TWI336091B - Light emission device and display device using the light emission device as light source - Google Patents

Description

1336091 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種發光裝置，其可做為一顯示裝置之光 源。 【先前技術】 一液晶顯示裝置（LCD)係一非自我發光型顯示裝置。 該液晶顯示裝置包含一液晶（LC)面板組件及一朝該液晶面 板組件發光之背光單元。該液晶面板組件接收由該背光單 凡發射之光並以一液晶層對該光做選擇性地傳送或阻擋。 根據光源來將該背光單元分類成各種類型，其中之一 係冷陰極螢光燈（CCFL)。該冷陰極螢光燈係一線性光源， 其可透過例如擴散層、擴散板及/或稜鏡層之複數個光學構 件來均勻地發射光至該液晶面板組件。 然而’因該冷陰極螢光燈發射之光穿過該些光學構件， 故可能會有光損失。在該冷陰極螢光燈類型之液晶顯示裝 置中’由該冷陰極螢光燈所產生之光只有3 — 5%通過該液 晶面板組件。更進一步’因該冷陰極螢光燈消耗相當大功 率’故使用該冷陰極螢光燈之液晶顯示裝置之整體功率消 耗增加。此外’由於受到結構上的限制而使該冷陰極螢光 燈難以大型化，故難以將冷陰極螢光燈應用至超過3〇吋 的大型液晶顯示裝置。 一使用發光二極體（LED)之背光單元也是眾所熟知 的。該些發光二極體係點光源，其係與例如反射層、導光 板、擴散層、擴散板、稜鏡層及/或雷同者之複數個光學構 5 丄户卿91 件相結合，藉此形成該背光單元。該發光二極體類型之背 光單元具有反應時間快及良好色彩重現性。然而，該發光 • 一極體既昂貴又增加該液晶顯示裝置之整體厚度。 该些傳統背光單元被驅動以在該液晶顯示裝置被驅動 •時維持所有的發光表面一預定亮度。因此，難以將該顯示 品質改善至一合適水準。 ▲例如，當該液晶面板組件要回應一影像信號*顯示具 • #高輝度部分及一低輝度部分之影像時，若該背光單元可 發射具有不同強度之光至顯示該高及低輝度部分之液晶面 板組件之像素，則將有可能實現一具有更改善之動態對比 之影像。 然而，該些傳統背光單元不能達成上述功能，因而在 改善該液晶顯示裝置顯示影像之動態對比上有所限制。 【發明内容】 一本發明一觀點提供一種可自該整個發光表面均勻地發 • 光之發光裝置，以及一種以該發光裝置為光源之顯示裝 置。 本發明另一觀點提供一種可分別控制一發光表面之複 .數個分割區域之光強度之發光裝置，以及一種可以該發光 裝置為光源來增強螢幕之動態對比之顯示裝置。 . 本發明另一觀點提供一種發光裝置，包含：i)彼此面 對面並於其間形成一真空容器之第一及第二基板；⑴—提 供於該第一基板上之電子發射單元；及ni)一提供於該第 二基板上之發光單元。該發光單元包含：i)一形成於該第 6 1336091 二基板上之透明陽極電極；ii) 一形成於該陽極電極上之璃 光層；及iii)在該磷光層下與該陽極電極接觸並與該填光 層相交之複數個第一次電極❶該些第一次電極具有一低於 該陽極電極之電阻。 該些第一次電極可被形成於該陽極電極上且較覆蓋該 些第一次電極之磷光層薄。該些第一次電極可由鉬、鋁、 鉬合金及鋁合金中其中至少之一所構成。 替代性地’該些第一次電極可被形成於該陽極電極表 面上且在厚度上實際類似或相等於該麟光層，其中，該填 光層可被形成於該些第一次電極之間。該些第一次電極可 由含碳傳導材料所構成。 