信號由有狀態改變至無 狀態。此時機對應於第4B圖所示之t2。 在步驟S615中，塗覆機/顯影機200開始傳送一晶圓 • 至入/出口機台13之第一位置13a。並行此程序，EXPO傳 輸單元14持續傳送晶圓由入/出口機台13之第一位置13a 至機台單元20。 在步驟S616，EXPO傳輸單元14在輸入-要求信號由 未完備狀態改變至要求狀態的時機後，設定晶圓於入/出 口機台13上之第一位置13a。在此時機，塗覆機/顯影機 控制器1 7將晶圓供給信號由未供給狀態改變至已供給狀 態。此時機對應於第4B圖所示之11 2。 曝光裝置1〇〇在較原來時機提早一前進時間TP1的時 -15- 1361470 機，產生晶圓供給要求（送入要求）信號（輸入-要求） 。因此，塗覆機/顯影機200在較原來時機早TP1的時機 ，供給晶圓至入/出口機台13的第一位置13a。 第7A圖爲一流程圖，用以解釋在正常模式中，晶圓 由曝光裝置100卸載至塗覆機/顯影機200的操作例。 在步驟S701中，在CD傳輸單元15完成將一晶圓由 入/出口機台13之第二位置13b移除並將之傳送至顯影單 元的時機中，塗覆機/顯影機控制器17將傳輸完成信號（ 輸出-完備）。更明確地說，在此時機，塗覆機/顯影機控 制器17將傳輸完成信號（輸出-完備）由未完備狀態改變 至完備狀態。此時機對應於第5 A圖所示之t2 1。 在步驟S702，EXPO傳輸單元14開始將一晶圓傳送 至入/出口機台13之第二位置13b。 在步驟S703，EXPO傳輸單元14在入/出口機台13 之第二位置13b上，完成晶圓的設定。在此時機，自晶圓 檢測感應器13 Sb輸出之信號（無晶圓感應器）由一無狀 態改變至有狀態。此時機對應於第5 A圖所示之t22。 在步驟S7 04，曝光裝置控制器16由時機t21開始等 待一時間Ta，在t21，塗覆機/顯影機控制器17將傳輸完 成信號（輸出-完備）由未完備狀態改變至完備狀態並將 之送至曝光裝置控制器16。曝光裝置控制器16然後將一 晶圓移除要求（送出要求）信號（無晶圓）由未完備狀態 改變至要求狀態。此時機對應於第5A圖所示之t23。參考 第5A圖，時間Te係當信號（無晶圓感應器）由晶圓檢測 -16- 1361470 感應器13Sb輸出並由無狀態改變至有狀態直到在曝光裝 置1〇〇中之EXPO傳輸單元14回到安全區域爲止之時間 〇 在步驟S705，CD傳輸單元15開始晶圓傳送。更明 確地說，在塗覆機/顯影機200中之CD傳輸單元15的手 臂開始移動至入/出口機台13的第二位置13b。 在第5A圖所示之時間Tb係爲直到CD傳輸單元15 φ 之手臂到達入/出口機台13之第二位置13b爲止的時間。 在時間Tb，CD傳輸單元15之手臂從未進入入/出口機台 13 <> 在步驟S706，CD傳輸單元15將晶圓由入/出口機台 13之第二位置13b移除。自晶圓檢測感應器13 Sb輸出之 信號（無晶圓感應器）由有狀態改變至無狀態。 第7B圖爲一流程圖，用以解釋在先輸出模式中，晶 圓由曝光裝置100卸載至塗覆機/顯影機2 00的操作例。 # 在步驟S711中，塗覆機/顯影機控制器17在CD傳輸 單元15完成將晶圓由入/出口機台13之第二位置13b移 除並將之傳送至顯影單元的傳送處理時機中，改變傳送完 成信號。更明確地說，在此時機，塗覆機/顯影機控制器 17將傳送完成信號（輸出-完備）由未完備狀態改變爲完 備狀態。此時機對應於第5B圖所示之t21。 在步驟S7 12，EXPO傳輸單元14開始將一晶圓送至 入/出口機台13之第二位置13b。 