TWI308670B - Photoresist compositions - Google Patents

Description

1308670 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 . 本發明係關於經化學放大之正型光阻 (chemically-amplified positive photoresist)組成物，其包括 具有縮醛基和脂環基之添加劑。本發明之光阻可明顯地表 現出增強的微影特性。本發明較佳之光阻包含：樹脂成分， 其包括具有一個或一個以上之光酸不安定部份（moiety)之 I聚合物；一種或一種以上之光酸產生劑類化合物；及含有 I 一個或一個以上脂環基（例如，金剛烷基等）之添加劑。本 發明之尤佳光阻添加劑為含有縮醛基類光酸不安定基者。 【先前技術】 ' 光阻為用來將圖像轉印至基板之光敏性薄膜，使這些 光敏性薄膜形成負型或正型圖像。在基板上塗覆光阻後， 該塗層（coating)透過圖案化光罩（patterened photomask)暴 _ 露於活化能源（例如紫外光、EUV、電子束等）下，以在光 %阻塗層上形成潛像（latent image)。該光罩具有對活化輻射 (activating radiation)而言為不透明和透明之區域，因而界 定欲轉印至其下基板之圖像。凸版圖像（relief image)係藉 - 由使光阻塗層之潛像圖案顯影而予以提供。光阻之使用一 . 般係如下列文獻所述，例如，Deforest之Photoresist

Materials and Processes, McGraw Hill Book Company, New York(1975)，及 Moreau 之 Semiconductor Lithography， Principals, Practices snd Materials, Plenum Press, New York(1988)。 5 93302 1308670 「化學放大型正光阻組成物涉及光阻黏結劑之某些側 缝封阻」基團之裂解，或光阻黏結劑主鏈所含之某此某 團之裂解’藉由該裂解可提供極性官能基，例如，幾基、 -分或ik亞胺’ *導致光阻塗層曝光和未曝光區域有不同溶 解度之特性。例如，請參見美國專利5,〇75,199;4,9^，8^ ; 4,883,740 ; 4,81〇,613 ;和 4,491，628 號，及加拿大專 請案 2,001，384 號。 ^ 一種增強化學放大型正光阻之光阻微影效能之方 法’除了脫封阻基團型樹脂和光酸產生劑類化合物外，係 使用某些有機添加劑。請參見Jp2〇〇3_241383 ; .JP2003-241376;和WO02102759。亦請參見美國專利 6,607,870 > 6,727,049 ^ 6,767,688 ^ 6,743,563 #u 〇 • 雖然，，之光阻適用於許多應用，但亦顯^出重大缺 失，尤其是尚效能應用，例如形成高解析之〇·25微米以下 (suMuaner micron )之圖線（feature )，或其它具=挑戰 、性之圖、線’例如同時含有密集線和隔離線之單一圖像。如 本文所述，若相鄰光阻線之最近間隔距離等於該線寬之兩 倍或兩倍以上，通常將經顯影之光阻線或其它圖線視為，， -隔離的”。因此，例如，若一印出之線之線寬為〇·25微米 (#m)，而緊鄰之光阻線與該線之間隔距離為至少約〇 5〇 微米以上，則將該線視為隔離的（而非密集的）。常見之隔 離線解析度問題，係包括圓型頂部（r〇undedt〇p)及底切β (underciming);當隔離線和密集線（即相鄰光阻線之最 近間隔距離小於該線寬之兩倍）在相同曝光範圍中一起形 93302 6 1308670 成’將使該解析問題更為惡化。 因此期望開發新穎光阻組成物，尤其期望開發能顯示 增強的微影效能之新賴光阻組成物。 【發明内容】 本發明提供之新穎光阻組成物，其包括：丨）含有—種 或一種以上聚合物之樹脂成分，該聚合物含有光酸不安定 基；2)—種或一種以上光酸產生劑類化合物；及3)—種或 種以上有機添加劑，其含有 個或一個以上脂環基和

