KR20060037636A - 포토리소그라피 공정을 위한 웨이퍼 에지영역의 노광사이즈 검출장치 및 그 검출방법 - Google Patents

포토리소그라피 공정을 위한 웨이퍼 에지영역의 노광사이즈 검출장치 및 그 검출방법 Download PDF

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곽대용
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Abstract

본 발명은 포토리소그라피 공정을 위한 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출장치 및 그 검출방법에 관한 것이다. 본 발명에서는, 발광센서를 이용하여 웨이퍼 표면으로 빛을 조사하고 상기 웨이퍼 표면으로부터 반사되는 파장을 수광센서를 통해 수신하여, 감광막이 존재하지 않은 영역으로부터 반사되는 반사 파장과 감광막이 존재하는 영역으로부터 반사되는 반사 파장을 변화를 분석함으로써, 웨이퍼 가장자리로부터 감광막이 도포되어 있는 영역까지의 거리(노광 사이즈)를 자동으로 검출함으로써, 포토리소그라피 공정을 원활히 진행할 수 있도록 한다.
반도체, 포토리소그라피, 웨이퍼, 노광, 플랫존

Description

포토리소그라피 공정을 위한 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출장치 및 그 검출방법{exposure size detecting apparatus of wafer edge area for photolithography process and method for detecting thereof}
도 1은 웨이퍼 에지영역의 감광막에 대해 선택적인 노광을 실시하기 위한 통상의 웨이퍼 에지 노광장치를 나타낸다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출장치를 이용한 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출과정을 순차적으로 나타낸다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출장치에 대한 평면구조를 나타낸다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100: 척 102: 웨이퍼
104: 감광막 106: 상부센서
108: 하부센서 110: 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출장치
112: 콘트롤러부 114: 알람발생부
본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 포토리소그라피 공정을 위한 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출장치 및 그 검출방법에 관한 것이다.
최근 정보 통신 분야의 급속한 발달과 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 대중화에 따라 반도체 디바이스도 비약적으로 발전하고 있다. 이로 인해 그 기능적인 면에 있어서도 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구되어 반도체 디바이스의 집적도는 점차 증가되고 있는 실정이다. 이러한 반도체 디바이스의 고집적화 및 대용량화 추세로 인해 메모리셀을 구성하는 각각의 단위소자 사이즈가 축소됨에 따라 제한된 면적내에 다층구조를 형성하는 고집적화기술 또한 눈부신 발전을 거듭하고 있다.
일반적으로 반도체 디바이스는 웨이퍼 표면 상부에 여러 가지 기능을 수행하는 박막을 증착하고 이를 패터닝하여 다양한 회로 기하구조를 형성함으로써 제조하게 되는데, 이러한 반도체 디바이스를 제조하기 위한 공정은 크게 반도체 기판 상에 물질막을 형성하는 증착(deposition)공정, 상기 물질막을 포토리소그라피등과 같은 기술을 이용하여 소정의 패턴으로 형성하는 식각공정, 그리고 웨이퍼 상부에 층간절연막등을 증착한 후에 일괄적으로 웨이퍼 표면을 연마하여 단차를 없애는 평탄화(CMP:Chemical Mechanical Polishing)공정을 비롯하여 불순물 제거를 위한 웨 이퍼 세정공정 및 이온주입 공정등과 같은 여러 단위 공정들로 이루어져 있다. 반도체 디바이스를 제조하기 위해서는 상기와 같은 여러 단위 공정들을 반복 실시하게 되는데, 이러한 단위공정별로 해당 공정을 수행하기 위한 각각의 공정설비가 사용된다.
통상적으로, 상기 식각공정중 포토리소그라피 공정은 포지티브 혹은 네거티브 감광막을 이용하여 마스크 이미지에 따라 웨이퍼 상부에 증착된 물질막에 대해 일정 패턴을 형성시키는 공정이다. 이러한 포토리소그라피 공정은 마스크의 이미지를 얼마나 선명하고 미세하게 형성하는가는 물론 이러한 마스크의 이미지에 따라 웨이퍼 상부에 증착되어 있는 물질막의 패턴을 얼마나 정확한 위치에 양호한 프로파일을 가지도록 패터닝하였는가에 따라 공정능력이 평가되어진다.