在步驟S713，曝光裝置控制器16計算將一晶圓移除 -17- 1361470 ' 要求（送出要求）信號（無晶圓）由未完備狀態改變至要 求狀態的時機。在先輸出模式中，將晶圓移除要求（送出 要求）信號（無晶圓）由未完備狀態改變至要求狀態的時 機係早於原來時機TP2的時間。第5B圖例示此例子，其 中時間TP2取最大値TP2max(TP2max = Tb)。時間TP2 可以被輸入至輸入欄32內，並在範圍0$TP2STP2max 內。 # 以下將解釋TP2max。時間Tb爲直到CD傳輸單元15 之手臂到達入/出口機台13之第二位置13b的時間。在時 間Tb，CD傳輸單元15之手臂從未進入入/出口機台13。 假如TP2max，即TP2大於Tb，則在塗覆機/顯影機200 中之CD傳輸單元15可以在EXPO傳輸單元14之手臂抽 回至安全區域前進入入/出口機台13，它們可能會碰撞。 曝光裝置100事先當作執行資訊得知，當EXPO傳輸 單元14之手臂開始移動至第二位置13b的時機t21，需要 # 時間Ta以將晶圓設定至入/出口機台13之第二位置13b 上。 曝光裝置控制器16依據公式（2) t24 = t21+Ta-TP2 .... ( 2 ) 而計算出將一晶圓移除要求（送出要求）信號（無晶 圓）由一未完備狀態改變至要求狀態之時機。 在步驟S714，在時機t24，曝光裝置控制器16將晶 圓移除要求信號（無晶圓）由未完備狀態改變至要求狀態 -18- 1361470 • 在步驟S715，在塗覆機/顯影機2 00中之CD傳輸單 元15開始傳送晶圓。更明確地說’在塗覆機/顯影機200 中之CD傳輸單元15之手臂開始移動至入/出口機台13之 第二位置13b。 在步驟S716’在時機t21後的時間Ta，在曝光裝置 100中之EXPO傳輸單元14完成晶圓之設定在入/出口機 台13之第二位置13b的設定。 φ 在步驟S717，在塗覆機/顯影機200中之CD傳輸單 元15將晶圓由入/出口機台13之第二位置13b移除。自 晶圓檢測感應器13Sb輸出之信號（無晶圓感應器）由有 狀態改變至無狀態。 曝光裝置1〇〇在較原來時機爲早之先行時間TP2的時 機處，產生晶圓移除要求（送出要求）信號（無晶圓）。 因此，塗覆機/顯影機200在較原來時機早TP2的時機， 將晶圓由入/出口機台13之第二位置13b移除。 # 第8圖爲一流程圖，顯示在學習模式（晶圓供給要求 )中之曝光裝置控制器16的操作。如上所述，學習模式 (晶圓供給要求）在將導通對話框34a輸入鈎號時被導通 。在學習模式（晶圓供給要求）中，由曝光裝置100輸出 晶圓供給要求（送入要求）信號（輸入-要求）至塗覆機/ 顯影機200直到塗覆機/顯影機200供給晶圓至入/出口機 台1 3之第一位置1 3 a的時間被量測。由晶圓供給要求（ 送入要求）所界定之時機的偏移時間TP 1係根據量測結果 加以決定。 -19- 1361470 " 在以下處理中，N及Μ事先使用例如輸入/輸出單元 1 8加以設定。 ， 在步驟S801中’曝光裝置控制器16決定是否串聯晶 圚號大於Ν。如果串聯晶圓號大於Ν，則程序進行至步驟 S 8 0 2。如果串聯晶圓號等於或小於ν，則程序等待直到其 大於Ν爲止。串聯晶圓號在一批次開始時被啓始化爲1， 並且，每當一晶圓被載入曝光裝置100時加一。 φ 在步驟S802，當一晶圓供給要求（送入要求）信號 (輸入-要求）由未完備狀態改變至要求狀態的時機t3中 ，曝光裝置控制器16儲存現行時間在一變數TimeA中。 