KR20080029821A - 처리장치 - Google Patents

처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20080029821A
KR20080029821A KR1020070096323A KR20070096323A KR20080029821A KR 20080029821 A KR20080029821 A KR 20080029821A KR 1020070096323 A KR1020070096323 A KR 1020070096323A KR 20070096323 A KR20070096323 A KR 20070096323A KR 20080029821 A KR20080029821 A KR 20080029821A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
request
signal
exposure apparatus
state
Prior art date
Application number
KR1020070096323A
Other languages
English (en)
Inventor
신이치 히라노
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20080029821A publication Critical patent/KR20080029821A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70991—Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B27/00—Photographic printing apparatus
    • G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
    • G03B27/52—Details
    • G03B27/58—Baseboards, masking frames, or other holders for the sensitive material
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

처리장치는, 물품을 처리하는 처리 유닛과, 상기 처리장치가 외부장치에 의한 물품의 반송이 가능한 상태로 진입하기 전에, 상기 외부장치에 대하여, 상기 처리장치의 내 또는 밖으로 물품의 반송을 요구하는 신호를 송출하는 제어부를 구비한다.
노광장치, 도포/현상장치, 처리장치, 외부장치

Description

처리장치{PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 처리장치에 관한 것으로, 특히 물품을 처리하는 처리장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스 등의 디바이스를 제조하기 위한 노광장치는, 통상, 도포/현상장치와 접속하는 경우에 사용된다. 노광장치와 도포/현상장치는 감광제가 도포된 웨이퍼를 교환한다. 노광장치와 도포/현상장치와의 사이에는, 웨이퍼 주고받음 스테이션이 삽입되어 있다. 노광장치는 웨이퍼 주고받음 스테이션에 배치된 웨이퍼를 제거한 후, 다음의 웨이퍼를 수취하는 것이 가능하게 되는 타이밍에서 다음의 웨이퍼의 제공을 도포/현상장치에 요구한다.
또한, 노광장치는 노광이 이루어진 웨이퍼를 도포/현상장치로 이송할 때에, 웨이퍼를 웨이퍼 주고받음 스테이션에 배치하여 도포/현상장치가 웨이퍼를 수취하는 것이 가능하게 되는 타이밍에서 웨이퍼 주고받음 스테이션으로부터 웨이퍼를 제거하도록 도포/현상장치에 요구한다.
노광장치가 웨이퍼를 수취하는 것이 가능하게 되는 타이밍에서 다음의 웨이퍼의 제공을 도포/현상장치에 요구하는 상기의 방식에서는, 도포/현상장치는, 해당 요구에 응답해 웨이퍼 반송유닛을 동작시킨다. 도포/현상장치가 웨이퍼의 제공요구를 수신한 후에 실제로 주고받음 스테이션에 웨이퍼를 놓는데 필요한 시간을 T라고 하자. 그러면, 노광장치는, 다음 웨이퍼를 수취하는 것이 가능하게 되는 타이밍 후에 시간 T를 경과할 때까지 다음 웨이퍼를 수취할 수 없다.
또한, 도포/현상장치가 웨이퍼를 수취하는 것이 가능하게 되는 타이밍에서 주고받음 스테이션으로부터 웨이퍼의 제거를 도포/현상장치에 요구하는 상기의 방식에서는, 도포/현상장치는, 해당 요구에 응답해서 웨이퍼 반송유닛을 동작시킨다. 여기에서, 도포/현상장치가 웨이퍼 제거요구를 받고나서 주고받음 스테이션으로부터 웨이퍼의 제거에 필요한 시간을 T라고 하자. 그러면, 노광장치는, 도포/현상장치가 웨이퍼의 수취가 가능하게 되는 타이밍 후에 시간 T가 경과할 때까지 다음 웨이퍼를 주고받음 스테이션에 둘 수 없다.
본 발명은, 상기의 상황을 고려하여 이루어진 것으로서, 처리장치가 수행하는 처리의 스루풋을 향상시키는 것을 예시적인 목적으로 한다.
본 발명에 따른 처리장치는, 물품을 처리하는 처리 유닛과, 처리장치가 상기 외부장치에 의한 물품의 반송이 가능한 상태가 되기 전에, 상기 처리장치에 물품을 반입하거나 상기 처리장치로부터 물품을 반출하도록 상기 외부장치에 요구하는 신호를 송출하는 제어부를 구비한다.
본 발명의 다른 특징들은 첨부도면을 참조하면서 이하의 예시적인 실시 예로부터 명확해질 것이다.
본 발명에 의하면, 노광장치로부터 도포/현상장치로 신호를 제공하는 타이밍을 본래의 타이밍보다 빠르게 해서, 웨이퍼의 반송 타이밍을 빠르게 함으로써, 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한, 도포/현상장치로부터 노광장치로 신호를 제공하는 타이밍을 본래의 타이밍보다 빠르게 해서, 웨이퍼의 반송 타이밍을 빠르게 함으로써, 스루풋을 향상시킬 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명한다. 도 1은, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 노광장치의 본체부분의 개략적인 구성을 도시한 도면이다. 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 노광장치(100)는, 광원을 포함한 조명 유닛(1)과, 패턴이 형성된 레티클(원판;2)을 보유하는 레티클 스테이지(3)와, 레티클 스테이지(3)에 보유된 레티클(2)의 위치를 계측하는 레티클 위치 계측유닛(4)을 구비한다. 노광장치(100)는 또한 투영 광학계(5)와, 감광제가 도포된 웨이퍼(기판;9)를 위치 결정하는 스테이지 유닛(20)을 구비한다. 스테이지 유닛(20)은, 웨이퍼(9)를 XY방향으로 위치 결정하는 X-Y 스테이지(6)와, 웨이퍼(9)를 Z방향으로 위치 결정하기 위한 Z 스테이지(8)를 포함한다. 노광장치(100)는 또한 X-Y 스테이지(6)의 XY방향의 위치를 계측하는 레이저 간섭계(7)와, 웨이퍼(9)의 Z 방향의 위치를 계측하는 포커스 유닛(10)을 구비하고 있다. 레티클(2)에 형성된 패 턴은, 투영 광학계(5)를 거쳐서, Z 스테이지(8) 상의 웨이퍼(9)에 투영되어, 웨이퍼(9)에 도포된 감광제에 잠상 패턴을 형성한다. 이 잠상 패턴은, 현상장치에 의해 물리적인 패턴으로 현상된다.
도 2는, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 리소그라피 시스템의 개략적인 구성을 도시한 도면이다. 도 2에 나타낸 리소그라피 시스템(300)은, 도 1에 나타낸 본체부분을 갖는 노광장치(처리장치;100)와, 도포/현상장치(200)를 포함한다. 노광장치(100)는, 노광 챔버(11)를 구비한다. 노광장치(100)의 본체부분, 즉 노광 유닛(처리 유닛)은, 노광 챔버(11) 내에 내장된다. 도 2에서는, 간단화를 위해, 노광장치(100)의 본체부분으로서, 스테이지 유닛(20)만이 도시되어 있다. 노광 챔버(11) 내에는, 노광장치 웨이퍼 반송유닛(이하, EXPO 반송유닛이라고 한다)(14), 노광장치 제어부(16), 및 유저 인터페이스로서의 입출력 유닛(18)이 배치되어 있다.