該填光層可被分割成彼此間互相隔開之複數個區段， 且該發光裝置可進一步包含一形成於該磷光層區段之間之 第二次電極。該第二次電極可具有一大於該第一次電極之 寬度。 該發光單元可包含一形成於面對該第一基板之磷光層 表面上之反射層。該電子發射單元包含彼此間互相絕緣並 相交之第一及第二電極，與包含電性連接至該些第一和第 二電極中其中之一之電子發射區域。 本發明另一觀點提供一顯示裝置，包含：i) 一顯示一影 像之顯不面板及Π)一被架構以提供光給該顯示面板之發光 裝置。該發光裝置包含：丨）彼此面對面以於其間定義一空 間之第一及第二基板，u) 一發光單元，包含一形成於該第 一基板上之透明陽極電極、一形成於該陽極電極上之磷光 7 1336091 層、及接觸該陽極電極之複數個第一次電極。 該發光裝置可包含安排於實際上彼此間相交之第—及 第=方向之複數個像素，其數量係少於該顯示面板之像素 數量。該發光褒置可進—步包括—電子發射單元，其位在 該第一基板並包含沿著該第一及第二方向中其中之一安排 之複數個掃描電極、及沿著上述另一方向安排之複數個資 料電極。該發光裝置之像素可具有受到該掃描及資料電極 控制之光強度。 該複數個第-次電極中至少其中之—的厚度可小於該 磷光層厚度，且該磷光層可覆蓋該至少—第一次電極。替 代性地，該些第一次電極中至少其中之一的厚度可實質類 似於該磷光層厚度。該些第一次電極中之至少其中之二之 寬度可以不同。 該磷光層可包含彼此間互相隔開之複數個區段，其中， 該發光裝置可進一步包含形成於該磷光層區段之間之複數 個第二次電極，且其中，該複數個第二次電極中其中至少 之一可具有一大於該第一次電極之寬度。 【實施方式】 現在將參考附圖以更完整說明本發明實施例。 第1圖係根據本發明一實施例之發光裝置1〇之剖面 圖。 參考第1圖，該發光裝置10包含彼此面對面相隔一預 定間距之第一及第二基板12及14。在該第一及第二基板 12及14周邊提供一密封構件16以將它們密封在一起而形 8 1336091 成一密封容器。該密封容器内部係保持在約 程度。 托爾真空 該第一及第二基板12及14中的每—個 以路私叮曰t t 1U丹有—被架構 發射可見光之作用區域及一環繞該作用區域之非作用 2。該非作用區域不發光。如第i圖所示，該作用區域^ —位在該第-基板12上用以發射電子之電子發射單元^ 及一位在該第二基板14上用以發出可見光之發光單元2〇。 °亥可見光以一正z軸方向發出。 第2圖係第i圖發光裝置之作用區域之部分分解 圖。 顧· 參考第！圖及第2圖，該電子發射單元18包含 極22、第二電極26及電子發射區域28。該些第一及第二 電極22及26係由一絕緣層24來將彼此互相絕緣。該些 電子發射區域28係電性連接至該些第-電極22。替他 地，雖未示於第2圖中，但該些電子發射區域28可 性連接至該些第二電極26。 當該些電子發射區域28係形成於該些第-電極22上 時’該些第一電極22係施加—電流至該電子發射區域Μ 之陰極電極’及該些第二電㉟26係閘極電極，後者在對 應至一介於陰極及閘極電極間之電壓差之該些電子發射區 域28四周形成電場以感應該電子發射。反之，當該些電 子發射區域28係、形成於該些第二電極％上時該些第二 電極26係陰極電極且該些第—電極22係閘極電極。 在該些第-及第二電極22及26中，沿著該χ軸方向 9 配置之電極作用為掃描電極， 極作用為資料電極。 y軸方向配置之電 在第1圖及第2圖中，若兮此带三 於該此坌一 右該二電子發射區域28被形成 人二秦 電極22上，貝丨丨干益4 & λ* 光穿署丨n + , 則不範該些第一電極22沿著該發 切方向（第2圖中之0方向上）配置，而該此 :電極26沿著該發光裝置1〇之列方向(第】圖及第2圖 ^軸方向上）配置。