TWI356973B

TWI356973B - Pattern drawing apparatus and pattern drawing meth

Info

Publication number: TWI356973B
Application number: TW093109909A
Authority: TW
Inventors: Tadahiro Ohmi; Shigetoshi Sugawa; Kimio Yanagida; Kiwamu Takehisa
Original assignee: Tadahiro Ohmi
Priority date: 2003-04-11
Filing date: 2004-04-09
Publication date: 2012-01-21
Also published as: EP1662552A1; TW200500817A; US7663734B2; WO2004095549A1; US20060147841A1

Description

五發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】應本發明係關於圖案描繪裝置及圖案描繪方法，其可以半導體積體電路製造時曝光程序中所使用的光罩透 =田晝裝置、為了製造曝光裝置中使用的光罩而被使用的光罩摇晝裝置等的描繪裝置。【先前技術】項一般而言，於半導體積體電路製造時曝光程序中，必 ς使用描输了電路圖案的光罩（有時稱做標線），來使電其=案描繪在塗布了抗蝕劑的晶圓上（稱做圖案曝光），、所使用的裝置稱做曝光裝置或曝光機。不過，也有不使疋旱直接將電路圖案描繪在晶圓上的曝光機，此裝置被稱為光軍透鏡曝光機。等另-方面’要製造光罩時，於當作光罩基板之石英板的表面’有必要塗上遮光用的鉻膜等，使得讓相當於目圖電路圖案之呈圖案形狀之曝光的光通過。該鉻膜等藉由案曝光來形成’而為達此目的的裝置稱做光罩描繪裝於光罩描繪裝置的技法中’一般係有使用電子束的電束描續而為達此目的的裝置稱做電子束描繪裝置（以下表示成ΕΒ描繪裝置）。 &不過’光罩描繪裝置中，除Ε Β描繪裝置之外，也有使 _备'外區域之雷射光（以下省略成紫外雷射光）來圖案描、曰（即對塗布了光阻的光罩基板進行圖案曝光）的技法，

1356973 五、發明說明（2) 基於此技法的裝置（有時稱做雷射束描緣裝置）也有產 a 化了在此提議如下之雷射束描繪作為此種描繪裝置，即：以往’使用將多數的微小的反射鏡並排成二維陣列形狀的反射鏡顯示元件（稱做數位微型反射鏡等的反射鏡裝置 )’並用紫外雷射光照射於其上，將反射光控制成圖案來在光罩基板上進行圖案描繪。於該雷射束描繪裝置，因為可以將電路圖案之中之一部分的圖案整個一起曝光，其有處理速度迅速的特徵’是一般所習知的。關於此點，例如有揭示於Proceedings of SPIE, Vol.4186，PP.16-21、或 USP6, 4 28, 94 0。根據上述，使用反射鏡裝置之習知的雷射光描繪裝置中’所使用的反射鏡裝置，大約用了 1 0 0萬個（約5 〇〇 X約 2 0 0 0個）的微小反射鏡，且各個微小反射鏡的尺寸為丨6微米左右。將該等微小反射鏡，利用縮小投影光學系統，使其於光罩基板上，縮小投影至1 / 1 6 0之大小。其結果，對應於1個微小反射鏡的圖案，則成一邊為0 . 1微米即1 0 〇 nm的正方形。不過，描繪光罩時，一般而言，設計上最小的尺寸係小至1到4 n m，其被稱為最小方格。為此，為了實現遠小於一邊1 0Onm之反射鏡投影圖案的圖案形狀，而進行了變化照射於被投影之圖案的光能。例如，根據該文獻，藉由讓光能以64階段來變化（利用中間光能），作為最小方格使其對應於相當於l〇〇nm之1/64的1.56nm。如此，於習知的技法係利用中間光能來，使其對應於

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比1個微小反射鏡之縮小技影圖案更小之尺寸的最小方格並且控制反射鏡裝置之各個微小反射鏡的偏轉角度，碎讓被投影之雷射光的強度變化。而且，關於此點，若要每隔最小方格亦即1. 56nm ’移動被投影的微小反射鏡（即^ 描光罩基板）來進行曝光的話，掃描速度會降低至1/64 ▼ 而且掃描次數會增加至6 4倍，描繪時間會極端地增長至64 X 6 4倍。也就疋s兒，利用中間光能的技法，於雷射光束描繪裝置中，用以縮短描繪時間的課題是不可或缺的。田三、【發明内容】發明的揭示如前所述’為了產生中間光能而控制反射鏡之偏轉角的習知技法中’必須正確地控制施加至各個微小反射鏡的電壓。但是，為了使如前述之中間光能以6 4階段來變化，必須將電壓微細地分割成64階段來控制，而且在對應於雷射光重複次數2 0 0 0 Hz，0 . 0 0 0 5秒以下極短時間之最少數分之一的時間内，要正確地控制大約多達丨00萬個微小反射鏡全部的電壓’是非常困難的。其結果，實際上被施加的電壓無法正確地成6 4階段，有時會產生不均一，造成實質上只可以控制數個階段的光能。本發明之目地在於提供一種圖案描繪裝置，其於使用反射鏡裝置的圖案描繪裝置中，不使用施加至各個微小反射鏡之電壓的中間值來控制’而還能夠利用中間光能。本發明之另一目地在於提供可以實現上述中間光能的

1356973 五、發明說明（4) ------ ' ------ 構件，以及具備該構件的圖案描繪裝置。、本發明更一步之其他目的在於提供一種圖案描繪方法其僅僅對反射鏡裝置之各個微小反射鏡進行開關拎制’就可以實現中間光能。二磨問顳的丰 _為了達成上述目的，本發明包含有圖案投影裝置，用一維陣列形狀的光控制元件與微透鏡陣列，可將由多數 $點集合體組成之圖案予以投影；在由該圖案投影裝置投影於基板上的該圖案中，令該基板相對於構成受投影之^ 案的該多數的光點之排列傾斜地移動，以使得不同時間照射所產生的該圖案之若干個光點，重疊於該基板上之相同的地點。在此，所謂的基板，於利用本發明來構成光罩透鏡曝光機時係指晶圓；而於構成光罩描繪裝置時係基板而言。疋卓依據此’因為使得可以用多數次的照射對1個光點位置曝光’所以能夠藉由控制重複照射的次數產生中間光能。藉此，各微小反射鏡的控制電壓係為〇N和卯以階段即^，不會難以控制電壓。而且，像這樣能夠控制朝基板上同一地點照射的照射次數，起因係為：利用如前述之微透鏡陣列’可以使光點的直徑比光點的間隔更小，進而使基板傾斜地移動。

