1354842 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於液晶顯示裝置者，而本發明特別是適用於 藉由光照射而對配向膜實施配向處理之液晶顯示裝置者。 【先前技術】 ‘ k液晶顯示裝置時’液晶配向控制層之一般性處理， 係進行對包含聚醯亞胺等有機膜，以布摩擦基板之所謂摩 擦處理。該摩擦處理會發生受到摩擦時產生之塵埃的污 染、摩擦對搭載有TFT型元件之透明基板產生靜電損傷， 及因上述情況造成製造良率降低之問題。因而需要採用非 接觸式之液晶配向技術，其中一種方法即是光配向處理 (專利文獻1)。 揭示於專利文獻1(USP.5604615)之技術，係對形成於透 明基板上之有機配向膜照射偏光紫外線，使構成有機配向 膜之为子因應紫外線之偏光方向而產生化學變化，碎此， 在有機配向臈上賦予液晶配向之方向性與預傾斜角之技 術。因此，藉由該技術可防止發生受到摩擦時產生之塵埃 的污染及對搭載TFT型元件基板產生靜電損傷，而可防止 製造良率之降低。 此外，目前之液晶顯示裝置為了擴大液晶顯示裝置之視 野角，或是為了補償以使用於液晶顯示裝置之二對基板夾 著液晶層之液晶胞的殘留相位差，而將具有稱為相位差板 之具有方位角延遲之層，在以二對基板夾著液晶層之液晶 胞與δ亥液晶胞之偏光板之間’如自光入射側，依序堆疊偏 116336-1000519.doc 1354842 光板、相位差板、液晶胞、相位差板及偏光板來進行。 如在液晶分子大致以90。扭轉配向之TN型之液晶胞中， 如專利文獻2(Japanese Patent Laid-open Hei 6-167707)所 示，即使改變視角’仍可抑制色調反轉。此外，在並行配 向液晶分子之常白型均勻配向之液晶胞中，如專利文獻 3(Japanese Patent Laid-open No. 255347/2003)所示，為了 補償液晶胞内之保留相位差而使用相位差板。即使是液晶 分子對液晶胞之板垂直地配向之所謂VA型之液晶胞，如 記载於專利文獻 4(Japanese Patent Laid-open Hei 11- 2 842) ’重視視角特性，藉由輕微實施摩擦，於接通（〇N) 時形成液晶分子倒下而稍微扭轉之構造。此時液晶分子不 對液晶胞完全垂直，因而在液晶胞内發生保留相位差。但 疋，由於該保留相位差不大，其影響比均勻配向時小，且 不易獲得相位差小之相位板，因此未進行相位差之補償。 【發明内容】 儘e光配向處理具有上述特長，迄今仍無實用化之例。 其因在於液晶顯示裝置之畫面以同一圖像長時間顯示， 接者停止顯示其圖像而例如進行全面灰顯示時，之前的圖 像仍保留而顯示之所謂殘影要比摩擦處理而獲得之液晶顯 不裝置更容易產生，作為顯示裝置而判斷為在實用上性能 不足* 該殘影之特徵為：在常閉之龜 *閉之顯不模式中，即使黑顯示 (不施加電壓之初始配向狀锥 』狀& )仍看侍見，這是因配向限制 層之配向限制力薄弱而甚斗 au**· 厚弱而產生。已知措由光配向處理而獲得 116336-1000519.doc 1354842 之液晶顯示裝置之錨定（Anchoring)強度只可獲得摩擦處理 之液晶顯示裝置之1/10〜1/100以下之值，光配向處理欲實 用化’必須獲得與摩擦同等之錨定（Anchoring)強度。 此外，用於擴大液晶顯示裝置之視野角，或是為了補償 以使用於液晶顯示裝置之二對基板夾著液晶層之液晶胞殘 留相位差之相位差板，通常不易獲得具有相位差為8〇 nm 以下之小相位差之相位板，因而液晶顯示裝置之成本高。 此外’如專利文獻 5(Japanese Patent Laid-open Hei 10-48627)等所記載，亦有使用uV可硬化液晶，而在液晶胞内 部形成相位差板之技術’但為了形成該相位板，一旦製作 UV可硬化液晶胞，於液晶層硬化後’就要追加剝離相對 基板之複雜步驟’因此製造出之液晶顯示裝置仍然價格 南。 因此，本發明之第一目的在於提供一種在藉由光配向處 理使配向膜配向之液晶顯示裝置中，抑制殘影之產生，而 可罪性兩之液晶顯示裝置及其製造方法。此外，第二目的 在於提供—種可以低成本製作相位差為80 nm以下之小相 位差層之液晶顯示裝置及其製造方法。 [解決問題之手段] 為了達成上述目的，本發明為了提高藉由光配向處理使 配向膜配向之液晶顯示裝置之錨定（Anchoring)強度，而著 艮於配向膜之雙折射各向異性’#由提高配向膜之方位角 延遲來改善殘影特性。本發明之液晶顯示裝置於第-發 月係’、有藉由光照射而配向之配向膜之液晶顯示裝置， 116336-1000519.doc 1354842 且前述配向膜具有1.0 nm以上之方位角延遲，錯定 (Anchoring)強度為 l.〇xl〇-3Jm_2以上者。 於第二發明，係具有配向膜之液晶顯示裝置，且該配向 膜為1.0 nm以上之方位角延遲值，錯定（Anchoring)強度為 1‘0x1 〇-3JnT2以上者。此種構造之液晶顯示裝置中，可形成 殘影程度低之液晶顯示裝置。 另外，該液晶顯示裝置在一對基板間具有液晶層而構 成，该配向棋以夾著液晶層之上下2個配向膜構成，再 者’ §亥配向膜係由藉由光照射而配向之配向膜構成者。該 配向膜係照射9·0 J/cm2以上之光之積分光量而構成。此種 配向膜適用於IPS型之液晶顯示裝置。 於第三發明，其特徵為：液晶顯示裝置中，在配向膜或 基板上之膜上具有1〜80 nm之方位角延遲值者。 [發明之效果] 如上述’本發明之第一發明與先前技術不同，可製造即 使藉由光配向處理仍不易發生殘影之液晶顯示裝置。
