TWI343050B - Method for determining optimum laser beam power and optical recording medium - Google Patents

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TWI343050B
TWI343050B TW096106176A TW96106176A TWI343050B TW I343050 B TWI343050 B TW I343050B TW 096106176 A TW096106176 A TW 096106176A TW 96106176 A TW96106176 A TW 96106176A TW I343050 B TWI343050 B TW I343050B
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Hiroyuki Iwasa
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Ricoh Co Ltd
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Description

1343050 Π) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係相關於決定最佳雷射束功率之方法 錄媒體。 【先前技術】 在藉由使用具有中心波長40 5 nm的藍紫雷 0.6 5或更高的高數値孔鏡（NA)之物鏡以達成: 錄的光學記錄媒體中，最短的記錄標記長度短於 DVDs中的記錄標記長度。雖然依據記錄和調變 ，但是此種光學記錄媒體中的最短記錄標記長度 短至 0.15μηι 至!J 0,2μηι。 當減少到此位準的最短記錄標記長度使光學 再生的信號振幅降低1即使使用類似於D V D所 長等化法之波長等化法仍難以無誤地爲資訊再生 於最短標記的信號與對應於較長標記的信號。因 標記之間的波長千擾變得明顯。首先，要無誤地: 信號需要利用標記之間的想要長度之空間記錄想 標記。 以下面方式可達成相變光學記錄媒體中的高 ;在依據三或更多功率參數控制雷射束功率，並 個功率參數之雷射應用的的開始時間和完成時間 同時應用脈衝形雷射束。此處，具有當雷射束應用 用的三種基本功率參數：記錄（尖峰）功率（ρρ) 光學記
和具有 密度記 CDs及 劃而定 常範圍 波器所 用的波 別對應 與附近 生這些 長度之 準記錄 控制各 週期的 時所使 ’拭除 -5- (2) 1343050 功率（P e )，及底功率（P w )。根據標記長度最佳化用 於Pp和Pb的雷射束應用週期和用於各個功率的脈衝數目 二者。就進一步精準控制標記長度而言，可利用使頭脈衝 不同於其他脈衝的Pbs之四種功率爲主的雷射應用。這些 方法必須找出各個功率位準的最佳値，此値是依據製造光 碟的方式之値。 若各個記錄媒體的最佳記錄條件不同，則不同的光學 記錄/再生裝置可採用不同的光學記錄條件。此外，由於 裝置中的灰塵裝附於物鏡及/或由於雷射源本身的使用壽 ' 命之結束，所以可改變裝置的雷射束功率。因爲記錄條件 邊際限制在高密度和高線性速度記錄，所以由裝置決定最 佳雷射束功率變得越來越不可缺。甚至當藉由簡單形成顫 動槽或溝在其中或藉由改變其相位將記錄條件事先記錄在 除了使用者資料區之外的碟之讀入區中時，藉由使用裝置 簡單讀取記錄條件和記錄資訊仍不一定在碟上達成最佳記 錄。 專利文件1及2各個揭示不管不同記錄/再生裝置之 間的最佳雷射束功率之差異仍能夠最佳記錄的方法。這些 方法依據稱作“調變”的特性値決定最佳記錄功率，這些特 性値係藉由記錄標記的隨意圖型和範圍從最短到最長的空 間’從用於非晶部位的反射信號電壓減去用於最長標記的 結晶部位之反射信號電壓’及以用於結晶部位的反射信號 電壓除以該値加以獲得。這些方法被使用當作甚至具有採 用不同最佳記錄功率之記錄/再生裝置仍能夠最佳記錄之 -6- (3) 1343050 方法。 和具有數値 又在DVD尺 赛）-RE (可 中記錄資訊 子例如包括 具有和這些 HD DVD-R 雷射束照射 30GB。在 〇 )到 1 1 T ( 2T標記大 所獲得的反 應於2T標 長標記之信 波形等化法 意地產生， 此，在這些 問題。 同時，近年來已發展採用使用藍紫雷射束 孔鏡0.65的格式之可重寫光學記錄媒體，用t 寸中達成15GB的儲存容量。如同BD (藍光β 重寫）一般，這些可重寫媒體是在它們的溝槽 的一種。 此種具有15 GB的儲存容量之媒體的例 HD DVD-ROM和 HD-DVD;上述可重寫媒體 媒體具有的儲存容量一樣多，基本上，共用與 * 相同個格式。而且，可重寫媒體的例子包括在 側具有兩記錄層的那些，用以倍增儲存容量到 本發明中，此種媒體被稱作單側雙層記錄媒體 在這些記錄媒體中，從2T (最短的標記 最長的標記）的長度範圍之標記被隨意記錄。 約長0.2μηι。若利用再生從光電二極體（PD) 射信號之間的信號之調變規劃記錄資訊，則對 記的信號之震幅和標記空間小於對應於其他較 號的振幅。因此，利用類似於DVD所使用的 ，產生對應於某些接近的標記之信號令人不滿 因此無法實現完全清楚的信號再生之情況。因 可重寫媒體中，再生方法被設計成能夠解決此 例如，當用以增加記錄密度和儲存容量的特定信號處 理計畫到超出藉由降低雷射束的波長所達成之位準範圍時 ，利用適當的PRML以補償與解析度降低有關的振幅邊際 (4) (4)