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2就會在相同的座標上’所以該等之多數的光點3移動至移動方向4時，就會成在同一場所重疊。於圖1之示例中’描繪了 3個光點3重疊於相同位置的情況。描繪於圖1之光點3的集合體，雖然係在由丨次的照射 1 sho t )所形成的瞬間，但若每次僅讓基板！移動光點3直徑一半左右的長度來進行照射的話，藉此就能夠用相連的光點來塗滿基板1的整面。進行像這種照射的情況時，於顯示於圖i之示例中’為了使3個光點在基板1上位於（即曝光於）相同的位置，而調整基板1的移動速度的話，在基板丨之有效曝光寬度5内，就可以使全部的光點重疊3次。本發明利用上述之内容，僅對朝基板1上之各光點照射次數的有.無（即利用反射鏡裝置6 ’使雷射光朝向基板1或不朝向基板1，這兩種的控制 )’加以進行控制’所以於各光點的位置就變得可以對曝光量進行3階段的（加上無照射時就會變成4階段）控制。不過’由於實際的反射鏡裝置6具有2048x 512個微小反射鏡’所以例如可以並排成使得6 4個光點照射於相同位置，藉此於各光點就可以對曝光量進行64階段控制。而且，把此當作灰度等級數，則例如基板之1 3 2 X 1 〇〇 mm之摇繪區域的描繪時間，就可以由顯示於圖3 ( a )之公式算出。又’於圖3 (a)之符號的說明顯示於圖3 (b)。作為設計示例，如顯示於圖3 ( c )般，反射鏡裝置的轉調數 (頻率）為200 0Hz，使基板上之最小方格d為1. 56nm時，實質上讓基板移動使得每1.56x 64=100nm有一光點即可，

第11頁 1356973 五、發明說明（7) 如此°十昇結果就會成顯示於圖3 ( d )般，而描繪時間就會變成約1 2小時。相對於此，假如不利用中間光能的話’就必須讓基板移動使传光點能達於整體描繪區域每一最小方格，且於〇· 132 X 〇· 100/ ( i · 56ηπΓ2 ) =5· 42 χ 1(Γ15 個相異的位置，必須有光點。依此，2 0 4 8 X 5 1 2個微小反射鏡即使以2 Ο Ο Ο Η ζ 的頻率來操作，描繪時間亦會成為7 1 8小時，所花的時間大約為利用中間光能情況的6 0倍左右。如以上所述，本發明之圖案描繪裝置，由於利用中間光能’不光只可以高速地描繪基板，因為不須像習知般以電壓來控制微小反射鏡，所以可以讓反射鏡裝置的控制技法變得簡單，不容易產生錯誤操作和調整不良，能夠正確地產生灰度等級。接著’參照圖4來說明本發明之圖案描繪裝置的其他實施例。圖4為利用係具有無圖示之3台圖案描繪裝置的圖案描繪裝置2 0 0，來進行圖案描繪的說明圖。在從3台之圖案描繪裝置向基板20投影的反射鏡裝置投影區域2 ia、21 b、 21c之中’雖然利用使基板2〇移動，於有效曝光區域22a、 22b、22c ’以設定了灰度等級數的方式來產生中間光能，但是除此之外的區域不足設定的灰度等級數。於是，為了使設定之灰度等級數以下的曝光區域互相地重疊，而配置了 3台圖案描繪裝置。藉此，使基板2 1沿著移動方向2 4移動時’即使灰度等級數不足區域23a、23b，2個反射鏡裝置投影區域也會重疊’所以能夠僅以設定的灰度等級數將光點

第12頁 1356973 五、發明說明（8) ’ --- 重疊。然而，雖然圖案投影裝置丨〇可以投影出由如以上之多數的光點之集合體所構成的圖案，但利用圖案投影裝置1〇來曝光時會產生其他問題，即當光點呈圓形時，使多數的光點緊密連接來曝光的話，就會如圖5 ( k )所示般因光點之，無法曝光，所以必須如圖5 ( b )所示般使鄰接的光點重疊來曝光。但疋其結果為，沒有產生中間光能下，即使照射全部，也會由於光點重疊的次數因位置而相異，有時會讓曝光變得有若干不均勻的情形。為此’用六角形作為光點的形狀也可以，依據此，如圖6所示般，用六角形來緊密連接地並排時，用相同的光點次數就能夠填滿整面。又’於相同位置以多數次曝光照射來曝光’產生中間光能時，曝光照射次數變得容易控制。又’要貫現六角形的光點時，例如，使顯示於圖2之圖案投衫裝置1 0的針孔板8的針孔，呈六角形即可。另外於圖6雖然顯示六角形，但八角形的也可以。

接著’ _照圖7來說明利用藉由顯示於圖2之圖案描繪裝置1 0 0來描繪之基板的實施例◦顯示於圖7之光罩描繪裝置3 0 0為一種裝置，係使用藉由圖案描繪裝置丨〇〇來描繪的大型光罩30 ,在光罩基板31上描繪一般之曝光裝置用之光罩；即將描繪於大型光罩30上之圖案’其尺寸為平常之光罩的數倍，利用縮小投影光學系統3 2，轉印至光罩基板 31。而且，由於大型光罩30比平常之光罩大，為了抑制因自身體重造成的彎曲，而以垂直來固定。於是，使用了 C

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藉此，於照射於大型光罩3°的雷射光咖中，以诵i罩30的雷射光’會在45度反射鏡33反射，而可乂通過縮小投影光學系統32進而照射於光罩基板Μ。本實施例係將本發明之圖案描繪裝置使;於描繪平九罩所採用之大型光罩30的描繪，其效果為：本發明之圖，描繪裝置，係如前所述般，因為利用中間光能不僅可以高精確度進行圖案描繪，也可以非常高速地進行圖案描緣。因此即使對於大型光罩3 〇 ’描繪時間也不會過長。看成有S/ ( G . d 在此參照圖8，說明因有無利用依本發明之中間光能，所產生之圖案描繪時間的差異。沒有利用中間光能時，如圖8 ( a )所示般，必須每隔設計上之最小方格（d )照射曝光的光點’因此描繪面積當作S時’光點數目就會成s / d - 2 (次）。相對於此，利用中間光能時’如圖8 ( b )所示般τ光點的間隔能夠以最小方格（d )之灰度等級數（g ) 倍來擴大，其結果’於描繪面積S之光點數目，乍看之下會，但是於該等全部的光點由於個有重疊最高G次，所以光點的總數成為s/ ( g . d ) ~ 2 ” G = S/d 2/G。即’成為顯示於圖8 (a )之光點數的i/G，所以描繚時間就能夠僅以除以灰度等級數的程度來短縮。另外’將顯示於圖2的圖案描繪裝置1 0 0之針孔板8之製造方法的一範例顯示於圖9。在此，顯示的情況係用雷射光來在針孔板8穿開一正方形的小孔。來自無圖示之激生分子雷射的雷射光L 5 0，射至有穿開呈正方形小孔的金屬光罩 51。通過金屬光罩51之小孔的雷射光L51，會通過聚光透鏡

