TWI354657B - Fabricating method of photo active epoxy compound - Google Patents

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Tsutomu Katsuki
Kazuhiro Matsumoto
Yuji Sawada
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Description

1354657 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於-種光學活性環氧化合物的製造方去以 及使用該方法的錯體及該錯體的製造方法；更詳細而二， 本發明是_-種將具有特定結構之Ti錯體作為觸媒。 分子中具有碳·碳雙鍵之前手性化合物進行不轉環氧化 反應，而製造光學活性環氧化合物之方法。 、平 【先前技術】 光學活性環氧化合物，作為以對高血壓，哮喘等的治 療有效之光學活性苯並吼喃（benZ〇pyran)化合物為代表的 各種醫樂中間體得到廣泛使用，從而該光學活性環氧化合 物之各種合成方法受到業界廣泛研究。於相關之合成方法 中’不對稱環氧化反應為最實用之方法，又，自發現使用 酒石酸鈦作為觸媒之不對稱環氧化反應以來（參照 T.ICatsuki ’ K.B.Sharpless，LAm.Chem.Soc. 1980，102， 5974-5796) ’業界不斷開發出各種使用不對稱環氧化之合 成方法（參照 E.N.Jacobsen，M.H.Wu，In‘‘Comprehensive Asymmetric Catalysis”Ed by Jacobsen，Ε_Ν· ; Pfajtz，A.; Yamamoto，H.Springer(1999)，第 Π 卷，第 21 章，649-677 頁.以及 T.Katsuki，In“Comprehensive Coordination Chemistry Π，，Ed.by McCleverty,J.,Elsevier Science Ltd.，Oxford，2003，第 9 卷，第 9.4 章，207-264 頁）。 然而’該等合成方法中’較多使用過氧丁醇 (butylhydroperoxide)、次氯酸鹽、亞辨醯苯等原子效率較 低之氧化劑之方法，鞏去审 浓較高且;〜者更加相η财岐用原子效 :“队於壞境的氧化劑之合
中，過氧化氫不僅原子畤本古^ 万、谷種乳化片J 成水，故而其是有胁奸於氧原子移動後僅生 =為丨砂稱環氧化反應得職界不斷的精心研 :九’但可=映選擇性地獲得環氧化之例卻微乎其微(參照 • u Y.Shi > Tetrahedron > 2001 , 57 > 5213-5218 ^ S.C*麵，H.M感ari，s.Banfi，s Jujia，j Ma議， A.AWa丨ez，Tetrahedron ’ 1983，39，1635·164])，又於 多數情形時存在觸媒循環數不充分之問題。 另一方面，本發明者們發現(aRRA，aRRA)_二卞-氧 鈦(錯，物(salen))錯體’·,作為將尿素_過氧化氫加成物(UHp) 用作氧化劑之不對稱磺化氧化反應之觸媒較為優異（參照 B.Saito 5 T.Katsukl > Tetrahedron Lett. > 2001 j 42 5 3873-3876.)。然而’上述(aRRA ; aRRA)二_μ_氧敛(錯合 物)錯體，，可用於高對映選擇性地氧化各種硫化物，但無法 使細fe之壤氧化反應進行。 【發明内容】 -於如此狀況下，本發明之目的在於！為解決上述先前 技術問題，·而提供一種有用的光學活性環氧化合物之工業 製造方法以'及於該方法中用作觸媒之錯體。又，本發明之 其他目的在於提供一種上述錯體之新穎製造方法。 本發明者們為實現上述目的而進行銳意研究，結果發 現：可藉由將錯合物配位基(salen ligand)之2個亞胺基 1354657 (imino group)鍵内之至少一個於反應系統中加以還原後， 經過自我組織化所獲得之二-μ-氧鈦錯體用作觸媒，而高對 映選擇性地進行以過氧化氫為氧化劑之烯烴環氧化反應， 進而，觸媒循環數亦非常高，由此完成本發明。 即，本發明之光學活性環氧化合物的製造方法之特徵 在於：使用以下述式（I)、式（I，）、式(II)、式(ΙΓ)、式(III)、 式(III，）、式(IV)及式(IV，）中任一式所表示之錯體(以上述式 所表示之單體及由其所衍生出之二-μ-氧-二聚物）作為觸 媒，並將以下述式(V)所表示之不飽和化合物以氧化劑進行 不對稱環氧化處理，而製造出如下述式(VI)所表示之光學 活性環氧化合物，
-10- 1354657
、 ·.· Qv7 ) 別獨立為垸基(alkyl)或芳基(aryi);R2分 子i基、烧氧基她oxyg卿）、硝基⑽r。g或= (cyan0 gr〇up); M 為 TiY2(於此，γ 為 c 氧 ς (alkoxide)，或μ-氧配位基)] 羊1^匕物
R5-CH=CH-R6...(V) I.式中，R5及R6是相互不同之一價基或氫原子]
…CVI) [式中，R5及R6與上述定義相同]。 1354657 於本發明光學活性環氧化合物的製造方法之合適例 中，上述式中2個R3相互鍵結成四亞曱基(tetramethylene group)。 於本發明光學活性環氧化合物的製造方法之其他合適 例中，上述錯體是以上述式（II)、式（II’）、式（III)或式（II Γ) 表示。
於本發明光學活性環氧化合物的製造方法之其他合適 實例中，上述式中之R1為2-芳基萘基（2-aryl group-l-naphthyl group)或苯基(phenyl group) 〇 於本發明光學活性環氧化合物的製造方法之其他合適 實例中，上述Y為μ-氧配位基。於此情形時，以上述式（I)、 式（Γ)、式（II)、式（II，）、式（III)、式(ΙΙΓ)、式(IV)及式(IV，) 中任一者所表示之錯體為鈦雙核錯體。 於本發明光學活性環氧化合物製造方法之其他較好實 例中，以上述式(V)所表示之不飽和化合物，是以下述式 (VII)、式(VIII)及式(IX):
R?
