TWI354011B - Carbazole derivative, organic semiconductor elemen - Google Patents

Carbazole derivative, organic semiconductor elemen Download PDF

Info

Publication number
TWI354011B
TWI354011B TW093112679A TW93112679A TWI354011B TW I354011 B TWI354011 B TW I354011B TW 093112679 A TW093112679 A TW 093112679A TW 93112679 A TW93112679 A TW 93112679A TW I354011 B TWI354011 B TW I354011B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
carbazole derivative
layer
present
emitting
Prior art date
Application number
TW093112679A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200504181A (en
Inventor
Ryoji Nomura
Satoshi Seo
Harue Nakashima
Original Assignee
Semiconductor Energy Lab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Lab filed Critical Semiconductor Energy Lab
Publication of TW200504181A publication Critical patent/TW200504181A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI354011B publication Critical patent/TWI354011B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
    • H10K85/146—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE poly N-vinylcarbazol; Derivatives thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/56—Ring systems containing three or more rings
    • C07D209/80—[b, c]- or [b, d]-condensed
    • C07D209/82—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles
    • C07D209/88—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to carbon atoms of the ring system
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D401/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom
    • C07D401/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D403/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00
    • C07D403/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D411/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D411/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D413/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D413/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D471/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00
    • C07D471/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D471/06—Peri-condensed systems
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/311—Phthalocyanine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/791—Starburst compounds
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Indole Compounds (AREA)

Description

1354011 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明有關屬於樹枝狀聚合物（dendrimer 的咔唑衍生物，使用前述咔唑衍生物的有機半導 發光元件以及電子機器。 【先前技術】 有機化合物在材料系方面較無機化學者爲多 具有因所適合的分子設計而能合成具有種種功能 可能性。又，亦有膜等之形成物之柔軟性良好， 高分子化則在加工性方面亦優異的特徵。由於此 近年來，對使用功能性有機材料的光電電子學（ )或電子學（electronics)方面受矚目。 例如，以有機半導體材料作爲功能性有機材 光電電子學裝置之例而言，可例舉：太陽電池或 (亦稱爲有機電致發光元件）。此等元件係利用 體材料之電氣物性（載波傳輸）及光物性（光吸 )的裝置，其中特別是發光元件獲有驚人的發展 發光元件，係於一對電極（陽極與陰極）間 發光物質的層所成，而其發光機構可能係施加電 極間時由於從陽極所注入的電洞（hole )，與從 入的電子在含有發光物質的層中再結合之故，在 物質的層中之發光中心再結合以形成分子激發子 分子激發子返回基態（ground state )時釋放能 )化合物 體元件、 樣化，並 的材料的 且如使其 等優點， photonics 料使用的 發光元件 有機半導 收或發光 〇 夾介含有 壓於兩電 陰極所注 含有發光 ，並當其 量而發光 (2) (2)1354011 者。另外，一般激發狀態周知有單一態激發及三態激發， 而認爲不管經過任何一種激發狀態均能發光。 含有發光物質的層，可僅由發光性材料所成發光層的 單層構造之情形，亦可爲不僅發光層而層合形成有由複數 種功能性材料所成電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層 、電子傳輸層、電子注入層等的情形。另外，發光層中， 如在主（host )材料中摻雜客（gUest )材料，則能適當改 變發光之色調。又’視主材料與客材料之組合情況，會具 有改善發光之亮度及耐用壽命的可能性。 用爲含有發光物質的層的材料，一般採用具有種種構 造及功能的許多材料，其中具有光電導性優異的昨哩骨架 的材料而言，周知有CBP (4，4 -二（N -咔哩）聯苯）或 PVK (聚乙烯基咔唑）等。 屬於低分子系材料的CBP，主要係依沈積法所成膜，. 而在發光層中’多用爲具有電洞傳輸性的主材料（例如， 參考專利文獻1。）。 (專利文獻1)曰本專利特開平2001-244077號公報 然而’此種材料具有熱物性値高（亦即耐熱性佳）的 特徵的反面’具有當形成膜時難於維持非晶性狀態且容易 結晶化的缺點。 