TWI327751B - Photoresist stripping agent - Google Patents

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1327751 玖、發明說明： (一） 發明所屬之技術領域 光阻已用於以微影製造範圍廣泛之裝 路（如LC與LSI )、顯示裝置（如LCD |5 刷電路板、微機械、DNA晶片、及顯微移 地關於用於自各種負載光阻之基板去除光 劑。 (二） 先前技術 在習知技術中，光阻係藉鹼剝離劑去 鹼剝離劑之光阻剝離力對半導體裝置與液 中近來發展之精密程序及短期處理不足。 一步改良剝離力。已提議含羥基胺之光阻 ，羥基胺易於分解。爲了解決以上之問題 甲基胺結構之化合物之光阻體剝離劑（例 請案公開第2000-250230號）。然而，仍 阻剝離力之需求。 各種材料已用於近來半導體積體電路 之半導體製造。因此，需要發展一種不腐 種基板之光阻體剝離劑。 此外，已知光阻體剝離劑之光阻剝離 因爲吸收空氣中之二氧化碳氣體而降低。 (三） 發明內容 本發明之目的爲解決以上已知光阻體 及提供一種在低溫於短時間內可易於去除 置，包括積體電 ! EL裝置）、印 除。本發明特別 阻之光阻體剝離 除。然而，已知 晶顯示面板製造 因此，已要求進 體剝離劑。然而 ，已提議含具羥 如，曰本專利申 有進一步改良光 與液晶顯示裝置 蝕這些材料與各 力在長期使用時 剝離劑之問題， 塗佈於基板上之 -5 - 1327751 光阻層、在蝕刻後殘留之光阻層、及蝕刻除灰後之光阻殘 渣之光阻體剝離劑。本發明之另一個目的爲提供一種可去 除光阻層與光阻殘渣而不腐蝕基板、絕緣層、線路材料等 ，因而造成精密處理及製造高精確電路之光阻體剝離劑。 本發明之另一個目的爲提供一種使用此光阻體剝離組成物 去除光阻之方法。本發明之另一個目的爲提供一種其光阻 剝離力因吸收空氣中之二氧氧化碳降低極小之光阻體剝離 劑。 廣泛硏究之結果，發明人已發現一種光阻體剝離劑， 其含由莫耳比例（甲醛/烷醇胺）爲0.8或更小之甲醛與烷 醇胺之反應製造之反應產物。此光阻體剝離劑在低溫於短 時間內易於去除塗佈於基板上之光阻層、在蝕刻後殘留之 光阻層、及蝕刻除灰後之光阻殘渣。此光阻體剝離劑亦去 除光阻層及光阻殘渣而不腐蝕基板線路材料、絕緣層等， 而造成精密處理及提供高精確電路。 (四）實施方式 本發明之光阻體剝離劑含至少一種甲醛-烷醇胺反應產 物’其爲甲醛與烷醇胺間反應之產物。至於胺與醛之反應 產物之實例，在此技藝已知羥甲基胺。本發明之光阻體剝 離齊I含一種羥甲基胺以外之甲醛-烷醇胺反應產物作爲有效 成分。此甲醛-烷醇胺反應產物之化學結構尙未完全得知。 例如’以下之化學結構敘述於Chemical Review，第126卷 0939)第297-338頁，美國專利第5,4 86,605號，日本專利 公告第46-26903號，及蘇聯專利第1 534029號： 1327751