在步驟S 803，當一有晶圓感應信號由無狀態改變至 有狀態的時機t4中，曝光裝置控制器1 6儲存現行時間於 —變數TimeB中。 在步驟S8 04，曝光裝置控制器16計算變數Tim eA及 TimeB間之差，並將之儲存於陣列變數時間（串聯晶圓數 • 在步驟S805，曝光裝置控制器16決定是否串聯晶圓 數等於或大於Μ。如果串聯晶圓數等於或大於Μ時’程序 進行至步驟S806。如果串聯晶圓數小於Μ ’則程序回到 步驟S 8 0 1。 在步驟S 8 0 6，曝光裝置控制器1 6計算陣列變數時間 (串聯晶圓數），將所計算最小値減去時間Τ 6 ’及根據 所得時間，決定先行時間ΤΡ 1。有可能藉由將陣列變數時 間（串聯晶圓數）的最小値減去時間Τ6所取得之時間決 -20- 1361470 定爲先行時間τρι。或者，曝光裝置控制器16可以由陣 列變數時間（串聯晶圓數）的最小値減去時間T6及時間 延遲’並決定所得時間作爲先行時間TP 1。 第9圖爲一流程圖，用以顯示在學習模式中（晶圓移 除要求）中曝光裝置控制器16的操作。如上所述，學習 模式（晶圓移除要求）係在導通對話框36a打上鈎號時導 通。在學習模式（晶圓移除要求）中，由曝光裝置100輸 出一晶圓移除要求（送出要求）信號（無晶圓）至塗覆機 /顯影機200直到塗覆機/顯影機2〇〇將晶圓由入/出口機台 13之第二位置i3b移除的時間係被量測。爲晶圓移除要求 (送出要求）信號所界定之時機的偏移時間係據量測結果 加以決定。 在步驟S901中’曝光裝置控制器16決定是否串聯晶 圓數大於N。如果串聯晶圓數大於n，則程序至步驟S902 。如果串聯晶圓數等於小於N，則程序等待直到其大於N 。在一批次的開始’串聯晶圓數被啓始爲一，並每當一晶 圓被載入曝光裝置100時加一。 在步驟S902中，曝光裝置控制器16在晶圓移除要求 (送出要求）信號（無晶圓）由未完備狀態改變至要求狀 態的時機t23處’將現行時間儲存於變數TimeA中。 在步驟S903中’曝光裝置控制器16在無晶圓感應信 號由有狀態改變至無狀態的時機t24，儲存現行時間於變 數T i m e B中。 在步驟S904中，曝光裝置控制器16計算於變數 -21 - 1361470
TimeA及TimeB間之差’並將之儲存於一陣列變數時間（ 串聯晶圓數）。 在步驟S905中，曝光裝置控制器16決定是否串聯晶 圓數等於或大於Μ。如果串聯晶圓數等於或大於M,則處 理進行至步驟S906。如果串聯晶圓數小於μ，則處理回 到步驟S 9 0 1。 在步驟S9 06中，曝光裝置控制器16計算陣列變數時 間（串聯晶圓數）的最小値，將所計算最小値減去時間 Td，並根據所得時間決定先行時間ΤΡ2。有可能決定將陣 列變數時間（串聯晶圓數）的最小値減去時間Td而取得 之時間成爲先行時'間TP2。或者，曝光裝置控制器16可 以將陣列變數時間（串聯晶圓數）的最小値減去時間Td 及邊緣，並決定所得之時間爲先行時間T P 2。 如上所述，曝光裝在較原來時間早的時機送一信號給 塗覆機/顯影機，以使晶圓傳送時機超前，這改良了生產 量。相反地’塗覆機/顯影機可以在較原來時機爲早的時 機送一信號給該曝光裝置，以使晶圓傳送時機超前，因而 ，改良生產量。 將晶圓供給要求（送入要求）信號（輸入-要求）由 未完備狀態改變至要求狀態直到在塗覆機/顯影機中之CD 傳輸單元1 5到達入/出口機台1 3的時間係取決於塗覆/顯 影的程式（recipe )及塗覆機/顯影機的效能而加以改變。 將晶圓移除要求（送出要求）信.號（無晶圓）由未完 備狀態改變至要求狀態直到在塗覆機/顯影機中之CD傳輸