1343050 降低，藉以能夠有穩定高密度的再生。部分 性的PRML意指波形等化技術和信號處理技 形等化技術係在記錄或再生處理期間發生的 形失真被移除以將它們改變成具有相關形狀 號處理技術係依據記錄調變碼主動利用等# 且從含資料錯誤的再生信號選擇似乎更適當 作ETM (八到十二調變）的調變法被使用 法。 當作評估標記品質的量測，除了 CDs矛 用的抖動之外，也使用稱作PRSNR的量測 同時表示再生信號的S/N (信號比）和實p| PR波形（當估算碟上的位元錯誤率時需要 的線性。以特定信號處理產生相關信號， 再生信號的差異被標準化當作PRSNR。 當需要上述再生方法時，以習知方法 射束功率無法令人滿意；考量到不對稱是 於最長標記的信號之振幅中心偏離最短標 心的量，表示從最短和最長標記的再生信 對稱之量測。因此，利用調變當作主要量 不夠的。不對稱視覆寫碟的次數而變化， 更好的方法。 除了上述習知方法之外，某些決定最 習知方法利用不對稱當作標記品質評估的 ’雖然視所採用的記錄方法而定，但是具 回應最大可能 術的組合。波 再生信號之波 的波形，而信 波形的冗餘並 的資料序。稱 當作記錄編碼 D V D s中所採1 。PRNSR 肯g 夠 波形與理論上 的量測之一） 此信號與實際 學定的最佳雷 要的，即對應 的信號振幅中 之振幅之間的 的習知方法是 此，需要思量 雷射束功率的 測。在此例中 在無法獲得足 * 8 - (5) (5)1343050 夠的信號振幅之此種低功率中用於不對稱的値變成零之狀 況。但此不表示除非不對稱的最佳値是零否則無法達成足 夠的記錄品質，不對稱値最好接近零。當不對稱値由於記 錄/再生裝置中的讀取錯誤而改變時，此例難以具體說明 不對稱値。 而且’習知方法旨在單層記錄媒體，以前未曾應用到 單側雙層記錄媒體。單側雙層記錄媒體之兩資訊層的其中 之一（一較接近雷射束照射側）具有與另一資訊層或單層 記錄媒體中的資訊層不同之特性：其必須使光線成其他資 訊可接收光並且藉由光線的吸收以非晶和晶體狀態之間的 相變加以覆寫。理想上，比另一資訊層較接近雷射束照射 側的資訊層需要具有50%或更多的透射比。在此例中，此 資訊層需要減少記錄層和充作反射光的反射熱散逸層的厚 度及幫助散逸熱。因此，此資訊層的最佳記錄條件範圍被 窄化到習知技術中未曾見到的位準。具體而言，由於降低 的熱散逸效率和吸收效率，所以窄化最佳雷射束功率的範 圍。因此，在記錄於單側雙層記錄媒體上，尤其是記錄於 較接近雷射束照射側的資訊層上時，需要用以決定記錄/ 再生裝置所執行的最佳雷射束功率之新方法。 (專利文件1)日本專利（JP-B) No.3259642 (專利文件2)日本專利（JP-B) No.3124721 【發明內容】 爲了解決上述習知問題，和提供能夠不管不同記錄/ -9- (6) 1343050 . 再生裝置之間的最佳記錄功率之變化以最佳記錄功率記錄 在最佳記錄媒體上之決定最佳雷射束功率之方法，和適用 * 該方法的光學記錄媒體，所以完成本發明。 * 本發明係依據本發明人的硏究發現，及下面說明解決 上述問題之方法。 <1> 一種決定最佳雷射束功率之方法，該雷射束功率 用於具有第一和第二資訊層之單側雙層光學記錄媒體，該 φ 方法包括··當記錄媒體上的覆寫循環數目是預定値時，依 據預定特性値決定最佳雷射束功率，其中該方法係藉由使 用光學變化的光學記錄/再生裝置加以實施，及其中第一 資訊層比第二資訊層更接近雷射照射側。 <2>根據<1>的決定最佳雷射束功率之方法，其中依 據各種長度的標記之間的最長標記之調變最佳化記錄功率 ，及在使用最佳記錄功率當作固定値的同時，依據 PRSNR最佳化拭除功率。 # <3>根據<1 >及<2>的其中之一的決定最佳雷射束功率 之方法，其中記錄媒體上的覆寫循環數目是1。 <4>根據<1>及<2>的其中之一的決定最佳雷射束功率 之方法，其中記錄媒體上的覆寫循環數目是10，係穩定 化特性値之値。 * <5>根據<2>到<4>的任一項之決定最佳雷射束功率的 方法，其中在最大化PRSNR或PRSNR變化與拭除功率之 比齊平的點決定最佳拭除功率。 <6>根據<2>到<5>的任一項之決定最佳雷射束功率的 -10- (7) (7)1343050 方法’其中決定最佳拭除功率，使得不對稱具有預定値。 根據<1>到<6>的任一項之決定最佳雷射束功率的 方法’其中在已決定第一資訊層的最佳雷射束功率之後記 錄第〜資訊層的狀態中，爲第二資訊層決定最佳雷射束功 率。 〈卜一種光學記錄媒體，包括：執行根據<!>到<7>的 任一項之決定最佳雷射束功率的方法所需之資訊。 <9>一種光學記錄媒體，包括··—記錄靈敏度校正因 數’該因數使根據<7>的決定最佳雷射束功率之方法能夠 在已寫入第一資訊層的狀態中決定第二資訊層的最佳雷射 束功率。 <1〇>根據<7>之光學記錄媒體，其中對應於使用者資 料區的各個第一和第二資訊層之反射比是3 %到6%。 根據本發明之決定最佳雷射束功率的方法，可以不管 不同記錄/再生裝置之間的最佳記錄功率之變化，以最佳 記錄功率記錄在最佳記錄媒體上。此外，本發明的光學記 錄媒體適用於決定最佳雷射束功率之本發明的方法。 【實施方式】 本發明尤其是相關於利用波長405 nm的雷射束和具 有0.65的NA之物鏡記錄或再生資訊的可重寫HD DVD 之技術，並且提供用以決定單側雙層最佳記錄媒體的最佳 雷射束功率之方法。 本文所使用的最佳雷射束功率係依據三功率參數：記 -11 - (8) 1343050 _ 錄功率（Pp)，拭除功率（Pe)，及偏壓功率（Pb)。當 依據2或更多參數控制記錄功率時使用額外的功率參數（ - Pp2)。 - 用以決定最佳雷射束功率之方法基本上使用“調變”當 作特性値，這些特性値係藉由用於標記空間的反射信號電 壓減去用於最長標記的反射信號電壓，即用於最長標記的 反射信號之振幅，並且以用於標記空間的反射信號電壓（ φ 反射電壓）除以最後的値所獲得。在記錄/再生裝置中， 以PRSNR，錯誤率，調變，及不對稱之値落在預定範圍 的此種方式改變各個參數。需注意的是，裝置並不偈限於 市面上所利用的那些：可使用能夠評估媒體特性之任何裝 置。在此點，就脈衝持續期間方面調整脈衝產生條件（下 文稱作“寫入策略”（見圖1 ))，藉以事先決定最佳條件 〇 此處，由下列等式定義調變（m)：