另一方面，屬於高分子系材料的PVK，主要係以塗佈 法（包含旋塗（spin coating)法）或依噴墨（ink jet coating)法等之濕式法所成膜，並與cBP同樣，多用爲發 光層中的主材料（例如，參考專利文獻2。）。 (3) (3)1354011 (專利文獻2 )日本專利特開200 1 -25 7076號公報 高分子系材料’如係用爲發光層中的主材料時雖具有 較低分子系材料爲優於亮度特性（亦即最高亮度爲數萬 cd/m2 )的特徵的反面，有成膜方法會受限制之外，尙會 有耐熱性差、可靠度亦低的缺點。 如此’由於具有咔唑骨架的低分子系材料及高分子系 材料分別具有如上述的缺點之故，如欲進一步改善發光元 件之元件特性時，需要能克服此等缺點方面的材料之開發 〇 於是，本發明之目的在於提供一種具有優異的耐熱性 ，且在成膜時難於結晶化的咔唑衍生物。又，以藉由上述 咔唑衍生物之使用而製作有機半導體元件及發光元件，以 期達成有機半導體元件及發光元件之耐用壽命長期化爲目 的。 【發明內容】 本發明之溝成，係提供一種新穎的咔唑衍生物者。在 此，本發明之咔唑衍生物，係具有如下述一般式（])所 示構造者。 (4) 1354011 (GO): (G1): (G2): (G3): I I I I I (Gn):
…⑴
(式中，表示I爲一般式（2)所表示的核心咔唑（G。 )，乙爲一般式（3)所表示的內部分枝咔唑（G^Gn) ，E爲一般式（4)所表示的端咔唑（Gn) ，η爲表示樹枝 狀聚合物之世代數的整數，Χι爲氫、鹵素、氰基、烷基（ 但，碳數爲1至20)、鹵代烷基（但，碳數爲1至20)、烷 氧基（但，碳數爲1至20)、取代或無取代之芳基、取代 或無取代之雜環殘基、（Gim)·,)(但，之 2 X3 爲與（G(n-m))之 X4 共價結合（covalend bonding )’ Ri至Rs爲分別獨立的氫、鹵素 '氰基、院基（但，碳 馬1至20)、醯基（但’碳數爲1至20)、鹵代烷基（但 芳碳數爲1至2〇)、二烷基胺基（但，碳數爲1至2〇)、二 _胺基（但’碳數爲1至2〇)、烷氧基（但，碳數爲1至 】0 ) ' φ代或無取代之雜環殘基。） -10- (5) 1354011
式（5 )所表 又，本發明之咔唑衍生物，係具有一般 不的構造者。
(5) ，基、院基（ 1至20)、烷 .氧基、取代 (式中，表示l<k<8，X2爲氫、鹵素、辜 但，碳數爲1至20)、鹵化烷基（但，碳數爲 氧基（但，碳數爲1至20 )、取代或無取代二 或無取代之雜環殘基。） -11 - (6) 1354011 又，本發明之咔唑衍生物，係具有一般式（6)所表 不的構造者。
(式中，表示l<k<8，R9爲分別獨立的氫、鹵素、氰 基、烷基（但，碳數爲1至20 )、醯基（但，碳數爲1至20 )、鹵代烷基（但，碳數爲1至2 0 )、二烷基胺基（但， 碳數爲1至20)、二芳基胺基（但，碳數爲1至20)、烷氧 基（但，碳數爲1至10)、取代或無取代之芳基、取代或 無取代之雜環殘基、X3爲氫基、鹵素、氰基、烷基（但， 碳數爲1至20)、鹵代烷基（但，碳數爲1至20)、烷氧基 (但，碳數爲1至20)、取代或無取代之芳基、取代或無 取代之雜環殘基。） 又，本發明之咔唑衍生物，係具有一般式（7)所表 不的構造者。
-12- (8) 1354011
苯并咪唑基 苯并噚硫唑基 苯并噚唑基 三唑基
苯并噻哩基菲繞啉基 奎寧基 奎寧酚基 (phenanthroly) (quinolyl) (quinolinolyl)
故菁基(phthalocyanyl) (8) 又’本發明中含有一種有機半導體元件之構成，其特 徵爲：將上述的咔唑衍生物用於有機半導體元件之活性層 〇 再者，本發明中含有一種發光元件之構成，其特徵爲 :具有含有上述的咔唑衍生物的發光層。另外，由於本發 -14- (9) 1354011 明之咔唑衍生物具有寬濶的能量隙（energy gap)的特徵 之故，亦可作爲主材料使用而與其他客材料一起形成發光 層。 上述構成中，本發明之咔唑衍生物，係當將需要具有 寬濶的能量隙的主材料的磷光性物質作爲客材料使用時爲 特佳者。又本發明之咔唑衍生物，亦可用爲客材料。 又’由於本發明之咔唑衍生物係電洞傳輸性優異的材 料之故，亦可將前述咔唑衍生物用爲發光元件之電洞傳輸 性材料。 〔實施本發明之最佳形態〕 (實施形態1 ) 本發明之咔唑衍生物，係具有上述一般式（1)至（7 )所表示的構造者。 例如，一般式（1 )中，第1世代（G,)之咔唑衍生物 而言’可例舉：以構造式（9)所表示的構造。具體上， 具有對一般式（2)所表示的核心咔唑（I)之CA、CB，一 般式（4)所表示的端咔唑（E)之NA分別共價結合，而 核心咔唑之X,爲碳數2之烷基（乙基），R!至心爲氫的構 造。 H2C，CH3
-15- (10) 1354011 又’—般式（1 )中，第2世代（G2 )之咔唑衍生物而 H ’可例舉：以構造式（10)所表示的構造。具體上，具 有對—般式（2)所表示的核心咔唑（I)之GA、CB，一般 β ( 3 )所表示的內部分枝咔唑（z )之Na分別共價結合 ’並對內部分技咔唑之CA、CB，一般式（4)所表示的端 (E)之Na分別共價結合，而核心咔唑之X,爲碳數2 之院基（乙基），R^R8爲氫的構造。 H2crCH3 Μ
I 再者，一般式（1)中，第3世代（G3)之咔唑衍生物 而言’可例舉：以構造式（11)所表示的構造。具體而言 ’具有對一般式（2)所表示的核心咔唑（〗）之cA、cB， 一般式（3)所表示的內部分枝咔唑（z)之…將分別共 價結合’並對內部分枝咔唑之CA、CB，別的內部分枝咔 唑（Z，）之Na將分別共價結合，且對內部分枝咔唑（z，）2Ca 、CB ’ 一般式（4)所表示的端咔唑（e)之na將分別共價結 合’而核心昨嗤之X,爲碳數2之烷基（乙基），R,至118爲 氫的構造。 -16- (11) 1354011
如此方式增加世代，即可形成咔唑骨架按樹狀相連的 春 樹枝狀聚合物構造之昨哩衍生物。另外，具有本發明之樹 枝狀聚合物構造的咔唑衍生物中，在一般式（1)所表示 的構造之中’亦包含於某世代以後之一部分中不存在內部 分枝咔唑（Z)及端咔唑（E)，或不存在端咔唑（E)之 亦即在一部分中具有缺陷構造的樹枝狀聚合物在內。 再者’本發明中所形成的咔唑衍生物而言，如適當改 變一般式（2)至（4)中的1^至r8之構造，即可形成構造 式（1 2 )至（1 8 )所表示的咔唑衍生物。 φ h2ctch3 « K!
• 17- (12)1354011
-18- 1354011
又，包含一般式（5)至（7)所表示的複數個第1世 代（G,)的咔唑衍生物而言，可例舉：以構造式（1 9 )所 表示的構造。具體上，具有對一般式（2)所表示的核心 咔唑（I)之CA、CB，一般式（3)所表示的內部分枝咔唑 (Z )之NA分別共價結合，並對內部分枝咔唑之CA、CB， 一般式（4)所表示的端咔唑（E)之Na分別共價結合， 而核心咔唑之Χ2爲聯苯基，1^至R8爲氫，並k = 2時的構造
19- (14) 1354011 再者，本發明之咔唑衍生物，如將一般式（2)至（4 )中的1^至118，以及前述一般式（6)中之R9之構造適當 改變爲構造式（8)所表示的雜環殘基之中的任一，即可 形成構造式（20 )至（32 )所表示的咔唑衍生物。
• · · (20)
-20- (15)1354011
苯并噚唑基 h2ctch3 ΚΙ
• . (23) • · · (24) 苯并噻唑基 H2C，CH3 I Μ
-21 - .· (25) (16)1354011
-22- (17)1354011
-23- (18)1354011