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52射至針孔板8 〇此時取μ 統，並將金屬光罩51之位^透鏡52形ϋ小投影光學系據此，照射於針孔板8二置:丄影像縮小投影至針孔板8。依穿開正方形的小孔。缉射光L51會成小的正方形，使得 ' 孔板8搭裁於無圖示之χγ平台上，依據此就會變成於圖上幸月X方向掃描而朝Y方向步進。因此，利用進行反複脈衝操作的雷射光[5〇叫吏得在針孔板8穿開多數個正方形的小孔。另外’於本實施例’將激生分子雷射使用於小孔加工，其理由係為激生分子雷射的波長短，在金屬表面之反射率低不僅谷易對金屬板加工，也由於脈衝寬度短成 1 Ons左右’連續地移動針孔板8的同時，即使邊進行雷射光照射，在脈衝寬度之時間内移動的距離可以小成丨以下，所以正方形的小孔不會延伸變長。又’作為可以利用的雷射光，除了激生分子雷射外，如氣雷射、飛秒雷射等對金屬之加工性能良好，且可以反複操作的雷射光即可。又’於上述之實施例，雖然說明了使基板對著移動方向來移動的情況，但是使反射鏡裝置投影區域對著基板傾斜地移動也可以。參照圖1 0及圖11 ’來說明依本發明第二實施態樣之第1 實施例。圖1 0為作為本發明第1實施例之圖案描繪裝置丨〇〇的結構圖’圖1 1為利用圖案描繪裝置1 〇〇之圖案描繪方法的說明圖。顯示於圖1 0之圖案描繪裝置1 0 0，很大的區別在於：由

第15頁 1356973 五、發明說明（π) 光罩圖案投影部101、XY平台102、光罩圖案資料輸出裝置 1 03、及紫外光源亦即波長變換型固體雷射丨04所構成。波長變換型固體雷射104，使用了進行1〇〇〇 0Hz之反覆脈衝操作之YAG雷射的第3高次諧波，抽出波長355nm之脈衝狀雷射光L1。雷射光L1入射光罩圖案投影部1〇1内，在反射鏡1〇5 反射後’入射成二維陣列形狀之微小反射鏡的反射鏡裝置 106。在此’反射鏡裝置1〇6之2〇48x 512個（即約100萬個 )的微小反射鏡以約1 6微米間隔縱橫地並排，且反射鏡裝置106藉由光罩圖案資料輸出裝置103，各個微小反射鏡之偏轉角以1 0 0 0 0 Η z之幀速度來加以控制，但是於本發明僅以 2個方向來控制（即〇n/〇FF控制）。依據此，朝利用於曝光之方向前進的光就會成為雷射光L2，雷射光L2前進通過透鏡107a、l〇7b ’並轉印成光罩基板1〇8上的投影圖案1〇9。也就是說，透鏡1 〇7a及1 07b形成縮小投影光學系統，並使得反射鏡裝置1 0 6的面縮小投影在塗布了 i線用抗蝕劑的光罩基板108上。又，光罩基板1〇8搭載於χγ平台1 〇2上，藉此可以使投影圖案109在光罩基板1〇8上的全部區域移動，而可以對光罩基板108的整面進行圖案描繪。要使反射鏡裝置106上之圖案轉印至光罩基板1〇8時，於本發明使用了如顯示於圖2之描繪方法。於圖11係以時間序列’來顯示將投影圖案〗〇 9朝圖1 〇之X方向移動的情況。於圖案描繪裝置1〇〇以如前述之10000 Hz之幀速度，來控制反射鏡裝置106上之圖案，所以每隔。.“^新的圖案會投影至光罩基板108上。於是，於圖11 (a) 、（b) 、 (c )、

第16頁 1356973 五、發明說明（12) (d)、及（e)顯示每隔O.lms的時間投影圖案109的位置 (依順為109a、l〇9b、109c、109d、109e)。即藉由每隔 0.1 ms產生脈衝狀之雷射光L1來投影在光罩基板1〇8上的圖案’會每次以投影圖案之尺寸（X方向的寬）的1/4來移動。又，投影圖案109的移動以XY平台102產生之光罩基板 108的移動來進行。依據以上所述’於本實施例’因為各投影圖案在幀與幀之間有3/4的面積重疊’投影圖案於光罩基板1〇8的整面重疊4次’因此，就可以產生4階段的灰度等級。不過，於本實施例’雖然為方便說明而以4灰度等級的情況為例加以圖示’但實際上係以使幀與幀之間有例如49/50之面積重疊的50灰度等級左右為較佳。這是因為，如此可以將最小方格變小至數nm左右。另外，於本實施例，作為光源之波長變換型固體雷射 104的反複次數，由於為10〇〇〇112，產生的各個脈衝雖然對應於反射鏡裝置1 〇 6之各個幀，但是使作為光源的波長變換型固體雷射1 0 4以更高的反複次數來操作也可以，但最佳的情況係反射鏡裝置106之傾速度的整數倍。例如，使波換型固體雷射104以20 0 0 0Hz來操作時，讓雷射裝置106之1個巾貞進行2脈衝照射即可。依據此，由於對相同的圖案供給多數的脈衝’會有緩和因激生分子雷射之？均门一產生的壞影響（即平均化）的效果。土 ί ί二於顯示於圖1 〇之本實施例光罩基板1 0 8之圖荦方法，關於其投影圖案109〇方向的移動，用圖12來加圖^兒方

