TWI315024B - Multi-exposure semiconductor fabrication mask sets and methods of fabricating such multi-exposure mask sets - Google Patents

Description

1315024 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本揭示大體上係關於半導體元件，且更具體言之，係關 於可用於製造半導體元件之光罩組及製造該等光罩組之方 法0 【先前技術】 半導體記憶體元件大體上包括一單元陣列區及一周邊電 路區。單元陣列區係藉由於該元件上反覆塗覆相同圖案而 形成，但許多不同圓案亦可塗覆於該周邊電路區。一般而 5，早7L陣列區内所達到之整合程度係決定半導體記憶體 元件之總體整合程度之主要因素。所達到之整合程度可視 所用製程之最小解析度、聚焦深度（DGF)及/或曝光寬容度 (EL)而定。近些年，已引入偏軸照明（OAI)技術，其可便 於確保即使在圖案線寬減少之情況下亦獲得最小解析度。 偏軸照明（〇AI)技術大體上可提供優良解析度及猜，且 因此可用於形成小間距圖案 '然而，〇Ai技術關於圖案尺 寸、形狀及方向之曝光條株·^ 六+ & 尤怿件可此存在缺陷。同樣，採用環 =徑之習知照明可用於轉印各種圖t。然而，根據所需 圖案之形狀及幾何結構，所提供之圖案可能並不理想。可 使用雙曝光技術來提供經改良 料楚一国安「μ 又艮之圖案。在雙曝光技術中， 對第一圖案區執行一次曝光， 次曝光。 …、俊對第二圖案區執行二 圖1係習知半導體記憶體 .^ 丨刀的平面圖，其具有 包括兩種不同間距之圖案的圖案區。 有 105247.doc 1315024 許多習知半導體元件包括具有兩個或兩個以上不同間距 之圖案的圖案區。以實例說明之，在習知半導體記憶體元 件中’ Μ陣列區可具有一具有第—間距t圖案且周邊電 路區可包括一或多個具有不同間距之圖案。為最大化元件 之整合，單元陣列區中之記憶體單元一般具有最小線寬。 相反，在周邊電路區内可提供相對較大間距之圖案。舉例 而言，如圖i所示，半導體記憶體元件之圖案區可包括一 具有-第-間距P1之第一圖案34a及一具有一第二間距P2 之第二圖案34b。第二間距！>2大於第一間距ρι。藉由將半 導體元件分區且使料於各區均應用最優曝光條件之雙曝 光製程’可能獲得經改良之圖案。對第—（一次）曝光，將 其中形成第-圖案之區16曝光以轉印第一圖案。對於第二 次曝光，將其中形成第二圖案之區26曝光以轉印第二圖； 34b。 圖2 A及2 B分別為f知雙曝光光罩組之第—光罩層触 第二光罩層20之平面圖。第-光罩層1〇可用於形成圖】所 緣之第-圖案34a。第二光罩層2〇可用於形成圖κ第二圖 案糾。如圖2A中之虛線所示，第-光罩層Π)包括第一遮 光區11及f #光區13。第一遮光區u由屏蔽層!2覆蓋:、' 而第-圖案14形成於第一曝光區13中。如圖2B所示，第二 光罩層2G包括—第二遮光區17及-第二曝光區15。第二遮 光區17由屏蔽層22覆f，而笼-固班。 $ 苐一圖案24形成於第二曝光區 15中。該第一及第二光罩 圖案化基板。 了用於使用雙曝光製程 105247.doc 1315024 在雙曝光製程中可發生第-及第二曝光之錯位。同樣， 可形成第與第二光罩層1()、2()以使得第—與第二曝光區 13 15重宜。鑒於雙曝光，重疊區藉由執行光學鄰近效應 校正（OPC)而形成所要圖案。然而，由於曝光邊界之錯位 及重5 :¾•有阿對比度之半色調光罩可在重疊區提供不良 圖案。 