具體而§ ’ 一般之配向膜Π勃▲ >财A 门膘以熟知之聚醯亞胺為例，係在 模厚為U)0⑽程度之配向膜上實施摩擦處理，進行方位 延遲測定時（不含基板之殘留相位差），為03〜07⑽程 度。使用經過該配向處理之基板製造液晶顯示裝置， 行殘影評估。 具體而言， 示該圖案後， 消失。此時， 顯不圖8所元·» m y . 厅不之黑白方格圖案2小時，停止 立即進行全面里顯 * ，、顯不時，黑白方格圖案隨即 所S胃圖8之方； 圖案，係並列（8-1)之全面黑 H6336-1000519.doc 1354842 顯示與（8-2)之全面黑顯示之圖案。 另外，進行非接觸配向（光配向處理）時，使用方位角延 遲與摩擦相同程度之0.3〜0.7 nm之基板，同樣地製造液晶 顯示裝置進行殘影評估時，則容易發生殘影。相同程度之 膜厚中，方位角延遲之值為丨.0 nm以上時，方能達到丨〇χ l〇3Jm_2以上之錨定（Anchoring)強度，進行殘影試驗時， 與摩擦同樣地，殘影圖案消失。 如此，因配向處理而使所需要之方位角延遲之大小不同 的原因，係因為賦予配向膜之方位角延遲在深度方向的分 布係依配向處理而不同之故。亦即，摩擦處理時，由於摩 擦配向膜表面，因而在配向膜表面發生方位角延遲。另 外，光配向處理時，賦予配向性之光被配向膜吸收，而充 分到達配向膜之深度方向。 因而，在配向膜之剖面整個區域發生方位角延遲，而配 向膜表面之方位角延遲僅佔該全體方位角延遲之一部分。 特別疋，可以說以IPS方式可看到之配向性大小引起之殘 影，係受到配向膜表面之配向性而左右，光配向處理時， 為了不發生殘影，需要之方位角延遲之值比摩擦處理時 大。經發明人就方位角延遲之值與殘影關係一再仔細檢討 結果，發現第一發明所示之條件方能不致發生殘影。 本發明之第二發明與先前技術不同，可以低成本製造相 位差為80 nm以下之小相位差層。具體而言，係使用同一 膜厚中，藉由光照射而方位角延遲變大之配向膜，藉由調 整膜厚、照射光量及照射肖之加熱溫度，彳高度精密地製 116336-1000519.doc 1354842 造相位差為80 nm以下之任意之相位差層。 【實施方式】 以下，參照圖式說明實施本發明之最佳形態。但是本發 明可以許多不同之態樣來實施，熟悉本技術之業者自然瞭 解，在不脫離本發明之旨趣及其範圍内，可將其形態及細 節作各種變更。因此’不得解釋為本發明僅限定於本實施 形態記載之内容。 (實施例1) 圖1係說明本發明實施例1之IPS方式之液晶面板之剖面 構造與其軸構造之說明圖。圖1之（a)係構成IPS型之液晶顯 示裝置之液晶面板之剖面構造說明圖，且係在基板SUB 1 與SUB2之間夾著液晶層LC，在一方基板SUB2之主面上配 置彩色過濾器CF等之有機膜，並在其彩色過濾器CF上配 置有配向膜ORI2。此外，在基板SUB 1之主面上配置像素 電極PX與相對電極CT，進一步在其上方配置有配向膜 ORI1。 圖1之（b)係圖1之（a)所示之IPS方式之液晶面板之軸構造 說明圖。另外，圖1(b)中之α表示0〜360。之任意角度。再 者’軸之方向係表示自顯示側正面觀察顯示面板時之方位 角的方向者。另外’堆疊於液晶面板外面之一對偏光板， 亦即上部偏光板POL2及下側偏光板POL1，係以在液晶層 上未施加電場時之透過率比在液晶層LC上施加有電場時之 透過率低之方式而配置。如上側偏光板POL2及下側偏光 板POL 1經由液晶面板，而以各個偏光軸彼此正交之方式 116336-1000519.doc • 11 · 1354842 配置（所謂正交尼科耳配置）。 設於液晶面板下側所設之配向膜〇RL1之軸方向係以形 成與下側之偏光板之偏光軸平行（亦即〇。）之角的方式設 定；上側所設之配向膜ORI2之軸方向係以形成與上側之偏 光板之偏光軸垂直（亦即90。）之角的方式設定。液晶分子沿 著配向膜之軸方向排列。此時，液晶層之液晶面板之間隙 d與折射率各向異性Δη之乘積And(方位角延遲）之值，設定 於300〜400 nm(測定波長589 nm)之範圍。 藉由以上構造，在不施加電壓狀態下，自基板法線方向 觀察時之液晶層之方位角延遲最小，並藉由配置成正交尼 科耳狀態之上侧偏光板及下側偏光板而顯示黑。 在液晶層上施加充分高之電壓時，具有正之介電常數各 向異性之液晶分子，藉由向電極間所形成之電場方向傾 斜，與偏光板形成非0。之角度，自基板法線方向觀察時， 藉由液晶層之方位角延遲值而配置成正交尼科耳狀態之下 側偏光板POL1之光透過上側偏光板p〇L2，而顯示白。 對基板SUB2之彩色過濾器CF等有機膜之製造方法，及 基板SUB1之像素電極ρχ或相對電極CT之製造方法，如可 採用專利文獻 6(JapaneSe Patent Laid-open Hei 10-55000)等 之方法製作。在此等基板上印刷聚醯胺酸或聚醯亞胺之 6% N-甲基吡咯烷酮溶液，在23〇t>c下進行2小時之熱處 理，而形成100 nm程度膜厚之配向膜層〇RI2或〇Rn。其 上照射偏光，藉由光配向而賦予方位角延遲。 另外，使用之材料更宜為光分解型之光配向性聚醯亞胺 116336-10005l9.doc 1354842 (如分子量為4000〜100000)，二胺部位可使用BAPP ; 2,2-bis{4-(paraaminophenoxy)phenyl}propane，酸酐可使用 CBDA; 1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐等。 進行光配向用之偏光照射裝置，如可使用專利文獻 7(Japanese Patent Laid-open Hei 8-136935)之圖 2所示構造 之光學系統。 本實施例中，偏光源使用高壓水銀燈（HgHP)，藉由偏光 分離器將其射出光變換成具有指定之偏光方向之直線偏 光，並通過快門而在基板上之配向膜上照射該偏光。 此外，本實施例中，使用之偏光照射系統之照射能，以 波長254 nm換算，約為15 mW/cm2，在0〜18 J/cm2之積分 光量之範圍照射該直線偏光。另外，照射時，係將基板配 置於可加熱至150°C之熱板上予以加熱，同時進行照射。 在基板SUB1與SUB2之間夾著液晶層LC之方法等，配向 處理步驟以後之液晶顯示裝置之製造方法，如以專利文獻 6等中記載之一般方法來製作。 對以該方法製作之液晶顯示裝置，分解液晶顯示裝置， 測定基板SUB1及基板SUB2之方位角延遲與錨定 (Anchoring)強度。