… (m) R-C=C-CH=CH-R9 …（裏) R-CH=CB-R9 …（κ) -12- 1354657
[式中，R7分別獨立為氫原子、氰基、硝基、可以保護 基保護之胺基(amino group)、鹵素原子(halogen atom)、烧 基(alkyl group)、：!：完氧基(alkoxy group)、鹵代烧基(halogeno alkyl gr〇Up)、緩基(cai.b〇xy group)、曱酿基(formyl group)、 烧醇基（a】kanoy] group)、芳酿基(aroyl group)、鹵代烧醇基 (halogeno alkanoyl group)、胺曱醯基（carbamoyl group)、j:完 基亞磺醯基（alky丨sulphiny] group)、芳基亞磺醯基 (aiylsulfiny] group)、烧基石黃醒基(ajkylsu]f〇ny gr0Up)、芳基 ”酉1111 基（aiylsulf〇ny】 group)、胺基石黃酿基（aminosulfonyl g P)或者一或二坑基胺基續酿基（alkyl aminosulfonyl gmup^’ 為氫原子、烷基或烷氧基；R9分別獨立為氫原 子^基、烧氧基、笨基或齒素原子、以烷基或烷氧基所 取^^取代苯基’其中式(IX)中之R9相互不同；式(VII) 與R9可相互鍵結成以下述式(X)、式(又1；)、式(XII) 及式(XIII): ο ΤΑ ο
ίΙο c UR
Λ(X Q R1 c
(X 10 R1 •13- 1354657 o lx R. c o Ivn——c …（ΧΠ) 0 1 — R 10 —R1 R10 1 R10 R10 1 -c- I 1 1 -c c …（xm) I I R10 R10 R10 (式中，R1G獨立為氫原子或烷基）中任一式所表示之二 價基]中任一式所表示；所得之光學活性環氧化合物，是由 下述式(XIV)、式(XV)及式(XVI): K7 /°\ …（XIV) • ^y^h~?-r9 R7 h (XV) . g /〇\ R—C 三 C—CH—Chi—R 9 ± 本 -14- 1354657 9 /〇\ 9 R—CH—CH—R. …（XVT) 氺 + [式中，R7、R8及R9與上述定義相同，其中式(XVI) 中之R9相互不同，而式(XIV)中之R8及R9玎相互鍵結成 以上述式(X)、式(XI)、式(ΧΠ)及式(ΧΠΙ)中任/式所表示 之一價基]中任一式所表示。 於本發明光學活性環氧化合物的製造方法之其他合適 例中’上述氧化劑為雙氧水或尿素-過氧化氫加成物 (UI-IP) ’更好的是，上述氧化劑為雙氧水。於此情形時， 氧化劑之原子效率較高，而且環氧化反應後之副產品是無 害’因此可實現有益環境之製程。 又’本發明之錯體之特徵在於：其是以上述式(I)、式 (Π、式(Π)、式(II，）、式(IIJ)、式(111，）、式(IV)及式（ryi)中 之任一式所表示。 於本發明之錯體中，較好的是，上述式中2個R3相互 鍵結成四亞曱基；較好的是，上述式中R1為2-芳基-1-萘 基或笨基；較好的是，上述Υ為μ-氧配位基。又，至於本 發明之錯體，較好的是以上述式(II)、式(II，）、式(III)或式 (in’)所表示之錯體。 進而，本發明之第1錯體的製造方法之特徵在於，將 以下述式(XVII)、式(XVII，）、式(XVIII)及式(XVIII，）： -15- 1354657
R3 R3
-16- # _ [式中’ Rl、r2、r3及R4與上述定義相同]中任— ;不之錯合物g己位基與鈦錄化物反應後，與水進'= ’ 生成以上述式⑴、式(Γ)、式(III)及式(III，）中任处 • M為TlY2(於此，Y為μ-氧配位基)之錯體。再;斤 。错由使用以式（χνίΙ)所表示之錯合物配位基 丄 «所表示之錯體；可藉由使用以式(謂，)所表示之^ = ’配位基來製造式(1’)所表示之錯體；可藉由使用以式(父乂加) • 所表不之錯合物配位基來製造式(ΠΙ)所表示之錯體；可藉 由使用以式(ΧΠΓ)所表示之錯合物配位基來製造以式(Ιπ，) 所表示之錯體。 於本發明之第]錯體的製造方法中，較好的是’上述 式中之2個相互鍵結成四亞曱基；較好的是，上述式中 之R為2-芳基-1-萘基。 於本發明之第]錯體的製造方法之合適例中，上述錯 合物配位基是以上述式(xvm)或式（χνιΐΓ)表示，而上述 錯體是以式(III)或式(ΙΙΓ)表示。 • 又，進而本發明之第2錯體的製造方法之特徵在於， .將以上述式(XVII)、式(XVII，）、式(XVIII)及式(XVIII)中任 一式所表示之錯合物配位基加以還原，生成以下述式 ' (XIX)、式(XDT)、式(XX)及式(XX，）： -17- 1354657
w R3 R3
(χχ/ ) -18- L式中，R1、尺2 3 表示之錯合物配 鉍上述定義相同]中任—式所 應後，與，賴錯合物配减與舰氧化物反 及式（IV，）中任—$ f生成以上述式(IJ)、式（ΙΓ)、式（IV) 位基)之錯體。里"1 所表示/ Μ為丁丨丫2(於此’ Υ為Ρ氧配 物配位美，拍姑山者，可精由使用以式(XVII)所表示之錯合 ι以式(Jim' w式(ΧΐΧ)所表示之錯合物配位基，而製 之錯體;可藉由使用以式(謂，_ 鍺曰，、土，’經由以式(ΧΙΧ，）所表示之錯合物配位基，
而製这以工⑴）所表不之錯體；可藉由使用以式(χνΐϋ)所 表來之錯合物配位基’經由式（χχ)所表示之錯合物配位 基，而製邊以式（IV)所表示之錯體；可藉由使用以式(xvm，) 戶斤表承之錯合物配位基，經由以式(XX，)所表示之錯合物配 位基，而製造以式（IV,)所表示之錯體。 於本赍明之第2錯體的製造方法中，較好的是，上述 式中2個R3相互鍵結成四亞曱基，較好的是，上述式中之 為苯基。
