JP5341448B2 - 品質管理方法、半導体装置の製造方法及び品質管理システム - Google Patents

Description

本発明は、品質管理方法、半導体装置の製造方法及び品質管理システムに関する。

従来より、半導体装置の製造プロセスにおいては、半導体ウェーハに数百工程に及ぶ処理を施して、最終製品である半導体装置を製造している。そして、このような製造プロセスにおいて、各工程の処理条件や中間製品の出来映えを説明変数とし、最終製品の特性を目的変数とした重回帰式を構築し、この重回帰式を用いて製品の品質管理を行う技術が知られている。すなわち、上述の重回帰式を使用して、処理条件や中間製品の出来映えから最終製品の特性値を予測し、予測値が所定の管理範囲から外れたときに、不良品が発生したと判断し、警報を発信する。これにより、半導体装置が完成する前に不良品の発生を予測し、早期に対策を講じることが可能となる（例えば、特許文献１参照。）。

しかしながら、上述の従来の技術においては、工程の途中で製品の特性値を予測することはできるものの、この予測結果を各工程の製造現場にフィードバックすることは難しいという問題がある。また、各工程の工程能力は、処理装置の老朽化、メンテナンス及び更新、製品の設計、並びに季節要因等によって変動するため、上述の重回帰式を頻繁に更新する必要があるという問題もある。

特開２００６−１７３３７３号公報

本発明の目的は、製造現場へのフィードバックが容易で、関係式を更新する必要がない品質管理方法、この品質管理方法を適用した半導体装置の製造方法、及び品質管理システムを提供することである。

本発明の一態様によれば、２以上の工程によって製造される製品の品質管理方法であって、説明変数として前記２以上の工程の各工程において取得される測定値をその値のまま使用し、目的変数として前記製品の特性値を使用した重回帰式を関係式として用い、前記各工程に対応する前記重回帰式の各項の標準偏差をσ _{ａｉ×Ｘｉ} とし、前記特性値の標準偏差をσ _Ｙ とするとき、前記各工程のばらつきが前記特性値のばらつきに与える寄与度Ｐ _ｉ を、下記数式により算出することを特徴とする品質管理方法が提供される。

本発明の他の一態様によれば、前記製品が半導体装置であり、前記品質管理方法によって品質管理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。

本発明の更に他の一態様によれば、２以上の工程によって製造される製品の品質管理システムであって、前記２以上の工程の各工程において取得される測定値を収集するデータ収集手段と、説明変数として前記測定値をその値のまま使用し、目的変数として前記製品の特性値を使用した重回帰式を関係式として記憶した記憶手段と、前記関係式に基づいて演算を行う演算手段と、を備え、前記演算手段は、前記各工程に対応する前記重回帰式の各項の標準偏差をσ _{ａｉ×Ｘｉ} とし、前記特性値の標準偏差をσ _Ｙ とするとき、前記各工程のばらつきが前記特性値のばらつきに与える寄与度Ｐ _ｉ を、下記数式により算出することを特徴とする品質管理システムが提供される。

本発明によれば、製造現場へのフィードバックが容易で、関係式を更新する必要がない品質管理方法、この品質管理用法を適用した半導体装置の製造方法、及び品質管理システムを実現することができる。

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図１は、本発明の実施形態に係る品質管理システムを例示するブロック図である。
図１に示すように、本実施形態に係る品質管理システム１は、製造ライン１１において製造される製品の品質管理を行うシステムである。製造ライン１１は半導体装置、例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを製造する製造ラインである。

製造ライン１１においては、半導体装置を製造するための複数の処理工程が設けられており、処理工程間の一部には、検査工程が挿入されている。以下、処理工程及び検査工程を総称して単に「工程」ともいう。処理工程は、半導体ウェーハに対して所定の処理を施す工程であり、例えば、エッチング処理又は加熱処理などを施すものである。各処理工程にはそれぞれ処理装置が設けられている。また、検査工程は、それより上流側に配置された処理工程の出来映えを検査する工程であり、例えば、半導体ウェーハに形成された微細構造物の寸法を測定する工程である。各検査工程には検査装置が設けられている。図１に示す例では、処理工程Ａ、処理工程Ｂ、検査工程ＱＣ１、処理工程Ｃ、処理工程Ｄ、検査工程ＱＣ２、・・・がこの順に配列されている。