도포/현상장치(200)는, 도포/현상 챔버(12)를 구비한다. 도포/현상장치(200)의 본체부분은, 도포/현상 챔버(12) 내에 배치된다. 도포/현상 챔버(12) 내에는 도포/현상장치 웨이퍼 반송유닛(이하, CD 반송유닛이라고 한다)(15) 및 도포/현상장치 제어부(17)가 배치되어 있다.
EXPO 반송유닛(14)은, CD 반송유닛(15)에 의해 주고받음 스테이션(13) 위의 제1위치(반입 스테이션)13a까지 반송된 웨이퍼를 받고, 노광 유닛의 스테이지 유닛(20)에 반송한다. EXPO 반송유닛(14)은, 노광이 종료한 웨이퍼를 주고받음 스테이션(13) 위의 제2위치(반출 스테이션)13b에 반송한다. EXPO 반송유닛(14)은, 웨이 퍼 얼라인먼트 유닛(도면에 나타내지 않는다)을 경유해서 웨이퍼를 스테이지 유닛(20)에 반송하는 경우가 있다. 노광 챔버(11) 내에는, 복수의 웨이퍼 반송유닛이 배치되는 경우가 있다.
이하의 설명에 있어서, "반입"은, 도포/현상장치(200)로부터 주고받음 스테이션(13) 위의 제1위치(13a)를 경유해서 노광장치(100)의 본체부분(스테이지 유닛 20)으로 웨이퍼를 반송하는 동작의 전부 또는 일부를 의미한다. 또한 "반출"은, 노광장치(10O)로부터 주고받음 스테이션(13) 위의 제2위치(13b)를 경유해 도포/현상장치(200)의 본체부분으로 웨이퍼를 반송하는 동작의 전부 또는 일부를 의미한다.
또한, "제공요구" 혹은 "반입요구"는, 노광장치(100)로부터 도포/현상장치(200)에 대한 요구이므로, CD 반송유닛(15)은 주고받음 스테이션(13) 위의 제1위치(13a)에 웨이퍼를 제공한다. "제거요구" 혹은 "반출 요구"는, 노광장치(100)로부터 도포/현상장치(200)에 대한 요구이므로, CD 반송유닛(15)은 주고받음 스테이션(13) 위의 제2위치(13b)로부터 웨이퍼를 제거한다. 노광장치(100)는 특정상태가 된 것을 나타내는 상태신호를 발생(활성화)함으로써 제공요구(반입요구) 또는 제거요구(반출요구)를 한다. 제공요구(반입요구) 신호는, 제공요구를 나타내는 상태신호와 등가다. 제거요구(반출요구) 신호는, 제거요구를 나타내는 상태신호와 등가다.
도 3은, 유저 인터페이스로서의 입출력 유닛(18)의 화면표시의 일례를 도시한 도면이다. 여기에서, 입출력 유닛(18)의 화면에 표시되는 파라미터에 관해서 설명한다. 입력필드 30은, "오프셋 시간(웨이퍼 제공요구)"를 입력하기 위한 필드다. "오프셋 시간(웨이퍼 제공요구)"은, 노광장치(100)로부터 도포/현상장치(200)로 보내지는 웨이퍼 제공요구(반입요구) 신호를 발생하는 타이밍의 오프셋 시간 TP1(후술)을 의미한다. 노광장치(100)는, 웨이퍼 제공요구(반입요구) 신호(Input-Request)를, 입력필드 30에 입력된 오프셋 시간만큼 본래의 요구 타이밍보다 빨리 발생(활성화)한다. 여기에서, 본래의 요구 타이밍은, 오프셋 프리(offset-free) 요구 타이밍에서 요구가 충족되어도 좋은 상태로 노광장치가 될 때의 타이밍을 의미한다. 예를 들면, 도포/현상장치(200)로부터 주고받음 스테이션(13) 위의 제1위치(13a)로 웨이퍼가 제공되어도 좋은 상태로 노광장치(100)가 될 때의 타이밍은, 제공요구(반입요구) 신호의 본래의 요구 타이밍이다. 입력필드 30에 입력된 오프셋 시간이 0인 경우에는, 웨이퍼 제공요구(반입요구) 신호(Input-Request)는, 본래의 요구 타이밍에서 발생한다.
입력필드 32는, "오프셋 시간(웨이퍼 제거 요구)"을 입력하기 위한 필드다. "오프셋 시간(웨이퍼 제거요구)"은, 노광장치(100)로부터 도포/현상장치(200)로 보내지는 웨이퍼 제거요구(반출요구) 신호를 발생하는 타이밍의 오프셋 시간 TP2(후술)을 의미한다. 노광장치(100)는, 입력필드 32에 입력된 오프셋 시간만큼, 웨이퍼 제거요구(반출요구) 신호(Wafer-Out)를 본래의 요구 타이밍보다도 빨리 발생(활성화)한다. 상술한 바와 같이, 여기에서 본래의 요구 타이밍은, 오프셋 프리 요구 타이밍에서 요구가 충족되어도 좋은 상태로 노광장치가 될 때의 타이밍을 의미한다. 예를 들면, 주고받음 스테이션(13) 위의 제1위치(13a)로부터 웨이퍼를 제거해도 좋은 상태로 노광장치(100)가 될 때의 타이밍은, 제거요구(반출요구) 신호의 본래의 요구 타이밍이다. 입력필드 32에 입력된 오프셋 시간이 0인 경우에는, 웨이퍼 제거요구(반출요구) 신호(Wafer-Out)는, 본래의 요구 타이밍에서 발생한다.
체크박스 34는, "학습 모드(웨이퍼 제공 요구)"의 기능을 ON/OFF 하기 위해서 사용된다. ON 박스 34a에 체크 마크를 입력하면, "학습 모드(웨이퍼 제공요구)"의 기능이 ON 하고, OFF 박스 34b에 체크 마크를 입력하면, "학습 모드(웨이퍼 제공요구)"의 기능이 OFF 한다. 학습 모드(웨이퍼 제공요구)에서는, 노광장치(100)가 도포/현상장치(200)에 웨이퍼 제공요구(반입요구) 신호(Input Request)를 출력하고나서 도포/현상장치(200)가 주고받음 스테이션(13) 위의 제1위치(13a)에 웨이퍼를 제공할 때까지의 시간이 계측된다. 그리고, 그 계측결과에 의거하여 웨이퍼 제공요구(반입요구) 신호에 의해 정의된 타이밍의 오프셋 시간 TP1이 결정된다. "학습 모드(웨이퍼 제공요구)"의 기능이 ON으로 설정되었을 경우에는, 입력필드 30에 입력된 오프셋 시간은 무효가 되고, 대신 계측결과에 의거하여 결정된 오프셋 시간이 사용된다. "학습 모드(웨이퍼 제공요구)"의 기능이 OFF로 설정되었을 경우에는, 입력필드 30에 입력된 오프셋 시간이 유효가 된다.