(32) 在此，構造β (8)所表示的構造，係可用於本發明 的雜環殘基之具體性一例，而雜環殘基可使用咪唑基 '噚 硫唑基'噚唑基、三唑基'噻唑基、菲繞啉基等。 由於本發明之咔唑衍生物，具有咔唑骨架按樹狀相連 的樹枝狀聚合物構造之故，分子量大而形成立體構造。因 此，耐熱性良好而具有不易結晶化（亦即，成膜性良好） 的缺點。 (實施形態2 ) 本發明可使用實施形態1所表示的咔唑衍生物以形成 有機半導體元件。另外’在有機半導體元件之中，形成活 性層的膜之平坦性對元件之特性容易產生影響的縱型電晶 體（SIT)中，如使用具有優異的耐熱性且在成膜時不易 結晶化的本發明之咔唑衍生物，則在達成有機半導體元件 之耐用壽命延長上有用。 -24- (19) (19)1354011 (實施形態3 ) 再者，本發明中，可使用實施形態1所表示的咔唑衍 生物以形成發光元件。 在此，本發明中的發光元件之元件構成，基本上’係 在一對電極（陽極及陰極）間夾持有含有包括上述咔唑衍 生物的發光物質的層（適當組合電洞注入層、電洞傳輸層 、發光層、電洞阻止層（hole blocking層）、電子傳輸 層、電子注入層等所構成者）的構成，而例如在具有陽極 /電洞注入層/發光層/電子傳輸層/陰極、陽極/電洞注入層/ 電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/陰極、陽極/電洞注入層/ 電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子注入層/陰極、陽極/ 電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電洞阻止層/電子傳輸層/ 電子注入層/陰極等之構成的發光元件中，可於發光層或 電洞傳輸層中使用前述咔唑衍生物。 又，本發明之發光元件，較佳爲由基板所支持者，對 該基板則並無特別限制，而可使用用爲在來之發光元件者 ’例如’可使用由玻璃 '石英、透明塑膠等所成者。又， 本發明之發光元件之陽極材料而言，較佳爲使用功函數（ work function)大的（功函數4_0eV以上）金屬' 合金、 電氣傳導性化合物，以及此等混合物。在此，陽極材料之 具體例而言，可使用：除I τ 0 (錫銦氧化物）、氧化銦中 混合有2至20[%]之氧化鋅（Zno )的IZ0 (銦鋅氧化物） 之外，尙可使用金（Au)、白金（pt)、鎳（Ni)、鎢（ W)、鉻（Cr)、鉬（Mo)、鐵（Fe)、鈷（Co)、銅 -25- (20) (20)1354011 (Cu )、鈀（Pd )、或金屬材料之氮化物（TiN (氮化鈦 ))« 另一方面，陰極材料而言，較佳爲使用功函數小（工 作函數3.8eV以下）的金屬、合金、電氣傳導性化合物， 以及此等混合物。在此，陰極材料之具體例而言，可使用 :屬於元素周期表之1族或2族的元素，亦即，除可使用Li (鋰）或Cs (鉋）等之鹼金屬，以及Mg (鎂）、Ca (鈣 )'Sr (緦）等之鹼土類金屬，以及含有此等金屬的合金 (Mg: Ag、Al: Li)或化合物（LiF (氟化鋰）' CsF (氟 化緦）、CaF2 (氟化鈣）之外，尙可使用含有稀土類金屬 的過渡金屬，惟亦可使用層合有A1 (鋁）、Ag (銀）、 ITO等之金屬（包含合金）。 另外，上述的陽極材料及陰極材料，可藉由沈積法、 濺鍍（sputterin )法等而形成薄膜以形成各陽極及陰極。 膜厚較佳爲作成10至500nm。 又’本發明之發光元件中，因含有發光物質的層中的 載體之再結合所產生的光，將成爲從陽極或陰極之一方或 雙方射出的構成。又，如從陽極射出光線時，使用透光性 之材料形成陽極，如從陰極側射出光線時，則使用透光性 之材料形成陰極。 又’含有發光物質之層可使用周知之材料，亦可使用 低分子系材料及高分子系材料之任一。另外，形成含有發 光物質的層之材料方面，不只僅由有機化合物材料所成者 ’亦可包括在一部分中含有無機化合物的構成。 -26- (21) (21)1354011 在此，含有發光物質的層，係可組合：由電洞注入性 材料所成的電洞注入層，由電洞傳輸性材料所成的電洞傳 輸層，由發光性材料所成的發光層，由電洞阻擋性材料所 成的電洞阻擋層（hole blocking層），由電子傳輸性材料 所成旳電子傳輸層，由電子注入性材料所成的電子注入層 等並加以層合而形成。 本發明中，如將咔唑衍生物用爲發光層時，亦可於一 對電極間所形成之含有發光物質的層中組合發光層以外之 層並層合形成，以形成發光元件。另外，此時含有發光物 質的層，可作成除發光層之外，尙可將電洞注入層、電洞 傳輸層、電洞阻止層、電子傳輸層、或者電子注入層等視 需要加以組合並層合的構成。在此情形所用之具體性材料 係如下所述。 電洞注入性材料而言，祗要是有機化合物，卟啉系之 化合物爲有效’而可使用酚菁（以下，簡記H2-Pc )、銅 酞菁（以下’簡記Cu-Pc )等。又，亦有對電導性高分子 化合物施加化學摻雜（doping)的材料，亦可使用將聚苯 乙烯磺酸（以下’簡記PSS)摻雜的聚乙烯基二羥基噻吩 (以下，簡記PED0T)等。 又’電洞傳輸性材料而言，芳族胺（亦即，具有苯 環一氮之結合者）之化合物很合適。廣泛被採用的材料而 言，可例舉：除N，N，-雙（3 -甲苯基）_N，N，-二苯基 ，1 聯苯基]-4，4，-二胺（以下，簡記TPD )之外，尙有 屬於其衍生物的4，4，-雙[N_ (卜萘基）_.苯基.胺基]-聯 -27- (22) (22)1354011 苯（以下，簡記α-NPD) ’或4’ 4，’ 4” -參（N -咔唑基 )-三苯基胺（以下，簡記TCTA ) ，4，4’ ’ 4”-參（N ’ N-二苯基-胺基）-三苯基胺（以下，簡記TDATA ) ，4， 4’，4”-參[N- ( 3 -甲苯基）-N-苯基-胺基]-三苯基胺（以 下，簡記MTDATA)等之星炸（star-burst)型芳族胺化合 物。 電子傳輸性材料而言，參（8-奎寧鎗）鋁（以下，簡 記Alq3)、參（4 -甲基-8-奎寧鐺）鋁（以下，簡記Almq3 ) '雙（10-羥基苯并[h[-奎寧鎰]銨（以下，簡記BeBq2 ) 等之具有奎寧骨架或苯并奎寧骨架的金屬錯合物，或屬於 混合配位子錯合物（mixed ligand complex)的雙（2 -甲 基-8-奎寧鏺）-(4·羥基·聯苯基）-鋁（以下，簡記BAlq )等很合適。又，亦有具有雙[2- ( 2-羥基苯基）·苯并哼 唑鎰]鋅（以下，簡記Zn ( BOX) 2 )、雙[2· ( 2-羥基苯基 )-苯并噻唑鑰]鋅（以下，簡記Zn ( BTZ ) 2 )、參（2-( 2 ’ -羥基苯基）· 1 -苯基-1 H-苯并咪唑鎗）鋁（以下，簡記 Al(PBI) 3)等之Df唑系、噻唑系、苯并咪唑配位子的金 屬錯合物。 再者，除金屬錯合物以外，尙可使用：如2- ( 4-聯苯 基）-5-(4 -第三丁基苯基）-1，3，4 -哼二唑（以下，簡 記PBD) 、1，3-雙[5-(對第三丁基苯基）-1，3，4-曙二 唑-2-基]苯（以下，簡記OXD-7 )等之哼二唑衍生物，如 3- (4 -第二丁基苯基）-4 -苯基-5- (4 -聯本基）-1’ 2’ 4-三唑（以下，簡記P-EtTAZ )等之三唑衍生物，如鹼性菲 -28- (23) (23)1354011 略啉（basophenanthroline)(以下，簡記 Bphen)、驗性 去甲基奎寧（ba so cupreine)(以下，簡記BCP)等之菲 咯啉衍生物’如2，25，2”-(1，3，5-苯三基）-參（1-苯 基-1H-苯并咪唑（以下，簡記TPBI ) 、1，3，5·參（4， 4’，4”（丨-苯基-1H-苯并咪唑基）·苯唑基）-苯（以下， 簡記TPBIBB) 、N-苯基-2，4，5，7-肆（1-苯基·1Η-苯并 咪唑（以下，簡記PBIC)等之苯并咪唑衍生物。 又，電洞阻擋性材料而言，可使用上述的BAlq、 OXD-7 ' TAZ、P-EtTAZ、Bphen、BCP 等。 另外，亦可將咔唑衍生物作爲發光層之主材料，或客 材料使用。 將咔唑衍生物作爲發光層之主材料時之客材料而言， 除可使用曈吖陡酮（quinacridone)、二乙基吖D定酮（ D E Q )、四甲（rubrene)、花(perylene) 、DPT、 Co-6 ' PMDFB、BTX' ABTX、DCM、DCJT之外，尙可使用參 (2-苯基吡啶）銥（以下，簡記爲Ir ( ppy ) 3 ) 、2，3，7 ，8，12，13，17，18 -八乙基- 21H，23H -卩卜啉-白金（以 下，簡記爲PtOEP)等之三態發光材料（磷光材料）。 又，將咔唑衍生物作爲發光層之客材料時之主材料而 言，可使用 TPD、a -NPD、TCTA、PBD、OXD-7、BCP 等 〇 再者，在本發明中’如將咔唑衍生物用爲電洞傳輸層 時，含有發光物質之層’可將至少在陽極側所形成的含有 昨哩衍生物的電洞傳輸層、發光層、在陰極所形成的電子 -29- (24) (24)1354011 傳輸層加以層合並形成而製得。