TWI353058B - Thin film transistor array panel for display - Google Patents

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TWI353058B TW093137567A TW93137567A TWI353058B TW I353058 B TWI353058 B TW I353058B TW 093137567 A TW093137567 A TW 093137567A TW 93137567 A TW93137567 A TW 93137567A TW I353058 B TWI353058 B TW I353058B
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Description

1353058 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種顯示器之薄膜電晶體陣列.面板。 【先前技術】 一薄膜電晶體(TFT)陣列面板包括:水平安置於一絕緣笑 板上的閘極線;一位於該等閘極線上的閘極絕緣層;一位 於被設置於閘極線之一閘電極上之閘極絕緣層上的半導體 圖案;位於該半導體圖案上之閘極線中心且彼此分離開的 接觸層;及垂直安置於該閘極絕緣層上的資料線。在該等 資料線中,一源電極以一分支形態延伸至該接觸層之一末 端的上部分,且一汲電極提供於該接觸層的另一部分上並 連接至一像素電極。通常,該像素電極提供於一覆蓋汲電 極及貧料線等的保護層上,且藉由一形成於該保護層内的 接觸孔而連接至該汲電極。 在TFT陣列面板中,修復線提供於閘極線與資料線交又 的作用ϋ附近,以防止歸因於資料線的斷開或間極線與資 料線之間的短路而可能發生的故障。舉例而言,當閘極線 與資料線被短路時,其可藉由將已短路之資料線的兩端連 接至該修復線,且使用-雷射光束斷開已短路之資料線的 兩端而得以修復。缺品 以而,根據LCD(液晶顯示器)尺寸的增 加’使用修復線的方法可能帶來阻容(rc)延遲的問題。 【發明内容】 本發明之技術目標係解決顯示器之TFT陣列面板中之修 復線的RC延遲。 〆 98084.doc 1353058 為達成此目標,本發明提供了顯示器之TFT陣列面板, 其在一傳輸閘極的一輸入端子中具有一修復線。 絆言之,本發明提供了一種叮丁陣列面板,其包括··一 絕緣基板;水平提供於該絕緣基板上的閘極線;與該間極 線絕緣且與該等閘極線交又的資料線;一藉由交叉該等閘 極線與該等資料線而被界定之_像素區域内的像素電極; 一用於將藉由該等複數個資料線而得以傳輸之—影像訊號 傳輸或截取至該像素電極以回應於傳輸來自該等複數個間 極線之—掃描訊號的TFT; — s於將自-輸人線輸人之影像 訊號分配至該等複數個資料線的傳輸閘極;及一與該傳輸 間極之輸入線交叉的修復線。 在該結構_,較佳地,該修復線分為一輸入端子修復綠 及一末端修復線,且一修復傳輸閘極進一步被包括於TF] 陣列面板巾以連接該輸人修復線及該末端修復線^該傳輸 閘極包括《個TFT’其中該等TFT之每—輸出端子均連接 至每-資料線’每-輸人端子均連接至傳輸閘極輸入線, 且每一閘極端子均連接至傳輸閘極之掃描訊號線。修復傳 輸閘極可包括一連接至末端修復線的輸出端子;一連接至 輸入修復線的輪人料H連接至傳輸閘極掃描訊號 線的閘極端子連接件重疊的閘極端子。此處,該傳輸閑極 的三個輸人端子形成了—集合,且其連接至傳輸閘極之輸 入線。存在三條傳輸閘崎描訊號線,1其可分別連接至 傳輸閘極的三個閘極端子以對應於輸人端子的集合。存在 三個與修復傳輸閘極之閘極端子重疊的閘極端子連接:, 98084.doc 1353058 部刀上 /、有位於其上之驅動晶片540的可撓性電路板 510提供於絕緣基板110之下部分上,一印刷電路板55〇則提 供於可撓性電路板510之下部分上。因此,可撓性電路板51〇 連接絕緣基板U 〇與印刷電路板5 5 〇。 參看圖2,提供了輸出端子連接至資料線171的tft以個 別地對應於資料線171。TFT的三個輸入端子311、312及313 成為一集合,且其連接至傳輸閘極之輸入線31〇。TFT的三 個閘極端子432、442及452分別連接至第一、第二及第三傳 輸閘極掃描線430、440及450 〇傳輸閘極將來自傳輸閘極之 輸入線310之影像訊號分配至三條資料線171以回應於傳輸 閘極掃描訊號。 傳輸閘極之輸入線310與作為電源線之Vdd線42〇及Vss線 410交又。在Vdd線420與Vss線410之間提供兩種二極體··一 種允許電流自Vdd線420流至傳輸閘極之輸入線31〇;另一種 則允許電流自傳輸閘極之輸入線31〇流至¥88線41〇。此等二 極體將來自顯示面板之靜電分散至整個顯示面板,或將其 發射至外部。 輸入修復線401提供於Vss線41〇外部’且其與傳輸閘極之 輸入線310交又。因此,當需要修復時,輸入修復線4〇1與 傳輸閘極之輸入線3 1 〇可藉由將一雷射光束照射至輸入修 復線40 1與傳輸閘極之輸入線3 10之交叉點而被短路。 一修復傳輸閘極提供於最左端之傳輸閘極的左部上,且 其包括一具有顯著較長通道的TFT。此叮丁通道大約為普通 傳輸閘極之TFT通道的兩倍長。因此,此TFT的阻抗變成普 98084.doc -9- 1353058 通傳輸閘極之TFT的阻抗的約一半。 在修復傳輸閘極中,輸入端子線320連接至輸入修復線 401 ’且輸出端子線330連接至末端修復線402。提供該末端 修後線402以繞過顯示區域112與資料線171之末端部分交 叉。將閘極端子461及462連接至閘極端子線460。 