# 調變=(用於11T標記的反射信號電壓）-(用於11T 標記空間的反射信號電壓）/(用於Π T標記的反射信號 電壓） 當決定光學雷射束功率時，利用已事先決定的寫入策 " 略，Pe/Pp，及偏壓功率Pb，以各種記錄功率（Pp )記錄 ' 資訊。被保留用以決定最佳雷射束功率之記錄區是朝碟的 內側放射狀置放之測試寫入區，而非被保護用於使用者的 使用者資料區。 在此嘗試中，以記錄/再生裝置能夠執行記錄/再生的 -12- 1343050 ⑼ 最低到最高之範圍的各種記錄功率（pp)進行調變（m) 的量測’及將量測結果儲存在資料處理L SI中。調變（m ~ )係取決於如圖2所示的記錄功率（pp )。此處，使用用 . 於Pe/Pp和Pb/Pp的預定値決定用於拭除功率（Pe )和偏 壓功率（Pb )之値。在習知方法中，計算γ値（γ ) ： ( γ )=(dm/dPp ) x ( Pp/m )。然後使用此等式設定目標γ( ytarget ) 〇 φ 不從調變（m )到達較高水準和調變增加率大的區域 (即記錄功率平明顯低的區域）選擇目標γ ( Ytarget )。 在調變（m)到達較高水準之前，從對應於調變齊平在 0 · 6到0.6 5所提供之範圍大約0 · 4到0 · 5的調變（m )値 之區域選擇Ytarget較佳。因此，甚至當在記錄裝置之間 用於記錄功率的絕對値不同時，因爲記錄功率上的調變曲 線之相依性被維持，所以能夠幾乎獲得相同的Ytarget値
D Φ 藉由以因數（P)加倍ptarget(對應於ytarget的記錄 功率）所指定的値是最佳記錄功率（Ppo)。因數（p )被 選定成能夠獲得最佳特性値。如此甚至當最佳記錄功率在 不同記錄裝置之間不同時仍能夠選擇最佳記錄功率（能夠 獲得最佳記錄特性値的記錄功率）。 ' 習知上，本方法已應用到單側單層記錄媒體，但是展 望單側雙層記錄媒體時，最佳特性値範圍的縮減意謂最佳 記錄條件範圍的縮減；因此，若只依據調變選擇最佳記錄 功率，則某些特性値不一定採用最佳値。 -13- (10) (10)1343050 在各個覆寫循環之後，某些可重寫記錄媒體經過實質 上的特性値變化。目前的狀態需要高的記錄速度（4x，8¾ ’或12x參考線性速度（lx))，及與第一記錄循環（即 在非繼錄區上的第一記錄）之後和在1〇覆寫循環之後比 較，在第一覆寫循環（即在2記錄循環之後）之後，相變 光學記錄媒體（甚至具有單側單層配置的那些）傾向特性 値的明顯縮減。然而，依據什麼循環採用什麼參數，有不 —定獲得最佳記錄功率之例子（即使將下一覆寫納入考量 )。通常，在1 〇記錄循環之後決定最佳記錄功率。 除了使用上述稱作調變的特性値決定最佳記錄功率之 方法之外，也有採用不對稱之方法。在本文，“不對稱”被 定義如下： 不對稱=(I11H + I11L-12H-12L) / ( 2(I11H-I12L)) 不對稱値等於零最理想。甚至當成功獲得高調變値時 ，依據記錄功率條件，大幅偏離零的不對稱値仍會導致錯 誤增加。因此，只依據此特性値最佳化記錄功率是不理想 的。因爲依據記錄條件，有可能在不充分的調變同時不對 稱接近零。尤其是，寫入策略和拭除功率更依賴不對稱。 當考慮稱作PRSNR的特性値時，像習知例子一般只依據 調變或不對稱難以決定最佳記錄功率。然而，調變是必要 的特性値。 PRSNR隨著用於最長標記的信號之振幅增加而增加 ’及在不同標記之間盡可能使信號振幅差異越大越好。使 用調變決定記錄功率（Pp)。而且，依據“γ”決定調變時 -14- (11)1343050 必須注意的是如何選擇用於等式（γ ) = ( dm/dPp ) Pp/m)中的“dPp”之値。當允許“dPp”具有O.lmW的 ’在調變曲線開始齊平的記錄功率區中，（γ)値波 無法描繪出如圖2所示的曲線（見圖3)。 在圖3所示的曲線例子中，若記錄裝置選擇事先 在記錄媒體之圖式所示的γΠ，則結果是產生兩 Ptarget値（Ptl及 Pt2 )。在此例中，選擇 Pt2 Ptarget値的結果是選擇比Ppol高的光學記錄功率之 。若記錄功率太高，則特性値降低，導致記錄功率的 並非最佳的。而且，甚至當特性値仍落在它們的最佳 內時，在100覆寫循環，1000覆寫循環等之後，它 能進一步降低。 在此例中，可藉由採用大的dPp値（如、〇.5mW 大）或藉由以二次函數近似調變曲線能夠降低γ値的 以最小化調變値的變化。利用使用例如下面公式的多 近似技術以使獲得的曲線儘可能與原有調變曲線完全 較佳。
K, n*Pw + k, n*PwA2 + k, n*PwA3+k, ...n*PwAn + aO 其中“ η ”是2或更多，及“ k ”及‘‘ η ”是因數。 當發現已適當決定的最佳記錄功率超出記錄裝置 得的最大功率時’只需要使裝置能夠以那最大功率執 錄。將在例子中詳細說明用以決定最佳雷射束功率之 〇 圖4爲可重寫單側雙層光學記錄媒體的例子圖。 値時 動， 儲存 不同 當作 Ρρο 2 選擇 範圍 們可 或更 波動 項式 相同 可獲 行記 方法 從雷 -15- (13) (13)1343050 量％的量添加選自Bi，Cu, In等的至少一金屬元素可提高 第一資訊層的再生穩定性。較佳的是，第二反射層4d係 由除了 Ag之外的Ag合金製成，其厚度範圍從l〇〇nm到 200nm ° 較佳的是，被設置毗連到資訊層的上保護層2c和4c 係由能夠增加它們記錄層的環境耐久性之材料製成，它們 是透明的，並且具有比記錄層高的熔點。在單側單層相變 光學記錄媒體中，通常使用ZnS-Si02。在那例子中，已 知ZnS與Si02 ( ZnS:Si02 )的最佳比例是80:20。然而， 單側雙層相變光學記錄媒體的第一反射層2d比單側單層 光學記錄媒體的第一反射層薄。因此，降低熱散逸能力， 因此非晶相的建立變得困難。因此，第一上保護層2c使 用導熱性盡可能高的材料較佳。因此，使用熱散逸能力高 於ZnS-Si02的氧化物較佳。特別適合的例子有諸如ZnO ，Sn〇2，A12 Ο3，Ti 〇2，IΠ2 Ο3，M gΟ，ZrΟ2，TaO，Ta〗Ο5 ，及Nb205等金屬氧化物。需注意的是，當Zn-Si02被用 於上保護層2c而Ag被用於反射層2d時，需要設置防硫 化作用層以防止反射層中的Ag與上保護層中的S起化學 反應。例如，Ti02和TiC的混合物可被用於此層。第一 上保護層2c的厚度範圍從l〇nm到35nm較佳。如習知一 般，第二上保護層4c係由ZnS-Si02製成。當Ag或Ag 合金被用於第二反射層4d時，厚度範圍從2nm到4nm並 且由例如TiOC製成的介面層被設置在第二上保護層4c 和第二反射層4d之間。在各個下保護層2a及4a中的 -17- (14)