另外，在此情形，用爲發 光層的發光性材料而言，除Alq3' Almq3、BeBq2、BAlq 、Zii(BOX) 2、Zn(BTZ) 2等之金屬錯合物之外，尙各 種螢光色素爲有效。 如上所述，如使用耐熱性或電洞傳輸性優異，且具有 在成膜時難於結晶化等之材料特性的本發明之咔唑衍生物 以形成發光電子，即可降低發光元件驅動電壓以達成耐用 壽命長期化。 【實施方式】 [實施例1] 以下，就本發明之咔唑衍生物之合成例，以及實施例 加於說明，惟本發明並不因此等例子而受限定。 (合成例1 ) (N-乙基-3，6-二（N-咔唑基）咔唑之合成法） 將N-乙基-3，6-溴代咔唑（3.53g，10 毫莫耳），咔 唑（3.51g，21毫莫耳），第三丁醇鈉（2.88g，30毫莫 耳）之甲苯懸濁液加以冷凍脫氣。在氬、氮等之惰性氣體 氣氛下，添加雙（二伸苄基丙酮）鈀（〇 ) ( Pd ( bda ) 2 )0.228(0.4毫莫耳），三第三丁基膦10%己烷溶液1.2g (0.6毫莫耳），在80 °C下攪拌6小時。加水後，添加 二乙醚並攪拌。將析出物加以減壓過濾，並在減壓下乾燥 濾渣。使用乙酸乙酯與氯仿混合溶劑實施所得固體之再結 -30- (26) (26)1354011 ，在薄膜之情形，對激發波長（ 345nm)獲得在413nm具 有最大峰値的螢光光譜，而在溶液之情形，則對激發波長 ( 295nm)獲得在4〇7nm具有最大峰値的螢光光譜（如第8 圖）。 又，N -乙基-3，6 -二（N -咔唑基）咔唑之薄膜，以及 溶液（溶劑：二氯甲烷）實施紫外·可視領域吸收光譜之 測定的結果，在薄膜之情形，在344nm獲得最大吸收波長 ，而在溶液之情形，在342獲得最大吸收波長（如第9圖） 〇 本實施例，係將本發明之咔唑衍生物用爲含有發光物 質的層之一部分以製作發光元件的情形，具體上，使用第 1圖就將本發明之咔唑衍生物作爲含有發光物質的層之發 光層之主材料使用時的元件構造加以說明。 首先，於基板1〇〇上形成發光元件之第1電極101。在 此，本實施例中，第1電極1 〇 1係作爲陽極發揮功能。作爲 材料而使用本身爲透明電導膜的ITO膜，依濺鍍法形成 ll〇nm之膜厚。 其次，於第1電極（陽極）101上形成含有發光物質的 層102»在此，本實施例中含有發光物質的層102，具有由 :電洞注入層111、電洞傳輸層112、發光層113、電洞阻 擋層114、電子傳輸層η 5所成的層合構造。 將形成有第1電極101的基板按將形成有第1電極1〇1的 面作成下方之方式固定於市售之真空沈積裝置之基板保持 器上，於真空沈積裝置之內部所配備的蒸發源中置入銅酞 -32- (27) (27)1354011 菁（以下’簡記Cu-Pc )，依採用電阻加熱法的沈積法， 按20nm之膜厚形成電洞注入層〗"。在此，形成電洞注入 層111的材料而言，可使用周知之電洞注入性材料。 其次’使用電洞傳輸性優異的材料以形成電洞傳輸層 112。形成電洞傳輸層112的材料而言，可使用周知之電洞 傳輸性材料，惟在本實施例中，則依同樣方法按3 Onm之 膜厚形成4’ 4’-雙[N-( 1·萘基）-N -苯基胺基]聯苯（以下 ，簡記爲α-NPD)。 其次’形成發光層113。在此，在發光層113中電洞與 電子再結合’並產生發光。本實施例中，在形成發光層 113的材料之中，爲主材料使用本發明之咔唑衍生物，而 與周知之客材料一起沈積以形成。另外，在本實施例中， 作爲主材料所用的咔唑衍生物，而使用化學式（9)所表 示的N -乙基-3，6 -二（N·咔唑基）咔唑（以下，簡記 EtC z2 Cz )’並作爲賓材料而使用屬於銥錯合物的參（2-苯基Dtt陡）銥（以下’簡記Ir(ppy) 3)，按Ir(ppy) 3 能成爲3wt%之方式依共沈積法形成2〇nm之膜厚。 其次’形成電洞阻擋層114。形成電洞阻擋層1M的材 料而言’可使用周知之電子傳輸性材料，惟本實施例中則 使用BCP，並依沈積法形成l〇nm之膜厚。 其次’形成電子傳輸層115。形成電子傳輸層115的材 料而言，可使用周知之電子傳輸性材料，惟本實施例中則 使用Alq3 ’並依沈積法形成40nm之膜厚。 .如此方式’在形成經層合電洞注入層111、電洞傳輸 -33- (28) (28)1354011 層113、發光層113、電洞阻擋層114，以及電子傳輸層115 所形成之含有發光物質的層102之後，依濺鍍法或沈積法 形成作爲陰極發揮功能的第2電極103。另外，本實施例中 ’依沈積法於含有發光物質的層102上形成鋁鋰合金（A1: Li) ( I00nm)以製得第2電極103。 如上所述’即可形成使用本發明之咔唑衍生物的發光 元件。 再者，本發明之咔唑衍生物，能降低使用該咔唑衍生 物所形成的層之HOMO準位，並拓寬全體之能量隙（ energy gap)。因此，如本實施例所表示，作爲需要能量 隙的寬濶度的主材料而使用本發明之咔唑衍生物，係非常 有效的作法。又，由於咔唑衍生物具有優異的耐熱性且在 成膜時難於結晶化之故，可達成發光元件之耐用壽命長期 化。
[實施例2 J 本實施例中’表示與實施例1不相同的本發明之昨唑 衍生物以及使用該衍生物的發光層之賓材料之例子。 (合成例2 ) (N -苯基-3，6 -二（N -咔唑基）咔唑之合成） 對N-苯基_3，6_二溴代咔唑243g(1〇〇毫莫耳）之 冰醋酸（5 0 〇 m L )溶液，添加N -碘代琥珀醯亞胺4 4 · 9 g ( 2〇〇毫莫耳），在室溫下攪拌一夜。於反應混合物中添 -34- (32) (32)1354011 之際將釋出光子（photon)，其結果，相當於Alq之頻帶 隙（band gap)的能量將作爲光而被觀察到。因而可知’ 本發明之樹枝狀聚合物，亦即，N-苯基-3，6-二（N-咔唑 基）咔唑可作爲優異的電洞傳輸材料發揮功能的事實。 [實施例3] 本實施例係作爲發光層之客材料而使用本發明之咔唑 衍生物的情形，將使用第2圖就與實施例1、2之構成不相 同的部分加以說明。因而，本實施例中，由於第1電極、 第2電極、電洞注入層、電洞傳輸層之構成方面係與實施 例1、實施例2相同之故，省略其說明。 如第2圖所示，在第1電極201上所形成的含有發光物 質的層202之中，與電洞傳輸層21 2相接所形成的發光層， 可由主材料與屬於本發明之咔唑衍生物的客材料之使用而 形成。 具體而言，使用作爲主材料的TPBI，及作爲客材料的 化學式（9 )所表示的EtCz2Cz ( 10wt% )，按20nm之膜厚 而依共沈積法形成。 其次，形成電子傳輸層214。形成電子傳輸層214的材 料而言’可使用周知之電洞傳輸性材料，惟在本實施例中 ’係使用TPBI，並按30nm之膜厚依沈積法形成。 如此方式，在經層合電洞注入層211、電洞傳輸層212 '發光層213、以及電子傳輸層21 4所形成的含有發光物質 的層202上形成第2電極203，即可形成使用本發明之咔唑 -38- (33) (33)1354011 衍生物的發光元件。 由於本發明之咔唑衍生物具有電洞傳輸性之同時尙具 有發光性之故，如本實施例所表示般可作爲含有發光物質 的層之發光層中的客材料使用。又，由於咔唑衍生物具有 優異的耐熱性且在成膜時難於結晶化之故，可達成發光元 件之耐用壽命長期化。 [實施例4] 本實施例係爲發光層而使用本發明之咔唑衍生物的情 形，將使用第3圖就與實施例1至3之構成不相同的部分加 以說明。因而，本實施例中，由於第1電極、第2電極、電 洞注入層之構成方面係與實施例1、實施例2相同之故，省 略其說明。 如第3圖所示，在第1電極301上所形成的含有發光物 質的層302之中，與電洞注入層311相接所形成的發光層 312，可由本發明之咔唑衍生物之使用而形成。 具體而言，使用化學式（9)所表示的EtCz2CZ ( 10wt%)，按50nm之膜厚依沈積法形成。 其次，形成電子傳輸層313。形成電子傳輸層313的材 料而言，可使用周知之電子傳輸性材料，惟在本實施例中 ，係使用具有電子傳輸性且具有電洞阻擋性的BCP，並按 50nm之膜厚依沈積法形成。 