TWI338534B - - Google Patents

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(1) 1338534 九、發明說明 4 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種有機電激發光發光元件及其製造方 法。 【先前技術】 彩色有機電激發光顯示器一般於基板上具備依序層積 • 有：濾色層、氣體阻障層及有機電激發光構造體而成的構 成。 更具體據知爲組合發出白色光的有機電激發光構造體 與濾色器時，在透明的基板上依序層積：濾色層、保護層 、氣體阻障層、以及進行發出白色光的有機電激發光構造 體元件的構造。 在此，氣體阻障層是設來用以防止，起因於以樹脂所 形成的濾色層和由保護層所揮發的水份等之白色発光有機 • 電激發光構造體的暗點和發光效率降低等的缺點。 因此，氣體阻障層，係要求無針孔、其階梯覆蓋良好 '極力解決崩裂等之缺陷等。進而，除此以外，也要求透 明性、表面之平坦性等的性能。 在以往，氣體阻障層之例，係如日本特開第2004 -158199號公報和特開第mm— 24 1 3 7 1號公報等所示，提 _ 供使用無機材料和金屬材料之氧化物、氮化物、氧氮化物 者。又’其他也提供一種作爲氣體阻障層，係使用吸水率 小的有機材料之薄膜，或者例如，如日本特開第2003 一 (2) 1338534 109748號公報所示，層積無機材料與有機材料而 阻障性者。 而且’具有這樣的氣體阻障層之有機電激發 ' 係藉由於基板上形成濾色層，且在其上形成氣體 ·· 便在其上形成有機電激發光構造體所製造成。

在此’氣體阻障層的形成方法有：形成氣體 手段有：旋塗法、蒸鍍法 '濺鍍法、CVD( 鲁 Vapor Deposition )法、原子層成長法（ALD

Layer Deposition )等。 可是，習知此種有機電激發光元件，於氣體 膜後’在該氣體阻障層上形成有機電激發光構造 時，使用微影法來進行電極圖案化。 此時，氣體阻障層會因電極的蝕刻液被侵蝕 成針孔等缺陷之虞。因此，氣體阻障層必需爲對 刻液具有耐性的材料。 # 例如，電極材料一般雖是使用1TO (銦鍚氧 但此時蝕刻液例如多半爲使用王水等酸性液體的f 此時，曝露於蝕刻液的氣體阻障層爲金層之 酸氮化物、氮化物，還有矽的氧化物和酸氮化物 的情形，由於該氣體阻障層受到蝕刻液的侵蝕， ，氣體阻障性變差。因此，對策上必須將氣體阻 增厚，或者設置化學性安定的保護層。 但是，氣體阻障層，一般藉由增厚其膜厚， 面變粗，因此形成在該氣體阻障層之上的有機電 提昇氣體 光元件， 阻障層， 阻障層的 Chemical 、Atomic 阻障層成 體的電極 ，且有形 電極的蝕 化物）， ，形。 氧化物和 、氮化物 因此結果 障層的膜 由於其表 激發光構 -6 - (3) 1338534 造體很容易產生被覆不良·。 一旦產生這樣的被覆不良，擔心會有因暗點和電場集 中之破壞等的顯示缺點和因氣體阻障層之所有應力增加產 ' 生崩裂，來自藉由氣體阻障層之光吸收增加的有機電激發 • 光構造體之輸出光的損失、以及基板撓曲的影響等之缺點 〇 除此之外，會產生氣體阻障層的膜厚分佈，且會產生 Φ 因氣體阻障層的光透過特性和干擾效應之元件內的發光特 性不勻。發現尤其在基板採用樹脂基板時，該氣體阻障層 之厚膜化的影響更顯著。又，此種厚膜化由生產性以及成 本面來看，亦會招致氣體阻障層的構造和製造過程的複雜 化。 