이러한 포토리소그라피 공정은 포토공정을 시작하기 전에 웨이퍼 표면에 묻은 이물질을 제거하는 웨이퍼 세정공정, 감광막이 웨이퍼 표면에 잘 접착되도록 웨이퍼의 표면을 처리하는 표면처리공정, 감광막을 웨이퍼 상부에 원하는 두께로 도포하는 감광막 도포공정, 마스크를 감광막이 도포되어 있는 웨이퍼 위에 위치시키고 마스크 위에서 광을 노광시킴으로써 마스크에 그려진 이미지(회로)가 웨이퍼 상부에 형성되도록 하는 정렬/노광공정, 노광에 의해 변형된 감광막을 세정액을 이용해 제거하는 현상공정으로 구분할 수 있는데, 이 중 정렬 및 노광을 담당하는 반도체 장비를 노광설비라고 한다. 이러한 노광설비를 다른 용어로 스테퍼라고도 하는데, 이러한 스테퍼의 노광원리는 사진을 찍는데 사용되는 일반적인 사진기의 원리와 비슷하다. 즉 셔터가 개폐됨에 따라 광원으로부터 조사되는 광이 선택적으로 진 행되고, 상기 조사된 광이 마스크를 통하여 웨이퍼로 진행된다. 그 결과, 상기 마스크의 이미지가 웨이퍼 상으로 전사되어 웨이퍼 상부에 도포되어 있던 감광막이 네거티브 또는 포지티브 특성에 따라 노광되어 일정 패턴을 형성하게 된다.
그러나, 이러한 포토리소그라피 공정 진행시에 클램프와 같은 장비로 웨이퍼를 잡을 경우, 웨이퍼 에지영역에 도포된 감광막이 쉽게 분리되어 이물질로 작용하는 경우가 빈번히 발생하여 전체 반도체 디바이스의 수율을 저하시키는 원인이 되기도 한다. 따라서, 분 분야에서는 이러한 문제점을 해소하기 위하여 WEE(Wafer Edge Exposure:웨이퍼 에지 노광장치)를 이용하여 웨이퍼 에지영역에 대해서만 선택적인 노광을 실시함으로써 웨이퍼 에지영역에 도포된 감광막을 미리 제거하게 된다.
하기의 도 1에는 웨이퍼 에지영역의 감광막에 대해 선택적인 노광을 실시하는 통상의 WEE는 도시되어 있다.
도 1을 참조하면, 통상의 WEE는 빔 발생부(10) 및 웨이퍼 지지부(12)로 크게 이루어져 있으며, 상기 웨이퍼 지지대(12) 상부에는 웨이퍼(14)가 놓여있다. 상기 웨이퍼에는 에지영역(16) 및 플랫존(18)이 존재하며, 상기 웨이퍼(14) 상에는 감광막(20)이 도포되어 있다. 상기 감광막(20)이 도포되어 있는 웨이퍼(14)에 대해 광원(22)으로부터 발생된 노광용 빔이 수직으로 조사됨으로써, 상기 웨이퍼 에지영역(16)에 존재하는 감광막이 노광되는데, 이때 웨이퍼 에지영역(16)으로 노광되는 부분의 폭(참조부호 A)은 노광제어 마스크(24)를 통해 조절된다. 이와 같이, 웨이퍼 에지영역(16)을 부분적으로 노광한 뒤, 노광된 감광막을 현상함으로써 웨이퍼 에지 영역에 존재하는 감광막을 제거하게 되는 것이다.
상기와 같이 웨이퍼 에지영역의 감광막을 제거한 후, 후속의 공정을 진행하기 웨이퍼 상에 감광막이 존재하는 위치를 정확히 파악하는 것이 중요하다. 이처럼 웨이퍼 상에 존재하는 감광막의 위치를 파악함에 있어서, 종래에는 공정을 진행하는 작업자가 데일리 스코프(daily scope)로 로딩된 웨이퍼의 엣지 영역을 확인하여 감광막이 도포되어 있는 위치를 일일이 체크하는 방식이었다. 그러나, 이러한 종래의 방식에 의할 경우, 공정 진행자가 변경될 때마다 공정을 진행하는 진행자의 육안 확인 시각과 기준 차이로 인해 동일한 사이즈의 감광막이 도포되어 있는 웨이퍼에 대해서도 서로 다른 사이즈로 판명될 수 있는 문제점이 있다. 이처럼 웨이퍼 상부에 도포된 감광막의 사이즈를 실제와는 다르게 검출하여 포토리소그라피 공정을 진행하기 되면 공정상 여러 가지 오류를 유발하게 되어 양호한 식각 프로파일을 얻을 수 없게 되며, 그로 인해 반도체 디바이스의 전체적인 수율이 저하되는 문제점이 있다.