ZnS 與 Si02 ( ZnS:Si02 )之最佳比例是 8 0:20。 熱擴散層2e具有用以快速冷卻已由雷射束光線照射 的第一記錄層2b之高導熱性較理想。而且，熱擴散層2e 吸收較少被施加之雷射束波長上的光較佳，也就是說，熱 擴散層2e允許雷射束並且具有如同2或以上一般高的折 射率較佳，使得能夠記錄和再生資訊。例如，InZnOx或 InSnOx較佳。此外，存在於InSnOx中的氧化錫含量範圍 從1質量％到1 0質量％較佳。若氧化錫含量落在此範圍外 ，則會導致導熱性和透射比的降低。存在於InZnOx或 InSnOx中的Ιη2 03含量大約90 mol%較佳。熱擴散層2e 的範圍從l〇nm到40nm較佳。此外，Nb205，Zr02，及 Ti02也是較佳的材料》 第一基體1能夠充分允許所施加用以記錄和再生資訊 之雷射束光是必要的，其採用技術中已知的材料。也就是 說，使用玻璃，陶瓷，樹脂等。尤其是，鑑於可塑性和成 本，樹脂較適合；例子包括聚碳酸酯樹脂，丙烯酸樹脂， 環氧樹脂，聚苯乙烯樹脂，丙烯清-苯乙烯共聚物樹脂， 聚乙烯樹脂，聚丙烯樹脂，矽樹脂，氟樹脂，ABS樹脂， 及氨基鉀酸酯樹脂。然而，鑑於絕佳的可塑性和光學特性 及成本，諸如聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA )等聚碳酸酯樹 脂和丙稀酸樹脂較佳。在欲殺積第一資訊層2之第一基體 1的表面上具有凹面及凸面圖型，諸如螺旋或同中心溝槽 等。此圖型通常係由例如塑料注射成形法或光聚合作用所 形成。第一基體1的厚度範圍從590μιη到610μιη較佳， -18- (15) (15)1343050 及第二基體5係由與第一基體1相同的材料形成。 理想上，中間層3吸收較少被施加用以記錄和再生資 訊的雷射束波長上之光’並且鑑於可塑性和成本由樹脂製 成；例如，可使用UV可熟化樹脂，慢熟化樹脂，及熱塑 性樹脂。如同第一基體1 一般，第二基體5和中間層3可 具有凹面和凸面圖型，諸如由塑料注射成形法或光聚合作 用所形成的溝槽。中間層3用於在記錄或再生資訊期間爲 光學隔離區分第一資訊層2與第二資訊層4,其厚度範圍 從ΙΟμιη到70μιη較佳。低於ΙΟμιη的中間層厚度會導致 在資訊層之間更可能發生串音，反之，大於70μηι的中間 層厚度在從第二記錄層4b記錄或再生資訊的同時導致球 面像差，如此使記錄和再生操作難以執行。 單側雙層光學記錄媒體中之各個資訊層2及4的反射 比之範圍爲3.5%到8%。若反射比低於3.5%，則記錄/再 生裝置可能無法達成雷射聚焦和溝槽追蹤。雖然沒有有關 反射比的上限，但是大約8%是實用的限制，及下限是4% 或更多較佳。儘管容易提高資訊層2及4的其中之一的反 射比，但是若另一層的反射比過低，則資訊層2及4之間 的反射比差變得太大。因此，當從其中一資訊層交換到另 一資訊層時，變得難以使雷射束聚焦在另一資訊層上。因 此，資訊層的其中之一的反射比是另一層的1.5倍或更少 較佳。 在本實施例中，光學記錄媒體的至少一讀入區（比使 用者資料區較接近碟的中心之區域）和讀出區（在碟的周 -19 - (16) (16)1343050 圍之區域）被預先格式化有有關稍後欲說明的記錄處理所 使用之記錄條件的資訊，即有關用於決定最佳記錄功率和 最佳拭除功率的設定値。“預先格式化”一詞意謂先前形成 在碟上之槽，如同在ROMs —般。 下面將簡要說明光學記錄媒體之製造方法。製造方法 包含膜澱積步驟，初始化步驟，及接合步驟，一般以此順 序執行。在膜澱積步驟中，第一下保護層2a，第一記錄 層2b，第一上保護層2c，第一反射層2d，及熱擴散層2e 相繼澱積到形成凹面和凸面圖型之第一基體丨的表面上。 爲了方便起見，如上述所製造之由澱積在第一基體1上的 第一資訊層2所形成之物件將被稱作“第一記錄構件”。 而且，第二反射層4d，第二上保護層4c，第二記錄 層4b，及第二下保護層4a相繼澱積在形成凹面和凸面圖 型之第二基體5的表面上。爲了方便起見，如上述所製造 之由澱積在第二基體5上的第二資訊層4所形成之物件將 被稱作“第二記錄構件”。 藉由濺鑛澱積上述各層。在下面初始化步驟中，以雷 射束照射第一和第二記錄構件用於其整個表面的初始化和 結晶化。在本初始化步驟中，在接合在一起之前可分開初 始化記錄構件；或首先初始化第二記錄構件，接著接合到 第一記錄構件和初始化第一記錄構件。 在接合步驟中，在第一和第二記錄構件接合在一起之 處’利用插入在它們之間的中間層3接合在一起。例如， 在以UV可熟化樹脂塗佈熱擴散層2e和第二下保護層4a -20- (17) 1343050 . 的其中之一後，第一和第二記錄構件被接合在一起，熱擴 散層2e和第二下保護層4a彼此面對，然後，利用UV照 ' 射熟化UV可熟化樹脂。以此方式，第一和第二記錄構件 ‘ 由中間層3組合在一起，形成單側雙層光學記錄媒體。 圖5圖示光學記錄/再生裝置20之例子。 光學記錄/再生裝置20例如包括心軸電動機22，用以 轉動根據本發明的一實施例之單側雙層光學記錄媒體的光 φ 碟15;光學拾波裝置23;尋覓電動機21，用以驅動光學 拾波裝置23以移動到滑板方向：雷射控制電路24 :編碼 器25 :驅動控制電路26 ;再生信號處理電路28 ;緩衝 RAM34 :緩衝管理器37 :介面38 ;快閃記億體39 ; CPU 40 ;及RAM 41。需注意的是，在圖5中，箭頭表示代表 . 性信號和資訊的流動，並非區塊之間的所有連接。又需注 意的是，在本實施例中，光碟裝置20被假設能夠記錄在 單側多層光碟上。 • 依據來自光接收器或光電二極體（PD)的輸出信號 (多光電轉換信號），再生信號處理電路28例如需要伺 服信號（如、聚焦錯誤信號和追蹤錯誤信號），位址資訊 ，同步化資訊，RF信號，調變資訊，γ値資訊，不對稱資 訊，及總信號的振幅資訊。 ' 如此獲得的伺服信號被輸出到驅動控制電路26，輸 出位址資訊到CPU 40，及輸出同步化信號到編碼器25， 驅動控制電路26等。再生信號處理電路28對rf信號執 行解碼和錯誤偵測操作。若已偵測到任何錯誤，則執行錯 -21 - (18) 1343050 誤校正處理，及透過緩衝管理器37將RF信號儲存當作 緩衝RAM 34中的再生資料。儲存在再生資料中的位址資 ' 訊被輸出到CPU 40。再生信號處理電路28發送調變資訊 . ，γ値資訊不對稱資訊，總信號的振幅資訊，及PRSNR値 給 CPU 40。 驅動控制電路26依據從再生信號處理電路28接收的 伺服信號產生用以驅動上述驅動單元之驅動信號，及將它 φ 們輸出到光學拾波裝置23。藉以執行追蹤控制和聚焦控 制。