JP4243328B2 - フェニルアゾメチン系カルバゾールデンドリマーと有機el素子 - Google Patents
フェニルアゾメチン系カルバゾールデンドリマーと有機el素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4243328B2 JP4243328B2 JP2002066191A JP2002066191A JP4243328B2 JP 4243328 B2 JP4243328 B2 JP 4243328B2 JP 2002066191 A JP2002066191 A JP 2002066191A JP 2002066191 A JP2002066191 A JP 2002066191A JP 4243328 B2 JP4243328 B2 JP 4243328B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- generation
- transport layer
- carbazole
- dendrimer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
この出願の発明は、フェニルアゾメチン系カルバゾールデンドリマーとこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術と発明の課題】
有機EL素子は透明ガラス電極(ITO)と電子注入層の低仕事関数金属の間に有機層として正孔輸送層、発光層、電子輸送層などを挟んで、発光層において正孔と電子の再結合により生成される励起子(エキシトン)の失活する際の放出する光エネルギー(蛍光・燐光)を利用する表示素子である。従来、正孔輸送層としては室温で安定なガラス転移を示すアモルファスの低分子系が用いられており、その代表的な例としては低分子系としてはトリフェニルアミン誘導体、さらに有機EL素子の高効率、高安定性を高めるためにトリフェニルアミン基とビニル基を結合させたジスチルベンゼン誘導体や電子輸送材として知られているオキサジアゾール基と結合させた誘導体などが用いられている。または、強い蛍光特性を示す希土類金属錯体系も利用されている。高分子系の場合はπ共役系のポリフェニレンビニレン、非共役系のポリビニルカルバゾール誘導体などもそれぞれ発光層、正孔輸送層材として用いられている。このような有機EL素子を実用するうえで、高輝度、高効率の発光材料の開発のみならず、素子寿命の向上も重要課題である。そのため、薄膜である各々層の膜形成状態、すなわち薄膜のモルフォロジー安定性が極めて要求されている。さらに、有機EL素子の更なる安定性のためには電気化学的安定性(可逆的な酸化還元)も優れた化合物が望まれている。
【0003】
以上のように、有機EL素子は少なくとも一層の発光層を含む透明陽極、正孔輸送層、電子輸送層、背面陰極などの薄膜の積層により構成される素子であり、その素子の長寿命化のためには各層のモルフォロジー安定性が重要課題である。しかし、報告されている有機EL材料(正孔・電子輸送材料、発光材料)のほとんどは、薄膜状態でのモルフォロジー安定性が乏しいものであり、そのため耐久性の優れる有機EL素子の開発が実現されなかったのが実情である。特に、近年正孔輸送材料については、有機EL素子の長期安定性を高めるためにガラス転移点(Tg)の高いアモルファス材料やポリフェニレンビニレン、ポリビニルカルバゾールが代表とされるポリマー材料が多く報告されているが、発光効率およびモルフォロジー安定性の面から有機EL素子の長寿命化には限界がある。
【0004】
そこで、この出願の発明は、溶液キャスト法や真空蒸着法により簡便形成することができ、しかも薄膜界面のモルフォロジー特性を改善することができ、より緻密な膜の形成を可能とし、良好な電気化学的安定性(一電子酸化還元特性)および耐熱性のため、優れた発光効率と耐久性を有する新しい有機EL素子とそのための新しい技術手段を提供することを課題としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】
この出願の発明は、上記の課題を解決するものとして、第1には、次式
【0006】
【化5】
【0007】
〔式中のRは、次式
【0008】
【化6】
【0009】
で表わされ、ここでAは、次式
【0010】
【化7】
【0011】
のカルバゾール基を示し、Bは、Aを第1世代とした、第5世代を上限とする第2世代以降の前記カルバゾール基による樹状展開構造を示すか、または水素原子を示し、Cは、Bが水素原子である場合以外の未端基としての次式
【0012】
【化8】
【0013】
のカルバゾール基を示す。〕
で表わされる中心環状化合物であることを特徴とするフェニルアゾメチン系カルバゾールデンドリマーを提供する。
【0014】
また、この出願の発明は、第2には、透明基板に正孔輸送層,発光層,電子輸送層を積層した有機EL素子において、正孔輸送層が上記のフェニルアゾメチン系カルバゾールデンドリマーを有することを特徴とする有機EL素子を提供し、第3には、正孔輸送層には、希土類金属イオンは同存されていることを特徴とする上記の有機EL素子を、第4には発光層および電子輸送層は、トリス(8−キノリノラド)アルミニウムおよび1,3,5−トリス(4−tert−ブチルフェニル−1,3,4−オキサジアゾリル)ベンゼンのうちの少くともいずれかを有していることを特徴とする有機EL素子を提供する。
【0015】
【発明の実施の形態】
この出願の発明は上記のとおりの特徴をもつものであるが、以下にその実施の形態について説明する。
【0016】
この出願の発明は、上記のとおりの特徴をもつものであるが、以下にその実施の形態について説明する。