此時測定之方位角延遲，通常至多為 0.1 nm〜數nm之大小，因此需要高度精密之光學測定袭 置。 以下，首先說明方位角延遲之測定方法。圖2係測定本 發明中之方位角延遲用之配向膜微小雙折射測定系統之說 明圖。其構造係自光源輸出之單一波長光，通過配置成與 116336-1000519.doc •13- 1354842 光軸大致正交之入射侧偏光板、相位差板、測定樣本及透 過侧偏光板，而輸入光檢測器》 光源及光檢測器可使用市售之分光光度計，本實施例採 用曰立製雙光束型分光光度計U-3310(波長縫隙寬2 nm)。 測定樣本係就基板SUB 1及基板SUB2，自相鄰處各取兩 片。在分光光度計之樣本側，配置上述微小雙折射光學系 統’在參考側僅配置另一片相同規格之測定樣本。 偏光板需要偏光度高者’相位差板須為波長分散小者。 本實施例中’偏光板採用日東電工社製SEG1425DU，相位 差板採用將JSR社製之ARTON Film(l/2波長板）貼合於 CORNING社製玻璃Corning7059者。以入射側偏光板之偏 光軸與透過側偏光板之變更轴大致正交之方式配置（圖2中 為45與135。）’相位差板以分別對入射側偏光軸與透過側 偏光軸成為約45。之角度來配置（圖2中為〇。）。 測定樣本以在光程上垂直於光軸之面，安裝於可自由旋 轉之載台（如SIGMA(5)光機製旋轉載台），以配向軸對相位 差板約為0。之角度配置’在波長範圍4〇〇 nm至7〇〇 nm之 間，每1 run測定分光透過率，進一步以配向軸對相位差板 約為90°之角度配置，同樣地在波長範圍4〇〇 nm至7〇〇 nm 之間每1 nm測疋分光透過率，求出各個情況下分光透過 率極小時之波長。 ”人說月使用以上述微小雙折射測定系統而測定之對相 位差板配置於0°方向時之分光透過率為極小之波長及對 相位差板配置於9〇。方向時之分光透過率為極小之波長， 116336-1000519.doc 1354842 求出測定基板之方位角延遲之方法。 之單軸性薄膜時，透 以兩片偏光板夾著光軸平行於y抽 過光強度以公式（1)表示。 • · · · (1) d/λ。 且與光軸分別形成 公式（1)簡化成公式 I=I〇[cos2\)/-sin2(j)sin2((f)-xj/)sin2§/2] · 其中’ 為入射光強度，§=2πΔη . 如圖2所示，將上下之偏光軸正交， 45°之角度來配置時，ψ=9〇。，φ=45〇， (2)。 I=I〇sin2(7rAn · d/λ).....⑺ 透過光強度極小者為公式（3)之條件成立時。 πΔη · da=m (m=〇, 1，2, · · · ).....(3) 、使用公式（3)之關係時，從透過率極小波長（λ_)之測定 求出ΔϊΚΐ。由於本發明使用之相位差板係使用在波長55〇 咖近邊成為三次極小㈣）者’因此，公式⑺成為公式 (4) πΔη · ά/λ=3 _使用兩>1單㈣膜之相位差板之合成相位差，於光轴平 仃而堆疊時為兩者之和，此外，光軸正交*堆疊時為兩者 之j此時，將相位差板之Δη(1設為R，將測定基板之方位 角延遲設為r。將測定基板與相位差板之光軸與配向方向 ^行時之透過率極小波長設為λρ，與相位差板之光轴與配 獲得其次之公_、公式⑻。 式（4) R+r=〜· · · ·.⑸ 116336-10005i9.doc -15 - 1354842 ^-γ=3 .......(6) 藉由從公式（5)減去公式（6)而獲得公式⑺。 Γ=3(λρ-λχ)/2.....(?) 亦即，使用分光光度計測定峠與λτ時，自公式（7)求出 測定基板之方位角延遲^另外，由於尺與1>會受到波長影 響，因此’嚴格而言，公式⑺並不正碟。但是，微小相位 差之測定，由於λρ與λτ之值接近（至多為5〇11111程度），且相 位差板使用波長分散小之ART〇N Film，因此，大致可無 須考慮50 nm程度之波長差之方位角延遲受波長之影響， 公式（7)仍可適用。 其次，說明錨定（Anchoring)強度之測定方法。 為了測定錯定（Anchoring)強度，基板SUB 1及基板SUB2 分別製作均勻配向之液晶面板。本實施例製作基板大小為 25x50 mm，在基板長邊侧之兩邊線狀形成包含直徑1〇 μΓη 之玻璃纖維之熱硬化型密封材料之胞。 對該胞依以下順序測定錯定（Anchoring)強度。 (1) 在浸有液晶（Δη=0·26)之容器中，將製成之胞之短邊 側之一邊浸潰2 mm程度，而密封液晶》將密封完成之胞以 烤箱（設定溫度90 C)進行15分鐘陳化（Ageing)，自烤箱中 取出，室溫下放置一夜。
(2) 使用偏光顯微鏡測定上述胞之光學扭轉角（φΐ)。使用 之偏光顯微鏡為光源之光經由偏振器•測定樣本•檢偏 器，作目視觀察或輸出至光檢測器（浜松PHOTONICS製光 電子增倍管）之光學系統。經光檢測器檢測出之信號以A/D 116336-1000519.doc 16 1354842 轉換器（HUELETPACKARD製）進行數位輸出，可放入PC 中。偏振器及檢偏器可藉由步進馬達（最小驅動單位 0.005°)驅動，反覆進行每0.01°使偏振器旋轉，藉由4次調 整（Fitting)求出光強度為最小之角度，其次，每0.01°使檢 偏器旋轉，藉由4次調整求出光強度為最小之角度之作 業，求出透過率為最小之偏振器角度（Θ1)及檢偏器角度 (Θ2)，藉由公式（8)計算光學扭轉角（φΐ)。 φ = θ1+90-θ2.....(8) (3) 在與離心分離機之中心軸正交之方向固定胞，進行3 分鐘離心分離（500 rpm)，進一步藉由在胞内噴射高壓空 氣，而除去胞内之液晶。 (4) 將（1)項使用之Δη=0·26之液晶中，以間距成為46 μιη 之方式調整MERUKU製對掌性材料S-811之濃度而獲得之 液晶混合物，浸潰於容器中，將製成之胞之短邊側之一邊 浸潰2 mm程度，而密封液晶。