상기와 같은 종래의 문제점들을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 웨이퍼 상부에 도포되어 있는 감광막의 위치를 정확히 파악할 수 있도록 하는 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출장치 및 그 검출방법에 관한 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 포토리소그라피 공정을 원활히 진행할 수 있도록 하는 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출장치 및 그 검출방법에 관한 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 반도체 디바이스의 수율 저하를 방지할 수 있도록 하는 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출장치 및 그 검출방법에 관한 것이다.
본 발명의 다른 상기한 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출장치는, 로딩된 웨이퍼보다 상부에 위치하며, 상기 웨이퍼 표면으로 빛을 조사하는 발광센서와 상기 발광센서로부터 조사된 빛이 상기 웨이퍼 표면에서 반사될 경우 상기 반사된 빛을 수신하는 수광센서를 포함하는 제1센서부; 상기 로딩된 웨이퍼보다 하부에 위치하며, 상기 제1센서부의 발광센서로부터 조사된 빛을 수신하는 수광센서를 포함하는 제2센서부; 및 상기 제1센서부 및 제2센서부에 연결되어 있으며, 상기 제1센서부의 발광센서로부터 조사된 빛이 웨이퍼 표면에서 반사되는 경우에 상기 반사된 빛을 수신하는 제1센서부의 수광센서의 동작을 감지하여, 감광막이 도포되어 있지 않은 웨이퍼 에지영역의 사이즈를 검출하는 콘트롤러부를 포함함을 특징으로 한다.
또한, 상기한 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출방법은, 로딩된 웨이퍼보다 상부에 위치하는 발광센서를 이용하여 상기 웨이퍼 표면으로 빛을 조사하는 단계와; 상기 웨이퍼 표면으로부터 반사되는 빛을 수광센서를 이용하여 수신하는 단계와; 상기 수광센서를 통해 수신된 빛의 파장 변화를 분석하여, 감광막이 존재하지 않는 웨이퍼 가장자리로부터 감광막이 존재하는 영역까지의 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈를 검출하는 단계를 포함함을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 본 발명의 카테고리를 벗어나지 않는 범위내에서 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출장치를 이용한 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출과정을 순차적으로 나타낸다. 이때, 도 2 내지 도 4를 통해 상기 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출장치를 설명하기 위한 본 실시예에서는 설명의 편의를 위하여 웨이퍼에 대하여 하나의 노광 사이즈 검출장치가 적용되어 있는 상태를 도시하고 있으나, 실제적으로는 하나의 웨이퍼에 두개 이상의 다수개의 노광 사이즈 검출장치가 적용될 수 있다.
먼저, 도 2를 참조하면, 척(100) 상부에 웨이퍼(102)가 로딩되어 있고, 상기 웨이퍼(102)의 일부 상부에는 감광막(104)이 도포되어 있다. 이때, 상기 웨이퍼(102)의 에지영역의 감광막은 웨이퍼 에지 노광장치(WEE)에 의해 미리 제거된 상태이다. 이와 같은 웨이퍼(102)에 대해 상기 감광막(104)이 존재하지 않는 영역의 사이즈를 알기 위하여 상부센서(106) 및 하부센서(108)로 이루어진 센서부가 형성되어 있는 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출장치(110)가 적용된다.
여기서, 상기 상부센서(106)에는 비록 도면상으로 도시되지는 않았지만 발광 센서 및 수광센서가 형성되어 있으며, 상기 하부센서(108) 또한 도면상으로 도시되지는 않았지만 상기 상부센서(106)의 발광센서로부터 조사된 빛을 수신하는 수광센서가 형성되어 있다. 그리고, 상기 상부센서(106) 및 하부센서(108)는 콘트롤러부(112)에 연결되어 있으며, 상기 콘트롤러부(112)에는 웨이퍼의 이상 유무를 알리는 알람발생부(114)가 연결되어 있다.