C S -22- 1361470 單元15到達入/出口機台13的時間係取決於塗覆/顯影的 程式及塗覆機/顯影機的效能而加以改變。 在上述實施例中，EXPO傳輸單元及CD傳輸單元經 由晶圓出口機台加以交換晶圓。然而，EXPO傳輸單元與 CD傳輸單元可以直接交換晶圓。 雖然上述實施例的例子中，本發明係應用於曝光裝置 與塗覆機/顯影機間之晶圓交換，但本發明並不限於此。 即，本發明可以廣泛應用於一外部裝置與包含處理一物件 之處理單元的處理裝置間之物件交換。上述曝光裝置係爲 處理裝置的一例子。上述塗覆機/顯影機係爲外部裝置的 —例子。 使用上述曝光裝置或微影系統的裝置製造方法將說明 如後。第10圖爲一流程圖，顯示整個半導體裝置製程的 順序。步驟1 (電路設計）設計半導體裝置電路。步驟2 (光罩製造），根據所設計電路圖案製造光罩（也稱母版 或光罩）。步驟3 (晶圓備製），使用例如矽的材料，製 造一晶圓（也稱爲基板）。被稱爲預處理的步驟4(晶圓 處理）經由使用光罩及晶圓的微影術，而在晶圓上形成實 質電路。也稱爲後.處理的步驟5(組裝）將在步驟4中形 成的晶圓’形成爲半導體晶片。此步驟包含一組裝步驟（ 切片及黏結）、一封裝步驟（晶片密封）等等。步驟6( 檢視）執行在步驟5中所完成的半導體裝置的各種測試， 例如操作測試及耐用性測試。經由這些步驟，半導體裝置 完成並裝運（步驟7)。 -23- 1361470 第11圖爲晶圓製程的詳細流程圖。步驟11(氧化） 氧化晶圓表面。步驟12 ( CVD )在晶圓表面上，形成絕緣 膜。步驟13(電極形成）藉由沉積在晶圓上形成電極。步 驟14 (離子佈植）將離子佈植入晶圓。步驟15 ( CMP ) ，該絕緣層係爲CMP所平坦化》步驟16(光阻處理）在 上述微影系統之塗覆機/顯影機中施加光敏劑至晶圓。步 驟塗覆機/顯影機控制器17(曝光）藉由將塗覆有光敏劑 # 的晶圓曝光，經由形成有電路圖案的光罩，以上述曝光微 影系統中之曝光裝置在光阻上形成一潛像圖案。步驟18 ( 顯影）’在上述微影系統中之塗覆機/顯影機顯影形成在 晶圓上之光阻上之潛像圖案，以形成實體光阻圖案。步驟 19(蝕刻），經由光阻圖案開放之區域，將光阻圖案下之 層或基板蝕刻。步驟20 (光阻剝離）移除在蝕刻後的不用 的光阻。這些步驟被重覆，使多層電路圖案結構形成在晶 圓上。 φ 雖然本發明已經參考例示實施例加以描述，但可以了 解的是’本發明並不限定於該等特定實施例，而是如下之 申請專利範圍及其等效所界定者。 【圖式簡單說明】 第1圖爲依據本發明較佳實施例之曝光裝置的主部件 的示意圖； 第2圖爲依據本發明較佳實施例之微影系統之配置示 意圖；
-24- 1361470 第3圖爲一作爲使用者介面之輸入/輸出單元的視窗 顯示例示圖； 第4A及4B圖爲將一晶圓由一塗覆機/顯影機載入曝 光裝置的操作時序圖； 第5A及5B圖爲將一晶圓由曝光裝置卸載至塗覆機/ 顯影機的操作時序圖； 第6A圖爲一流程圖’用以顯不在一正常模式中，將 晶圓由塗覆機/顯影機載入曝光裝置的操作例； 弟6B圖爲一流程圖’用以顯不在一先輸出模式中， 將晶圓由塗覆機/顯影機載入曝光裝置的操作例； 第7A圖爲一流程圖，顯示在正常模式中，將晶圓自 曝光裝置卸載至塗覆機/顯影機的操作例： 第7B圖爲一流程圖，顯示在一先輸出模式中，將晶 圓由曝光裝置卸載至塗覆機/顯影機的操作例； 第8圖爲一流程圖，顯示在一學習模式中（晶圓供給 要求），曝光裝置控制器的操作； 第9圖爲一流程圖，顯示在學習模式中（晶圓移除要 求），曝光裝置控制器的操作； 第10圖爲一流程圖，顯示整個半導體裝置製程之順 序；及 第11圖爲一流程圖，顯示晶圓處理的詳細順序。 【主要元件符號說明】 1 :照明單元
