TWI331170B - Cleaning liquid and cleaning method - Google Patents

Description

1331170 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於浸液式曝光（Liquid Immersion Lithography)製程中所使用之洗淨液以及洗淨方法。 【先前技術】 半導體元件、液晶元件等之各種電子元件中之微細構 造的製造方面，多使用微影法。近年來，半導體元件的高 集積化、微小化之進展顯著，微影步驟中之光阻圖型形成 上隨之亦要求更高一層的微細化。 目前，依據微影法，例如，最先進領域中，可形成線 幅90nm程度之微細光阻圖型，而形成線幅65nm之更微 細圖型之硏究與開發更如火如荼進行中。 如此爲了達成更微細圖型之形成，一般所考量的對策 係爲針對曝光裝置或光阻材料之改良方面。曝光裝置的對 策方面，可舉出有F2準分子雷射、EUV (極紫外光）、電 子射線、X光、軟X光等之光源波長之短波長化，或是鏡 片之數値孔徑（NA )的增大等之策略。 但是，光源波長之短波長化必須要有高價且新式的曝 光裝置方可達成。又，高NA化方面，因解像度以及焦點 深度之範圍係爲權衡關係之故，即使解像度提高，亦將有 焦點深度範圍降低的問題。 最近’關於可解決如此問題之微影技術上，係有浸液 式曝光法（Liquid Immersion Lithography) 陸續發表（例 (2) (2)1331170 如，參考非專利文獻1〜3)。此方法係爲曝光時，於曝光 裝置之鏡片與晶圓載物台上所載置之曝光對象物體（基板 上之光阻薄膜）之間的曝光光路徑之至少於該光阻薄膜上 藉由使既定厚度的浸漬液媒介體之存在，使光阻薄膜曝光 而形成光阻圖型者。此浸液式曝光法，係將過去以空氣或 氮氣等之不活性氣體所充滿之曝光光路徑之空間，使用具 有曲折率（η)較此空間（氣體）之曲折率大，且較光阻 薄膜之曲折率小之浸漬液媒介體（例如純水、氟元素系不 活性液體等）取代，而使得即使使用相同曝光波長之光源 ，也能夠與使用較短波長之曝光光源或使用高ΝΑ鏡片時 相同，在達到高解像度的同時，亦具有不會發生焦點深度 範圍降低之優點。 若使用如此之浸液式曝光製程，因可使用現有的安裝 於曝光裝置上之鏡片，實現低成本、優異的更高解像度、 且焦點深度上亦優異之光阻圖型的形成，而備受矚目。 但是，浸液式曝光製程方面，係因於曝光用鏡片與光 阻薄膜之間使浸漬液媒介體存在之狀態下進行曝光，而恐 怕使自光阻薄膜對浸漬液媒介體中溶出之成分對曝光裝置 造成損傷（例如，曝光用鏡片之晶材的霧化、以及因其所 引起光透過率的降低、曝光黑點的發生等）。 對此的對應措施方面，可採取改良光阻材料以防止自 光阻成分之溶出策略、或於光阻層上設置一層保護膜以防 止自光阻所溶出之成分的滲透等對策。但是，前者方法係 由於從光阻材料之方面開發上有其限制，且有難以適用於 -6- (3) 1331170 光阻的廣泛用途等問題，而即使是後者方法，也 抑制成分之溶出。 因此，在利用現在普遍使用之光阻或保護膜 決上述問題點之對策上，提出了使用洗淨液洗淨 媒介體接觸之曝光裝置的光學鏡片部分之洗淨方 ，參考專利文獻1 )。 但是該公報所記載的洗淨液，係爲酮系、醇 溶劑所成者，此等有機溶劑適用以作爲洗淨液之 當與用以爲浸漬液媒介體之水擁有共同流路時， 理將難以進行，又曝光時，當浸漬液媒介體取代 阻層之間的洗淨液時，液體取代前，必須另外設 裝置乾燥之製程，此將有時間需求等之問題。又 於成爲污染要因闻風險的光阻溶出成分的洗淨效 ，而將難以維持曝光裝置之光學特性。 [非專利文獻 l]Journal of Vacuum Science &