圖3A至3D係說明錯位及重合如何影響使用習知雙曝光 光罩組形成之圖案的平面圖。 ^圖从所示’若發生錯位及重合，屏蔽们2則不能完全 覆蓋第光罩層10之第一曝光區13邊界之半色調圖案 14(見’例如’圖3A中標記為？1之區域）。同樣，如圖％所 示’由於錯位及重合，屏蔽層22則不能完全覆蓋第二光罩 層20之第二曝光區15邊界之半色調圖案24(見，例如，圖 3B中標記為F2之區域）。或者（或此外），如圖3B所示，屏 蔽層12之一部分可延伸至第一光罩層1〇之第一曝光區u 中’藉此覆蓋第-曝光區13邊界之半色調圖案14之一部分 (見例如圖3C中標記為F3之區域）。同樣，如圖3D所示， 屏蔽層22可延伸至第二光罩層2〇之第二曝光區^中，藉此 覆盍第二曝光區15邊界之半色調圖案24之一部分（見，例 如，圖3D中標記為F4之區域）。鑒於重疊區之雙曝光，第 一及第二光罩層變為0PC。曝光區邊界之標記為F1、F2、 F3及F4之區域中之有缺陷圖案可妨礙正常曝光或引發非吾 人所樂見之雙曝光。 ° 【發明内容】 105247.doc 程中於第 以及製造

1315024 根據本發明之實施例，提供在雙（或多）曝光製 —及第二曝光區邊界提供經改良圓案之光罩組， 該等光罩組之方法。 根據本發明之某些實施例，提供光罩組，其包括一第一 光罩層及-第二光罩層，該第—光罩層具有:第—屏蔽區 及-第-曝光區’纟中形成一第—半色調圖案以界定第一 圖案區，t亥第二光罩層具有—第二曝光區，其中形成一二 元圖案及-半色調圖案以界定第二圖案區。在該等光罩也 中’第-半色調圖案可具有-第—間距，1第二半色調圖 ^可具有-大於該第-間距之第二間距。該二元圖案可界 定與第-圖案區相鄰之第二圖案區之_部且該二元圖 案可連接至該第一半色調圖t。此外，第二曝光區之一部 分可與第—曝光區之—部分重疊。在料實施例中，可在 與第-曝㈣重疊之第二曝光區部分及在㈣二曝光區部 分（與第-曝光區重疊）相鄰之第二圖案區之_部分提供二 元圖案。 根據本發明之進一步實施例 元件製造期間用於界定具有第 具有第二間距圖案之第二圖案 光罩，其具有第一曝光區，其 圖案區’及—第一遮光區，其 區。該等光罩組進一步包括一 光區，其中第二半色調圖案界 光區，其中第二屏蔽層覆蓋第 ，提供光罩組，其在半導體 一間距圖案之第一圖案區及 區。該等光罩組包括一第一 中第一半色調圖案界定第一 中第一屏蔽層覆蓋第二圖案 第二光罩，其具有一第二曝 疋第一圖案區，及一第二遮 一圖案區。該第二屏蔽層亦 105247.doc 1315024 自該第二遮光區延伸以覆蓋該第二半色調圖案之一部分。 在該等光罩組之特定實施例中，第一曝光區與第二曝光 區可重疊以界定-重疊區。在該等實施例+，重疊區之寬 度可小於預定寬度’及/或由第二屏蔽層覆蓋之第二半色 調圖案部分可大於重叠區面積之兩倍。第二間距可大於第 間距°—此外’第—半色調®案可界定—週期性重複之圖 案，而第二半色調圖案可界定一無規律圖案。 根據本發明之又進一步實施例，提供在半導體記憶體元 件製造期間用力界定單元陣列區及周邊電路區之光罩組， 其包含⑴一第一光罩層’其包括⑷界定單元陣列區之第 一半色調圖案及（b)覆蓋周邊電路區之第一屏蔽層；及（2) 一第一光罩層，其包括（a)界定周邊區之第二半色調圖案及 (b)覆蓋單元陣列區及第二半色調圖案之一部分之第二屏蔽 層。 在該等光罩組之特定實施例中，第一半色調圖案可定位 於第一曝光區中，且第二半色調圖案可定位於第二曝光區 中。第一曝光區與第二曝光區亦可重疊以界定一重疊區。 由第二屏蔽層覆蓋之第二半色調圖案部分可大於重疊區面 積之兩倍。