於本發明之第2錯體的製造方法之合適例中，上述錯 含物配位基是以上述式(XVII)或式(XVII，）表示，上述錯合 物酌位基是以式(XIX)或式(XIX’)表示，上述錯體是由式(II) 戒式(η，)表示。 根據本發明’可將以特定結構式所表示之丁i錯體用作 觸媒’將分子令具有碳-碳雙鍵之前手性不飽和化合物進行 高對映選擇性的不對.稱環氧化反應，由此製造光學活性環 氧牝合物。 -19- 1354657 為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說 明如下。 【實施方式】 以下，詳細說明本發明。本發明中是以上述式⑴、式 (Π、式(π)、式(ir)、式(m)、式即，）、式(IV)及式(rv，)表 示之鈦錯體當做觸媒。這些錯體之配位基是錯合物配位基 (salen ligand)的2個亞胺基(imino group)鍵内之至少一個具 有被還原之結構，亦較錯合物配位基具有更為優異之柔軟 性。另外，一般認為與上述錯體之配位基中之氮原子鍵結 之氫，有益於鈦的過氧(peroxo)化學物質之活化。繼而，可 。心為由方；遺荨配位基之特性，故而將上述錯體用作觸媒， 藉此可使不飽和化合物進行不對稱環氧化反應 (epoxidation reacti〇n)。於此’式(1，）之錯體是式⑴之錯體的 鏡像異構物(enanti〇rner)，式(ΙΓ)之錯體是式(π)之錯體的鏡 像異構物’式(ΙΙΓ)之錯體是式(ΠΙ)之錯體的鏡像異^物兄 式0V’)之錯體是式(IV)之錯體的鏡像異構物。可藉由選擇 起始物質之組態卜仙邱虹此⑽），以相同方式進行合成。於 該等之中，較好的是以式(111)或式(ΙΙΓ)所表示之錯體。較 好的是’上述錯體之使用量相對於後述基質之不飽和化合 物之莫耳量為0_0】〜】00 mol%範圍’更好的是為〇】〜$ mol%範圍。 上述’式中之R1獨立為炫基或芳基。至於該燒基可列 舉.曱基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第 -20- 1354657 二丁基、第三丁基等碳數】〜4之烷基。另一方面，至於芳 基可列舉：笨基、3,5-二曱基苯基、4-曱基苯基、1-萘基、 2-聯苯基、2-苯萘基、2-曱基-1-萘基、2-[3,5-二曱基苯 ' 基]-1-萘基、2-[4-曱基苯基]-1-萘基、2-曱氧基-1-萘基、2-[對 — (第三丁基二曱基矽基)笨基]萘基、2-聯苯基萘基等碳 . 數6〜22之芳基。再者，上述芳基既可為光學活性，亦可 為非光學活性。於此，Ri較好的是苯基及2-芳基-1-萘基， 而2-芳基-1-萘基中之芳基可列舉：苯基、對（第三丁基二 • 甲㈣基)笨基、聯苯基等。 又，上述式中之R2分別獨立為烷基或芳基。至於該烷 基可列舉：曱基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁 基、第二丁基、第三丁基等碳數1〜4之烷基。另一方面， 至於芳基可列舉：苯基、3,5-二曱基苯基、4-曱基笨基、]-萘基、2-聯苯基、2-苯基小萘基、2-曱基-1-萘基、2-[3,5-二曱基苯基]萘基、2-[4-曱基苯基]-1-萘基、2-曱氧基-1-萘基等碳數6〜18之芳基。 φ 進而，上述式中之R3分別獨立為烷基或芳基，且2 個R3可相互鍵結成環狀。至於該烷基可列舉：甲基、乙基、 ' 正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基 • 等碳數〗〜4之烷基。另一方面，至於芳基可列舉：苯基、 3,5-二曱基苯基、4-曱基苯基、1-萘基、2-聯苯基、2-苯基 • 萘基、2-曱基萘基、2-[3,5-二.曱基苯基]-1-萘基、2-[4-曱基苯基]-1-萘基、2-曱氧基-1-萘基等碳數6〜】8之芳基。 又，於2個R3相互鍵結成環狀之情形時，所形成之二價基 -21- 1354657 可列舉：四亞曱基等。於該等之中，較好的是，2個R3相 互鍵結成四亞曱基（tetramethylene group)。 又，進而上述式中R4分別獨立為氫原子、鹵素原子、 烷基、烷氧基、硝基或氰基。於此，至於鹵素原子可列舉： 氟原子、氯原子、溴原子等。至於烷基較好的是曱基、乙 基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三 丁基等碳數〗〜4之烷基。至於烷氧基較好的是，曱氧基、 乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第 二丁氧基、第三丁氧基等碳數】〜4之烷氧基。於該等之 中，R4尤其好的是氫原子。 又，進而上述式中Μ為TiY，該Y為C]或烷氧化物 或μ-氧配位基。於此，至於烷氧化物可列舉：曱醇鹽，乙 醇鹽，正丙醇鹽，異丙醇鹽，正丁醇鹽，異丁醇鹽，第二 丁醇鹽，第三丁醇鹽等。再者，於Υ為μ-氧配位基之情形 時，上述錯體為鈦雙核錯體，但於相關之鈦雙核錯體中， 較好的是，錯合物配位基之2個亞胺基鍵中之一個被還 原，且如下述式（XXI)所表示之(△，△)-二-μ-氧鈦雙核錯 體，其中 -22- 1354657
[式中，O-NH-N-O是以下述式(ΧΧΙΤ)、式(ΧΧΙΓ)、式 (XXIII)及式(XXIII，）：
-23- 1354657
…（χχπ)
R3 R3
…CKxm) (x.xnr -24- 1354657 (於此，R1、R2、R3及R4與上述定義相同）中之任一者]。 進而，上述錯體中，尤其好的是以上述式（XXI)所表 示、式中0-ΝΗ-Ν-0是以下述式(XXIV)或式(XXRT)之鈦 雙核錯體{即，（aRSA、aRSA)-二-μ-氧鈦雙核錯體、 (aSRA、aSRA)-二-μ-氧鈦雙核錯體}。
(XXIV)