如此方式，在經層合電洞注入層311、發光層312、以 及電子傳輸層313所形成的含有發光物質的層3 02上形成第 -39- (34) (34)1354011 2電極3 03，即可形成使用本發明之咔唑衍生物的發光元件 〇 由於本發明之咔唑衍生物具有電洞傳輸性之同時尙具 有發光性之故，如本實施例所表示般可作爲含有發光物質 的層之發光層，而單獨使用。又，由於咔唑衍生物具有優 異的耐熱性且在成膜時難於結晶化之故，可達成發光元件 之耐用壽命長期化。 [實施例5] 本實施例係將本發明之咔唑衍生物用爲含有發光物質 的層之一部分以製作發光元件的情形，將就與實施例1至 實施例4所表示的情形不相同的構成加以說明。具體而言 ，係將本發明之咔唑衍生物用於含有發光物質的層之電洞 傳輸層的情形，將使用第4圖就與實施例1至實施例3之構 成不相同的部分加以說明》因而，本實施例中，由於第1 電極、第2電極、電洞注入層、電洞傳輸層之構成方面係 與實施例1至實施例4相同之故，省略其說明。 如第4圖所示，在第1電極410上所形成的含有發光物 質的層402之中，與電洞注入層41 1相接所形成的電洞傳輸 層412，可由本發明之咔唑衍生物之使用而形成。 具體而言，使用化學式（9)所表示的EtCz2Cz，按 3 〇nm之膜厚依沈積法形成。 其次，形成電子傳輸性發光層413。形成電子傳輸性 發光層413的材料而言，可使用周知之具有電子傳輸性且 -40- (35) (35)1354011 發光性的材料，惟在本實施例中，係使用Alq3。，並按 5〇nm之膜厚依沈積法形成。 如此方式，在經層合電洞注入層411、電洞傳輸層412 ’以及電子傳輸性發光層413所形成的含有發光物質的層 402上形成第2電極403，即可形成使用本發明之咔唑衍生 物的發光元件。 由於本發明之咔唑衍生物具有電洞傳輸性之故，如本 實施例所表示般可用於含有發光物質的層之電洞傳輸層。 又，由於咔唑衍生物具有優異的耐熱性且在成膜時難於結 晶化之故，可達成發光元件之耐用壽命長期化》 [實施例6] 本實施例中，係就將本發明之咔唑衍生物作爲屬於有 機半導體元件之一種的軸向電晶體（SIT)之活性層使用 的情形加以說明》 元件構造而言，如第5圖所示，採用將由本發明之咔 唑衍生物所成薄膜狀之活性層5 02使用源電極501及汲電極 503夾住，而閘電極504係被埋在活性層502中的構造。在 此，5 05係爲施加閘電極之用的手段，5 06係爲控制源一汲 電極間之電壓之用的手段。 在如此的元件構造中，如在未施加閘電壓的狀態下對 源一汲電極間施加電壓時，則會流動如同發光元件時般的 電流（亦即，成爲ON (通）的狀態）。並且，如在其狀 態下施加閘電壓，則在閘電極5 04周邊產生缺乏層（ -41 - (36) (36)1354011 depletion layer )，以致電流即不會流動（亦即，成爲 OFF (斷）的狀態）。由於上述機構，而可作爲電晶體作 用。 在本實施例中所表示的軸向電晶體，由於形成活性層 的膜之平坦性容易對元件之特性產生影響之故，具有優異 的耐熱性且不致於結晶化之下能成膜的本發明之咔唑衍生 物之使用，係在達成有機半導體元件之耐用壽命長期化方 面有效。 [實施例7] 本實施例中，係使用第6圖，就於像元件具有依本發 明所形成的發光元件的發光裝置加以說明。在此，第6 ( A)圖係表示發光裝置的正面圖。第6(B)圖係將第6(A )圖按A-A’所切斷的剖面圖。虛線所表示的601爲驅動電 路部（源電極側驅動電路），602爲像元部，603爲驅動電 路部（閘電極側驅動電路）。又，604爲封閉基板，605爲 密封劑，而被密封劑605所包圍的內側，係成爲空間607。 在此，608係爲傳送輸入於源電極側驅動電路601及閘 電極側驅動電路60 3的信號之用的配線，將從成爲外部輸 入端子的FPC( flexible print circuit，軟性印刷電路） 609接收視訊（video)信號、時鐘（clock)信號、啓動（ start )信號、復位（reset )信號等。另外，在此雖僅圖示 FPC，惟此FPC上可安裝有印刷電路板（PWB )。本說明 書的發光裝置上，不僅發光裝置本體，尙包含對此裝置安 -42- (37) (37)1354011 裝有FPC或PWB者。 其次，使用第6 ( B)圖，就剖面構造加以說明。基板 610上雖然形成有驅動電路部及像元部，惟在此圖中表示 有屬於驅動電路部的源電極側驅動電路601，及像元部602 〇 另外，在源電極側驅動電路601上形成有組合N通道 型薄膜電晶體（以下，將薄膜電晶體簡記TFT) 623及P通 道 TFT 624 的 CMOS ( Complementary Metal Oxide，互補式 金屬氧化物半導體）電路。又，形成驅動電路的TFT，可 由周知之CMOS電路，PMOS (P通道金屬氧化物半導體 )電路或NMOS (N通道金屬氧化物半導體）電路所形成 。又，本實施例中，係表示基板上形成有驅動電路的驅動 器一體型，惟不一定需要如此，亦可不在基板上而形成在 外部。 又，像元部602係由包含開關用TFT 61 1，及電流控制 用TFT 61 2及對其汲電極按電氣性方式所連接的第1電極 613的複數個像元所形成。在此，按覆蓋第1電極613之端 部之方式形成有絕緣物614。在此，使用正片型之感光性 丙烯酸樹脂膜加以形成。 又，爲使成膜性良好起見，作成於絕緣部6 1 4上端部 或下端部具有曲率的曲面的方式。例如，作爲絕緣部614 之材料而使用正片型之感光性丙烯酸酯時，較佳爲僅在絕 緣部614上端部具有曲率半徑（〇·2 μηι至3 μπι )的曲面。 又，作爲絕緣物6 1 4，亦可使用因感光性之光而對蝕 -43- (38) 1354011 刻劑成爲不溶解性的負片型，或因光而對蝕刻劑 性的正片型之任一種。 第1電極613上，分別形成有含有發光物質的 及第2電極617。在此，作爲陽極而發揮功能的用 極613的材料而言，較佳爲使用功函數大的材料 除可使用ITO (銦錫氧化物）膜，銦鋅氧化物（ ，氮化鈦膜，鉻膜，鎢膜，Zn (鋅）膜，pt (鉑 單層膜之外，尙可使用：與以氮化鈦及鋁爲主成 層合’與以氮化鈦膜與鋁爲主成分的膜與氮化 層構造等。在此，如作成層合構造，則作成配線 低’可獲得良好的有電阻的接觸（ohmic contact 作爲陽極發揮功能。 又’含有發光物質的層616，可由使用沈考 mask )的沈積法、或噴墨法形成。含有發光物賃 中’含有本發明之咔唑衍生物。又，與此等咔唑 用的材料而言，可爲低分子系材料、中分子材料 聚合物、樹枝狀聚合物）、或高分子系材料。又 有發光物質的材料而言，通常，係按單層或層合 有機化合物的情形較多，惟本發明中，則包括爲 合物所成膜之一部分使用無機化合物的構成。 再者’用爲含有發光物質的層616上所形成的 (陰極）617的材料而言，可使用功函數小的材: Ag、Li、Ca、或此等金屬之合金MaAg、Mgln CaF2 '或CaN)。另外，如欲使在含有發光物質 成爲溶解 J 層 6 1 6， 丨爲第1電 。例如， IZO )膜 )膜等之 分的膜的 鈦膜的3 時之電阻 )，更可 貝遮罩（ ‘的層6 1 6 衍生物所 (包括低 ，用爲含 方式使用 由有機化 〗第2電極 抖（A1、 、AlLi 、 的層6 1 6 -44- (39) (39)1354011 所產生的光穿透第2電極617時’則作爲第2電極（陰極） 617’較佳爲使用使膜厚變薄的金屬薄膜，與透明電導膜 (ITO (氧化銦氧化錫合金）、氧化銦氧化鋅合金（ In2〇3-ZnO )、氧化鋅（ZnO)等）的層合。 再者’使用密封劑60 5使封閉基板6〇4與元件基板610 貼合，即成爲被元件基板610’封閉基板604，以及密封劑 605所包圍的空間607中配備有發光元件618的構造。在此 ’對空間607中’除塡充有惰性氣體（氮氣或氬氣等）的 情形之外，尙包括被密封劑605所塡充的構成。 另外’密封劑605較佳爲使用環氧系樹脂。又，此等 材料較佳爲儘量不會穿透水分或氧氣的材料。又，作爲用 於封止基板604的材料，除玻璃基板或石英基板之外，尙 可使用由 FRP( Fiberglass-Reinforced Plastics，玻璃纖維 加強塑膠）、PVF (聚氣乙嫌）、聚醋薄膜（mylar)、聚 酯或丙烯酸酯等所成的塑膠基板。 如上述方式’可製得具有依本發明所形成的發光元件 的發光裝置。 