各処理工程の処理装置は、処理条件、例えば、エッチング時間又は加熱温度等を測定する。また、各検査工程の検査装置は、この検査工程以前の処理工程によって作製された中間製品の出来映え、例えば、半導体ウェーハに形成された微細構造物の寸法等を測定する。そして、製造ライン１１の最下流部には、最終検査工程Ｔが設けられている。最終検査工程Ｔには、半導体装置の電気的特性を評価する評価装置が設けられており、製造された半導体装置の電気的特性を評価する。最終検査工程Ｔにおいて良品と判断された半導体装置は出荷され、不良品と判断された半導体装置は破棄又はリペア工程に搬送される。

一方、品質管理システム１には、データ収集手段２、記憶手段３及び演算手段４が設けられている。データ収集手段２及び演算手段４は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit：中央処理装置）によって構成されている。また、記憶手段３は、例えばメモリによって構成されている。データ収集手段２、記憶手段３及び演算手段４は１台のハードウェア、例えば、１台のパーソナルコンピュータによって実現されていてもよく、別個のハードウェアによって実現されていてもよい。

データ収集手段２は、製造ライン１１から各工程の測定値を収集する。具体的には、製造ライン１１における各処理工程の処理装置から処理条件の測定値を収集し、各検査工程の検査装置から出来映えの測定値を収集する。また、データ収集手段２は、製造ライン１１の最終検査工程Ｔの評価装置から、半導体装置の電気的特性値の測定値を収集する。

記憶手段３には下記数式１が記憶されている。下記数式１においては、製造ライン１１における測定値の数、すなわち、処理条件及び出来映えの項目数をｎとし、１乃至ｎの整数をｉとし、ｉ番目の測定値をＸ_ｉとし、測定値Ｘ_ｉの係数をａ_ｉとし、製造された半導体装置の電気的特性値をＹとする。

上記数式１においては、説明変数として、製造ライン１１の各工程において取得される測定値Ｘ_ｉをその値のまま使用する。すなわち、処理条件及び中間製品の出来映え等の測定値を正規化せず、測定値の単位系をそのまま適用する。また、目的変数としては、この半導体装置の電気的特性値Ｙが算出される。この電気的特性値Ｙは、この半導体装置を最終検査工程Ｔにおいて測定したときに取得される測定値の予測値である。上記数式１により、特性値Ｙはその値のまま、その次元で算出される。

上記数式１は、多数の製品（半導体装置）について、説明変数として処理条件及び中間製品の出来映え等の測定値Ｘ_ｉを使用し、目的変数として電気的特性値Ｙの測定値を使用した重回帰分析によって構築されたものである。例えば、製造ライン１１において半導体装置の量産を開始した初期の時期に、各工程の処理条件を通常の運用範囲よりも広い範囲で変化させて、より広い範囲のＸ_ｉの測定値及びＹの測定値を取得し、これらの測定値を重回帰分析することにより、構築されたものである。従って、一旦、上記数式１に示す重回帰式が構築された後は、重回帰式を更新する必要はなく、従って、係数ａ_ｉの値が変動することはない。

一方、演算手段４は、記憶手段３に記憶された上記数式１を読み出し、この数式１に基づいて演算を行う。演算の具体的な方法については後述する。

次に、上述の如く構成された本実施形態に係る品質管理システムの動作、すなわち、本実施形態に係る品質管理方法について説明する。
本実施形態に係る品質管理システム１の基本的な動作として、ＳＰＣ（Statistical Process Control：統計的工程管理）の実施がある。この場合、品質管理システム１のデータ収集手段２が製造ライン１１の各工程から測定値Ｘ_ｉの値を収集し、演算手段４に対して出力する。そして、演算手段４が記憶手段３から上記数式１を読み出し、測定値Ｘ_ｉを上記数式１に代入し、電気的特性値Ｙの予測値を算出する。そして、この予測値が管理範囲から外れたときに、不良が発生したと判断して、警報を発信する。