又’在氣體阻障層方面，對抑制針孔和被覆不良等的 缺陷，其形成手法的選定也很重要。 在上述之習知氣體阻障層之形成方法中，除了旋塗法 Φ 原料需爲液狀、爲了燒成和硬化需要加熱等的後處理外， 由於多數爲樹脂材料和水玻璃等易吸水的原料，因此必需 組合異種材料等予以層積化來確保氣體阻障性的做法。 又，在蒸鍍法和濺鏡法等之PVD ( Physical Vapor Deposition)法方面’由於缺乏被覆性，還因來自團簇狀 粒子之薄膜的脫落等極易形成缺陷和針孔，對確保氣體阻 障性能則有增加膜厚的必要。 一方面’藉由普通的CVD法等形成氣體阻障層時， 雖亦考慮基層之濾色層和保護層的耐熱性，以比較低溫進 (4) 1338534 行成膜，但此時，雖然被覆性被改善’但不光是膜的緻密 性差，還因原料氣體的不完全反應於膜中形成缺陷，且氣 體阻障性惡化。因此，有必要採用層積不同材料的氣體阻 ' 障層，或增加膜厚。 • 又，在藉由CVD法之一的原子層成長法形成氣體阻 障層時，與上述之氣體阻障層的形成方法相比，能形成缺 陷少的氣體阻障層。因此，雖然膜厚變薄亦能實現良好的 φ 氣體阻障性，但除了薄之外，仍擔心因上述之蝕刻過程等 的影響擴大。 【發明內容】 本發明爲有鑑於上述問題所完成的發明，B的在於提 供一於有機電激發光（電激發光）構造體與濾色器之間介 設氣體阻障層而成的有機電激發光元件。進而，目的在於 提供一種那様的有機電激發光元件之製造方法。 # 有機電激發光元件係由：基板、濾色層、氣體阻障層 、以及有機電激發光構造體所形成。濾色層、氣體阻障層 及有機電激發光構造體，爲依此順序層積在基板。氣體阻 障層係爲由AlxTiyOz所形成的非晶質薄膜。對AlxTiyOz 之組成比的A1之Ti的原子數比率爲l〇atom%以上者。 於上述元件中，能提昇對氣體阻障層成膜後之後工程 的蝕刻液和洗淨液的氣體阻障層之耐性。又，膜厚變薄也 能實現良好的氣體阻障性。 進而’有機電激發光元件之製造方法係由，在基板上 -8- (5) 1338534 形成濾色層之工程、和將氣體阻障層利用原子層成長法’ 形成在濾色層上之工程、和在氣體阻障層上形成有機電激 發光構造體之工程所形成。氣體阻障層係爲由 AlxTiyOz ' 所形成的非晶質薄膜。對AlxTiyOz之組成比的A1之Ti - 的原子數比率爲丨Oatom%以上者。氣體阻障層之成膜時的 前述基板之溫度爲100 °C以上、400 °C以下。 於上述有機電激發光元件之製造方法中，能提昇對氣 • 體阻障層成膜後之後工程的蝕刻液和洗淨液的氣體阻障層 之耐性。又’膜厚變薄也能實現良好的氣體阻障性。進而 ’氣體阻障層能適當形成非晶質的薄膜。 【實施方式】 本發明人進行有關有機電激發光元件之預備實驗。亦 即’本發明人進行如以下所述的檢討Λ 由水份吸水率低的、透氧、透水性低的、絕緣材料或 0 高電阻材料、低應力' 具有高透光性、膜厚和光透過特性 均句等之確保氣體阻障性的膜材料所形成，進而，爲了發 現對應用於後工程的洗淨工程之洗淨液和應用於有機電激 發光構造體之電極圖案化的蝕刻液，具有高耐性的材料， 進行調查檢討。 其結果’本發明人考慮，將在適於上述氣體阻障層的 模材料中’ A1 (鋁）和Ti (鈦）的金屬氧化物之 AlxTiyOz的非晶質薄膜，應用於氣體阻障層。在此， AlxTiyOz中，X、y、z分別爲八卜Ti、〇的原子數比率。 (8) 1338534 的金屬氧化物，A1、Ti、. ο之原子數比率以X、y、z表示 ο 而且’該氣體阻障層20中，AlxTiyOz之組成比中之 對A1之Ti的原子數比率爲i〇at〇m%以上。