TWI357649B - - Google Patents

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1357649 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 - 本發明係有關於一種發光二極體封裝基板之製作 方法，尤指一種以金屬基板開始製作封裝基板之方 法其結構係包括完整線路之置晶側及—支撐用之固 持件。於其中，係在最後移除該金屬基板以完成基板 製程，使晶片之發光面完全曝露。

_ 【先前技術J

在一般發光二極體封裝基板之製作上，其製作方 法通常係由一核心基板開始，經過鑽孔、電鍍金屬及 雙面線路接墊製作等方式，完成一雙面結構之發光二 極體封裝基板。如第i 7圖〜第丄9圖所示直係為 一般發光二極體封裝基板之剖面示意圖。首先了準備 :核心基板5 0，其中，該核心基板5 〇係由—具預 定厚度之芯層5 0 1及形成於此芯層5 〇 i表面之金 屬層5 0 2所構成’且該芯層5 〇工中係形成有複數 個電鍍導通孔5 〇 3，可藉以連接該芯層5 〇丄表 之金屬層5 0 2。 & 接著係以蝕刻之方式於該核心基板5 〇上形成— 置晶側接塾5 1及-球側接墊5 2，最後再進行表面 處理5 3及成型，即完成傳統雙面結構之發光二極體 封裝基板。然而，此種製作方法並無法改善傳統封裝 低發光角度、封裝材料變色及散熱等缺點。故，—般 ^用者係無法符合使用者於實際使用時之所需。 【發明内容】 本發明之主要目的係在於，以固持件提供足夠之 剛f生使^裝製程可更為簡易並於晶片之發光面完全 曝露藉此，使本發明具高亮度之發光二極體封裝基 ，方法:斤製造之封裝基板結構，不僅可簡化封裝流 矛並月b有效改善傳統封裝低發光角度、封裝材料變 色及散熱等問題。 本毛月之-人要目的係在於，從金屬基板開始製作 之封裝基板，其結構係包括完整線路之置晶側及 樓用之固持件。 文 > 〜㈡的，本發明係一種發光二極體封 土板之衣作方法’係於一金屬基板之第一 層，以作為與一晶片電性連接之接塾用，並於該ί 層上製作-作為支_之_件。最後，再移= 屬基板，以完成封裝基板之製作。 移除4 【實施方式】 請參閱『第 ^ 』斤不，係分別為本發明之f 流程不思圖。如圖所示··本發 " 裝基板之製作枝，其至少 ” &光一極體: / Λ、1 ，、主V包括下列步驟： (Α)提供金屬基板i 丄.挺供一金屬基板； 1357649 (B)形成第一、二阻層及複數個第一開口丄2 : 分別於該金屬基板之第一面上形成一第一阻層，以及 於該金屬基板之第二面上形成一完全覆蓋狀之第二阻 層，於其中，並以曝光及顯影之方式在該第一阻層上 形成複數個第一開口，以顯露其下該金屬基板之^一 面；

(C)形成第一凹槽13:以蝕刻之方式於複數 個第一開口下方形成複數個第一凹槽； (D )移除第一、二阻層i 4 :以剝離之方式移 除該第一阻層及該第二阻層； (E )形成第一電性阻絕層丄5 :以直接壓人或 印刷之方式於複數個第一凹槽内形成一第一電性^絕 層，其中，該第一電性阻絕層係可為防焊綠漆、環氧 樹脂絕緣膜（Ajinomoto BuUd_up印叫ABF)、笨環丁