체크박스 36은, "학습 모드(웨이퍼 제거요구)"의 기능을 ON/OFF 하기 위해서 사용된다. ON 박스 36a에 체크 마크를 입력하면, "학습 모드(웨이퍼 제거요구)"의 기능이 ON 하고, OFF 박스 36b에 체크 마크를 입력하면, "학습 모드(웨이퍼 제거 요구)"의 기능이 OFF 한다. 학습 모드(웨이퍼 제거요구)에서는, 노광장치(100)가 도포/현상장치(200)에 웨이퍼 제거요구(반출요구) 신호(Wafer-Out)를 출력하고나서 도포/현상장치(200)가 주고받음 스테이션(13) 위의 제2위치(13b)로부터 웨이퍼를 제거할 때까지의 시간이 계측된다. 그리고, 그 계측결과에 의거하여 웨이퍼 제거요구(반출요구) 신호에 의해 정의된 타이밍의 오프셋 시간이 결정된다. "학습 모드(웨이퍼 제거요구)"의 기능이 ON으로 설정되었을 경우에는, 입력필드 32에 입력된 오프셋 시간은 무효가 되고, 대신 계측결과에 의거하여 결정된 오프셋 시간이 사용된다. "학습 모드(웨이퍼 제거요구)"의 기능이 OFF로 설정되었을 경우에는, 입력필드 32에 입력된 오프셋 시간이 유효가 된다.
이하에서는, 웨이퍼 제공요구(반입요구) 신호(Input-Request) 또는 웨이퍼 제거요구(반출요구) 신호(Wafer-Out)를 본래의 타이밍보다 선행해서 출력하는 모드를 선행 출력 모드라고 부르고, 이 신호를 본래의 타이밍에서 출력하는 모드를 보통 모드라고 부른다.
도 4a 및 도 4b는, 도포/현상장치(200)로부터 노광장치(100)로 웨이퍼를 반입할 때의 동작 예를 나타내는 타이밍 차트다. 도 4a는, 보통 모드에 있어서의 동작 예를 나타내고, 도 4b는, 선행 출력 모드에 있어서의 동작 예를 나타내고 있다. 이하에, 도 4a 및 도 4b에 표시된 신호에 관하여 설명한다.
<Wafer Carrying In Operation 신호>
Wafer Carrying In Operation 신호는, 노광장치(100) 내부의 상태신호이며, EXPO 반송유닛(14)의 동작 상태를 나타낸다. 이 신호는 EXPO 반송유닛(14)이 웨이퍼의 반송을 실행하고 있는 동안에서는 In Process 상태가 되고, 실행하고 있지 않은 동안에는 Off 상태가 된다.
<Wafer In Sensor 신호>
Wafer In Sensor 신호는, 주고받음 스테이션(13) 위의 제1위치(반입 스테이션)13a에 있어서의 웨이퍼의 유무를 검출하는 웨이퍼 검출 센서 13Sa로부터의 출력 신호다. 이 신호는, 웨이퍼가 존재하는 동안에는 Exist 상태가 되고, 웨이퍼가 존재하지 않는 동안에는 None 상태가 된다.
<Input-Request 신호>
Input-Request 신호는, 노광장치 제어부(16)로부터 도포/현상장치(200)의 도포/현상장치 제어부(17)로 출력되는 웨이퍼 제공요구(반입요구) 신호(웨이퍼 제공요구를 나타내는 상태신호)이다. 웨이퍼 제공요구(반입요구) 신호는, 노광장치(100)가 도포/현상장치(200)에 대하여, CD 반송유닛(15)에 의해 주고받음 스테이션(13) 위의 제1위치(13a)에 웨이퍼가 제공되도록 요구하는 신호다. 이 신호는 웨이퍼의 제공을 요구하고 있는 동안은 Request 상태가 되고, 웨이퍼의 제공을 요구하지 않는 동안은 NotReady 상태가 된다.
<Wafer Supply 신호>
Wafer Supply 신호는, 도포/현상장치(200)의 도포/현상장치제어부(17)로부터 노광장치 제어부(16)로 출력되는 신호다. 이 신호는, CD 반송유닛(15)에 의해 주고받음 스테이션(13) 위의 제1위치(13a)에 웨이퍼가 제공될 때의 타이밍에서 Supplied 상태로 변경된다. 또한, 이 신호는, Input-Request 신호가 NotReady 상태로 변경되면, NotSupplied 상태로 변경된다.
도 5a 및 5b는, 노광장치(100)로부터 도포/현상장치(200)로 웨이퍼를 반출할 때의 동작 예를 나타내는 타이밍 차트다. 도 5a는, 보통 모드에 있어서의 동작 예 를 나타내고, 도 5b는, 선행 출력 모드에 있어서의 동작 예를 나타내고 있다. 이하에, 도 5a 및 5b에 표시된 신호에 관해서 설명한다.
<Output-Ready 신호＞
Output-Ready 신호는, 도포/현상장치 제어부(17)로부터 노광장치 제어부(16)로 출력되는 반송 완료 신호다. Output-Ready 신호는, 도포/현상장치(200)가 CD 반송유닛(15)에 의해 주고받음 스테이션(13) 위의 제2위치(13b)로부터 웨이퍼를 제거할 준비가 완료한 것을 나타내는 신호다. 이 신호는, 도포/현상장치(200)가 CD 반송유닛(15)에 의해 주고받음 스테이션(13) 위의 제2위치(13b)로부터 웨이퍼를 제거할 준비가 완료한 타이밍에서 Ready 상태로 변경된다. 이 신호는, Wafer-Out 신호가 Placed 상태로 변경되면, NotReady 상태로 변경된다.
<Wafer Out Sensor 신호>
Wafer Out Sensor 신호는, 주고받음 스테이션(13) 위의 제2위치(13b)에 있어서의 웨이퍼의 유무를 검출하는 웨이퍼 검출 센서(13Sb)로부터 출력된 신호다. 이 신호는 웨이퍼가 존재하는 경우에는 Exist 상태가 되고, 웨이퍼가 존재하지 않는 경우에는 None 상태가 된다.
<Wafer-Out 신호>
Wafer-Out 신호는, 노광장치(100)로부터 도포/현상장치(200)로 출력되는 웨이퍼 제거요구(반출 요구) 신호(웨이퍼 제거 요구를 나타내는 상태신호)다. 이 Wafer-Out 신호는, 노광장치(100)가 도포/현상장치(200)에 대하여, CD 반송유닛(15)에 의해 주고받음 스테이션(13) 위의 제2위치(13b)으로부터 웨이퍼를 제거하 도록 요구하는 신호다. 이 신호는 주고받음 스테이션(13) 위의 제2위치(13b)에 웨이퍼가 배치되어 있는 동안에는 Request 상태가 되고, 배치되어 있지 않은 동안에는 NotReady 상태가 된다.
