TWI310971B - Method and apparatus for predicting device electrical parameters during fabrication - Google Patents

Description

1310971 . 玫、發明說, [發明所屬之技術領域] 本發明大致上係關於半導體裝置製造領域，詳言之， 係有關於製造過程中預測半導體·裝置之電氣參數之方法及 系統。 [先前技術] 在半導體製造工業上有一股持續的力量促使增進積體 電路裝置譬如微處理器、記憶體裝置等之品質、可靠度、 和產量。此動力係源自於消費者要求要有更可靠操作之高 品質電腦和電子裝置。此等要求已造成半導體裝置（例如電 晶體）製造以及結合此電晶體之積體電路製造的持續改 進。此外，減少一般電晶體之組件製造之缺陷亦降低對每 個電晶體之總合成本，以及設有此電晶體之積體電路裝置 的成本。 —般而言，使用各種之製程工具，包括微影術步級器、 蝕刻工具、沉積工具、研磨工具、快速熱處理工具、植入 工具等等，而在晶圓上執行一組之處理步驟。用來改進 半導體製程線之操作的一種技術，包括使用工廠廣泛控制 系統來自動控制各種製程工具之操作。製造工具與製造機 架或處理模組之網路溝通。各製造工具通常連接到裝備介 面。裝備介面連接到可促使製造工具與製造機架之間溝通 ^機益介面。機器介面通常可為先進製程控制（APC)系統 白勺 部分。APC系統根據製造模型而起始控制描述符 (Sc · npt) ’该製造模型可以是自動取得須用於執行製程之資 6 92389 1310971 料之軟體程式。時常’ +導體裝置經歷多個階段，使用多 種製造工具於多重製程中，產生相關於處理之半導體裝置 之品質的資料。將預先處理和（或）事後處理度量資料供應 至用：此等工具之製程控制器。製程控制器根據性能模； 和度量資訊而計算操作方法參數’以圖達成能盡量接近目 ，值之事後處理結果。以此方法可減少變化而導致增加產 罝、降低成本、提昇裝置性能等，凡此皆相當增加了產品 的利潤。 於一般之半導體製造設備，晶圓以稱之為批次之分組 方式處理。於某一特定批次之晶圓，$常經歷了相同之製 程環境。於一些工具中，於一批次中所有之晶圓係同時處 理’而於其他的工具中該等晶圓係於相似的狀況下(例如， 使用相同的操作製法）分別地處理。一般而言，一批次的晶 圓於其製程循環開始時即指定了—優先等級(pri〇rity)。可 根據例如於-批次中晶圓的數目、或其測試或實驗之批次 的狀態’而訂定優先等級。 於某一特定製程步驟，比較所有準備進行製程之批 次的相關指定優先等級。使用各種規則以決定選用那一 適當批次的晶圓進行製程。舉例來說，具有相同優先等 級之二個批次，經常選用較早的批次作為後續之處理。 於晶圓之測試批次之情況（亦即，通常包含了較少數量之 晶圓），該批次晶圓經歷-個或多個的實驗製程步驟或製 法調整，以試圖改進製程性能或所得裝置之性能。在使 用實驗參數開始生產固定產品批次之前，根據於測試批 92389 7 1310971 ί中：！之所得的各特性值，首先測試經改變後之效 品#疋很有用的。111此，指定欲测試批次較其他的產 m相當高的優先等級’而使得其製程能更快地 上”一&所私疋之特定優先等級如何，該等規則本質 足邊怨的和子g I、玉+ . 其處理w 定批次之優先等級一般於 次改變期間並不會改變’除非例如其狀態從產品批 人改變為測試批次。 於製程中可能發峰久德#、w 性能。也就是說，製程步料二^會影響所製造裝置纪 化。