個或一個以上光酸不安定縮醛基 更特而言之’本發明較佳之光組組成物對以氧化物為 主之蝕刻劑而言，可顯示增強的抗性、增進光阻組成物層 之經曝光和未經曝光區域間之對比度，及/或減少細小圖^ (例如，10〇nm線）之崩潰。相較於不含本發明添加劑之光 阻，本發明之光阻亦表現增強之隔離線解析效能。 本發明之較佳光酸不安定添加劑，包括一個或一個以 上=環基，例如金剛烷基、環己基、環戊基、降萡基等。 通 < 脂壤基較佳為包括複數個經祠合或共價鍵結之環狀 基，並可適當地包括2、3或4或多個環狀基。較佳〇 ，化合物具有相對低之分子量，例如2_道耳吞（灿:0 =:2_道耳吞’更典型地為約^、麵或如^ 斗吞或低於800道耳吞。 本發明之較佳光酸不安定添加劑，其包括—個或 ^祕型光衫安定基。在本文中，祕或 如其所公認之含義，可包括縮㈣及可包括^二 93302 7 1308670 式>C(_’)2之基團’其tR#„R’為相同或不同，各為 =取代基；以及細似心似,^之基團，其 γ、χ、γ各獨立地為氫或非氫取代基，且χ、γ、 Υ巾之们或夕個可為例如：芳基如苯基、院基如C] 30 燒基、脂環基如碳環型料基，例如視需要可經取代之金 ㈣基等；η為〇或正整數’例如^ G(即不存在（cx， 之基團）至1G ;且R為g旨類、驗類或非氫取代基，如上文 對於X、Y、X，、γ，所給另去，今、β A “ «及者或R為鍵結至該非氫取代 基之酯類或醚類’該非氫取代基諸如視需要可經取代之芳 基(例如視需要可經取代之苯基)，或視需要可經取代之脂 壤基（例如視需要可經取代之金剛烧基）。此等祕基可接 枝至例如酚系羥基或其它羥基（例如，脂環醇之羥基）或接 枝至酯系基團。在本文中，縮醛包括IUPAC Compendium of

Chemical Terminol〇gy(Blackwell Science 1997)所界定之縮 醛，並包括縮酮基。

本發明之光阻添加劑亦可包括其它部份。舉例而言， 添加劑可含有腈單元，或其它對比增強基團，例如酸基 (-COOH)等。 本發明之較佳光阻為含有一種或一種以上樹脂之化 子放大型正光阻’該樹脂含有光酸不安定基（例如光酸不安 定酯類）與/或縮醛基。 本發明亦提供形成本發 明光阻之凸版圖像之方法，係 包括形成0.25微米以下（例如0.2微米以下或0.1微米以下） 之南解析度圖案化光阻圖像（例如，具有實質上垂直側壁之 8 93302 1308670 圖案化線條）之方法。本發明係包括可在大範圍波長或輕射 光源成像之光阻’該輻射光源包括3〇〇奈米以下，例如248 不米以下和193奈米以下之輕射線，以及EUV、電子束、 X射線等。 本發月進步提供製品，其包括已塗覆本發明之光阻 和凸版圖像之基板’例如微電子晶㈣平面顯示器基板。 本發明亦提供上文揭露之光酸不安定添加劑化合物。 本發明之其它態樣如下文所揭露。 【實施方式】 如刚文所’本發明提供之新穎光阻組成物，呈包括 一種或-種以上含有脂環基和光酸不技基之添加劑。 車乂仏之本發明光阻添加劑，可含有脂環基（例如金剛烧 ㈣基等）與芳基⑽如苯基、萘基和/或危基) 舉例而言 $(1)之化合物： 較佳之本發明光阻添加劑，係包括下述式

其中： 各脂環基係為相同或不 約5 0個破原子及單環至2、 之環之脂族破環例如環戊基 同之脂環基，較佳為具有3至 3、4或多個經稠合或共價連接 、環己基、金剛烷基、降萡基、 93302 9 1308670 異萡基等； 之酸化學鍵’或為係屬或非屬先酸不安定基 各X與X，獨立地為化學鍵、或連接基 團例如為視需要可經取代之Ci 8伸垸基 1接基 經取代之(CH2)p_，其^^要可 =縮_㈣綱…㈣， (例如各㈣上化？或其它連接基團 V J ^ (CH2)n_，其中 η 為 1 至 1〇)等； Α咖為芳基，較佳為碳環芳基，例如—個或一個以 包基舆/嶋。上式中較佳一基團，係 =有，基而可供形成祕之苯基，例如具有多個經基 方基，例如雙酉分、氫驅、兒茶齡與/或間苯二酉分基。

f化人^發明之額外適合之光阻添加劑，係包括下式（Π)之 (芳基）-〇〇_(縮酸基ΗΥ，）_(脂環基）⑴） 其中： ^、㈣基、脂環基、Υ與γ，如同上式⑴所述。 取 敖而σ，本發明之較佳光阻添加劑化合物，係為非 s ft (n〇n pc>iymenc)，即該添加劑化合物典型地不含$ =〇或更多個相同之共價鍵結單元。典型之較佳光阻添加 ’、、、3有不超過約4或4 i 3個之相@共價鍵結單元之非 93302 10 1308670 聚合性化合物。 本發明例示性之特別較佳光阻添加劑，係如下所述：