상기 콘트롤러부(112)에서는 상기 상부센서(106)의 발광센서로부터 빛이 조사되는 동작과 상기 발광센서로부터 조사된 빛이 상기 하부센서(108)의 수광센서로 입력되는 동작에 대한 정보를 인식하여, 상기 상부센서(106)의 발광센서로부터 조사된 빛이 상기 하부센서(108)의 수광센서로 입력되면 본 발명에 따른 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출장치(110)가 아직 웨이퍼(102)쪽으로 진입하지 않은 것으로 판단한다.
한편, 상기 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출장치(110)가 웨이퍼(102)쪽으로 진입하면 상기 상부센서(106)의 발광센서로부터 조사된 빛이 상기 하부센서(108)의 수광센서로 입력되지 못하고 차단되는데, 하기의 도 3을 참조하여 보다 상세히 살펴보기로 하자.
도 3은 상기 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출장치(110)가 웨이퍼(102) 쪽으로 이동한 상태를 나타낸다. 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출장치(110)가 웨이퍼(102) 쪽으로 이동하게 되면, 웨이퍼(102)의 가장자리 지점에 이르러서는 상기 상부센서(106)의 발광센서로부터 조사된 빛이 상기 하부센서의 수광센서에 이르지 못하고 웨이퍼에 의해 차단되어진다. 이처럼, 상기 상부센서(106)의 발광센서로부터 조사된 빛이 상기 웨이퍼(102)에 의해 차단되면, 상기 상부센서(106)의 발광센서로부터 조사된 빛은 웨이퍼(102) 표면에서 반사되어 상기 상부센서(106)의 수광센서측으로 입력되어진다. 그러면, 상기 콘트롤러에서는 이러한 수광 경로의 변화, 즉 상기 하부센서(108)의 수광센서측으로 입력되던 빛이 상기 상부센서(106)의 수광센서측으로 입력되면, 상기 콘트롤러에서는 상기 하부센서(108)에 형성되어 있는 수광센서의 수광 동작은 이루어지지 않고, 상기 상부센서(106)의 발광센서 및 수광센서만으로 발광 및 수광 동작이 이루어지는 것으로 분석하여 본 발명에 따른 상기 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출장치(110)가 웨이퍼의 가장자리에 접근하였음을 인식하게 된다.
본 발명에서는 상기 상부센서(106)의 발광센서로부터 조사된 빛이 상기 하부센서(108)에 형성되어 있는 수광센서측으로 더 이상 입력되지 않고 웨이퍼(102)로 인해 차단되는 시점, 다시 말해 상기 상부센서(106)의 발광센서로부터 조사된 빛이 상기 웨이퍼(102) 표면에서 반사되는 웨이퍼(102)의 가장자리를 웨이퍼 에지 사이즈의 "0"점 지점으로 지정한다. 그리고, 상기 "0" 점 지점을 시작으로 감광막(104)이 존재하는 영역까지 동일한 반사 파장이 상기 상부센서(106)의 수광센서를 통해 수신되는데, 웨이퍼(102) 표면으로부터 반사되는 이러한 반사 파장에 대한 데이터는 상기 콘트롤러부(112)로 전송된다. 감광막(104)이 존재하지 않는 영역에서는 동일한 반사 파장이 검출될 것이므로, 상기 "0" 점 지점으로부터 감광막(104)이 존재하지 않는 범위의 사이즈 검출이 가능해진다.
계속해서, 도 4는 상기 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출장치(110)가 웨 이퍼(102) 상부에 감광막(104)이 도포되어 있는 영역까지 진입한 상태임을 나타낸다. 상기 웨이퍼(102) 가장자리("0"점 지점)로부터 감광막이 도포되지 않은 영역까지는 동일한 반사 파장이 검출될 것이며, 감광막(104)이 도포된 영역에서는 상기 웨이퍼(102) 표면에서와는 다른 수치의 반사 파장이 검출될 것으므로, 이러한 반사 파장의 수치를 통해 웨이퍼 에지영역의 감광막이 존재하지 않는 영역의 폭을 검출하게 된다.