链一，製步驟中之變化’導致了裝置性能變 污染等之夂田i 杉隸層次、接觸電阻、微相 通常都以等级、’全然可能影響了裝置之最後性能。裝置 ==測量來排列，此測量所得的等級 疋了忒裝置之市場價值。一 則有較高之市場價值。。u有“的等級， 因為有报多之變數影響 成袭置之電氣測試之前，报難=‘，特性’因此在完 以（waferelectricaltest,w 日日® 包範 圓過程中實施，而是直到製程的)非般並不在製造晶 製程完成後數週，才予實施。當有：個有時在 出最後的晶圓而其WET測 3夕固製程步驟產 所得的晶圓廢棄。缺而曰不’’、、不可接党時，則須將 的時間週期中產生而不被 良1&也♦於相當 棄的晶圓，浪費許多材料 被更正’而造成許多廢 以 並減少整體的產量。 本t明即針對以克服， 及至J減少了一個或更多個上 92389 8 1310971 述問題之影響。 [發明内容] 二發：之-態樣為提供—種方法，該方法包括提供一 第7於丰¥體裝置之初始特性值。於半導體裝置上施行 苐-製程。收集關聯於第—製程之製造資料。至少其中一 ^始特性值用於第—製程中所收集的製造資料來代替， :則丰2修正之特性值組。根據該修正之特性值組而預 ’、+導體裝置之至少-個電氣特性之第-值。 •本4明之另—態樣為提供-種系統，該系統包括第一 程工具、第一資料收集單元'和預測單元。該第一製程 工具組構成用來於半導體裝置上施行第-製程。該第一資 :收集單元，構成用來收集關聯於該第一製程之製造資 …㈣測單元組構成用來提供—組關聯於該半導體裝置 之初始特性值，用第-製程中所收集的製造資料來代替至 中一個初始特性值，以產生第一修正之特性值組，並 "D亥修正之特性值組而預測半導體裝置之至少一個+ > 特性之第一值。 夕個电*1 [實施方式] 雖j本發明可容易作各種之修倚和替代妒4 參考圖式舉例說明之方式而詳細說明了本:::特= 例然而，應暸解到此處特定實施例之說明並不 制本發明為所揭示之特定形式，反之，本發明 y限 洛於所附中請專利範圍内所界定之本發明 神二有 之修飾、等效和替代。 U申和祀圍内 92389 9 1310971 本二：中將說明本發明之示範實施例1 了清楚起見， 本说明書中並非將所有實際施行本發 明。去妒止 令知月之特徵，均作了說 必須V二們當瞭解，在開發任㈣^ 定目根實施Γ相關之決定’以便達到發明者的特 下付合隨著實施例的不同而有所變化的與 冑業相關之限制條件。此外，我們應當瞭解，此 開：工作可能是複雜且耗時的，然而1已從本發明的 揭不事項獲益的熟悉此項技藝的一般知識 一種例行之工作。 仍將疋 兹參照第i圖，提供了例示製造系統10之簡化方塊 T °於此例示的實施例中，製造系、、統10適用於處理半導體 晶圓，然、而，本發明並不受限僅能使用於此系統ι〇，而^ 可使用於其他類型的製造環境，和其他類型的工件'網路 π互連於製造系統之各組件間，使他們之間可以交換資 ^。例不的製造系統10包括複數個製程工具3〇，各製程 工具30為了與網路2〇介接而耦接到電腦4〇。製造系統 亦=括一個或多個為了與網路2 〇介接而耦接到電腦6 〇之 又里具50。度里工具50可用來測量於製程工具別中處 里之a曰圓的輸出特性值’以產生度量資料。雖然工具3 〇、 5〇顯示為經由電腦40'60而與網路2〇介接但是工具3〇、 5〇可包括與網路20介接的積體電路，而不須使用：電腦 化、60。製造執行系統（MES)伺服器7〇藉由指引製造系統 W之製程流而指引製造系統10之高層級操作。MES伺服 器監視於製造系統中各實體之狀態’包括工具3〇、5〇。 