烯（Benzocyc丨〇_buthene，BCB)、雙馬來亞醯胺j氮 雜笨樹脂（BiSmaleimide Triazine，BT)、環氧樹脂板 (FR4、FR5 )、聚醯亞胺（P〇lyimide，ρι )、聚四氣乙 烯（P〇iy(tetra-fi〇roethylene)，PTFE)或環氧樹脂及玻 璃纖維所組成之一者； (F )形成第三 '四阻層及複數個第二開口丄6 : 刀別於该金屬基板之第一面上形成一第三阻層，以及 於該金屬基板之第二面上形成一完全覆蓋狀之第四阻 層，=其中’並以曝光及顯影之方式在該第三阻層上 形成複數個第二開口，以顯露其下該金屬基板之第一 (G)形成複數金屬層i 7 :於複數個第二開口 2形成一複數金屬層，其巾，該複數金屬層係可為錄/ 5金/鋼或金/鎳/銅之複數金屬結構； (Η)移除第三、四阻層1 8 :以剝離之方式移 除該第三阻層及該第四阻層； (I )完成具有金屬基板支撐並具電性連接之單 、曰基板1 9 :於該複數金屬層上形成-第-防焊層， 第：二光及顯影之方式在該第一防焊層上形成複數個 第二開口’以顯露作為與晶片電性連接之接墊部份。 至此，可選擇進行步驟（J )或步驟（K); (J)形成具有金屬基板與固持件支撐並且完整 h曰曰側線路之單層基板20a:在該金屬基板之第二面 上形成一第五阻層，並於複數個第三開口上形成一第 :阻障層’最後再以剝離之方式移除該第五阻層，並 t該第-防焊層上形成至少一固持件。至此，係完 金屬基板與固持件支擇並具完整置晶側線路 早曰土板’以形成一發光二極體封裝基板，苴中， 阻障層係可為電鑛錄金、無電鍍錦金、電錢銀 或電鍍錫中擇其一；或 " (K)形成具有金屬基板與固持件支撑並具完敕 f晶側線路之單層基板2 〇b··在該第-防焊層上形^ ί少一固持件，接著於該金屬基板之第二面上形成土 第六阻層，並在複數個第三開σ上形成—第二阻障 1357649 ' f ’最後再以剝離之方式移除該第六阻層。至此_ 成:具有金屬基板與固持件支#並具完整置晶側線ς 之早層基板，以形成一發光二極體封裝基板；以及 (L )形成具有固持件支撐之封裝基板2工：以 姓刻之方式移除該金屬基板與該第一電性阻絕層。至 此，完成一具有固持件支撐之封裝基板。 上述步驟（J)係在完成完整線路之置晶側後形 成-支撐用之固持件，而步驟（κ)則係先行完成該 支撑用之固持件後，始進行置晶側之完整線路製作。 兩種方式皆可獲得相同結構之高亮度發光二極體封裝 基板。於其+，該第-〜六阻層係以貼合、印刷或旋 轉塗佈所為之乾膜或溼膜之高感光性光阻；該第一、 一阻障層係可為電鍍鎳金、無電鍍鎳金、電鍍銀或電 鑛錫中擇其一；該固持件係可為金屬、非金屬或且金 屬及非金屬混成之材料/ …· • 4 f閱『第2圖〜第1 3圖』所示，係分別為本 發明一實施例之發光二極體封裝基板（一）剖面示意 圖、本發明一實施例之發光二極體封裝基板（二）剖 面不意圖、本發明一實施例之發光二極體封裝基板 (三）剖面示意圖、本發明一實施例之發光二極體封 裝基板（四）剖面示意圖 '本發明一實施例之發光二 極體封裂基板（五）剖面示意圖、本發明一實施例之 發光—極體封裝基板（六）剖面示意圖、本發明一實 鈀例之發光二極體封裝基板（七）剖面示意圖、本發 1357649 明一實施例之發光二極體封裝基板（八）剖面示意圖、 本發明一實施例之發光二極體封裝基板（九）剖面示 意圖、本發明一實施例之發光二極體封裝基板（十） 剖面示意圖、本發明一實施例之發光二極體封裝基板 (十一）剖面示意圖、及本發明一實施例之發光二板 體封裝基板（十一）剖面示意圖。如圖所示：本發明 於一較佳實施例中，係先提供一金屬基板3 〇，並分 別於該金屬基板3 0之第一面上貼合一高感光性高分 子材料之第一阻層3 1，以及於該金屬基板3 〇之第 一面上貼合一同為高感光性高分子材料之第二阻層3 2，並以曝光及顯影之方式在該第一阻層3 i上^成 複數個第一開口 3 3 後数卿來一開口 d d，以顯露其下之金屬基板3 〇第