本發明之添加劑可輕易地藉由已知合成方法予以製 備。舉例而言，含有一個或一個以上反應基（例如經基或叛 基）之反應物，於酸性催化劑存在下，與乙烯醚化合物適當 地反應，以提供本發明之添加劑）。第一個反應物，可為非 芳族化合物，例如含有一個或一個以上之脂環基（例如金剛 院基、環己基等）者；及/或含有一個或一個以上之芳基（例 如苯基、萘基或苊基）之芳族化合物。通常較佳為具有羥基 取代基之芳族化合物，例如具有多個苯基與/或多個羥基之 含紛系基團化合物。舉例而言，合適地為視需要經取代之 間苯二酚、兒茶酚、氫醌與雙酚化合物。例示性之雙酚化 合物，係包括雙酚-A、雙酚-E(4,4’-亞乙基雙酚）、雙（4-羥 基苯基）甲烷、雙（2-羥基苯基）甲烷、雙（3-羥基苯基）曱烷 等。 乙烯基醚反應物可適當地含有一個或一個以上之脂 環基（例如金剛烷基、環己基等）或芳基（例如苯基、萘基或 危基）。請參見實施例1和2，其依循本發明光阻添加劑之 例示性較佳合成法。 11 93302 1308670 體外添t成分之合適量’佔光阻總固體(除了溶劑載 (除了-二t分)之至少〇,25重量％’更佳佔光阻總固體 牙、了洛V]载體外之所有成分）之至少約^小2、3、4、 ，10或10以上重量％。_般而言’使用超過光阻總固 體（除了溶劑載體外之所有成分）之15、2〇或25重量％之 -種或：種以上縮醛類添加劑既不需要亦非有利。 、、舌性成：文H *發明之光阻典型地含有樹脂成分和光 =士刀。本發明之光阻較佳為含有一個或一個以上光酸 女疋酸部分(例如’酯或縮醛基)之樹脂與一種或一種以 上光酸產生劑類化合物（PAGs)。該光酸不安定基團可進行 ，封阻反應以提供極性官能基’例如經基或緩基。光阻組 顧1勿^樹脂成分之使用量，較佳為可使光阻以驗性水溶液 顯影者。 較佳之PAGs可藉由暴露於波長為248nm、193nm之 輪射線而被光活化。其它合適之PAGs為可用其它諸如 >EUV、e-電子束、IPL和χ·射線予以光活化者。 尤其較佳之本發明光阻，係含有有效成像量之—種或 一種以上光酸產生劑類化合物，以及適於在3〇〇11111或 300nm以下或2〇〇_或2〇〇_以下成像之樹脂，例如 下述基團之樹脂·· ' 9 1)含有光酸不安定基之酚系樹脂，其可提供尤盆適於 = 248nm成像之化學放大型正光阻。此等尤其較佳之樹、 月曰，係包括：i)以乙烯酚和丙烯酸烷酯做為聚合單元之铲 合物，其中經聚合之丙烯酸烷酯單元在光酸存在下進行脫 93302 12 1308670 專利M57,083號之聚合物；歐洲公開專利ep〇1〇〇8913ai 與EP00930542A1號；及美國公開專利09/143462號，全 ' 。卩内谷合併於此作為參考文獻，以及iii)含有酸酐聚合單 -元（尤其是順丁烯二酸酐與/或依康酸酐聚合單元）之聚合 物’例如揭露於歐洲公開專利EP01008913ai及美國專利 6,〇48,662號’兩者内容合併於此作為參考文獻。 3)自有雜原子（尤其為氧與/或硫）之重複單元，較佳實 塞貝上或完全不含有任何芳族單元之樹脂。該雜脂環單元較 佳稠合至該樹脂主鏈；該樹脂更佳含有稠合脂族碳環單元 (例如由降萡烯基之聚合而提供），及/或酸酐單元（例如由順 丁烯二酸酐或伊康酸酐之聚合而提供）。該樹脂係揭露於 PCT/US01/14914 與美國申請案 09/567634 號。 4)各有氟取代基之樹脂（氟聚合物），例如，可由四敗 乙烯、氟芳基（例如氟-苯乙烯化合物）等之聚合而提供。該 樹脂之實例係揭露於例如PCT/us99/2 1912。 \ 含有一種或一種以上如本文所述樹脂之混合物亦較 佳。更特定而言，較佳的光阻含有樹脂之混合物，其中至 少一種樹脂含有酯類光酸不安定基以及另一樹脂含有縮醛 -類光酸不安定基。 ' •對在大於20〇nm(例如248nm)波長成像而言，特佳之 本發明經化學放大光阻包括本發明光活化成分與樹脂之混 合物，該樹脂包含具酚系和非酚系單元兩者之共聚物。舉 例而言，該共聚物之較佳組群，係大體上、實質上或完全 有於该共聚物之非酚系單元上具有酸不安定基，尤其是 93302 14 1308670 O~r~0 O3s- o3s- 合:如揭露於歐洲專利申請案 PAG1之合成^者予以衣備（公開號〇783136)，其中詳述上述 酸基外·上述兩者與陰離子錯合之鏔 RS二去、、合適。尤其’較佳之陰離子係包括此通式為 m其中R為金剛燒基、烧基（例如，^院基）及 王氣院基，例如+裔 人# 丁 ρ 亂（】-]2烷基），尤其為全氟辛烷磺酸鹽、 王鼠丁院石黃酸鹽等。 其=已知之PAGs亦可使用於本發明之光阻中。