1356973 五、發明說明（13) 明。於圖12 ( a )中’係僅只將圖1 〇所示投影圖案1 〇9之輪郭逐一幀加以描繪顯示者。不過，如圖11所示般，由於在幀與幀之間，投影圖案係相重疊，故於圖1 2，連續的4個投影圖案109f、109g、109h、109i，於Y方向稍微錯開來描 % ’但是實際上於Y方向位置相同也沒關係。於朝擴大光罩投影時之X方向掃描1次完時，於Y方向步進1次，再一次於X 方向進行掃描，一直下去。其結果’如顯示於圖12 (a) 般’投影於投影圖案1 09 f之隔壁的圖案為投影圖案丨09 j，並讓其稍微與109f的一端重疊。另一方面，如顯示於圖12 (b)般，使圖案投影於對4 個投影圖案109f、109g、109h、109i進行1次步進後的隔壁’並使該圖案以大範圍地重疊來投影也可以。也就是 '•兒’如投影圖案l〇9k、1091、109m、109η般，以每3/4重疊也可以。依據此，於X方向3/4、於γ方向3/4重疊的結果，才又衫元光罩基板1 0 8的整面時，在全部的位置重疊1 6次，可 =產生1 6灰度等級。如以上般，因為於X、γ之2個方向重疊’所以可以減輕步進後之繫合誤差產生的異常曝光。 — 接著，參照圖1 3，來說明依本發明第二實施態樣之第2 貫施例。顯示於圖1 3之本發明的圖案描繪裝置2 〇〇，包含：圖案投影部1 0 1，其與顯示於圖1 0之第1實施例的圖案描、會裝置1 〇〇係為相同的構成要素；光罩圖案資料輸出裝置 1 〇 3 ’及作為紫外光源的波長變換型固體雷射1 〇 4。不過，此^置並非利用光罩圖案投影部丨〇 1來直接描繪光罩，而是進行中間光罩2 0 1的圖案描繪，並藉由縮小投影光學系統

第18頁 1^56973 五、發明說明（14) ' ---- 202’將其縮小而在权# ^ w ^ 搭載於ΧΥ平台2〇3上的光罩基板204上形圖案2G5。於本實施例，使用與第1實施例相同之光罩圖案投影部101，使用如η κ用如顯不於圖11之描繪方法，其結會中間光罩201。另外，作為本實施例之特 '只不' 由於轉印至光罩基板204的光罩圖案205，可以 =J至比中間光罩2 〇 1更小，尺寸約i / 4左右，所以特別適 s於描繪等倍光罩等的結構。

^接著，參照圖14，說明依本發明第二實施態樣之第3實施例。於圖1 4 ’本發明之圖案描繪裝置3〇〇的結構，雖然與顯示於圖10之第i實施例的圖案描繪裝置1〇〇類似，但是作、為光源使用>的波長變換型固體雷射裝置3〇4，係為產生YA(j 雷射之第2咼次諧波的裝置。因此，從該雷射裝置3〇4抽出的雷射光L31為波長532nm之綠色雷射光。雷射光L31在反射鏡305反射後射至反射鏡裝置3〇6 ;而利用於曝光的雷射光 L32會朝下方前進，入射透鏡3〇 7a。其結果，由於聚光於波長變換元件3 1 5 ’所以會產生雷射光L3 i之第2高次諧波亦即波長266nm紫外區域的雷射光L33。雷射光L33會通過透鏡 307b、30 7c，並射至塗布了KrF抗蝕劑之光罩基板312的投影圖案3 0 9。另外，雖然投影圖案3 〇 9係將波長變換元件3 i 5 内之圖案擴大投影，但是波長變換元件3丨5内則將反射鏡裝置306之圖案縮小投影。因此，投影圖案3〇9將反射鏡裝置 3 0 6之圖案縮小投影。本實施例之特徵為：使用可見區域之雷射裝置當作光源亦即波長變換型固體雷射裝置3 04，因此會有反射鏡裝置

1356973 五、發明說明（15) 3 0 6難以惡化的效果。士科.约射光束描繪裝置，存在有一問題M前使用反射鏡裝置之雷雷射光的照射會在短期間内=為相=裝紫外反射鏡裝置3 06就能幾乎不會惡化。對於此，於本貝轭例另外’使用銅蒸氣雷射來取代波長變換型固體雷射裝置3〇4也可以。’”’貫广之一源的 ."50λ00^3；οοοΗζ - ^ ^ ^ ^ ^ ± ^ 用波ϊί=::3二因广若將⑽ 冰π θ ΛΛ + 6 尤會產生波長25 5. 3nm之紫劑二夺罝I舡^33。故可以更有效率地對塗布了KrF抗蝕 ίϋΓ 曝光。也就是因為KrF抗蝕齊1卜於W激生 ::雷射的波長24 8nm，常常會得到最佳的良好特性，而如 J貫>施例般’銅蒸氣雷射之第2高次譜波，相較於yag雷射第2兩次諧波，波長較接近248nm。接著，參照圖1 5，說明依本發明第二實施態樣之苴他實施例。圖15係為從上方俯視本發明圖案描繪裝置4〇〇的結構圖。於圖案描繪裝置4 0 〇，使用2台紫外雷射光作為光源，分別為波長變換型固體雷射4〇4a及404b。各波長變換型固體雷射404a及404b，因同時運轉而有相同計時，就能產生波長35 5mn、反複數1〇〇〇 ohz相同之激生分子脈衝雷射光。從波長變換型固體雷射4 〇4a抽出的雷射光L41，在反射鏡 405a反射後，入射光束分光鏡;另一方面，從波長變換

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型固體雷射404b柚出的雷射光L42也會入射光束分光鏡 410。兄光束分光鏡41 0的反射率和透射率都大約為5〇%，且波長3 55之雷射光以45度的角度入射該光束分光鏡41〇。因此’從光束分光鏡410前進的雷射光L43*L44任一個都為平均的功率。雷射光L43會供給至光罩圖案投影部4〇la ;而雷射光L44會在反射鏡405b反射後供給至光罩圖案投影部 401b。光罩圖案投影部4〇la及4〇 lb的結構，係與顯示於圖 1〇之第1實施例的光罩圖案投影部101相同，所以在此詳細的說明。另一方面’利用光罩圖案投影部4〇13及4〇113來圖案描

、’-a 並用斜線來表示的光罩基板408，搭載於χγ平台4〇2之Y 平台40 2a上，且如用箭頭符號41 1所示般，能在γ方向掃描移動。又’Y平台4〇2a搭載於X平台402b上，如於箭頭412所示般，就能朝X方向步進移動。即利用γ平台4〇2a的掃描移動與X平台40 2b的步進移動’就可以描繪光罩基板4 〇8的整面。本實施例之特徵係為：使用2台脈衝雷射（即波長變換型固體雷射4 〇4a及404b )當作紫外光源，並將該等抽出的雷射光經由光束分光鏡（或反射鏡）形成2條雷射光，再將此2條雷射光使用於曝光。其結果，由於可以平均於2台脈衝雷射之脈衝能量的不均一，所以供給至2台光罩圖案投影部4Ola及光罩圖案投影部4〇 ib的脈衝雷射光之能量的不均一 ’會比波長變換型固體雷射404a及404b之脈衝能量的不