然而，該些電子發射區域Μ及該 卓-及第二電極22及26之安排並不限於上述例子。 如第1圖及第2圖所示’開σ 241及246分別貫穿該 層24及該些第二電極26而被形成，以部分曝露該些 一電極22的表面。該些電子發射區域28係透過該絕緣 g 24之開口 241而形成於該第一電極22上。 該些電子發射區域28係由一例如含碳材料或一奈米尺 寸材料所構成’當在一真空氣壓下施加一電場至該材料 ，6亥材料會發射電子。該些電子發射區域28可由奈米 灭g、石墨、奈米石墨纖維、鑽石、類鑽石碳、C6Q、奈米 矽線或其結合所構成。該些電子發射區域28可例如透過 凋印製程、一直接成長法、一化學氣相沉積法或一濺鍍 製程來形成。 替代性地’所形成之電子發射區域可為一由含鉬或含 $夕材料所構成之尖端結構。 該第一及第二電極22及26之一相交區域（第2圖所示 之四個電子發射族群中其中之一）可對應至該發光裝置10 一像素區域。替代性地，該第一及第二電極22及26之 二或更多相交區域可對應至該發光裝置1Q之—像素區域。 本例中，置於一後Γ-1 、 像素區域内之二或更多第一電極22及/或 5夕第—電極26彼此間係互相電性連接以接收一共 同驅動電壓。 八 在μ細例中，該發光單元20包含一形成於該第二基 板上之透明陽極電極3〇、一形成於該透明陽極電極 之^4光層32、接觸該陽極電極3〇並被該磷光層32所覆 φ 蓋之複數個第一次電極34、及一形成於該填光層32上之 反射層36。在一實施例中，第一次電極34係排列成預定 的圖案’並且具有比陽極電極30還低的電阻。 該陽極電極30係由例如一銦錫氧化物（IT〇)層之透明 傳導層所構成’以傳送該磷光層32所射出之可見光。一 部分陽極電極30延伸至該密封構件16外，以形成施加電 壓所需之陽極導線38(見第1圖）。 該磷光層32可為一白磷光層，其係形成於該第二基板 φ I4之整個作用區域上，或被分割成以一預定圖案配置並彼 此互相隔開之複數區段。在這些例子中，該些第一次電極 34都可被該磷光層32所覆蓋並以一線圖案或一晶格圖案 (見第3圖）來形成。 在一實施例中’該些第一次電極34係由具有一較該陽 • 極電極30電阻低之材料所構成。例如，該些第一次電極34 可由钥、鋁、鉬合金及鋁合金中至少其中之一所構成。該 些第一次電極34可在該鱗光層32形成之前，先被形成於 該陽極電極30上。此時，該些第一次電極34之厚度約為 1336091 微米。該璃光層 一次電極3 4。 幾千埃（A)。該墙光.層32之厚度可為幾個 32被形成在該陽極電極3〇上而覆蓋該此第

，在-實施例中，該些第-次電極34之宽度被剪裁成無 法從該第二基& 14外表面看見該些第—次電極μ，且又 不會明顯地阻擋該㈣32所射出之可見光路徑。在_ 實施例中，該些第一次電極34《寬度係實質等於或小於 約20微米。若該些第一次電極34之寬度太短，該些第一 次電極34之線電阻增加且難以執行該些第一次電極μ之 圖案化製程。在另一實施例中，該些第—次電極W之寬 度係實質等於或大於約5微米。 在一實施财，當-陽極電壓透過該陽極導線38被施 加至該陽極電極30時，該第—次電極34減少該陽極電極 30之線電阻，並因而使靠近該陽極導線38之陽極電極％ 部分及遠離該陽極導線38之陽極電極3〇部分之間之電壓 差極小化。在另一實施例中，第一次電極34在該陽極電 極30之整個表面上提供實質均勻之電壓分佈。 