<Wafer Carrying Out Operation 신호>
Wafer Carrying Out Operation 신호는, 도포/현상장치(200) 내부의 상태신호이며, CD 반송유닛(15)의 동작상태를 나타낸다. 이 신호는 CD 반송유닛(15)이 반송을 실행하고 있는 동안에는 In Process 상태가 되고, 실행하지 않는 동안에는 Off 상태가 된다.
도 6a는, 보통 모드에 있어서 도포/현상장치(200)로부터 노광장치(100)로 웨이퍼를 반입할 때의 동작 예를 나타내는 플로차트다.
스텝 S601에 있어서, EXPO 반송유닛(14)이 반송을 시작한다. 구체적으로는, EXPO 반송유닛(14)이 주고받음 스테이션(13) 위의 제1위치(13a)로 이동을 시작한다. 이 타이밍은, 도 4a에 나타낸 t1에 대응한다.
스텝 S602에 있어서, EXPO 반송유닛(14)이 주고받음 스테이션(13) 위의 제1위치(13a)의 웨이퍼를 보유하고, 이 제1위치(13a)로부터 웨이퍼를 제거하며, 스테이지 유닛(20)으로 웨이퍼를 이동시킨다. 이때, Wafer In sensor 신호가 Exist 상태로부터 None 상태로 변화된다. 이 타이밍은, 도 4a에 나타낸 t2에 대응한다.
스텝 S603에 있어서, 노광장치 제어부(16)는, EXPO 반송유닛(14)의 핸드가 안전영역으로 퇴피할 때까지의 시간 T3초가 경과하는 것을 기다린다.
스텝 S604에 있어서, 노광장치 제어부(16)는, 웨이퍼 반입요구 신호(Input- Request)를 NotReady 상태로부터 Request 상태로 변화시킨다. 이 타이밍은, 도 4a에 나타낸 t3에 대응한다.
스텝 S605에 있어서, 도포/현상장치(200)는, 주고받음 스테이션(13) 위의 제1위치(13a)로 웨이퍼의 반송을 시작한다.
도 4a에 나타낸 시간 T2는, CD 반송유닛(15)의 핸드가, 주고받음 스테이션(13) 위의 제1위치(13a)에 도달할 때까지의 시간이다. 시간 T2 동안에는, 주고받음 스테이션(13)에 CD 반송유닛(15)의 핸드가 진입하는 일은 없다.
스텝 S606에 있어서, Input-Request 신호를 NotReady 상태로부터 Request 상태로 변화시킨 타이밍 후에는 시간 T1이 경과한 타이밍에서 CD 반송유닛(15)에 의해 주고받음 스테이션(13) 위의 제1위치(13a)에 웨이퍼가 배치된다. 이 타이밍에서, 도포/현상장치 제어부(17)는, Wafer Supply 신호를 NotSupplied 상태로부터 Supplied 상태로 변화시킨다. 이 타이밍은, 도 4a에 나타낸 t4에 대응한다. 도 4a에 나타낸 시간 T6은, CD 반송유닛(15)의 핸드가 주고받음 스테이션(13) 위의 제1위치(13a)에 진입하고나서 제1위치(13a)에 웨이퍼를 배치할 때까지의 시간이다.
도 6b는, 선행 출력 모드에 있어서 도포/현상장치(200)로부터 노광장치(100)로 웨이퍼를 반입할 때의 동작 예를 나타내는 플로차트다.
스텝 S611에 있어서, EXPO 반송유닛(14)이 반송을 시작한다. 구체적으로는, EXPO 반송유닛(14)의 핸드가 주고받음 스테이션(13) 위의 제1위치(13a)를 향해 이동을 시작한다.
스텝 S612에 있어서, 노광장치 제어부(16)는, 웨이퍼 제공요구(반입요구) 신 호(Input-Request)를 NotReady 상태로부터 Request 상태로 변화시키는 타이밍 t11을 계산한다. 이 선행 출력 모드에서는, 웨이퍼 제공요구(반입요구) 신호(Input-Request)를 NotReady 상태에서 Request 상태로 변화시키는 타이밍이 본래의 타이밍보다도 시간 TP1만큼 선행한다. 도 4b는, 시간 TP1이 최대값 TP1max인 경우(TP1max=T1-T6)를 예시하고 있다. 시간 TP1은, 0≤TP1≤TP1max의 범위 내에서 입력필드(30)에 입력될 수 있다.
TP1max에 관해서 설명한다. 노광장치 제어부(16)는, EXPO 반송유닛(14)의 핸드가 주고받음 스테이션(13)으로 이동을 시작하는 타이밍 t1으로부터 EXPO 반송유닛(14)이 주고받음 스테이션(13) 위의 제1위치(13a)의 웨이퍼를 보유하고 이 제1위치(13a)로부터 웨이퍼를 제거하는데 필요한 시간 T5을 미리 알고 있다.
TP1max는, (T2-T3)로 표현된다. TP1max, 예를 들면 TP1이 (T2-T3)보다도 크면, EXPO 반송유닛(14)의 핸드가 안전영역까지 퇴피하기 전에 CD 반송유닛(15)의 핸드가 주고받음 스테이션(13)으로 진입하여, 양자가 충돌할 가능성이 있다.
노광장치 제어부(16)는, 웨이퍼 제공요구(반입요구) 신호(Input-Request)를 NotReady 상태로부터 Request상태로 변화시키는 타이밍 t11을 식(1)에 따라서 계산한다.
t11 = t1 + T5 + T3 - TP1 ···(1)
스텝 S613에 있어서, 노광장치 제어부(16)는, 계산한 타이밍 t11에서 웨이퍼 제공요구(반입요구) 신호(Input Request)를 NotReady 상태로부터 Request 상태로 변화시킨다.
스텝 S614에 있어서, EXPO 반송유닛(14)이 주고받음 스테이션(13) 위의 제1위치(13a)의 웨이퍼를 보유하고 이 제1위치(13a)로부터 웨이퍼를 제거하여, 스테이지 유닛(20)으로 웨이퍼를 이동시킨다. 이때, Wafer In sensor 신호가 Exist 상태로부터 None 상태로 변화된다. 이 타이밍은, 도 4b에 나타낸 t2에 대응한다.
스텝 S615에 있어서, 도포/현상장치(200)는, 주고받음 스테이션(13) 위의 제1위치(13a)로 웨이퍼 반송을 시작한다. 이 처리와 병행하여, EXPO 반송유닛(14)은, 주고받음 스테이션(13) 위의 제1위치(13a)의 웨이퍼를 스테이지 유닛(20)으로 반송하는 것을 계속한다.
스텝 S616에 있어서, Input-Request 신호를 NotReady 상태로부터 Request 상태로 변화시킨 타이밍 후에 시간 T1이 경과한 타이밍에서 CD 반송유닛(15)에 의해 주고받음 스테이션(13) 위의 제1위치(13a)에 웨이퍼가 배치된다. 이 타이밍에서, 도포/현상장치 제어부(17)는, Wafer Supply 신호를 NotSupplied 상태로부터 Supplied 상태로 변화시킨다. 이 타이밍은, 도 4b에 나타낸 t12에 대응한다.