92389 10 1310971 〇可以是譬如微影術步進器、蝕刻工具、沉積工 二亘研磨：具、快速熱處理工具、植入工具，等等之製程 9度里工具50可以是譬如光學測量工具、電子測量工 八知描電子顯微鏡、氣體分析儀，等等。 杳-貝料庫伺服器80《供用來儲存相關於製程流中各種 〇 件（例如，晶圓）之狀態的資料。資料庫伺服器80 可儲存資訊於一個或多個資料儲存器％中。度量資料可包 括，，田微結構測量、製程層厚度、電氣性能特性、缺陷測量、 表面輪廓’等等。對於工具3〇之維修歷史(例如，清除、 0 ^耗項目替換、修復）亦可藉由mes词服器Μ或藉由工 具操作器而儲存於資料儲存器9〇中。 —些製程工具30包括製程控制器100,該製程控制器 ⑽適用於自動控制其個別工具3G之操作製法。特定的製 /、3 0可以有夕於一個之製程控·4器⑽，可根據收集 之前饋和（或）反饋度量資料而調適以控制多於一個之操作 製法參數。若工具30是化學機械研磨(CMp)工具，則製程 控制器i 0 0可以接受預先研磨厚度測量（例如，高細微電路 結構的厚度、低細微電路結構的厚度），並預測需要達成後 研磨（post-polish)目標厚度之研磨時間或壓力。當製程工具 3〇是蝕刻工具時，製程控制器1〇〇可以根據預先蝕刻和⑷ 後蝕刻厚度測量而模型化製程工具3〇之蝕刻性能。製程控 制器100可以使用製程工具30之控制模型以產生其預測 值。可以憑經驗使用共知之線性或非線性技術，而發展控 制模型。控制模型可以是相當簡單的以方程式為基礎之模 92389 11 1310971 型（例如，線性、指數、加權平均，等等），或者是複”“ 型，如神經網路模型、主成份分析（PC =二雜杈 、 . 取統計迴 V模式（projection to latent structure ; Pis、描刺 核型。特定施 行之模型，可依於所選用之模型化技術而改變。使用控制 模型，製程控制H⑽可以決定操作製法參數以減少:製 程變化。特定的控制方案依於受控制之特定型式的製程工 具30而定。 製造系統10亦可包括執行於電腦12〇之缺陷監視哭 110，用來監視製造於製造系統1 〇中 衣置。缺陷監視器 110可使用由度量工具5〇所收隼之指 又木之扣不不可接受狀況之資 料。缺陷監視器11 〇可使用各種之姑& J尺合種之技術，譬如統計製程控 制（SPC)技術以發現缺陷。有缺陷之晶圓可予重製或捨棄。 確認和處理缺陷之技術為熟習該項技術者所已知，為/了清 晰和避免模糊本發明之焦點起見，該等技術在此將不作： 細之說明。 140之預測單元130，用 預測由製造系統1 0所製 製造系統1 0包括執行於電腦 來根據於製程期間所收集之資料， k之裝置的電氣特性。以下詳έ田句 广H兄明，預測單元1 3 0使用 模型化技術，該模型化技術將譬如從度量工具5 〇其中之一 來的度量資料、從製程工具3 〇其中之一來的製造資料、和 (或)從製程控制器1〇〇其中之-來的控制資料之資料，結 合入-組先前決定的設計值中’並計算對於完成之裝置之 各電器特性之預測值。舉例而言，當裝置首先開始該製程 時，預測單元】30開始用預設值作為裝置之特性值（例如， 92389 1310971 線寬、間隙壁寬、接點大小、層厚度、植入劑量 :製值可根據裝置之設計特性而定。當農置經 製“時’收集指示這些特性的物理值之 ^ 66 Μ Ώ + 貝料。所收 置的預：：初始值，且預測單元130更新完成之裝 "'電虱特性。當所收集之資料的數量增加時，預測 = = 加。因此預測單元13°能夠預測整個製程 :壞期間的電氣特性。預測之電氣特性對於影響製程設 疋s強故Ρ早偵測、和指引排程決定是很有用處的，此將 於下文中作更詳細之討論。 