此外，第一半色調圖案之預定部分可不與重疊 區中之第二半色調圖案重疊。第一曝光區可延伸至與單元 陣列區相鄰之周邊電路區之一部分中。 根據本發明之又進一步實施例，提供一種製造光罩組之 方法，該光罩組界定包括一第一圖案區及一第二圖案區之 圖案。根據該等方法，在第一光罩基板上形成第一半色調 105247.doc -10- 1315024 s在該第+色調層上形成第一屏蔽層。將第一半色 層及第一屏蔽層圖案化以形成第一光罩層’其中該第―: 罩層包括其中界定第# 第圖案區之弟一曝光區及覆蓋第二圖 累區之第一遮光區。 _ 匕在第一先罩基板上形成第二半色調 曰在》亥第一半色調層上形成第二屏蔽層。將第二半色 2及第二屏蔽層圖案化以形成第二光罩層，其中該第二光 層包括其中界定第二圖案區之第二曝光區及覆蓋第—圖 :、區之第—遮光區。移除第一曝光區中之第一屏蔽層。最 除僅於第二曝光區之—部分中之第二屏蔽層以使得 -屏蔽層自第二遮光區延伸至第二曝光區之—部分令。 :/等方法中’第一曝光區與第二曝光區可部分重疊以 界重豐區。包括第二屏蔽層之第二曝光區部分可具有 ^為重豐區面積兩倍之面積。/亦’第一圖案區可具有第 二間距圖案且第二圖案區可具有大於第-間距圖案之第二 間距圖案。 【實施方式】 下=現將參考展不本發明實施例之附圖更全面描述本發 月之:施例。然而’本發明可以多種不同形式實施且不應 =解文限於本文所述之實施例。相反，提供該等實施例以 t使本揭示更完整而全面，且將向熟習此項技術者充分傳 達本發明之範4。相同數字於全文中係指相同元件。 應理解’儘管本文可使用術語第_、第二等來描述各種 4，但該等元件並不受限於該等術語。這些術語僅用於 區分兀件。例如，在不偏離本發明之範嘴的情況下，第一 105247.doc 1315024 2件可稱作第二元件，^類似地，第二元件亦可稱作第^ " 本文所用之術語"及/或"包括一或多個相關所列項 之任何或所有組合。 應理解，當却日日 -. " 田"兒明—兀件（諸如層、區或基板），，位於另一元 上或延伸"至另一元件上”，其可為直接位於另一元件 上或直接延伸至另—元件上或亦可存在介入元件。相反， =說明-元件”直接位於"或"直接延伸至，，另—元件，則無 媒2件存在。其它用於描述元件之間關係之詞語應以同 ’式理解（意即，'，位於…之間”對"直接位於…之間"， •’相鄰，，對”直接相鄰”，等）。 本文可使用相關術語諸如"在…下"或"在...上"或"上部" 下部”或”水平”或”垂直”，以描述如圖中所說明之一種 凡件、層或區相對於另—元件、層或區之 該等術語亦旨在涵蓋元件除圖中所繪方位之外之解方 位。 j 之示意說明本發明之理想化實施例（及中間結構） =面圖示來描述本發明之實施例。為清晰起見可放大 圖：層及區之厚度。另外，可預期由於(例如)製造工菽及/ 斗疾差而導致之圖示形狀之變化。因此，本發明之恭 施例不應理解為受限於本文圖示區之特 貝 由於（例如）製造所造成之形狀偏離。/，㈣包括 本ίΓΓ語僅用於描述特定實施例之目的且非欲限制 本發明。除非文中另外明確指示，如本文所用之單 ”一”及”該”亦包括其複數形式。另外應理解，本 ^ 105247.doc -12· 1315024 術浯包含及/或"包括”表示所述特徵、整數、步驟、操 作、元件及/或組件之存在’但並不排除一或多個其它特 徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其組之存在或 添力口。 除非另外疋義本文所用之所有術語（包括技術及科學 術語）與普通熟習本發明所屬之技術者通常理解的涵義相 同。另外應理解，如通常使用字典中所定義之彼等術語應 φ 理解為其涵義與其在相關技術内容中之涵義一致且除非本 文明確疋義，其不應理解為理想化或過於正式之意義。 圖4A及4B為根據本發明之某些實施例之雙曝光光罩組 之平面圖。圖4A為用於雙曝光之第一曝光中之第一光罩層 ' 3〇之平面圖，且圖仙為用於雙曝光之第二曝光中之第二光 - 罩層40之平面圖。如圖4A所示，該第一光罩層30包括界定 第圖案區之第一曝光區56及包含阻止第二圖案區曝光之 屏蔽層52之第一遮光區。如圖4B所示，第二光罩層4〇包括 • 界定第二圖案區之第二曝光區66及包含覆蓋第一圖案區56 之屏蔽層62之第二遮光區。為提供第一及第二光罩層3〇、 40之任一者或二者之可能錯位，可設計第一及第二曝光區 56及66以寬度Wm彼此重疊。因此，第二曝光區66包含第 一遮光區（屏蔽層52)加上重疊區69 ’且第一曝光區56包含 第一遮光區（屏蔽層62)加上重疊區69。在受到一次及二次 曝光之錯位影響之基板部分可提供重疊區69。舉例而言， 可將接收一次及二次曝光之圖案邊界設計為重疊。由於重 S區之雙曝光’其可變為光學鄰近效應校正（OPC)。 105247.doc •13· 1315024 如圖4A所示，可在第一光罩層3〇之第一曝光區％中形成 第，調圖案54。然後’如圖4B所示，可在第二光罩層 40之第二曝光區66内形成二元圖案”及第二半色調圖案 64在一元區68内形成該二元圖案67。屏蔽層62覆蓋第二 遮光區且亦自该第二遮光區延伸至第二半色調圖案Μ上以 形成二元圖案67。因此，該二元圖案67形成於重叠區69及 二元區68内以界定與第一圖案區相鄰之第二圖案區之一部 分。如圖4Α及4Β所示，二元區68比重疊區的寬。該二元 圖案67可界定連接至第—半色㈣案处圖案。 如圖4Β所示，二元圖案67與第二半色調圖案64之間之邊 界自重疊區69偏移。因此，即使發生第二半色調圖案“與 屏蔽層62之錯位或重合，亦可避免低品質圖案區，諸如圖 3C及3D中之F3或以區。此外，即使在第—光罩層之 區69發生屏蔽層與半色調層之錯位或重合，在第二光罩層 之重疊區69亦可存在減少之錯位或重合。因此，一心 之不良圖案可藉由二次曝光減少或校正。 具有不均勻線寬之圖案可在二元圖案67與第二半色調 ㈣4之間邊界形成或於該邊界之相鄰處形成。然而，由於 弟二圖案區-般具有高製程範圍，該不均勻合 降低該元件之效能…卜，任何該不均勻線寬均可藉= -兀圖案67與半色調圖案64之間之邊界應請。來解決。 在本發明之實施例中，第—井置 ^ ^ #九罩層30可界定半導體_ 體兀件之單元陣列區，第- ^ . 且弟一先罩層40可界定半導體記情

體凡件之周邊電路區。 U 105247.doc •14- 1315024 圖5為光阻圖案之平面圖，其可使用圖4八及仂所繪之雙 曝光光罩組形成。 如圖5所示，可使用圖4入及仞之雙曝光光罩組於半導體 基板上形成光阻圖案。第一圖案區經第一曝光區％曝光， 且第二圖案區經第二曝光區66曝光。第一曝光區兄與第二 曝光區66之間之重疊區69經雙曝光以形成圖案。若在雙曝 光之後執行光微影，形成在一次曝光期間經曝光之第—光 阻圖案74a，且形成在二次曝光期間經曝光之第二光阻圖 案糾。#由雙曝光於重疊區69中形成第一與第二光阻圖 案74a與74b之間之連接部分。該第一光阻圖案74&可以第 一間距P1排列，且該第二光阻圖案Mb可以大於第一間距 P1之第二間距P2排列。 圖6A與7A為說明根據本發明之某些實施例製造雙曝光 光罩組之第一光罩層30之方法的平面圖。圖仙與⑺分別 為圖6A與7A沿1-1，線之橫截面圖。 參考圖6A及6B ’於基板5〇上提供半色調層54及屏蔽層 52。