其中R1與R3爲衍生自胺之取代基，r2爲衍生自醛之取代 基。 此甲醛-烷醇胺反應產物係藉甲醛與烷醇胺之反應製造 °可使用福馬林與多聚甲醛作爲甲醛。烷醇胺之實例包括 乙醇胺、N·甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、二乙醇胺、異丙醇胺、N-甲基異丙醇胺、N-乙基異丙醇胺、N-丙基異丙醇胺、2-胺基丙-1-醇、N-甲基-2-胺基丙-1·醇、與N-乙基-2·胺基丙-1-醇，以乙醇胺、N_ 甲基乙醇胺、與異丙醇胺特佳。 爲了製造此甲醛-烷醇胺反應產物.，烷醇胺可單獨或以 二或更多種之組合使用。此外，此甲醛-烷醇胺反應產物可 以無機酸或有機酸之鹽之形式使用。 此甲醛-烷醇胺反應產物之較佳實例包括甲醛-單乙醇 胺縮合物與甲醛-異丙醇胺縮合物。 此甲醛-烷醇胺反應產物之光阻剝離力因鹼化合物之共 存而增強。鹼化合物之實例包括烷胺、烷醇胺、多胺、環 形胺、四級銨化合物、與羥基胺化合物。 烷胺之實例包括一級烷胺，如甲胺、乙胺、正丙胺、 異丙胺、正丁胺、二級丁胺、異丁胺、三級丁胺、戊胺、2-胺基戊胺、3-胺基戊胺、1-胺基-2-甲基丁胺、2-胺基-2-甲 -7- 1327751 基丁胺' 3-胺基-2-甲基丁胺' 4-胺基-2-甲基丁胺、己胺、 · 5-胺基-2-甲基戊胺、庚胺、辛胺、壬胺、癸胺、十一碳胺 . 、十二碳胺、十三碳胺、十四碳胺、十五碳胺、十六碳胺 、十七碳胺、與十八碳胺；二級烷胺，如二甲胺、二乙胺 、二丙胺、二異丙胺、二丁胺、二異丁胺、二-二級丁胺、 二-三級丁胺、二戊胺、二己胺、二庚胺、二辛胺、二壬胺 、二癸胺、甲乙胺、甲丙胺、甲基異丙基胺、甲丁胺、甲 基異丁基胺、甲基二級丁基胺、甲基三級丁基胺、甲戊胺 、甲基異戊基胺、乙丙胺、乙基異丙基胺、乙丁胺、乙基 Φ 異丁基胺、乙基二級丁基胺、乙胺、乙基異戊基胺、丙丁 胺、與丙基異丁基胺；三級烷胺，如三甲胺、三乙胺、三 丙胺、三丁胺、三戊胺、二甲基乙基胺、甲基二乙基胺、 - 與甲基二丙基胺。 - 烷醇胺之實例包括乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙 醇胺、N-丙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺 '二乙醇胺、異丙醇 胺、N-甲基異丙醇胺、N-乙基異丙醇胺、N-丙基異丙醇胺 、2-胺基丙-1-醇、N-甲基-2-胺基丙-1-醇、N-乙基-2-胺基 β 丙-1-醇、1-胺基丙-3-醇、Ν-甲基-卜胺基丙-3-醇、Ν-乙基-1-胺基丙-3-醇、1-胺基丁 -2-醇、Ν-甲基-卜胺基丁 -2-醇、Ν-乙基-1-胺基丁 -2-醇、2-胺基丁 -1-醇、Ν-甲基-2-胺基丁 -1-醇、Ν-乙基-2-胺基丁 -1-醇、3-胺基丁 -1-醇、Ν-甲基-3-胺 基丁 -1-醇、Ν-乙基-3-胺基丁 -1-醇、1-胺基丁 -4-醇、Ν-甲 基-1-胺基丁 -4-醇、Ν-乙基-1-胺基丁 -4-醇、1-胺基-2-甲基 丙-2-醇、2-胺基-2-甲基丙-1-醇、1-胺基戊-4-醇、2-胺基-4- -8- 1327751 甲基戊-1-醇、2-胺基己-1-醇、3-胺基庚_4·醇、胺基辛-2-醇、5-胺基辛-4-醇、卜胺基丙-2,3-二醇、2-胺基丙-1，3-二 醇、参（氧甲基）胺基甲烷、1,2-二胺基丙-3-醇、1，3-二胺 基丙-2-醇、與2-(2-胺基乙氧基）乙醇。 