修復傳輸閘極之閘極端子線460與分別被連接至第一、第 一及弟二傳輸閘極掃描線430、440及450的所有第一、第二 及第三閘極端子連接件433、443及453重疊。此結構將藉由 將一雷射光束照射至閘極端子線460及閘極端子連接件 43 3、443及45 3中之一者而使上述兩者短路,以使用修復線 401及402修復資料線1 7 1。因此,該修復傳輸閘極藉由與對 應之傳輸閘極掃描訊號同步來進行操作。 藉由兩種二極體將修復傳輸閘極之輸入端子線320連接 至Vdd線420及Vss線410。其中一種二極體允許一電流自 Vdd線420流至修復傳輸閘極之輸入端子線32Q,且另一種允 許一電流自輸入端子線320流至Vss線410。此等二極體將來 自顯示面板之靜電分散至整個顯示面板,或將其發射至外 部。 在下文中’將參考圖來更詳細地描述傳輸閘極丨丨4之結 構。 圖3係圖1中沿-,切割之橫截面圖,圖4係圖1中沿_,切 割之橫截面圖’且圖5係圖1中沿V_v,切割之橫截面圖。 緩衝層ill提供於絕緣層110之上。多晶矽層5〇ι、5〇2、 503、504、505及506提供於緩衝層in上以形成τρτ及二極 98084.doc -10- 1353058 體之通道。在多晶矽層501至506上提供閘極絕緣層140。在 此結構中’多晶矽層501至506包括摻雜於源極及汲極區域 上的η型或p型雜質以及不摻雜有雜質之通道區域。 在閘極絕緣層140上,提供了顯示區域中的閘極線(未圖 示)、TFT之閘極端子432、442及452、第一、第二及第三傳 輸閘極掃描線430、440及450、Vdd線420、Vss線410、修復 線401及402、修復傳輸閘極之閘極端子線46〇、二極體之閘 電極421及422及第一層間絕緣層801。 在該第一層間絕緣層80 1上,提供了資料線171、TFT之 輸入端子3 11、3 12及3 13、傳輸閘極之輸入線3 1 〇、傳輸閘 極之第一、第二及第三閘極端子連接件431、441及451、修 復傳輸閘極之輸出端子線3 3 〇、修復傳輸閘極之輸入端子線 320、修復傳輸閘極之第一、第二及第三閘極端子連接件 433、443及453以及二極體之源電極322及汲電極321。 貝料線171藉由接觸孔而連接至多晶石夕層、502及503 的汲極區域,且TFT的輸入端子311、312及313藉由接觸孔 而連接至多晶矽層501、502及503的源極區域。 傳輸閘極之第一、第二及第三閘極端子連接件43 i^ 及451藉由接觸孔141至146而連接至TFT的閘極端子432、 442及452及第一、第二及第三傳輸閘極掃描線43〇、44〇及 450以電連接閘極端子432、442及452與第一、第二及第二 傳輸閘極掃描線430、440及450。 修復傳輸閘極之輪出端+線33〇藉由—接觸孔而連接至 多晶矽層504的汲極區域,且修復傳輸閘極之輸入端子線 98084.doc 1353058 320藉由一接觸孔而連接至多晶矽層5〇4的源極區域。第 一、第二及第二閘極端子連接件433、443及453藉由接觸孔 186、187及188而連接至第一、第二及第三傳輸閘極掃描線 430、440及450 »修復傳輸閘極之輸出端子線33〇藉由接觸 孔149而連接至末端修復線402,且修復傳輸閘極之輸入端 子線320藉由接觸孔148而連接至輸入修復線4〇1。 將第一二極體之源電極322連接至Vdd線42〇及多晶矽層 505之源極區域。將第二二極體之汲電極321連接至Vss線 410及多晶矽層506之汲極區域。修復傳輸閘極之輸入端子 線320藉由接觸孔而連接至多晶矽層5〇5之汲極區域及多晶 矽層506之源極區域,同時其藉由接觸孔183而連接至第二 二極體之閘電極42 1。 當在具有上述結構之TFT陣列面板中斷開閘極線或資料 線時,可藉由下述方法解決此故障。 舉例而言,在當資料線171被斷開時的情況下,照射一雷 射光束以使斷開的資料線171及末端修復線4〇2短路,且使 輸入修復線40 1及連接至斷開的資料線丨7 i的傳輸閘極之輸 入線310短路。並且,照射一雷射光束以使修復傳輸閘極之 閉極端子線460與連接至傳輸閘極掃描線43〇、44〇及45〇之 第一、第二及第三閘極端子連接件433、443及453其甲之一 短路以對應於斷開的資料線171。 結果,藉由修復線4〇1及4〇2,將希望施加至斷開的資料 線1 7 1的影像訊號施加至斷開的資料線1 71。 圖6係根據本發明之一實施例之薄膜電晶體陣列面板的 98084.doc 1353058 電路圖。 如圖6所示,在本發明之TFT陣列面板中,對輸入修復線 401加以排列以交叉傳輸閘極之輸入線3丨〇,且因此可減少 發生於輸入修復線4〇1與傳輸閘極之輸入線31〇之間的寄生 電令。在習知之TFT陣列中,因為在傳輸閘極之輸出端子中 提供了修復線401,以交叉所有資料線’所以在輸入修復線
401處的寄生電容顯著較大。然而,在本發明之陣列面 板中,因為輸入修復線及傳輸閘極之輸入線31〇交叉,所以 父叉導線的數目減少了約三分之―,且因此輸人修復線4〇1 處的寄生電容亦減少了約三分之一。 如上文所提及,本發明可藉由交又輪入修復線與傳輪閘 極之輸入線來減少修復線處的寄生電容。 不應將本發明認為受限於上文所描述之特殊實施例,而 是應將其瞭解為覆蓋了如附加之中請專利範圍中清楚閣述 之本發明的所有態樣。在回顧本說明書時,各種修改、等