將密封完成之胞以烤箱（設 定溫度90°C )進行15分鐘陳化，自烤箱中取出，室溫下放 置兩夜。 (5) 使用與（2)項相同之方法計算光學扭轉角（φ2)。 使用上述測定之不含對掌性時之光學扭轉角（φΐ)與含有 對掌性之光學扭轉角（Φ2)之資料，藉由公式（9)計算錨定 (Anchoring)強度（Αφ)。 Αφ = 2Κ2(2πά/Ρ-φ2)/ά8ίη(φ2-φ1).....(9) 圖9與圖10顯示本實施例製造之基板SUB1及SUB2之方位 角延遲與銷定（Anchoring)強度之測定結果。另外，此等圖 116336-1000519.doc -17- 式之積分光量在〇〜15 JW之範圍顯示。 圖9係顯㈣成配肖料㈣光之 遲之關係圖。圖10係顯示形 里/方位角延 ^ Λ 风配向膜時照射光之藉八止曰 ”錨定（Anchoring)強度之關係圖。 刀篁 其二人，對以實施例1之方 筋-国0 裟作之液晶顯示裝置，進行 顯不圖8所示之黑白方格圖 p w — 茶j時停止該顯示圖案，立 p進行全面黑顯示之殘 " 殘“失私度檢查。該檢查結果顯示 於圖11與圖12。 圖⑽顯示蚊（Aneh。咖g)強度與殘影消失程度之關係 圖：：12係顯示方位角延遲與殘影消失程度之關係圖。 菱y "肖失6度」之各數值係顯示各方位角延遲中殘影消 失之程度者’ 4:表示保留之圖像不消失，3 :表示在24小 時以内消失’ 2 :表示在2小時以内消失，ι :表示在％分 鐘以内消失’ 0 :表示立即消失。 表1’顯示彙整圖9〜圖12之測定結果表。 表1’ ILQ 延遲(Re) 錨定(Anchoring)強度(Αφ) LV 0.0 0.0 0.00 一 3.0 0.4 0.32 4 5.0 0,5 0.62 3 6.0 0.7 0.70 2 7.5 0.9 0.88 1 9.0 1.0 0.99 0 12.0 1.3 1.29 0 15.0 1.6 1.30 0 18.0 1.8 1.26 0 表1中，ILQ係積分光量，LV係依據官能試驗 116336-1000519.doc -18- 1354842 (organoleptic test)之殘影消失程度。如此等圖表所示破 認藉由光照射而形成之配向膜之方位角延遲與錫定 (Anchoring)強度對殘影消失有顯著影響。按照此次之測定 結果，方位角延遲為以以上，錯定（Anch〇ring)強度為〇" Jm以上而形成配向膜時，確認黑白方格圖案立即消失。 另外’該液晶顯示裝置之全面黑顯示中，不發生條紋狀 之亮度不均一。此外，以顯微鏡觀察液晶顯示裝置之基板 SUB1及基板SUB2之配向膜表面時，表面未發現傷痕。 按照以上之結果，本實施例須以方位角延遲為丨〇以 上，錨定（Anchoring)強度為0.99 JnT2以上之方式，來形成 配向膜。亦即，從該實施例瞭解，為方位角延遲係丨〇以 上’錫定（Anchoring)強度係1·〇 jm.2以上之配向膜時，可 獲得不發生殘影之液晶顯示裝置。 (比較例1) 配向膜之配向處理中，使用之偏光照射系統之照射能， 以波長254 nm換算時，約為15 mW/cm2，且以照射量為5 J/cm2之方式’調整照射時間來照射該直線偏光。另外， 照射時，將基板配置於可加熱至150t：之熱板上予以加熱 同時進行照射。其他之液晶顯示裝置製作方法與實施例丄 同樣地進行。 以比較例1之方法製作之液晶顯示裝置之基板sUB1及基 板SUB2之方位角延遲相同，而為〇7。 以比較例1之方法製作之液晶顯示裝置之基板SUB1及基 板SUB2之錨定（Anchoring)強度相同，而為62xl〇-4Jm·2。 116336-1000519.doc •19- 1354842 對以比較例1之方法製作之液晶顯示裝置，顯示黑白方 格圖案2小時，停止顯示該圖案後，立即進行全面黑顯示 時，確認全面黑顯示中，仍有若干黑白方格圖案之殘影。 (比較例2 ) 於配向膜之配向處理中，使用人造絲（Rayon)布（吉川加 工製YA- 19R)’以滾筒之旋轉數為500 rpm，滾筒之行進速 度為20 mm/秒，壓入量為〇.6 mm，進行摩擦處理》其他之 液晶顯示裝置之製作方法與實施例1同樣地進行。 以比較例2之方法製作之液晶顯示裝置之基板sub 1及 SUB2之方位角延遲相同，而為〇.7。 以比較例2之方法製作之液晶顯示裝置之基板sub 1及 SUB2 之錨定（Anchoring)強度相同，而為 llxl〇-4Jm-2〇 對以比較例2之方法製作之液晶顯示裝置，顯示黑白方 格圖案2小時，停止顯示該圖案後，立即進行全面黑顯示 時，黑白方格圖案立即消失。但是，在該液晶顯示裝置之 全面黑顯示中發生條紋狀之亮度不均一。以顯微鏡觀察液 晶顯示裝置之基板SUB1及基板SUB2之配向膜表面時，發 現表面有摩擦造成之條紋狀傷痕。此外，在數處發現無法 顯示像素之一部分之瑕疲。 將以上實施例、比較例之實驗結果彙整於表1。 (表1) 116336-1000519.doc -20· 1354842 表1 配向膜厚 照射光量 溫度 延遲 錫定 (Anchoring) 強度 殘影評估結果 實施例1 100 nm 9 J/cm2 150°C 1.0 nm l.OxlO'W2 立即消失 比較例1 100 nm 5 J/cm2 150°C 0.7 nm ό^χΙΟ^πι·2 保留殘影 比較例2 100 nm (摩擦處理） - 0.7 nm l.lxlO'3Jm·2 立即消失 (實施例2) 實施例2中，係對製造彩色過濾器CF等有機膜之基板 SUB2，及形成有像素電極PX、相對電極CT之基板SUB1， 在此等基板上，以旋轉塗布法塗布聚醯胺酸或聚醯亞胺之 6% N-曱基吡咯烷酮溶液，在230°C下進行2小時之熱處 理，而形成100 nm膜厚之配向膜層ORI2或0RI1。配向膜 之配向處理中，使用以波長254 nm換算約為1 5 mW/cm2之 光強度之偏光照射系統，且以照射量為20 J/cm2之方式， 調整照射時間來照射該直線偏光。另外，照射時，將基板 配置於可加熱至150°C之熱板上予以加熱同時進行照射。 