1356973 五、發明說明（17) 均一還要小。因此’可以更均勻地進行曝光。而且"’員示於圖1 5之實施例中，雖然紫外光源盘光罩 =投影部分別顯示為2台的情況，…台數：可以先有罩更二女例如任—個都設置了4台也可以。此時，光束分光鏡 *、/、有3個，可以更有效地減低脈衝能量的不均一。一另外，減低脈衝能量的不均一，不僅可以均勻地曝光，，以往在不均一之情形較大的情況時，會造成必須多重曝光’也就是說在同一地方掃描多數次，所以花在曝光的全部時，會變長，關於此種問題也可以一起被消除。接著’參照圖1 6及圖丨7 ’說明依本發明第二實施態樣圖案描繪裝置之另外2個實施例。 f 1 6係為從上方俯視圖案描繪裝置5 〇〇的結構圖；圖丄7 係為彳之上方俯視圖案描繪裝置6 〇〇的結構圖。任一實施例也與顯不於圖1 5之實施例相同’都是顯示使用多數台光源情況的結構，在圖1 6為使用3台光源的情況；圖丨7為使用4台光源的情況，主要都是關於雷射光之合成技法。又關於驅動光罩基板5 08及6 08的平台係與圖丨5相同，另外關於光罩圖案投影部501a、501b、501c、60U、601b、601c、601d 也為與圖1 0相同的結構，所以在此都將其省略。顯不於圖1 6的圖案描繪裝置5 〇〇使用了 3台脈衝雷射裝置504a、504b、504c作為光源。 f等較佳的情況係為波長變換型固體雷射或波長變換型銅療氣雷射等。從各脈衝雷射裝置5〇4a、5〇4b、5〇4c抽出之紫外區域的雷射光L51、L52、L53，沿著於圖中之虛線

第22頁 1356973 五 '發明說明（18) 前進。雷射光L51在反射鏡5 05a反射後’入射反射率50%之光束分光鏡510a，並以各半之比例分成透射與反射。透射過光束分光鏡510a的雷射光L51會入射透射率約66. 7%之光束分光鏡510b。因此，雷射光L51會以約原始33. 3% ( = 50% X 66. 7% )的能量朝雷射光L54的方向前進。另外，在光束分光鏡51 0a反射的雷射光L51 ，以約原本之能量的50%在反射鏡50 5b後，入射到反射率50%的光束分光鏡510c ;另一方面，在光束分光鏡510b反射的雷射光 L51，以約原本之能量的1 6. 7% ( = 50% X 33. 3% )，也入射到光束分光鏡510c。因此，從光束分光鏡51〇c，如圖中右側之雷射光L55般前進的雷射光L51，其能量會變成原本的33. 3% (=16. 7% X 5 0% +50%x 50% )。依據以上，全部之雷射光L54、L55、L56都包含雷射光 151之33.3%的能量；且相同地，也都包含雷射光1^52、1^53 之33.3%的能量。因此，各個雷射光L54、L55、L56的脈衝能量，由於成為雷射光L51、L52、L53之脈衝能量的平均值，所以脈衝能量的不均一會變小。接著，說明顯示於圖1 7之圖案描繪裝置6 0 0的結構。於圖案描繪裝置600使用了4台脈衝雷射裝置604a、604b、 6 04c、604d，從該等抽出的雷射光L61、L62、L63、L64，如圖所示般，利用多數的反射鏡605a〜605h及4個光束分光鏡610a、610b、610c、610d ’反複分割、合成’而產生4條雷射光L65、L66、L67、L68。於本實施例，4個光束分光鏡 610a、610b、610c、61〇d，反射率全部都為50% (透射率

第23頁 1356973 五、發明說明（19) 一 50% ) /且由於分別入射光束分光鏡2次，所以全部成為1/4 的能量’分配給4條光束。因此，4條之雷射光l65、L66、 L67、L68 ’就能包含與雷射光L6i、L62、L63、l64之全部相同的能量，也就是說，由於平均化能量，雷射光161、 L62、L63、L64各別之能量的不均一會減低至一半以下。另外’如顯示於圖1 5、圖1 6及圖1 7之實施例般，關於光束分光鏡在對從多數的脈衝雷射裝置抽出之多數條的電射光’進行分割、合成的時候所使用之光束分光鏡，於前述之實施例’係採用近乎完全未依存於入射之雷射光的偏振光方向’而以特定之比例分成反射和透射的型式者。但是’例如一般被稱呼為偏振光光束分光鏡般，關於雷射光的偏振光方向，亦可使用反射率（或透射率）相差甚大之型式的光束分光鏡。依據此’由2台之脈衝雷射裝置可以產生1條雷射光，所以即使在光罩圖案投影部為1台之情況時，也能夠減低脈衝能量的不均一。同樣地，藉由4台之脈衝雷射裝置也可以供給2條雷射光至2台的光罩圖案投影部。參照圖1 8、圖1 9及圖2 2，說明依本發明第三實施態樣之第1實施例。圖1 8為作為本發明第1實施例之圖案描繪裝置1 0 0的結構圖。顯示於圖1 8之圖案描繪裝置1 〇〇，大致區別，其由反射鏡裝置1、縮小投影光學系統2、χγ平台3、及作為紫外光源之紫外脈衝雷射裝置5。紫外脈衝雷射裝置5所構成’於此使用進行1〇〇〇0Hz反複脈衝操作之yga第3高次諧波，並抽出

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外光L1會通過反射鏡6a、了光束系統，而射至半反 ’並將紫外光L 2射至反射波長355ηιη脈衝狀之紫外光L1。紫 6b，並通過整形光學系統7後擴大射鏡8。於半反射鏡8能反射約98% 鏡裝置1。反射鏡裝置1於此為，l〇24 x 76 8個（即約8〇萬個）的微j反射鏡以約1 4微米間隔縱橫地並列。射至的紫外光當中’反射後，朝利用於曝光之方向前進的^ j f至反射鏡襞置i進行〇N操作的微小反射鏡後，所反射塞：）二則成為紫外光L3。紫外光[3通過由多數的透鏡所構成的縮小投影光學系統2，照射至搭載於χγ平台3上的光罩基板4上。#利用縮小投影光學系統2，將反射鏡裝置丄的面，縮小投影至塗布了丨線用抗蝕劑的光罩基板4上。又光罩基板4搭載於χγ平台3上，藉由χ方向之掃描與向之步，於光罩基板4上之全部區域’可以使紫外光u的照射位置移動，其中該紫外光L4具有由來自反射鏡裝Μ之⑽的微小反射鏡所構成之投影圖案，並且可以於光罩基板4的整個面進行圖案描繪。士使於反射鏡裝置1上呈ON的圖案轉印至光罩基板4上 k 於本貫把例係使用如圖1 9所示之灰度。於圖1 9的狀態係為.利用光罩基板4在圖1 8之X Y平台3之掃描方向（X方向 )，連續移動下去，每一次曝光照射時紫外光u就會照射在光罩基板4上逐次稍微錯開的位置。於圖案描繪裝置1 〇〇 , 由於如前述般以10000 Hz之幀速度對反射鏡裝置1上的圖案進行控制，所以每隔〇.11113圖案會投影於光罩基板4上。因