效過程以及其所適用之^結構對於熟習本發明所針對之 技術者而言將變得顯而易見。 【圖式簡單說明】 圖1係根據本發明 平面圖。 之一實施例之薄臈電晶體陣列 面板的 圖2係圖1中"A"之一部分之放大圖。 圖3係圖1尹沿_,切割的橫截面圖。 圖4係圖1_沿_,切割之橫截面圖。 圖5係圖1 _沿V-V·切割之橫截面圖。 98084.doc -13· 1353058 圖6係根據本發明之一實施例之薄膜電晶體陣列面板的 電路圖。 【主要元件符號說明】 110 絕緣基板 112 顯示區域 113 閘極線驅動零件 114 傳輸閘極零件 140 閘極絕緣層 171 資料線 311,312, 313 輸入端子 310 輸入線 320 輸入端子線 330 輸出端子線 321 汲電極 322 源電極 401, 402 修復線 410 Vss線 420 Vdd線 421, 422 閘電極 430, 440, 450 傳輸閘極掃描線 431, 441, 451, 閘極端子連接件 432, 442, 452, 閘極端子 433, 443, 453 閘極端子連接件 460 閘極端子線 98084.doc - -14- 1353058 461,462 閘極端子 501,502, 503, 多晶矽層 504, 505,506 510 可撓性電路板 540 驅動晶片 550 印刷電路板 98084.doc -15-

Claims (1)

1353058 叫狀日修翊頁 第0幻137567號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(100年7 十、申請專利範圍: 1. 一種薄膜電晶體(TFT)陣列面板,其包括: 一絕緣基板; 水平地提供於該絕緣基板上的複數個閘極線; 與該閘極線絕緣且與該等複數個閘極線交又的複數個 資料線; 像素區域内的複數個像素電極; 用於將藉由該等複數個資料線而得以傳輸之一影像訊 號傳輸或截取至該等像素電極以回應於一傳輸自該等複 數個閘極線之掃描訊號的複數個TFT ; 用於將自一輸入線輸入之該影像訊號分配至該等複 數個資料線的傳輸閘極;及 一與該傳輸閘極之該輸入線交又的修復線。 2.如請求項1之TFT陣列面板,其中該修復線包括一輸入修 復線及一末端修復線,且該TFT陣列面板進一步包含一用 於將该輸入修復線連接至該末端修復線之修復傳輸閘 極。 3·如請求項2之TFT陣列面板,其中該傳輸閘極包括複數個 TFT,其每一輸出端子均連接至每一資料線,每一輸入端 子均連接至該傳輸閘極之一輸入線,且每一閘極端子均 連接至該傳輸閘極之每一掃描訊號線;且 ,該修復傳輸閘極具有:一連接至該末端修復線之輸出 端子、一連接至該輸入修復線之輸入端子,及與連接至 該等傳輸閘極掃描訊號線的閘極端子連接件重疊之多個 98084-1000718.doc 閘極端子。 卜7月/^§正替θ 4· 項3之TFT陣列面板,其中該傳輸閘極具有三個輸 輪入線.其㈣了 —集合’且其連接至該傳輸間極之該 該傳輸閘極掃描訊號線具有三條線;及 該傳輸間極具有對應於該傳輸閘極之該等三個輸入端 子的三㈣極料,且其分料接至該等三個傳輸閘極 掃描訊號線》 5.如請求項4之TFT陣列面板,其中與該修復傳輸閘極之該 等閘極端子重疊之閘極端子連接件的數目為3,且三個閘 極端子連接件係分別連接至三個傳輸閘極掃描訊號線。 6·如請求項3之TFT陣列面板,其進一步包括用於將該傳輸 閘極之該輸入線與該修復傳輸閘極之該輸入端子連接至 一電源線的多個二極體。 7.如請求項2之TFT陣列面板’其中該修復傳輸閘極之一通 道的長度比該傳輸閘極之一通道的長度為長。 98084-1000718.doc 2-
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI474525B (zh) * 2012-10-26 2015-02-21

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100703157B1 (ko) * 2005-09-15 2007-04-06 삼성전자주식회사 표시 장치
KR100841362B1 (ko) * 2006-11-10 2008-06-26 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조 방법
KR101571775B1 (ko) * 2009-03-09 2015-12-07 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판, 이의 제조 방법 및 어레이 기판의 리페어 방법
KR101916100B1 (ko) * 2011-08-29 2018-11-08 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
CN105914214B (zh) * 2016-06-15 2019-06-14 深圳市飞鸣特科技有限公司 Oled显示面板制造方法及薄膜晶体管阵列基板制造方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4040073A (en) * 1975-08-29 1977-08-02 Westinghouse Electric Corporation Thin film transistor and display panel using the transistor
US6028333A (en) * 1991-02-16 2000-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electric device, matrix device, electro-optical display device, and semiconductor memory having thin-film transistors