該原子數比率 -’具體上爲使用上述之A1的原子數比率X及Ti的原子數 比率y’而以{y/ (x+y) 丨〇〇(單位：atom%)來表示 〇 鲁 像适樣’藉由{y/ (x+y) }xl002 10atom%，該氣 體阻障層20爲後工程，對在有機電激發光構造體3〇之陽 極3 1之形成前進行的洗淨工程所使用的溫水、該陽極3】 之圖案化所用的ITO蝕刻液具有高耐性。以下，對該 AlxTiyOz之組成比的Λ1之Ti的原7數比率，簡稱爲「Ti 原子數比率」。 又，在本實施形態中，氣體阻障層20的膜厚，若爲 可確保氣體阻障性的厚度，即未特別限定，但以30nm以 φ 上爲佳。若氣體阻障層20爲30nm以上的膜厚，缺陷和針 孔會受到抑制，易於實用電位發揮沒問題的氣體阻障性。 又，在本實施形態中，像這樣之膜厚30nm以上的氣 體阻障層20的情形下，希望Ti原子數比率爲28at〇m%以 下。此乃考慮到氣體阻障層20具有，以實用電位確保有 機電激發光元件1 〇〇之電絕緣性的電阻値之點。有關此點 在後面做詳細描述。 像這樣的氣體阻障層20，雖可利用蒸鍍法和濺鍍法等 ' 之PVD法、一般的CVD法所形成，但最好使用原子層成 -12- (9) 1338534 長法來形成。若藉由原子層成長法，即可形成緻密的膜質 ，膜厚很薄也易於實現被覆性優的氣體阻障層20。 而且，在基板11之其中一面上亦即氣體阻障層20之 ' 上，形成有作爲有機電子器件的有機電激發光構造體30。 - 就是，在本實施形態中，基板11之形成有機電激發光構 造體30的其中一面，是藉由氣體阻障層20所被覆，且爲 在該基板11與氣體阻障層20之上，形成有機電激發光構 • 造體3 0的形式。 該有機電激發光構造體30，爲在互相對向的一對電極 31、33間配置包含有機發光材料之有機層32而成的構造 體。該有機電激發光構造體30’雖可採用通常之有機電激 發光構造體所用的材料和膜構成’但針對具體構成的其中 一例做描述。 在氣體阻障層20之上’先形成有作爲透明導電膜的 陽極（下部電極）31。該陽極31係爲由ITO膜等之透明 • 導電膜所形成，作爲電洞注入電極的功能。 在本例中，陽極3 1係爲利用濺鍍法成膜於氣體阻障 層20之上的ITO膜（例如厚度1 20nm ) ’該陽極3 1係利 用蝕刻等被圖案化，形成延伸至第1圖中之左右方向的條 狀。 又，在本例中，該陽極31，爲直接接觸到氣體阻障層 20而設置。就是，在此有機電激發光構造體30之基板11 側的電極31之下部與氣體阻障層20直接接觸。 進而，爲了防止在陽極31之邊緣的短路’藉由微影 -13- (10) 1338534 法形成以絕緣材料所形成的絕緣膜40。同樣的，藉由微影 法形成用以分離陰極（上部電極）33的隔壁41。 在該陽極3 1之上，係在本例依順序形成有：以有機 ' 發光材料所形成的電洞注入層、電洞輸送層、發光層、電 - 子輸送層作爲有機層32。 例如，真空蒸鍍法形成20nm的銅苯二甲藍作爲電洞 注入層。在其上，藉由真空蒸鍍法例如形成40nm的電洞 • 輸送層，作爲三苯胺基4量體（HOMO: 5.4eV、LUMO : 2.4eV、Eg ： 3 .OeV )。 進而，添力卩 l%DCJT(HOMO: 5.3eV、LUMO: 3.2eV 、Eg : 2. leV )作爲紅色發光層的三苯胺基4量體，爲藉 由真空蒸鑛法，例如形成2nm » 在其上，添加lwt%紫蘇烯（HOMO: 5.5eV、LUMO :2.6eV、Eg : 2.9eV )作爲藍色發光層功能之螢光色素的 BAlq ( HOMO ： 5.8eV ' LUMO ： 3.OeV ' Eg ： 2.8eV)，爲 # 藉由真空蒸鍍法，例如形成40nm。