노광장치(100)는 웨이퍼 제공요구(반입요구) 신호(Input-Request)를 선행 시간 TP1만큼 본래의 타이밍보다도 빨리 발생한다. 이것에 의해, 도포/현상장치(200)에 의해 주고받음 스테이션(13) 위의 제1위치(13a)에 웨이퍼가 제공되는 타이밍이 본래의 타이밍보다 TP1만큼 빠르게 된다.
도 7a는, 보통 모드에 있어서 노광장치(100)로부터 도포/현상장치(200)로 웨이퍼를 반출할 때의 동작 예를 나타내는 플로차트다.
스텝 S701에서, CD 반송유닛(15)이 주고받음 스테이션(13) 위의 제2위 치(13b)로부터 웨이퍼를 제거하고 현상유닛으로 웨이퍼를 반송하는 반송처리를 완료한 타이밍에서, 도포/현상장치 제어부(17)가 반송 완료 신호(Output-Ready)를 변화시킨다. 구체적으로는, 이 타이밍에서, 도포/현상장치 제어부(17)는, 반송 완료 신호(Output-Ready)를 NotReady 상태로부터 Ready상태로 변화시킨다. 이 타이밍은, 도 5에 나타낸 t21에 대응한다.
스텝 S702에 있어서, EXPO 반송유닛(14)이 주고받음 스테이션(13) 위의 제2위치(13a)로 웨이퍼를 반송하는 처리를 시작한다.
스텝 S703에 있어서, EXPO 반송유닛(14)이, 주고받음 스테이션(13) 위의 제2위치(13b)에 웨이퍼의 배치를 완료한다. 이 타이밍에서, 웨이퍼 검출 센서 13Sb로부터 출력되는 신호(Wafer Out Sensor)가 None 상태로부터 Exist 상태로 변화된다. 이 타이밍은, 도 5a에 나타낸 t22에 대응한다.
스텝 S704에 있어서, 노광장치 제어부(16)는, 도포/현상장치 제어부(17)가 반송 완료 신호(Output-Ready)를 NotReady 상태로부터 Ready 상태로 변화시켜 노광장치 제어부(16)로 보낸 타이밍 t21로부터 시간 Ta가 경과하는 것을 기다린다. 그 후에, 노광장치 제어부(16)는, 웨이퍼 제거요구(반출요구) 신호(Wafer-Out)를 NotReady 상태로부터 Request 상태로 변화시킨다. 이 타이밍은, 도 5a에 나타낸 t23에 대응한다. 도 5a에 있어서, 시간 Te는, 웨이퍼 검출 센서 13Sb로부터 출력된 신호(Wafer Out sensor)가 None 상태로부터 Exist 상태로 변화되고나서 노광장치(100)의 EXPO 반송유닛(14)의 핸드가 안전영역으로 퇴피할 때까지의 시간이다.
스텝 S705에 있어서, CD 반송유닛(15)이 웨이퍼의 반송 처리를 시작한다. 구 체적으로는, 도포/현상장치(200)의 CD 반송유닛(15)의 핸드가 주고받음 스테이션(13) 위의 제2위치(13b)로의 이동을 시작한다.
도 5a에 나타낸 시간 Tb는, CD 반송유닛(15)의 핸드가, 주고받음 스테이션(13) 위의 제2위치(13b)에 도달할 때까지의 시간이다. 이 시간 Tb 동안에, 주고받음 스테이션(13)에 CD 반송유닛(15)의 핸드가 진입하는 일은 없다.
스텝 S706에 있어서, CD 반송유닛(15)이 주고받음 스테이션(13) 위의 제2위치(13b)로부터 웨이퍼를 제거한다. 이에 따라, 웨이퍼 검출 센서 13Sb로부터 출력된 신호(Wafer Out Sensor)가 Exist 상태로부터 None 상태로 변화된다.
도 7b는, 선행 출력 모드에 있어서 노광장치(100)로부터 도포/현상장치(200)로 웨이퍼를 반출할 때의 동작 예를 나타내는 플로차트다.
스텝 S711에 있어서, CD 반송유닛(15)이 주고받음 스테이션(13) 위의 제2위치(13b)로부터 웨이퍼를 제거해서 현상유닛에 반송하는 반송 처리를 완료한 타이밍에서, 도포/현상장치 제어부(17)가 반송 완료 신호(Output-Ready)를 변화시킨다. 구체적으로는, 이 타이밍에서, 도포/현상장치 제어부(17)는, 반송완료신호(Output-Ready)를 NotReady 상태로부터 Ready 상태로 변화시킨다. 이 타이밍은, 도 5b에 나타낸 t21에 대응한다.
스텝 S712에 있어서, EXPO 반송유닛(14)이 주고받음 스테이션(13) 위의 제2위치(13a)에 웨이퍼를 반송하는 처리를 시작한다.
스텝 S713에 있어서, 노광장치 제어부(16)는, 웨이퍼 제거요구(반출요구) 신호(WaferOut)를 NotReady 상태로부터 Request 상태로 변화시키는 타이밍을 계산한 다. 이 선행 출력 모드에서는, 웨이퍼 제거요구(반출요구) 신호(Wafer out)를 NotReady 상태로부터 Request 상태로 변화시키는 타이밍이 본래의 타이밍보다도 시간 TP2만큼 선행한다. 도 5b는, 시간 TP2가 최대값 TP2max인 경우(TP2max=Tb)를 예시하고 있다. 시간 TP2는, 0≤TP2≤TP2max의 범위 내에서 입력필드 32에 입력될 수 있다.
TP2max에 관해서 설명한다. 시간 Tb는, CD 반송유닛(15)의 핸드가 주고받음 스테이션(13) 위의 제2위치(13b)에 도달할 때까지의 시간이다. 이 시간 Tb 동안에는, 주고받음 스테이션(13)에 CD 반송유닛(15)의 핸드가 진입하는 일은 없다. TP2max, 즉 TP2가 Tb보다도 크면, EXPO 반송유닛(14)의 핸드가 안전영역까지 퇴피하기 전에 도포/현상장치(200)의 CD 반송유닛(15)의 핸드가 주고받음 스테이션(13)에 침입해, 양자가 충돌할 가능성이 있다.
노광장치(100)는, EXPO 반송유닛(14)의 핸드가 주고받음 스테이션(13) 위의 제2위치(13b)로의 이동을 시작한 타이밍 t21로부터 이 제2위치(13b)에 웨이퍼를 배치하는데 필요한 시간 Ta를 성능정보로서 미리 알고 있다.