JPH04350824A (ja) * 1991-05-29 1992-12-04 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JPH0695073A (ja) * 1992-09-11 1994-04-08 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP3364081B2 (ja) * 1995-02-16 2003-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3866783B2 (ja) * 1995-07-25 2007-01-10 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JPH10240164A (ja) * 1997-03-03 1998-09-11 Toshiba Corp 駆動回路一体型表示装置
KR100260611B1 (ko) * 1997-04-03 2000-07-01 윤종용 배선을 수리하기 위한 평판 표시 장치용 기판
JP3459560B2 (ja) * 1998-02-10 2003-10-20 三洋電機株式会社 半導体装置及び表示装置
KR100474002B1 (ko) * 1998-04-28 2005-07-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의불량패드수리방법및그구조
US6441401B1 (en) * 1999-03-19 2002-08-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method for repairing the same
KR100848099B1 (ko) * 2002-05-27 2008-07-24 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
TW456048B (en) * 2000-06-30 2001-09-21 Hannstar Display Corp Manufacturing method for polysilicon thin film transistor liquid crystal display panel
US6867823B2 (en) * 2000-08-11 2005-03-15 Hannstar Display Corp. Process and structure for repairing defect of liquid crystal display
KR20020038482A (ko) * 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
TWI313059B (zh) * 2000-12-08 2009-08-01 Sony Corporatio
CN1159694C (zh) * 2001-05-10 2004-07-28 友达光电股份有限公司 液晶显示器的数据线的修补方法
KR100796749B1 (ko) * 2001-05-16 2008-01-22 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판
US6897477B2 (en) * 2001-06-01 2005-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device
JP2002372722A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
EP1326273B1 (en) * 2001-12-28 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2003202589A (ja) * 2001-12-28 2003-07-18 Fujitsu Display Technologies Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JP2003222905A (ja) * 2002-01-30 2003-08-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置の製造方法とその修復方法
KR100895311B1 (ko) * 2002-11-19 2009-05-07 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 검사 방법
US20040140469A1 (en) * 2003-01-17 2004-07-22 Tsung-Neng Liao Panel of a flat display and method of fabricating the panel
TW594161B (en) * 2003-02-18 2004-06-21 Au Optronics Corp Flat panel display with repairable defects for data lines and the repairing method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI474525B (zh) * 2012-10-26 2015-02-21

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