도 4를 참조하여 이러한 검출 과정을 보다 상세히 설명하면, 감광막(104)이 존재하지 않는 웨이퍼 표면(참조부호 B)으로부터 반사되는 빛의 양과 감광막이 존재하는 웨이퍼 표면으로부터 반사되는 빛의 양은 서로 차이가 있는데, 이러한 빛의 양의 차이를 통해 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈를 검출하게 된다. 예를 들어, 웨이퍼 가장자리인 상기 "0"점 지점으로부터 스캔을 시작할 경우, 감광막이 존재하지 않는 웨이퍼 영역인 상기 B 영역에 빛을 조사하는 경우에 반사되는 파장의 수치가 100% 라고 가정하자. 그러면, 참조부호 C로 나타낸 감광막이 존재하는 웨이퍼 영역에 빛을 조사할 경우에는 빛의 일부가 상기 감광막(104)에 흡수되어 100% 미만, 약 70%의 반사 파장이 검출될 것이다. 그러므로, 반사 파장의 수치가 100%를 유지하는 영역, 즉 웨이퍼(102)의 가장자리인 "0" 지점을 시작으로 감광막(104)이 존재하지 않아 상기 "0" 지점에서와 동일한 수치의 반사 파장이 검출되는 영역까지를 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈로 결정하게 된다. 즉, 본 실시예에서는 상기 참조부호 B로 나타낸 영역이 바로 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈가 될 것이다.
한편, 상기와 같은 노광 사이즈 검출장치(110)를 통해 검출된 웨이퍼 에지영 역의 노광 사이즈에 대한 데이터가 미리 설정되어 있던 스펙을 벗어나면 상기 알람발생부(114)를 통해 알람을 송출하여 웨이퍼의 이상 유무를 확인할 수 있도록 한다.
도 5는 상기 도 2 내지 도 4에 도시되어 있는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출장치(110)가 웨이퍼에 적용되어 있는 상태를 평면적으로 나타내는 도면이다.
도 5를 참조하면, 웨이퍼(102)의 일부 상부에 감광막(104)이 도포되어 있다. 여기서, 상기 웨이퍼(102) 상부에 회로 패턴들을 형성하기 위한 여러가지 단위 공정시에 이물질이 발생되는 문제를 최소화하기 위하여, 상기 웨이퍼(102)의 에지영역에 대해서만 노광/현상 공정을 실시하여 에지영역의 감광막만을 부분적으로 미리 제거한다. 이러한 웨이퍼(102)에 대하여 상측, 좌측, 우측 및 하측에 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출장치(110)가 위치하고 있는데, 도면상으로는 노광 사이즈 검출장치의 상부센서(106)만이 표현되어 있다. 상기 노광 사이즈 검출장치(110)는 웨이퍼 주변에 임의의 개수로 형성할 수 있는데, 본 실시예에서는 도 5에 도시된 바와 같이, 상측, 좌측, 우측 영역에는 각각 하나의 센서를 위치시키고, 플랫존이 형성되어 있는 하측 영역에는 두 개의 센서를 위치시켰다. 이때, 상기 센서(106)는 상기 도 4에 도시된 상부센서(106)로서, 평면도인 도 5상으로는 표현되지 않았으나 그 하부에는 도 4에 도시된 하부센서(108)가 당연히 형성되어 있음은 물론이다. 그리고, 상기 노광 사이즈 검출장치(110)의 콘트롤러부(112) 및 알람발생부(114) 또한 도 5상에 도시되지는 않았으나 상기 노광 사이즈 검출장치(110)의 상부센서 및 하부센서에 연결되어 있는 있음은 물론이다.
척(도시되지 않음) 상부에 로딩된 상기 웨이퍼(102)에 대해 플랫존을 정렬한 후, 상기 웨이퍼(102) 주변으로 형성되어 있는 전체 다섯개의 노광 사이즈 검출장치(110)를 화살표 방향으로 웨이퍼(102)측으로 이동시킨다. 상기 다섯개의 노광 사이즈 검출장치(110)가 상기 웨이퍼(102)의 감광막(104)이 존재하지 않는 가장자리에서부터 감광막(104)이 존재하는 영역까지의 거리를 검출하게 된다.