노광장치 제어부(16)는, 웨이퍼 제거요구(반출요구) 신호(Wafer Out)를 NotReady 상태로부터 Request상태로 변화시키는 타이밍을 식(2)에 따라서 계산한다.
t24 = t21 + Ta - TP2 ‥·(2）
스텝 S714에 있어서, 노광장치 제어부(16)는, 타이밍 t24에서 웨이퍼 제거요구 신호(Wafer-Out)를 NotReady 상태로부터 Request 상태로 변화시킨다.
스텝 S715에 있어서, 도포/현상장치(200)의 CD 반송유닛(15)이 웨이퍼의 반송 처리를 시작한다. 구체적으로는, 도포/현상장치(200)의 CD 반송유닛(15)의 핸드가 주고받음 스테이션(13) 위의 제2위치(13b)로의 이동을 시작한다.
스텝 S716에 있어서, 노광장치(100)의 EXPO 반송유닛(14)이, 타이밍 t21으로부터 시간 Ta 후에 주고받음 스테이션(13) 위의 제2위치(13b)에 웨이퍼를 배치하는 것을 완료한다.
스텝 S717에 있어서, 도포/현상장치(200)의 CD 반송유닛(15)이 주고받음 스테이션(13) 위의 제2위치(13b)로부터 웨이퍼를 제거한다. 이에 따라, 웨이퍼 검출 센서 13Sb로부터 출력되는 신호(Wafer Out sensor)가 Exist 상태로부터 None 상태로 변화한다.
노광장치(100)는 웨이퍼 제거요구(반출요구) 신호(Wafer-Out)를 선행 시간 TP2만큼 본래의 타이밍보다도 빨리 발생한다. 이것에 의해, 주고받음 스테이션(13) 위의 제2위치(13b)로부터 도포/현상장치(200)에 의해 웨이퍼가 제거되는 타이밍이 본래의 타이밍보다도 TP2만큼 빠르게 된다.
도 8은, 학습 모드(웨이퍼 제공요구)에 있어서의 노광장치 제어부(16)의 동작을 예시하는 플로차트다. 상술한 바와 같이, 학습 모드(웨이퍼 제공요구)는, ON박스 34a에 체크 마크를 입력했을 때 ON 된다. 학습 모드(웨이퍼 제공요구)에서는, 노광장치(100)가 도포/현상장치(200)에 웨이퍼 제공요구(반입요구) 신호(Input-Request)를 출력하고나서 도포/현상장치(200)로부터 주고받음 스테이션(13) 위의 제1위치(13a)로 웨이퍼가 제공될 때까지의 시간이 계측된다. 그리고, 그 계측결과 에 의거하여 웨이퍼 제공요구(반입요구) 신호에 의해 규정된 타이밍의 오프셋 시간 TP1이 결정된다.
이하에 설명하는 처리에 있어서, N 및 M은, 예를 들면 입출력 유닛(18)을 사용하여, 미리 설정되어 한다.
스텝 S801에 있어서, 노광장치 제어부(16)는, Serial Wafer Number가 N보다 큰지 아닌지를 판정한다. Serial Wafer Number가 N보다 크면, 스텝 S802로 처리를 진행시킨다. Serial Wafer Number가 N이하이면, N보다 커질 때까지 기다린다. 여기에서, Serial Wafer Number는, 로트(lot) 개시 시에 1로 초기화되고, 웨이퍼가 노광장치(100)에 반입될 때마다 카운트 업 된다.
스텝 S802에 있어서, 노광장치 제어부(16)는, 웨이퍼 제공요구(반입요구) 신호(Input-Request)가 NotReady 상태로부터 Request 상태로 변화한 타이밍 t3에서, 현재의 시간을 변수 TimeA에 격납한다.
스텝 S803에 있어서, 노광장치 제어부(16)는, Wafer In Sensor 신호가 None 상태로부터 Exist 상태로 변화한 타이밍 t4에서 현재의 시간을 변수 TimeB에 격납한다.
스텝 S804에 있어서, 노광장치 제어부(16)는, 변수 TimeB와 TimeA와의 차를 계산하여, 배열 변수 Time(Serial Wafer Number)에 격납한다.
스텝 S805에 있어서, 노광장치 제어부(16)는, Serial Wafer Number가 M이상인지 아닌지를 판단한다. Serial Wafer Number가 M이상이면, 스텝 S806으로 처리를 진행시킨다. Serial Wafer Number가 M미만이면, 스텝 S801로 처리가 되돌아간 다.
스텝 S806에 있어서, 노광장치 제어부(16)는, 배열 변수 Time(Serial Wafer Number)의 최소값을 산출하고, 이 산출한 최소값으로부터 시간 T6을 감하며, 그 결과로 얻은 시간에 의거하여 선행시간 TP1을 결정한다. 배열 변수 Time(Serial Wafer Number)의 최소값으로부터 시간 T6을 감해서 얻은 시간을 선행시간 TP1로서 결정할 수 있다. 또는, 노광장치 제어부(16)는 배열 변수 Time(Serial Wafer Number)의 최소값으로부터 시간 T6과 타임 딜레이를 감하고, 그 결과로 얻은 시간을 선행시간 TP1으로서 결정해도 된다.
도 9는, 학습 모드(웨이퍼 제거요구)에 있어서의 노광장치 제어부(16)의 동작을 예시하는 플로차트다. 상술한 바와 같이, 학습 모드(웨이퍼 제거요구)는, ON박스(36a)에 체크 마크를 입력했을 때 ON 된다. 학습 모드(웨이퍼 제거요구)에서는, 노광장치(100)가 도포/현상장치(200)에 웨이퍼 제거요구(반출요구) 신호(Wafer-Out)를 출력하고나서 도포/현상장치(200)에 의해 주고받음 스테이션(13) 위의 제2위치(13b)로부터 웨이퍼가 제거될 때까지의 시간이 계측된다. 그리고, 그 계측결과에 의거하여 웨이퍼 제거요구(반출요구) 신호에 의해 규정된 타이밍의 오프셋 시간이 결정된다.
스텝 S901에 있어서, 노광장치 제어부(16)는 Serial Wafer Number가 N보다 큰지 아닌지를 판정한다. Serial Wafer Number가 N 보다 크면, S902로 처리를 진행시킨다. Serial Wafer Number가 N이하이면, N보다 커질 때까지 기다린다. 여기에서, Serial Wafer Number는, 로트 개시 시에 1로 초기화되고, 웨이퍼가 노광장 치(100)에 반입될 때마다 카운트 업 된다.
스텝 S902에 있어서, 노광장치 제어부(16)는, 웨이퍼 제거요구(반출요구) 신호(Wafer-Out)를 NotReady 상태로부터 Request 상태로 변화시킨 타이밍 t23에서 현재의 시간을 변수 TimeA에 격납한다.
스텝 S903에 있어서, 노광장치 제어부(16)는, Wafer Out Sensor 신호가 Exsit 상태로부터 None 상태로 변화된 타이밍 t24에서 현재의 시간을 변수 TimeB에 격납한다.
스텝 S904에 있어서, 노광장치 제어부(16)는, 변수 TimeB와 TimeA와의 차를 계산하여, 배열 변수 Time(Serial Wafer Number)에 격납한다.