該半色調層54及該屏蔽層52經圖案化以形成第一曝光 區56及第-遮光區。如圖6AA6B所示，在第—曝光區％ 中，經堆疊之半色調層54及屏蔽層52經圖案化以形成屏蔽 圖案52p。在該第一遮光區’半色調層54及屏蔽層52未經 圖案化。 如圖7A及7B所示，為形成第一光罩層％，移除第一曝 光區56之屏蔽層52 ’藉此於第—曝光區56中提供第-半色 調圖案54p。該第一光罩層观括第—曝光區似第一遮 105247.doc 1315024 光區。於第-曝光區56中提供第—半色調圖案54p，且以 屏蔽層52覆蓋第一遮光區。 圖8A及9A為說明根攄太發明夕甘— 很髁不知明之某些實施例製造雙曝光 光罩組之第二光罩層4G之方法的平面圖。圖犯請分別 為圖8A及9A沿ll-π’線之橫截面圖。 如圖8A及8B所示，於基板6〇上提供半色調層㈣及屏蔽 層62。該半色調層64及該屏蔽層62經圖案化以形成第二曝 •光區66及第二遮光區。在該第二曝光區“中，半色調層64 及屏蔽層62經圖案化以提供屏蔽圖案62p。以半色調層64 及屏蔽層62覆蓋第二遮光區。 如圖9A及9B所示，為完成第二光罩層4〇,移除第二曝 _ 光區“中之部分屏蔽層62，藉此形成第二半色調圖案 64P。如圖9A所示’第二光罩層4〇包括第二曝光區“及第 二遮光區。該第二曝光區66包括第二半色調圖案64p及於 與第二遮光區相鄰之二元區68中提供之二元圖案67。以半 φ 色調層64及屏蔽層62覆蓋該第二遮光區。 如圖7A、8A及9A所示，帛一及第二曝光區56及66可以 寬度Wm重疊’藉此界定一重疊區69(見圖9a卜當發生該 重疊時，第-遮光區對應於第二曝光區66減纟重疊區69。 第二遮光區對應於第一曝光區56減去重疊區69 ^在大於重 疊區69之一兀區68中提供二元圖案67。例如，在圖中， 寬度Ws可大於寬度Wm。 圖10A至10C為說明根據本發明之$些實施例使用光罩 組執行之光微影蝕刻製程之製程圖。 105247.doc -16 - 1315024 參考圖10A’於半導體基板上形成光阻層74。使用第一 光罩層於半導體基板上執行一次曝光製程。在圖1〇A中， 標§己為R1之區域為一次曝光期間未經曝光之區域。由於一 次曝光製程，於第一曝光區内形成第一半色調圖案74&。 如上文所述，在第一光罩層内可發生半色調層與屏蔽層之 間之錯位，且同樣該光阻層之反常曝光76可在與第一曝光 區與第一遮光區之間之邊界相鄰處發生。 參考圖1GB’隨後使用第二光罩層執行二次曝光。在圖 10B中’標記為R2之區域為在二次曝光期間未經曝光之區 域。如® 10B所*，部分第—半色調圖案74&藉由第二鮮 層曝光。亦曝光反常曝光部分76。由於第二遮光邊㈣二 元光罩，該第二光罩層並未形成如第一光罩層之反常曝光 部分。 * 參考圖10C，使用第二光罩層執行二 一 人嗥先’以使得二 7G圖案及第二半色調圖案轉印為對應於 ^ . , s r 禾一曝光區之區 域。在一-人曝光及二次曝光完成之後， #馇一土 rr ®也 九阻74經顯影以形 成第一先阻圖案74a及第二光阻圖案74b。 根據本發明之某些實施例，可在一次曝 成之後使用雙曝光光罩組顯影光阻 -次曝光完 距之光阻圖案及具有第二間距之光阻圖宰=具有第-間 間’半色調以可用於形成具有小間距之-人曝先期 光期間，包括經修補之二元光罩之半 置。在二次曝 或最小化曝光區與遮光區之間之邊界處或於減少 之不當曝光。 邊界相鄰處 3 05247.doc 1315024 根據本發明之進一步實施例，多 ^ ^ a 1J夕於兩個光罩層可用於應 用上述之相同技術。 如：文所述’第二光罩層可包含二元圖案及半色調圖 '、第-光罩可在使用包括I色調圖案之第—料層執> 二：曝光之後使用。第二光罩層可用於部分或全部‘正： ••人曝光期間由半色調層及屏蔽層之錯位入 能產生之反常曝光。 重口引起而可 f此，根據本發明之某些實施例，曝光製程之製程範 可藉由解決諸如設計規則減少及布局變化之問題而已圍 良。 σ以改 在附圖及說明書中揭示了本發明之一般實施例，且儘技 採用了特定術語，但僅用其一般及描述意義且非限制之管 的’在下文申請專利範圍中陳述本發明之範疇。 目 【圖式簡單說明】 圖1為具有兩種不同間距之圖案區之習知半導體元 一部分之平面圖。 之 圖2Α及2Β為習知雙曝光光罩組之平面圖。 圖3Α至3D為說明錯位及重合如何影響使用習知餘 光罩組形成之圖案之平面圖。 圖4 A及4B為根據本發明之某些實施例之雙曝 之平面圖。 Ί 圖5為使用圖4A及4B中之雙曝光光罩組形成之光阻圖 之平面圖。 案 圖6 A及7 A為說明根據本發明之某些實施例製 文爆光 105247.doc •18- 1315024 光罩組之第一光罩之方法的平面圖。 圖6B及7B分別為沿圖^及“之^,線之橫截面圖。 圖8A及9A為說明根據本發明之某些實施例製造雙曝光 光罩組之第二光罩之方法的平面圖。 圖8B及9B分別為沿圖8八及9Α2Π_π，線之橫截面圖。 圖10 Α至1 〇 C為s兒明根據本發明之某些實施例使用光罩 組之光微影钕刻方法之平面圖。

【主要元件符號說明】 10 第一光罩層 11 第一遮光區 12 屏蔽層 13 第一曝光區 14 第一圖案/半色調圖 15 第—曝光區 16 形成第一圖案之區 17 第二遮光區 20 第二光罩層 22 屏蔽層 24 第一圖案/半色調圖 26 形成第二圖案之區 30 第一光罩層 34a 第一圖案 34b 第一圖案 40 第二光罩層 105247.doc •19- 1315024

50 52 52p 54 54p 56 60 62 62p 64 64p 66 67 68 69 74 74a 74b 76 基板 屏蔽層 屏蔽圖案 第一半色調圖案/半色調層 第一半色調圖案 第一曝光區/第一圖案區 基板 屏蔽層 屏蔽圖案 第二半色調圖案/半色調層 第二半色調圖案 第二曝光區 二元圖案 二元區 重疊區 光阻層/光阻 第一光阻圖案/第一半色調圖案 第二光阻圖案 反常曝光 105247.doc -20-

Claims (1)

1. D 1 12號專利申請案 G------ 中文申請專利範圍替換本(98年5月） _年广月尸日修正本 十、申請專利範園： 一種用於界定一第一圖案區及一第二圖案區之光罩組， 該光罩組包含： 一第一光罩，其包括一第一屏蔽區及一第一曝光區，其 中形成一第一半色調圖案以界定該第一圖案區；及 一第二光罩，其包括一第二曝光區’其中形成一二元 圖案及一第二半色調圖案以界定該第二圖案區；

   其中該第二曝光區之一部份與該第一曝光區之一部份 重疊以界定一重疊區，及 其中介於該二元圖案與該第二半色調圖案之間之一邊 界係偏移自該重疊區。 如睛求項1之光罩組，其中該第一半色調圖案具有一第 間距，且其中該第二半色調圖案具有一大於該第一間 距之第二間距。 如印求項1之光罩組，其中該二元圖案界定與該第一圖 案區相鄰之該第二圖案區之一部分。 ”月求項1之光罩組，其中該二元圖案連接至該第一半 色調圖案。 5.如睛求項1之本 一 ^尤罩組，其中在與該第一曝光區重疊之該 第曝^區之該部分，及在與該第一曝光區重疊之該第 -曝光區之該部分相鄰之該第二圖案區之一部分内，提 供該二元圖案。 6· 一種光罩組，A ^ 描 、 八在—+導體元件之製造期間用於在該半 導體元件上衣金—目士 ^ |疋 具有—第一間距圖案之第一圖案區及 105247-980508.doc 1315024 具有—第二間距圖案之第二圖案區，該光罩組包含： 一第-光罩，該第一光罩包含： —第一曝光區，其包括一界定該第一圖案區之第一 +色調圖案；及 一第一遮光區，其包括一覆蓋該第二圖案區之至少 某些部分之第一屏蔽層；及 第二光罩，該第二光罩包含：