Technology B、（美國）、1 999 年、第 17 卷、6 3309 頁。 [非專利文獻 2]J〇urnal of Vacuum Science &

Technology B、（美國）、2001 年、第 19 卷、6 23 56 頁。 [非專利文獻 3]Proceedings ofSPIE、（美國） 、第 469 1 卷、459-465 頁。 [專利文獻1]特開20〇5-79222號公報 無法完全 來作爲解 與浸漬液 法（例如 系之有機 情況下， 其廢液處 鏡片與光 計使曝光 ，考慮對 果之不足 號、3306- 號、2353-、2002 年 (4) (4)1331170 【發明內容】 有鑑於上述之情事，本發明之目的係在於提供於浸液 式曝光製程中，邊利用目前普遍使用之光阻或保護膜，防 止從光阻的溶出成分對曝光裝置之損傷，廢液處理也很簡 便，且與浸漬液媒介體的取代效率高，對於半導體製造之 生產率亦不構成障礙，且實現製造成本降低的一種清淨性 能優越之洗淨液以及洗淨方法。 爲解決上述之課題，本發明提供一種，其特徵係以含 有5質量％以上之具有至少1種選自乙烯氧基、丙烯氧基 、以及聚甘醇基之中之非離子系界面活性劑，以及剩餘部 分爲水之洗淨液。 又本發明所提供之上述之洗淨液，更含有未達50質 量％之有機溶劑。 且本發明提供一種洗淨方法，其特徵係使用至少具備 有光學鏡片部分、晶圓載物台、液體導入流路、液體排出 流路之曝光裝置，於前述光學鏡片部分與前述晶圓載物台 上所載置之曝光對象物之間的空間中，透過前述液體導入 流路導入浸漬液媒介體，持續將該空間充滿浸漬液媒介體 下，同時透過前述液體排出流路於一邊排出浸漬液媒介體 一邊進行曝光之曝光製程中，曝光後將上述洗淨液經由上 述導入浸漬液媒介體所使用之同樣流路導入，藉著與光學 鏡片部分於既定的時間使其接觸下進行洗淨，而後將該使 用後之洗淨液經由與上述排出浸漬液媒介體所使用之同樣 流路排出。 -8 * (5) (5)1331170 此外本發明提供一種洗淨方法，其特徵係於曝光裝置 的光學鏡片部分與晶圓載物台上所載置之曝光對象物之間 使其充滿浸漬液媒介體而進行曝光之浸液式曝光製程中， 在曝光後，將上述洗淨液噴出附著於上述光學鏡片部分上 ，或以曝浸有該洗淨液之布料擦拭上述光學鏡片部分等， 以洗淨該光學鏡片部分。 [發明之效果] 依據本發明，可提供洗淨性能高、對曝光用鏡片之晶 體材料損傷少、廢液之處理簡易、與浸漬液媒介體之取代 效率高、不構成半導體製造上之生產障礙、實現製造成本 降低之清潔洗淨性能優越的洗淨液以及使用其之洗淨方法 【實施方式】 [發明之最佳實施樣態] 關於本發明，詳述如下。 本發明之洗淨液，係含有5質量％以上之具有至少1 種選自乙烯氧基、丙烯氧基、以及聚甘醇基之中之非離子 系界面活性劑，以及水。 上述用以作爲非離子系界面活性劑方面，係含有至少 1種選自於乙烯氧基、丙烯氧基、以及聚甘醇基之中，而 以含有至少1種選自於碳數5〜25之烷基醚化物及/或酯 化物、脂肪酸醚化物及/或酯化物、山梨糖醇酐酸醚化物 -9- (6) 1331170 及/或酯化物、以及乙炔乙二醇醚化物及/或酯 者爲佳。 其中，又以使用聚氧化乙烯（以下亦記爲「 烷基醚類、POE山梨糖醇酐酸酯類、POE脂肪 POE乙炔乙二醇醚類等爲佳。 用以爲POE烷基醚類方面，有POE月桂_ 油烯基醚、POE硬脂醯醚、POE二十二烷基醚、 十二烷基醚、POE膽醇醚等例示。 POE脂肪酸酯類方面，則有POE單油酸酯 硬脂酸酯、POE單異油酸酯等例示。 非離子系界面活性劑之搭配量，於本發明之 係含有5質量％以上，以5〜3 0質量％爲佳，更佳 質量％。