多胺之實例包括乙二胺' 丙二胺、伸丙二胺、伸丁二 胺、1，3-二胺基丁烷、2,3-二胺基丁烷、伸戊二胺、2,4-二 胺基戊烷、伸己二胺、伸庚二胺、伸辛二胺、伸壬二胺、N-甲基乙二胺、N，N-二甲基乙二胺、三甲基乙二胺' N_乙基 乙二胺、N，N-二乙基乙二胺、三乙基乙二胺、1,2，3-三胺基 丙烷、肼、参（2 -胺基乙基）胺、四（胺基甲基）甲烷、 二伸乙三胺、三伸乙四胺、四乙基五胺、七伸乙八胺、九 伸乙十胺、與二氮雙環十一碳烯。 羥基胺化合物之實例包括羥基胺、N-甲基羥基胺、N-乙基羥基胺、N，N-二乙基羥基胺 '與〇-甲基羥基胺。 環形胺之實例包括吡咯、2-甲基吡咯、3-甲基吡咯、2-乙基吡咯、3-乙基吡咯、2,3-二甲基吡咯、2,4-二甲基吡咯 、3,4-二甲基吡咯、2,3,4-三甲基吡咯、2,3,5-三甲基吡咯 、2 -吡咯啉、3 -吡咯啉、吡咯啶、2 -甲基吡咯啶、3 -甲基吡 咯啶 '吡唑、咪唑、1，2,3-三唑' 1,2,3,4-四唑、哌啶、2-哌可啉、3 -哌可啉、4 -哌可啉、2,4 -二甲基哌啶、2,6-二甲 基哌啶、3,5 -二甲基哌啶、哌嗪、2 -甲基哌嗪、2，5 -二甲基 哌嗪、2,6·二甲基哌嗪、與嗎啉。 四級銨化合物之實例包括氫氧化四甲銨、氫氧化四乙 -9- 1327751 銨、氫氧化四丙銨、氫氧化四丁銨、膽鹼氫氧化物、與乙 醯膽鹼氫氧化物。 甲醛-烷醇胺反應產物本質亦可作爲鹼化合物，因爲其 爲鹼性化合物。 除了上列之鹼化合物，其他化合物可用於本發明而無 任何限制，只要其顯示鹼性本性。 以上之鹼化合物中，較佳爲甲胺、乙胺 '丙胺、丁胺 、乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、二乙醇胺、異 丙醇胺、2-(2 -胺基乙氧基）乙醇、乙二胺、丙二胺、丁 二胺、二伸乙三胺、六氫吡哄、與嗎啉。 鹼化合物可單獨或以二或更多種之組合使用。 爲了增強光阻剝離力，本發明之光阻體剝離劑可含有 機溶劑。有機溶劑並未特別地限制，只要其與烷醇胺-甲醛 反應產物互溶。溶於水中之有機溶劑較佳。其實例包括醚 溶劑，如乙二醇、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、二乙二 醇單甲醚 '二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、丙二醇單 甲醚 '丙二醇單乙醚、丙二醇單丁醚 '二丙二醇單甲醚、 二丙二醇單乙醚、二丙二醇單丁醚、乙二醇二甲醚、與二 丙二醇二甲醚；醯胺溶劑，如甲醯胺、單甲基甲醯胺、二 甲基甲醯胺、單乙基甲醯胺、二乙基甲醯胺、乙醯胺、單 甲基乙醯胺、二甲基乙醯胺、單乙基乙醯胺、二乙基乙醯 胺、N-甲基吡咯啶酮、與N_乙基吡咯啶酮；醇溶劑，如甲 醇、乙醇、異丙醇、乙二醇 '與丙二醇；亞碾溶劑，如二 甲基亞碾；碾溶劑，如二甲楓、二乙碾、貳（2-羥基碾）、 -10- 1327751 與伸丁楓；咪唑啶酮溶劑，如1,3-二甲基_2_咪唑啶酮' ι，3- . 二乙基-咪唑啶酮、與丨，3·二異丙基-2-咪唑啶酮：及內酯 溶劑，如γ-丁內醋與δ-戊內醋。 