進而，作爲電子輸送 層的三乙醯丙酮鋁，爲例如藉由真空蒸鍍法形成2 Onm。 又，這些有機層32之上，雖未圖示，但作爲電子注 入層的LiF，例如藉由真空蒸鍍法成膜0.5nm，且在其上 ，作爲屬於上部電極之陰極33的A1，例如藉由真空蒸鍍 法成膜100nm。在此，陰極33，爲做成與陽極31直交之 條狀者，形成朝第2圖中之左右方向延伸的條狀。 而且，藉由這些，形成進行白色發光的有機電激發光 構造體30(31、32、33)。而且，本例之有機電激發光元 -14- (11) 1338534 件100，爲構成點陣顯示·器。 就是，本例的有機電激發光構造體30,係互相直交的 條狀陽極31與利用隔壁41所分離的陰極33爲交叉重合 ，這兩電極31、33的重合區域，爲構成應進行發光顯示 部分的顯不畫素° 在像這樣的本彩色有機電激發光顯示器100中，藉由 外部電路等對陽極31與陰極33之間施加具有特定負載比 B 的驅動用直流電壓，藉此在所希望的顯示晝素中，分別讓 電洞（正孔）從陽極3 1、電子從陰極3 3移動到有機層3 2 中的發光層。 而且’這些電洞及電子會在該發光層內再結合，且利 用該放射能讓螢光材料（本例中，爲DCJT、紫蘇烯及 BAlq )發光。該發光是通過濾色層13，從基板13側被取 出。 其次’針對本有機電激發光元件100的製造方法做描 Φ 述。首先’在基板11之一面，利用旋塗法和微影法，依 序形成濾色層13及保護層14。藉由目前的工程，完成氣 體阻障層20的基層部分。 接著’雖進行氣體阻障層20的形成，但在此例中， 係針對利用上述之原子層成長法的成膜方法做描述。 先將形成到上述之保護層14的基板11，設置真空室 . 內’且進行加熱。在此，利用原子層成長法將氣體阻障層 20成膜時’成膜時的基板n的溫度，若爲能反應薄膜形 成之原子層的溫度，即未特別限定，但100艺以上、4〇〇t： -15- (12) 1338534 以下爲佳。 若根據本發明人，只要是100 °C以上、400。(：以下的基 板溫度，雖然以AlxTiyOz所形成的氣體阻障層2〇爲非晶 • 質構造，但仍可藉由X射線繞射來確認》 - 進而’該基板溫度，以不滿濾色層13及保護層丨4之 分解溫度的溫度爲佳在本例中，濾色層13及保護層14的 分解溫度爲230 °C左右，如果考慮該分解溫度與實現上 φ 述之非晶質構造的溫度，氣體阻障層2 0成膜時之基板】j 的溫度，例如可爲2 2 5 °C左右。 像這樣’在真空室內加熱基板11之後，邊維持上述 的基板溫度、邊在減壓下進行交互供給原料氣體而形成薄 膜的原子層成長法，藉此形成以 AlxTiyOz所形成的氣體 阻障層2 0。 描述作爲氣體阻障層20的AlxTiyOz膜之形成方法的 其中一例。首先，將TMA (三甲基鋁）氣體與h20氣體 0 ，與N2載氣一起交互地供給到真空室內，將此循環，循 環 5次。其次，供給 TiCl4氣體與 H2〇氣體，形成 AlxTiyOz 膜。 將像這樣的AlxTiyOz膜之形成過程的循環，重複循 環2 5 0次，藉此就可在本例中，形成膜厚爲I20nm的 AlxTiyOz膜。此時之Al、Ti、Ο的組成比爲37: 5: 58。 就是，在 AlxTiyOz膜方面，x=37、y=5、z=58，此時 Ti原子數比率，約爲12atom%。 