依據上述之搭配量時，即可得自光阻溶 對曝光裝置之損傷微小，廢液處理簡便、與浸漬 之取代效率高、對半導體製造生產率不造成障礙 降低製造成本、具清淨性能優越等之特性》 本發明之洗淨液中，更在剩餘部分搭配水。 純水、去離子水等適用以爲水。 本發明之洗淨液中，更可搭配含有有機溶劑 有機溶劑方面，係以使用至少1種選自於烷醇胺 胺類、聚烷撐聚胺類、乙二醇類、醚類、酮類、 、以及羧酸酯類者爲佳。 上述用以爲烷醇胺類方面，有單乙醇胺、二 三乙醇胺、2-(2-氨基乙氧基）乙醇〔=二乙二 化物之中 POE」） 酸酯類、 :醚、POE POE辛基 、POE 二 洗淨液中 :爲7〜25 出之成分 液媒介體 、且得以 其中，以 。用以爲 類、烷基 醋酸酯類 乙醇胺、 醇胺〕、 -10- (7) 1331170 N，N-二甲基乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N，N-二丁基 胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、 基二乙醇胺、單異丙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺 示。但不以此等例示爲限。 上述烷基胺類方面，有2 -乙基-己基胺、二辛基 三丁基胺、三丙基胺、三丙烯基胺、庚基胺、環己基 例示。但不以此等例示爲限。 上述用以爲聚烷撐聚胺類方面，有二乙撐三胺、 撐四胺、丙撐二胺' N，N-二乙基乙撐二胺、I,4-丁烷 、N-乙基-乙撐二胺、1,2-丙烷二胺、1,3-丙烷二胺、 己烷二胺等例示。但不以此等例示爲限。 用以爲乙二醇類方面，有乙撐乙二醇、二乙撐乙 、丙撐乙二醇、甘油、1，2-丁撐乙二醇、1，3-丁撐乙 、2,3-丁撐乙二醇等例示。但不以此等例示爲限。 上述用以爲醚類方面，有乙撐乙二醇單甲基醚〔 基乙二醇乙醚〕、乙撐乙二醇單乙基醚〔=乙基乙二 醚〕、乙撐乙二醇二乙基醚、乙撐乙二醇異丙基醚、 乙二醇單-η-丁基醚、丙撐乙二醇單甲基醚、丙撐乙二 乙基醚、二乙撐乙二醇單甲基醚、二乙撐乙二醇單乙 、二乙撐乙二醇單-η-丁基醚〔=丁基二乙二醇〕、二 乙二醇二甲基醚、二乙撐乙二醇二乙基醚、二丙撐乙 單甲基醚、苄基乙基醚、二己基醚等例示。但不以此 示爲限。 上述用以爲酮類方面，有丙酮、甲基乙基酮、二 乙醇 Ν-甲 等例 胺、 胺等 三乙 二胺 1,6- 二醇 二醇 =甲 醇乙 乙撐 醇單 基醚 乙撐 二醇 等例 乙基 -11 - (8) (8)1331170 酮、甲基丙基酮、甲基異丁基酮、甲基戊基甲酮、二異丙 基甲酮、環丁酮、環戊酮、環己酮等例示。但不以此等例 示爲限。 上述用以爲醋酸酯類方面，有乙撐乙二醇單甲基醚醋 酸酯〔=甲基乙二醇乙醚醋酸酯〕、乙撐乙二醇單乙基醚 醋酸酯〔=乙基乙二醇乙醚醋酸酯〕、乙撐乙二醇單-η· 丁 基醚醋酸酯〔=η-丁基乙二醇乙醚醋酸酯〕、丙撐乙二醇 單甲基醚醋酸酯等例示。但不以此等例示爲限。 上述用以爲羧酸酯類方面，可舉出例如，烷-或脂肪 族-羧酸酯 '單羥基羧酸酯等，具體的有，乳酸甲基酯、 乳酸乙基酯、醋酸甲基酯、醋酸乙基酯、醋酸丙基酯、醋 酸丁基酯、醋酸戊基酯、醋酸異戊基酯等例示。但不以此 等例示爲限。 本發明中，上述用以爲有機溶劑方面，以使用烷醇胺 類、乙二醇類、醚類、酮類、醋酸酯類及羧酸酯類爲佳。 有機溶劑搭配時，以於本發明之洗淨液中含有未達50 質量％之比例爲佳，但以1質量％以上未達50質量％爲佳 ，更佳則爲3〜3 0質量％。有機溶劑之搭配量如上述之範 圍時，將可得自光阻溶出之成分對曝光裝置之損傷微小， 廢液處理簡便、與浸漬液媒介體之取代效率高、對半導體 製造生產率不造成障礙、且得以降低製造成本、具清淨性 能優越等之特性。 使用本發明之洗淨液的洗淨方法，係如以下所述進行 之。 -12- (9) (9)1331170 首先，用以爲曝光對象物方面，於矽晶圓等之基板上 ，使慣用之光阻組成物以旋轉塗佈機進行塗布後，經過預 烤（PAB處理），形成光阻薄膜。此外，亦可於基板上設 置1層有機系或無機系之防反射薄膜（下層防反射薄膜） 後形成光阻薄膜。 光阻組成物並無特別限定，可使用於包含負型或正型 光阻等任意之以鹼水溶液顯像之光阻。用以爲如此光阻方 面，可舉出有（i)含有二疊氮萘醌化合物與酚醛清漆樹 脂之正型光阻、（Π)含有因曝光而產酸之化合物、因酸 而分解使對鹼水溶液之溶解性大增之化合物以及鹼可溶性 樹脂之正型光阻、以及（iii )含有因曝光而產酸之化合物 、具有因酸而分解使對鹼水溶液之溶解性大增之基之鹼可 溶性樹脂之正型光阻、以及（iv)含有因光而產生酸或自 由基之化合物、交聯劑以及鹼可溶性樹脂之負型光阻等， 但並不限於此等物質。 此外，亦可於上述光阻薄膜之表面上形成保護膜。 其次，將形成此光阻薄膜之基板，載置於曝光裝置之 晶圓載物台上。該曝光裝置除了配置有前述晶圓載物台之 外，另於該晶圓載物台上於既定間隔隔開相對向設置光學 鏡片部分，其他係以使用具備有液體導入流路與液體排出 流路者爲佳。 接著，於形成此光阻薄膜之基板與光學鏡片部分之間 的空間，從晶圓載物台之單一方的方向透過液體導入流路 持續導入浸漬液媒介體，同時自晶圓載物台之另一方的方 -13- (10) (10)1331170 向透過液體排出流路邊使浸漬液媒介體排出（吸出），邊 於上述空間充滿浸漬液媒介體之狀態下，介由光罩圖型對 光阻薄膜進行選擇性之曝光。 此處之局部浸液式曝光方式，係使曝光用鏡片邊以高 速進行掃描移動，邊自液體導入嘴（液體導入流路）將浸 漬液媒介體連續滴下至光阻薄膜上，使光阻層選擇性地曝 光。此以浸漬液媒介體連續滴下狀態即是介由光罩圖型對 基板上之光阻薄膜進行選擇性的曝光。過剩的浸漬液媒介 體將透過液體排出嘴（液體排出流路）被排出。 或者，使形成上述光阻層之基板於浸漬液媒介體中以 浸漬狀態進行曝光之方式亦可。 上述之任一狀態下，至少於鏡片與形成光阻層之基板 之間充滿浸漬液媒介體。 此狀態對於基板上之光阻薄膜，係爲介由光罩圖型進 行選擇性之曝光。因此，此時，曝光之光線係爲通過浸漬 液媒介體而到達光阻薄膜。 此時，光阻組成成分將自光阻薄膜溶出至浸漬液媒介 體中，而成爲污染物附著於曝光裝置上。 曝光光源方面，並無特別限制，可使用ArF準分子雷 射、KrF準分子雷射、F2準分子雷射、EB、EUV、VUV ( 真空紫外線）等之放射線來進行即可。 浸漬液媒介體若爲具有較空氣之曲折率大且較所使用 之光阻薄膜（曝光對象物質）之曲折率小之曲折率的液體 ，其他並無特別限制。本發明中，爲求解像度之提昇，係 -14- (11) (11)1331170 以使用曲折率爲1.44以上，而且其曲折率較上述所使用 之光阻薄膜之曲折率爲小之液體爲佳。用以爲如此之浸漬 液媒介體方面，可舉出有水（純水、去離子水。曲折率 1 _ 4 4 )、水中搭配添加各種添加劑之高曲折率化液體、氟 素系不活性液體、矽素系不活性液體、烴系液體等，亦可 使用近期之未來內將進入開發之具有高曲折率特性之漬液 媒介體。用以爲氟素系不活性液體之具體例子方面，可舉 出以 C3HC12F5、C4F9OCH3、C4F9OC2H5、C5H3F7 等之氟素 系化合物爲主要成分之液體。此等當中，由成本、安全性 、環境問題、以及泛用性之觀點來看，當用波長爲193 nm 之曝光光源（例如ArF準分子雷射等）時，以使用水（純 水、去離子水）爲佳，當用波長爲157nm之曝光光源（例 如F2準分子雷射等）時，由曝光之光的吸收少之觀點來 看，以使用氟素系溶劑爲佳。 