1327330 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用於真空切斷器、真空開閉器等之 新穎的真空閥用電氣接點及其製法。 【先前技術】 在內建於真空切斷器等的真空閥內，係設有一對可開 閉的電氣接點。對於真空切斷器等受配電機器要求小型化 ’因此’必須提升真空閥內之電氣接點的切斷性能，且以 較小的電氣接點切斷大電流。切斷性能優的電氣接點主要 係採用Cr-Cu系（專利文獻1)。 此外，將真空閥用於感應性電路以切斷電流時，會有 產生異常突波電壓（s u r g e V ο 11 a g e )而引起負載機器之絕 緣破壞等之虞。因此，爲了抑制異常突波電壓，必須減小 截流値（current chopping value)。是故，截流値較小即 列舉爲電氣接點所需要的其他要件之一。以截流値較小的 低突波型電氣接點而言，係列舉如Co-Ag-Se系等（專利 文獻2 '專利文獻3 )。 [專利文獻1]日本專利特開2005- 1 35778號公報 [專利文獻2]日本專利特開平07-029461號公報 [專利文獻3]日本專利特開平09-171746號公報 【發明內容】 (發明所欲解決之課題） -5- 1327330 在使用Cr-Cu系等之電.氣接點的真空切斷器中，雖切 斷性能佳、且可切斷大電流，但隨著大電流切斷，會產生 突波電壓。因此’必須倂用用以吸收異常突波電壓的突波 吸收器（surge absorber )，而會有機器大型化與高價格化 的問題。 此外，使用Co-Ag-Se等之電氣接點的真空切斷器， 雖低突波性佳，但不適於大電流切斷。 切斷性能愈高，愈在電流零點前切斷電流，而產生較 大的截流，因此，切斷性能與低突波性的性質在理論上爲 相反。因此，目前狀況是將切斷性能較高的電氣接點與低 突波性佳的電氣接點，依真空切斷器的機種/用途的不同 而分開使用。 此外，上述切斷性能與低突波性係要求即使在進行複 數次切斷之後亦予以維持，但在兼具大電流之切斷性能及 低突波性能的電氣接點中，會令人在意因複數次切斷，而 產生尤其是低突波性能劣化的情形。 本發明之目的在提供一種兼具切斷性能及低突波性， 而且因複數次切斷所引起的性能劣化情形較小、且可使真 空切斷器等小型化與低價格化的電氣接點及其製法。 (用以解決課題之手段） 本發明之電氣接點係由Cr ; Cu或Ag之其中一方；及 碳化物所構成；在以Cu或Ag之其中一方爲主成分之基質 中，形成以碳化物包圍周圍的Cr呈分散的組織者。 -6- 1327330 本發明之電氣接點係含有1至3 0重量％之碳化物，剩 餘部分爲Cu。 此外，本發明之電氣接點係由Cr與Cu與碳化物所構 成，Cr與碳化物之重量比在1 : 1.5至50之範圍。此時， 以含有碳化物1至30重量％爲佳。 此外，本發明之電氣接點係由Cr與Cu與碳化物所構 成’ Cr爲0.02至20重量％及碳化物爲1至30重量％，含 有多於Cr的碳化物，剩餘部分爲Cu。 (發明之效果） 若爲上述構成，可提供一種真空切斷器小型化，且可 切斷大電流的真空切斷器。此外，可提供一種兼具切斷性 能及低突波性的真空切斷器。 此外，藉由本發明，可提供一種兼具切斷性能及低突 波性， 而且因複數次切斷所引起的性能劣化情形較小的電氣 接點。 【實施方式】 本發明之電氣接點係含有Cr、Cu或Ag之其中一方、 與碳化物，在以Cu或Ag之其中一方爲主成分之基質中， 形成以碳化物包圍周圍的Cr呈分散的組織。所謂以碳化 物包圍，係指碳化物在Cr或以Cr爲主成分的粒子周圍呈 凝集的狀態即可，並不需要使Cr整體由碳化物被覆。換 1327330 言之，碳化物集中存在於Cr或Ag相與Cr相之交界的狀 態。 由於含有Cr、及Cu或Ag之其中一方，可得充分的 切斷性能，而且，藉由電流切斷時碳化物的昇華現象，可 減小截流（chopping current)，並可促進電弧驅動，以發 揮優異的切斷性能。此外，該碳化物主要係存在於包圍Cr 周邊，藉此可確保以Cu或Ag之其中一方爲主成分之基質 的通電性能，而可發揮前述之低突波性提升作用。 此外，本形態中所記載之電氣接點係由Cu與碳化物 所構成，尤其係含有1至30重量％的碳化物，剩餘部分爲 Cu。 如上述之電氣接點係藉由電流切斷時碳化物的昇華現 象，來減小作爲切斷交流電流時所殘留之電流亦即截流， 並可促進電弧驅動，可以發揮優異的切斷性能。將截流減 小爲例如3A以下，藉此可減小突波電壓（surge voltage )，且可抑制絕緣破壞。 該碳化物係於電流切斷後之冷卻過程中，係於固相與 氣相間引起相變化，快速恢復爲固體，因此即使反覆進行 複數次切斷，例如40次以上，甚至50至100次，乃可維 持截流減低效果。 此外，該碳化物經分解形成碳化物之氣體成分，使突 波電壓延遲至零附近，藉此可切斷例如20KA以上的大電 流，且可兼具切斷性能與低突波性能。 此外，本形態中所記載之電氣接點係由Cr、Cu與碳 -8- 1327330 化物所構成，Cr與碳化物之重量比在1 : 1 .5至50的範圍 ，含有1至30重量％的碳化物。 此外，本形態中所記載之電氣接點係由C r、C u與碳 化物所構成，Cr爲0.02至20重量％及碳化物爲1至30 重量％，含有多於Cr的碳化物，剩餘部分爲Cu。 其中，考慮以Co作爲Cr的替代材料，以Ag作爲Cu 的替代材料。 如上述之電氣接點係可提升耐電壓性能。但是，因昇 華而分解的碳化物成分會生成Cr與化合物，當反覆切斷 時’碳化物的量會減少，因此，Cr與碳化物的重量比以在 1: 1.5至50的範圍爲宜，藉此可持續截流減低效果。 此外’碳化物的量以1至30重量％爲宜。當碳化物的 量少於該範圍時’無法獲得截流減低效果，當碳化物多於 該範圍時’則電氣接點的材料密度會降低，而無法獲得所 希望的切斷性能》 碳化物的昇華點或分解點以1 8 0 0 °C以上爲佳，具體而 言’以由 SiC、TiC、WC、Cr3C2、Be2C、B4C、ZrC、HfC 、：NbC、TaC、ThC、VC中的1種所構成爲佳。此外，亦 可使用該等之至少2種以上作爲碳化物， 藉此方式’使碳化物因電流切斷時所產生的電弧而昇 華，而可減小截流。 此外’亦可在Cu含有〇·2至1重量％的pb。藉此方 式，可提升電氣接點的耐溶著性。 本發明之電氣接點的製法係將混合有Cr、Cr或Ag之 1327330 其中一方、及碳化物之粉末的混合粉末加壓成形之後進行 燒結。形成本發明之電氣接點之原料的各成分的粒徑，係 以Cr、以及Cu或Ag之其中一方之粉末的粒徑爲75μιη以 下、碳化物之粉末的粒徑爲20 μιη以下爲佳。其係基於可 獲得成形性佳、均勻且以碳化物包圍Cr周圍之所希望的 組織所致。燒結係以在真空中、惰性環境中或氫環境中， 以Cu或Ag之融點以下的溫度進行燒結爲佳。其亦爲碳化 物不會分解的溫度。藉此方式，可進行最終形狀的近淨成 形（Near Net Molding )，不需要後加工，即可得廉價的 電氣接點。加壓成形係以120至5 OOMpa的加壓成形壓力 進行成形爲佳。其係因爲當成形壓力低於120Mpa時，成 形體的處理較爲困難，高於5 00Mpa時，則原料粉末易凝 著於模具，除了會縮短模具使用壽命之外，並會使生產性 降低所致。 此外，本發明之電氣接點的截流値爲1至2.5A，且對 於電極徑X ( mm )爲可切斷之最大電流値y ( kA )係位於 以式（1)所求之範圍內。 0.4 4 X < y < 1.32 X … 式（1) 若爲上述範圍，則不需要設置突波吸收器，而且可提 供一種可對應大電流的真空切斷器。藉由具有前述之成分 及組織，可達成上述範圍，且可兼具低突波性與優異切斷 性能。 -10 · 1327330 使用本發明之電氣接點的電極係具有圓盤形狀，且具 有：形成在圓盤之圓中心的中心孔；以及對於該中心孔， 以非接觸的方式由圓中心朝向外周部所形成的複數條貫穿 的開縫溝。形成由開縫槽所分離的羽毛型平面形狀。藉此 方式，可防止在電極中心產生電弧，同時可藉由開縫溝將 電弧朝外周方向驅動，以防止因電弧停滯而造成無法切斷 的情形。 此外，使用本發明之電氣接點的電極係具有圓盤狀構 件；以及一體接合於該圓盤狀構件之電弧產生面之相反面 的電極棒。圓盤狀構件係由本發明之電氣接點所構成。藉 此方式獲得具有所希望之性能的電極。 本發明之真空閥係在真空容器內具備一對固定側電極 及可動側電極，該固定側電極及可動側電極之至少一方係 由使用本發明之電氣接點的電極所構成。 本發明之真空切斷器係具備：在真空容器內配置至少 一方採用本發明之電氣接點的固定側電極及可動側電極的 真空閥；在該真空閥內的固定側電極及可動側電極的各個 電極’連接於真空閥外的導體端子；以及用以驅動可動側 電極的開閉手段。藉此方式獲得兼具優異切斷性能與低突 波性的真空切斷器，甚至獲得各種真空開閉裝置。 以下’藉由實施例詳加說明用以實施本發明的形態。 其中，本發明並非限定於該等實施例者。 (實施例1 ) -11 - 1327330 製作以Cu爲基質，形成以SiC包圍周圍的Cr粒子呈 分散的組織的電氣接點，且使用該電氣接點製作電極。第 1圖係顯7]^所製作之電極的構造圖。第1圖中，1係電氣 接點，2係用以對電弧提供驅動力且使其不會停滯的螺旋 溝槽，3係不銹鋼製的補強板，4係電極棒，5係焊材，51 係形成用以使電弧不會在電極中央產生的凹部的中央孔。 電氣接點1的製作方法如下。首先，將粒徑75 μιη以 下的Cr粉末與Cu粉末及2至3μηι的SiC粉末，藉由V 型混合器’以形成後述表1之接點組成的調配比例加以混 合。接著將該混合粉末塡充在形成貫穿的螺旋溝槽2及中 央孔51’且可形成所希望之電氣接點形狀的模具，藉由油 壓沖床，以400Mpa的壓力進行加壓成形。成形體的密度 大約爲7 3 %。將該成形體在真空中、以1 〇 5 0 °C加熱2小時 後進行燒結，而製成電氣接點1。所得電氣接點1的相對 密度大約爲96%。 此外，電極之製作方法如下。以無氧銅製作電極棒4 ，且以不绣鋼（Stainless steel) SUS304事先藉由機械加 工製作補強板3，將電極棒4的凸部插入於前述以燒結所 得之電氣接點1的中央孔51及補強板3的中央孔，透過 焊材5相嵌合，且將焊材5載置於電氣接點1與補強板3 之間，將其在8.2xl(T4Pa以下的真空中，以970°C加熱10 分鐘，而製成第1圖所示之電極。該電極係用於額定電壓 7.2kV、額定電流600A、額定切斷電流20kA用之真空閥 的電極。其中，若電氣接點1的強度足夠，則亦可省略補 -12- 1327330 強板3。 除上述之外，當碳化物爲SiC以外的Tic、WC、 Cr3C2、Be2C、B4C、ZrC、HfC、NbC、TaC、ThC、VC 中 的1種或2種以上時，而且基質成分爲Ag時，亦可藉由 前述方法來製作電氣接點1。 (實施例2 ) 製作在Cu的基質中，形成SiC粒子呈分散的組織的 電氣接點，使用該電氣接點製作電極。電極的構造與實施 例1相同，如第1圖所示。 電氣接點1的製作方法如下。首先，將粒徑75 μπι以 下的Cr粉末與SiC粉末，藉由V型混合器，以形成後述 表1之接點組成的調配比例加以混合。接著將該混合粉末 塡充在形成貫穿的螺旋溝槽2及中央孔51，且可形成所希 望之電氣接點形狀的模具，藉由油壓沖床，以400Mpa的 壓力進行加壓成形。成形體的密度大約爲73%。將該成形 體在真空中’以900至1〇50°C的溫度加熱2小時後進行燒 結’而製成電氣接點1。所得電氣接點1的相對密度大約 爲 94%。 此外，電極的製造方法與實施例1相同，製成第1圖 所示之電極。 該電極係用於額定電壓7.2kV、額定電流600A、額定 切斷電流20kA用之真空閥的電極。 其中，若電氣接點1的強度足夠，則亦可省略補強板 -13- 1327330 當碳化物爲SiC以外的TiC、WC、Cr3C2、Be2 、ZrC、HfC、NbC、TaC、ThC、VC 中的 1 種時， 由前述方法來製作電氣接點1。其中，亦可複合使 碳化物。 碳化物尤以SiC爲佳。此外，Tie、we亦佳， 化物雖截流上升7A左右，但具有因電弧加熱所造 面變形程度較小的優點。 (實施例3) 將實施例1及2所製成的電氣接點用在電極， 真空閥。真空閥的規格爲：額定電壓7.2kV '額 600A、額定切斷電流20kA。 第2圖係顯示本實施例之真空閥的構造圖。第 ’ 1 a、1 b分別爲固定側電氣接點、可動側電氣接點 3b係補強板、4a、4b分別爲固定側電極棒、可動 棒’具有該等構件構成固定側電極6a、可動側電極 可動側電極6b係隔介用以防止切斷時金屬蒸 散的可動側屏蔽8而焊接接合於可動側保持件1 2。 件係藉由固定側端板9a、可動側端板9b及絕緣筒 高真空予以焊接密封，以固定側電極6a及可動側 12的螺栓部與外部導體相連接。 在絕緣筒13內面設有用以防止切斷時金屬蒸 散的屏蔽7，且在可動側端板9b及可動側保持件】 C、b4c 亦可藉 用該等 該等碳 成的表 而製成 定電流 2圖中 ，3a、 側電極 6 b - 氣等飛 該等構 13而以 保持件 氣等飛 1 2之間 -14- 1327330 設有用以支撐滑動部分的導件11。在可動側屏蔽8與可動 側端板9b之間設有伸縮管（bellows ) 1 0，將真空閥內保 持在真空的狀態下使可動側保持件12上下移動，以可開 閉固定側電極6 a及可動側電極6 b。 如上所述，將實施例1及2所製成之電氣接點用於第 2圖所示之電氣接點la、lb，而製成本發明之真空閥。 (實施例4 ) 製成搭載有以實施例3所製成之真空閥的真空切斷器 。第3圖係顯示本形態之真空閥14與其操作機構的真空 切斷器的構成圖。 真空切斷器的構造爲：將操作機構部配置在前面，在 背面配置有三組用以支持真空閥1 4之3相總括型環氧筒 15。真空閥14係透過絕緣操作桿16，藉由操作機構予以 開閉。 切斷器爲閉路狀態時，電流係流通上部端子17、電氣 接點1、集電體18、下部端子19。電極間的接觸力係藉由 裝設於絕緣操作桿16的接觸彈簧20予以保持。電極間的 接觸力及基於短路電流的電磁力係以支撐桿21及支柱22 予以保持。當對投入線圈30進行激磁時，由開路狀態使 柱塞（plunger) 23經由敲擊桿24將滾輪25推上，轉動 主桿26而關閉電極間之後，以支撐桿21予以保持。 切斷器在自由拉開的狀態下，係使拉開線圈2 7受到 激磁，拉開桿28解開與支柱22的扣合，主桿26旋轉而 -15- 1327330 使電極間打開。 切斷器爲開路狀態時，係在打開電極間之後，藉由重 置彈簧29，使連結恢復，同時扣合支柱22。在該狀態下 ，當對投入線圈3 0進行激磁時，會呈閉路狀態。其中， 3 1係排氣筒。 (實施例5 ) 將實施例1所製成的電氣接點用在實施例3所示之額 定電壓7.2kV、額定電流600A、額定切斷電流20kA的真 空閥，搭載於實施例4所示之真空切斷器，來進行切斷試 驗。表1係顯示接點組成及電極徑與切斷試驗結果，Νο·1 至Νο·8爲本發明材，No.9至No.11爲比較材。 【表1】 區 分 No. 電極徑 (mm) 接點組成 切斷試驗結果 SiC的存 在狀態 Cr (重量％) SiC (重量％) Cu 截流値 (A) 最大切斷 電流値(kA) 本 發 明 材 1 34 35 0.5 剩餘 2.3 19 凝集於 Cr周圍 2 34 35 5 剩餘 1.5 28 3 34 35 10 剩餘 1.4 31 4 34 35 15 剩餘 1.2 24 5 34 5 5 剩餘 1.5 17 6 34 40 5 剩餘 1.7 20 7 26 35 5 剩餘 1.5 22 8 38 35 5 剩餘 1.6 33 比 較 材 9 34 35 5 剩餘 2.9 25 均勻分散 於Cu中 10 34 35 0 剩餘 3.4 16 凝集於 Cr周圍 11 34 35 20 剩餘 1.2 14 -16- 1327330 在No.1至No.8之本發明材及Νο·9至No.11之比較 材中’係形成SiC以包圍Cr粒子周邊的方式凝集的組織 。以其一例而言，第4圖係本發明材Νο·2的組織照片。 在SiC的含量爲0.5至15重量％的範圍（No.l至 Νο·4 )，隨著SiC量的增加，會有藉由其昇華，截流値變 小的傾向。此外，由於含有SiC，最大切斷電流値（切斷 性能）亦會提升，但若過多時（No.4)，會有因接點密度 降低，而使切斷性能亦降低的傾向。 相對於此，當未含有SiC時（No.10)，截流値較大 ’最大切斷電流値則較小。此外，當SiC超過1 5重量％時 (No· 1 1 )，接點密度會明顯降低，最大切斷電流値會大 幅降低。 當 Cr量改變時（No.5、No.6 )，截流値的變化雖較 小’但Cr較多時，由於耐電壓特性的提升，最大切斷電 流値會有變大的傾向。 當電極徑變大時（Νο·7、No.8)，截流値幾乎沒有改 變，但最大切斷電流値會變大。 比較材No. 9係具有SiC均勻分散於Cu基質中，且未 凝集於Cr粒子周邊的組織。此時，接點組成雖與本發明 材No.2相同’但截流値變大，且最大切斷電流値有降低 的傾向’顯示SiC以包圍Cr粒子周邊的方式凝集對於低 突波性及切斷性能的提升是有效的。 以上’藉由本發明之電氣接點，可得兼具優異切斷性 -17- 1327330 能與低突波性的電極性能。 其中，當碳化物爲 Sic以外的Tie、WC、Cr3C2、 Be2C、B4C、ZrC、HfC、NbC、TaC、ThC、VC 中的 1 種 或2種以上時，而且基質成分爲Ag時，亦可獲得相同的 效果。 (實施例6) 將實施例2所製成的電氣接點用在實施例3所示之額 定電壓7.2kV、額定電流600A、額定切斷電流20kA的真 空閥，搭載於實施例4所示之真空切斷器’來進行切斷試 驗。 表2係顯示接點組成及電極徑與切斷試驗結果’ N〇- 1 至No.5爲本形態材，No.6至No.9爲比較材。 -18- 1327330
【表2】 接點組成 切斷試驗結果 區 分 No. Cr SiC Cu l(kA)切斷時之 截流最大値(A) 最大切 備註 (重量％) (重量％) 初始値 100次 切斷後 斷電流 値(kA) 本 發 明 材 1 - 1 剩餘 4.5 3.2 28 2 - 10 剩餘 1.7 1.8 28 3 _ 30 剩餘 1.9 2.0 28 4 6.7 10 剩餘 2.3 2.3 28 Cr ： SiC=l ： 1.5 5 0.2 10 剩餘 1.7 2.0 28 Cr ： SiC=l ： 50 比 較 材 6 - 0.5 剩餘 6.0 4.8 27 SiC :未達1重 量％ 7 - 35 剩餘 2.1 2.2 20 SiC :超過30 重量％ 8 10 10 剩餘 3.2 6.1 29 Cr ： SiC=l ： 1 9 10 - 剩餘 6.7 6.4 29 無SiC 在SiC的含量爲1至30重量％的範圍（No.1至No.3 )，因SiC的昇華，截流値會較小，在進行100次切斷1 (kA )的電流之後，截流値亦不會大幅劣化，可維持低突 波性。 相對於此，當SiC量未達1重量％時（Νο·6 )，截流 値較大，低突波效果較小，並且最大切斷電流値亦降低。 此外，當SiC量超過30重量％時（No.7)，雖然可見 到低突波效果，但燒結性降低而產生接點材料的密度降低 ，而使最大切斷電流値降低。 在Cr量與SiC量的重量比爲1: 1.5至50的範圍中
(No.4 ' No.5 )，截流値較小，在進行100次切斷l(kA )的電流之後，截流値的劣化程度亦較小。 -19- 1327330 相對於此’ SiC量相對於Cr量爲較多，且重量比爲1 :1時（N 〇 · 8 ) ’初期的截流値雖較小，但在丨〇 〇次切斷 後的截流値會大幅劣化。其係由於因電流切斷時所產生的 電弧加熱’使Cr與經昇華的SiC反應，而使具有截流減 低效果的SiC量減少所致。 其中，具有截流減低效果的SiC較少時（No.9)，最 大切斷電流値雖較大’但與N 〇. 6相同地，截流値較大， 而未見低突波效果。 由表2可知’切斷電流爲5 a以下，由初始値進行 100次切斷後的差異以1.5A以下，甚或13A以下爲佳。 此外’最大切斷電流亦以25kA以上，甚或28kA左右爲 佳。 以上，藉由本形態所記載之電氣接點，可兼具優異切 斷性能與低突波性能，而且可獲得截流減低效果的持續性 佳的電極性能。其中，當碳化物爲SiC以外的Tic、WC、 Cr3C2、Be2C、B4C、ZrC、HfC、NbC、TaC、ThC ' VC 中 的1種時，亦可獲得大致相同的效果。 例 施 實 將實施例3所製成的真空閥搭載於真空切斷器以外的 真空開閉裝置。第5圖係已搭載實施例3所製成之真空閥 14的路肩設置變壓器用的負載開閉器。 該負載開閉器係將複數對相當於主電路開閉器的真空 閥14收容於經真空封裝的外側真空容器32內。外側真％ -20- 1327330 容器32係具備：上部板材33、下部板材34及側部板材 35，各板材的周圍（邊緣）係相互藉由熔接而相接合，並 與設備本體一起設置。 在上部板材33係形成有上部貫穿孔36，將環狀的絕 緣性上部基座37以覆蓋各上部貫穿孔36的方式固定在各 上部貫穿孔36的邊緣。接著，以自由往返運動（上下移 動）的方式將圓柱狀的可動側電極棒4b插入於形成在各 上部基座37中央的圓形空間部。亦即，各上部貫穿孔36 係藉由上部基座37與可動側電極棒4b而予以閉塞。 可動側電極棒4b的軸向端部（上部側）係與設置在 外側真空容器3 2外部的操作器（電磁操作器）相連結。 此外’在上部板材3 3的下部側係沿著各上部貫穿孔3 6的 邊緣’以自由往返運動（上下移動）的方式配置外側伸縮 管3 8，各外側伸縮管3 8係將軸向的一端側固定在上部板 材3 3的下部側，軸向的另一端側係裝設在各可動側電極 棒4b的外周面。亦即，爲了將外側真空容器3 2形成密閉 構造’在各上部貫穿孔36的邊緣係沿著各可動側電極棒 4b的軸向配置有外側伸縮管3 8。此外，在上部板材3 3係 連結有排氣管（省略圖示），且透過該排氣管，將外側真 空容器32內進行真空排氣。 另一方面，在下部板材34係形成有下部貫穿孔39, 將絕緣性襯套40以覆蓋各下部貫穿孔39的方式固定在各 下部貫穿孔39的邊緣。在各絕緣性襯套40的底部係固定 有環狀的絕緣性下部基座41。接著，將圓柱狀的固定側電 -21 - 1327330 極棒4a插入於各下部基座41中央的圓形空間部。亦即 形成於下部板材34的下部貫穿孔39係分別藉由絕緣性 套40、下部基座41及固定側電極棒4a予以閉塞。接著 固定側電極棒4a之軸向的一端側（下部側）係與配置 外側真空容器32外部的纜線（配電線）相連結。 在外側真空容器3 2的內部，係收容有相當於負載 閉器之主電路開閉部的真空閥14，各可動側電極棒4b 經由具有2個彎曲部的可撓性（flexible )導體42而相 連結。該可撓性導體42係交替疊層複數張於軸向具有 個彎曲部之作爲導電性板材的銅板與不銹鋼板而構成。 可撓性導體42係形成有貫穿孔43，將各可動側電極棒 插入於各貫穿孔43而相互連結。 如以上所述，以實施例2所製成本發明之真空閥， 適用於路肩設置變壓器用的負載開閉器，亦可適用於除 之外之真空絕緣開關設備（switch gear)等各種真空開 裝置。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示本發明第1及第2實施例之電極的構 圖。 第2圖係顯示本發明第3實施例之真空閥的構造圖 第3圖係顯示本發明第4實施例之真空切斷器的構 圖。 第4圖係顯示本發明第5實施例之電氣接點的組織 襯 ， 在 開 係 互 2 在 4b 亦 此 閉 造 成 圖 -22- 1327330 第5圖係顯示本發明第7實施例之路肩設置變壓器用 負載開閉器的構造圖。 【主要元件符號說明】 1 :電氣接點（接點層） 1 a :固定側電氣接點 1 b :可動側電氣接點 2 :螺旋溝槽 3、3 a、3 b :補強板 4 :電極棒 4a :固定側電極棒 4b :可動側電極棒 5 :焊材 6a :固定側電極 6b :可動側電極 7 .屏蔽 8 :可動側屏蔽 9a :固定側端板 9b :可動側端板 1 〇 :伸縮管 1 1 :導件 1 2 :可動側保持件 1 3 :絕緣筒 -23- 1327330 14 :真空閥 1 5 :環氧筒 1 6 :絕緣操作桿 17 :上部端子 1 8 :集電體 19 :下部端子 20 :接觸彈簧 21 :支撐桿 2 2 :支柱 2 3 :柱塞 24 :敲擊桿 25 :滾輪 26 :主桿 2 7 :拉開線圈 2 8 :拉開桿 29 :重置彈簧 3 0 :投入線圈 3 1 :排氣筒 3 2 :外側真空容器 33 :上部板材 34 :下部板材 3 5 :側部板材 3 6 :上部貫穿孔 37 :上部基座 -24 1327330 3 8 =外側伸縮管 3 9 :下部貫穿孔 40 :絕緣性襯套 41 :下部基座 42 :可撓性導體 43 :可撓性導體貫穿孔 5 1 :中央孔 -25-