驅動控制電路2 6產生如同C P U 4 0所指示的用以驅 動尋覓電動機21之驅動信號和用以驅動心軸電動機22之 驅動信號。驅動信號被輸出到對應的電動機（尋覓電動機 21和心軸電動機22 )。 緩衝RAM 34暫時儲存例如欲記錄在光碟1 5中的資 料（記錄資料）和從光碟1 5再生的資料（再生資料）。 由緩衝管理器37管理資料輸入或輸出緩衝ram 34。 φ 如CPU 40所指示一般，編碼器25透過緩衝管理器 37檢索儲存在緩衝RAM 34中的記錄資料，調變資料，及 添加錯誤校正碼到資料，產生用以寫入光碟1 5的寫入信 號。如此產生的寫入信號被輸出到雷射控制電路2 4。 雷射控制電路24控制半導體雷射LD的雷射輸出功 • 率。例如’當記錄時，依據寫入信號，記錄條件，半導體 雷射L D的發射特性’由雷射控制電路2 4產生用以驅動 半導體雷射LD之驅動信號。 介面38是用於與高階裝置90 (如個人電腦）雙邊通 -22- (19) 1343050 訊之介面，並且遵循諸如AT API (高階科技附加裝置封包 介面），SCSI (小型電腦系統介面），及USB (通用串 • 列匯流排）等標準界面。 - 快閃記憶體39儲存以CPU 40可解碼的程式碼寫入 之各種程式在其中，諸如用以決定最佳功率，半導體雷射 LD的發射特性之程式等。 CPU 40根據儲存在快閃記億體39中的程式控制上述 φ 單元之操作，及儲存操作控制所需的資料等在RAM 4 1和 緩衝RAM 34中。 將參考圖6及7說明當接收來自高階裝置90的命令 時光碟裝置20所執行的處理（記錄處理）。這些圖式所 示的流程圖對應於CPU 40所執行的一連串處理演算法。 當接收來自高階裝置90的記錄請求命令時，對應於 圖6及7的流程圖之快閃記憶體3 9中的程式之標頭位址 被設定在CPU 40的程式計數器中，然後記錄處理開始。 • 在最初步驟（步驟401 )中，指示驅動控制電路26 以預定線性速度（或角速度）轉動光碟15，及通知再生 信號處理電路已從高階裝置90接收命令之影響。 在下一步驟（步驟403 )中，從記錄請求命令檢索指 定位址，及從位址決定目標記錄層是否是第一記錄層2b 、 或第二記錄層4b。 在下一步驟（步驟405 )中，從儲存有關記錄條件之 光碟15的槽檢索資訊，藉以計算“ε”，其爲拭除功率（Pe )對記錄功率（Pp )的比（=Pe/Pp );及“p”，其爲用以 -23- (20) (20)1343050 計算最佳記錄功率的放大因數。所獲得的値被儲存在 R A Μ 4 1 中。 在下一步驟（步驟4〇7)中’用於記錄功率（Ρρ)的 初始値被設定並且發送到雷射控制電路24。 在下一步驟（步驟409 )中，以拭除功率（Pe )對記 錄功率（P p )的比等於“ ε ”之方式計算拭除功率（p e )， 並且發送到雷射控制電路24。 在下一步驟（步驟411)中，CPU 40指示雷射控制 電路24和光學拾波裝置23記錄測試資料在事先設置在目 標記錄層中的測試寫入區中。需注意的是，在此例中，雖 然隨機記錄長度範圍從2T到11T的各種標記，但是事先 決定它們發生的頻率。因此，以雷射控制電路24和光學 拾波裝置23將測試資料記錄在測試寫入區中。在測試寫 入之前，可以Pe利用雷射光束全面照射測試寫入區一次 。不管標記存在皆可執行此，因爲在某些光碟中，結晶區 (非記錄區）產生不同的反射信號電壓，即電壓有時在這 些區域的某些區域中大幅波動，因此精確的信號再生不可 能。需要設定測試寫入循環的次數；此處，測試寫入區被 覆寫10次。 在下一步驟（步驟413)中，決定是否已完成測試寫 入。若決定尙未完成測試寫入，則決定被拒絕而處理繼續 進行到步驟4 1 5。 在步驟4 1 5中，事先設定的値（變化Δρ )被添加到記 錄功率（Ρρ )，及處理回到步驟409。 -24- (21) 1343050 直到接受步驟413的決定爲止，重複步驟4〇9’步驟 411，步驟413，及步驟415的循環。一旦以事先設定的 / 不同記錄功率（Pp )完成測試寫入，則步驟4 1 3所做的決 . 定被接受而處理繼續進行到步驟417。在步驟417中’由 再生信號處理電路28讀取測試資料記錄測試寫入區以取 得調變資訊，及同實際算γ値。 在下一步驟（步驟419)中，如圖2的例子所示，使 φ 用調變資訊建立記錄功率（Ρρ )和調變（m )和γ値之間 的關係。 在下一步驟（步驟421 )中，使用來自記錄功率（ρρ )vs. γ値的圖和記錄功率（Pp ) vs.調變（m )的圖之 ytarget (目標γ値）計算記錄功率（Ptarget)。
在下一步驟（步驟 423 )中，使用等式 Pp〇 = P X
Ptarget計算用於記錄功率（被定義當作“Pp〇”）之最佳値 〇 # 在下一步驟（步驟43 1)中，記錄功率被設定成Pro (最佳値），並且被發送到雷射控制電路24。 在下一步驟（步驟43 3 )中，設定用於“ε”的初始値 〇 在下一步驟（步驟43 5 )中，計算（ε X Pro)的値’ ' 及發送到雷射控制電路24當作拭除功率（Pe) ° 在下一步驟（步驟4 3 7 )中，C P U 4 0指示記錄測試 資料在事先設置在目標記錄層中的測試寫入區。由雷射控 制電路24和光學拾波裝置23將測試資料記錄在測試寫入 -25- (22) 1343050 區。 在下一步驟（步驟439 )中，決定是否已完成測試寫 - 入，若決定尙未完成測試寫入，則決定被拒絕而處理繼續 . 進行到步驟441。 在步驟44 1中，事先設定的値（變化Δε )被添加到 “ε”，及處理回到步驟43 5。 直到接受步驟439的決定爲止，重複步驟43 5，步驟 φ 437，步驟439，及步驟44 1的循環。一旦以事先設定的 不同ε値完成測試寫入，則步驟439所做的決定被接受而 處理繼續進行到步驟443。 在步驟443中，由再生信號處理電路28讀取測試記 錄測試寫入區以取得PRSNR資訊。 在下一步驟（步驟445 )中，如圖8的例子所示，使 用PRSNR資訊建立拭除功率（Pe)和PRSNR之間的關係 〇 • 在下一步驟（步驟447 )中，從拭除功率（Pe ) vs.PRSNR的圖（見圖8 )計算用於拭除功率（Pe )的値 。所獲得的拭除功率値（Peo )被視作用於拭除功率（Pe )的最佳値。