該AlxTiyOz膜的Ti之組成比亦即Ti原子數比率的 -16 - (13) 1338534 控制，可藉由改變上述之TMA及H20氣體的循環數（以 下將此稱爲TMA循環數）與TiCl4氣體及H20氣體的循 環數（以下將此稱爲TiCl4循環數）之比。 例如，在上述例所示的原子層成長法方面，如果TMA 循環數較大，AlxTiyOz膜的Ti原子數比率就較小’如果 TiC 14循環數較大，Ti原子數比率就較大。 第3圖是表示調査TiC 14循環數爲1時，對TMA循環 | 數之比的Ti原子數比率之變化結果的圖。如第3圖所示 ，TM A循環數之比變大，連帶Ti原子數比率變小，藉由 這些循環數的控制，就能控制 Ti原子數比率。而且，在 第3圖之範例中，當TMA循環數之比爲6以上時，就能 實現Ti原子數爲lOatom%以上。 再者，像這樣來控制Ti原子數比率，除了上述之循 環數的控制以外，藉由改變基板 Π的溫度也行。若根據 本發明人的調査，提高基板溫度，會讓Ti原子數比率變 • 大，降低基板溫度，會讓Ti原子數比率變小。 這樣一來，形成在氣體阻障層20後，在形成有機電 激發光構造體30之陽極31前，進行該陽極31之基層部 分的洗淨。該洗淨工程，係例如以5 0°C的溫水浸泡、25 °C 的流水以及使用鹼性洗淨液來進行。乾燥爲旋乾式》 而且，接著在基板11之一面上亦即氣體阻障層20之 上，形成有機電激發光構造體30。 在本例中，先在氣體阻障層20之上以200 °C的成膜溫 度，利用灑鍍法將ITO膜予以成膜，且將此利用微影法， -17- (14) 1338534 而圖案化成電極形狀，藉此形成陽極31。此時，ITO的蝕 刻液，爲使用混合硝酸與鹽酸、水的混酸。 其次，在陽極3 1之間利用微影法形成絕緣膜40，接 著在其上，利用微影法形成隔壁41。其次，在陽極31之 * 上利用真空蒸鍍法形成，依序形成有：如上述例所示的電 洞注入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層而成的有機 層32。 φ 其次，在有機層32之上利用真空蒸鍍法成膜，作爲 上述電子注入層的LiF、以及作爲上部電極的陰極33。這 些有機層32和陰極33之利用真空蒸鍍的成膜溫度，爲室 溫左右。這樣，具有作爲上述第1圖、第2圖所示的氣體 阻障層2的AUTiyOz膜，就能完成作爲彩色有機電激發 光顯示器的有機電激發光元件100。 再者，此後爲了阻斷來自有機電激發光構造體30之 表面的水份，可藉由具有乾燥劑的不銹鋼或玻璃的密封罐 Φ ’亦可以僅利用含微量氧的不活性氣體（N2氣體等）或不 活性氣體，密封機電激發光構造體3 0的外表面側。 可是，在本實施形態中，氣體阻障層 20，爲由 AlxTiyOz所形成的非晶質薄膜，且對該AlxTiy〇Z的組成 比之A1的Ti之原子數比率（亦即Ti原子數比率）爲 1 Oatom%以上者。採用此種氣體阻障層20，是以如下所述 之本發明人所進行的實驗結果爲基礎。 首先’在非晶質薄膜成爲易確保氣體阻障性的膜之後 ’來調查AlxTiyOz之Ti原子數比率與對後工程所用的洗 -18- (15) 1338534 淨液、蝕刻液之耐性的關係。 第4圖爲表示有關其耐性的調査結果之其中一例的® ，且爲表示對A1之Ti的原子數比率（就是Ή原子數比 率，單位：atom% )與利用洗淨液之氣體阻障層20的餓 • 刻量（單位：nm)之關係的圖。 在此，蝕刻量，爲在基板Π形成改變Ti原子數比率 的氣體阻障層20，且將此在作爲上述之洗淨液的50°C之 ® 溫水中浸漬30分鐘後，來測定該氣體阻障層20被蝕刻部 分的厚度。 