另外，本實施例中所表示的發光裝置，係能將實施例 1至實施例4所表示的發光元件之構成自由組合以實施。 [實施例8] 本實施例中，就將例如實施例7中所形成的發光裝置 含於其一部分中的種種電氣器具加以說明。 使用依本發明所形成的發光裝置所製作的電氣器具而 -45- (40) (40)1354011 言，可例舉：視訊攝影機、數位照相機 '風鏡（goggles )型顯示器（頭載式顯示器）、導航系統、音響再生裝置 (車內音響、音響組件等）、筆記型個人電腦、遊戲機器 、攜帶型資訊端末機（攜帶型電腦、行動電話、攜帶型遊 戲機或電子書本等），具備有記錄媒體的影像再生裝置（ 具體上爲具備有將數位視訊磁碟（DVD )等之記錄媒體再 生並能顯示其影像的顯示裝置的裝置）等。第7圖中表示 此等電氣器具之具體例。 第7 ( A )圖係一種顯示裝置，包含：箱體200 1、支 持台2002、顯示部2003、擴音器部2004、視訊輸入端子 2〇〇5等。將依本發明所形成的發光裝置使用於其顯示部， 即可製作。在此，顯示裝置可包含個人電腦用、電視機（ TV)播放收訊用、廣告顯示用等之所有全部資訊顯示用 裝置。 第7(B)圖係一種筆記型個人電腦，包含：本體220 1 、箱體2202、顯示部2203、鍵盤2204、外部連接盤2205、 按點式滑鼠22 06等。將依本發明所形成的發光裝置使用於 其顯示部2203，即可製作。 第7(C)圖係一種攜帶型電腦，包含：本體23 0 1、顯 示部23 02、開關23 03、操作鍵2304、紅外線埠（port ) 2 3 05等。將依本發明所形成的發光裝置使用於其顯示部， 即可製作。 第7(D)圖係一種具備有記錄媒體的攜帶型之影像 再生裝置（具體上爲DVD再生裝置），包含：本體2401、 -46 - (41) (41)1354011 箱體2402、顯示部A 2403、顯示部B 2404、記錄媒體讀取 部2405、操作鍵2406、擴音器部2407等。在此所舉的記錄 媒體係指DVD等。顯示部A 240 3主要顯示影像資訊，而顯 示部B 2404主要顯示文字資訊，惟將依本發明所形成的發 光裝置使用於此等顯示部A 2404、B 2404，即可製作。在 此’具備有記錄媒體的影像再生裝置中，包含家庭用遊戲 機器等。 第7(E)圖係一種風鏡型顯示器（頭載式顯示器）， 包含：本體2501、顯示部2502、臂部2503。將依本發明所 形成的發光裝置使用於其顯示部2502，即可製作。 第7 ( F )圖係一種視訊攝影機，包含：本體260 1、顯 示部2602、箱體2603、外部連接埠2604、遙控接收信號部 2605、收像部2606、電池2607、聲音輸入部2608、操作鍵 2609、接目部2610等。將依本發明所形成的發光裝置使用 於其顯示部2602，即可製作。 第7(G)圖係一種行動電話，包含：本體2701、箱 體2702 '顯示部2703、聲音輸入部27〇4、聲音輸出部2705 、操作鍵2706、外部連接埠2707 '天線部2 708等。將依本 發明所形成的發光裝置用於顯示部2 703，即可製作。 如上述，依本發明所形成的發光裝置之適用範圍極爲 廣濶，又由於用於發光裝置的發光元件，係使用本發明之 咔唑衍生物所形成之故，具有驅動電壓低、耐用壽命較長 的特徵。因而，如將此發光裝置適用於所有領域之電氣器 具，則可實低消費電力化、耐用壽命長期化》 47- (42) (42)1354011 [產業上之利用可能性] 由於本發明之實施，即可製得耐熱性或電洞傳輸性優 異且不致於結晶化之下能成膜的咔唑衍生物。又，如使用 上述咔唑衍生物以製作有機半導體元件、發光元件以及電 子機器，即可提供驅動電壓低，耐用壽命長期化的有機半 導體元件、發光元件以及電子機器。再者，如使用上述發 光元件以作成發光裝置，則可提供消費電力低、耐用壽命 長期化的發光裝置。 【圖式簡單說明】 第1圖：說明本發明之發光元件之元件構造的圖。 第2圖：說明本發明之發光元件之元件構造的圖。 第3圖：說明本發明之發光元件之元件構造的圖。 第4圖：說明本發明之發光元件之元件構造的圖。 第5圖··就經適用本發明之有機半導體元件加以說明 的圖。 第6圖：就發光裝置加以說明的圖。 第7圖：就電氣器具加以說明的圖。 第8圖：係本發明之咔唑衍生物之螢光光譜。 第9圖：係本發明之咔唑衍生物之紫外•可視領域吸 收光譜。 第10圖：表示本發明之咔唑衍生物之甲醇溶液及沈積 膜之吸收光譜。 -48- (43) (43)1354011 第11圖：表示本發明之咔唑衍生物之甲醇溶液之螢光 光譜、激發光譜。 第12圖：表示使用本發明之咔唑衍生物的元件之電 壓一亮度曲線。 第13圖：表示本發明之咔唑衍生物之1H NMR資料。 第14圖：表示本發明之咔唑衍生物之13CNMR資料。 第15圖：表示本發明之咔唑衍生物之1H NMR資料。 第16圖：表示本發明之咔唑衍生物之l3CNMR資料。 第17圖：表示本發明之咔唑衍生物之1H NMR資料。 第18圖：表示本發明之咔唑衍生物之13CNMR資料。 【符號說明】 1 00基板 101第1電極（陽極） 102含有發光物質的層 103第2電極（陰極） 1 1 1電洞注入層 1 1 2電洞傳輸層 1 13發光層 1 1 4電洞阻擋層 1 1 5電子傳輸層

Claims (1)

1354011
第093112679號專利申請案中文申請專利範圍修正本 拾、申請專利範圍 民國100年8月2 曰修正 一種咔唑衍生物，係可以一般式（7 )表示者
(式中，表示l<k<8，0<1<8、R1()爲分別獨立的烷基 (但，碳數爲1至20) 、_代院基（但’碳數爲1至2〇)、 取代或無取代之方基、取代或無取代之雜環殘基、Μ爲〇 至6價之金屬離子’ L爲芳基、二院基膦基、二芳基膦基、 X4爲氫、院基（但’碳數爲1至20)、鹵代烷基（但，碳 數爲1至20)、取代或無取代之芳基、取代或無取代之雜 環殘基）。 2. —種有機半導體元件，其特徵爲：使用申請專利 範圍第1項之咔唑衍生物。 3. —種發光元件，其特徵爲：使用申請專利範圍第1 項之咔唑衍生物。 4. 一種發光元件，其特徵爲：將申請專利範圍第^頁 之咔唑衍生物作爲發光性材料使用。 5. —種發光元件，其特徵爲：具有含有申請專利範 圍第1項之咔唑衍生物及客材料的發光層。 1354011 6.—種發光元件，其特徵爲：具有含有申請專利範 圍第1項之咔唑衍生物及主材料的發光層。 ' 7. —種發光元件，其特徵爲：將申請專利範圍第1項 之咔唑衍生物作爲電洞傳輸性材料使用。 8. —種電子機器，係含有一具有申請專利範圍第3項 至第7項中任一項之發光元件的發光裝置，而其特徵爲： 前述電子機器，係選自；顯示裝置、數位靜照照相器、個 φ人電腦、移動式電腦、影像再生裝置、風鏡型顯示器、視 訊攝影機、行動電話之群組中。 9. 一種電子機器，係含有一具有申請專利範圍第2項 之有機半導體元件的發光裝置，而其特徵爲：前述電子機 器，係選自；顯示裝置、數位靜照照相器、個人電腦、移 動式電腦、影像再生裝置、風鏡型顯示器、視訊攝影機、 行動電話之群組中。 S
-2- 1354011 第093112679號專利申請案 中文圖式修正頁 100. 8.-2- 年月曰修正替換頁 民國loir军8爿2白修正· 〇- 2
&
-2.016 -1.653 -1.629 -1.605 -1.435 -1.268 -1.244 "1.221 -0.000 第13圖 1354011
°Q 3Ό8β776678 -1·9-7^1^7^^^7^^ 2·9·9·6·5·33·0·0·9·^"· 4 3?225r2-22 1.0,°,
2098)001 ·4· 1551 7·7·7·6· 777 7 38.246 13.993 第14圖 1354011 1100. 8. -"~2- 年月日修正替換頁
第15圖 1354011 .8.-2- 年月曰修正替換頁
第16圖 1354011 — 正替換頁
0087664085^·14^^7914588567^2195896945 ·41· 1· -r-6·6'·6^·51·5·-4-31·"^·3^·2·2·2 cp-8-8cp·77·7-7·7·7·7·7·7-77-7-7'7·7 ο PPM 9 第17圖 1354011 ’°°年$ al·正替換頁
-141.804 -139.249 129.977 126219 125.856 124.093 123.128 120260 119J99 119.650 112.002 109.703 〇- οί— s- κ- ο- D V 2 ι L_,Γ 77.420 77.000 76.571 第18圖
TW093112679A 2003-05-16 2004-05-05 Carbazole derivative, organic semiconductor elemen TWI354011B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003139432 2003-05-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200504181A TW200504181A (en) 2005-02-01
TWI354011B true TWI354011B (en) 2011-12-11

Family

ID=33447334

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW093112679A TWI354011B (en) 2003-05-16 2004-05-05 Carbazole derivative, organic semiconductor elemen

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7504162B2 (zh)
JP (1) JP4558510B2 (zh)
TW (1) TWI354011B (zh)
WO (1) WO2004101517A1 (zh)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040247933A1 (en) * 2003-06-03 2004-12-09 Canon Kabushiki Kaisha Bipolar asymmetric carbazole-based host materials for electrophosphorescent guest-host OLED systems
JP4697142B2 (ja) * 2004-08-05 2011-06-08 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
EP1866984B1 (en) * 2005-03-23 2017-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light emitting element and light emitting device
GB2439030B (en) * 2005-04-18 2011-03-02 Konica Minolta Holdings Inc Organic electroluminescent device, display and illuminating device
JP4794918B2 (ja) * 2005-06-20 2011-10-19 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
US9112170B2 (en) * 2006-03-21 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US8221904B2 (en) * 2007-03-20 2012-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxadiazole derivative and light-emitting element, light-emitting device, and electronic device in which the oxadiazole derivative is used
CN101679383B (zh) 2007-05-17 2014-10-29 株式会社半导体能源研究所 三唑衍生物，和使用三唑衍生物的发光元件、发光器件和电子器件
KR20100032888A (ko) 2007-07-10 2010-03-26 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기발광 소자용 재료 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자
US20110196104A1 (en) * 2007-08-17 2011-08-11 Georgia Tech Research Corporation Norbornene-based copolymers with iridium complexes and exiton transport groups in their side-chains and use thereof
US8106391B2 (en) * 2007-09-28 2012-01-31 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic EL device
KR20100103837A (ko) * 2007-12-20 2010-09-28 조지아 테크 리서치 코포레이션 카바졸계 정공수송 및/또는 전자차단 물질 및/또는 호스트 고분자 물질
WO2009081718A1 (en) * 2007-12-21 2009-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Triazole derivative, light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US8221905B2 (en) * 2007-12-28 2012-07-17 Universal Display Corporation Carbazole-containing materials in phosphorescent light emitting diodes
US8993125B2 (en) 2010-05-21 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Triazole derivative, and light-emitting element, light-emitting device, electronic device and lighting device using the triazole derivative
TWI549942B (zh) * 2010-08-26 2016-09-21 首威公司 Ｎ－苯基三咔唑類
US8987472B2 (en) * 2010-10-11 2015-03-24 Solvay Sa N-cycloalkylalkyl triscarbazoles
TWI425690B (zh) * 2010-12-31 2014-02-01 Au Optronics Corp 堆疊式太陽能電池模組
TWI430491B (zh) * 2010-12-31 2014-03-11 Au Optronics Corp 堆疊式太陽能電池模組
JP6002503B2 (ja) 2011-08-18 2016-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 カルバゾール化合物
WO2013096832A2 (en) * 2011-12-22 2013-06-27 Georgia Tech Research Corporation Small molecule crosslinkable triscarbazole hole transport materials
WO2015084256A1 (en) * 2013-12-02 2015-06-11 Nanyang Technological University Hole transporting molecules and their use in solar cells