第25頁 1356973 五、發明說明（21) 此’於圖19之下方，顯示每隔〇 lms之時間投影圖案的位置 (依序為 20a、20b、2〇c、2〇d、20e)。纪於此例中’藉.由每隔〇. 1ms產生脈衝狀的紫外光LI，投影在，罩基板4上的圖案，會以每次投影圖案之尺寸（乂方向之寬度）的1 / 4移動，即於本實施例，因為各個投影圖案於幀與幀之間重疊3/4的面積’所以投影圖案於光罩基板4 ，整個面能進行4次的重疊。因此，可以產生4階段的灰度等級，不^於本貫施例為了說明容易而圖示4灰度等級的情形，但是實際上於幀與幀之間，較佳的情況係例如進行如 99/ 1 00的面積重疊之1〇〇灰度等級左右的情形。依據該技法，可以縮小最小方格至丨ηιη左右。於習知裝置，由於紫外光u係為來自紫外脈衝雷射裝置5的脈衝雷射光，顯示於圖丨9下方每隔一時間之各個曝光圖案的曝光量會不均一，無法正確地相等，非常難以正確 =再現灰度。A此’⑤本發明，如顯示於圖i 8般，使紫外 “ L2些微透射過半反射鏡8，用光偵檢器9測量其能量。因 :匕，可以取得各脈衝每個能量的資料，為了能夠考慮到能 =的不均一，而修正於灰度之重疊光點的次數。也就是，，來自光偵檢|§之能量值的訊號，利用訊號線丨丨a傳送至犬度修正裝置1 0，在此計算使得能修正能量不均一的灰 f根據计具結果，利用訊號線11 b，控制反射鏡裝置1之各個微小反射鏡之ON、OFF的操作。若要更具體地說明時，如圖20所示般，假想紫外光之脈衝旎蓋，母一次曝光照射都不同的情況。此時，因為

第26頁 1356973 五、發明說明（22) -- 隨時測量脈衝之能量的值，所以例如產生能量值變得比目標值還少的脈衝列的話，就會將重現灰度時之重最的光點的次數修正成較多次；又，產生能量值變得比目^值還‘多的脈衝列的話，就會修正重現灰度時之重疊的光^的^夕數，致使變得較少次。 ^ ' 又，如本發明般，雖然實現一致使能夠對應最小方格 1 rim左右的灰度’但是以該程度的精確度，非常困難利用^ 平台3進行光罩基板4的位置控制。於是，於本實施例利用壓電元件’對反射鏡裝置1進行數nm之微小的位置控制。其理由係因為：投影於光罩基板4上之圖案位置的移動量，相較於反射鏡裝置1的移動量，由於僅變小縮小投影光學系統 2的縮小倍率，所以可以微小地控制圖案位置。 ’ 接著’參照圖2 1，說明依本發明第四實施態樣之實施例。於圖2 1所示之本發明圖案描繪裝置2 〇〇 ,具備了： Λ光圖案產生部230 ;DMD231 ’接受由無圖示之紫外雷射裝置所^ 給的雷射光後，再將其反射；微透鏡陣列2 3 2，接受反射後的雷射光L21。進而，因通過微透鏡陣列232，狹窄化的雷射光L2 1會聚光於針孔板233 ’在針孔板233聚光後的雷射光 L 2 2 ’會介由透鏡2 3 4 a、2 3 4 b所構成的縮小投影光學系統 235 ’將DMD投影圖案236形成於母光罩20 2上。在此’針孔板23 3就是在石英玻璃形成金屬膜的針孔板’ s亥金屬膜具有多數個直徑1 β ^左右的微細小孔。針孔板2 3 3的微細小孔對應於d M D 2 3 1的各微小反射鏡。又，於 DMD231之各微小反射鏡的尺寸約為丨4 // m。於圖示之範例，

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之YAG雷射的第4高次諧波連續振盪的紫外尤田射裝置，作為使用於圖案描繪裝置200的光原因 :媒較：：情況係，圖示之励231編入於紫外對應_驅動機構，此時較佳的情況係，於紫外對應DMD驅動機構具備了利用使氣體等循環來冷卻的結構。曰β進一步，參照圖22說明針孔板2 33，作為一構件，用以提昇顯示於圖21之圖案描繪裝置2〇〇的描繪功能。針孔板 233使用於顯示於圖21之圖案描繪裝置2〇〇的光圖案產生部 2 3 0，而於針孔板2 3 3，此如前所述，將穿開有直徑約丨之小孔的金屬m，附著於石英玻璃上；另一方面m米透鏡陣列232的縮小部率約1 /4，所以於針孔板2 33會成直徑約3 · 5微来的光點。於習知的裝置，將針孔板2 3 3的孔徑設成3. 5微米，並不浪費地抽出雷射光’可是由於縮小投影光學系統235的縮小倍率為1/5左右’所以形成DMD投影圖案236的各個光點直徑約為0· 7微米。又，提高縮小投影光學系統235的縮小倍率時’就可以縮小在母光罩2 〇 2上之光點的直徑，但是由於 D M D投影圖案2 3 6本身變小，結果產生描繪時間變長的問題0 對此，於本發明，由於針孔板2 33之孔徑約1微米，所以形成DMD投影圖案236的各個光點的直徑約成〇 . 2微米， D M D投影圖案2 3 6本身沒有變小，相較於習知的，可以形成微細的圖案。可是’由於在微透鏡陣列232聚光的光點直徑約為3 · 5微米’因此可以自針孔板2 3 3之約1微米的小孔射出