前述浸液狀態下之曝光步驟結束之後，將基板自浸漬 液媒介體中取出，從基板將液體去除。 之後，於曝光裝置特別是光學鏡片部分等中之與前述 浸漬液媒介體接觸之部位，使本發明之洗淨液與其接觸進 行洗淨，將自光阻薄膜溶出之成分等予以去除洗淨。接觸 之時間以足夠洗淨除去光阻溶出成分之時間即可，此外並 無特別的限定，通常爲30秒〜10分鐘之程度。依此，對 於曝光裝置特別是光學鏡片部分等，即使是附著有自光阻 薄膜所溶出之成分時，亦可快速地除去，而使高精度之曝 光處理係可於經常乾淨之狀態下進行。又依此曝光，而可 -15- (12) (12)1331170 形成信賴性極高的光阻圖型。 此外，本發明之洗淨液係因含有浸漬液媒介體，而可 與浸漬液媒介體共用相同的導入·排出所用之流路。因此 ，無須另外設置洗淨液用流路，可實現製造成本之降低。 與光學鏡片部分接觸之方法方面，除上述所記載之方 法外，係可舉出將本發明之洗淨液噴附於光學鏡片部分， 或者，以曝浸有洗淨液之布料擦拭上述光學鏡片部分，以 洗淨該光學鏡片部分，等之方法。 洗淨方法並不受限於上述所例式之方法。 其後，對上述經曝光之光阻薄膜進行PEB (曝光後加 熱），接著，使用由鹼性水溶液所組成之鹼顯像液進行顯 像處理。鹼顯像液可使用任意之慣用者即可。藉此鹼顯像 處理，保護膜將會與光阻薄膜之可溶部分同時被溶解除去 。此外，顯像處理之後亦可接著進行事後烘烤處理。接著 ，使用純水等進行潤濕。此水潤濕係指例如，讓基板邊迴 轉邊使水滴下或噴霧於基板表面上，使基板上之顯像液以 及因該顯像液所溶解之保護膜成分與光阻組成物以水洗過 。然後，進行乾燥以使光阻薄膜對應光罩圖型之形狀成形 ，而得到光阻圖型。 經此，藉著光阻圖型之形成，可以良好之解像度製造 出具有微細線幅之光阻圖型，特別是間距小之線/間距圖 型。 實施例 -16- (13) (13)1331170 接著，根據實施例以更進一步詳細說明本發明，但本 發明並非僅限於此等實施例所描述者。 (實施例1〜1 6、比較例1〜4 ) 爲了再現浸液式曝光狀態下之曝光用鏡片之髒污，準 備了以下之構成的測試工具。 首先，將預測中引起曝光用鏡片髒污原因之光阻成份 中的光酸發生劑「TPS-PFBS (全氟丁基磺酸三苯基鎏鹽 Triphenyl sulfonium perfluoro- 1-butanesufonate )」溶解 於純水中，以此500ppm之水溶液作爲試驗藥液。 接著，以一定之流量將液體置於可輸送液體之配置管 線上，設置一透明腔室，構成使上述試驗藥液自此一方向 側之配置管線流入，將試驗藥液自相反側之配置管線排出 之構成，更進一步地，於無設置此透明腔室配置管線之任 一側面，使構成設置有浸液式曝光用鏡片之構成。 構成從設置有此浸液式曝光用鏡片之側面方向，邊以 呈脈拍狀之ArF準分子雷射照射，邊將試驗藥液通入於設 置有浸液式曝光用鏡片之透明腔室內之構成。 此外，使ArF準分子雷射之照射呈脈拍狀之目的在於 ，即使曝光用鏡片之髒污係爲因光之照射使解離而呈離子 性之光酸發生劑所導致，或是因光不照射下不解離之光酸 發生劑所導致，均可視實際曝光時之髒污係反映成了測試 工具之髒污。 使用相關構成之測試工具’將上述測試藥液以流量爲 -17- (14) (14)1331170 O.lL/min使其流入，將ArF準分子雷射於0.18mJ之曝光 量時以1.76x 1 05脈拍進行照射，使曝光鏡面表面附著污染 物。 將附著有此污染物之浸液式曝光用鏡片於表1中所示 之各組成的洗淨液中使之浸漬1 〇分鐘，接著以3 0秒水洗 之後，氮氣流動使其乾燥後以目視觀察，以下述之評價基 準針對洗淨效果予以評價。結果如表1所示。 [洗淨效果的評價基準] 〇：污染物完全去除 △:僅只有少許污染物殘留 X :污染物殘留 表1