在不同之電腦40、60、70、80、120、14〇之間的處理 和資料儲存功能之分佈，通常實施用來提供獨立資訊和中 ^貝Dfl儲存。當然，可以使用不同數目之電腦和不同的配 置。 一種可用於製造系統10之範例資訊交換和製程控制 架構，係為先進製程控制（Advanced Pr〇cess c〇ntr〇i ; APC) 木構3如可以施行使用由KLA-Tencor公司提供的觸媒 系統（Catalyst system)。該觸媒系統使用半導體裝備和材料 國匕丁' (Semiconductor Equipment and Materials

International ’ SEMI)電腦整合製造（Computer Integrated

Manufacturing，CIM)架構依從系統技術，並根據先進製程 控制（APC)架構。CIM(SEMI E81-0699-用於CIM架構領域 構造之臨時規格）和APC(SEMI E93-0999-用於CIM架構先 進製程控制組件之臨時規格）之各規格可從SEMi公開取 得。 92389 1310971 本發明之某些部分和對應之詳細說明係用奸 表現於電腦記憶體内之資料位元操；或由 詞所表示。這些說明和表示為熟悉此項技號等語 送他們的工作内容至熟悉此項技藝之其;地傳 丨=的：算法一詞，係如其通常所使用的，設想成自： 需要本^ ，5丨導至料望之結果。料步驟為 #要只㈤呆作貫際數量之步驟。通常，雖然並非是必须的 這些數量係採用能夠予以儲存、轉換、組合、比較、和作 :他處理之光訊號、電訊號、或磁訊號之形式。已證實經 书為了方便’主要是為了共同使用之理由，將這 考為位元、數值、要素、符號、字元、術語、數目：等㊁： ’、、'而應虽s己住，所有的這些和相似的術語係相關於 適田的物理量’而僅為方便標記應用於這些數量。除非有 特別的說明，或者從討論中表現出，否則這些術語像是‘處 里（processing)或核算（computing) ” 或‘‘計眢 (calculating)或“判定（心如如以㈣，，或“顯示⑷叫叮）” 等等’係指電腦系統之動作和處理，<類似之電子計算裝 置將戶'除表現之在電腦系統之暫存器和記憶體内之電子 數置育料，刼作和轉換成在電腦系統記憶體或暫存器内， 或其他此等育訊儲存裝置、傳輸或顯示裝置内之表現為相 似物理量之其他資料。 兹參照第2圖’提供了第】圖之製造系統部分之簡化 方塊圖。製程工具30依照操作製法而處理晶圓2〇〇。製程 工具3〇 '亦可以是多室工* 3〇之單一室。度量工具50測量 14 92389 1310971 於製程工具；30中處理之晶圓的鉍l , 曰〕輸出特性，以量測由製程工 具3 0所施行之製程之效能。由疮θ 田度量工具50所收集之度量

資料可傳送到製程控制器1 〇〇，A 用來動態地更新製程工呈 3〇之操作製法，以減少測量之於山 <輪出特性和此特性之目標值 之間的變化。 由度量工具5 0所測量之齡山^ W出特性值亦可傳送到預測 單元130，用來更新於晶圓2〇〇 、 上裝置之對於電氣特性所 作的預測值。雖然僅顯示了—彳^制 1固製程工具30和度量工且 50 ’但是在實際的製造設備中 八 可以使用許多個製程工且 和度f工具。當晶Κ 200是在進行製程中，預測單元U〇 接收彳之各種度量工具來之度量資料。 預測單元1 30亦可以接收怂 女叹攸製程工具3〇來之資料， 從關聯於製程工具3〇之感測 一 … 圖中未顯示）來之，關於在 製程期間由晶圓200所經歷之势 、 二欠 ^私裱境的貧料。範例製造 貝枓包括室壓、室溫、退火時 士 “ 乙人蚪間、植入劑量 '植入能量、 電水此置、處理時間，等等。 頂測早兀1 3 0亦可接受從掣 王控制器1 00來之在製程期間使用# Μ #彡 :欠 j便用之關於刼作製法設定之 貝料。舉例而言，不可能言接、，則曰μ 制接心對於—些製程參數之值。 衣矛主控制器1 〇 〇可提供從制 ^ 衣私具3〇來之，對於這些泉數 括：：貫際製造資料之設定值。其他的製可 :由製程控制…評估和/或控制之各種狀態 為資2工具50、製程工具3〇、和製程控制器100可稱之 -、’欠集單元，收集於製造期間晶圓200上半導體裝置 92389 15 j3l〇971 製造之相關製造資料。 從第2圖中可看出，預測單元130使用模型化引擎in 來預測由設計向量1 24和製造向量1 26所特定之值所定義 的虛擬裝置之電氣特性。設計向量1 24表示預定用於裝置 之初始内設特性（亦即’用於製程之目標值）。包括於設計 向量1 24中之範例參數為N通道臨限電壓調整植入（NVT) 劑量、NVT能量、閘極氧化物厚度、N通道輕微摻雜沒極 植入（NLDD)劑量、NLDD能量44'通道長度、間隙壁寬度、 多晶矽閘極線寬，等等。這些參數說明電晶體之經驗結構， 並根據先前的工程知識所建立。可使用額外和不同的參 數，以說明不同之經驗結構。 製造向量1 26包括關聯於晶圓200上裝置之特性值， 該等值於製程期間所收集（例如，度量資料、製造資料、或 控制資料）。於一個實施例中，模型化引擎1 22於每次預測 電氣特性時’結合設計向量1 24和製造向量1 26。於另一 個實施例中，製造向量丨26用設計向量1 24中之值來起始 負載。當收集了特性資料’於製造向量1 2 6中之設計值由 測ΐ資料所代替。 各種技術之電腦支援設計（TCAD)工具可於商業上購 得’以執行模型化引擎122之功能。選用之特定模型化工 具依於所製造之半導體類型’和所希望預期之電氣特性之 努頁1而疋。範例軟體工具為由位於Mountain View, CA之

Synopsis公司所提供的Tsuprem -4和Medici。可由預測單 兀1 3 0所預測之範例電氣特性為驅動電流、環形振盪器頻 16 92389 1310971 率、記憶胞拭除時間、接觸電阻、有效通道長度，等等。 預測之電氣特性有多種用途。例如，預測單元13〇可 k供其預測值於故障監視器115，用於偵側故障目的。若 預測之電氣特性是在預定之範圍外’則可能表示晶圓咖 或用來製造該晶圓2〇〇之迤藉丁目士 之衣权工具有問題。故障監視器115 可根據預測之電氣特性起始自 r . τ^ 尺止動作。祀例更正動作 包括發送警告訊息至掣泮人g 、 、。貝，以建議排除問題、自動暫 停後續的處理'標記有疑慮之晶圓，等等。 _預測之電氣特性的另外一種用途為製程控制。預測單 凡1 3 0可將預測之電痛胜，卜士 # #、、 0„ ” 、值傳送到一個或多個製程控制 盗100 ’用來更新其控制工 釗工具30之操作製法。例如， 之預測之接觸電阻太高了，丨 則I程控制器1 00可調整金屬 電鍍參數以減少後續晶圓9 日日® 200之接觸電阻。製程控制器100 亦可調整譬如植入劑晋知θ 和此置之各參數，以影響後續電晶 體裝置之電氣性能。 預測之電氣特性亦可用 略友 _ ;排程目的。例如，若預測之 电氣特性指示南性能之步罢十曰 ^ φ, ^ 之裝置或具有與某一等級裝置之商用 而要相一致之預測之雷痛 Γλ/ίϋ 孔特性的裝置，則製造執行系統 (MES)伺服器70可調整肖 n ^ 匕括日日圓200之批次的優先等級。 问樣地，MES伺服器7〇 和 了根據預測之電氣特性而決定排 袪。例如，MES伺服器7〇 ' j徘程由具有較好的工具狀況（例 如，乾淨的工具、低缺 命 低覆蓋錯誤，等等）之工呈30 處理具有較高預測電氣特性的批次。 ，、 可使用預測之電翕拉M、 ’、寺性以產生用於更新由模型化引擎 92389 17 1310971 1 22所使用之預測模 際特性時，該等特性^ §測1了半導體裝置之實 , 此與預測值相比較以產生錯誤訊號。 …匕引擎122使用錯誤訊號 少對於未來預測之錯誤的大小。 41數以 絲參照第3圖’提供了依照本發明之 例，於製程期間預測裝置電 於古轧參數之方法的簡化流程圖。 ；▲^驟300，提供關聯於半導體穿置$ 括..卞夺媸表置之一組初始特徼 丰導體裝置上之第-製程。 於方塊步驟320 ,收隼關牌於铱制， 聯於第一製程之製造資料。於方 "^ " 0，至少其中一個初始特 所收集之製造資⑽值由在第-製程期間 …： 代替，以產生第-修正之特性值組。 於方塊步驟340，根據修正之姓地姑4 據^正之特性值組，預測半導體裝置 之至v —個電氣特性之第一值 於製程期間預測半導體裳置之電氣特性具有很多 可增加關於半導體裝置的製程和未來性能的瞭解。 2丄此資訊僅可於製程後期取得。於製程期間產生預 :使仔可根據將要製造之裝置的預定性能而調整製程 疋、確定故障狀況、和決定排程。 :示於上之特殊實施例僅作說明用，而對於熟悉此 言，於㈣本說明書習得其揭示之技術内容後 本發明可以諸多不同而等效之方式來修改和」 鉍。再者，除了以下之申請專利範圍中說 # ri, 〜7丨，亚不；ί t所示之構造或設計之細部作限制。因此，很明^ 以上揭露之特定實施例可作更改或修飾，而所有此等^ 92389 18 1310971 本發明提出下 白系考慮在本發明之精神和範圍β。由此， 列之申請專利範圍請求保護。 [圖式簡單說明] 由參照上述之詳細說明，I配合下列所附圖式，將可 暸解本發明’纟圖中相同之參考號碼係表示相同之元件， 其中： 弟1圖為依照本發明之一例示實施例之製造系統的簡 化方塊圖； 第Η為第1圖之製造系統的一部分之簡化方塊圖； 以及 第3圖為依照本發明之另一例示實施例於製造期間預 測裝置電氣參數之方法的簡化流程圖。 10 製造系統 20 網路 30 製程工具 40 ' 60 ' 70 ' 80 ' 120 、140 電腦 50 度量工具 70 製造執行系統（MES)伺服器 80 資料庫伺服器 90 資料儲存器 100 製程控制器 110 缺陷監視器 115 故障監視器 122 模型化引擎 124 設計向量 126 製造向量 130 預測單元 200 晶圓 300 、310 、 320 、 330 、 340 方塊步驟 92389 19

Claims (1)

1310971 lili 第92120756號專利申請案 申請專利範圍修正本 (95年7月，。 1·-種在半導體裝置製造過程中預測該 = 氣參數之方法，包括： 一體裝置之電 提供一組關聯於該半導體裝置之初始特性值. 於該半導體裝置執行第一製程； 收集關聯於該第一製程之製造資料； 至少其中一個該初始特性值用由該第— 收集之該製造資料來代替， 2 組；以及座玍弟修正之特性值 根據該第一修正之特性值組預測該 至少-個電氣特性之第—值。 導體裝置之 2·如申請專利範圍第1項之方法，進一步包括： 於該半導體裝置施行第二製程； 收集關聯於該第二製程之製造資料； 至少其中-個該初始特性值用由該第二製程中所 收集之該製造資料來代替， ^ 以產生第一修正之特性值 組；以及 根據該第一修正之特性值組預測該半導體裝置之 至少一個電氣特性之第二值。 3 ·如申請專利範圍第1項 ^ ^ 項之方法，進一步包括根據該電氣 4 1 *之弟一值確認關聯於該半導體裝置之缺陷狀況。 申請專利_ 1項之方.法，進-步包括根據該電氣 92389修正版 1 l3l〇97i 特性之第一值排程該半暮、 5 導體裝置以用於後續製程。 刪1項之方法，進-步包括根據該電氣 之据：制i決疋至少—個用於後續半導體裝置製程 之細作製法參數。 6·如申請專利範圍第1項之方 万法其中，預測該半導體裝 夏之該電氣特性之該第—佶隹 ^ ,, 决 值進一步包括預測驅動電 "丨L、環形振盪器頻率、記愔眙w〜以0日 μ胞找除時間、接點阻抗、和

有效通道長度之至少其中之一。 7. 如申請專利範圍第1項 方法其中，收集關聯於該第 一製程之製造資料進_ + 4 > 、 步I括收集關聯於該第一製程 之製程特性。 8. 如申請專利範圍第1項之方 万去其中，收集關聯於該第 一製程之製造資料進一讳_合紅 θ 貝付退步包括收集該半導體裝置之度 1特性。 9. 如申請專利範圍第1項 &矛項夂方法，其中，收集關聯於該第

氣程之製造資料進一步包括收隼 枯收果關聯於組構成控制 該第一製程之製程控制器的控制特性。 1 〇 _:種在半導體裝置製造過程中預測該半導體裝置之電 氣參數之方法，包括： 儲存關聯於該半導體裝置之製程於其製造 收集之特性； 提供關聯於該半導體裝置之初始特性值之向量； 用所收集之特性更新該向量；以及 根據該更新之向量，模型化該半導體裝置之至少一 92389修正版 2 1310971 個電氣特性。 u·如申請專利範圍第 型化之電氣特性， 況。 ίο項之方法，進一步包括根據該模 確認關聯於該半導體裝置之缺陷狀 二n:旄圍第】。項之方法，進一步包括根據該名 之氣特性，排程該半導體裝置以用於後續製程 3:=?範圍第】。項之方法，進-步包括根據《 程之性’決^至少—個詩後續半導體裝置靠 矛之彳呆作製法參數。 ΐ4.=請專利範圍第項之方法，進一步包括當新㈣ 予以儲存時重覆模型化該電氣特性。 15. 如申請專利範圍第瑙 半導其中’儲存關聯於該 千導體裝置之製程的特性進_ 亏選步包括儲存關聯於該半 導體裝置之製造的製程特性。 16. 如申請專利範圍第 if 喟4万法其中，儲存關聯於該 +導體裝置之製程的特性進一牛七 竹/·王遲步包括儲存關聯於該半 導體裝置之度量特性。 17. 如申清專利範圍第項之方沐，甘A 主播項之方法，其中，儲存關聯於該 牛導體裝置之製程的特性進—步白扛冲+ ^ 适步包括儲存關聯於組構 成控制該製造之製程控制器的控制特性。 18.—種在半導體裝置製造過中 友 丁頂而该+導體裝置之電 巩參數之系統，包括·· 第一製程工具，組構成於該半導 程； /千等體裝置施行第一製 92389修正版 1310971 貝;年收集單元，紐構成收集關聯於該 之製造資料；以及 預測早7L，組構成提供一組關聯於該 初始特性值，用由嗲第制^山 卞守遛衷置之 代替至”中一 所收集之該製造資科來 -巾個該初始特性值，以產生第一修正 性值叙，並根據該修正之特性值組而預： 之至少一個電氣特性之第—值。 體裳置 19.如申請專利範圍第18項之系統，進一步包括： 第二製程工具’組構成於該半導體裝置施行第 程；以及 〜爰 第二資料收集單元’組構成收集關聯於 之製造資料； 表程 其中該預測單元進一步組構成用由該第二製 所收集之該製造資料來代替至少其中一個該初始特性 值’以產生第二修正之特性值組，並根據該第二修正之 特性值組而預測該半導體裂置之至少—個電氣特 第二值。 