また、本実施形態においては、上述の基本的なＳＰＣの他に、以下に示すような動作が可能である。
第１に、本実施形態によれば、測定値Ｘ_ｉのばらつきが特性値Ｙのばらつきに及ぼす影響を測定値Ｘ_ｉの次元で算出することができる。
図２は、横軸に上記数式１の各項（ａ_ｉ×Ｘ_ｉ）及び特性値Ｙの度数をとり、縦軸にこれらの値をとって、上記数式１の各項の分布を例示する図である。

図２に示すように、特性値Ｙの分布は各項（ａ_ｉ×Ｘ_ｉ）の分布の和となる。このため、本実施形態においては、上記数式１に基づいて、各工程における測定値Ｘ_ｉのばらつきが特性値Ｙのばらつきに及ぼす影響を算出することができる。すなわち、測定値Ｘ_ｉがその平均値Ｘ_{ａｖｅ−ｉ}からΔＸ_ｉ（ΔＸ_ｉ＝Ｘ_ｉ−Ｘ_{ａｖｅ−ｉ}）だけ変位すると、特性値Ｙの平均値からの変位量ΔＹは、ΔＹ＝ａ_ｉ×ΔＸ_ｉとなる。逆に、特性値Ｙの平均値からの変位量をΔＹ以下に抑えるためには、測定値Ｘ_ｉの平均値からの変位量ΔＸ_ｉは、ΔＸ_ｉ≦ΔＹ／ａ_ｉとする必要がある。

このように、本実施形態によれば、各工程において、測定値Ｘ_ｉのばらつきが特性値Ｙに及ぼす影響、及び、特性値Ｙを一定の範囲に収めるために必要な測定値Ｘ_ｉの管理範囲を、測定値Ｘ_ｉと同じ次元で、測定値Ｘ_ｉの値として求めることができる。このため、各工程の製造現場においても、自工程の成績が最終製品に及ぼす影響を直感的に把握することができ、品質管理が容易になる。

これに対して、従来の技術においては、各工程の測定値を一旦正規化した上で、重回帰式を構築している。すなわち、測定値Ｘ_ｉの標準偏差をσ_ｉとし、規格値をＳＸ_ｉとするとき、平均値が０であり分散が１である規格値ＳＸ_ｉ＝（Ｘ_ｉ−Ｘ_{ａｖｅ−ｉ}）／σ_ｉの値を算出し、この規格値ＳＸ_ｉの値を用いて、重回帰式を構築している。この場合は、各工程の寄与度に重回帰式の係数をそのまま適用できるという利点はあるものの、測定値Ｘ_ｉが特性値Ｙに及ぼす影響を、測定値Ｘ_ｉの値のまま各工程にフィードバックすることは困難である。実際の製造現場においては、各工程の条件を現実の測定値Ｘ_ｉで管理しているため、正規化された次元の規格値ＳＸ_ｉでフィードバックされても、自工程の成績を直感的に素早く把握することは困難である。また、半導体装置の製造に伴って、測定値Ｘ_ｉの平均値Ｘ_{ａｖｅ−ｉ}及び標準偏差σ_ｉが変化するため、重回帰式自体を頻繁に更新する必要が生じる。このことも、製造現場において規格値ＳＸ_ｉに基づいて自工程の成績を直感的に把握することを、より困難にしている。

第２に、本実施形態によれば、各項（ａ_ｉ×Ｘ_ｉ）の標準偏差をσ_{ａｉ×Ｘｉ}とし、特性値Ｙの標準偏差をσ_Ｙとするとき、各工程のばらつきが最終製品のばらつきに与える寄与度Ｐ_ｉを、下記数式２により算出することができる。具体的には、下記数式２は記憶手段３に記憶されており、演算手段４が記憶手段３から下記数式２を読み出して、演算を行う。これにより、寄与度Ｐ_ｉが大きい工程を、改善を要する工程又は管理値の適正化を要する工程として、抽出することができる。例えば、相対的に寄与度が大きい工程については、最終検査工程Ｔの判定基準から工程管理値を算出し、測定値の単位系で管理値を適正化する。

第３に、本実施形態においては、ある製品について電気的特性値Ｙが不良となったときに、その不良の発生要因を容易に特定することができる。
図３は、横軸に上記数式１の各項（ａ_ｉ×Ｘ_ｉ）及び特性値Ｙをとり、縦軸にそれらの値をとって、上記数式１の各項の値が特性値Ｙに及ぼす影響を例示する図である。

製造ライン１１において製造される半導体装置のうち、ある半導体装置について電気的特性値Ｙが不良となったときに、演算手段４がこの半導体装置に関する測定値Ｘ_ｉを上記数式１に代入し、上記数式１の各項の値（ａ_ｉ×Ｘ_ｉ）を算出する。そして、図３に示すように、上記数式１の各項の値（ａ_ｉ×Ｘ_ｉ）について、分布平均からの差を並べて表示する。このとき、各項の値（ａ_ｉ×Ｘ_ｉ）とその分散平均との差が、この半導体装置の特性値Ｙに及ぼす各工程の影響の大きさに対応するため、この差の値により、特性値Ｙに及ぼす各工程の影響の大きさを評価することができる。例えば、図３に示す例では、（ａ_３×Ｘ_３）の値がその分布平均から大きく外れており、この工程の不良が特性値Ｙのずれに大きく寄与していることがわかる。このようにして、不良の原因を特定することができる。

第４に、本実施形態においては、上記数式１を利用して、アクティブ管理を実施することができる。
アクティブ管理とは、ある製品（半導体装置）について、一の工程で処理条件が好適範囲から外れたときに、他の工程でそれを補償するように積極的に処理条件を制御することをいう。
図４は、横軸に上記数式１の各項（ａ_ｉ×Ｘ_ｉ）及び特性値Ｙをとり、縦軸にそれらの値をとって、アクティブ管理の方法を例示する図である。

例えば、図４に示すように、ある半導体装置について、工程Ｃにおける測定値Ｘ_３がその管理範囲から外れたとする。この場合、この半導体装置について、以後の工程を通常の条件で行うと、この半導体装置の特性値Ｙは許容範囲から外れてしまい、不良品となることが予想される。そこで、上記数式１に基づいて、この半導体装置について、工程Ｃよりも後に実施される工程Ｄの条件を調整して、工程Ｄにおける測定値Ｘ_４を敢えてその分布中心からずらす。これにより、測定値Ｘ_３が特性値Ｙに及ぼす影響を、測定値Ｘ_４が特性値Ｙに及ぼす影響によって打ち消し、この半導体装置の特性値Ｙがその許容範囲に含まれるように制御する。この結果、この半導体装置Ｙは良品となる。測定値Ｘ_３がその管理範囲から外れたことの認定、調整を行う工程の選定、及びその調整量の算出は、演算手段４が上記数式１に基づいて行う。

次に、本実施形態の効果について説明する。
上述の如く、本実施形態においては、重回帰モデルの構築と工程寄与度の算出に測定値の単位系をそのまま適用することにより、各工程が管理すべき値を測定値の次元で明確化することができる。また、一度重回帰式を構築した後は、更新する必要がない。これにより、本実施形態によれば、製造現場へのフィードバックが容易で、関係式を更新する必要がない品質管理方法及び品質管理システムを実現することができる。また、この品質管理用法を適用することにより、半導体装置を生産性よく製造することができる。

次に、本発明の他の実施形態について説明する。
図５は、本発明の他の実施形態に係る品質管理システムを例示するブロック図である。
図５に示すように、本実施形態に係る品質管理システム１ａは、製造ライン１１において製造される製品の品質管理を行うシステムである。

図１に例示をしたものと同様に、品質管理システム１ａにもデータ収集手段２、記憶手段３及び演算手段４が設けられている。また、さらに測定適正化手段５が設けられている。測定適正化手段５は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit：中央処理装置）によって構成されている。なお、測定適正化手段５、データ収集手段２、記憶手段３及び演算手段４は１台のハードウェア、例えば、１台のパーソナルコンピュータによって実現されていてもよく、別個のハードウェアによって実現されていてもよい。
また、測定適正化手段５は、中間製品の出来映えと装置状態変数の測定値との関係に関する統計モデルと、装置状態変数の測定値の変動状況と、に基づいて、中間製品の出来映え検査（例えば、図５におけるＱＣ１、ＱＣ２など）における測定の量的条件（例えば、測定数や測定頻度など）を変更することで測定の適正化を図る。なお、これらについての詳細は後述する。

ここで、重回帰モデルなどを構築して品質管理を行う場合、説明変数となる製造ライン内の中間製品の出来映えに関するデータ（例えば、半導体ウェーハに形成された微細構造物の寸法測定データなど）を常時全数取るものとすれば、スループットの低下を招くおそれがある。このことは、測定ポイント数が多くなるほど、また、検査工程の数が多くなるほどその影響が大きくなる。
一方、中間製品の出来映えに関するデータを常時全数取ったとしても、最終検査工程Ｔにおける不良率が改善されるとは限らない。例えば、中間製品の出来映えが安定している場合において全数のデータを取るようにしても不良率が改善される可能性は低い。そのため、このような場合には、最終検査の結果に影響の少ない無駄な測定を行うことになる。その結果、スループットの低下を招き、生産性が低下することにもなる。

本実施の形態においては、最終検査における不良と製品特性との関係、最終検査における製品特性と中間製品の出来映え（加工、処理後の結果）との関係、中間製品の出来映えと装置状態変数（例えば、温度、ガス流量、電圧など）の測定値との関係を、それぞれ段階的に統計モデル化する。
そして、中間製品の出来映えと装置状態変数の測定値との関係に関する統計モデルと装置状態変数の測定値の変動状況とに基づいて、中間製品の出来映え検査における測定の量的条件（例えば、測定数や測定頻度など）を機動的に変更することで、必要な測定を効率的に行うとともに無駄な測定を削減する測定の適正化を行うようにしている。

図６は、測定適正化を説明するためのフローチャートである。
図７は、測定適正化モデルの構築を説明するための模式図である。
まず、図６に示すように、最終検査における不良と製品特性との関係、最終検査における製品特性と中間製品の出来映え（加工、処理後の結果）との関係、中間製品の出来映えと装置状態変数（例えば、温度、ガス流量、電圧など）の測定値との関係を、それぞれ段階的に統計モデル化する（ステップＳ１）。
例えば、図７に示すように、最終検査における不良と製品特性との関係として「不良＝ｆ（Ｙ１、Ｙ２、・・・）」のような統計モデルを構築し、最終検査における製品特性と中間製品の出来映え（加工、処理後の結果）との関係として「Ｙ１＝ｆ（Ｘ１、Ｘ２、・・・）、Ｙ２＝・・・、・・・」のような統計モデルを構築し、中間製品の出来映えと装置状態変数（例えば、温度、ガス流量、電圧など）の測定値との関係として「Ｘ１＝ｆ（ｓ１、ｓ２、・・・）、Ｘ２＝・・・、・・・」のような統計モデルを構築する。
なお、Ｙ１、Ｙ２、・・・、は製品特性（例えば、半導体装置の電気的特性値）である。また、Ｘ１、Ｘ２、・・・、は中間製品の出来映えである。また、ｓ１、ｓ２、・・・、は装置状態変数の測定値である。
これらの統計モデルは、段階的に構築されることになるので連結が可能であり、製造ライン全体の品質管理システムに用いることができることになる。

次に、不良の発生に影響を与える中間製品の出来映え、装置状態変数を選定する（ステップＳ２）。
この場合、前述した統計モデルを用いるものとすれば、中間製品の出来映えや装置状態変数が不良の発生にどの程度影響するのかを知ることができるので、これに基づいて選定を行うことができる。
なお、この選定は必ずしも必要ではないが、選定を行うようにすれば必要性の低い検査に対する監視を省略することができる。