WO2015093496A1 (ja) * 2013-12-18 2015-06-25 出光興産株式会社 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、インク組成物、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器
US10862037B2 (en) * 2015-10-16 2020-12-08 Lg Chem, Ltd. Electroactive materials
CA3059631A1 (en) 2017-04-11 2018-10-18 Saje Pharma, Llc Carbazole compounds and methods of use thereof
CN109721619B (zh) * 2017-10-27 2021-01-26 中节能万润股份有限公司 一种以苯并咪唑并酮为核心的化合物及其在oled器件上的应用
KR20210138844A (ko) * 2020-05-12 2021-11-22 삼성디스플레이 주식회사 헤테로시클릭 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3139321B2 (ja) * 1994-03-31 2001-02-26 東レ株式会社 発光素子
JP4140986B2 (ja) 1997-02-14 2008-08-27 出光興産株式会社 有機電界発光素子
JP2001244077A (ja) 2000-03-01 2001-09-07 Fuji Photo Film Co Ltd 有機発光素子
JP4890669B2 (ja) 2000-03-13 2012-03-07 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ素子
JP4560927B2 (ja) 2000-09-22 2010-10-13 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
DE10123969C1 (de) * 2001-05-17 2002-11-07 Freudenberg Carl Kg Filteranordnung
JP2003133075A (ja) * 2001-07-25 2003-05-09 Toray Ind Inc 発光素子
JP4243328B2 (ja) 2002-03-11 2009-03-25 財団法人神奈川科学技術アカデミー フェニルアゾメチン系カルバゾールデンドリマーと有機ｅｌ素子
JP4424996B2 (ja) * 2002-03-18 2010-03-03 イシス イノベイション リミテッド リン光デンドリマー
US20030205696A1 (en) 2002-04-25 2003-11-06 Canon Kabushiki Kaisha Carbazole-based materials for guest-host electroluminescent systems
JP2004018677A (ja) * 2002-06-17 2004-01-22 Idemitsu Kosan Co Ltd 潤滑油添加剤組成物及び潤滑油組成物
JP2004018787A (ja) 2002-06-19 2004-01-22 Fuji Photo Film Co Ltd カルバゾール誘導体、並びにそのポリマー、及びそれを含有する発光素子
JP4427947B2 (ja) * 2002-11-18 2010-03-10 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2004101517A1 (ja) 2004-11-25
TW200504181A (en) 2005-02-01
JP4558510B2 (ja) 2010-10-06
JPWO2004101517A1 (ja) 2006-07-13
US20050031899A1 (en) 2005-02-10
US7504162B2 (en) 2009-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI354011B (en) Carbazole derivative, organic semiconductor elemen
TWI548614B (zh) 螺茀衍生物，用於發光元件之材料，發光元件，發光裝置，及電子裝置
KR101290099B1 (ko) 복합재료, 발광소자용 재료, 발광소자, 발광장치 및전자기기
US8304094B2 (en) Light-emitting element using spirofluorene derivative and electronic appliance
KR101359412B1 (ko) 카르바졸 유도체, 발광소자용 재료, 발광소자, 발광 장치 및 전자기기
KR101326286B1 (ko) 발광 소자 및 발광 장치
US7232619B2 (en) Pyrene derivative, light emitting element, and light emitting device
TW200946519A (en) Quinoxaline derivative, and light-emitting element and electronic device using the same
TW200411962A (en) Electronic devices made with electron transport and/or anti-quenching layers
TWI363084B (en) Quinoxaline derivatives, and light emitting element using thereof
JP2009161563A (ja) 有機金属錯体
KR20150064687A (ko) 신규한 청색 형광 호스트 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
JP4401665B2 (ja) 電界発光素子
TWI356844B (en) Electron injection composition for light emitting
US20090230855A1 (en) Novel organic compound and organic light emitting device comprising the same
WO2004046275A1 (ja) 電界発光素子および発光装置
KR20150058083A (ko) 신규한 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
JP2005154421A (ja) カルバゾール誘導体、発光素子、および発光装置
JP2005126431A (ja) ピレン誘導体、発光素子、および発光装置、並びに電気器具
KR20150064683A (ko) 신규한 정공주입·정공수송 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
WO2005040117A1 (en) Carbazole derivative, light emitting element, and light emitting device
WO2004063308A1 (ja) 電界発光素子及び電界発光素子の作製方法
KR101765511B1 (ko) 카바졸 유도체 및 이를 이용한 유기전계소자
JP4869690B2 (ja) 発光素子、発光装置および複合材料
JP5171734B2 (ja) 電界発光素子および発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees