TWI314497B - Eletro deposited thin grinding stone blade - Google Patents

Description

1314497 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係尤其有關ϋ ± α 肖藉由在基板上一併安裝且模製 料零^ Γ等後進㈣斷而予以個片化來製造電子材 用砂輪/。肖於此模製後的切斷之適宜的電鑄薄砂輪片 【先前技術】 鑄薄：：rb種電子材料零件時之切斷，以往所使用的電 等金屬:ί相係广Γ鑽石等超磨粒(abraSiVe抑i_鎳 例如如稱為_咖錢—d 办_)上，-起安裝複數個元件m藉由；^架㈣ 後進行切斷而予以個片化所/該4 一併㈣（遍㈣ MA(Infra-red Data Ass〇eiat“之電子材料零件，或如 ，格之光傳送模組(以下，僅二二外線資料通訊協会)規 ^ ^ ^ (glass epoxm , - ^ 的内周面施加有Ni、Au、Cu # ^ = L抑_咖h㈣ 有金屬的電極之同樣是破气Z、土反者，或具備具 作件（WQfkk % μ φ 衣氧树脂製的底座之LED工 -置之…展性高製::中:著間隔 有於切斷時之薄砂輪片的進 〃，又覆、電極，故 易產生此導線架或電極等的方向）容 318671 5 1314497 因此’譬如於專利 以鍍覆固定磨粒之電鑄廇^，建議有環狀之刀刀部為由 狀之刀刃邻=:粒層所構成之切削刀片，而該環 狀I刀邵係由以隼φ瘠 ^ 層、以及由以比此Φ、土 層形成之中央電鑄磨粒 來成的八則招士、，、電轉磨粒層#中度更高之磨粒層所 ^ '於4中央電鑄磨粒層的兩侧之外側電鑄磨 粒層所構成的切削刀片（電鏤 緝磨 禕今都古.Α祕 （罨鑄4矽輪片）。而於此專利文獻1 係圮载有.依據此種切削 使中央電轉磨粒層大量摩耗= ng)或使用 »度方向中央邻二ί:摩耗，而於環狀的刀刃部外周之寬 予以：二：:部，且於此環狀凹部帶進切屑而 予以排除，故可防止毛邊之發生。 [專利文獻1]日本特開2002-331464號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之課題） 且：：在由記載於此專利文獻1的中央電鑄磨粒層鱼 兩側的外侧電鎊磨粒層所構成的3層電鎊薄妙輪片，於 如上述之電子材料零件的切斷中，中央 形成環狀凹料，由料w H料隸層摩耗且 时由於為側的一對外㈣電鱗磨粒層先 入且斷斷續續地切斷樹脂中的金屬導線架或金屬電極，譬 時上述一對的外側電禱磨粒層同時與導線架或電極 接觸而不切人，而仙在兩外側電鑄磨粒層之阻 成為不均等時，薄砂於g t 貝何 寻：厚几片了月匕於磨粒層的層厚方向產生振 *生蛇订。而且’如此於切斷時薄砂輪片蛇行時，由 於變得須將磨砂輪片之切斷寬度設錢大，故有由有限的 大小之基板等可製造之電子材料零件的數目減少，或甚至 318671 6 1314497 有可能因情況而使切斷本身成為不可能之虞。 此外，中央電鑄磨粒層摩耗所形成之^凹部， 個凹部將因兩外側電鑄磨粒層所產生之切屑如上述帶進 故必須以某些程度大的寬度與深度凹下，如此亦 大幅地凹下之中央電鎢磨粒層與外側電鑄 ^父界部於各層間容易發生剝離之問題。並且，如此由於 粒的集中度低而容易摩耗的中央電鑄磨粒層以大的寬产 =深度設定’整體電鑷薄砂輪片缺乏对摩耗性，而亦可： 有早期耗盡壽命之問題。 本發明係在此種背景下而研創者，其目的在提供 電鎢薄砂輪片，係使用在上述的QFN或IrDA、LED工作 之類的電子材料零件之切斷，而不僅可抑制毛邊的發 ' ，亦可進行直進性高且高精確度的切斷，並且耐摩耗性 或耐制離性良好使得砂輪片壽命長，並對所 料零件可穩定地維持高的品級。 ㈣子材 φ (解決課題之手段） 為解決上述課題，而達成上述目的，本發明的特徵為 具備於金相覆相分散磨粒而形成之薄砂輪片磨粒層，此 +專y輪片磨粒層’係具有依序積層於該薄砂輪片磨粒層的 層厚方向之第1至第5磨粒層，其中將第丨、第3、第5 磨粒層之上述磨粒的含有量，設為比第2、第4磨粒層之 上述磨粒的含有量更多。 s (發明之功效） 在本發明的電鑄薄砂輪片中，如此薄砂輪片磨粒層 7 318671 1314497 量少的I里多的弟卜第3、第5磨粒層與磨粒含有 在談丄 磨粒層予以互相積層之5層構造，亦即 人有'^:片磨粒層之層厚方向的兩端與中央配設了磨粒 磨粒層。因此，首先藉由配設在此層厚方向兩 二磨，含有量多的第卜第5磨粒層，抑制具有切刀刀 浐：：的功用之薄砂輪片磨粒層的周面與兩側面之交又 稜線部的麾缸L ,丨， ^ 粒層之所神心口變圓’亦即薄砂輪片磨 .上邊角鈍化’並可維持銳利的鋒利度且可抑制如 斤处之電子材料零件的切斷之毛邊的發生。 間的1 粒? 5磨粒層與第3磨粒層之 耗而形成凹部，如此透過磨粒4 声，當）从 处尥厲粒3有篁少的磨粒層分為兩 :磨粒層的的寬度係相對於整體薄砂輪 ”此，磨“有量多W、第’3同度亦變淺。 性亦互起作用，而可確保且持綠整^磨粒層之高耐摩耗 j可防止從此凹部於磨粒層產生剝離，而 J »呆衣矽輪片壽命的延長。 薄砂Π磨方式形成凹部之第2、第4磨粒層間的 :二：片磨粒層之層厚方向中央，如 1=^?=絲含有量較多⑷朗，2 粒層-上上述電子材料零件時，由於此第3磨 迷第卜弟5磨粒層先切入樹脂塑模⑽_中的 318671 8 1314497 導線架或電極等，故縱使層厚方向兩端的第1、第5磨粒 層之其中一方與此導線架等接觸，而以另一方沒接觸2 '癌將缚砂輪片磨粒層切入，只要中央的第3磨粒層接觸， 3可抑制於薄砂輪片磨粒層產生層厚方向之振動而 薄砂輪片的蛇行。因此，依據上述構成之電鑄薄砂輪片 γ確保高的直進性並可進行高精確度的切斷，此外 ::的發生之同時耐摩耗性亦高，故使用於如上述 π零件等之工作件的切斷，可長 電子材料零件。 展。級的 最好t二15述?第1、第3、第5磨粒層之磨粒的含有量係 疋叹為15至4〇v〇l%之範圍内，此外 、 層之磨粒的含有量係最好3 < 第磨粒 * ^ 1 ^ 3 j 5 ^ ^ •第5磨粒層的磨粒含有 耐摩耗性便顯著下降，尤其益法防 H15V01辑 之第1、第5磨粒層的邊角純化，另一方：乍為切刀刀口 ，含有量高過& 目反地磨粒 的自己再生而鋒利度變:==的脫落所形成… 實地防止毛邊的發生。 月況都可旎變得無法確 又，第2、第4磨粒層的 耗引起凹部變得太深而 3里_ ; lv〇l0/〇時因摩 過心〇_得太多產生剝離，另一方面，超 有量的差變小而難以形成 二刀:5::層之磨粒含 可能變得無法防止毛邊的 丁刀屬排出之凹部，還是 磨粒層之磨粒含有量係“:者:3、第5 疋设為相等，又第2、第4磨 318671 9 1314497 粒層的磨粒含有量亦最好是設為相等。 上述：二一上述第1至第5磨粒層的層厚’最好都設為在 = =相層厚之1…4的範圍内。 厚比整J二 功能之第卜第5磨粒層的層 整體缚兮輪片磨粒層的層厚之1/6 :部第=摩耗性受損而無法確實防止邊角二::第刀 可_=::邊 缚夺可能變得無法得到充分的直進性。 輪片1::二=!磨粒層之"厚比整體薄砂 ^粒㈣層厚的1/4還料，其他任-磨粒層之層厚 整體缚砂輪片磨粒層的層厚之1/6還薄，還是變得 :要、法充分達勒正毛邊的發生或確保輯時的直進性 又’為確實達到此種效果，第1至第5磨粒層的 .之層厚的1/5。 I 0都4整體溥砂輪片磨粒層 粒直二卜77散在上述第1至第5磨粒層之磨粒的顆 ^直從，係束好是設為上述整體薄砂輪片磨粒層的層厚之 2 ’而比此磨粒的顆粒直徑變得更大時，於接鄰在 4方向之磨粒層間顆粒直經大的磨粒由—方突出到另一 方，相互的磨粒層之界面的控制變為困難而在第 變得可能無法確保如上述之層厚。但是，此磨粒的 ，粒直徑變得太小時，研削阻力變大而可能於工作件產生 u(b_ed)，故此磨粒直徑係最好是設為整體薄砂輪片 318671 1314497 磨粒層的層厚之1/30以上。 【實施方式】 开及第2圖係表示本發明的-實施形離。本， =的電物輪片係如第!圖所示為以輛心:： 固壤形而形成厚度〇.〇5至〇 5m 為中。之 本身係藉由如第2圖所示之薄紗輪片；J片板狀，而其 藉由將該内徑部安製在切斷裝置的主軸而：丄::：二 軸線0周圍一邊送出到與該 疋 " 薄砂於麻如a , 土直之方向’並利用此 間…層的外周緣部，亦即與上述園 等之極小的宽产之抓η二 , 导度相 周面盘… 兩側面的外周側，以及上述外 周面一兩侧面交又之圓周狀的兩刀 稜角部分，本文中稱Α7?Γ7 η w 片外固周形成 QFN…a ㈣部，而使用於在上述之 fN或1心、LED工作件之類的樹脂中具有金屬材料之 電子零件材料的切斷。 4金屬材科之 .積層=二：輪片磨粒層1 ’如第2圖所示係由依序 第1圖中與圖面正交之方向。在第2 所播^ 成為—體之第1至第5磨粒層以至化 所構成，上述之磨船馬，Λ S 係任何一個皆在鎳等之 覆相將鑽石或囊㈣粒（超磨粒）3均自地分散 :各個f而構成’但是各磨粒層…之磨二含； :第二第3、第5磨粒層以、1C、1E的含有量設為 弟第4磨粒層IB、ID的含有量更多。 :二上述第！、第5磨粒層1a]e之磨粒3的含 I糸相專’而設為15至偏%之範圍内之同時，第3 318671 11 1314497 磨粒層1C的磨粒3之含有量亦設為與上述第i、第$磨粒 層ΙΑ、1E相等。又，第2、第4磨粒層m、出彼此的磨 粒3之含有量亦設為相等，在本實施形態中設為i至 lOvol。/。之範圍内。並且，上述第i至第5磨粒層以至比 之層厚/係設為在整體薄砂輪片磨粒们的層厚之Μ至 1/4的範圍内’尤其在本實施形態中所有的磨粒層以至巧 之層厚設為相等，亦即設為整體刀片磨粒層〗之的 1/5。 θ 散在上述的磨粒層1八至1£之上述磨粒3係 。種員，、顆粒直徑係整體薄砂輪片磨粒 範圍’而設為_定的平均顆粒直#者，因厚此之： 声二:：:二:少輪片磨粒層r，係第3磨粒層〗C位於該 地配設之禮占第粒層圧、10係設為對稱 第磨= 乐愿粒層1A、1E所形成。 此外’在各磨粒層 圖所示亦可分散陶竞等 ，錄磨粒3之外如第2 填料4，1入右， 科（如㈣4。但是’關於上述之 1E設為相等之 弟/ # 5磨粒層1A、1C、 為相等，另一方面、 2、第4磨粒層出、ID間亦設

之含有量係設為比第2㊣第3、第5磨粒層‘1C、1E 至你叹馬比弟2、第4磨 夕’且其平均顆粒直徑亦在第 ^ , 时有量更 為相等，並如第2圖 # 5磨粒層至圧設 最好維持上述薄砂輪片磨粒層】 318671 12 1314497 之層厚方向的對稱性。 薄砂輪W層1由第1至第5磨粒層Μ 至1E所構成之5層椹 Λ 以及視需要分散填料砂^，在分散磨粒3 上面譬如依第！至第5磨^1浸潰基材，並在其 定的層厚之金屬鑛覆相2成〗Α/ΙΕ之順序，一邊使預 積層磨粒層m1E，此邊利用固定磨粒3而依序 3與填料抑4的分散量，按昭各^散在金屬鑛覆液之磨粒 私Γ…、各磨粒層1A至1E予以批也丨 並按照該磨粒3與填料4的含 工制， 譬如，在第】、第3、第^:層里二為二:::厂 的含有量與第2、第4之磨❹ 磨粒3 量各個設為相等之本實層1B:/D的磨粒3之含有 照個別的含有量之分散二m紗輪片中，於以按 ==鍍覆相2成長，而依序積層第i至第5 離即^。 $成薄砂輪片磨粒層1後再從基材進行剥 因此’依據如此構成之電鑄薄砂輪片 砂輪片磨粒層！之層厚方向兩端 薄 的第卜第5磨粒層1A、1E， ^磨粒3的含有量多 上述外周緣部中尤其可提高外周面盘兩磨粒層1的 的兩刀口部的耐摩耗性，且藉由將作為切刀二:= 大 類的樹腊塑模中之電子材料文株^屬¥線架等在上述之 、甲之電子材枓零件的個片化， 318671 13 1314497 電極的樹脂底座所構成之電子材料零件的切斷，亦可在上 处金屬口P刀抑制毛邊的產生，而可提供高品級的電子材料 零件。 此外，在上述第1、第5磨粒層ΙΑ、1E 0層厚方向 内側’係配設有磨粒3的含有量較少的第2、第4磨粒層 因此上述第2、第4磨粒層1B、1D由於上述電 子材料零件工作件之切斷或切斷前的修整而相對地比第 1、第5磨粒層ία、ιέ麽缸士 , „ ▲ | ^ 厚耗大，如此一來如第2圖所示於 ^輪片磨粒層1之上述外周面規劃有環狀之凹部。接 二斷時產生之切屑係經由此凹部而排出，故防止起因 宙一 的毛邊或切斷面的瑕疵，而可促進 刀斷加工。此外，如上述藉由第2、第4磨粒 接鄰於作為切刃刀口之第！、第5磨粒層Μ、 突出二旱：向内側而形成此種凹部’使上述刀口部相對地 大出於外_而可確實地維持則的鋒利度。

^ 1Α另π方面，如此藉由利用個別接鄰於第1、第5磨粒 ^而=的料方向内側之第2、第4的2層磨粒層I 於纪載I:’依據上述構成的電鑄薄砂輪片，譬如相對 於5己載在專利文獻！中之設置有i 磨粒層之電鱗薄砂輪 面-又-、中央電鑄 較小，但亦可將第1 ^ 部的寬度與深度雖設為 別收容於接鄰的二而：磨粒層1A、1E造成的切屑各 凹部變得===::出:因此，防止此種 摩耗性，U 貝及正體薄砂輪片磨粒層1之耐 摩錢*因如此形成之深钓凹部而在D、第5磨粒層 318671 14 1314497 JA、1E產生剝離，並可提供壽命較長的電鑄薄砂輪片。 而且，並於上述第2、第4磨粒層1 b、1 〇之間，配 設有磨粒3之含有量比該第2、第4磨粒層1B、1〇更多 的第3磨粒層1C’因此此第3磨粒層lc，係比規劃為上 述凹部之第2、第4磨粒層1B、1D還突出，而形成與第卜 第5磨粒層1A、巧相同的切刀刀口，而於切斷如上述之 電子材料零件時，上述之切刃刀口先切入上述導線架或電

極等之金屬部分。因此’上述第！，帛5磨粒層Μ、^ E 中之一方即使不與此金屬部分接觸，只要另一方盘層厚方 二=部之第3磨粒層1C接觸便可防止於薄砂輪卿 d產生振動，亦即可確保該電鑄薄砂輪片之直進性 防止產生蛇行。 類的依據上述構成之電轉薄砂輪片，可防止下述之 =事態，即因此種蛇行而使切斷加工本身變成不可能， ，斷寬切Γ程度但亦變得不得不考慮蛇行而將切 >辦見度5又疋大一點，以致從有限的大 子材料零件的數目減低。並且 二_錢之電 行故·^制1 $ A 作件的切斷面亦無蛇 輪片品級的電子材料零件’如上述藉著謀求砂 料=命的延長，而可長期穩定且有效地提供此種電子材 5二f本實施形態的電靖薄砂輪片中，第1、第3、第 5磨粒層1A、1C、1E之磨粒3的 第3第 _内之同時，第2、第4磨粒層1Β、ι〇之為 1係設為在一%之範圍内，而可更確實 318671 15 1314497 人亦即，第1、第3、第5磨粒層ΙΑ、1C、1E之磨粒3 、十有量）到低於15vol%之程度時耐摩耗性便降低，如上 二於作為抑制毛邊的發生之切刃刀口的第卜帛5磨粒層 …、1E產生邊角鈍化，或作為確保直進性之切刀刀口的 弟3磨粒層lc後退而可能無法謀求舆第1、第5磨粒層 時對金屬部分之接觸。再者，相反地當磨粒^ 各有i多到超過咖。1%時，尤其是第i、第5磨粒層1A、 =硬度變得太高而磨粒3變得難以脫落， 促進切刀的自P i ώ ^ 邊的發生 使鋒利度爻鈍而變得無法確實抑制毛 :-方面’第2、第4磨粒層1B、1D之磨粒3的含 既狹窄j!H1vo1/°\’因摩耗所區劃的上述凹部其寬度 ^太深而使第i、第5磨粒層ia、ie有容 S :之虞’相反地多到超過1〇V〇1%時與第卜第3、 、粒層1A、1C、1E的磨粒3含有量之差變小 ==不太;分:Γ:Γ受到阻礙而導致_ 磨粒層1Α、二之第虞3二^^^ 層1A、1C、1Ε之磨 ^人之同時接觸性，上述磨粒 設為相等，且為了將第2 =Γ最好如本實施形態地 部設為相等的深度二二磨粒層1Β，形成之凹 層的磨二之切屑的排出，上述磨粒 為相等。 3有里亦同樣是最好如本實施形態設 此外，在本實施形態中上述第1至第5磨粒層以至 318671 16 1314497 IE之層厚’係設為整體薄砂 亦即設為相等的層厚， ：：層1之層厚的"5, 第1、第5磨粒層'達成抑制/防止毛邊的效果之 第4 &府 iE;用以確保切屑排出性之第2、 第4的磨粒層1β 利！·生之弟2 層1C，得以相万、# ， 用以確保直進性之第3磨粗 個的作用效果。亦即，上、又而可確實達成其各 J 1 上述的磨粒層1A $ 1 ϋ a , ja 的層厚譬如如太厚時，則其餘的磨二二f 一層會變得太壤 至之至乂 粒Ρ ΙΑ V 該至少1層磨粒層若為第1、第5磨 第：=:可:無Γ寻到毛邊的抑制⑼ 制效果《得不充 .鑄薄砂輪片的直進性可能受損。1層1C則切斷時的電 再者’為了以此方式確實逵 至巧之各個作用效果，如磨粒層 體薄砂輪片磨粒層！的層厚之只要設為皆在整 >譬如，磨粒層!咖中；St 範圍内即可。 層厚之-，其餘的2層:砂，粒層1的 如上述之薄砂輪片磨粒声、Λ ’、°仁疋，為了確保

盥第5磨极屏1F s 、對稱性’最好第1磨粒層1A 興弟^磨粒層1E之層厚係相笙 磨粒層1D之層厚㈣2 t 絲層⑺與第4 厚/予T為相專，並且第1 1E與第3磨粒層lc之層厚亦最 ：《 、 是尤其如本實施形態所有 ：’、、、目、、’更理想的 ^ 结粒層至1E之厗厘执达上 等而為整體薄砂輪片磨粒層！之層厚的1/5。層厚叹為相 又，如此為了將第1至第5磨粒層以錢之層厚確 318671 17 1314497 二控=體薄砂輪片磨粒層1的層厚之1/6至1/4範圍 好是分散於該磨粒層1的層厚之1/5，最 顆粒直徑（平均顆粒直徑） 在崎相2之磨粒3的 的層厚之W以下。亦即，體薄砂輪片磨粒層1 ^ . 此磨粒3之顆粒直徑太大時， 粒層；的Λ1Ε的金屬鍍覆相2之厚度即使為薄砂輪片磨 •突:而内二二1/6以上，磨粒3亦會從該金屬鑛覆相2 =内：在接鄰之磨粒層1…，結果接鄰於上述層 〔==!粒層彼此之界面(交界面)變得無法控制而部分 声1Α曰至子，而可能變得無法確實達成各磨粒 =α^ε之作用效果。但是，此磨粒3之顆粒直 ==使研削阻力變大而於工作件產生燒傷，故此 粒直徑’係相對整體薄砂輪片磨粒 層；取好是設為1/3〇以上。 (實施例） 明二舉出更具體的實施例，就本發明的效果加以說 。在二貫:：中’利用根據上述實施形態之電鑄薄砂輪 片’進灯由具有如第3圖所示之金 ，脂的底座12所構成之LED工作件13的切斷之 時之由電極11所發生的毛邊14之大小（但是，將如第3圖 所示延伸於横向（進給方向）之毛邊14的大小設為/而: =於下方向的毛邊14之大小設為γ。），各 與^切斷時予以測量。將其結果作為第！實施例 料、輪片磨粒層的第1至第5磨粒層之磨粒含有量同時表 318671 18 1314497 :『表。此一工作…符號i5部分係環氧 58但是二在此第1實施例中，電鑄薄砂輪片係外徑 而Γι Γί ΓΓ、厚度(薄砂輪片磨粒層之層厚)〇.15_， :1至弟5磨粒層之層厚係個別為〇 〇3· =:。，而磨粒係顆粒直徑8/2。一石磨粒二 紙：二10:外’/切斷條件係主軸旋轉* 18000(1/min;、進 位從薄砂_進給 之冷却水-邊分別供應L=二\兩=側^1 .聊㈣ 工作件13的尺寸係如第3圖所示。 ，丄切斷之㈣ 第—對於㈣1實施例的比較例，於與 薄砂輪片相㈣金顧覆相具備分散相 =t=之相同的外形尺寸之薄砂輪片磨… 3磨:二：層於該層厚方向依序積層有第1至第 匕磨粒層其中第！、第3磨粒層之磨 磨粒層之磨粒含有量更多的3層構造之電鑄砂輪片為比 之單層構造的電鱗薄砂輪 生的毛…大 :弟1至第3磨粒層的磨粒含有量同時表 不t表:其中，在第1比較例中第1至第3磨粒層之 層厚，係為薄砂輪片磨粒層的層厚〇15_之^。曰 318671 19 1314497 【第1表】 第1磨 粒層 第2磨 粒層 1粒含有J 坌3麻 ；---— ----- ~~切斷初期~ *----— tTlifrJiH 触 ^Vrr, 1 笛1 牙》二傲 粒層 第4磨 粒層 第5磨 1粒層 Χ(μιη) Υ(μπι) Χ(μπι) Υ(μιη) 實施例 25voI% 8voI% 25vol°/〇 8vol% 25vol°/〇 52 65 55 62 發生蛇4 73 f而無法 第1 比較例 25vol% 8vol% 25vol% ----- 60 第2 -—------ ---—-, 進行切斷 比較例 ZDVOlyo 124 80 142 118 依據此第1表之結果 1*先在薄砂輪片磨粒層以一另 1 勺磨ί含有量（25v°1%)分散磨粒之單—的第1磨粒層所才』 成之4 2比較例中’從切斷初期到進給方向及下方向之; =4的大小X、Y同樣很大’而隨著切斷距離增加而㈣ 曰^在5〇m切斷時Χ、γ同時成為超過⑽㈣之大小 接作為製品來使㈣何能。料，在按照上述專利^ 比ΓΓ，切斷初期的毛邊14雖χ、γ_ 在小里，但隨著切斷距離增加於電鑄薄砂輪片產生鮮 二身：Γ切斷時從預定的執道(street)大幅地超出使切

==可能。相對地，依據本發明之第1實施例的 j柄輪片，從切斷初期毛邊的A0X、Y 切斷時亦同樣被抑制在小量，而且亦無蛇行的發 生而可進行高品級的切斷。 第2其ί本發明的實施例之電鑄薄砂輪片巾，利用將 、…粒層的磨粒含有量設為一定而為滅，且 弟3第5磨粒層的磨粒含有量作種種變化之.7 31S671 20 1314497 種電鑄薄砂輪片、以及相反地將第卜 磨粒含有詈机兔 ^ . . 第5磨粒層的 名心有m疋而為25vol%，並使第2、第 的磨粒含有量作種種變化之4種電鑄薄砂輪片，將以與^ 1實施例相同的條件切斷相同的LED工作件丨3時之^、 14的大小X、γ按照各預定的切斷距離予以測量。將該= 結果，分別作為第11至第17實施例及第21至24實施例 表示於第2表、第3表。此外，在第3表中作為第3比較

例，將第2、第4磨粒層的磨粒含有量設為〇v〇t%，亦即 就沒分散磨粒到第2、第4磨粒層者亦將測量毛邊14的大 小X、Y之結果予以表示。其中，關於各電鑄薄砂輪片的 外形尺寸、金屬鍍覆相、磨粒、各磨粒層之層厚係亦與第 1實施例相同。 磨粒含 有量（ vol%) 切斷距離 lm 切斷距離 10m 切斷距離 20 m 切斷距離 50m 第1 磨粒 層 第2 磨 粒 層 第3 磨 粒 層 第4 磨 粒 層 第5 磨 粒 層 X _ Y (㈣ X ㈣ Y (μτη) X ㈣ Y (μπι) X (μπι) Υ (m) 第11 實施例 45 5 45 5 45 91 98 95 101 96 104 98 108 第12 實施例 40 5 40 5 40 66 69 67 71 69 73 72 75 第13 實施例 35 5 35 5 35 58 63 58 67 61 69 62 74 第14 實施例 25 5 25 5 25 42 51 48 56 51 59 54 62 第15 實施例 20 5 20 5 20 38 41 43 45 48 52 52 58 第16 實施例 15 5 15 5 15 35 39 39 43 44 50 53 60 第17 實施例 10 5 10 5 10 44 49 68 72 81 93 101 103 21 318671 1314497 第3表 够1 磨制 卜有量（V 〇Ρ/ο) lm 切_雜 l〇m 切斷麟 20m 切斷_ 50m 第1 輙 第2 第3 第4 第5 —第3 例 篦21 磨粒 雜 層 MiL 層 磨粗 Χ(μηι) Υ(μηι) Χ(μιη) Υ(μιη) Χ(μπι) Υ(μιη) Χ(μιη) Υ㈣ 25 0 25 0 25 55 61 62 73 84 79 89 87 魏 例 25 1 25 1 25 53 59 57 64 68 72 79 83 魏 例 第23 25 5 25 5 25 42 51 48 56 51 59 54 62 例 25 10 25 10 25 58 65 67 71 70 74 75 78 第24 __ 例 25 15 25 15 25 83 91 95 93 97 99 103 108 其中，首先由第2表的結果，在第丨、第3、第5磨粒 層的磨粒含有1設為多的45v〇1%之第丨1實施例中，從切 斷初期的切斷距離lm之時點毛邊14大到X、Y同時幾乎 ^近1〇〇μΠ1，而P遺著切斷距離增加雖沒顯著增大，但其傾 °係持/到^50m切斷時尤其γ成為超過！⑼#瓜之大小。 夕笛在!第丄第3、第5磨粒層的磨粒含有量設為少的10vo1% =17，'施例中，雖然切斷初期毛邊 曰 隨著切斷距離前進毛邊 /生较夕仁 急劇增大之毛邊14，5〇 \大里變大而發生X、Y同時 大約同等大小的毛邊：切斷時係產生與第11實施例 ! 5至相第第/2至第^每第5磨粒層的磨粒含有量設為 弟至16實施例中，相較第Η實施例切 318671 22 1314497 斷初期的毛邊14較 切斷距離增加 面相較第17實施例隨著 5〇m切齡毛邊的增大量X、Y皆被抑制在少量，, 5如切斷時亦抑制低於8 ?里，在 第3、第w j μΠ1之大小。尤其，其中在第工、 磨粒層的磨粒含有量設為2()至35ν_ 果知例中，切斷初期的毛邊14 弟 斷時的增大量皆爭丨. 大小以及到5〇m切 制效果。^小，亦即知道穩定地維持有高的毛邊抑 另一方面 磨粒含有量之結果，在第2、第4磨粒層之 不含磨叙之徭3、 疋即°又為弟2、第4的磨粒層為 邊U雖小二第:比較例中’切斷初期的毛 切斷^$ 粒層的摩耗顯著，於、 又:’卜第5磨粒層產生剝離而變得無法進行切 比i他的目第3在第2、第4磨粒層的磨粒含有量為 至23實施例設為更多的第24實施例中，即 使比起弟21至23實施例或第2比較 即成為大的傾向。 _刀』毛邊14 相對地，在將第2、第4磨粒層的磨粒含有量設為} 至lOvol%之第21纟23 #施例中，切斷初期的毛邊ΐ4χ、 γ皆小，而且到50m切斷時之前的毛邊14之增大量亦被 抑制在小量’尤其在將第2、第4磨粒層的磨粒含有量嗖 為5v〇l%之第22實施例中其傾向顯著。此外，在以下的= 4表、第5表係表示有：將第卜第3、第5磨粒層的磨粒 含有量分別設為35v〇l%、20V〇l%，且將第2、第4磨粒層 的磨粒含有量設為1至l〇v〇l%之第31至33實施例以及第 318671 23 1314497 41至43實施例的結果者，而察知具有與第3表之第21至 23實施例相同的傾向。 第4表 磨粒含有量（v〇l°/o) 切斷距離lm 切斷距離10m 切斷距離20m 切斷距離50m 第1 第2 第3 第4 第5 磨粒 磨粒 磨粒 磨粒 磨粒 X(_ Y(㈣ Χ(μηι) Υ_ X㈣ Υ(_ X㈣ Y(㈣ 層 層 層 層 層 第31 實施 35 1 35 1 35 64 69 66 73 71 76 74 82 例 第32 實施 35 5 35 5 35 68 73 68 77 71 79 72 84 例 第33 實施 35 10 35 10 35 72 75 73 78 75 81 77 82 例 磨粒含有量（vol%) 切斷距離lm 切斷距離10m 切斷距離20m 切斷距離50m 第1 磨粒 層 第2 磨粒 層 第3 磨粒 層 第4 磨粒 層 第5 磨粒 層 X㈣ Υ_ Χ(μιη) Υ_) Χ(μτη) Υ㈣ X㈣ Υ(μιη) 第 41 實 施 例 20 1 20 1 20 47 49 50 54 54 58 61 66 第 42 實 施 例 20 5 20 5 20 48 51 53 55 58 62 62 68 第 43 實 施 例 20 10 20 10 20 53 55 56 57 60 63 64 71

其次，第6表係將第1、第3、第5磨粒層的磨粒含有 量設為25vol°/〇，而將第2、第4磨粒層的磨粒含有量設為 5vol%，且將使上述第卜第3、第5磨粒層的層厚與第2、 第4磨粒層的層厚變化之第51至55實施例之切斷結果予 24 318671 1314497 以表示者，其他的條件等係與第1實施例相同，亦即整體 薄砂輪片磨粒層之層厚係同為0.1 5mm。 第6表

層厚(mm) 切斷距離lm 切斷距離10m 切斷距離20m 切斷距離50m 第1 磨粒 層 第2磨 粒層 第3 磨粒 層 第4磨 粒層 第5 磨粒 層 X(Mm) Υ(μπι) Χ(μχη) Υ(_ X㈣ Υ㈣ Χ(μηι) Υ(μτη) 第 51 實 施 例 0.02 0.045 0.02 0.045 0.02 68 84 73 82 79 85 84 89 第 52 實 施 例 0.025 0.0375 0.025 0.0375 0.025 57 72 66 74 71 78 79 81 第 53 實 施 例 0.03 0.03 0.03 0.03 0.03 52 61 58 66 61 69 64 72 第 54 實 施 例 0.033 0.0255 0.033 0.0255 0.033 55 58 57 59 63 67 71 74 第 55 實 施 例 0.04 0.015 0.04 0.015 0.04 SI 62 S8 68 δδ 75 92 80 由此第6表的結果，在第1、第3、第5磨粒層之層厚 為0.02mm比薄砂輪片磨粒層的層厚之1/6(0.025mm)設為 更薄，又第2、第4磨粒層的層厚為0.045mm比薄砂輪片 磨粒層的層厚之1/4(0.0375mm)設為更厚之第51實施例 中，尤其下方向之毛邊14的大小Y從切斷初期就較大， 且其傾向係持續至50m切斷時。另一方面，相反地在第1、 第3、第5磨粒層的層厚為0.04mm比薄砂輪片磨粒層的 25 318671 1314497 層厚之1/4設為更厚， 比薄砂輪片磨粒層:第4磨粒層之層厚為〇.〇15mm ’厚之1/6設為更薄夕筮 中，尤其進給方向的 #之第55貫施例 瞎、 邊14之大小X以及盆秘曰 斷初期到50m切斷時係較大。 及八牦大罝由切 相對地，在第1 $笛 砂輪片磨粒層的層厚之 粒曰的層厚皆設為在整體薄 實施#I Φ b龄、 6至1/4的範圍内之第52至54 例中，切，期的毛邊14及其增大量Χ、γ皆較小， 尤其在第1至第5磨叙爲& 白季乂 ·/ 芦的岸n wn 勺層居相4’亦即薄砂輪片磨粒 ^的層厚,又為㈣.03軸)的第53實施例中，其傾向最顯 最後，第7表係同樣將第i、第3、第5磨粒層的磨粒 含有量設為25vol%，而將第2、第4磨粒層之磨粒含有量 设為5vol%，且將此磨粒的顆粒直徑作種種變化之第6丨至 65實施例的切斷結果予以表示者，其他的條件等係與第工 實施例相同。 磨粒 吉婉 切斷, ε離lm 切斷距 離l〇m ~~Ϊϊ 斷 5Ε 離20m ~~&斷距離50ιι/ 第61 實施例 5/10μτη Χ(μχη) 41 ϊ、μπι; 45 Λ、μιη, 52 Υ(μχη) 56 x(Mm) 58 —Υ_ 59 _ χ(μπ〇 69 75 第62 實施例 6/12μηι 48 53 54 61 63 65 72 73 第63 實施例 8/20μηι 52 61 58 66 61 69 64 72 第64 實施例 20/30μαι 62 54 66 58 67 60 71 68 第65 實施例 30/40μχη 78 83 82 84 92 88 93 95 •第7表 由此第7表之結果，首先在磨粒直徑超過整體薄砂輪 3^671 26 1314497 片磨粒層的層厚之l/5(0.03mm)而為3〇/4〇μιη之第65實施 例中，從切斷初期毛邊14係又、丫皆較大，而增大量雖並 不那麼大，但其傾向係持續到5〇m切斷時。相對地，在磨 粒直徑設為整體薄砂輪片磨粒層的層厚之1/5以下的第Η 至64實施例中’從切斷初期毛邊14就小，而且隨著切斷 距離^之增大量亦少，且即使於編切斷時亦被抑制在 .較小量。其中，在磨粒直徑低於整體薄砂輪片磨粒層的層 寻之l/30(0.005mm)的第61實施例中，毛邊^本身雖小^ 但在LED工作件13之由玻璃環氧樹脂所形成之底座u產 生有燒傷，直接作為製品係不適當。 【圖式簡單說明】 .、帛1圖係表示本發明—實施形態之電鑄料、輪片

視圖。 J =2圖係於第！圖所示之實施形態的薄砂輪片磨粒層 1之外周緣部的放大剖面圖。 工 • 第3圖係依本發明的實施例及比較例而切斷的L E D 作件13之剖面圖。 主要元件符號說明 1 薄砂輪片磨粒層 1A 1B 第2磨粒層 1C 1D 第4磨粒層 1E 2 金屬鍍覆相 3 4 填料 第1磨粒層 第3磨粒層 第5磨粒層 磨粒 318671 27

Claims (1)

1. — __ 卿έ月办修(芦正钢^ 951394^=3 1 ................. 晒___—»|^—_·ΙΙ I ) .1314497 十、申請專利範圍： '種:鑄薄砂輪片，係具備於金屬鍍覆相分散磨粒而構 成之薄砂輪片絲層，此薄砂輪片餘層係具有依序積 曰於”亥薄砂輪片磨粒層的層厚方向之第1至第5磨粒 I < :、中第1、第3、第5磨粒層之上述磨粒的含有量 知叹為比第2、第4磨粒層之上述磨粒的含有量多。 .如申請專利範圍第i項之電鑄薄砂輪片，其中，上述第 3、第5磨粒層之上述磨粒的含有量在15至牝 圍内’而上述第2、第4磨粒層之上述磨粒的含有 置在1至l〇v〇i%之範圍内。 3‘ ^申請專利範圍第1項或第2項之電鑄薄砂輪片，1 片廢=第1至第5磨粒層之層厚’皆在上述整體薄： 片应粒層的層厚之1/6至1/4之範圍内。 4· ^請專利範圍第1項或第2項之電鱗薄砂輪片，立 二广顆粒直徑設為在上述整體薄砂輪片磨粒 噌的層厚之1/5以下。 5.如申請專利範圍第3項之電鑄薄砂 私+ k 1 /、甲’上述磨 y 、；直徑設為在上述整體薄砂輪片磨粗声的；S厚 之1/5以下。 a日序 3】867〗修正本 28