以上之溶劑中’較佳爲一甲基亞碾、Ν，Ν_二甲基甲醯 胺、Ν,Ν -—甲基乙酿胺、Ν -甲基卩比略陡酮、二乙二醇單甲 醚、二乙一醇單丁酸、一丙二醇單甲酸、二丙二醇單丁酸 、與丙二醇’因爲這些溶劑易得且因其高沸點而易於處理 〇 本發明之光阻體剝離劑可含抗腐触劑，如芳族經基化 0 合物 '糖醇、三唑化合物 '與螯合劑。 芳族羥基化合物之實例包括酚、甲苯酌、二甲苯、兒 茶酣 '三級丁基兒茶酣、間苯二酌 '氫醒、五倍子酸、1,2,4_ - 苯并三唑、柳醇、對羥基苄醇、鄰羥基苄醇、對經基苯乙 _ 醇、對胺基酣、間胺基酹、二胺基酣、胺基間苯二酣、對 羥基苯甲酸、鄰羥基苯甲酸、2，4 -二羥基苯甲酸、2,5-二經 基苯甲酸、3，4_二羥基苯甲酸、3，5_二羥基苯甲酸、與五倍 子酸。糖醇之實例包括葡萄糖醇 '木糖醇、與palatinit。 φ 三唑化合物之實例包括苯并三唑 '胺基三唑、與胺基四哇 。螯合劑之實例包括磷酸爲主化合物，如1，2 -丙二胺伸丁 基磷酸與羥基乙烷磷酸；羧酸爲主化合物，如乙二胺四乙 酸、二羥乙基甘胺酸、亞硝基三乙酸、草酸 '檸檬酸、丙 二酸、與酒石酸；胺化合物，如二吡啶 '四苯基卟啉 '啡 啉 '與2,3 -吡啶二醇；肟化合物，如二甲基乙二醒二肟、 與二苯基乙二醛二肟；及乙炔化合物，如苯基乙炔與2,5_ -11- 1327751 二甲基-3·己炔-2,5-二醇。這些化合物可單獨或以二或更多 ， 種之組合使用》 光阻體剝離劑中甲醛-烷醇胺反應產物之含量較佳爲 0.001至100重量％，而且更佳爲0.01至50重量％。驗化 合物之含量較佳爲光阻體剝離劑之〇至99.999重量％，更 佳爲10至99.99重量％。由於甲醛-烷醇胺反應產物亦可作 爲鹼化合物，僅含甲醛-烷醇胺反應產物之光阻體剝離劑具 有足以用於光阻剝離之效果。 有機溶劑之含量可依照光阻體剝離劑之黏度與比重， φ 及蝕刻與除灰程序之條件選擇，而未特別地限制。以光阻 體剝離劑重量計，較佳爲此含量爲0至9 9重量％，而且更 佳爲1 〇至9 9重量％。 - 抗腐蝕劑之含量並未特別地限制。如果使用，則以光 - 阻體剝離劑重量計，抗腐蝕劑之含量較佳爲0.1至30重量 %，而且更佳爲1至15重量％。 在本發明中使用水並不重要，而且其含量可依照飩刻 與除灰程序之條件等決定。如果使用，則以光阻體剝離劑 ® 重量計，水之含量較佳爲1至50重量％，而且更佳爲5至 4 0重量％。 羥甲基胺通常在胺與甲醛間反應中如等莫耳反應產物 而得。然而，本發明之指定特點在於使用羥甲基胺以外之 甲醛·烷醇胺反應產物。日本專利申請案公開第200〇-25〇35〇 號教示羥甲基胺增強光阻剝離力。儘管此教示，發明人已 發現光阻剝離力可藉羥甲基胺以外之甲醛-烷醇胺反應產物 -12- 1327751 進一步增強而完成本發明。然而應注意，本發明不排除使 - 用羥甲基胺組合甲醛-烷醇胺反應產物。 對於光阻剝離特別有效爲一種甲醛與過量烷醇胺間反 應製造之甲醛-烷醇胺反應產物。甲醛/烷醇胺之莫耳比例較 佳爲0.8或更小，更佳爲0.001至0.8，而且仍更佳爲〇.〇1 至 0.5。 在本發明中，甲醛-烷醇胺反應產物係以以下方式製造 。