-25- 上述，该錯體之穩定性是特別高，即使於使用後述過 氧化氫作為氧化劑之反應條件中亦十分耐用。 以上述式(I)、式(I，）、式(m)及式(III，)所表示、Μ為 丁iY2(於此，Υ為氧配位基）之鈦雙核錯體，可將以上述 式(XVII)、式(XVII’）、式(XVIII)及式(XVIII，）中任一式所 表示之錯合物配位基與鈦；):完氧化物反應後，與水進行處理 而製造。於此，於錯合物配位基與鈦烷氧化物之反應中， 藉由Meerwein-Ponndrof-Verley (MPV)還原，將錯合物配位 基之2個亞胺基鍵中之一加以還原，繼而藉由與水進行處 理而自我組織，而生成鈦雙核錯體。再者，至於所使用之 鈦烧氧化物(titanalkoxide)可列舉：鈦四曱醇鹽（titanium tetramthoxide)、鈦四乙醇鹽（titanium tetraethoxide)、！太四 丙私鹽（titanium tet丨 apiopoxide)、欽四異丙醇鹽（titaniurn tetra丨sopropoxide)、鈦四 丁醇鹽（titanium tetrabutoxide)等。 於該等之中’較好的是鈦四異丙醇鹽丁 i(〇iPr)4〕。又，至 於所使用之錯合物配位基，較好的是以上述式(XVm)或式 (XVI丨I’)所表示之配位基。又’鈦烧氧化物之使用量，較好 的是’相對於上述錯合物配位基之莫耳量，為1〇〇〜2〇〇 mol%範圍。又，水之使用量相對於上述錯合物配位基之莫 耳量’較好的是]00〜1000 m〇】％範圍。於本發明之光學活 性環氧化合物的製造方法中，可於反應系統中生成上述鈦 雙核錯體’將其用於不飽和化合物之氧化劑之不對稱環氧 化反應中。 又’以上述式(]1) '式(ΙΓ)、式（IV)以及式（w，）中任意 者所表示、Μ為TiY2(於此，Y為μ-氧配位基）之鈦雙核錯 體’可將以上述式(XVII)、式(VII，）、式(XVIII)及式(XVIII，) 中任一式所表示之錯合物配位基加以還原，生成以上述式 (XIX)、式(XIX，）、式(XX)及式(XX，）中任一式所表示之錯 合物配位基，使該錯合物配位基與鈦烷氧化物進行反應 後’以水進行處理而製造。於此，錯合物配位基之還原， 例如可使用NaBI-I4等還原劑而實施。又，至於所使用之鈦 烷氧化物’可列舉：鈦四曱醇鹽、鈦四乙醇鹽、鈦四丙醇 鹽、鈦四異丙醇鹽、鈦四丁醇鹽等；於該等之中，較好的 是鈦四異丙醇鹽[ΤΚΟ'Ρι*4)〕。又’至於所使用之錯合物配 位基’較好的是以上述式(XVII)或式(χνπ，)所表示之配位 基。進而，鈦烧氧化物之使用量，較好的是，相對於上述 錯合物配位基之莫耳量’為100〜200 mol%範圍；而水之 使用量，較好的是，相對於上述錯合物配位基之莫耳量， 為]00〜1 〇〇〇 mol%範圍。於本發明之光學活性環氧化合物 製造方法中，可於反應系統中生成上述鈦雙核錯體，而將 其用於使用不飽和化合物的氧化劑之不對稱環氧化反廊 中〇 至於本發明之光學活性環氧化合物的製造方法之原 料，可使用分子中具有碳-碳雙鍵之前手性化合物，即以± 述式(V)所表示之不飽和化合物。再者’以本發明方法所譽 造之環氧化合物，具有由原料化合物之碳-碳雙鍵轉換成之 環氧鍵之結構，即以上述式(VI)所表示之結構，例如於使 用以上述式(VII)表示之化合物作為原料之情形時，所得之 1354657 光學活性環氧化合物 _ 一，、π…口 w，疋从上现式(χιν 述式(vm)表示之化合物作為原料之情开使用以上 性環氧化合物，是以上述式(xv)表示；於二:之光學活 表示之化合物作為原料之情形時， 上述式(IX) 合物，是以上述式(XVI)表示。 于 予，舌性環氧化 上述式（V)及式（VI)中，R5及
不同之-價基或氫原子，於此情形時，於：：定於相互 合物中存在-對鏡像異構物。但於本發明 2¾氧化 可以較高之選擇率而僅製造鏡像異構物中之二=法中， 本發明之製造方法巾’可藉由分開使用式(1)之辦^ = ^•«1 > , ^απ)^； 4 } ⑽)之錯體，式(IV)之錯體及式(IV，)之錯骨盈，而選 造光學活性環氧化合物之兩個鏡像異構物。、擇性表 上述式(VII)及式(XIV)中之R7分別獨立為：氫原 =基、硝基、可用保護基保護之胺基、齒素原子、烷基、、 火元氧基、鹵代烷基、羧基、曱醯基、烷醯基、芳醯基:鹵 、胺甲醯基、烧基亞伽基、芳基亞、二 基、芳酿基、胺確酿基或一或二烧基胺績酿基。 於此，上述R7之可用保護基保護之胺基，可列舉：曱 笨磺醯胺基、苄胺基、醯基胺基、烷氧基胺基等。更具體 而έ ’醯基胺基可列舉：乙臨胺基、丙酸胺基、笨曱酿胺 基等。至於烷氧基胺基，較好的是：曱氧基羰基胺基、乙 氧基徵基胺基、正丙氧基幾基胺基、異丙氧基幾基胺基、 正丁氧基獄基胺基、異丁氧基徵基胺基、第二丁氧基隸笑 -28· 1354657 胺基、第三丁氧基羰基胺基等。又，至於上述ii素原子， 較好的是：氟原子、氯原子、溴原子等。至於上述烷基， 較好的是曱基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、 第二丁基、第三丁基等碳數]〜4之烷基。至於上述烷氧 基，較好的是曱氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正 丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基等碳數1〜4 之烷氧基。至於上述鹵代烷基，較好的是：三氟曱基、一 氣曱基，五氟乙基等碳數]〜4之鹵代烷基。至於上述烷醯 基，較好的是：乙醯基、丙醯基等碳數1〜4之烷醯基。至 於上述芳醯基，較好的是：苯曱醯基、鄰曱苯醯基、間曱 苯醯基、對甲苯醯基、萘曱醯基等。至於上述ii代烷醯基， 較好的是：三氟乙醯基、一氣乙醯基、五氟丙醯基等碳數 ]〜4之ii代烷醯基。上述烷基亞磺醯基，較好的是：曱基 亞磺醯基、乙基亞磺醯基、正丙基亞磺醯基、異丙基亞磺 醯基、正丁基亞磺醯基、異丁基亞磺醯基、第二丁基亞磺 醯基、第三丁基亞磺醯基等碳數]〜4之烷基亞磺醯基。至 於上述芳基亞磺醯基，可列舉：苯亞磺醯基，鄰曱苯亞磺 醯基，間曱笨亞磺醯基，對曱苯亞磺醯基等。至於上述一 或二烷基胺磺醯基，較好的是：曱基胺磺醯基、二曱基胺 磺醯基、乙基胺磺醯基、二乙基胺磺醯基、正丙基胺磺醯 基、二-正丙基胺磺醯基等碳數1〜4之一或二烷基胺磺醯 基。 又，上述式(VII)及式(XIV)中之R8是氫原子、烷基或 烷氧基。上述式(VII)、式(VIII)、式(IX)、式(XIV)、式(XV) -29- 1354657
完基’較好的是：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基 異丁基、第二8丁基、第三丁基等碳數卜4之}完基。