=!!二以及於該金屬基板30之第二面上貼合 一高感光性高分子材料之第

係為防焊綠漆； 一高感光性高分子材沪μ 顯影之方式於該第三jt 3 8，以顯露其下之金屬基板3 〇第一 電鍍之方式於複數個第二開口 3 8中形 層3 9，其中，該第一電性 49 ^複數:屬層3 9係為錄/銅兩層之複數金屬結構。 接著移除該第三、四阻層。於該複數金屬層3 g 上塗覆—層絕緣保護用之第—防焊層4 0，並以曝光 及顯影之方式於該第一防焊層40上形成複數個第三 開口 4 1 ’以顯露作為與晶片電性連接之接塾部份。 之後於該金屬基板30之第二面上形成一第五阻層4 2 於複數個第三開σ 4 :上形成—第—阻障層4 3 ’最後’移除該第五阻層。於此，係完成一具‘金 屬基板支撐並具完整置晶側線路之單層基板3。 請參閱『第14圖及苐工5圖』所示，係分別為 本=明-實施例之發光二極體封裝基板（十三）剖面 不意圖、及本發明—實施例之發光二極體封裝基板（十 四匕剖面示意圖。如圖所#:在本發明較佳實施例中， 接者可進仃固持件之貼合。首先利用一黏著膠材4 4 ’於該第-阻障層4 3之周圍貼合一為金屬材質之 固持件45於該《-防焊層40上。於此，係為一且 有金屬基板與固持件支樓並具完整置晶側線路之單層 基板4。之後’再進而移除該金屬基板與該第一電性 阻p早層，i完成一具固持#支撐《封裝基板5。 請參閱『第1 6圖』所示，係本發明—實施例之 發光二極體封裂結構（十五)剖面示意圖。如圖所示： 本發明可由上述第15圖進一步進行一封裝製程，以 獲4尚亮度之發光二極體封裝結構。於其中，此發光 二極體封裝結構係包括—晶片4 6、—做為該晶片4. ^與，性連接墊結合之金球或錫球或金/錫合金4 做為該晶片4 Θ底部與該金屬基板3 〇間充填 】封膠“、以及一以踢或錫合金49做為該晶“真 6面以外之第二導電電極。 由上述可知，本發明係從金屬基板開始製作之封 裝基板’其結構係包括完整線路之置晶側及—支撑用 〇固持件。於封裝過程中，本發明之封裝基板係可以 ^持件提供足夠之剛性使封裝製程可更為簡易，並 於B曰片之發光面完全曝露。因此’使用本發明具高亮 度之發光二極體封裝基板方法所製造之封裝基板处 Ί僅可簡化封裝流程，並能有效改善傳統封裝低 考X光角度、封裝材料變色及散熱等問題。 〇綜上所述，本發明係一種發光二極體封裝基板之 製作方法可有效改善習用之種種缺點，於封裝過程 中二係可以金屬基板提供足夠之剛性使封裝製程可更 為簡易，並於最後移除該金屬基板以完成封裝製程， 使晶片之發光面完全曝露。藉此，使本發明所製作具 高亮度，發光二極體封裝基板結構，不僅可簡化封裳 流程，亚能有效改善傳統封裝低發光角度、封裝材料 變色及散熱等問題，進而使本發明之産生能更進步7 更實用 '更符合使用者之所須，確已符合發明專獅 請之要件’爰依法提出專利申請。 惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已， 1357649 , · 當不能以此限定本發明實施之範圍，·故，凡依本發明 申請專利範圍及發明說明書内容所作之簡單的等^變 化與修飾，皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍内。 【圖式簡單說明】 第1圖，係本發明之製作流程示意圖。 第2圖，係本發明一實施例之發光二極體封裝基板 _ (一）剖面示意圖 第3圖，係本發明一實施例之發光二極體封裝基板 (二） 剖面示意圖。 第4圖，係本發明一實施例之發光二極體封裝基板 (三） 剖面示意圖。 第5圖，係本發明一實施例之發光二極體封裝基板 (四） 剖面示意圖。 _ 第6圖，係本發明一實施例之發光二極體封裝基板 (五） 剖面示意圖。 第7圖，係本發明一實施例之發光二極體封裝基板 (六） 剖面示意圖。 第8圖，係本發明一實施例之發光二極體封穿基板 (七） 剖面示意圖。 第9圖，係本發明一實施例之發光二極體封^基板 (八） 剖面示意圖。 13 第1 0圖’係本發明一實施例之發光二極體封裝基 板（九）剖面示意圖。 第1 1圖’係本發明一實施例之發光二極體封裝基 板（十）剖面示意圖。 第1 2圖’係-本發明一實施例之發光二極體封裝基 板（十一）剖面示意圖。 第1 3圖，係本發明一實施例之發光二極體封裝基 板（十二）剖面示意圖。 第1 4圖，係本發明一實施例之發光二極體封裝基 板（十三）剖面示意圖。 第.1 5圖，係本發明一實施例之發光二極體封裝基 板（十四）剖面示意圖。 第1 6圖，係本發明一實施例之發光二極體封裝結 構（十五）剖面示意圖。 第1 7圖，係習用發光二極體封裝基板（一）剖面 示意圖。 第1 8圖’係習用發光二極體封裝基板（二）剖面 示意圖。 第1 9 ，係習用發光二極體封裝基板（三）剖面 示意圖。 、 1357649 【主要元件符號說明】 (本發明部分） 步驟（A)〜（L)11〜21 單層基板3、4 封裝基板5 金屬基板3 0 第一、二阻層3 1、3 2 第一開口 3 3 第一凹槽3 4 第一電性阻絕層3 5 第三、四阻層36、37 第二開口 3 8 複數金屬層3 Θ 第一防焊層4 0 第三開口 4 1 ， 第五阻層4 2 - 第一阻障層4 3 黏著膠材4 4 固持件4 5 晶片4 6 15 ' i 1357649 • 金球或錫球或金/錫合金4 7 充填用封膠4 8 第二導電電極4 9 (習用部分） 核心基板5 0 芯層5 0 1 金屬層5 0 2 電鍍導通孔5 0 3 置晶側接墊5 1 球側接墊5 2 表面處理5 3 16