그리고, 상기와 같이 검출된 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈에 대한 데이터가 미리 설정되어 있던 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 스펙을 벗어날 경우에는 이를 웨이퍼 불량으로 판단하여 상기 알람발생부(114)를 통해 알람을 송출함으로써, 작업자로 하여금 이러한 웨이퍼의 이상 유무를 확인하고 오류를 정정할 수 있도록 한다.
상기한 바와 같이 본 발명에 의하면, 발광센서 및 수광센서를 포함하는 상부센서와 상기 발광센서로부터 조사된 빛을 수신하는 수광센서를 포함하는 하부센서를 이용하여 웨이퍼 가장자리로부터 감광막이 도포되어 있는 영역까지의 거리를 자동으로 스캔하는 방식으로 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈를 검출한다. 그 결과, 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 불량으로 인해 포토리소그라피 공정과 후속되는 타 공정에서 발생될 수 있는 여러 가지 공정상의 불량을 미연에 방지할 수 있게 된다.
또한, 작업자에 의해 일일이 확인되었던 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검 출작업을 설비를 통해 자동으로 처리함으로써, 정확한 데이터를 얻을 수 있으며 작업 시간 또한 단축시킬 수 있는 매우 바람직한 효과를 기대할 수 있게 된다.

Claims (4)

  1. 포토리소그라피 공정을 위한 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출장치에 있어서:
    로딩된 웨이퍼보다 상부에 위치하며, 상기 웨이퍼 표면으로 빛을 조사하는 발광센서와 상기 발광센서로부터 조사된 빛이 상기 웨이퍼 표면에서 반사될 경우 상기 반사된 빛을 수신하는 수광센서를 포함하는 제1센서부;
    상기 로딩된 웨이퍼보다 하부에 위치하며, 상기 제1센서부의 발광센서로부터 조사된 빛을 수신하는 수광센서를 포함하는 제2센서부; 및
    상기 제1센서부 및 제2센서부에 연결되어 있으며, 상기 제1센서부의 발광센서로부터 빛이 조사되는 동작과 상기 제1센서부로부터 조사된 빛이 웨이퍼 표면으로부터 반사되는 경우에 상기 반사된 빛을 수신하는 제1센서부의 수광센서의 동작을 감지하여, 감광막이 도포되어 있지 않은 웨이퍼 에지영역의 사이즈를 검출하는 콘트롤러부를 포함함을 특징으로 하는 포토리소그라피 공정을 위한 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 제1센서부, 제2센서부 및 콘트롤러부로 이루어진 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출장치를 통해 검출된 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈가 미리 설정되어 있던 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 스펙을 벗어날 경우에 는 이를 웨이퍼 불량으로 판단하여 알람을 송출하는 알람발생부를 더 포함함을 특징으로 하는 포토리소그라피 공정을 위한 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출장치.
  3. 포토리소그라피 공정을 위한 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출방법에 있어서:
    로딩된 웨이퍼보다 상부에 위치하는 발광센서를 이용하여 상기 웨이퍼 표면으로 빛을 조사하는 단계와;
    상기 웨이퍼 표면의 감광막이 존재하지 않는 영역과 감광막이 존재하는 영역으로부터 반사되는 빛의 반사 파장을 수광센서를 이용하여 수신하는 단계와;
    상기 수광센서를 통해 수신된 상기 반사 파장의 변화를 분석하여, 감광막이 존재하지 않는 웨이퍼 가장자리로부터 감광막이 존재하는 영역까지의 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈를 검출하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 검출방법.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 검출된 웨이퍼 에징영역의 노광 사이즈가 미리 설정되어 있던 웨이퍼 에지영역의 노광 사이즈 스펙을 벗어날 경우에는 이를 웨이퍼 불량으로 판단하여 알람을 송출하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 영역의 노광 사이즈 검출장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20060107196A (ko) * 2005-04-08 2006-10-13 삼성전자주식회사 웨이퍼의 에지 노광 영역 검사 방법 및 이를 수행하기 위한장치
CN107993955A (zh) * 2017-11-24 2018-05-04 上海华力微电子有限公司 一种检测晶圆边缘缺陷的方法
CN115383619A (zh) * 2021-05-06 2022-11-25 海太半导体（无锡）有限公司 一种半导体晶圆研磨设备的自动检测系统

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