次に、各中間製品の出来映えの変動状況（例えば、各ロット間、各半導体ウェーハ間、半導体ウェーハの面内などにおける出来映えの変動状況）と装置状態変数との関係を前述した統計モデルに基づいて導出する（ステップＳ３）。
すなわち、各ロット間、各半導体ウェーハ間、半導体ウェーハの面内などのように、どのような場合に変動が生じやすく、また、その状況において不良を発生させるおそれがある装置状態変数の値や範囲を導出する。
例えば、最初に処理をする半導体ウェーハの出来映えが特に変動しやすい場合には、その場合において不良を発生させるおそれがある装置状態変数の値や範囲などを求める。また、特定の処理工程、半導体ウェーハ面内の特定の場所、特定のロット間などにおいて出来映えが特に変動しやすい場合には、それらの場合において不良を発生するおそれがある装置状態変数の値や範囲などを求める。

次に、測定適正化に関する装置状態変数の閾値を決定する（ステップＳ４）。
この場合、各中間製品の出来映えの変動状況に応じて装置状態変数の閾値を決定する。
このようにすれば、後述するように、出来映えの変動が特に生じやすい場合などにおいて、装置状態変数の変動を監視し、閾値に近づいた場合には測定数を増やすなどの対策が機動的に行えるようになる。

図８は、測定適正化に基づいた中間製品の検査を説明するためのフローチャートである。 本実施の形態においては、前述した閾値に基づいて装置状態変数の変動状態を監視する（ステップＳ１０）。
この際、出来映えが特に変動しやすい場合に閾値に基づいた監視を行うようにすることができる。また、すべての場合において閾値に基づいた監視を行うようにすることもできる。

次に、装置状態変数の変動状況に応じて中間製品の出来映え検査における測定の量的条件を変更する（ステップＳ１１）。
例えば、閾値に近づいた場合には、検査における測定数や測定頻度を増やし、装置状態変数が良好な値の範囲にある場合には検査における測定数や測定頻度を減らすようにすることができる。また、閾値を超えた場合には処理装置の改善や修理などの判断を行うこともできる。また、一度測定数などを増やした後、装置状態変数が良好な値や範囲に戻った場合には測定数などを減らすようにすることもできる。このように、装置状態変数の変動状況に応じて不良発生の危険度を察知し、機動的な対応を取ることができる。

次に、変更された条件で中間製品の出来映えの検査を行う（ステップＳ１２）。
このようにすれば、最終検査の結果に影響の少ない無駄な測定を削減することができる。そのため、スループットの低下を抑制することができ、生産性を向上させることができる。また、不良が発生するおそれが少ない場合に検査の量的内容を低減させることになるので、不良の発生が増加するおそれも少ない。

なお、図６、図７において説明をした測定適正化モデルの構築は測定適正化手段５で行うようにすることができる。また、構築されたモデルを記憶手段３に格納するようにすることもできる。
また、予め構築されたモデルを記憶手段３に格納し、これを測定適正化手段５に提供するようにしてもよい。
また、図８において説明をした中間製品の出来映え検査における測定の量的条件を変更する場合には、条件に関するデータが検査工程に設けられた検査装置に送られる。
また、各処理工程に設けられた処理装置などからは装置状態変数の測定値に関するデータが測定適正化手段５に送られ、図８において説明をした変動状態の監視と測定の量的条件の変更が行われる。

以上、実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。例えば、前述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更、又は工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。例えば、前述の実施形態においては、処理条件及び中間製品の出来映えの測定値Ｘ_ｉと電気的特性値Ｙとの関係式が重回帰式である例を示したが、本発明はこれに限定されず、両値の関係を精度よく予測できるものであればよい。また、前述の実施形態においては、半導体装置の製造プロセスにおける品質管理方法を例に挙げて本発明を説明したが、本発明はこれに限定されず、１以上の工程によって製造される製品であれば、適用可能である。例えば、本発明は液晶表示装置の製造プロセスに適用することも可能である。