及式(XVI)中之R9分別獨立為：氫原子、烷基、烷氧基、 笨基或以il責原子、；!:完基或燒氧基取代之苯基。其中’式 (IX)及式(XVI)中之R9相互不同；式（VII)及式(χιν)中之 R8與R9可相互鍵結形成以上述式(χ)、式(χι) '式(χη)及 式(XIII)中任一式所表示之二價基。於此，式(χ)、式(χί)、 式pen)及式(xm)中，riq分別獨立為氫原子或烷基 ，至於 於上述R中’至於烷基，較好的是：曱基、乙基、』 丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基今 碳數1〜4之絲。至於絲基，較好的m基、乙摩 基、正Γ 一乳基：I丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第二Ί 氧基、第三丁氧基等石炭數]〜4之燒氧。又，於上述 至於烧基’較好的是：曱基、乙基、正丙基、異丙基 丁J、異：基、第二丁基、第三丁基、戊基 戊基、已基、庚基、辛基、2_乙基已基、絲、癸基、 -烧基、十二絲、十三院基、異十三錄、十 棕棚基、十4基、二十·絲、二十二絲等碳數^ ^元基。至妓乳基，較好的是：甲氧基、乙氧基、正 氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基' 第二丁氧美、 三丁氧基等碳數卜4之烧氧基。進而，於r9中 鹵素原子、妓或錄基所取代n較㈣ 、 基、氣苯基、漠苯基、甲苯基 '乙笨基' 第三丁笨美二 二曱基苯基、鄰曱氧苯基1曱氧笨基、對曱氧; -30· 1354657 鹵素原子、碳數]〜4之烷基或以碳數】〜4之烷氧基取代 之苯基。 又，上述R8與R9可相互鍵結成二價基，於R8與R9 相互鍵結成以上述式(X)表示基之情形時，形成六圓環。至 於相關化合物，可列舉：苯並°比喃（benzopyran)及其衍生 物等。又，於R8與R9相互鍵結形成以上述式(XI)表示基 之情形時，形成5圓環；至於相關化合物，可列舉：茚（indene) 及其衍生物等。進而，於R8與R9相互鍵結形成以上述(XII) 所表示基之情形時，形成六圓環，至於相關化合物，可列 舉：],2-二氫化萘及其衍生物等。又，進而於R8與R9相互 鍵結形成以上述式(ΧΙΠ)所表示基之情形時，形成七圓環； 至於相關化合物，可列舉：6,7-二氫-5H-苯並環庚稀及其衍 生物等。 至於本發明之方法中所使用之氧化劑，較好的是雙氧 水及尿素-過氧化氫加成物(UHP)，尤其好的是雙氧水。於 此，雙氧水之濃度並無特別限定，但考慮到安全性、工業 性生產之觀點及就獲得之容易性而言，較好的是使用市售 之約為30%濃度者。又，可滴入少量雙氧水，於此情形時， 可減少觸媒之使用量。再者，較好的是，氧化劑之使用量， 相對於基質之不飽和化合物，為1〜]0當量（eq)之範圍， 更好的是1〜1.2當量(eq)之範圍。 一般而言，本發明之製造方法可在有機溶劑中進行。 至於該有機溶劑，較好的是非質子性有機溶劑；具體可列 舉：二氣曱烷(α-τ2α2)等鹵代烴，曱笨等芳香族烴，以及 1354657 醋酸乙酯等酯、四氫呋喃（THF)等醚。 本發明之製造方法，並無特別限定，但較好的是於〇 〜50°C下實施，更好的是於室溫下實施。反應溫度無論過 高還是過低，均會導致生成物之鏡像異構物超越值 (enantiometric excess，ee)下降。又，反應時間並無特別限 定，可根據上述反應溫度加以適當選擇。 以下，列舉實施例進一步詳細說明本發明，但本發明 並非受到下述實施例之任何限制。 (錯體]之合成例） 將以下述式（XXV):
所表示之化合物（826.8 mg，]·0 mmol)及 丁](0$】〇4(568.2 mg，2.0 mmol)溶解於二氯曱烧(4.0 ml)中， 於室溫下將該溶液授拌3日後，添加水(36 mg，2.0 mmol)， 進而於室溫下攪拌2小時。以玻璃濾器過濾所產生之黃色 沉殿。藉由將經過遽之較大生成物自二氣曱院/乙_中進行 -32· 1354657 再結晶，而獲得以上述式（XXI)所表示、式中〇-NH-N-〇 為上述式（XXIV)之(aRSA，aRSA)-二-μ-氧鈦雙核錯體（錯 體1)(343.2 mg，產率39%)。所得化合物之元素分析結果 為 C : 79.65，1-1 : 5.20，N : 3·]1 ;與 CI20I-I92N4〇6丁i2 · ]·5Η2〇 之計算值（C : 79.68，Η : 5.29，Ν : 3」0)非常一致。又， 對所得之錯體進行X線結構分析之結果是，平面内之C-N 鍵長度為].276 Α及1.265 A，而平面外之ON鍵長度為 1.492 A 及 1.496 A。 (錯體2之合成例） 將以下述式（XXVI):
表示之化合物（827.0 mg，1.0 mmol)及 Ti(〇ipr)4(568.2 mg，2.0 mmol)溶解於二氯曱;!：完(4.0 ml)中，於室溫下將該 溶液授拌3日後，添加水（100 mg，5.5 mmol)，進而於室 溫下攪拌2小時。減壓蒸餾除去溶劑後，藉由進行自二氣 曱烷/庚烧中之再結晶，而獲得以下述式（XXVII)表示之式 -JJ- 1354657 中〇-ΝΗ-Ν-0 為下述式(xxvm)之(aRRA，aRRA)-二-μ-氧鈦雙核錯體(錯體2)(]80.5 mg，產率20%)。所得化合物 之元素分析之結果是，C : 79.37，Η : 5.35，N : 3.07 ;與 Cl20H92N4O6Ti2 · 2Η2〇之計算值（C : 79·29，Η : 5.32，Ν : 3.08)非常一致。又，對所得之錯體進行X線結構分析，其 結果是，平面内之C-N鍵長度為1.271 Α及1.266 A，而平 面外之C-N鍵長度為].490 A及〗.497 A。又，使用JE〇L 公司製JMX-SX/SX102A光譜儀及使用間硝基苯曱醇之高 分辨率FAB質譜儀之分析結果是，m/Z=]780.6，與 [C12GH92N4〇6Ti2]+之理論值十分匹配。
34- 1354657
N Ο Ο (XXW)