-25- 1361470 • 2 :光罩 3 :光罩 4 :光罩位置量測單元 5 :投影光學系統 6 : X-Y機台 7 :雷射干涉儀 8 : Z機台 φ 9 :晶圓 1 〇 :對焦單元 1 1 :曝光室 12 :塗覆機/顯影機室 13 :入/出口機台 14 : EXPO傳輸單元 15 : CD傳輸單元 1 6 :曝光裝置控制器 φ 17 :塗覆機/顯影機控制器 1 8 :輸入/輸出單元 13Sb :晶圓檢測感應器 20 :機台單元 1 3 a :第一位置 1 3 b :第二位置 3 0 :輸入欄位 3 2 :輸入欄位 3 4 :對話框 -26- 1361470 ' 34a :導通框 34b :關閉框 36 :對話框 36a :導通框 36b :關閉框 1 00 :曝光裝置 200 :塗覆機/顯影機 # 3 00 :微影系統
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Claims (1)

1361470 恥乎5月〜θ修(更)正本 第096134913號專利申請案中文申請專利範圍修正本 民國100年5月12日修正 十、申請專利範圍 1. 一種處理裝置，包含： 一處理單元，架構以處理一物件；及一控制器，架構 以送出一信號，用以在該處理裝置進入一第一裝置可以在 處理裝置內不與第二裝置碰撞地執行傳輸的狀態前，要求 該第一裝置以開始該物件的傳輸進出該處理裝置。 2. 如申請專利範圍第1項所述之處理裝置，其中 該狀態爲該第一裝置可以將該物件傳輸入該處理裝置 的一狀態，及 該控制器被架構以送出一要求該第一裝置傳輸該物件 進入該處理裝置的一信號。 3. 如申請專利範圍第1項所述之處理裝置，其中 該狀態爲該第一裝置可以將該物件傳送出該處理裝置 的一狀態，及 該控制器被架構以送出一要求該第一裝置傳輸該物件 離開該處理裝置的一信號。 4. 如申請專利範圍第1項所述之處理裝置，其中該 控制器被架構以較一預定時間早一先行時間的一時間輸出 該信號，該處理裝置係在該預定時間進入該狀態。 5. 如申請專利範圍第4項所述之處理裝置，更包含 一使用者介面，被架構以接收資訊，以設定該先行時間。 6.如申請專利範圍第4項所述之處理裝置，其中該 1361470 控制器係架構以藉由學習來決定該先行時間。 7. 如申請專利範圍第1項所述之處理裝置，其中該 處理單元包含一曝光單元，架構以使一基板曝光。 8. 如申請專利範圍第7項所述之處理裝置，其中該 信號爲一信號，用以要求該第一裝置傳輸該被塗覆有光敏 劑的基板至該處理裝置。 9. 如申請專利範圍第7項所述之處理裝置，其中該 信號係爲一信號，用以要求該第一裝置傳輸該被曝光的基 板出該處理裝置。 10·—種製造一裝置的方法，該方法包含步驟： 使用如申請專利範圍第7項所述之處理裝置，將一基 板曝光； 顯影該已曝光之基板：及 處理該已顯影之基板，以製造該裝置。 11. 一種處理裝置，包含： 一處理單元，架構以處理一物件；及 一控制器，架構以送出一信號，用以在該處理裝置進 入一外部裝置可以在該處理裝置內不與傳輸手臂碰撞地執 行傳輸的狀態前，要求外部裝置開始傳輸該物件進出該處 理裝置。 -2-
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