【0017】
この出願の発明は、まず、その構造が特徴的な中心環状のフェニルアゾメチン系のカルバゾールデンドリマーを提供するものである。このものは、世代が上がると共に球面構造をとると共に高い耐熱性を持ちながら有機溶媒に可溶であり、キャスト法や沈積法により簡便に薄膜を形成することができる。さらにこのデンドリマーは中心の環状フェニルアゾメチン部位を金属と錯結成させることにより、エネルギー準位の減少、優れた酸化還元特性をもたせることも可能であり、素子の駆動電圧の低下、発光効率の向上が期待される。
【0018】
上記のフェニルアゾメチン系カルバゾールデンドリマーは、前記の符号Bが水素原子の場合、これを第1世代とし、第2世代以降は、符号Bがカルバゾール基として樹状に拡大展開する。このようなデンドリマーにおいて、カルバゾール基には、炭化水素基、アルコキシ基等の置換基を適宜に有していてもよい。また、中心部の環状構造においても適宜に置換基を有してもよい。
【0019】
有機EL素子のための機能性材としては、このフェニルアゾメチン系カルバゾールデンドリマーは第1世代から第7世代程度のものまでが好適に用いられる。
【0020】
そして、この出願の発明の有機EL素子は、その基本的な構成として、ITO等の透明電極、正孔輸送層あるいは正孔輸送性発光層、発光層、電子輸送層、背面金属電極がそれぞれ積層されている。そこで、この出願の発明では各層間の薄膜の形成モルフォロジー性能を向上するために球状のデンドリマー体に着目し、正孔輸送性の優れたカルバゾール基を導入した中心イミン環状のカルバゾールデンドリマーを用いる。また、中心環状イミン部位は希土類金属と錯結成が可能であり、層間エネルギー準位の減少が期待され、素子の開放電圧を下げることが可能となる。また、優れた酸化還元特性のため、高安定性の有機EL素子を提供することが可能となる。
【0021】
中心環状のフェニルアゾメチン系カルバゾールデンドリマーは、たとえば実施例にも示したように樹状構造形成のための方法に従って、デンドリマーモノマーの合成を経由することで製造することができる。
【0022】
そこで以下に実施例を説明する。もちろん以下の例によって発明が限定されることはない。
【0023】
【実施例】
<実施例1>
フェニルアゾメチン系デンドリマーの合成
1.デンドロン(2世代〜4世代)の合成
次式に従ってカルバゾールをアセトン(AcOH)中ヨウ素化試薬としてヨウ化カリウム(KI)、ヨウ素酸カリウム(KIO3)を用いて1時間還流した後、無水酢酸(Ac2O)によりアセチル化を行い9−アセチル3,6−ジヨードカルバゾール(1)を40%収率で得た。次いでジメチルアセトアミド(DMAc)中、硫酸銅(Cu2O)を用いてカルバゾール(3世代、4世代のデンドロンの場合は2世代、3世代デンドロンを用いる)と還流させた(ウルマン反応)。その後、水酸化カリウム(KOH)により脱アセチル化を行い各世代のデンドロン(2)をそれぞれ、88%(2世代デンドロン)、68%(3世代デンドロン)、54%(4世代デンドロン)の収率で得た。得られた各デンドロンはTOF-Mass、元素分析および1H−NMRにより同定した。
【0024】
同定値は表1のとおりである。なお、反応式においては世代数を便宜的に「n」との関係として示している。
【0025】
【化9】
【0026】
【表1】
【0027】
2.デンドリマーモノマー(1世代〜5世代)の合成
ヨード安息香酸とアニリンをポリリン酸中で還流された後、アミン基のアセチル化により得られた、4−アセチルアミノ−4′−ヨードベンゾフェノン(3)を次式に従って、ジメチルアセトアミド(DMAc)中、硫酸銅(Cu2O)を用いてカルバゾールまたは、上記の2世代デンドロンまたは、上記の3世代デンドロンまたは、上記の4世代デンドロンと還流した(ウルマン反応)。その後、水酸化カリウム(KOH)により脱アセチル化を行い各世代のデンドリマーモノマー(4)をそれぞれ、88%(1世代)、82%(2世代)、71%(3世代)、65%(4世代)、40%(5世代)収率で得た。得られた各デンドリマーモノマーはTOF-Mass、元素分子および1H−NMRにより同定した。
【0028】
同定値は表2のとおりである。
【0029】
【化10】
【0030】
【表2】
【0031】
3.デンドリマー(1世代〜5世代)の合成
上記の各デンドリマーモノマー(4)を、次式に従って、クロロベンゼン(phCl)中、1,4−ジアザビシクロ〔2,2,2〕オクタン(DABCO)共存下で四塩化チタン(TiCl4)による脱水反応による環化により各世代のデンドリマー(5)をそれぞれ、30%(1世代)、56%(2世代)、95%(3世代)、96%(4世代)、96%(5世代)収率で得た。得られた各デンドリマーはTOF-Mass、1H−NMRおよび元素分析により同定した。
【0032】
同定値は表2のとおりである。
【0033】
【化11】
【0034】
【表3】
【0035】
<実施例2>
有機EL素子の基本構造の概略図を図1に示した。ITOガラス基板2と、正孔輸送層3と、発光層および電子輸送層4と、背面電極(Al)5がこの順に積層されている。図1の正孔輸送層3には、上記において合成されたデンドリマー化合物群のいずれか一つが保持されている。なお、この化合物群は、その環状中心のフェニルアゾメチン基のイミン基を金属と錯合成させて得られた化合物を正孔輸送層3として用いることができる。
【0036】