將甲醛緩慢地加入預定量之烷醇胺中，以將甲醛/烷醇胺 莫耳比例調節至以上範圍內。甲醛加入較佳爲在攪拌下經3 0 φ 至1200分鐘完成，同時將反應溶液之溫度維持在70 °C，較 佳爲30至60°C。在完成甲醛加入後，較佳爲持續攪拌30 至1200分鐘，同時將反應溶液之溫度維持在7(TC，較佳爲 -30至60°C，因而完成反應。此反應較佳爲在惰氣大氣中進 -行，例如，在氮氣流中。此外，此反應可在無溶劑下進行 ，或可在上述有機溶劑存在下進行。最終反應溶液可作爲 光阻體剝離劑而無需分離甲醛-烷醇胺反應產物。 以上方式製造之甲醛-烷醇胺反應產物（特別是甲醛-® 乙醇胺反應產物）之化學結構特徵爲13C-NMR (DMSO-d6) 光譜中至少45至50、61至62、與64至70 ppm之峰。 甲醛-烷醇胺反應產物因以下方式而視爲具光阻剝離效 果。在使光阻體剝離劑接觸光阻時，其中之甲醛-烷醇胺反 應產物鍵結至光阻而增加光阻之溶解度，如此利於光阻去 除。Mannich反應產物視爲可助於光阻剝離。光阻之分解 與溶解因鹼化合物之共存而促成，如此增強光阻剝離力。 -13- 1327751 本發明之光阻體剝離劑在半導體裝置製造中之光阻去 _ 除通常在室溫至1 5 0 °c進行。由於本發明之光阻體剝離劑可 在低至70 °C或更低之溫度去除光阻，其可有效地防止不欲 之半導體材料之侵蝕。 本發明之光阻體剝離劑可應用於由各種材料製造之半 導體裝置製造中之光阻去除。此材料之實例包括矽、非晶 矽、多晶矽、氧化矽、氮化矽、銅、銅合金、鋁、鋁合金 '金、鉑、銀、鈦、鈦-鎢、氮化鈦、鎢、鉬、鉅化合物、 鉻、氧化鉻、鉻合金、半導體線路材料（如氧化銦錫（ιτο) φ )、複合半導體（如鎵-砷、鎵-磷、與銦-磷）、介電材料 (如緦-鉍-鉅）、及LCD基板用玻璃》 在半導體裝置製造中使用本發明之光阻體剝離劑之光 - 阻去除係藉’例如，以下之方式進行。將光阻組成物塗佈 . 於形成於基板上之導電層上而形成光阻層，然後藉曝光及 顯影將其圖樣化。使用圖樣化光阻層之作爲光罩而蝕刻導 電層之未遮蔽區域。然後使經蝕刻基板接觸光阻體剝離劑 而去除殘留之光阻層。如果需要，殘留之光阻層可在蝕刻 Φ 程序後接受除灰處理，然後使用光阻體剝離劑去除光阻殘 渣。在去除光阻層或光阻殘渣後，可將基板以有機溶劑（ 如醇）或水淸洗。 本發明參考以下之實例而更詳細地解釋，其不應視爲 限制本發明之範圍。 合成例1 甲醛-單乙醇胺縮合物（醛/胺=0.5草百比）之製浩 -14- 1327751 將15克之三聚甲醛在攪拌下緩慢地加入61.0克之單 乙醇胺中，同時將溶液冷卻以將溫度維持在70。(：或更低， 因而得到溶液形式之反應產物A。所有之步驟係在氮氣流 中進行。反應產物A之13C-NMR光譜（DMSO-d6)之圖表示 於第1圖。在第1圖中’EA爲單乙醇胺，mlEA爲羥甲基 乙醇胺，及FEA爲甲醛-單乙醇胺反應產物。 合成例2 甲醛-單乙醇胺縮合物（醛/胺=0.8草耳bh)夕製浩 將24克之三聚甲醛在攪拌下緩慢地加入61.0克之單 φ 乙醇胺中，同時將溶液冷卻以將溫度維持在70 °C或更低， 因而得到溶液形式之反應產物A。所有之步驟係在氮氣流 中進行。 · 實例1 - 5及比較例1 - 2 - 將預先以矽化合物表面處理之6吋矽晶圓以光阻劑 PFR-7900旋塗。藉由在160°C烘烤，製備載有1〇,〇〇〇埃 厚光阻層之基板。 將如此製備之基板在1 5 0 °C浸於表1所列之各光阻體 鲁 剝離劑。在預定之時間間隔後，自光阻體剝離劑取出各基 板，以水淸洗，以氮氣吹風乾燥，然後在光學顯微鏡下觀 察以測定去除光阻層所需之時間。結果示於表1。 1327751 表1 烷醇胺 甲醛-烷醇胺反應產物 溶劑A 光阻去除所需時間 種類 重量％ 種類 雷量％ 麵 重量％ 實例 1 EA 65 反應產物A 5 DMSO 30 20秒 2 EA 65 反應產物A 5 DMAC 30 20秒 3 EA 65 反應產物B 5 DMSO 30 30秒 4 EA 66.5 反應產物B 3.5 DMSO 30 40秒 5 EA 69 反應產物A 1 DMSO 30 60秒 比較例 1 EA 70 - - DMSO 30 180秒 2 EA 69 mlEA 1 DMSO 30 120秒 EA :單 D M A C · DMSO ： m 1 E A : 乙醇胺 二甲基乙醯胺 二甲基亞碾 羥甲基乙醇胺 實例6 -9及比較例 3-4 使 二氧 化碳 氣 ,體流入6 8 · 5 克之單乙醇胺與 30克之 DMSO 之混合溶液中而溶解 1.5 克之二氧化碳， 所得液體 稱爲「 二氧化碳退化剝離液體」。 在將表 2所示之各添加

劑加入二氧化碳退化剝離液體後，以如實例1 - 5之相同方 式進行光阻剝離測試。結果示於表2。 1327751 表2 添加劑 光阻去除所需時間 種類 重量％ 實例 6 反應產物A 5 30秒 7 反應產物A 2.5 60秒 8 反應產物A 1.25 90秒 9 反應產物A 檸檬酸 5 30秒 1 比較例 3 - - 240秒 4 檸檬酸 1 240秒 實例10

重複合成例1之製造，除了將多聚甲醛改成32%福馬 林而製備甲醛-單乙醇胺反應產物。使用如此製備之甲醛-單乙醇胺反應產物，以如實例1之相同方式進行光阻剝離 測試。光阻層在浸漬20秒後完全去除。 實例1 1 重複合成例1之製造，除了將單乙醇胺改成異丙醇胺 而製備甲醛·單乙醇胺反應產物。使用如此製備之甲醛-單 乙醇胺反應產物，以如實例1之相同方式進行光阻剝離測 試。光阻層在浸漬20秒後完全去除。 實例1 2 在30克之二甲基亞碾中，使1克之多聚甲醛與69克 之單乙醇胺（醛/胺=0.03莫耳比）反應而製造含甲醛-單 -17- 1327751 乙醇胺反應產物之溶液。使用如此得到之溶液，以如實例 .. 1之相同方式進行光阻剝離測試。光阻層在浸漬3 0秒後 . 完全去除。 實例1 3 腐鈾測試 將載有鋁層之非晶矽（a-Si)基板在70 °C浸於實例3-7 之各光阻體剝離劑，對a-Si使用光學厚度計及對A1使用 螢光X射線而測定a-Si與A1之蝕刻速率。對a-Si與A1 之蝕刻速率均爲5埃/分鐘或更小。 φ 本發明之光阻體剝離劑可在短時間內去除光阻層與光 阻殘渣而不腐蝕基板、線路材料等。此外，本發明之光阻 體剝離劑抗因吸收二氧化碳氣體造成之光阻剝離力退化。 - (五）圖式簡單說明 . 第1圖爲顯示甲醛與單乙醇胺之反應液體（醛/胺=0.5 莫耳比）之"C-NMR光譜之圖表。在49.31、61.19、64.72 、與6 8.7 5 ppm發現歸因於反應液體中甲醛-單乙醇胺反應 產物之峰化學偏移。 ♦