需注意的是最大PRSNR値是15或更多。 ' 在下一步驟（步驟50 1)中，CPU 40指示驅動控制 • 電路26聚焦聚束光點到目標位置上。尤其是，指示驅動 控制電路26在對應於指定位址之目標位置附近形成聚束 光點。以此方式執行尋覓操作。若不需要尋覓操作，則跳 過此步驟。 -26- (23)1343050 在下一步驟（步驟5 03 )中，設定記錄條件。此 記錄功率被設定成Ppo及拭除功率被設定成Peo，也 說，爲記錄功率和拭除功率二者設定最佳値。 在下一步驟（步驟5〇5 )中，允許資訊記錄。結 在最佳記錄條件下，經由編碼器2 5，雷射控制電路 及光學拾波裝置23將使用者資料記錄在指定位址。 將詳細說明遵循上述步驟的決定最佳雷射束功率 法。在各個覆寫循環之後，使用相變材料的可重寫光 錄媒體經過記錄特性變化。若特性變化足夠小到能滿 準値，則沒有實際上的問題。然而，若在幾次覆寫循 後特性値降到接近標準値而最佳雷射束功率範圍因此 ，則變得有問題。圖9圖示第一資訊層2的PRSNR 隨著從〗到1 1的記錄循環（即從1到1 〇的覆寫循環 漸增數目而改變。從圖9明顯可見在第一覆寫循環 PRSNR減少，若在圖9中標準値被設定成15或更高 PRSNR値接近標準。採用高於或低於成功獲得圖9 的結果之記錄功率和拭除功率無法滿足標準値。若成 足標準値，則通常導致狹窄的最佳雷射束功率範圍 O.lmW。在此種例子中，當然假設在接下來的覆寫循 沒有見到特性値降低時，在第一覆寫循環之後設定最 錄功率較佳。若在第一覆寫循環之後特性値大幅降低 最佳拭除功率範圍變窄。因此，拭除功率的最佳化尤 要。考慮到此事實，依據在第一覆寫循環之後所獲得 性値決定最佳雷射束功率較佳。當在第一覆寫循環之 處， 就是 果， 24， 之方 學記 足標 環之 變小 如何 )之 之後 ，則 所示 功滿 ，如 環中 佳記 ，則 其重 的特 後的 -27- (24) (24)1343050 最佳記錄功率和最佳拭除功率顯示一點點變化或沒有變化 時，在特性値變化相當小同時，依據在1 〇覆寫循環後所 獲得的特性値決定最佳雷射功率較佳。因爲在某些光學記 錄/再生裝置中在第一覆寫循環之後所獲得的特性値之變 化大，及導致無法獲得最佳化的適當値。 在單側雙層光學記錄媒體中，在第一資訊層2和被配 置在距雷射照射側比第一資訊層2遠之位置的第二資訊層 4之間的記錄靈敏度具有差異。在這些光學記錄媒體的某 些光學記錄媒體中，第二資訊層4的記錄靈敏度可視是否 已寫入或尙未寫入第一資訊層2而定。因此，爲各個資訊 層最佳化雷射束功率是重要的。爲了達成此目的，就第一 資訊層2而言，如上述調查1 0覆寫循環期間的記錄功率 上之調變的相依性以計算γ t a r g e t，P t a r g e t，“ ε ”，及“ ρ ”。 之後，依據在第一覆寫循環或10覆寫循環之後所獲得的 特性決定最佳拭除功率，接著決定用於“ε”的最後値。（ 當 ε = ε ’）。 而且，在讀入區（比使用者資料區更接近碟中心的區 域）上執行測試寫入。接著，第二資訊層4決定比使用者 資料區更接近碟的最外周圍之另一測試寫入區上的最佳雷 射束功率和最佳條件。在此測試寫入之前，在對應於輻射 位置而言的那測試寫入區之區域上，事先寫入第一資訊層 2較佳。然而，在此例中，拾波頭尋找指定測試寫入區很 花時間。爲了避免如此，媒體製造商事先記錄用以校正由 於寫入第一資訊層2而導致第二資訊層4的最佳記錄功率 -28- (25) (25)1343050 之變化的校正因數。如此在第一資訊層2維持未寫入的同 時能夠決定第二資訊層4的ytarget，Ptarget，“ρ”，及“ε’ ，藉以決定最佳雷射束功率。 欲儲存在記錄媒體當作用以決定最佳雷射束功率之値 是^target，Ptarget，“ρ”，“ε”，及不對稱。在單側雙層光 學記錄媒體中，這些値被記錄在他們倆資訊層每一層。而 且，記錄用於第一和第二資訊層2及4之記錄靈敏度校正 因數。尤其是，以形成在稱作讀入區的指定區域上之壓紋 槽形式記錄這些値。除了上述特性値之外，可使用錯誤率 例子 之後，將參考例子說明本發明，然而這些例子並不用 於侷限本發明。利用圖1所示的策略記錄資訊，記錄/再 生速度被設定成6.61 m/s，及再生功率被設定成0.7 mW 。使用DVD Sprinter (單晶圓濺鑛設備，由Balzers製造 )。需注意的是’ “1〇記錄循環”意謂“9覆寫循環”，及“2 記錄循環”意謂“ 1覆寫循環”。 (例子1 ) 當作第一基體1’聚碳酸酯基體被備製成直徑12cm ，平均厚度〇.595mm，及在一側上具有連續擺動溝槽（軌 距=0.40μηι )。在Ar氣體空氣中，以它們的濺鍍目標之 磁電管濺鍍將44 nm厚的第一下保護層2a，7.5 nm厚的第 -29- (26) (26)1343050 —記錄層2b，20nm厚的第一上保護層2c’ lOnm厚的第 —反射層2d，及25nm厚的熱擴散層2e相繼澱積到聚碳 酸酯基體上：ZnS ( 80 ）-Si02 ( 20 mol% )用於第一 下保護層2a，Ag〇.2In3.5Sb 6 9 8 Te22Ge4 5用於第一記錄層 2b > In2〇3 ( 7.5 mol% ) -ZnO ( 22.5 mol% ) -Sn02 ( 60 mol%) -Ta2〇5(l〇 mol%)用於第一上保護層 2c，Ag 用 於第一反射層 2d，及 In2〇3 ( 90 mol%) -ZnO ( 10 mol%) 用於熱擴散層2e。 此外，當作第二基體5，聚碳酸酯基體被備製成直徑 12cm，平均厚度〇.600mm，及在一側上具有連續擺動溝槽 (軌距=〇.40μιη )。在Ar氣體空氣中，以它們的濺鍍目 標之磁電管濺鍍將140nm厚的第二反射層4d，22nm厚的 第二上保護層4c，15 nm厚的第二記錄層4b，及65nm厚 的第二下保護層4a，相繼澱積到聚碳酸酯基體上：AgBi (Bi = 0.5 wt% )用於第二反射層 4d，ZnS ( 80 mol% )-Si02 ( 20 mol% ) 用於第二上保護層 4c，