20·:申請專利範圍第18項之系统，進一步包括缺陷監視 器可溝通地耦接於該預測單元以接收從該預測單元來 之該電氣特性之該第一值，並根據該電氣特性之該第— 值確認關聯於該半導體裴置之缺陷狀況。 1如申請專利範圍第18項之系、统，進一步包括製造執行 系統祠服器，T溝通地轉接於該預測單元以接收從該預 測單元來之該電氣特性之該第一值，並根據該電氣特性 92389修正版 4 1310971 之該第一值排程該半導體裝置以用於後續製程。 22·如申請專利範圍第18項之系統，進一步包括製程控制 器’可溝通地耦接於該預測單元以接收從該預測單元來 之該電氣特性之該第一值，並根據該電氣特性之該第一 值決定用於後續半導體裝置製程之至少一個操作製法 參數。 23. 如申請專利範圍第18項之系統，其中該預測單元組構 成預測驅動電流、環形振盪器頻率、記憶胞拭除時間、 接點阻抗、和有效通道長度之至少其中之一。 24. 如申請專利範圍第18項之系統，其中，關聯於該第一 製程之該製造資料進一步包括關聯於該第一製程之製 程特性。 25·如申請專利範圍第18項之系統，其中，關聯於該第一 製程之該製造資料進一步包括該半導體裝置之度量特 性。 ’ 26’=中請專利範圍第18項之系統，其中，關聯於該第一 製程之該製造資料進一步包括關聯於組構成控制該第 —製程之製程控制器的控制特性。 7· >種在半導體裝置製造過程中預測該半導體裝置之電 氣參數之系統，包括： 貝料儲存器，組構成儲存該半導體裝置於其製造期 間所收集之特性；以及 預測單元，組構成提供關聯於該半導體裝置之初始 特性值之向4，用該所收集之特性來更新該向量，並根 92389修正版 5 1310971 據該更新之而I u Θ量輪型化該半導體裝置 特性 ·<-王：y 2 8.如申請專利範圍坌，7 = ^ 器，可溝通地執接二、统’進—步包括缺陷監視 化之編： 預測單元，並叙構成根據該模型 29如申請專利1=認關聯於該半導體裝置之缺陷狀況。 系統伺服二溝第二::系統，進-步包括製造執行 據該模型化之電氣H於該預測單元，並組構成根 續製程。电齓特性而排程該半導體裝置以用於後 3器乾圍第27項之系統，進-步包括製程控制 二之電/二柄接於該預測單★，____ 乳特性而決定用於後續半導體裝置製程之至 一個操作製法參數。 31.:申請專利範圍第27項之系'统，其中該預測單元進_ 當新的特性予以收集和儲存時重覆模型化該 32.如申請專利範圍第 一步包括關聯於該 3 3 ·如申請專利範圍第 一步包括該半導體 34.如申請專利範圍第 一步包括控制特性 27項之系統，其中該收集之特性進 第一製程之製程特性。 27項之系統’其中所收集之特性進 裝置之度量特性。 27項之系統’其中所收集之特性進 預測該半導體裝置之電 35. —種在半導體裝置製造過程中 氣參數之系統，包括： 92389修正版 6 1310971 用於提供一組關聯於該半導 、 之機構； 裝置之初始特性值 用於在該半導體裝置執行 用於收集關聯於該第一製二：機構， 用於將至少其中—個，Γ製造資料之機構； *所收集之該製造資料來二：】=由=-製程 值組之機構；以及 產生第-修正之特性 :根據該第—修正之特性值組 …值之機構。 氣參數之系統，、包括r過程中預測該半導體裳置之電 間所聯於該半導體裝置之製程於其製造期 τ收m之特性之機構； 量之::提供關聯於該半導體裝置之初始特性值之向 收集之特性更新該向量之機構；以及 至少—個電=新之向量而模型化該半導體裝置之 似電乳特性之機構。 92389修正版 7 『廿 3/3