如第4圖所示，若Ti原子數比率爲lOatom%以上’ 氣體阻障層2 0的蝕刻量實際爲0，對作爲洗淨液的溫水之 氣體阻障層2 0的耐性，可說很充分。 又，雖然針對Ti原子數比率與利用該溫水以外的其 他洗淨液及ITO蝕刻液的氣體阻障層20之蝕刻量的關係 ，也做同樣的調査，但出現與該第4圖所示之結果同樣的 # 傾向。就是，如果Ti原子數比率爲lOatom%以上，就可 得到充分確保對各種洗淨液及蝕刻液之耐性的結果。 又，若根據本發明人的瞭解，AlxTiyOz膜之氣體阻 障性，並不大仰賴Ti原子數比率，較爲仰賴其膜厚。就 是，AlxTiyOz膜的膜厚愈厚，氣體阻障性愈爲提昇。 若根據本發明人的檢討，如上所述，就能確認，只要 膜厚爲30nm以上就能確保氣體阻障性，由此，在本實施 形態中，理想上氣體阻障層20的膜厚爲30nm以上。與習 知之以一般的A!2〇3膜等所形成的氣體阻障層之膜厚需爲 -19- (18) 1338534 以上，如所述，若藉由本實施形態之有機電激發光元 件1 00，就能如上述的來構成氣體阻障層20之組成及構造 ，提昇對氣體阻障層20成膜後的後工程中之蝕刻液和洗 ' 淨液的氣體阻障層20之耐性。其結果，可提供高品質及 - 高壽愈的彩色有機電激發光。 進而，利用原子層成長法來形成氣體阻障層2 0，就能 讓膜質被緻密化，適合高被覆性且薄膜化者。而且，如上 φ 所述，藉由控制原子層成長法的各循環數和基板溫度，就 能適當控制氣體阻障層20的膜質和Ti原子數比率。 再者，由上述之第4圖、第5圖所示的結果推定，只 要Ti原子數比率是在如這些圖所示的最佳範圍，就可得 到上述的效果》因此，作爲氣體阻障層20的AlxTiyOz膜 ，除原子層成長法以外，例如在以濺鍍和一般的CVD等 所成膜的情形下，亦可期待上述的效果。 又，只要本發明的有機電激發光元件，是在基板上， • 至少依序層積濾色層、氣體阻障層、以及有機電激發光構 造體即可，亦可爲只是這些的層積構造，也可更進一步中 介設置上述之保護層和除此以外的層。 又，有機電激發光構造體的構成，並不限於上述的具 體例，通常可採用有機電激發光構造體所用的材料和膜構 成，或者在將來也能運用於有機電激發光構造體的材料和 膜構成。 本發明雖爲參照最佳實施例所做記述，但可理解本發 明並不限於該實施例和構造者。本發明也包含各式各樣的 -22- (19) 1338534 變形例和均等範圍內的變形。除此之外可以理解，最佳的 各種組合和形態’或者那些只爲一要素’包含那以上或那 以下的其他組合和形態’也納入本發明的範疇和思想範圍 係圖 ’ 其 點 。 優確 和明 徵更 特得 、 變 的述 目記 他細 其詳 及的 的述 目下 述由 上藉 1 之邊 明明面 說發圖 單本附 簡關所 式有照係 圖 參， [ 邊面 第1圖爲有關本發明之實施形態的有機電激發光元件 之槪略剖面圖。 第2圖爲沿著第1圖之II-II線的槪略剖面圖》 第3圖爲表示對TiCl4循環數爲1時之TMA循環數之 比的Ti原子數比率之變化座標圖。 第4圖爲表示Ti原子數比率與利用洗淨液的氣體阻 φ 障層之蝕刻量的關係之座標圖。 第5圖爲表示Ti原子數比率與薄片電阻之關係的座 標圖。 【主要元件符號說明】 1 1 :基板 12 :陰罩 1 3 :濾色層 14 :保護層 -23- (20) (20)1338534 20 :氣體阻障層 ’ 30:有機電激發光構造體 3 1 :陽極 32 :有機層 33 :陰極 40 :絕緣膜 41 :隔壁 1〇〇:有機電激發光元件