如别文所4 ’包含已揭露之酸反應添加成分之各種物 需要可經取代。”經取代，，酸添加劑或其它物質可在 個或個以上可利用位置（通常為卜2或3個位置）以例 :經基、函素、c]_6院基、匕6院氧基、c]6烧硫基等基團 取代。 本發明之光阻亦可包含其它物質。舉例而言，1它視 需要添加之添加劑係包括光活化性顏料和對比性顏料、抗 條，劑（anti-striation agent)、塑化劑、速度增進劑、敏化 劑等。除了填料與顏料可以相對較高濃度存在，例如，為 樹脂乾燥成分總重之5至30重量％，該視需要添加之添加 93302 17 1308670 劑典型地以較低濃度存在於光阻組成物中。 v本發明光阻之較佳視需要性添加劑係為鹼，尤其為氫 氧化四甲基铵（TMAH)和氫氧化四丁基銨（TBAH)，或更尤 其為四丁基狀乳酸鹽，係可增進顯影光阻凸版像之解析 度。該驗宜使用相對少量，例如，相對於pAG而言約！至 重量％，更典型為i至約5重量％。其較佳之驗性添加 劑，係包括靖酸銨鹽，你丨‘番w 4 A #、 例如對甲苯磺酸Ν-六氫吡啶鍚鹽與 對曱苯續酸U基録鹽；烧基胺，例如三丙基胺與十二 烧基胺；芳基胺，例如二苯基胺、三苯基胺、⑮基盼、2_(4_ 胺基本基）-2-(-4-經基苯基）丙烧等。 如〆!文所述本發明光阻之樹脂成分之使用量通常足 以使經曝光之光阻塗層顯影（例如以鹼性水溶液顯影）。更 特定言之，樹脂黏合劑宜為光阻總固體之5〇至約9〇重量 %。該光活化成分之量應足以使光阻塗層產生潛像。更特 定言之，該光活化成分宜為光阻總固體之約〗至4〇重量 \%。典型地來說，光活化成分的量愈少，將愈適用於化; 放大型光阻。 本發明之光阻通常如下述之已知步驟製備。舉例而 言，本發明光阻可藉由使光阻成分溶解於適當之溶劑中， '而製成塗層組成物。該適當溶劑，例如，二甘醇醚諸如2_ 曱氧基乙基醚（一甘醇二曱_ diglyme)、乙二醇單曱美_、 丙二醇單曱基醚；丙二醇單甲基醚丙烯酸酯；乳酸酯諸如 乳酸乙酯或乳酸曱酯，較佳為乳酸乙酯；丙酸酯，尤其為 丙酸曱酯、丙酸乙酯和乙基乙氧丙酸酯；乙二醇醚酯 93302 18 1308670 或50°C以上，争4士 知別為從約5〇至14(TC。對酸-硬化之負 型作用光阻而言，芒♦ 右而要，可於約100至150。(：之溫度進 订㉟衫後烘烤歷時數分 你.g 7数刀在里或更久，以進一步固化凸版圖 命^〜和任何顯影後固化之後，對於基板因顯影而裸 面可進彳了選擇性加工，例如化學性㈣或本技術領 ° 1 ^方法使無光阻的基板區域平坦化。合適蝕刻劑係 〇括氫氟Μ刻；^液與電聚氣體㈣，例如氧電襞韻刻。 本文所述之所有文件之内容以參考文獻方式納入本 文，且以下述非限定性實例說明本發明。 實施例1 :光阻添加劑之製備（縮醛/酯類型） . ^雙紛Α與丙二醇甲基趟乙酸S旨裝人反應瓶中以得到 20重里％之〉谷液。以共沸蒸餾去除微量的水分。立刻取 0.003莫耳當量的三氟乙酸催化劑和具有下述結構&之2 莫耳當量乙烯醚，加至上述經乾燥之溶液中。於室溫下攪 ，^拌该反應混合物一攸，藉由溶劑移除、過濾與洗滌，立刻 單離出具有下述結構1_之加成反應產物。如有需要，可利 用層析與/或再結晶純化出該單離之化合物。 93302 20 1308670

貫施例2 .光阻添加劑之製備（純縮醛（不含酯類）型） 將雙齡A與丙二醇甲基醚乙酸酯裝入反應瓶中以得到 20重量/❶之,奋液。以共沸蒸餾去除微量的水分。立刻取 • 0.003莫耳當量的三氟乙酸催化劑和具有下述結構i之2 莫耳當量乙烯喊’加至上述經乾燥之溶液中。於室溫下产 ，該反應混合物一夜，藉由溶劑移除、過濾與洗滌，立二 單離出具有下述結構2_之雙金剛烷基縮醛反應產物。士 x %需要’可利用層析與/或再結晶純化出該單離之化合物°有

E

93302 21 1308670 實施例3 :光阻製備與微影製程（具有比較結果） 對照配方1 藉由混合下述材料以製備此光阻組成物： 聚（羥基苯乙烯/eve嵌段羥基苯乙烯/tBOC嵌段羥基 苯乙烯）和聚（羥基苯乙烯/苯乙烯/EVE嵌段羥基苯乙烯）之 聚合物摻合物； 全氟丁烷磺酸第三丁基苯基毓，佔聚合物之2.8重量 m % ； 弟二丁基重氮一楓’佔聚合物之3.0重量％ ; 於乳酸乙S旨溶液中之氫氧化四曱基銨（=於乳酸乙g旨溶 液中之乳酸四甲基銨），佔聚合物之〇.〗83〇/〇重量％ ; ' 單月桂酸甘油酯’佔聚合物之3.0重量％ ; 水楊酸，佔聚合物〇. 1重量〇/0 ; R-08界面活性劑，佔總固體〇 〇5重量％ ; 以及丙二醇單甲基醚乙酸酯（9〇%)/乳酸乙酯（1〇0/〇) 本發明配方1 : 藉由混合如上述對照配方〗之相同成分以製備光阻， 然而取如上述實施例i所製備之縮醛金剛烷基添加劑丄， 以聚合物5重量％之量加入光阻中。 實施例3光阻（即對照配方丨和本發明配方丨）之製備如下： 將該光阻旋轉塗佈於微電子晶圓上之有機抗反射塗膜組合 =上，該經塗佈之光阻層於1丨〇°C軟烤60秒至乾燥厚度^ 2400埃。使用24811〇1的DUV掃描機進行環狀照明 (0.80NA，〇.85/〇.65sigma)，使該光阻成像曝光㈨ 93302 22 J308670 exposed)。然後曝光後之光阻於n〇t：下烘烤的种，並在 鹼性水溶液顯影溶液中60秒使圖案顯影。相較於對听配方 !所製之光阻凸版圖像，本發明配方i所製之光阻凸版圖 像顯示有增進之解析度。 實施例4 :光阻製備與微影製程（具有比較結果） 對照配方2 藉由混合下述材料以製備此光阻組成物： 聚（羥基苯乙婦/EVE嵌段羥基苯乙稀/tB〇c嵌段羥基 苯乙烯）和聚（羥基苯乙烯/苯乙烯/EVE嵌段羥基苯乙烯）之 推合聚合物； 全氟丁烷磺酸第三丁基苯基二苯基毓 (TBPDPS-PFBS)，佔聚合物之2.8重量0/〇 ; 第三丁基重氮二碉，佔聚合物之2.0重量％ ;

於乳酸乙酯溶液中之氫氧化四曱基銨（=於乳酸乙醋 液中之乳酸四曱基銨），佔聚合物之0.183%重量％ ;

單月桂酸甘油酯，佔聚合物之3.0重量％ ; 水楊酸，佔聚合物之1重量0/〇 ; R-08界面活性劑，佔總固體之〇.〇5重量％ ; 以及丙二醇單甲基醚乙酸酯（90%)/乳酸乙酯（1 〇〇/0) 本發明配方2 : 藉由混合如上述對照配方2之相同成分以製備光阻， 然而取如上述實施例1所製備之縮醛金剛烷基添加劑1， 以聚合物5重量％之量加入光阻中。 如上述實施例3所述製備本貫施例4之光阻。相較於 23 93302 1308670 對照配方2所製之光阻凸版圖像，以本發明配方2所製之 光阻凸版圖像顯示有增進之解析度。 實施例5 ··光阻製備與微影製程（具有比較結果） 對照配方3 藉由混合下述材料以製備此光阻成物： 聚（羥基苯乙烯/EVE嵌段羥基苯乙烯）和聚（羥基苯乙 烯/IBE嵌段經基苯乙稀）之摻合聚合物； 全氟丁烷磺酸三苯基毓（TPS_PFBS)，佔聚合物之】79 重量％ " 樟腦磺酸三苯基毓（TPS_CSA)，佔聚合物之〇 84重 % ； 第二丁基重氮二楓，佔聚合物之3.0重量％ ; .於乳酸乙醋溶液中之氫氧化四甲基錢（=於乳酸乙醋溶 液中之乳酸四甲基銨），佔聚合物之〇〇58%重量％ ;

二異丙醇胺，佔聚合物之〇.〇84重量0/〇 ; R-08界面活性劑，佔總固體之〇 〇5重量％ ; 以及丙二醇單甲基_乙酸醋（6〇%)/乳酸乙則叫/丙 二醇單甲基醚（30%) 本發明配方3 : 藉由混合如上述對照配方3之相同成分以製備光阻 然而取如上述實施例1所製備之縮盤金剛炫基添加劑丄， 以聚合物3重量％之量加入光阻中。 貫施例5光阻之製備如下：將該光阻塗佈於肌上， 於】_軟烤6G秒至乾燥厚度為〗嶋埃。❹⑽麵的 93302 24 J308670

DlJV掃描機進行環狀照明（0.63NA，0.50sigma)使該光阻聰 明成像地曝光。然後該光阻於11 Ot：曝光後烘烤60秒，並 在水溶液鹼性顯影溶液中60秒使C/H圖像顯影。相較於 對照配方3所製之光阻凸版圖像’以本發明配方3所製之 光阻凸版圖像顯不有增進之解析度。

本發明之以上描述僅做為其說明之用，且應明瞭可在 不影響如下述申請專利範圍所界定之本發明之精神與範脅 下’進行變化及修改。 【圖式簡單說明】 益〇 【主要元件符號說明】 無。

25 93302

Claims (1)

13丨 13丨 第94141240號專利申請案 邙8年2月6曰） 利範圍： 7每ca月〇仏修 正本 2.

種添加劑化合物 不： 為非聚合性化合物且係以下式表

-<y 種添加劑化合物，為非聚合性

不： 化合物且係以下式表

© 3. —種如申請專利範圍篦 或2項之之添加劑化合物作為 光阻組成物添加劑之用途。 4. 一種處理基板之方法，包括：

、於該基板表面上施加-層含有如申請專利範圍第 1或2項之添加劑化合物之光阻組成物；以及 使該光阻層暴露於圖案化輻射，並將該經曝光之光 阻組成物層顯影。 5· —種包含含有經如申請專利範圍第項之添加劑化 合物之光阻組成物塗覆之基板之製品。 6.如申請專利範圍第5項之製品，其中該基板為微電子半 導體晶圓基板。 93302修正本 26