스텝 S905에 있어서, 노광장치 제어부(16)는, Serial Wafer Number가 M이상인지 아닌지를 판단한다. Serial Wafer Number가 M이상이면, 스텝 S906으로 처리를 진행시킨다. Serial Wafer Number가 M미만이면, 스텝 S901로 처리가 되돌아간다.
스텝 S906에 있어서, 노광장치 제어부(16)는 배열 변수 Time(Serial Wafer Number)의 최소값을 계산하고, 이 계산된 최소값으로부터 시간 Td를 감하고, 그 결과로 얻은 시간에 의거하여 선행시간 TP2을 결정한다. 배열 변수 Time(Serial Wafer Number)의 최소값으로부터 시간 Td를 감해서 얻은 시간을 선행시간 TP2로서 결정할 수 있다. 또는, 노광장치 제어부(16)는 배열 변수 Time(Serial Wafer Number)의 최소값으로부터 시간 Td와 여유시간을 감하고, 그 결과로 얻은 시간을 선행 시간 TP2로서 결정해도 된다.
상술한 바와 같이, 노광장치로부터 도포/현상장치로 신호를 제공하는 타이밍 을 본래의 타이밍보다 빠르게 해서, 웨이퍼의 반송 타이밍을 빠르게 함으로써, 스루풋을 향상시킨다. 이것과는 반대로, 도포/현상장치로부터 노광장치로 신호를 제공하는 타이밍을 본래의 타이밍보다 빠르게 해서, 웨이퍼의 반송 타이밍을 빠르게 함으로써, 스루풋을 향상시킬 수도 있다.
웨이퍼 제공요구(반입요구) 신호(Input-Request)를 NotReady 상태로부터 Request 상태로 변화시키고나서 도포/현상장치의 CD 반송유닛(15)의 핸드가 주고받음 스테이션(13)에 도달할 때까지의 시간은 도포/현상장치의 성능과 도포/현상 레시피에 의존해 변화한다.
웨이퍼 제거요구(반출요구) 신호(Wafer-Out)를 NotReady 상태로부터 Request상태로 변화시키고나서 도포/현상장치의 CD 반송유닛(15)의 핸드가 주고받음 스테이션(13)에 도달할 때까지의 시간은 도포/현상장치의 성능이나 도포/현상 레시피에 의존해 변화한다.
상기의 실시 예에서는, EXPO 반송유닛과 CD 반송유닛이 웨이퍼 주고받음 스테이션을 통해서 웨이퍼를 교환한다. 그렇지만, EXPO 반송유닛과 CD 반송유닛이 직접 웨이퍼를 교환해도 된다.
상기의 실시 예는, 노광장치와 도포/현상장치와의 사이의 웨이퍼 교환에 본 발명을 적용한 경우를 예시하지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명은, 물품을 처리하는 처리유닛을 포함한 처리장치와 외부장치와의 사이에서의 물품의 교환에 널리 적용될 수 있다. 상기의 노광장치는, 처리장치의 일례이다. 상기의 도포/현상장치는, 외부장치의 일례다.
다음에 상기의 노광장치 또는 리소그라피 시스템을 이용한 디바이스 제조방법을 설명한다. 도 10은, 반도체 디바이스의 전체 제조 프로세스의 시퀀스를 도시한 도면이다. 스텝 1(회로 설계)에서는, 반도체 디바이스의 회로를 설계한다. 스텝2(레티클 제작)에서는, 설계한 회로 패턴에 의거하여 레티클(원판 또는 마스크라고도 한다)을 제작한다. 스텝 3(웨이퍼 제조)에서는, 실리콘 등의 재료를 사용해서 웨이퍼(기판이라고도 한다)를 제조한다. 스텝 4(웨이퍼 프로세스)는 전공정이라고 불리고, 상기의 레티클과 웨이퍼를 사용하여 리소그라피 기술에 의해 웨이퍼 위에 실제의 회로를 형성한다. 다음에, 스텝 5(조립)는 후공정이라고 불리고, 스텝 4에서 제작된 웨이퍼를 사용해서 반도체 칩을 형성한다. 이 공정은, 어셈블리(다이싱, 본딩) 및 패키징 공정(칩 봉입) 등의 공정을 포함한다. 스텝 6(검사)에서는, 스텝 5에서 제작된 반도체 디바이스의 동작 확인 테스트 및 내구성 테스트 등의 검사를 행한다. 이러한 공정에 의해 반도체 디바이스가 완성되어, 스텝 7에서 출하된다.
도 11은, 상기 웨이퍼 프로세스의 상세한 시퀀스를 도시한 도면이다. 스텝 11(산화)에서는, 웨이퍼의 표면을 산화시킨다. 스텝 12(CVD)에서는 웨이퍼 표면에 절연막을 형성한다. 스텝 13(전극형성)에서는, 웨이퍼 위에 전극을 증착에 의해 형성한다. 스텝 14(이온주입)에서는 웨이퍼에 이온을 주입한다. 스텝 15(CMP)에서는 CMP에 의해 절연막을 평탄화한다. 스텝 16(레지스트 처리)에서는, 상기의 리소그라피 시스템의 도포/현상장치는 웨이퍼에 감광제를 도포한다. 스텝 17(노광)에서는, 상기의 리소그라피 시스템의 노광장치가, 회로 패턴이 형성된 마스크를 통해 감광제가 도포된 웨이퍼를 노광해서 레지스트에 잠상 패턴을 형성한다. 스텝 18(현상) 에서는, 상기의 리소그라피 시스템의 도포/현상장치가, 웨이퍼 상의 레지스트에 형성된 잠상 패턴을 현상해서 물리적인 레지스트 패턴을 형성한다. 스텝 19(에칭)에서는, 레지스트 패턴이 개구한 부분을 통해서 레지스트 패턴 아래에 있는 층 또는 기판을 에칭한다. 스텝 20(레지스트 박리)에서는, 에칭 후에 남은 불필요한 레지스트를 제거한다. 이들의 스텝을 반복함으로써, 웨이퍼 위에 다중으로 회로 패턴을 형성한다.
본 발명은 예시한 실시 예를 참조하여 설명되었지만, 본 발명은 예시한 실시 예에 한정되는 것이 아니라는 것을 이해해야 한다. 이하의 특허청구범위는 그러한 변형과 균등 구성 및 기능을 모두 포함하도록 가장 넓게 해석되어야 한다.
도 1은, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 노광장치의 본체부분의 개략적인 구성을 도시한 도면이다.
도 2는, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 리소그라피 시스템의 개략적인 구성을 도시한 도면이다.
도 3은, 유저 인터페이스로서의 입출력 유닛의 화면표시의 일례를 도시한 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 도포/현상장치로부터 노광장치로 웨이퍼를 반입할 때의 동작 예를 나타내는 타이밍 차트다.
도 5a 및 도 5b는, 노광장치로부터 도포/현상장치로 웨이퍼를 반출할 때의 동작 예를 나타내는 타이밍 차트다.