Claims (1)

1327751 ,.晶五f舻搬頁I 第93 1 003 99號「光阻體剝離劑」專利案 (2009年12月18日修正） - 拾、申請專利範圍： 1. —種光阻體剝離劑，其包括一種由莫耳比例爲0.8或更小 之甲醛與烷醇胺之反應所產生之反應產物，其中烷醇胺爲 至少一種選自由乙醇胺、N -甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、 N-丙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、二乙醇胺 '異丙醇胺、N-甲基異丙醇胺、N -乙基異丙醇胺、N-丙基異丙醇胺、2-胺 基丙-1-醇、N -甲基-2-胺基丙-1-醇、與N -乙基-2-胺基丙-1-醇所組群組之化合物。 2. 如申請專利範圍第1項之光阻體剝離劑，其進一步包括驗 化合物。 - 3. 如申請專利範圍第2項之光阻體剝離劑，其中鹼化合物爲 · 至少一種選自由烷胺、烷醇胺、多胺、環形胺、四級銨鹽 、與羥基胺化合物所組群組之化合物。 4. 如申請專利範圍第1項之光阻體剝離劑，其進一步包括有 機溶劑。 ® 5. 如申請專利範圍第4項之光阻體剝離劑，其中有機溶劑爲 至少一種選自由醚溶劑、醯胺溶劑、醇溶劑、亞碾溶劑、 碾溶劑、咪嗖啶酮溶劑、與內酯溶劑所組群組之溶劑。 6. 如申請專利範圍第1項之光阻體剝離劑，其進一步包括抗 腐蝕劑。 7. 如申請專利範圍第6項之光阻體剝離劑，其中抗腐蝕劑爲 至少一種選自由芳族經基化合物、糖醇、三哩化合物、與 -1 - 1327751 年月日 I rrQQ 19.- \ 8 tj ^-SL ..-J 螯合劑所組群組之化合物。 ’ 8 ·如申請專利範圍第1項之光阻體剝離劑，其進一步包括水 · 〇 9 ·如申請專利範圍第1至8項中任一項之光阻體剝離劑，其 包括0.001至100重量％之甲醛與烷醇胺之反應產物，及 至少一種選自由〇至99.999重量％之鹼化合物、0至99重 量％之有機溶劑、0.1至30重量％之抗腐蝕劑、與1至50 重量％之水所組群組之選用成分，各百分比係由各範圍選 擇使得其總和達1 〇〇重量％。 φ 1 0 ·如申請專利範圍第1至8項中任一項之光阻體剝離劑，其 中甲醛與烷醇胺之反應產物爲甲醛-單乙醇胺縮合物或甲 醛-異丙醇胺縮合物。 ^ Π.如申請專利範圍第1至8項中任一項之光阻體剝離劑，其 · 中甲醛與烷醇胺之反應產物係藉包括以下之方法製造： 將甲醛在攪拌下經30至1 20 0分鐘緩慢地加入預定量之 烷醇胺中，同時將反應溶液之溫度維持在7〇°C或更低之步 驟；及 β 進一步將反應溶液攪拌30至120 0分鐘，同時將反應 溶液之溫度維持在7〇 °C或更低之選用步驟’ 各步驟係在鈍氣大氣中進行。 12.如申請專利範圍第1至8項中任一項之光阻體剝離劑’其 中在以13C-NMR(DMSO-d6)測量時，甲醛與烷醇胺之反應 產物至少在45至50、61至62、與64至70 ppm顯示峰。