Claims (1)

1357649 十、申請專利範圍· 1 · 一種發光二極體封裝基板之製作方法，係至少包含 下列步驟： (A )提供一金屬基板； (B )分別於a亥金屬基板之第一面上形成一第一 阻層’以及於該金屬基板之第二面上形成一完全覆 蓋狀之第二阻層’於其中’該第一阻層上係形成複 數個第一開口，並顯露其下該金屬基板之第一面； (C )於複數個第一開口下方形成複數個第一凹 槽； (D )移除該第一阻層及該第二阻層； (E )於複數個第一凹槽内形成一第一電性阻絕 層；

(F)分別於該金屬基板之第一面上形成一第三 阻層’以及於該金屬基板之第二面上形成一完全覆 盍狀之第四阻層’於其中，該第三阻層上係形成複 數個第二開口’並顯露其下該金屬基板之第一面； (G )於複數個第二開口中形成—複數金屬層； (Η)移除該第三阻層及該第四阻層； 二—（I )於該複數金屬層上形成一第一防焊層，且 該第-防焊層上係形成複數個第三開口，並顯露電 17 4 ·依據申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝基 板之製作方法，其中，複數個第一〜三開口係以曝 光及顯影之方式形成。 5 ·依據申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝基 板之製作方法，其中，步驟（C)形成複數個第一 凹槽之方式及步驟（L )移除該金屬基板之方式係 可為蝕刻。 6.依據申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝基 板之製作方法，其中，該第一〜六阻層之移除方式 係可為剝離。 了依據申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝基 板之製作方法’其中，該第一電性阻絕層之形成方 式係可為直接壓合或印刷。 8 ·依據申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裂基 板之製作方法，其中，該第一電性阻絕層係可為防 焊綠漆、環氧樹脂絕緣膜（Ajinomoto Build-up Film, ABF)、笨環丁稀（Benz〇cyclo-buthene，BCB)、 雙馬來亞胺-三氮雜笨樹脂（Bismalejmide Triazine, BT)、環氧樹脂板（FR4、FR5)、聚酿 亞胺（Polyimide， PI )、聚四氟乙稀 (Poly(tetra-floroethylene)，PTFE)或環氧樹脂及玻 璃纖維所組成之一者。 1357649 9 ·依據_請專利範圍第i頊所述之發光二極體封裝基 板之製作方法，其t，該複數金屬層之.形成方式係 可為電鍍。 〇 _依據申請專利範‘圍第1項所述之發光二極體封裝 基板之製作方法，其中’該複數金屬層係可為鎳/ 銅、金/鋼或金/鎳/銅之複數金屬結構。 1依據申凊專利範圍第 基板之製作方法，其中 電鍍鎳金、無電鍍鎳金、

1項所述之發光二極體封褒 ，該第一、二阻障層係可為 電鍍銀或電鍍錫中擇其一。 2 .依據申請專利範圍第 基板之製作方法，其中 金屬或具金屬及非金屬 1項所述之發光二極體封襄 孩固持件係可為金屬、 混成之材料。

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