(錯體3之合成例） 以NaBI-I4還原以下述式(XXIX)所表示之錯合物配位 基，生成以下述式（XXX)表示之錯合物配位基，·將 Ί’ί(σΡ〇4(1.02 mmol)添加入以該式（XXX)表示之錯合物配 位基(0.86 mmol)之二氯曱;)：完溶液(2.0 mL)中，於室溫下攪 -35- 1354657 拌一伩。添加數滴水，將混合液進一步攪 ^ 於減壓7—除去溶劑後，藉由進行自二氣甲1其後， 結晶’而獲得以下述式(ΧΧΧΙ)所表示之 =中之， 錯體(錯體3)辭65%)。麟化合社元素^ l · 70.2卜 Η : 9.43，Ν : 4.3]，與 C72I-lll2N4CVri2 · 〇 5Η)〇 之計算值(C : 70.05，Η : 9.23，Ν : 4.54)非常一致。一
Bu
lBu
—Ν N
ιΒυ xBu • · » (XX I X)
NaBH4 Y
• (XXX)
2.H2 0 Y
•36· • (XXXI) 1354657 (錯體4之合成例） 以NaBH4還原以下述式（XXXII)表示之錯合物配位 基，生成以下述式（ΧΧΧΠΙ)表示之錯合物配位基，將 丁ΚΟΨι’Μ] .33 mmo])添加入以該式(XXXIII)表示之錯合物 配位基（1.20 mmo】）之二氯曱;)：完溶液(3.5 mL)中，於室溫下 攪拌5小時。添加數滴水，將混合液進一步攪拌一夜。其 後，於減壓下蒸餾除去溶劑後，進行自二氯曱烷中之再結 晶，藉此獲得以下述式(XXXIV)表示之二-μ-氧鈦錯體(錯體 4)(產率46%)。所得化合物之紅外光譜為IR(KBr) : 3427， 3225，3055，2932，2856，1587，M54，1425CITT1。
-37· 1354657
Ph Ph • · · (ΧΧΧΠ)
NaBli^
• « * (ΧΧΧΙΠ)
1. Ti (0^γ)4 2. HzO
• (XXXIV) (實施例]) 將以上述式（XXI)表示、式中O-NI-I-N-O為上述式 (XXIV)之錯體 1(3.6 mg，0.002 mmol)溶解於二氣曱烷(2.0 ml)中。將基質 1(26.0 mg，0.20 mmol)及 30%雙氧水(22.7 -38- 1354657 mg，0.20 mmol)連續添加入該溶液中，於室溫(25°C)下搜 拌12小時使其反應。其後，於減壓下將該混合液濃縮後， 使用戊烷：乙醚(40 : 1)混合液以矽膠進行層析分離，獲得 生成物1。 (實施例2) 將以上述式（XXI)表示、式中0-NH-N-0為上述式 (XXIV)之錯體1(].2 mg >0.00067 mmol)溶解於二氯曱烷 (2.0 ml)中。將基質](86.7 mg，0.67 mmol)及 30%雙氧水 (76,0 mg，0.67 mm〇j)連續添力口入該溶液中，於室溫(25°C) 下攪拌72小時使其反應。其後，於減壓下將該混合液濃縮 後，使用戊烷：乙醚(40 : 1)混合液以矽膠(silica gel)進行 層析分離，獲得生成物1。 (實施例3〜4) 使用曱苯、醋酸乙酯代替二氣曱烷作為溶劑，與實施 例1同樣地進行反應。其中，將反應時間設為18小時。 (實施例5) 使用四氫呋喃(THF)代替二氯曱烷作為溶劑，與實施 例]同樣地進行反應。其中，將反應時間設為85小時。 (實施例6〜9) 分別使用基質2、基質3、基質4、基質5代替基質1， 與實施例4同樣地進行反應。其中，將反應時間設為24 小時。 (實施例10) 將以上述式(乂\〜11)表示、式中〇-见-1-斗0為上述式 -39- 1354657 (xxvm)之錯體 2(5.3 mg，0.003 mmol)溶解於二氣曱烧(3.ο ml)中。將基質1(39」mg ’ 0·30 mmol)與尿素-過氧化氫加 成物(33.9 mg，0.36 mmol)連續添加入該溶液中，於室溫 (25°C)下攪拌24小時使其反應。其後，於減壓下將該混合 液濃縮後，使用戊烷：乙醚(40 :〗）混合液以矽膠進行層析 分離，獲得生成物](6.1 mg，0.042 mmol)。 (實施例]]) 使用基質2代替基質卜與實施例10同樣地進行反應。
以上結果示於表1。再者，以1H-NMR(400MHz)分析 實施例1〜8令之生成物之產率。其結果是，並未確認有除 環氧化合物以外之生成物。又，分別以高速液體層析(HP L C) 分析表]中使用DAICEL CHIRALCEL OB-H及己烷/異丙 醇（99/1)混合液之生成物]之鏡像異構物超越值，使用 〇入1(：证（：1-1111八1^八〖八8-1"1及己烷/異丙醇(99.9/0.1)混合 液之生成物2之鏡像異構物超越值，使用DAICEL CHIRALCELOD-H及己烷/異丙醇(99/1)混合液之生成物3 之鏡像異構物超越值，使用DAICEL CI-IIRALCEL OD-H 及己烧/異丙醇（99.9/0.1)混合液之生成物4之鏡像異構物 超越值。 -40-
"a? ^ <u Π\ /-Ν ΓΤ\ ΓΧ\ ON 〇\ ON 〇\ σ> ν〇 〇\ m oo .s CN CO cn οο CN OO M Ο Ο τ_· < 〇 〇 »4 Ο Ο ,丨丨― 〇 〇 V·— ON ο t < cn 〇\ cn ON Ό r- 1 · 1 < τ—^ (Ν m 寸 ι〇 r < CN 荽 龚 龚 荽 荟 龚 荟 龚 龚 荽 _ , , Μ Μ 變 (Ν CN 00 〇〇 in oo S N-^ (Ν fN 加AJm V€3 ® THF ^ m Vg3 ® ⑹Am νεπ 盔溫 ^ AJtn V€3 ν€ϋ (Ν (Ν U 妙 Ε 諧n3 諧n3 諧n3 諧tO 遨Ο U Ο υ u 氧化劑 ^04 rN fN Ο (Ν Ο UHP ¢^ iri (Ν (Ν (Ν (Ν (N fN K (N (Ν (Ν Κ HH 口 τ 4 ®H^ » < 1 < f < r 1 " < W '< > 嶼 r—Η Γ-· — y < 觸媒 , 戥 1 韜一 觀一 餾CS 韜CN 梁1 伞 柳 % 槊 槊 槊 絮 % Π5 r·— Τ—^ 1 < r· < f < OJ m 寸 υη V Η (N 心η 麵C 知κ 军 革 键一 餐CM 省 餐〇〇 嫁ΟΝ Λ5)〇 *V^» r l,m* 堤:=： ^K ^κ 诗®( 讳< 讳®( ^Κ {^Κ 讳K 1354657 Ί相對於基質之不飽和化合物之觸媒使用量。 :2以下表示基質與生成物之結構。 基質1 丨 .· ·生成物ί 0
基質2
0 生成物2
基質3
0 生成物3 基質4