洗淨液組成(質量％) 洗淨效果 實施例1 ΡΟΕ 月桂基醚(10)+7]C(90) 〇 實施例2 POE山梨糖醇酐酸酯(10)+水(90) 〇 實施例3 POE月桂酸醋(10)+水(90) 〇 實施例4 POE乙炔乙二醇敵10)+水(90) 〇 實施例5 POE 月桂基醚(10)+水(85)+PGME(5) 〇 實施例6 POE山梨糖醇酐酸酯(10)+水(85)+BDG (5) 〇 比較例1 BDG(IOO) Δ 比較例2 水(100) X 比較例3 水(99.8)+ATOH(0.2) X 比較例4 7jc(99.8)+POE 月桂基醚(0·2) X 此外表1中，各簡寫符號係表示以下之化合物。 PGME :丙撐乙二醇單甲基醚、 BDG:二乙撐乙二醇單-η-丁基醚[二丁基二乙二醇]、 -18- (15) (15)

ATOH :乙炔醇系界面活性劑（非離子系界面活性劑） 〇 自表1之結果可明顯看出，本發明之洗淨液，具有優 骞的洗淨性能。 產業上之可利用性 本發明之洗淨液以及洗淨方法，係具備有清潔洗淨性 能優異、且可防止於浸液式曝光製程中因利用目前泛用之 光阻或保護膜所致自光阻溶出之成份造成對曝光裝置之損 傷。又其廢液處理簡便、與浸漬液媒介體之取代效率高， 而對半導體製造之生產率方面沒有障礙，可使製造成本降 低。

-19 _

Claims (1)

1331170 十、申請專利範圍 第

中文申請專利範圍修正本 民國99年7月14日修正 1 · 一種洗淨液，係爲浸液式曝光製程中用以洗淨曝 光裝置之洗淨液，其特徵係含有5〜30質量％之碳數5〜 25之由聚氧化乙烯烷基醚類、聚氧化乙烯山梨糖醇酸酯類 、聚氧化乙烯脂肪酸酯類、聚氧化乙烯乙炔乙二醇醚類之 中所選出之至少1種非離子系界面活性劑以及1〜30質量 %之有機溶劑與剩餘部分爲水之洗淨液。 2 ·如申請專利範圍第1項之洗淨液，其中，含有7〜 2 5質量％之非離子系界面活性劑。 3 .如申請專利範圍第1項之洗淨液，其中，該曝光 裝置之洗淨係指曝光時與浸漬液媒介體接觸之曝光裝置部 位之洗淨。

4.如申請專利範圍第3項之洗淨液，其中，該曝光 時與與浸漬液媒介體接觸之曝光裝置部位係爲光學鏡片部 分。 5.如申請專利範圍第1項之洗淨液，其中，該有機 溶劑係爲選自於烷醇胺類、烷基胺類、聚烷撐聚胺類、乙 二醇類、醚類、酮類、醋酸酯類、以及羧酸酯類中之至少 1種。 6. 一種洗淨方法，其特徵係爲，使用至少具備有光 學鏡片部分、晶圓載物台、液體導入流路、液體排出流路 1331170 之曝光裝置，於該光學鏡片部分與該晶圓載物台上所載置 之曝光對象物之間的空間，經由該液體導入流路導入浸漬 液媒介體，持續使該空間充滿浸漬液媒介體之同時，經由 該液體排出流路，邊使浸漬液媒介體排出邊進行浸液式曝 光之製程中，於曝光後，將如申請專利範圍第1項之洗淨 液，經由上述用以爲浸漬液媒介體之導入用相同之導入流 路進行導入，使其與光學鏡片部份在既定的時間接觸下進 行洗淨，而該使用完畢之洗淨液，經由上述用以爲浸漬液 媒介體之排出用流路相同之排出流路進行排出。 V. 一種洗淨方法，其特徵係爲，在曝光裝置的光學 鏡片部分與晶圓載物台上所載置之曝光對象物之間使其充 滿浸漬液媒介體而進行曝光之浸液式曝光製程中，曝光後 ，於上述光學鏡片部分上使如申請專利範圍第1項之洗淨 液噴出附著，或，以曝浸有該洗淨液之布料擦拭上述光學 鏡片部分，用以洗淨該光學鏡片部分。 -2 -