其他之液晶顯示裝置製作方法與實施例1同樣地進行。 以實施例2之方法製作之液晶顯示裝置之基板SUB 1及 SUB2之方位角延遲相同，而為2.1。 (實施例3) 實施例3中，係對製造彩色過濾器CF等有機膜之基板 SUB2，及形成有像素電極PX、相對電極CT之基板SUB1， 在此等基板上，以旋轉塗布法塗布聚醯胺酸或聚醯亞胺之 116336-1000519.doc -21 - 1354842 8% N-曱基吡咯烷酮溶液，在230 °C下進行2小時之熱處 理’而形成200 nm膜厚之配向膜層〇Ri2或〇rii。配向膜 之配向處理中’使用以波長254 nm換算約為15 mW/cm2之 光強度之偏光照射系統’且以照射量為1 5 J/cm2之方式， 調整照射時間來照射該直線偏光❶另外，照射時，將基板 配置於可加熱至200°C之熱板上予以加熱同時進行照射。 其他之液晶顯示裝置製作方法與實施例1同樣地進行。 以實施例3之方法製作之液晶顯示裝置之基板sub 1及 SUB2之方位角延遲相同，而為54。 (實施例4) 實施例4中’係對製造彩色過濾器CF等有機膜之基板 SUB2 ’及形成有像素電極Px、相對電極之基板SUB1， 在此等基板上，以旋轉塗布法，且在低速旋轉條件下塗布 聚酿胺酸或聚醯亞胺之8% N-甲基吡咯烷酮溶液，在230°C 下進行2小時之熱處理，而形成約〇5 μηι膜厚之配向膜層 ORI2或ORU。配向膜之配向處理中’使用以波長254 nm 換算約為15 mW/cm2之光強度之偏光照射系統，且以照射 量為30 J/cm2之方式’調整照射時間來照射該直線偏光。 另外，照射時’將基板配置於可加熱至2〇〇〇c之熱板上予 以加熱同時進行照射。其他之液晶顯示裝置製作方法與實 施例1同樣地進行。 以實施例4之方法製作之液晶顯示裝置之基板suB丨及 SUB2之方位角延遲相同，而為119。 (實施例5) H6336-1000519.doc 22- 1354842 實施例5中’係對製造彩色過濾器CF等有機膜之基板 SUB2 ’及形成有像素電極ρχ、相對電極ct之基板SUB1， 在此等基板上，以旋轉塗布法，且在低速旋轉條件下塗布 聚醯胺酸或聚醯亞胺之1 〇% N_甲基吡咯烷酮溶液，在23〇 C下進行2小％之熱處理，而形成約1〇 μιη膜厚之配向膜 層ORI2或ORI1。配向膜之配向處理中，使用以波長254 nm換算約為15 mW/cm2之光強度之偏光照射系統，且以照 射量為60 J/cm2之方式’調整照射時間來照射該直線偏 光。另外’照射時，將基板配置於可加熱至200〇c之熱板 上予以加熱同時進行照射。其他之液晶顯示裝置製作方法 與實施例1同樣地進行。 以實施例5之方法製作之液晶顯示裝置之基板suB i及 SUB2之方位角延遲相同，而為2〇 3。 (實施例6) 實施例6中’係對製造彩色過濾器CF等有機膜之基板 SUB2 ’及形成有像素電極ρχ、相對電極之基板suBl， 在此等基板上’以旋轉塗布法，且在低速旋轉條件下塗布 I酿胺酸或聚醒亞胺之丨〇% N_甲基吨嘻院酮溶液，在23〇 C下進行2小時之熱處理，而形成約丨· 〇 μπι膜厚之配向膜 層ORI2或ORI!。配向膜之配向處理中，使用以波長254 nm換算約為15 mW/cm2之光強度之偏光照射系統，且以照 射量為60 J/Cm2之方式，調整照射時間來照射該直線偏 光。另外’照射時’將基板配置於可加熱至2〇〇〇c之熱板 上予以加熱同時進行照射。 116336-1000519.doc •23- 1354842 在此等基板上，進一步以旋轉塗布法，且在低速旋轉條 件下塗布聚醯胺酸或聚醯亞胺之10% N-甲基吡咯烷酮溶 液，在230°C下進行2小時之熱處理，而形成合計約2.0 μιη 膜厚之配向膜層ORI2或ORI1。配向膜之配向處理中，使 用以波長254 nm換算約為15 mW/cm2之光強度之偏光照射 系統，且以照射量為60 J/cm2之方式，調整照射時間來照 射該直線偏光。另外，照射時，將基板配置於可加熱至 200°C之熱板上予以加熱同時進行照射。其他之液晶顯示 裝置製作方法與實施例1同樣地進行。 以實施例6之方法製作之液晶顯示裝置之基板SUB 1及 SUB2之方位角延遲相同，而為41.3。 將以上之實施例、比較例之實驗結果彙整於表2。 (表2) 表2 配向膜材 配向膜厚 照射光量 溫度 處理次數 延遲 殘影評估結果 實施例1 BAPP/CBDA 100 nm 9 J/cm2 150°C 1次 1.0 nm 立即消失 實施例2 BAPP/CBDA 100 nm 20 J/cm2 150°C 1次 2.1 nm 立即消失 實施例3 BAPP/CBDA 200 nm 15 J/cm2 200°C 1次 5.4 nm 立即消失 實施例4 BAPP/CBDA 0.5 μιη 30 J/cm2 200°C 1次 11.9 nm 立即消失 實施例5 BAPP/CBDA 1.0 μιη 60 J/cm2 200°C 1次 20.3 nm 立即消失 實施例6 BAPP/CBDA 2.0 μιη 60 J/cm2 200°C 2次 41.3 nm 立即消失 藉由調整上述配向膜之具有藉由偏光照射而生成方位角 延遲性質之有機膜之膜厚、照射光量及照射時之加熱溫 度，可高度精密地製作相位差在1 〇〇 nm以下之任意之相位 116336-1000519.doc •24- 1354842 差層。另外，實施例2〜6之基底基板係使用IPS用之基板， 不過，由於方位角延遲之生成’與基底基板無關，而僅與 具有错由偏光照射而生成方位角延遲之性質之有機膜層有 關’因此不限定於IPS用’即使在TN用、VA用及均勻配向 用等其他所有方式中，自然均可適用。實施例之偏光 照射而獲得之方位角延遲可運用各種方法。以下顯示實施 例7〜12之例之一部分。 (實施例7) 圖3係說明構成說明本發明實施例7之tn方式液晶顯示 裝·置之液晶面板剖面構造之模式圖。