本発明の実施形態に係る品質管理システムを例示するブロック図である。 横軸に数式１の各項（ａ_ｉ×Ｘ_ｉ）及び特性値Ｙの度数をとり、縦軸にそれらの値をとって、数式１の各項の分布を例示する図である。 横軸に数式１の各項（ａ_ｉ×Ｘ_ｉ）及び特性値Ｙをとり、縦軸にそれらの値をとって、数式１の各項の値が特性値Ｙに及ぼす影響を例示する図である。 横軸に数式１の各項（ａ_ｉ×Ｘ_ｉ）及び特性値Ｙをとり、縦軸にそれらの値をとって、アクティブ管理の方法を例示する図である。 本発明の他の実施形態に係る品質管理システムを例示するブロック図である。 測定適正化を説明するためのフローチャートである。 測定適正化モデルの構築を説明するための模式図である。 測定適正化に基づいた中間製品の検査を説明するためのフローチャートである。

符号の説明

１ 品質管理システム、１ａ 品質管理システム、２ データ収集手段、３ 記憶手段、４ 演算手段、５ 測定適正化手段、１１ 製造ライン、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ 処理工程、ＱＣ１、ＱＣ２ 検査工程、Ｔ 最終検査工程

Claims (10)

1. ２以上の工程によって製造される製品の品質管理方法であって、
   説明変数として前記２以上の工程の各工程において取得される測定値をその値のまま使用し、目的変数として前記製品の特性値を使用した重回帰式を関係式として用い、
   前記各工程に対応する前記重回帰式の各項の標準偏差をσ _{ａｉ×Ｘｉ} とし、前記特性値の標準偏差をσ _Ｙ とするとき、前記各工程のばらつきが前記特性値のばらつきに与える寄与度Ｐ _ｉ を、下記数式により算出することを特徴とする品質管理方法。
   

   
2. 一の前記製品に関する前記測定値を前記関係式に代入することにより、前記一の製品の前記特性値に及ぼす前記工程の影響の大きさを評価することを特徴とする請求項１記載の品質管理方法。
3. 前記一の製品に関する前記重回帰式の各項の値と前記各項の値の分散平均との差に基づいて、前記影響の大きさを評価することを特徴とする請求項２記載の品質管理方法。
4. 一の前記製品について、一の前記工程における前記測定値がその管理範囲から外れたときに、前記関係式に基づいて、前記一の製品の前記特性値がその許容範囲に含まれるように前記一の製品についての他の前記工程の条件を調整することを特徴とする請求項１記載の品質管理方法。
5. 中間製品の出来映えと前記測定値との関係に関する統計モデルを構築し、
   前記統計モデルと前記測定値の変動状況とに基づいて、前記中間製品の出来映え検査における測定の量的条件を変更すること、を特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の品質管理方法。
6. 前記製品が半導体装置であり、請求項１〜５のいずれか１つに記載の品質管理方法によって品質管理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. ２以上の工程によって製造される製品の品質管理システムであって、
   前記２以上の工程の各工程において取得される測定値を収集するデータ収集手段と、
   説明変数として前記測定値をその値のまま使用し、目的変数として前記製品の特性値を使用した重回帰式を関係式として記憶した記憶手段と、
   前記関係式に基づいて演算を行う演算手段と、
   を備え、
   前記演算手段は、前記各工程に対応する前記重回帰式の各項の標準偏差をσ _{ａｉ×Ｘｉ} とし、前記特性値の標準偏差をσ _Ｙ とするとき、前記各工程のばらつきが前記特性値のばらつきに与える寄与度Ｐ _ｉ を、下記数式により算出することを特徴とする品質管理システム。
   

   
8. 前記演算手段は、一の前記製品に関する前記測定値を前記関係式に代入することにより、前記一の製品の前記特性値に及ぼす前記工程の影響の大きさを評価することを特徴とする請求項７記載の品質管理システム。
9. 前記演算手段は、前記一の製品に関する前記重回帰式の各項の値と前記各項の値の分散平均との差に基づいて、前記影響の大きさを評価することを特徴とする請求項８記載の品質管理システム。
10. 中間製品の出来映えと前記測定値との関係に関する統計モデルと、前記測定値の変動状況と、に基づいて、前記中間製品の出来映え検査における測定の量的条件を変更する測定適正化手段と、をさらに備えることを特徴とする請求項７〜９のいずれか１つに記載の品質管理システム。

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