Ag〇 2In3.5Sb69 8Te22Ge4 5 用於第二記錄層 4b，及 ZnS(80 mol% ) -Si02 ( 20 mol% )用於第二下保護層 4a。 熱擴散層2e的表面被塗佈有UV可熟化樹脂（由 NIPPON KAYAKU CO., LTD 所製造的 KAYARADDO DVD003 M ) ’並且被接合到第二下保護層4a。藉由從第 一基體側以UV照射熟化UV可熟化樹脂以形成中間層3 ，藉以獲得具有兩資訊層之雙層相變光碟。需注意的是， 中間層3的厚度被設定成當從碟的內區量測到外區時有 -30- (27) (27)1343050 25μηι±3μϊη 〇 利用初始化設備，藉由從第一基體側以雷射束照射以 初始化第二記錄層4b和第一記錄層2b。在本初始化處理 中’以物鏡將來自半導體雷射的雷射束（振盪波長 = 8 10±l〇nm )聚焦成各自記錄層上的光點。用於第二記錄 層4b的初始化條件如下：碟轉動=CLV (固定線性速度） 模式；線性速度=3 m/s :拾波頭饋送率=36μπι/轉動；放射 位置（距轉動中心的距離）=22-5 8 mm ;及初始化功率 =35 OmW。用於第—記錄層2b的初始化條件如下··碟轉動 = CLV (固定線性速度）模式：線性速度=5 m/s :拾波頭 饋送率=50 μιη/轉動；放射位置（距轉動中心的距離）=23-5 8 mm ;及初始化功率=5 00m W。初始化後之第一資訊層2 的光學透射比是4 0. 1 %。 當測試寫入時，以下面寫入策略寫入第一資訊層2 10 次· Ttop = 0.30T ， dTtop = 0.05T ， Tmp^O^ST ，及 dTera = 0.0T。結果，如圖10的圖式所示，記錄功率（Pp )隨著調變（m )加以變化。在此點，偏壓功率（Pb )被 設定成〇.丨mW’及“ε”被設定成0.25。此外，ytarget被設 定成1 .2。而且，使用測試器事先調查PRSNR與記錄功率 的相依性’顯現出此時提供最大PRSNR値的記錄功率是 9.5 mW，及拭除功率是2.5 mW。 然後，用於“P”的値被決定成記錄功率（Ppo)接近大 約9.5 mW。尤其是，依據事先選定的Ytarget値決定 Ptarget，獲得 7.55mW 的 Ptarget (見圖 10)。接著，依 -31 - (28) (28)1343050 據上面所獲得的Ptarget ’選擇1 .26當作用於“p”的値，使 得記錄功率（Ppo)接近9.5 mW。也就是說，Ppo被指定 爲 9 · 5 1 m W ( = 1 . 2 6 X 7 · 5 5 )。 如圖Π所示’藉由改變有關固定記錄功率（Ppo)( = 9.5mW)的拭除功率（pe)，在10記錄循環之後計算 PRSNR以設定各種“ε”（=ρε/ρρο)値，提供最大pRSNR 値的“ε”値是0.26。此點上的Peo是2.5mW，幾乎與事先 所暫時依據的値相同。如此，“ε”被設定成0.26。當在記 錄裝置側決定時，可在PRSNR變化的比率齊平之點選擇 用於拭除功率的値。此記錄條件中的不對稱小至〇 . 〇 〇 5， 幾乎是零的値。 (例子2 ) 如同例子1 一般，爲例子1的第二資訊層4決定最佳 雷射束功率。在此例中，有關各個第一和第二資訊層2及 4的“γ”値，“ρ”値，“ε”値，及寫入策略之參數被事先儲存 在第一基體1側上的第一資訊層2之讀入區中。當欲在第 二資訊層4上執行測試寫入時，選擇第二資訊層4的讀出 區（第二資訊層4的周邊）或讀入區。在此例中，寫入讀 出區。然後，從碟讀取“γ”値是1.5，“ρ”値是1,20，及“ε” 値是 〇. 5，及以下面寫入策略執行測試寫入1 〇次： Ttop = 0.5T 1 dTtop = 0T * Tmp = 0.4T，及 dT era = -0.2T (其 中-0.2T意謂在資料信號結束之後施加圖I所示的最後Pb 雷射束比0.2T還長）。結果，記錄功率（Pp )顯示出如 -32- (29) (29)1343050 圖12所不的調變相依性。如同在例子1 —般，parget是 10.7mW 及 “p”是 12〇，及 pp〇 是 i2 84mW(=12〇 χ ι〇 7 )。也就是說，最佳記錄功率（Ppo)是12.85mW。 如圖1 1 3所示，藉由改變有關固定最佳記錄功率（pp〇 )(=12.85mW)的拭除功率（Pe)，在1〇記錄循環之後 計算PRSNR以設定各種“ε”（ =Pe/Pp〇 )値。提供最大 PRSNR値的“ε”値是〇.5。此點上的peo是6.425mW。 (例子3 ) 使用與例子1所備製者完全相同的光學記錄媒體，調 查第一資訊層2的調變（m)和記錄功率（Pp)之間的關 係。圖1 4圖示此關係。“ε”的値被設定成0.25。 因此’當將ytarget設定成1.3時，Ptarget値是8.33 mW。圖1 6所示之PRSNR vs.記錄功率的圖顯示出最佳記 錄功率（Ppo)是9.5 mW，因此，“p”的値被設定成1.14 。尤其是，從上述可獲得的最佳記錄功率（Pp〇)等於（P X Ptarget )，也就是 9.5mW。 如圖1 5所示，然後藉由改變有關固定最佳記錄功率 (Ppo) (=9.5mW)的拭除功率（Pe)，在2記錄循環之 後計算PRSNR以設定各種“ε”（ =Pe/Ppo )値。提供最大 PRSNR値的“ε”値是0.275。此點上的peo是2.52mW。從 上述，“ε”被設定成0.2 75。 (例子4 ) -33- (30) (30)1343050 在“ε” = 0·265時獲得最大PRSNR値。在沒有記錄/再 生裝置的任何變化所以難以量測PRSNR或在記錄/再生裝 置之間具有很大的性能位準變化之例子中額外使用不對稱 是有效的。圖17圖示在2記錄循環之後“ε”（ =pe/ppo ) 上的不對稱相依性。提供最大PRSNR値的不對稱値是 0.0 04，幾乎是零。當欲使用記錄/再生裝置決定最佳拭除 功率時，使用指定的不對稱値“β”。因此，除了寫入策略 ’《ε”，“ytarget”，“Ptarget”，及 “ρ”之外，也儲存不對稱 値“β”當作第一資訊層2中的必要參數。在此例中，“p”被 設定成〇·〇〇。 (例子5 ) 使用與例子1所備製者完全相同的光學記錄媒體，決 定用於第一資訊層2的最佳記錄條件，接著決定用於第二 資訊層4的最佳雷射束功率。在此例中，事先以最佳記錄 功率的雷射束寫入第一資訊層2，及在對應於第一資訊層 2的記錄區之位置中寫入第二資訊層4。圖18圖示此記錄 處理中的記錄功率上之第二資訊層4的調變之相依性。 被覆寫10次並且具有寫入第一資訊層之樣品碟與被 覆寫1 〇次但是沒有寫入第一資訊層比較。它們之間的記 錄靈敏度具有大約〇.5mW的差異；被設置有寫入第一資 訊層2者顯示出不良的記錄靈敏度。在此例中，記錄靈敏 度校正因數被加入當作新參數，使得能夠補償此種差異而 不一定要寫入第一資訊層2。此處，當記錄靈敏度鄙視 •34- (31) (31)1343050 13.5/13.0(=1.04)時，校正因數是1.04»可採用記錄功 率比或獲得記錄功率中的差當作上述校正因數的另一選擇 。若假設靈敏度差是l.OmW，則以等式Pp〇 (具有L0記 錄的預期最小功率）=Pp〇 (沒有L0記錄）+1.0mW找出 最佳記錄功率（Pp〇)。 (例子6 ) 以例子1及2所獲得的最佳記錄功率寫入與例子1備 製者完全相同之光學記錄媒體1〇次，及爲各個第一和第 二資訊層2及4量測用於最長標記之間的標記空間之反射 信號電壓。接著，利用濺鍍設備，在玻璃基體上將Ag膜 澱積到200nm厚度以製造碟。利用媒體評估裝置，以再 生功率0.7 m W將雷射束聚焦在碟上以量測反射電壓。此 反射電壓被視作75%反射比，及使用下列等式計算各個資 訊層的反射比（R): R = 75 X (用於各個資訊層的反射電壓）/(Ag膜的反射比） 第一資訊層的反射比（R1 )和第二資訊層的反射比（ R2 )分別是4.0%及3.2%。 工業應用 如上述，用以決定最佳雷射束功率之本發明的方法適 用於在具有多個可重寫記錄層的光碟上記錄時決定適當雷 射束功率。本發明的光學記錄媒體適用於穩定高品質記錄 。用以執行本發明的方法之程式和儲存程式之記錄媒體適 -35- (32) 1343050 . 用於使光碟裝置能夠在具有多個可重寫記錄層的光學記錄 碟上執行穩定高品質記錄。本發明的單側雙層光碟是執行 ' 本發明的方法之適當碟。藉由使用本發明的方法甚至也可 , 爲具有單一資訊層之碟決定最佳雷射束功率。 【圖式簡單說明】 圖1爲本發明所採用的脈衝產生條件（寫入策略）之 φ 槪要圖。 圖2爲記錄功率VS.調變和γ値的第一圖。 圖3爲記錄功率VS.調變和γ値的第二圖。 圖4爲本發明的光學記錄媒體之層配置的橫剖面圖。 圖5爲本發明所使用的記錄/再生裝置之配置的方塊 圖。 圖6爲用以決定最佳雷射束功率之本發明的方法中之 ' 步驟的第一流程圖。 φ 圖7爲用以決定最佳雷射束功率之本發明的方法中之 步驟的第二流程圖。 圖8爲拭除功率Pevs.PRSNR之圖。 圖9爲對照於覆寫循環數目直到10的PRSNR之圖。 ' 圖1 0爲例子1之記錄功率vs .調變和γ値的圖。 ' 圖1 1爲例子1之10覆寫循環之後的Pe/Pp〇 vs. PRSNR之圖。 圖1 2爲例子2之記錄功率vs.調變和γ値的圖。 圖13爲例子2之10記錄循環之後的Pe/Ppo vs. -36- (33) 1343050 PRSNR之圖。 圖14爲例子3之記錄功率vs.調變和γ値的圖。 • 圖15爲例子3之2記錄循環之後的Pe/Ppo vs. , PRSNR 之圖。 圖16爲記錄功率vs. PRSNR之圖。 圖17爲例子4之Pe/Ppo vs.不對稱性的圖。 圖1 8爲例子5之記錄功率vs.調變的圖。 【主要元件符號說明】 1 :第一基體 2 :第一資訊層 2a :第一下保護層 2b :第一記錄層 2c :第一上保護層 ' 2d :第一反射層 • 2e :熱擴散層 3 :中間層 4 :第二資訊層 4a :第二下保護層 • 4b :第二記錄層 • 4c :第二上保護層 4d :反射層 5 :第二基體 20:光學記錄/再生裝置 -37- (34)1343050
21 :尋 22 :心 23 :光 24 :雷 25 :編 26 :驅 28 :再 34 :緩 37 :緩 38 :介 3 9 ·•快 4 0:中 41 :隨 90 :高 Pp :言己 Pe :拭 P w :底 Pb :偏 Pp2 ： % m :調季 Ρ ρ 〇 : | PD :光 覓電動機 軸電動機 學拾波裝置 射控制電路 碼器 動控制電路 生信號處理電路 衝隨機存取記憶體 衝管理器 面 閃記億體 央處理單元 機存取記憶體 階裝置 錄功率 除功率 功率 壓功率 i外功率參數 €佳記錄功率 電二極體 -38

Claims (1)

1343050 . 第〇961〇6Π6號專利申請案中文申請專利範圍修正本 I ~ --—-j 民國9鸿丰〗月月吻 十、申請專利範圍 --*-- 1. 一種決定最佳雷射束功率之方法，該雷射束功率用 於具有第一和第二資訊層的單側雙層光學記錄媒體’該方 ' 法包含： 當該記錄媒體上的覆寫循環之數目是預定値時’依據 Φ 預定特性値決定最佳雷射束功率， 其中該方法係由使用光學變化的光學記錄/再生裝置 加以實施， 其中該第一資訊層比該第二資訊層更接近該雷射照射 側， 其中依據各種長度的標記之間的最長標記之調變最佳 化記錄功率，及在使用該最佳記錄功率當作固定値的同時 ，依據PRSNR最佳化拭除功率，及 # 其中在最大化PRSNR或PRSNR變化與拭除功率之比 齊平的點決定該最佳拭除功率。 2 .根據申請專利範圍第1項之決定最佳雷射束功率的 方法，其中該記錄媒體上的覆寫循環之該數目是1。 3.根據申請專利範圍第1項之決定最佳雷射束功率的 方法，其中該記錄媒體上的覆寫循環之該數目是10，係 穩定化特性値之値。 4 .根據申請專利範圍第1項之決定最佳雷射束功率的 方法，其中決定該最佳拭除功率，使得不對稱具有預定値 1343050 5·根據申請專利範圍第1項之決定最佳雷射束功率的 方法，其中在已決定該第一資訊層的最佳雷射束功率之後 記錄該第一資訊層的狀態中，決定該第二資訊層的最佳雷 射束功率。 6. —種光學記錄媒體’包含： 一記錄靈敏度校正因數’該因數使根據申請專利範圍 第5項之決定最佳雷射束功率的方法，能夠在未寫入該第 一資訊層之下決定該第二資訊層的最佳雷射束功率。 7. —種光學記錄媒體，包含： 執行根據申請專利範圍第1項之決定最佳雷射束功率 的方法所需之資訊。 8 _根據申請專利範圍第7項之光學記錄媒體，其中對 應於使用者資料區的位置之各個該第一和第二資訊層的反 射比是3%到6%。
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