圖3中，該TN方式之 液晶面板（亦稱為TN液晶胞或僅稱TN胞）之構造，係在玻 璃等絕緣支撐體（以下稱基板）SUB1，SUB2之主面間夾著液 晶層LC，在一方基板SUB 1之主面上配置有配向膜〇RI i。 此外’在另一方基板SUB2之主面上配置有彩色過濾器CF 等之有機膜，在其彩色過濾器CF上配置有以相對電極CT 為代表之電極膜、及配向膜0RI2。另外，在一方之基板 SUB 1的主面上配置有像素電極ρχ，在外面堆疊偏光板 POL 1，並依需要配置相位差板PS2。此外，在另一方基板 SUB2之外面亦堆疊偏光板P0L2，並依需要配置相位差板 PS2 ° 實施例7係在圖3之構造中’藉由配置於一方基板SUB 1 之配向膜ORI1及彩色過濾器CF等之有機膜，對配置於另 一方基板SUB2之配向膜ORI2賦予延遲，而構成賦予希望 值之延遲之液晶顯示裝置者。 116336-1000519.doc -25· 1354842 圖4係說明構成圖3所示之TN方式之液晶顯示裝置之液 ΒΒ面板之軸構造圖。圖4之（a)與圖3相同，係說明ΤΝ方式 之液晶面板之圖’圖4之（b)係說明圖4之（a)之各構造層之 光學軸之關係圖。 錯由圖4說明各構造與軸之關係。設於液晶胞外側之一 對偏光板，亦即上側偏光板P0L2及下側偏光板p〇L1係以 在液晶層LC上不施加電場時之透過率比在液晶層lc上施 加電場時之透過率高之方式配置。如上側偏光板p〇L2& 下側偏光板POL 1係以經由液晶胞，而各個偏光轴彼此正 交之方式配置（所謂正交尼科耳配置）^亦即，圖2所示之液 晶顯示裝置係以所謂常白模式（以下亦稱為「NW模式」） 進行顯示。 在液晶層LC上施加充分高之電壓時，具有正介電各向 異性之液晶分子對基板面幾乎垂直地配向，自基板法線方 向觀察時之液晶層之延遲非常小，幾乎無透過配置成正交 尼科耳狀態之上側偏光板p〇L2及下侧偏光板p〇L丨之光， 而顯示黑。 没於液晶胞上侧與下側之配向膜〇RI2與〇RI丨之軸方 向，設定成分別與相同基板側之偏光板之偏光軸平行。此 外，至少一側基板（此時為另一方之基板上形成有彩 色過濾器CF等之有機膜。此時，在上下基板合併之兩層配 向膜層及有機膜層上賦予2〜2〇〇 nm之延遲（測定波長：589 nm) 〇 藉由此種配向處理’液晶層Lc之液晶分子大致扭轉9〇。 116336-1000519.doc -26 - 1354842 而排列。而該液晶胞之缝隙d及折射率各向異性Δη之乘積 △nd(延遲）之值設定於35〇〜4〇〇 nm(測定波長：589 nm)之範 圍。如此，圖4之構造如（b-丨）所示，配置成相位差軸對上 偏光板之偏光轴平行或正交《此外，如（b2)所示，配置成 相位差軸對下偏光板之偏光轴平行或正交。另外，上偏光 板之偏光軸與下偏光板之偏光轴配置成彼此正交（b_3)。 其次說明在此種TN方式之液晶面板上賦予延遲之方 法。 在配向膜上以旋轉塗布等印刷包含聚醯亞胺之配向膜材 料，藉由在230 C下燒成2小時，而形成3〇〜3〇〇〇 nm程度膜 厚之層’其上照射偏光’藉由光配向而賦予延遲。另外， 使用之材料更宜為光分解型之光配向性聚醯亞胺（如分子 量為 4000〜100000)，二胺使用 BApp ; 22bis{4_ (paraaminophenoxy)phenyl}pr〇pane .酸酐使用 CBDA ; 1，2,3,4-環丁烷四羧酸二酐等。 此外，形成於配向膜基底之有機膜上，形成包含丙烯 基、環氧之彩色過濾器、保護膜或光分解性之聚醯亞胺 膜0 進行光配向用之曝光裝置，可使用專利文獻7之圖2所示 構造之光學系統。偏光源使用高壓水銀燈（Hgfjp)，其射出 光藉由偏光分離器等，而轉換成具有指定之偏光方向之直 線偏光。該偏光通過快門到達遮罩，而以透鏡照射基板上 之下層配向膜。使該直線偏光在波長254 nm$曝光約3〇分 鐘。曝光時之照射此約為15 mW/cm2。另外，藉由調整美 116336-1000519.doc -27- 1354842 底有機膜之膜厚或有無基底有機膜及光照射量，可獲得希 望之延遲。將實施例7獲得之基板之延遲註記於表2中。 如此可以賦予希望值之延遲之液晶面板構成TN方式之 液晶顯示裝置。可確認延遲愈大，改善效果愈顯著。 (實施例8) 圖5顯示說明本發明實施例8之均勻型液晶面板之剖面構 造圖。與圖3相同符號表示相同功能部分。常白型之均勻 配向液晶顯示裝置中’在其液晶層LC上施加充分高之電壓 時’具有正介電各向異性之液晶分子對基板面幾乎垂直地 配向’自基板法線方向觀察時之液晶層LC的延遲非常小， 幾乎無透過配置成正交尼科耳狀態之上側偏光板p〇L2及 下側偏光板POL 1之光，因而顯示黑。 但是，由於存在於配向膜0RI1，ORI2表面近旁之液晶層 LC之液晶分子上’自配向膜作用有強之配向限制力（固定 效果），因此，以通常之主動矩陣型液晶顯示裝置使用之 5V程度之電壓’此等液晶分子之配向不變化。亦即，即使 在施加有進行黑顯示用之電壓狀態下，仍然存在保持與基 板面平行地配向之液晶分子，該液晶分子對垂直於液晶層 LC而入射之光顯示有限之（並非零）延遲。該延遲稱為殘留 延遲，其大小依液晶材料而定，不過通常為2〇 nm程度。 殘留延遲造成黑顯示狀態中之光洩漏（以下亦稱為「黑漂 浮」），而使對比降低。 圖5中之構造係在基板SUB 1與SUB2之主面間夾著液晶， 在一方支撐體上配置有彩色過濾器CF等之有機膜，在其彩 116336-1000519.doc •28- 1354842 色過濾器CF上配置有相對電極CT等之電極膜及上側配向 膜0RI2。此外，在另一個下側基板SUB i之主面上配置有 下側配向膜0RI1。 實施例8係構成在上述圖5所示之面板構造中，藉由在配 置於一方基板之配向膜及彩色過濾器等有機膜，及配置於 另一方基板之配向膜上賦予延遲，而賦予希望值之延遲之 液晶顯示裝置者。 圖6係顯示說明本發明實施例8用之圖5所示之均勻配向 型之液晶面板之軸構造圖。圖6(&)係與圖5相同之液晶面板 之剖面構造，圖6之（b)係圖6(a)之軸構造之說明圖。