도 6a는, 보통 모드에 있어서 도포/현상장치로부터 노광장치로 웨이퍼를 반입할 때의 동작 예를 나타내는 플로차트다.
도 6b는, 선행 출력 모드에 있어서 도포/현상장치로부터 노광장치로 웨이퍼를 반입할 때의 동작 예를 나타내는 플로차트다.
도 7a는, 보통 모드에 있어서 노광장치로부터 도포/현상장치로 웨이퍼를 반출할 때의 동작 예를 나타내는 플로차트다.
도 7b는, 선행 출력 모드에 있어서 노광장치로부터 도포/현상장치로 웨이퍼를 반출할 때의 동작 예를 나타내는 플로차트다.
도 8은, 학습 모드(웨이퍼 제공요구)에 있어서의 노광장치 제어부의 동작을 나타내는 플로차트다.
도 9는, 학습 모드(웨이퍼 제거요구)에 있어서의 노광장치 제어부의 동작을 나타내는 플로차트다.
도 10은, 반도체 디바이스의 전체 제조 프로세스의 시퀀스를 도시한 도면이다.
도 11은, 웨이퍼 프로세스의 상세한 시퀀스를 도시한 도면이다.

Claims (10)

  1. 처리장치로서,
    물품을 처리하는 처리 유닛과, 상기 처리장치가 외부장치에 의한 물품의 반송이 가능한 상태로 되기 전에 상기 처리장치 내에 물품을 반입하거나 상기 처리장치로부터 물품을 반출하도록 상기 외부장치에 요구하는 신호를 송출하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 처리장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 상태는, 상기 외부장치가 상기 처리장치 내에 물품을 반입할 수 있는 상태이며,
    상기 제어부는, 상기 처리장치 내에 물품을 반입하도록 상기 외부장치에 요구하는 신호를 송출하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 상태는, 상기 외부장치가 상기 처리장치로부터 물품을 반출할 수 있는 상태이며,
    상기 제어부는, 상기 처리장치로부터 물품을 반출하도록 상기 외부장치에 요 구하는 신호를 송출하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 처리장치가 상기 상태가 된다고 예상되는 시간보다도 선행시간만큼 빨리 상기 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 선행시간을 설정하기 위한 정보를 접수하는 유저 인터페이스를 더 구비한 것을 특징으로 하는 처리장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제어부는, 학습에 의해 상기 선행시간을 결정하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리 유닛은, 기판을 노광하는 노광 유닛을 포함한 것을 특징으로 하는 처리장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 신호는, 감광제가 도포된 기판을 상기 처리장치 내로 반입하도록 상기 외부장치에 요구하는 신호인 것을 특징으로 하는 처리장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 신호는, 노광이 이루어진 기판을 상기 처리장치로부터 반출하도록 상기 외부장치에 요구하는 신호인 것을 특징으로 하는 처리장치.
  10. 디바이스를 제조하는 방법으로서,
    청구항 1 내지 7 항 중 어느 한 항에 기재된 처리장치를 이용해 기판을 노광하는 것과,
    상기 노광된 기판을 현상하는 것과,
    상기 현상된 기판을 처리하여 상기 디바이스를 제조하는 것을 포함한 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
KR1020070096323A 2006-09-29 2007-09-21 처리장치 KR20080029821A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2006-00269021 2006-09-29
JP2006269021A JP2008091508A (ja) 2006-09-29 2006-09-29 処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080029821A true KR20080029821A (ko) 2008-04-03

Family

ID=39260785

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070096323A KR20080029821A (ko) 2006-09-29 2007-09-21 처리장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20080079925A1 (ko)
JP (1) JP2008091508A (ko)
KR (1) KR20080029821A (ko)
TW (1) TWI361470B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100929158B1 (ko) * 2007-02-07 2009-12-01 캐논 가부시끼가이샤 처리장치 및 디바이스 제조 방법

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5001828B2 (ja) * 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP2013016704A (ja) * 2011-07-05 2013-01-24 Canon Inc パターン形成装置、塗布現像装置、それらを用いた基板搬送方法およびデバイスの製造方法
NL2010166A (en) * 2012-02-22 2013-08-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP6157573B2 (ja) * 2015-12-08 2017-07-05 キヤノン株式会社 パターン形成装置、塗布現像装置、それらを用いた基板搬送方法およびデバイスの製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4915033B2 (ja) * 2000-06-15 2012-04-11 株式会社ニコン 露光装置、基板処理装置及びリソグラフィシステム、並びにデバイス製造方法
WO2002049065A1 (fr) * 2000-12-12 2002-06-20 Ebara Corporation Dispositif a faisceau d'electrons et procede de production de dispositifs a semi-conducteur utilisant ledit dispositif a faisceau d'electrons
JP5008268B2 (ja) * 2004-12-06 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
US7651306B2 (en) * 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100929158B1 (ko) * 2007-02-07 2009-12-01 캐논 가부시끼가이샤 처리장치 및 디바이스 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW200822270A (en) 2008-05-16
US20080079925A1 (en) 2008-04-03
TWI361470B (en) 2012-04-01
JP2008091508A (ja) 2008-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3870182B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
US7084982B2 (en) Optical apparatus, measurement method, and semiconductor device manufacturing method
US20060216025A1 (en) Exposure apparatus
US20160334714A1 (en) Lithography apparatus, lithography method, lithography system, storage medium, and article manufacturing method
JP4304169B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US7829263B2 (en) Exposure method and apparatus, coating apparatus for applying resist to plural substrates, and device manufacturing method
JPH11191522A (ja) 露光方法および装置
KR20080029821A (ko) 처리장치
JPH11186154A (ja) 投影露光装置および方法
US7626679B2 (en) Exposure apparatus, manufacturing system, and device manufacturing method
KR100589553B1 (ko) 레티클 측정치를 이용한 포토리소그래피 임계 치수 제어
KR100923383B1 (ko) 처리장치
US20080186464A1 (en) Processing apparatus and device manufacturing method
JP2005311084A (ja) 露光装置、デバイス製造方法、パターン生成装置及びメンテナンス方法
JP4442904B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
US7508486B2 (en) Exposure apparatus, exposure and developing system, and method of manufacturing a device
KR102405067B1 (ko) 기판 처리 시스템, 기판 처리 시스템을 제어하는 방법, 컴퓨터-판독가능 저장 매체, 및 물품 제조 방법
JP7022807B2 (ja) パターン形成方法、リソグラフィ装置、および物品製造方法
JP3818620B2 (ja) 露光装置
KR100962775B1 (ko) 포토리소그래피 공정을 위한 이중노광장치 및 이를 이용한 이중노광방법
JP2010147264A (ja) 物体保持装置、物体保持方法、露光方法、露光装置及び電子デバイスの製造方法
JP2023183679A (ja) 基板処理システム及び基板処理方法
US7869893B2 (en) Exposure apparatus
KR20060021571A (ko) 포토리소그래피 공정 설비
JP2000208404A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application