   、.第二曝光區’其包括一界定該第二圖案區之第二 ¥色調圖案；及 —第二遮光區，其包括一覆蓋該第一圖案區之至少 某些部分之第二屏蔽層， 其中兮證 一 μ弗二屏蔽層亦自該第二遮光區延伸以覆蓋該第二 半色調圖案之一部分。 項6之光罩組’其中該第—曝光區與該第二曝光 °° '以界定一重疊區。

   其中該重疊區之寬度係小於一預 8·如請求項7之光罩組， 定寬度。 月求項7之光罩組，复中由兮·箆_ 帝 第二丰 鞛甶該第一屏蔽層覆蓋之該 一 色調圖案之該部分係大於該重疊區面稽& 如請求項7之去罢* 且匕面積之兩倍。 距。 且，其中s亥第二間距係大於該第一間 11. 如請求項7之光罩 期性重複之圖案， 律圖案。 組，其中該第一半色調圖案界定一週 且其中該第二半色調圖案界定一無規 I05247-980508.doc 1315024 12. -種用於在半導體記憶體元件之製造期間界卜單元陣 列區及一周邊電路區之光罩組，該光罩組包含： 第光罩纟包括一界定該單元陣列區之第一半色 調圖案’及-覆蓋該周邊電路區之第一屏蔽層；及 -第二光罩，其包括一界定該周邊區之第二半色調圖 案’及-覆蓋該單元陣列區及該第二半色調圖案之一部 分之第二屏蔽層。 13. 如請求項12之光罩組，其中該第—半色調圖案係定㈣ -第-曝光區且該第二半色調圖案係定位於一第二曝光 區’且其中該第-曝光區與該第二曝光區重疊以界定一 重疊區。 M·如請求項13之光罩組，其中藉由該第二屏蔽層覆蓋之該 第二半色調圖案之該部分係大於該重疊區面積之兩倍。 !5.如請求項！3之光罩組，其中該第—半色調圖案之—職 部分與該重叠區中之該第二半色調圖案不重疊。 疋 16.如請求項13之光罩組，其中該第—曝光區延伸至與該單 元陣列區相鄰之該周邊電路區之一部分中。 、以早 η.如請求項12之光罩組’其中該第_半色調圖案界 期性重複之圖案’且其中該第二半色調圖案界定— 律圖案。 ’…巩 1S. —種製造一用於界定_包括一第—圖 一L及一第二圖幸 區之圖案之光罩組的方法，該方法包含： /、 在一第一光罩基板上形成一第一半色調層； 在該第一半色調層上形成一第—屏蔽層； 105247-980508.doc 1315024 將該第一半色調層及該第一屏蔽層圖牵 M系化以形成一第 —光罩，其中該第一光罩包括一其中 ^ ^ 疋孩第一圖案區 之第一曝光區及一覆蓋該第二圖案區之第一 . 遮光區，及 在一第二光罩基板上形成一第二半色調層； 在該第二半色調層上形成一第二屏蔽層·， 將該第二半色調層及該第二屏蔽層圖案化以形成一第 二光罩，其中該第二光罩包括一其中界定該第二圖案區 之第二曝光區及一覆蓋該第一圖案區之第_ 布一遮光區， 移除該第一曝光區中之該第一屏蔽層；及 移除該第二曝光區僅一部分中之該第二屏蔽以使得該 第二屏蔽層自該第二遮光區延伸至該第二曝光區之一 分中。 ™ &如請求項18之方法，其中該第—曝光區與該第二曝光區 部分重疊以界定一重疊區。 〇.如4求項19之方法，其中包括該第二屏蔽層之該第二曝 光區之-部分具有-至少為該重疊區面積兩倍之面積。 21.如請求項18之方法，其中 吻弟圖案區具有一第一間距 圖案且該第二圖案區具有一 m ^ A於該第一間距圖案之第二 間距圖案。 105247-980508.doc -4-