圖6之 (b)中之「轴l-a-l(i)」表示配向軸與相位差之方向大致水 平之情況，「軸l-a-l(ii)」表示配向軸與相位差之方向大致 正父之情況。另外，將配向軸與相位差之方向大致正交 時，如實施例6所示，可藉由將形成相位差之層數次成 膜，在最表層與其他之層上’使照射光之方向大致正交來 實現。 設於液晶面板外面之一對偏光板，亦即上側偏光板 P0L2及下側偏光板p〇Ll，係以液晶層[(：上不施加電場時 之透過率比在液晶層LC上施加電場時之透過率高之方式配 置。如上側偏光板P0L2及下側偏光板p〇L 1係經由液晶面 板，而各個偏光軸彼此正交而配置（所謂正交尼科耳配 置）。 設於液晶面板上側與下側之配向膜〇RI2與〇RI丨之軸方 向’各個設定成與相同基板側之偏光板之偏光轴構成45。 116336-1000519.doc -29· 1354842 之角度。液晶層LC之液晶分子以與偏光板之偏光轴形成 45°之角度排列。此時液晶層之液晶面板LC之縫隙d與折射 率各向異性Δη之乘積And(延遲）之值，設定於350〜400 nm(測定波長：589 nm)之範圍。 如圖6之（b-3)所示’配置於液晶層之上偏光板p〇L2側之 配向膜ORI2之配向轴配置成對相位差轴正交。此外，如 (b-4)所示，配置於液晶層之下偏光板p〇Li側之配向膜 ORI1亦配置成對相位差轴正交。另外，配置成配向膜 ORI2之配向軸之方向與有機膜相位軸之方向相同（b 5)。 藉由以上之構造，在不施加電壓狀態下，自基板法線方 向觀察時之液晶層之延遲最大，並藉由透過配置成正交尼 科耳狀態之上側偏光板及下侧偏光板之光而顯示白。 在液晶層上施加充分高之電壓時，具有正介電各向異性 之液晶分子對基板面幾乎垂直地配向，自基板法線方向觀 察時之液晶層之延遲非常小，而幾乎無透過配置成正交尼 科耳狀態之上側偏光板及下側偏光板之光，因而顯示黑。 此外，至少在一側基板上形成有彩色過濾器等有機膜。 *亥有機膜之一部分以具有藉由偏光照射而產生方位角延遲 之性質之有機膜層構成，如圖ό之（b)中之「軸卜a-i(i)」， 軸配置成配向軸與相位差之方向大致水平。該有機膜以參 照實施例6之方法製作，方位角延遲為41 3 nm。此外在 該層上參照實施例5之條件而形成配向膜。因而該基板 SUB2之方位角延遲為61 6 。基板81181上，具有藉由偏 光照射而產生方位角延遲之性質之有機膜層僅為配向膜， 116336-1000519.doc 1354842 且方位角延遲為20.3 nm。 賦予延遲之基板之效果：在液晶層上施加充分高之電壓 時’具有正介電各向異性之液晶分子對基板面幾乎垂直地 配向，自基板法線方向觀察時之液晶層之延遲非常小，幾 乎無透過配置成正交尼科耳狀態之上側偏光板p〇L2及下 側偏光板POL 1之光，因而顯示黑。 但是，由於存在於配向膜表面近旁之液晶分子上，自配 向膜作用有強之配向限制力（固定效果），因此，以通常之 主動矩陣型液晶顯不裝置使用之5V程度之電壓，此等液晶 分子之配向不變化。亦即，即使在施加有進行黑顯示用之 電壓狀態下，仍然存在保持與基板面平行地配向之液晶分 子。該液晶分子對垂直於液晶層而入射之光顯示有限之 (並非零）延遲。該延遲稱為殘留延遲，其大小依液晶材料 而疋，不過通常為20 nm程度。殘留延遲造成黑顯示狀態 中之光洩漏（以下亦稱為「黑漂浮」），而使對比降低。 為了補償a亥相位差，只須在外部貼合與殘留方位角延遲 之方向正交之相位差板即可。但是，需要之方位角延遲值 小達20 nm程度，另外，以貼合於外部之相位差板製作方 位角延遲值小達2〇 nm者困難。但是本實施例之基板SUB2 具有61.6 nm之方位角延遲，基板suBl具有20.3 nm之方位 角延遲。由於液晶之殘留方位角延遲與配向膜之配向方向 相同，因而液晶胞全體之方位角延遲成為1〇211111，藉由 配置成將可輕易獲得該值之方位角延遲之丨〇2 nm之相位差 板與液晶胞之相位差轴方向大致正交即可抵銷，因而可抑 116336-1000519.doc •31· 丄妁4842 制光洩漏。 (實施例9) 對實施例8，基板SUB2之有機膜之一部分以具有藉由偏 光照射而產生方位角延遲之性質之有機膜層構成，如圖6 之（b)中之「軸i-a_i(ii)」所示，軸配置成配向軸與相位差 之方向大致正交。該有機膜以參照實施例5之方法製作， 方位角延遲為20·3 nm。此外，在該層之上，以參照實施 例1之條件，相位軸對下層有機膜大致正交之方式形成配 向膜》 液晶之殘留方位角延遲與配向膜之配向方向相同，與配 白膜之方位角延遲合併時成為22.3 nm。但是，由於係以 與其正交之方式而在有機膜層上形成2〇·3 nrn之方位角延 遲，因此，液晶胞全體之方位角延遲減少為2 3 nm，因而 可抑制光泡漏。 (實施例10) 圖7顯示垂直配向方式之液晶面板之剖面構造圖。圖7中 之與前述實施例相同之符號對應於相同之功能部分。垂直 配向（VA)方式之液晶面板雖不需要配向膜，但是無配向膜 而液晶完全垂直地配向時’於施加電壓時之液晶驅動方向 不同’而發生磁疇（Domain)。因此宜配置配向膜來進行配 向處理。但是’進行該配向處理係在初始配向狀態下，液 晶層具有預傾角’由於延遲不得為〇，因而發生光洩漏， 亦有對比降低之問題。 圖7中之構造係在一對基板間夾著液晶層，在一方基板 116336-10005I9.doc •32- 1354842 SIJB2之主面上配置彩色過濾器以等有機膜，並在其彩色 過遽IsCF上配置有相對電極等電極膜及配向膜〇RI2。此 外，在另一方基板SUB1之主面上配置有像素電極ρχ及配 向膜0RI1 » 實仏例1 〇係構成在此種圖7之構造中，在配置於一方基 板之配向膜及彩色過濾器等有機膜，及配置於另一方基板 之配向膜上’藉由賦予延遲而賦予希望值之延遲之液晶顯 示裝置。 此種賦予VA型之液晶顯示裝置之方位角延遲之方法， 可採用與前述實施例1〜6相同之方法。