発光層および電子輸送層4としては、たとえば、一般に知られているトリス(8−キノリノイド)アルミニウム(以下、「Alq」と略する)を用いることができる。ITO基板についてはガラスのほかにフィルム状に形成したITO基板も使用できる。また、背面電極についてもAl電極のほかにMgAg,Ca,AlLiなどが利用できる。正孔輸送層3と、発光層および電子輸送層4と、背面電極(Al)5はスピンキャスト法または真空蒸着法により形成することができる。
【0037】
実際に製作した有機EL素子は、ITOガラス電極1上に、スピンキャスト法により厚さ500オングストロームに上記デンドリマー層を形成した。次いで、発光層および電子輸送層4としてAlqを真空蒸着により厚さ500オングストロームに形成した。その後、背面電極5としてAlを厚さ1000オングストロームに形成し、面積5ミリメートルの素子を作成した。製作したこの有機EL素子について、室温大気下において電圧−電流、電圧−輝度およびELスペクトルの測定を行った。実施例により製作した第3世代の上記化合物と、このものとテルビウムイオンとの錯体の場合の素子の電圧−輝度特性を図2に示す。ITO電極を正極として6V以上の電圧を印加することにより緑色の発光が確認され、11Vで2000cd/m 2 、300cd/m 2 の発光時における発光効率は1.0lmW -1 である。さらに、金属添加により中心イミン部位を錯結成させたカルバゾールデンドリマーを正孔輸送層2として用いた上記有機EL素子は、図2に示したように4V程度で緑の発光が観測され、9Vで3000cd/m 2 、300cd/m 2 の発光時における発光効率は1.5lmW -1 で高い発光効率を示した。
【0038】
以上、具体的例を挙げながら発明の形態に基づいて説明したが、この出願の発明は上記の内容に限定されるものではなく、発明の特徴を逸脱しない限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能である。
【0039】
【発明の効果】
以上詳しく説明したとおり、この出願の発明によれば、発光輝度、発光効率、開放電圧に優れる有機EL素子を得ることができる。また、カルバゾール基含有の新規デンドリマー化合物を正孔輸送材料として用いることにより、層間の製膜性の増加とデンドリマーの高い耐熱性により、耐久性の優れた有機EL素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】有機EL素子の構成を例示した図である。
【図2】実施例における印加電圧と輝度との関係を例示した図である。
Claims (4)
- 透明基板に正孔輸送層、発光層、電子輸送層を積層した有機EL素子において、正孔輸送層が請求項1のフェニルアゾメチン系カルバゾールデンドリマーを有することを特徴とする有機EL素子。
- 正孔輸送層には、希土類金属イオンは同存されていることを特徴とする請求項2の有機EL素子。
- 発光層および電子輸送層は、トリス(8−キノリノラド)アルミニウムおよび1,3,5−トリス(4−tert−ブチルフェニル−1,3,4−オキサジアゾリル)ベンゼンのうちの少くともいずれかを有していることを特徴とする請求項2または3の有機EL素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002066191A JP4243328B2 (ja) | 2002-03-11 | 2002-03-11 | フェニルアゾメチン系カルバゾールデンドリマーと有機el素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002066191A JP4243328B2 (ja) | 2002-03-11 | 2002-03-11 | フェニルアゾメチン系カルバゾールデンドリマーと有機el素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003267976A JP2003267976A (ja) | 2003-09-25 |
JP4243328B2 true JP4243328B2 (ja) | 2009-03-25 |
Family
ID=29198098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002066191A Expired - Fee Related JP4243328B2 (ja) | 2002-03-11 | 2002-03-11 | フェニルアゾメチン系カルバゾールデンドリマーと有機el素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4243328B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI354011B (en) * | 2003-05-16 | 2011-12-11 | Semiconductor Energy Lab | Carbazole derivative, organic semiconductor elemen |
KR101286221B1 (ko) | 2003-09-26 | 2013-07-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 |
JP2008511970A (ja) * | 2004-08-31 | 2008-04-17 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法 |
DE102006025777A1 (de) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Merck Patent Gmbh | Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