在一沒有次電極之傳統式發光裝置中，因為由銦錫氧 化物所構成之陽極電極具有一比較高電阻，在靠近該陽極 導線部分及遠離該陽極導線部分之間具有一電壓差。該發 光裝置之輝度係正比於該陽極電壓。因此，由於該電壓差 之故，該發光裝置之輝度並不是均勻遍及其整個發光表 面。 該反射層36係由例如鋁之金屬所構成，以藉由將該罐 光層32射至該第一基板12之可見光反射至該第二基板14 12 1336091 來增強該螢幕之輝度。 間隔子（未顯示）被放置在該第一及第二基板12及14 之間，用以在該第一及第二基板12及1 4之間均勻地保持 一間距以抵抗一外力。 如第3圖所示，當該磷光層32被分割成複數個區段時， 一或更多區段可對應至一像素區域。替代性地，一區段可 對應至一或更多像素區域。在至少一實施例中，可將該鱗 光層32之母個區段形成如第3圖所示之矩形。另可以 一晶格圖案將一第二次電極4〇形成於該磷光層32各區段 之間。 在一實施例中，該第二次電極4〇係由具有一較該陽極 電極30電阻低之材料所構成。該第二次電極之寬度係 大於該第一次電極34之寬度^該第二次電極4〇可由與該 第一次電極34實質相同之傳導材料或一不同傳導料所構 成。在前者情況中，可使用單一光罩圖案以一起形成該第 二次電極40與該第一次電極34。 在第4圖中，該第二次電極4〇與該些第一次電極 由相同材料所構成並同時一起進行圖案化。該第一及第二 次電極34及40可具有一模一樣的厚度。 一間距係如下所述地形成於該反射層36及該磷光層32 之間。首先，由一可在高溫分解之聚合材料所構成之夾層（未 顯示）被形成於該磷光層32上。接著，一用以形成該反射 層36之材料被沉積在該夾層上。接著，透過一熱製程將 該夾層移除’藉以形成該微細的間距。由於該磷光層32 13 1336091 及該反射層36是由間隔子（未顯示）所支撐，該微細間距可 被維持。因此，該反射層36不會受到該填光層32表面粗 糖度影響而是實質平坦的。 ' 上述發光裝置10係由施加驅動電壓至該第一及第二電 - 極22及26並施加例如幾仟伏特之正直流電壓至該陽極電 極30所驅動。在第1圖中，參考號42標示著自該些第二 電極26延伸之第二電極導線。 φ 接著’ 一電場係產生於該些電子發射區域28附近，此 係在該第一及第二電極22及24之電壓差大於一臨界值之 像素區域所在位置，藉此自該些電子發射區域28射出電 子。所射出的電子被施加至該陽極電極3〇之高電壓所加 速而與該磷光層32 —對應區段互撞，藉此刺激該磷光層32 之對應區段。在每一像素之磷光層32發光強度對應至該 對應像素之電子發射量。 在上述驅動製程中，由於該第一及第二次電極34及4〇 • 降低該陽極電極之線電阻，故靠近該陽極導線38之發 光單元20部分之電壓實質上變得與遠離該陽極導線38之 發光單元20部分之電壓一模一樣。據此，由於該磷光層32 之發光強度係正比於該陽極電壓’本實施例之發光裝置 可均勻地發光遍及至該發光單元2〇整個作用區域。 . 第5圖係根據本發明另一實施例之發光裝置之第二義 板及發光單元之部分放大剖面圖。 參考第5圖，除了第一次妹34,之厚度係類似或相 同於在該些第一次電極34’之間所形成之磷光層32，之厚度 外’本實施例之發光單元20,與前述實施例係一模一樣。 也就疋說S本實施例中，該些第一次電極3 4,係透 過-例如網印製程之厚膜製程，％由_例如石墨之含碳材 料所構成而具有上述高度q該第—次電極Μ，之寬度被設 計成與前述實施例中所述之第一次電㉟34之寬度係實質 上一模一樣。 此外，當s玄磷光層3 2 ’被分割成以一預定圖案配置並 彼此互相隔開之複數個區段時，第二次電極4〇，可被形成 於該鱗光層32’各區段間。該第二次電極4〇,與該些第一次 電極34’係由相同材料所構成。該第一及第二次電極34，及 40’之高度可類似或一模一樣。 在上述至少一實施例中，該第一及第二基板12及14 間之間距可落在例如約5毫米至約2〇毫米範圍内。該陽 極電極30可透過該陽極導線38接收例如大於約i〇kv或 約10-1 5kV之高壓。據此，在一實施例中，該發光裝置i〇 於該作用區域中間部分實現一超過l〇,〇〇〇cd/m2之輝度。 第6圖係根據本發明一實施例之液晶顯示器之分解立 體圖。第6圖之顯示裝置只是示範，並非要限制本發明。 參考第6圖’本實施例之顯示裝置10〇包含一發光裝 置10及置於該發光裝置1〇前面的一顯示面板5〇。將該發 光裝置10發出之光均勻地擴散至該顯示面板50之擴散器 60可被放置於該顯示面板50及該發光裝置1〇之間。該擴 散器60與該發光裝置1〇可相隔一預定間距。一頂座62 被放置在該顯示面板50之前，且一底座64被放置在該發 15 1336091 光裝置l 〇之後》 示面板或任何其它非自我 ’一液晶顯示面板被舉例 該顯示面板50可為—液晶顯 發光型顯示面板。在下列說明中 說明。 該顯示面板50包合_ ,+, ^ 由複數個薄膜電晶體（TFT)所構 成之薄膜電晶體基板52、一妨罢μ 敌置在該薄膜電晶體基板52 上之彩色濾光片基板54'及一放罟力兮胡μ ^敌置在該薄膜電晶體基板52

及該彩㈣'光片基& 54間之液晶層（未顯示）。偏光板（未 顯示)被黏附在該彩色濾光片基板54的頂部表面及該薄膜 電晶體基板52的底部表面上，用以使通過該顯*面板5〇 之光線偏振。 該薄膜電晶體基板52係一其上之薄膜電晶體被安排成 一矩陣圖案之玻璃基板。一資料線被連接至一薄膜電晶體 之源極端’且一閘極線被連接至該薄膜電晶體之閘極端。 此外’一像素電極被形成於該薄膜電晶體之汲極端。 當電彳s號由電路板組件5 6及5 8輸入至相對應閘極線 及資料線時’電信號被輸入至該薄膜電晶體的閘極及源極 端。接著，依據輸入至其上之電信號導通或關閉該薄膜電 晶體，並輸出用以驅動該像素電極所需之電信號至該汲極 端。 RGB彩色濾光>{被形成於該彩色濾光片基板54上， 以在該光通過該彩色濾光片基板54時發出預定顏色。一 共用電極被沉積在該彩色濾光片基板54的整個表面上。 當電源被施加至該些薄膜電晶體之閘極及源極端以導 16 通该些薄膜電晶體時，一電場被形成於該像素電極及該共 用電極之間。@為該電場之故’置於該薄膜電晶體基板μ 及該彩色遽光片基板54之間之液晶層之液晶分子方向可 被改變，使得每一個像素之透光率可依據該些液晶分子方 向而改變。 該顯示面板50之電路板組件56及58被分別連接至驅 動積體電路封裝561及⑻。為了驅動該顯示面板50,該 閘極電路板組# 56傳送—閘極驅動信號，㈣資料電路 板組件5 8傳送一資料驅動信號。 該發光裝置1G之像素數量係少於該顯示面板5〇之像 素數量’以使該發光裝置10之—像素對應至該顯示面板5〇 之二或更多像素。該發光以1Q中每—個像素發光以回 應該顯不面板50中相對應像素之最大灰階值。該發光裝 置10可以2-8位元代表每一個像素的灰階值。 基於方便起見，將該顯示面板5〇之像素稱做第一像素 並將該發光裝i H)之像素稱做第二像素。此外，將對應 至一第二像素之複數個第一像素稱做第一像素群。 為了驅動該發光裝置10，-用以控制該顯示面板50 之信號控制單元(未顯示)债測該第一像素群中該些第一像 素之最大灰階值’根據削貞測到的灰階值來計算使該第二 像素發光所需的灰階值，您瞀山> > 值將鼻出之灰階值轉換成數位資 料，以及利用該數位資料來產生該發光裝置ι〇之驅動信 號。該發光裝i 10之驅動信號包含一掃晦驅動信號及一 資料驅動信號。 17 1336091 該發光裝置ίο.之電路板組件(未顯示），其係—掃描電 路板組件及-資料電路板組件，分別被連接至驅動積體電 路封裝44i A 461。為了驅動該發光裝置1〇 ’該掃描電路 板組件傳送-掃描驅動信號及該資料電路板組件傳送一資 動及第三電極中其中之—接收該掃描驅 動信號及另一者接收該資料驅動信號。 因此，虽一影像欲由該第一像素群顯示時該發光裝 • £ 1〇之相對應第二像素與該第一像素群同步發出具有一 預定灰階值之光。該發光裝置1〇具有安排成行列方式之 像素。每一列上所安排之像素數量可為2至99，且每—行 上所安排之像素數量可為2至99。 订 如上所述，在該發光裝置10中，該發光裝置1〇之像 素發光強度個別受到控制，以發出適當光強度至該顯示面 板50中每個第-像素群。結果，根據本發明一實施例之 顯示裝置100可增強該螢幕之動態對比及影像品質。 • 雖然上面說明指出本發明施用於各種實施例之新穎特 徵，熟知此項技術之人士應了解到對所示之裝置或方法之 形式及細節上之各種省略、替代及改變可被產生而不偏離 本發明範圍。因此，本發明範圍係由所附申請專利範圍所 定義，而非受前述說明所定義。落入該些申請專利範圍之 等效意義及IS圍内之所有變化係包含在申請專利範圍内。 【圖式簡單說明】 第1圖係根據本發明一實施例之發光裝置之剖面圖。 第2圖係第1圖發光裝置之作用區域之部分分解立體 18 1336091 圖。 第3圖係第1圖發光裝置之發光單元之部分放大俯視 圖。 第4圖係第1圖發光裝置之發光單元之部分放大剖面 圖。 第5圖係根據本發明另一實施例之發光裝置之第二基 板及發光單元之部分放大剖面圖。

第6圖係根據本發明一實施例之顯示裝置之分解立體 圖0 【主要元件 10 12 14 、 14， 16 18 2〇 、 2〇， 22 24 26 28 30 32 、 32， 34 、 34， 36 符號說明】 發光裝置 第一基板 第二基板 密封構件 電子發射單元 發光單元 第一電極 絕緣層 第二電極 電子發射區域 陽極電極 碟光層 第一次電極 反射層 19 1336091 38 陽極導線 40 ' 405 第二次電極 42 第二電極導線 50 顯示面板 52 薄膜電晶體基板 54 彩色濾光片基板 56 > 58 電路板組件 60 擴散器 62 頂座 64 底座 100 顯示裝置 241 ' 261 開口 441、461、561、581 驅動積體電路封裝 20

Claims (1)

1336091 申請專利範圍： Ή : ‘曰、正替換頁 1.一種發光裝置，包括： .' * * 第一及第二基板’彼此面對面並於其間形成—空間. 一位在該第一基板上之電子發射單元；及 一位在該第二基板上之發光單元，其中，該電子發射 單元及該發光單元彼此面對面； 其中，該發光單元包含： 一形成於該第二基板上之透明陽極電極； 一形成於該陽極電極上之磷光層；及 位在該陽極電極上之至少一次電極， 其中，該至少一次電極具有一低於該陽極電極之電阻； 其中’該磷光層包括彼此互相隔開之複數個區段，其 中’該至少一次電極包括複數個第一及第二次電極，其中， 〇玄複數個第二次電極係形成於該填光層各區段之間，且其 中’至少一第二次電極具有一大於該些第一次電極之寬度。 2.根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該至少 一次電極之厚度係小於該磷光層之厚度。 3 ·根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該至少 一次電極係由下列至少其中之一所構成：鉬、鋁、鉬合金 及铭合金。 4. 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該至少 次電極之厚度實質上係相同於該磷光層之厚度。 5. 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該至少 次電極係由一含碳傳導材料所構成。 21 juuy1 蜂％ 28修正替換頁 一广根據申請專利範圍第i項之發光裝置，其中，該至少 -人電極的寬度係在約5微米至約2〇微米之範圍内。 7.根據申請專利範圍第1項之發光裝置，盆中，至少— ；2二次電極係由-實質上與該些第一次電極相同之材料所 構成。 B 8.根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該發光 °元進步包括一在面對該第一基板之鱗光層表面上所形 ^ 成之反射層。 9.根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該發光 早几被架構以透過該第二基板發光至一非自我發光型顯示 裝置。 10.—種顯示裝置，包括： 一顯示一影像之顯示面板；及 一被架構以提供該顯示面板光源之發光裝置， 其中，該發光裝置包括：

第一及第二基板，彼此面對面並於其間定義一空間； 一發光單元，包含：i)一形成於該第二基板上之透明陽 極電極，ii)一形成於該陽極電極上之磷光層，及iii)接觸該 陽極電極之複數個第一次電極； 其中，該磷光層包含彼此互相隔開之複數個區段，其 中，該發光裝置進一步包含形成於該磷光層各區段間之複 數個第二次電極，且其中，該複數個第二次電極中至少其 中之一具有一大於該些第一次電極之寬度。 22 1336091 •. 一輩.|· 修正替換頁 11.根據申請專.利範圍第10項之顯示裝置，其中，該發 光裝置包含配置於實質上彼此相交之第一及第二方向上^ 複數個像素，其數量係少於該顯示面板之像素數量。 • I2.根據申請專利範圍第π項之顯示裝置，進一步包括 位一在該第一基板上之電子發射單元，其包含沿著該第一 及第二方向中其中之一配置之複數個掃描電極及沿著另一 方向配置之複數個資料電極。 丨3·根據申請專利範圍第12項之顯示裝置，其中，該發 光裝置之像素具有受到該些掃描及資料電極所控制之光強 度。 I4.根據申請專利範圍第10項之顯示裝置，其中，該複 數個第一次電極中至少苴中之一夕戸疮总， ^ τ ^ 之知度係小於該磷光層之 厚度’且該磷光層覆蓋該至少一第一次電極。 1 5 ·根據申請專利範圍第丨〇項之顯示裝置，其中，該複 數個第一次電極中至少立中之一且古 I y八r炙 具有一小於該陽極電極之

電阻。 16.根據申請專利範圍第10項之顯示裝置，其中，該些 第一次電極中至少其中之一之厓；ί， Τ ^炙厚度實際上係類似於該磷光 層之厚度。 其中，該些 17.根據申§青專利範圍第1〇項之顯示裝置 第一次電極中至少其中二者在寬度上有所不同。 18.根據申請專利範圍第1〇項之顯示裝置，其中，該發 光單元進一步包含一在面對該第—其始 』攻罘暴扳之磷光層表面上所 形成之反射層。 23 1336091 . 年8月21l修正替換頁 十一、圖式·· 如次頁。

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