第28頁 1356973 發明說明（24) 的雷射光，其光能的比例約8%左纟，約有92%左右的雷射光利用於加熱針孔板233。為此，於本實施例，將帕爾貼元件33〇&、33〇b (Peltier element)安裝於針孔板233上針孔之列的兩侧，藉此來在進行曝光中，將針孔板233強制冷卻。又安裝了帕爾貼元件33〇a、33〇b的那—面，係為將該金屬膜附著於針孔板233的那一面。由於金屬膜熱傳導度大，所以提高了利用帕爾貼元件330a、330b來冷卻針孔板233整體的效率。 “ 如以上，於本發明之圖案描繪裝置200 ,由於可以在曝光進行中冷卻針孔板233，針孔板23 3的溫度就不會升高很大’所以針孔板2 3 3就不會熱膨脹很大。因此，於曝光進行中’各針孔的相對位置不會偏離很大，DO投影圖案23 6就會正確地投影在按照母光罩202之設計的位置。如上述般，依本發明之圖案描繪裝置2〇〇，特別是，即使不提高微透鏡陣列2 3 2的縮小倍率，因為可以利用具有丄祕米左右充分微小的小孔的針孔板2 3 3，所以即使是可以將 D^D231之圖案的光點直徑縮小至〇. 2微米左右的情況時，還是可以將縮小倍率1 / 4至1 / 5左右的低倍率，利用於縮小投影光學系統235。依據該結構’可以將於平常之i線曝光裝置的縮小投影光學系統和於KrF曝光裝置之縮小投影光學系統，利用於縮 J才又，光學系統2 3 5。s玄專之曝光裝置’因為已由曝光裝‘置礙商量產，故能夠以低成本的價格取得縮小投影光學系

第29頁 1356973 五、發明說明（25) ' 統，可以低成本地製作圖案描繪裝置2丨〇。又，於i線曝光裝置之縮小投影光學系統的縮小倍率係為丨/5 ;於KrF曝光裝置之縮小投影光學系統的縮小倍率係為丨/ 4，是廣為人知的。但是該等之縮小投影光學系統的縮小倍率正確來說不是1/4或1/5，一般分別可以在1/3. 5〜1/4. 5之間及 1 / 4 · 5〜1 / 5. 5之間做調整。因此，於本發明，特別是藉由利用曝光裝置用之縮小投影光學系統，而能夠謀求裝置的低成本化。接著’參照圖23，說明本實施例之針孔板233的製作技法。本貫施例之針孔板2 3 3，在作為基板之石英玻璃上附著鏡屬膜，而作為金屬膜適合用熱傳導度高的銅、鋁、金等。較佳的情況特別是銅，因其可以用薄層鍍金（g丨丨t ) 來附著，而可以廉價地製作。要於該金屬膜穿開小孔時，較佳的情況是使用電子束曝光裝置400。於電子束曝光裝置4〇〇，由電子鎗4〇1放射出的加速電子410 ’ 一邊利用電子透鏡4〇2a集中若干一邊前進’射至穿開圓形小孔的開口部4 0 3。通過開口部4 〇 3之小孔的電子’會藉由電子透鏡402b縮小投影在塗布了抗蝕劑 4 0 4的針孔板2 3 3 (不過，此時間點由於尚未開設針孔，係為附著金屬膜的石英玻璃）上，而將抗蝕劑4〇4曝光成圓形。對全部之小孔曝光終了後’將塗布了抗蝕劑4 〇 4的針孔板2 3 3 ’利用顯影、進而濕触刻’就可以在金屬膜形成多數的微細小孔。如以上’為了於金屬膜形成小孔而利用電子束曝光裝

第30頁 1356973 五、發明說明（26) 置400的理由係為：由於電子束可以利用電子透鏡4〇21)在瞬間修正數nm之些微的距離，而可以在基板上以數⑽以下之高位置精確度地進行光點曝光。接著’使用圖24與圖25，來說明於將DMD之圖案直接縮小投影之圖案描繪裝置中之本發明的描繪技法。圖2 5為一說明圖係顯示，讓脈衝雷射裝置5〇1與DMD5〇3以1〇〇〇〇Hz來操作時，此時的在DMD投影圖案5〇7之基板5〇5内的投影位列表示於（〇至（"，且為了容易辯識描二‘二7又技影的微小鏡。於基板5 〇5内受投影的D〇投影圖案5。二斜線來表示。由圖可明白，每隔Ο- 二 ;Γ Λ 案507 ’利用基板5 05的掃描來在X方向- 的步進來在Y方向-Λ ηχγ平台506之Y方向 )、.(e)、…就是在以ΪΠΠν (a 來實現灰度的。其結果，能：、：向重4並轉印，誤差半垃，π兩沐此约將描知和步進之兩方的位詈、 : 而要步進方向之互相繫人瞧# . 常曝光。常0曝先’不會產生異產業t利用忖 +發明適用於積體電路製造時之曝光程m:置其係製造半導體直接描繪的光罩透鏡曝光裝置等。、、罩、及對晶圓進行依據本發明之圖案摇繪裝置， …、/員對反射鏡裝置

第31頁 1356973 五、發明說明（27) 進行微細的電壓控制而能產生灰度等級，所以不僅可以高精確度、高速地描繪，並可正確且不會錯誤操作地產生中間光能。

第32頁 1356973 圖式簡單說明五、【圖式簡單說明】圖1為依本發明第一實施態樣之第1實施例的說明圖。圖2為依本發明第一實施例之圖案投影裝置的結構圖。圖3 (a) ~ (d)為用以說明採用本發明之描繪時間的計算方法的圖式。圖4為依本發明第一實施態樣之第2實施例的說明圖。圖5 (a)及（b)為用以說明圖案描繪的圖式。圖6為用以說明利用本發明之圖案描繪的圖式。圖7為使用大型光罩之光罩描繪裝置的結構圖，其中該大型光罩係為利用本發明之圖案描繪裝置來描繪的大型光罩。圖8 (a)及（b)係分別顯示不利用依本發明之中間光能的情況、及利用依本發明之中間光能的情況。圖9為說明使用於圖2所示之光罩投影裝置的針孔板之製造方法的一個示例的圖式。圖1 0為依本發明第二實施態樣第1實施例之圖案描繪裝置的結構圖。圖11 (a )〜（e)為說明利用本發明之圖案描繪方法的圖式。圖1 2 ( a )及（b )為說明利用本發明之圖案描繪方法之範例的圖式。圖1 3為顯示依本發明第二實施態樣第2實施例之圖案描繪裝置之結構的圖式。圖1 4為顯示依本發明第二實施態樣第3實施例之圖案描繪裝置之結構的圖式。圖1 5為顯示本發明第4實施例之圖案描繪裝置之結構的圖