KR100892021B1 (ko) | 2007-03-26 | 2009-04-07 | 고려대학교 산학협력단 | 광굴절 덴드론 화합물, 광굴절 덴드리머 화합물 및 그의 제조방법, 상기 화합물을 이용한 광굴절 소자 및 상기 소자의 제조방법 |
JP6002503B2 (ja) | 2011-08-18 | 2016-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | カルバゾール化合物 |
JP6430370B2 (ja) * | 2013-04-10 | 2018-11-28 | 株式会社Kyulux | 発光材料、有機発光素子および化合物 |
-
2002
- 2002-03-11 JP JP2002066191A patent/JP4243328B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003267976A (ja) | 2003-09-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4545741B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
TWI341860B (ja) | ||
TWI421273B (zh) | 聚合物、包括該聚合物之有機光電裝置與顯示器 | |
US6652995B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
TW200844107A (en) | Cyclic siloxane compound, organic electroluminescent element, and use thereof | |
JP2003077675A (ja) | 有機発光素子および発光材料 | |
JP4243328B2 (ja) | フェニルアゾメチン系カルバゾールデンドリマーと有機el素子 | |
JP2001076880A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP3483979B2 (ja) | 新規モノマー、新規高分子化合物とそれを用いた有機薄膜素子 | |
JP2003007470A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP4649842B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP4649843B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP6083642B2 (ja) | フェニルカルバゾール基置換ジフェニルケトン化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP4352736B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2007201194A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2000017057A (ja) | スチリル系化合物及びその製造方法並びにそれを用いた有機発光素子 | |
JP5424759B2 (ja) | ホウ素化合物およびこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
WO2006022160A1 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2004030942A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP4924784B2 (ja) | 電子輸送材料および該電子輸送材料を用いた有機発光素子 | |
JPH10175938A (ja) | 有機化合物、その重合体および有機電界発光素子 | |
JP4639611B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2007201190A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2003017270A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2007201192A (ja) | 有機電界発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080909 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080910 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081110 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081209 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081227 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120109 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130109 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |