TWI321329B - Composite dielectric composition having small variation of capacitance with temperature and signal-matching embedded capacitor prepared using the same - Google Patents

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1121329 九、發明說明： 相關申請案 本發明係基於2005年1〇月13日申社 ^ y T 5月之韓國申譜索 號2005-0096661並以苴來主m太安+废* ” 々入 ，、木主張本案之優先權，其所揭示内 谷之王文併入本文中以供參考。 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關具有相對於溫度之小電容變化的複八 介電性組成物，該組成物包含聚合物基質及陶刚：及 包含由該組成物製成的介電層之訊號比對埋置電容哭。更 明確地說，本發明係有關具有相對於溫度之小電容^化的 複合介電性組成物，該組成物包含顯示出相對於溫度之正 或負電谷變化的聚合物基質及顯示相對於溫度之負或正電 容變化的陶瓷填料，該陶瓷填料之電容變化與該聚合物基 質之電容變化為相反；本發明並有關包含由該組成物製成 之介電層的訊號比對埋置電容器。 φ【先前技術】 近來’由於當下的趨勢朝向多層電路板的小型化與較 尚頻的應用’習慣上裝載並且配置於印刷電路板（PCbs)上 的被動裝置係成為不利於此等電路板產品小型化的阻礙。 特別是’對於埋置系統的開發與增加半導體裝置中的輸入/ 輸出端數目之加速趨勢將造成難以確保包括配置於作用晶 片周圍的電容器之許多被動裝置的配置空間。有關克服與 该等電容器及主動裝置的最適配置，以便趕上朝向半導體 裴置的小型化與較高頻率應用的趨勢的嘗試，已提出將此 6 93667 等包括該電容器的被動裝置直接埋置在電路板的作用晶片 下方之方法或降低該等晶片的電感值（inductance vaIve)之 方法。關此，已積極地開發具有低等效串聯電感（低ESL) 的多層陶瓷電容器（MLCCs)。 * 扶有關克服與被動裝置的最適配置相關的上述問題之 :代f生解决方法，有人係提議使用埋置電容器。埋置電容 二：藉由：:CBs的主動裝置下方的一層形成為介電層而 二谷器。讓渡給Sanmhla股份有限公司（美國）的美 、Μ29”、5155655 及讓渡給― 置：哕二Α 美國)的5161086揭示藉著將埋置電容器配 化而^-用曰曰片輸入端最近處使連至該電容器的導線最小 最電感_ 之玻璃已知預期的特性也可藉由使用習稱為刚 之玻璃織維補強環氧樹脂（習慣 用於實現此埋置電容器之電容器用的介電材：=)做為 樣已知預期的電容可㈣祐田“"電材科而達到。同 (BaTi03)填料（一種丄二 鈑氧樹脂中配置鈦酸鋇. 材料而^⑸介電常數鐵電性材料）所形成的複合 、在此同時，該等電容器佔了實於 被動裝置總面積的約35至45q/ ' 、载於電路板上的 欲用於去耦合或訊號比對。做二而且大部分電容器都係 料，已使用將具有高介電常數的雷傳統埋置電容器的材 脂中而形成的材料。使用此等電容^粉末配置於環氧樹 要用作介電常數大於2 合盗材料製成的電容器主 、的去輕合電容器。闕此，該等去麵 7 93667 δ電合器的製造已大幅導向運用鐵電性粉末及環氧樹脂。 已知有數個有關電容器介電性組成物之習知的傳統 技術。舉例來說，韓國專利公開公報編號2〇〇4_3〇8〇1揭示 在高溫積層製程的期間增進介電層與銅基板之間的黏著力 的方法。韓國專利公開公報編號2〇〇3_24793揭示由超細陶 瓷粒子配置在聚合物基質中形成的高介電常數材料，立中 該介電層使用例如環氧樹脂及聚酿亞胺樹脂等的聚合物基 、質及例如鈦酸鋇、鈦酸銷及鈦酸㈣等的㈣填料。然而’ k些專利之令無-揭示使相對於溫度的電容變化最小化之 方法，那是本發明將提出的技術主題。 再者’不像去耦合電容器所顯示者，有關用於訊號比 =谷益的介電性組成物之開發尚微乎其微。此係因為分 月生粉末的環氧樹脂無法符合訊號比對電容器所需 θ广皿度特性。一般而言，該鐵電性粉末在居里(Curie) ^度了進行正方晶相⑽叫―加e)至立方晶相（cubic 相，期間介電常數會因受應力而劇烈地提 的提高導致電容的明顯波動Λ致電奋的增加，而且溫度 的人f目對於溫度之電容變化滿足X7R特徵的話，感興趣 料:當作絲合電容器的材料。然而，為= 相同I:产當作該訊號比對電容器，該材料應該在 == 有較低的電容變化偏差。也就是說， 二：電2 =介電性材料必須為顯示出相對於溫度 _夂的材料。例如，美國專利案號義76〇揭 93667 8 B21329 示環氧樹脂/BaTi〇3複合系統的溫度安定度藉由控制該鐵 電性粉末之晶相而符合X7R的要求之材料，然而，此技藝 所揭不的電容器材料係遇到電容有明顯波動的問題，因此 - 無法應用於訊號比對埋置電容器。 另一方面，現在可用的埋置電容器一般都使用鐵電性 陶瓷填料及環氧樹脂充當主要材料。然而，鐵電性陶瓷填 料的使用，由於晶相轉變現象（phase transhi〇n phen〇men〇n) 的發生，導致該電容在居里溫度（Tc)下的陡崎提高。再者， 由於材料固有的極性，該環氧樹脂的使用將伴隨偶極偏極 化’再與提南的溫度相配合，因而有助於電容值的提高。 —有關降低該傳統複合介電性組成物相對於溫度之電 谷變化的嘗試，普通使用相對於構成複合系統之個別聚合 物基質與陶曼填料的溫度降低電容值之方法。然而，由於 該等材料固有的低介電常數，具有相對於溫度之小電容變 化的聚合物樹脂（例如苯并環丁烯（BCB)及液晶聚合物 ❿（LCPs))，並無法符合該等電容器要求的電容特性。 水口此，若吾人所欲為使用例如BCB與LCPs等的低介 電常數聚合物材料時，則應該使用具有高介電常數的陶究 填料=提高電阻。然而，該高介電常數的陶究填料’如前 寸TO的相對於變化的溫度會有顯著的電容的變化。因 :’在使用由包括BCB與LCPs的聚合物樹脂及鐵電性粉 構成的硬合介電性組成物時，各成分的溫度特性總和係 反映為相對於該複合系統的變化溫度而提高之電容變化。 再者’與傳統的環氧樹脂作比較，BCB與LCPs的使用遭 93667 9 遇到不良加工性的問題。 【發明内容】 、、田本發明的另一目的在於提供具有不大於5%之相對於 /皿度之電容變化（Δα(：χ1⑻(％))的複合介電性組成物。、 ^本發明的再—目的在於提供具有相對於溫度之小電 錢化並因此用於訊號比對埋置電容器的複合介電性組 ⑧本發明又另一目的在於提供具有不大於5%之相對於 又之電谷、支化（AC/C X 1 〇〇(°/。)）的訊號比對埋置電容器。 根據本發明之—態樣，上述各種不同的目的都可藉由 下列複合介電性組成物的提供而完成，該組成物包含顧曰示 出相對於溫度之正或負電容變化的聚合物基質及顯示出相 籲對於溫度之負或正電容變化的陶瓷填料，該陶瓷填料之電 谷變化與該聚合物基質之電容變化相反。 根據本發明之另一態樣，提供一種訊號比對埋置電容 器，該電容器包括由上述複合介電性組成物所形成之介電 層，並且該電容具有不大於5%之相對於溫度之電容變化 (△C/C X 1 〇〇(%))。 【實施方式】 以下將詳述本發明。 本發明的複合介電性組成物由於具有低的電容溫度 93667 10 ，數（了叫，所以顯示出具有微小變化的安定 疋說，本發明的組成物顯示出不 也就 低電容變化㈣，錢,％))。本;;度之 適合當作隸訊號比對埋置電容器的介電性材料。11 具有相對於溫度之小電容變化（後文中，有田 ς ）之本發明的複合介電性組成物（後文中，有時稱皿 成物1!==::度特性係依構成該介電性組 發出來。成刀的/皿度特性總和的方式作出反映的事實而開 為:降低相對於溫度之電容變化，本發明的介電性組 制：：错:：用具有不同溫度特徵性質的材料的混合物所 衣肴者〃本發明的這個概念係圖解地示於第丨圖中。 如第1圖所不，使用相對於漸增的溫度 :化刪並摻混相對於漸增的溫度顯示出負電容變：： 抖之複合材料將導致不同材料之間的溫 二：嫩。因此，可達成具有電容變化之偏差微，之 文定電容。 〜 示出所不’顯示出正溫度特性的材料，其摻混顯 、厂又寸性的材料，將導致該介電性組成物的溫度特 '之變化速率降低。若依此方式製備該介電性組成物，介 斜性材料（亦即’聚合物樹脂與陶兗填料）並不限於具有相 度之小電容變化（非常接近_材料中進行選擇。因 可根據；|電性材料寬廣的選擇性而設計各種不同介電 、且成物因此’可將普通環氧樹脂當作聚合物基質，而 93667 11 丄^1329

…外，可藉由改變所選定的聚 &物基貝與陶瓷填料之量及組成，將電 V 電容變化控制於預期的不同範圍以内。 、於溫度之 做為此種實施例，第2A圖以圖 =脂=溫度之電容變化。第2B圖為二出2,圖 ^圖不值的數值之角度來看，顯示相對於'、田 的表。由第2A及2B圖可見到，環氣樹脂正的:= ，右其令當溫度提高時電容值亦提高。結果，藉二= 與環氧樹脂相反(亦即，回應溫度的提昇伴隨 降低之負溫度特性）的㈣填料之環氧 備该介電性組成物，其可以降低相對於溫度' _有:::出==基質之例子二 、二 、本一甲1欠乙一 @曰樹脂及聚醯亞胺樹 曰廷二b祕脂材料可單獨或依其任何組合使用。 可用於本發明的環氧樹脂並沒有特別的限定，而 =申請案編號鳩指83中所揭示者都可使用。 ::揭=的環氧樹腊之具體例子包括由下列構成的樹脂組 重量％之含有4〇重量％或更多漠的漠化環 脂:二ί 60Λ90重量％之選自由雙紛-A祕型環氧樹 人夕g犯基裱氧樹脂、聚醯亞胺、氰酸酯類及其任何铍 :二組成的独之至少—樹腊；及由下列構成的樹脂組成 椒#至5〇重量％之選自由雙酚-A環氧樹脂、雙酚-F環氧 、曰及其任何組合所組成的群組之至少-樹脂，9至60重 δ有40重i 〇/〇或更多溴的溴化環氧樹脂，及3〇至 93667 12 丄 9〇重量％之選自由雙盼_A_環氧樹脂、多官能基環氧樹 脂、聚酿亞胺、氰酸醋類及其任何組合所組成的群組之至 少一樹脂。 右使用顯示出正溫度特性的聚合物基質，則該介電性 組成物可使用具有M06基團或㈣鈦礦（perGVskite)結構並 且顯不出負溫度特性的陶究填料來製備，以提高介電常數 同時使相對於溫度之電容變化最小化。 顯不出負溫度特性的陶瓷填料的例子可包括鈦酸鈣 籲（CaTi〇3)、鈦酸鳃（SrTi〇3)、鈦酸鋅（Zn〇_Ti〇2)及鈦酸鉍 (Bi2〇3_2Ti〇2)。這些陶瓷填料可單獨或依其任何組合使 用。特別是，較佳為使用鈦酸鈣（CaTi〇3)或鈦酸鳃（SrTi〇3) 分散在該環氧樹脂中的介電性組成物。 下列表1中提供顯示出負溫度特性的填料之溫度特 性。 [表1] 材料 介電常數 Q(i百萬赫茲） Tc 分鐘(χ1〇·6/°〇 Ti02 90 至 110 > 5000 Ν750 CaTi03 150 至 160 > 3000 Ν1500 SrTi03 240 至 260 > 1500 Ν3300 ZnO-Ti〇2 35 至 38 > 1500 Ν60 Bi203-2Ti〇2 104 至 110 > 1000 Ν1500 *N表示負溫度特性 或者，也可藉由顯示出負溫度特性的聚合物基質與顯 示出正溫度特性的陶瓷填料之組合而製備顯示出微小溫度 特性變化的介電性組成物。顯示出負溫度特性的聚合物基 13 93667 B21329 質之例子包括鐵氟龍樹脂（TCC : -100 ppm/r)及雙馬來酿 亞胺-亞甲基二苯胺（BMI_MDA)聚醯亞胺樹脂等，彼可單獨 — 或依其任何組合使用。顯示出正溫度特性的陶瓷填料的例 子可包括鈦酸鋇（BaTi03)、鈦酸鑭（La203-Ti03, TCC: +600 P’/t：)及鈦酸鎮（MgTi〇3，TCC: +100pPm/t：)等。這些 陶免填料也可單獨或依其任何組合使用。較佳地，複合介 電性組成物可藉由使用該鐵氟龍樹脂與鈦酸鋇（BaTi〇3)的 組合，或該聚醯亞胺樹脂與鈦酸鑭（La2〇3_Ti〇3) •或鈦酸鎂（MgTi03)的組合，來製備。 卜為了降低電容的溫度係數（TCC)，本發明使用由該陶 瓷填料與聚合物基質組成的介電性組成物。然而，若不需 要控制形成介電質的聚合物基質之電容變化，在考量黏著 強度％，較佳為只利用該聚合物基質（樹脂）形成該介電 層。本發明的介電性組成物中之聚合物基質與陶瓷填料係 知妝符合不大於7%，較佳為不大於5%的預期溫度特性（亦 ，相對於溫度之電容變化（AC/C x 1〇〇(%))的比例來混 °明確地說，以該介電性組成物中的聚合物基質與陶瓷 ，料的總體積為基準，吾人所欲者為將少於6()體積％、較 ^為少於50體積％的陶瓷填料與該聚合物基質混合。若該 "，生組成物中的陶究填料含量超過6〇體積％，這樣可能 不=地導致與銅（Cu)箱的不良黏著，其中該銅荡在製造該 電容器時當作頂及底電極’因此引起與可靠度相關的問題。 該n電性組成物係藉著在適當溶劑存在的情況下將 該陶究填料分散至該聚合物基質令製備而成。較佳地，該 93667 14 陶資》填料具有10杏半$ 1Λ '…、10微米的粒子直徑。若該填料的 ^Γ、於1G奈米’該陶£填料在該聚合物基質中的分 不良。_料的粒子直徑大於10微米，該介電性複 合材料的厚度可能會不宜地被提高，從而導致降低的電容 ’、要☆活本發明的介電性組成物可復包括添加物， 二固化劑、固化加速劑、消泡劑及分散劑。必要的話， :二[添加物的種類與含量可根據所用的聚合物基質與陶瓷 之種類^變動，該等添加物習慣上用於此技藝並且可 由热悉此技蟄者適當地選用。 舉例來說’若使用環氧樹脂，用於環氧樹脂的習知固 化㈣可使用。該環氧樹脂固化劑的例子包括，但不限於， /齡3L⑭越糾日等的齡類、例如二氰基胍等的胺類、二 =胺（Wamide)、二胺基二苯基甲燒及二胺基二苯基 例如本四甲酸二酐、苯偏三甲酸軒及苯甲闕四幾酸肝 專的酸酐類及其任何組合。 可用於本發明的每氧樹脂固化劑的例子可包括雙紛 -A酚醛型樹脂等。 —其介電層係由本發明的介電性組成物形成之埋置電 容器係具有不大於5%之相對於溫度之電錢化 100(%))並且可當作訊號比對埋置電容器。 實施例 、士，在，本發明將對照下列實施例更詳細地加以說明。 j貫施例僅為舉例說明本發明而提供並且不得視為限制 本發明的範圍與精神。 93667 15 1321329 實施例1至6及比較實施例1及2 複合介電性組成物係藉由按照下列表2中說明的預定 比例混合陶瓷填料與環氧樹脂而分別地製備。有關該環氧 樹脂組成物，這些實施例與比較實施例都使用重量比例 2 · 2 . 6的雙酚-A環氧樹脂/溴化雙酚_a環氧樹脂/雙酚 酚越型環氧樹脂混合物’如韓國專利申請案編號 2005-12483的實施例2中所揭示。再者，這些實施例與比 較貫細例分別地使用雙齡_ A紛酸型樹脂當作固化劑、2 _曱 籲基咪唑當作固化加速劑及2_曱氧基乙醇當作溶劑。 使用110公克由按照下列表2中說明的體積％比例混 合的陶瓷填料與環氧樹脂、固化劑、固化加速劑及分散劑 組成的漿液一次混合量製備漿液，對彼添加相對於該漿液 10重量％的量之溶劑。在此，該固化劑與固化加速劑相對 於該環氧樹脂，分別地添加52 769重量％與〇1重量％的 1。此外，該分散劑相對於該陶瓷粉末，添加3重量％的 籲里。这些材料使用球磨機混合12小時，藉以製備介電性漿 液。有關該陶兗填料’係使用具有約〇1至】微米的粒子 直徑之填料。藉由手铸法，使由此製備的聚液在銅落上面 禱成1⑼微米的厚度。之後，使該介電質鑄成的捲燒箱片 在n〇°C的乾燥烘箱中半固化2 5分鐘，接著使用替在 300 psi下壓縮1〇分鐘。 在20(TC下層壓由此壓縮的樣品2小時而製備銅羯基 板（C=L) ’接著使用硝酸水溶液蝕刻電極部分以外的部 分，藉以製備用於測量介電常數與溫度特性的樣品。使用 93667 16 丄丄：) Η則4A阻抗分析儀在 ^性質(介電常數及介電損失再者，❹單室電：之 溫度4驗錢（W_25G())，就AC/C χ⑽(％)(c :况時的電 容’及AC :相對於溫度之電容變化)測量相對於溫度 容變化（溫度特性）。表2及3中分別地提供由此測到的介 電性質與溫度特性。 [表 2]_ 遷氧樹脂的介電常數(在- 比較實施例1 BaTi03 45 55 丄丁哪拉时1 23 1干赫茲時） 0.02 比較實施例2 Ti02 45 55 57.4 0.5 實施例1 SrTi〇3 35 65 16.1 0.008 實施例2 SrTi03 45 55 21.5 0.004 實施例3 CaTi03 35 65 14.9 0.007 實施例4 CaTi03 40 60 17.4 0.004 實施例5 CaTi〇3 45 55 20.6 0.003 實施例6 CaTi03 50 50 23.8 0.003 [表3] 溫度 (°C) 比較實 施例1 比較實 施例2 實施例 1 實施例 2 實施例 3 實施例 4 實施例 5 實施例 6 55.00 -11.57 -47.30 -3.47 -2.81 -2.46 -4.01 -2.43 -0.76 -24.95 -7.19 -34.46 2.56 -1.08 -0.20 0.25 -0.27 -1.20 -9.99 -4.15 -25.68 -2.37 -0.43 1.18 -0.29 0.31 0.60 0.03 -2.59 -18.24 1.88 0.43 0.29 -0.05 0.35 0.54 10.04 -1.37 -9.46 -1.21 0.65 0.20 0.08 0.25 0.36 20.03 -0.44 2.70 -1.08 1.08 0.10 0.13 0.10 0.12 25.00 -0.04 9.46 -0.37 0.87 0.00 0.76 0.00 0.00 45.06 1.67 43.24 -1.99 2.16 -0.29 0.01 -0.33 -0.48 65.03 3.85 66,22 2.00 2.81 -0.69 -0.23 -0.66 -1.02 85.10 5.40 68.24 3.22 3.68 -1.08 -0.46 -1.07 -1.32 105.06 6.84 56.76 2.67 1.73 -1.18 -0.98 -1.16 -1.14 125.03 14.87 38.51 7.40 3.90 -0.79 1.13 -0.64 -0.18 17 93667 1321329 由表3可見到，可確認的是比較實施例1的複合介電 性組成物，由環氧樹脂與鈦酸鋇（BaTi〇3)組成，具有正溫 度特性’顯示出明顯的介電損失及非常大的溫度特性變 -化’並且因此不適用於訊號比對埋置電容器的製備。 使用Ti〇2填料的比較實施例2的複合介電性組成物， 由於該陶瓷填料本身的半導性，因而具有高介電常數，但 其顯示出明顯的介電損失及大幅的電容變化。然而，摻混 SrTl〇3粉末與CaTi〇3粉末之本發明的實施例1至6係顯示 出介於±7%至±1.5%的ac/c χ 1〇〇(%)之優異結果，彼取決 於添加粉末的體積比例。特別是，實施例2至6的樣品顯 不出不大於5%之△(：/〇： x 1〇〇(%)，表示彼等具有非常適用 於訊號比對埋置電容器的介電層形成之性質。此外，實施 =1至6的樣品顯示出優異的溫度特性而沒有明顯的介電 常數降低，亦即介電常數^至25,彼與使用鐵電性Β_3 粉末的比較實施例丨所示之介電常數23相似。 鲁實施例7 複合介電性組成物係藉由按照下列表4中說明的預定 比例混合陶究填料與環氧樹脂而分別地製備。本實施例= 別地使用溴化雙驗_八環氧樹脂當作環氧樹脂、二氛基胺刀 (DICY)當作固化劑、2_甲基味峻當作固化加速劑及 基乙醇當作溶劑。 乳 使用110公克由按照下 合的陶瓷填料與環氧樹脂、 組成的漿液一次混合量製備 列表4中說明的體積％比例混 固化劑'固化加速劑及分散劑 漿液，對彼添加相對於該裝液 93667 18 1321329 l 〇重量％的量之溶劑。在此，該固化劑與固化加速劑相對 於該環氧樹脂，分別地添加52.769重量％與0.1重量％的 量。此外，該分散劑相對於該陶竞粉末，添加3重量％的 量。有關該陶瓷填料，使用具有約0.1至1微米的粒子直 徑之填料。藉由手鑄法，使由此製備的漿液在銅箔上面鑄 成100微米的厚度。之後，使該介電質鑄成的捲繞箔片在 170°C的乾燥烘箱中半固化2.5分鐘，接著使用WIP在300 psi下壓縮10分鐘。 在200°C下層壓由此壓縮的樣品2小時而製備銅箔基 層板（CCL)，接著使用硝酸水溶液蝕刻電極部分以外的部 分，藉以製備用於測量溫度特性的樣品。使用單室電容器 溫度試驗系統（W-2500)，就AC/C X 100(%)(C : 25°C時的電 容，及AC/C X 100 :相對於溫度之電容變化）測量相對於溫度 之電容變化（溫度特性）。表4中提供由此測到的溫度特性。 [表4] 溫度 CC) 樹脂100 體積％ 樹脂55 體積％+ SrTi0345 體積％ 樹脂50 體積％+ SrTiO350 體積％ 樹脂45 體積％+ SrTi0355 體積％ 樹脂60 體積％+ CaTiO340 體積％ 樹脂50 體積％+ Cali〇3 50 體積％ 樹脂45 體積％+ CaTi0355 體積％ -55.00 -9.34 -5.706 -2.138 4.996 -5.338 -1.003 1.163 -24.95 -5.65 -3395 -1.185 3.236 -3.184 -0.517 0.829 -9.99 -2.95 -1.667 -0.199 2.739 -1.595 0.113 0.996 0.03 -1.97 -0.897 0.120 2.152 -0.884 0.277 0.854 10.04 -0.74 -0.355 0.234 1.413 -0.366 0.288 0.657 45.06 1.72 0.622 -0.180 -1.785 -0.020 -0.243 -0.737 65.03 2.95 0.788 -0.766 -3.874 -0.206 -0.873 -1.722 85.10 3.93 0.955 -1.352 -5.964 1.049 -1.468 -2.719 105.06 5.16 0.892 -2.141 -8.206 1.057 -2.27 -3.832 125.03 11.55 4.492 0.326 -8.005 4.361 -0.504 -2.921 19 93667 ” 氧樹脂比較時，漢化雙齡-a環氧樹腊顯示出 時因此’使用該溴一環氧樹: 填料•二者皆為具有負溫度特性的陶究 應該分別地使用約45±5體積％及50體積％的量是 付。口預期的溫度特性，亦即不大於5%之奶^ 的使得這些陶变填料可適用於訊號比對埋置電容器 常數Ϊ:號容器的例子中，溫度特性比介電 發明的複合介電性組成物中之陶究 ' 於改良溫度特性而非介電常數，或用於介電損失 白、補償。因此，若該複合介電性红成物中的陶究殖料 錢同時相對於溫度之電容變化亦低的時候則可達到更佳 白:’、且口。因此’較佳為使用顯示出小溫度特性變化之環 树脂而非溴化的雙酚-Α環氧樹脂。 、 ^ 别文纣'^的，傳統複合介電性組成物，由於相對於 皿度之顯著的電容變化，無法應用於訊號比對埋置電容器 而只能用於去耦合電容器的製備。然而，本發明的複合^ 電性組成物顯示出相對於溫度之微小電容變化，而因此可 當=該訊號比對埋置電容器的介電層。也就是說，本發明 的複合介電性組成物以不大於5%之Ac/c X 的角 度，當作該訊號比對埋置電容器所必需的’來 期的溫度特性。 預 …仏笞為了例示的目的而揭示本發明的較佳具體例，但 熟悉此技藝者咸明白各種不同的修飾、增加及取代都可 93667 20 1321329 行’而不會脖離後附申請專利範圍令揭示的發明範圍與精 神。 " 【圖式簡單說明】 ，本發明各種不同的目的、特徵及其他優點能從上述的 坪細說明配合附圖更清楚地獲得了解，其中： 第1圖為顯示出混合相對於溫度顯示 材料時’混合物的電容變化之圖形； 门電-义化的 環氧:二圖t顯示出環氧樹脂的電容變化值之圖形，該 t9顯不出相對於溫度之正電容變化； 卓2B圖％為5 „ 表。 ^為顯不出第2A圖的環氧樹脂之電容變化值的

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Claims (1)

1. 十、申請專利範圍： -種複合介電性組成物’包含顯示出相對於 或負電容變化的聚合物基質、及顯示出相對：：： 負或正電容變化的陶㈣料，該陶变填料之電= 2. 與該聚合物基質之電容變化為相反。 又 ，申請專利範圍第i項之組成物，其中該聚合物基質 係選^由壞讀脂、聚對苯二甲酸乙二g旨樹脂、㈣ 亞胺樹脂及其任何組合所組成的群組，彼等顯 對於溫度之正電容變化。 申Μ專利範圍第2項之組成物，其中該陶£填料係 具有助6基團或触礦（ρ⑽vskhe)結構並且顯示出相 對於變動的溫度之負溫度特性的陶瓷填料。 如申請專利範圍第3項之組成物，其中該陶兗填料係 選自由鈦酸鈣、鈦酸鳃、鈦酸辞、鈦酸鉍及其任何组 合所組成的群組。 '' ’如t請專利範圍第4項之組成物，其中該聚合物基質 6為環氧樹脂，而且該陶瓷填料為鈦酸鈣或鈦酸鳃。、 •如申請專利範圍第i項之組成物，其中該聚合物基質 係鐵氟龍樹脂及/或雙馬來醯亞胺_亞甲基二苯胺聚醯 7亞胺樹脂，彼等顯示出相對於溫度之負電容變化。 .:申請專利範圍第6項之組成物，其中該陶瓷填料係 璉自由鈦酸鋇、鈦酸鑭、鈦酸鎂及其任何組合所組成 8的群組，彼等顯示出相對於溫度之正電容變化。 8’如申請專利範圍第7項之組成物，其中該聚合物基質 22 93667 叫丄329 係鐵氟龍樹脂而且該陶瓷填料係鈦酸鋇。 9.如申請專利範圍第7項之組成物，其中該聚合物基質 係雙馬來醯亞胺-亞甲基二苯胺聚醯亞胺樹脂，而且該 陶瓷填料係鈦酸鑭或鈦酸鎂。 1〇,如申請專利範圍第1至9項中任一項之組成物，其中 將該聚合物基質與陶瓷填料混合而使該複合介電性組 成物具有不大於5%之相對於溫度之電容變化ac/c χ 100(〇/〇))。 _ u·如中請專利範圍帛1G項之組成物，其中該陶兗填料的 含量少於60體積％。 .如申咕專利範圍第11項之組成物，其中該陶瓷填料的 含量少於50體積％。 U·如申請專利範圍第1至9項中任一項之組成物，其中 該陶瓷填料具有1 0奈米至丨〇微米的粒子直徑。 14'種讯號比對埋置電容器，包括由申請專利範圍第1 • 項之複合介電性組成物所形成的介電層，並且具有不 大於5%之相對於溫度之電容變化X丨〇〇(%))。 93667 23