第33頁 1356973 圖式簡單說明式。圖1 6為顯示本發明第5實施例之圖案描繪裝置之結構的圖式。圖1 7為顯示本發明第6實施例之圖案描繪裝置之結構的圖式。圖1 8為顯示依本發明第三實施態樣之實施例之圖案描繪裝置之結構的圖式。圖19為用以說明為了應用灰度之多重曝光的圖式。圖2 0為用以說明於本發明灰度之多重次數計算的圖式。圖2 1為顯示依本發明第四實施態樣第1實施例之圖案描繪裝置之結構的圖式。圖2 2為於圖2 1所示之描繪裝置中所使用的針孔板之結構的圖式® 圖2 3為說明針孔板之製造技法的圖式。圖24為顯示依本發明第四實施態樣之光罩描繪裝置的圖式。圖2 5 (a )〜（1)為說明實現本發明之灰度之技法的圖式。元件符號說明： 1 :基板 10 :灰度修正裝置（圖18) 1 0 :圖案投影裝置（圖2 ) 1 0 0 :圖案描繪裝置

第34頁 1356973 圖式簡單說明 1 0 1 :光罩圖案投影部 102 : XY平台 103 :光罩圖案資料輸出裝置 104 :波長變換型固體雷射 105 :反射鏡 106 :反射鏡裝置 107a、107b :透鏡 1 0 8 :光罩基板

1 0 9 a〜η :投影圖案 11a 、b :訊號線 2 :反射鏡裝置投影區域（圖2 ) 2 :縮小投影光學系統（圖1 8) 2 0、21 :基板 2 0 0 ：圖案描繪裝置 2 01 :中間光罩 2 0 2 :縮小投影光學系統（圖1 3 ) 2 0 2 :母光罩（圖21)

2 0 3 : XY平台 2 0 4 :光罩基板 2 0 5 :光罩圖案 22a、22b、22c :有效曝光區域 2 1 0 :圖案描繪裝置 21a ' 21b ' 21c :反射鏡裝置投影區域 230 :光圖案產生部

第35頁 1356973 圖式簡單說明

231 ： DMD 2 3 2 :微透鏡陣列 2 3 3 :針孔板 234a、234b :透鏡 2 3 5 :縮小投影光學系統 2 3 6 : DMD投影圖案 23a、23b :灰度等級數不足區域 24 :移動方向 3 : XY平台（圖18) 3 :光點（圖1 ) 30 :大型光罩 3 0 0 :圖案描繪裝置（圖1 4) 3 0 0 :光罩描繪裝置（圖7 ) 304 ：波長變換型固體雷射裝置 3 0 5 :反射鏡 3 0 6 :反射鏡裝置 3 0 7a、30 7b、3 0 7c ：透鏡 3 0 9 :投影圖案 31 :光罩基板 3 1 2 :光罩基板 3 1 5 :波長變換元件 3 2 :縮小投影光學系統 33 : 45度反射鏡 3 3 0a、3 3 0b :帕爾貼元件

第36頁 1356973 圖式簡單說明 4 :光罩基板（圖1 8) 4 :移動方向（圖1 ) 400 :電子束曝光裝置（圖23) 4 0 0 :圖案描繪裝置（圖1 5 ) 4 0 1 :電子鎗 4 0 1 a、4 0 1 b :光罩圖案投影部 402 : XY平台 402a 、 402b : Y 平台（圖15) 4 0 2a、40 2b :電子透鏡（圖23) 403 :開口部 4 0 4 :抗#劑 4 04a、40 4b :波長變換型固體雷射 405a、405b :反射鏡 40 8 光罩基板 410 :加速電子（圖23) 410 :光束分光鏡（圖15) 4 1 1 :箭頭符號 4 1 2 :箭頭 5 :紫外脈衝雷射裝置（圖1 8 ) 5 :有效曝光寬度（圖1) 5 0 0 :圖案描繪裝置 5 0 1 :脈衝雷射裝置 501a 、 501b 、 501c 、 601a 、 601b 、 601c 、601d :光罩圖案投影部

第37頁 1356973 圖式簡單說明

503 ： DMD 504a、504b、504c :脈衝雷射裝置 5 0 5 :基板 505a、505b :反射鏡 5 0 6 : XY平台 5 0 7 : DMD投影圖案 508、6 0 8 :光罩基板 51 :金屬光罩 510a、510b、510c :光束分光鏡 5 2 :聚光透鏡 6 :反射鏡裝置 6 0 0 :圖案描繪裝置 6 0 4 a〜d :脈衝雷射裝置 605a~605h :反射鏡 610a〜d :光束分光鏡 6a、6b :反射鏡 7 :微透鏡陣列（圖2 ) 7 :整形光學系統（圖1 8 ) 8 :針孔板（圖2) 8 :半反射鏡（圖1 8) 9 :光偵檢器 9a、9b :透鏡 LI、L2、L3、L4 :紫外光（圖18) LI、L2 :雷射光

第38頁 1356973 圖式簡單說明 L21 、L22 :雷射光 L30 、L31 、L32 、L33 :雷射 L40 、L41 ' L42 、L43 :雷射 L50 、L51 、L52 、L53 、L54 L61 、L62 、L63 、L64 、L65 光光、L55、L56 :雷射光、L66、L67、L68 :雷射光

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Claims

曰修正本类號 93109909 .[〇〇年U月 z曰修正六、申請專利範圍 1. ，種圖案描繪裝置，包含脈衝狀雷射光產生部和二維陣列形狀之微小反射鏡，且使該微小反射鏡縮小投影至基板上，其特徵為包含：脈衝狀雷射光產生機構；圖案轉印機構，使藉由該1次之脈衝狀雷射光投影至基板上的該二維陣列形狀之微小反射鏡的投影圖案，於該基板之正交的2 個移動方向的兩方均重疊的情形下，而進行圖案轉印；針孔板，可將來自該脈衝光源之脈衝狀雷射光分割成多數微細的光線；及冷卻用帕爾貼元件·，安裝於該針孔板。 2. 如申請專利範圍第1項之圖案描繪裝置，該冷卻用帕爾貼元件係藉由設於包夾該針孔板之針孔兩側之第1帕爾貼元件與第2帕爾貼元件構成。一一 3. 如申請專利範圍第2項之圖…案描繪裝置…，其中_，該針孔板具有石英玻璃與形成於該石英玻璃之表面的金屬膜。 4.如申請專利範圍第3項之圖案描繪裝置，其中，該第1及第2帕爾貼元件設在形成有該金屬膜之面上。

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