此時軸配置成配向 軸與相位差之方向大致水平。基板SUB1及基板SUB2上具 有41_3 nm之方位角延遲。由於配向膜層進行極輕微之配 向處理，因此幾乎不發生方位角延遲。液晶層之殘留方位 角延遲為2〜3 nm程度，形成於配向軸方向之方位角延遲合 計為85 nm。該值之方位角延遲藉由將可輕易獲得之85 nm 之相位差板配置成與液晶胞之相位差軸方向大致正交即可 抵銷，而可抑制光洩漏。 (實施例11) 對實施例10，基板SUB2之有機膜之一部分以具有藉由 偏光照射而產生方位角延遲之性質之有機膜層構成，軸配 置成配向轴與相位差之方向大致正交。該有機膜以參照實 施例1之方法製作’方位角延遲為2 nm。此外，在該層之 上，以相位輛對下層有機膜大致正交之方式形成配向臈。 由於配向膜層進行極輕微之配向處理，因此幾乎不發生方 116336-1000519.doc -33· 1354842 位角延遲。 液曰曰之殘留方位角延遲與配向膜之配向方向相同，與配 :膜=方位角延遲合併時成為2〜3 nm。但是由於係二與 其正交之方式而在有機膜層上形成2 nm之方位角延遲，因 液aa胞全體之方位角延遲減少為1 ，因而可抑制光 洩漏。 (實施例12) 參照圖1說明本發明之實施例12。由於IPS方式之液晶面 板係配置成配向膜之配向軸與偏光板之偏光轴一致，因此 即使配向膜層上有相位差，仍可忽略其影響。但是，實際 上不易使配向軸與偏光軸之角度完全一致，具有相位差之 配向軸因對應於偏光軸之轴偏差角之相位差而造成光洩 漏，並造成對比降低。該配向膜具有之殘留相位差通常小 達1 nm以下，以堆疊於基板外面之相位差板作修正極為困 難。 構成圖1之（a)所示之IPS型之液晶顯示裝置之液晶面板之 剖面構造中’在基板SUB1與SUB2之間夾著液晶層LC，在 一方之基板SUB2之主面上配置彩色過濾器CF等有機膜， 其彩色過濾器CF上配置有配向膜ORI2。此外，在基板 SUB1之主面上配置像素電極ΡΧ與相對電極ct，進一步在 其上方配置有配向膜ORI1。 實施例12係構成在此種剖面構造中，在配置於一方基板 之配向膜及彩色過濾器等有機膜，及配置於另一方基板之 配向膜上，藉由賦予延遲而賦予希望值之延遲之液晶面板 116336-1000519.doc •34- 1354842 者。 圖1之（b)所示之IPS方式之液晶面板之軸構造中，堆愚於 液晶面板外面之一對偏光板，亦即上側偏光板p〇L2及下 側偏光板POL 1係以不在液晶層上施加電場時之透過率比 在液晶層LC上施加電場時之透過率高之方式配置。如上側 偏光板POL2及下側偏光板P0Li係以經由液晶面板而各個 偏光軸彼此正交之方式配置（所謂正交尼科耳配置）。 設於液晶面板上側與下側之配向膜ORJ2與〇RI 1之轴方 向’为別以形成與相同基板側之偏光板之偏光軸平行（亦 即0°)之角的方式設定。液晶分子沿著配向膜之轴方向排 列。此時’液晶層之液晶面板之間隙d與折射率各向異性 Δη之乘積And(延遲）之值，設定於350〜400 nm(測定波長 589 nm)之範圍。 藉由以上構造’在不施加電壓狀態下，自基板法線方向 觀察時之液晶層之延遲最小，並藉由透過配置成正交尼科 耳狀態之上側偏光板及下側偏光板之光而顯示黑。 在液晶層上施加充分高之電壓時，具有正之介電各向異 性之液晶分子，藉由向電極間所形成之電場方向傾斜，與 偏光板形成非0。之角度’自基板法線方向觀察時，藉由液 晶層之延遲值而配置成正交尼科耳狀態之下側偏光板 POL1之光透過上側偏光板p〇L2，而顯示白。 此種賦予IPS型之液晶顯示裝置之方位角延遲之方法， 可採用與前述實施例1〜6相同之方法。此時轴配置成配向 軸與相位差之方向大致水平。基板SUB1及基板SUB2上， 116336-1000519.doc •35· 1354842 藉由參照實施例2之方法進行光照射，而具有2 nm之方位 角延遲。 該有機膜之相位差轴，因光照射裝置之裝置上的問題， 對原本之設計值向左偏移〇.5。。配向膜層藉由參照實施例1 之方法進行光照射，而具有1 nm之方位角延遲。光照射 時’藉由使投入之基板之輸送方向與有機膜時相反，配向 膜之配向軸對原本之設計值向右偏移〇5。。液晶層之殘留 方位角延遲為2〜3 nm程度’形成於配向軸方向之方位角延 遲合計為5 nm，不過，藉由有機膜層方向之方位角延遲， 抵銷對配向方向垂直之方向之方位角延遲，因而可抑制光 洩漏。 如以上所述，可製造即使藉由光配向處理仍不易發生殘 影之液晶顯示裝置。此外，亦可使用於形成各種方位角延 遲值之相位差之方法，且可有效運用於減少各種液晶胞之 光茂漏。 【圖式簡單說明】 圖1(a)、（b)係說明本發明實施例式之液晶面板 剖面構造與其抽構造之說明圖。 圖2係測定本發明十之方位角延遲用之配向膜微小雙折 射測定系統之說明圖。 圖3係說明構成說明本發明 之實施例7之TN方式液晶顯 示裝置之液晶面板剖面構造之模式圖。
圖4A B係說明構成圖3所示之TN方式液晶顯示裝置之 液晶面板之軸構造之說明圖。 I16336-10005I9.doc • 36 - 1354842 圖5係顯示說明本發明實施例8之均勻型液晶面板之剖面 構造圖。 圖6A、B係顯示說明本發明實施例8用之圖5所示之均勺 配向型液晶面板之軸構造圖。 圖7係顯示垂直配向方式之液晶面板之剖面構造圖。 圖8係顯示黑白方格圖案之圖。 圖9係顯示形成配向膜時照射光之積分光量與方位角 遲之關係圖。 延 圖10係顯示形成配向膜時照射光之積分光量與錨^ (Anchoring)強度之關係圖。 田疋 失程度之關係 圖11係顯示錨定（Anchoring)強度與殘影消 圖。 圖12係顯示方位角延遲盥殘影洁 您，、坟〜咱失程度之關係圖 【主要元件符號說明】 CF CT LC ORI1, ORI2 POL1 POL2 PS2 PX SUB1，SUB2 彩色過濾器 相對電極 液晶層 配向膜 下側偏光板 上部偏光板 相位差板 像素電極 基板 116336-1000519.doc •37·