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Claims (1)

1338534 p年叫？《修(更}正替換页 —.I—· 申請專利範園 第096 1 0 1 308號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國99年1 〇月13日修正 I 一種有機電激發光元件，其特徵爲： 由： 基板（1 1 )、 濾色層（1 3 )、 氣體阻障層（20 )、以及 有機電激發光構造體（3 0 )所形成， 濾色層（13)、氣體阻障層（2〇)以及有機電激發光 構造體（3 0 )，爲依此順序被層積在基板（11 )上， 且氣體阻障層（20)爲由AlxTiyOz所形成的非晶質 薄膜， 且對AlxTiyOz之組成比的X，y滿足{y/(x + y) } χ 100$ lOatom% 〇 2.如申請專利範圍第1項所記載的有機電激發光元 件，其中， 氣體阻障層（20 )，爲利用原子層成長法所形成而成 3-如申請專利範圍第1或2項所記載的有機電激發 光元件，其中， 氣體阻障層（20 )的膜厚爲30nm以上，且對 Ι3γ®4_ #年叫/iH丨侉(更)正替換; L_______________.. / ι AlxTiy〇Z之組成比的X，y滿足{y/(X + y) } χΙΟΟ刍 2 8 a t o m 0/〇。 4·如申請專利範圍第1或2項所記載的有機電激發 光元件，其中， 基板（11)爲玻璃基板。 5. 如申請專利範圍第1或2項所記載的有機電激發 光元件，其中， 基板（1 1 )爲樹脂基板。 6. 如申請專利範圍第1或2項所記載的有機電激發 光元件，其中， 更具有保護層（14)，保護層（14)被配置在濾色層 (13 )與氣體阻障層（20)之間。 7 ·如申請專利範圍第6項所記載的有機電激發光元 件，其中， 保護層（1 4 )，爲由壓克力樹脂所形成。 8 ·如申請專利範圍第7項所記載的有機電激發光元 件，其中， 有機電激發光構造體（30)爲由··下部電極（31)、 有機層（3 2 )及上部電極（3 3 )所形成，下部電極（3 1 ) 、有機層（3 2 )以及上部電極（3 3 )爲以依此順序被層積 在氣體阻障層（20)，且有機層（32)爲由：電洞注入層 、電洞輸送層、發光層及電子輸送層所形成。 9. 一種有機電激發光元件之製造方法，其特徵爲： 由： -2- 1338534 ―1’ $日修巧替授 將濾色層（1 3 )形成•在基板上的工程；和 將氣體阻障層（2〇 )利用原子層成長法，形成在爐色 層（1 3 )上的工程；和 將有機電激發光構造體（30 )形成在氣體阻障層（2〇 )上的工程所形成， 氣體阻障層（20)爲由AlxTiyOz所形成的非晶質薄 膜， 且對AlxTiyOz之組成比的X，y滿足{y/(x + y) } χ 100^ lOatom%， 氣體阻障層（20)之成膜時的前述基板（11)之溫度 爲1 〇〇°C以上、40(TC以下。 10.如申請專利範圍第9項所記載的有機電激發光元 件之製造方法，其中， .热體阻P早層（20)的1旲厚爲 30nm以上，且對 AlxTiyOz 之組成比的 x，y 滿足{y/(x + y) } xl〇〇g 28atom% 〇 11.如申請專利範圍第9或1 0項所記載的有機電激 發光元件之製造方法，其中， 基板（1 1 )爲玻璃基板。 1 2.如申請專利範圍第9或1 0項所記載的有機電激 發光元件之製造方法，其中， 基板（1 1 )爲樹脂基板。 -3-