生成物4： /X/X/V" . · ·基質 5 '""1〇 ..生成物5 -42- 1354657 供m衣i可知恶，可藉由 2個亞胺基鍵中之一方加以還:戶錯合物_ 錯體作為觸媒，將各種不飽和化合物進雜 應，而製造光學活性環氧化合物。 十稱龟氧化肩 (實施例12) 將以上述式（XXXI)表示之錯體3(5
](〇」_Qj)溶解於二氣甲垸(]Gm|)中 ）及上述基I
_〇1)添加於該溶液中，於室溫(25。〇下獅°0雙氣水(〇J: 反應。其後，減壓蒸去溶劑，使用戊24小時使其 混合液以驾將剩餘物進行層析分離，獲^=(4〇 :] (實施例13) 成物1。 =用以式(XXXIV)表示之錯體4(5剛)代替以式 (XXXI)表不之錯體3(5 μηιο丨），將反應時間設為8小時以 外，其他與實施例]2同樣地進行反應。 (實施例14) 除將反應溫度設為〇。〇，將反應時間設為24小時以 外’其他與實施例]3同樣地進行反應。 (實施例]5) 除將30%雙氧水之使用量設為〇J5 mmol此外，其他 與貫施例14同樣地進行反應。 (貧施例]6) 將以上述式(ΧΧΧΙΠ)表示之錯合物配位基（】〇 _〇丨)添 加入丁丨(0卞〇4之二氯甲烷溶液（1 〇 mL，]〇 mM)中於室 溫下攪拌。30分鐘後，添加一滴水，進一步攪掉3〇分鐘。 -43- 1354657 其次’添加上述基質HO丨mmol)及30%雙氧水（0.12 mm〇1)，於室溫(25。〇下攪拌6小時使其反應。其後，減壓 洛鶴除去溶劑，使用戊烷：乙醚(40 :〗）混合液以矽膠將剩 餘物進行層析分離’獲得生成物】。 (實施例]7〜22) 除分別使用基質6、基質2、基質4、基質7、基質8、 基質5代替基質〗，將反應溫度設為25°C以外，其他與實 施例〗5同樣地進行反應。 以上結果示於表2。再者，以1Ii-NMR(4〇〇 MHz)分析 生成物之產率。其結果是 ，並未確認有除環氧化合物以外 之生成物。又，分別以高速液體層析(HPLC)加以分析表2 中之使用DAJCEL CHIRALCEL OB-I-I及己烷/異丙醇(99/1) /as液之生成物]之鏡像異構物超越值’使用daicel CHIJIALCEL OB-H及己烷/異丙醇(90/10)混合液之生成物 6之鏡像異構物超越值’使用DAiCEL cmRALpAKAS_H 及己:異丙醇(99.9/0.1 )>昆合液之生成物2之鏡像異構物 起越值，使用DAICbL CI-IIRALCEL OD-H及己烧/異丙醇 (99.9/0.1)此合液之生成物4之鏡像異構物超越值，使用 DAJCEL CHIRALCbL OJ-H及己烧/異丙醇(99 9/〇】）混合 液之生成物7之鏡像異構物超越值，使用daicel CHIRALCEL OB-H及己烷/異丙醇(99/])混合液之生成物8 之光學純度。又，使用手性位移試劑Eu(hfc)3，以丨h_nmr 分析生成物5之鏡像異構物超越值。 •44· 1354657
光學純度 (°/〇ee) 1 CN CO Ό ON S； OO 〇\ υο Os υο 〇\ S； Ο) 〇〇 cn 〇\ υη 產率 (%) 1 〇\ ί〇 On υ^> σ\ οα oo Ψ < > < > < r 1 < ψ i Ό CN 寸 卜 〇〇 龚 龚 荟 龚 龚 龚 荟 龚 龚 龚 , ^4 i+i Μ ,/>J 雙则〇(J l〇 CN Ό CM Ο Ο in CN οι υη (Ν m 〇1 l〇 (Ν υη (Ν ό <Ν 艺 oo 艺 寸 CN 艺 艺 寸 (N 寸 CN ^mr c! r^i r,m' < <N CN IT) CN ό to in ^η Qtit日 X^S o 〇 Ο Ο o ο 〇 〇 〇 〇 ο m 韜 寸 韜 寸 寸 韜 寸 关 寸 颠 寸 韜 寸 韜 寸 寸 餵 寸 觏 <Vfh *itra 槊 槊 槊 絮 槊 槊 aD m _ i 丨H < > < > < r < \〇 CN 寸 r- 〇〇 ό 忘®( ^®K (N m 寸 VO 卜 〇〇 ON CN (Ν w ¥ 军 零 革 革 Λί3 At) νς» Λΰ Λ-ΰ At) *νς> Ad Ad Ad (K ^κ ^κ 墙< %κ 语< m 1354657
*3基質1、基質2、基質4、基質5、生產物]、生產 物2、生成物4及生產物5與表]相同，以下表示。 基質6、基質7、基質8、生成物6、生成物7及生產 物8之結構。 *4在原處生成觸媒4。
基質'6
基質7
•…生成物6 ，··生成物7
基質8
* · ，生成物3 根據表2可知悉，可藉由使用具有將錯合物配位基2 個亞胺基鍵中之一進行還原所獲得之錯合物配位基之錯體 作為觸媒，將各種不飽和化合物進行不對稱環氧化，而製 造光學活性環氧化合物。 [產業上之可利用性] 本發明之製造方法，對於使分子中具有碳-碳雙鍵之前 手性不飽和化合物進行高對映選擇性環氧化而製造光學活 性環氧化合物而言，非常有用。又，本發明之錯體，對於 -46- 1354657 作為該製造方法之觸媒而言，非常有用。進而，以本發明 之製造方法所得之光學活性環氧化合物，可用作有效治療 高血壓、哮喘等以光學活性苯並。比喃化合物為代表之各種 醫藥中間體。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 it ί»*、 【主要元件符號說明】 / *»、
-47-

Claims (1)

  1. '1^54657 l i / 為第95102026號中文專利範圍無割線修正本修正日瞭观年8月25日 +本年月曰 十、申請專利範圍： ^- 1.一種光學活性環氧化合物的製造方法，其特徵在 • 於：使用以下列式(I)、式(1，）、式(11)、式(11，）、式(111)、式 • (ΠΓ)、式(IV)及式(IV，）中任一式所表示之錯體(以上述式表 示之單體及由其所衍生出之二卞·氧-二聚物)作為觸媒x 以下列式(V)表示之不飽和化合物與氧化劑進行不對俨 氧化反應，而製造出如下述式(VI)所表示之光學活 ， 化合物， 衣虱
    .48- 1354657
    [式中，R1分別獨立為烷基或芳基；R2分別獨立為烷 基或芳基；R3分別獨立為烷基或芳基，2個R3可相互鍵結 成環狀；R4分別獨立為氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、 硝基或氰基；Μ為TiY2(於此，Y為C1或烷氧化物，或μ-氧配位基)] r5-ch=ch-r6...(v) [式中，R5及R6是相互不同之一價基或氫原子] R5- Φ 聿 CH-CH V
    …(VI) [式中，R5及R6與上述定義相同]。 2.如申請專利範圍第1項所述之光學活性環氧化合物 的製造方法，其中上述式中2個R3相互鍵結成四亞甲基。 3·如申請專利範圍第i項所述之光學活性環氧化合物 的製造方法，其中上述錯體是以上述式(II)、式(II，）、式(111) 或式(ΠΓ)表示。 4. 如申請專利範圍第1項所述之光學活性環氧化合物 的製造方法，其中上述式中R1為2-芳基萘基或笨基。 5. 如申請專利範圍第1項所述之光學活性環氧化合物 的製造方法，其中上述丫為μ-氧配位基。 6. 如申請專利範圍第1項所述之光學活性環氧化合物 的製造方法，其中以上述式(ν)表示之不飽和化合物，是以 下述式(VII)、式(VIII)及式(Ιχ)中之任一式表示， R7
    R7 R^C=C-〇t=CH-R9 …〇1) R9 — ΟΗΉ-R9 …αχ> [式中，R7分別獨立為氫原子、氰基、硝基、可以保護 基保護之胺基、齒素原子、烷基、烷氧基、^代烷基羧 基、甲醯基、烷醯基、芳醯基、卣代烷醯基、胺甲醯基、 燒基亞磺龜基、芳基亞磺醯基、烷醯基、芳醯基、胺續醯 1354657 基或一或二烧基胺續酿基；R8為氣原子、烧基或烧氧基； R9分別獨立為氫原子、烷基、烷氧基、苯基或鹵素原子、 由烷基或烷氧基所取代之取代苯基，其中式(IX)中R9相互 不同；式(VII)中R8與R9可相互鍵結成如下述式(X)、式 (XI)、式(XII)以及式(XIII)中任一式所表示之二價基， 10 R (X) 10 R D_A .............. fu- · (X c R 10 ο 一 ο 1 - 1 .......c i R Π(X R10 R10 R10 I I I —-c —— c— c—— "· (X瓜〉 R10 R10 R10 Ϊ354657 (式中，r1g獨立為氫原子或烷基)]。 7.如申請專利範圍第6項所述之光學活性環氧化合物 的製造方法，其中上述光學活性環氧化合物是以下列式 (XIV)、式(XV)及式(XVI)中之任一式表示，
    r^-C=C~CH—CH-R9 "‘ΟΠΟ 9 一 CH-CHHR 幸 本 [式中，R、R及R9與上述定義相同，其中式(χνι) 中R9相互不同，式(XIV)+ r9可相互鍵結形成以上 述式(X)、式(XI)、式(XU)及式(xm)中任一式表示之二價 基]。 8.如申請專魏圍第丨項所述之光·性環氧化合物 的製造方法，其中上述氧化_雙氧水或尿素·過氧化氫加 成物(UHP)。 9«-種錯體’其包括如中請專利範圍第i項所述之光 •52· 1354657 學活性環氧化合物的製造方法中所使用之以式⑴、式(1，）、 式(η)、式(ir)、式(in)、式(nr)、式(iv)及式(Iv，）中之任 一式表示的錯體。 10·如申請專利範圍第9項所述之錯體，其中上述式中 2個R3相互鍵結成四亞甲基。 11.如申請專利範圍第9項所述之錯體，其中錯體是以 上述式(II)、式(II，）、式(III)或式(III，)表示。 12·如申請專利範圍第9項所述之錯體，其中上述式中 R為2-方基-1-蔡基或苯基。 鲁 13·如申請專利範圍第9項所述之錯體，其中上述γ為 μ-氧配位基。 14.一種錯體之製造方法，其特徵在於：使以下列式 (XVH)、式(XW’）、式(XVDI)及式(XVT)中任一式表示之錯合 物配位基與鈦烷氧化物反應後，與水進行處理，而生成如 申請專利範圍第1項所述之光學活性環氧化合物的製造方 法中所使用之以式⑴、式(Γ)、式(III)及式(III，）中任一式表 示，且Μ為TiY2(於此，Υ為μ-氧配位基)之錯體， 癟 1354657 ， *
    (XW) (XM) (xvr > (xvr ) -54- 1354657 15. 如申請專利範圍第14項所述之錯體之製造方法， 其中上述式中2個R3相互鍵結成四亞甲基。 16. 如申請專利範園第14項所述之錯體之製造方法， 其中上述錯合物配位基是以上述式(χνιπ)或式(XVIII，)表 示，上述錯體是以式(ΙΠ)或式(III，)表示。 17. 如申請專利範圍第14項所述之錯體之製造方法， 其中上述式中R1為2-芳基-1-萘基。 18. —種錯體的製造方法，其特徵在於：將以下列式 (xvii)、式(XVIr)、式(XVIII)及式(xvm’）中任一式表示 之錯合物配位基還原’而生成以下述式(χιχ)、式(χιχ，）、 式(XX)以及式(XX，）中任一式表示之錯合物配位基，使錯 合物配位基與鈦烷氧化物反應後，與水進行處理，生成2 申請專利第1項舰之光學活性環氧化合物的製造方 法中所使用之以式(II)、式(ΙΓ)、式(IV)及式(1¥，）中任一式 表不，且Μ為TiY2(於此，Υ為μ_氧配位基)之錯體， CS ] -55- -1354657 * 4
    …（XMD
    -56· 1354657
    [S 1 -57- ；I 3,54657 中，R1分別獨立為烷基或芳基；R2分別獨立為烷 基或芳基;4R3分别獨立為烷基或芳基，2個R3可相互鍵結 成環狀；R4分別獨立為氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、 硝基或氰基；Μ為TiYz(於此，Y為ci或烷氧化物，或 氧配位基)]。 - 19. 如申請專利範圍第18項所述之錯體的製造方法， 其中上述式中2個R3相互鍵結成四亞曱基。 20. 如申請專利範圍第18項所述之錯體的製造方法， 其中上述錯合物配位基是以上述式(χνπ)或式(XVII，）表 示’上述錯合物配位基是以式(XIX)或式(χιχ，)表示，上述 錯體是以式(II)或式(II，)表示。 21. 如申請專利範圍第18項所述之錯體的製造方法， 其中上述式甲R1為苯基。 • 58·
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