TWI307157B - - Google Patents
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Description
1307157 五、發明說明（1) 【發明之詳細說明】 【發明所屬之技術領域] 本發明係關於一種能勸、成把+ β P β α Μ 1減在70件隔離區域之電流洩漏 之丰導體裝置及攻種半導體裝置之製造方法。 【先前技術】
在半導體裝置’藉由配線而連接電晶體、電容器和電阻 等之基本元# jit外’也有仍'然直接地使帛冑帛體之電極 而作，配線之狀態發生。—般而t，大多係使用電晶體或 電容裔之電極，或者是使用鋁或銅等之金屬而作為配線， 甚至，用多晶矽。此時，在電極或配線使用多晶矽之狀態 下，藉由在多晶矽膜上，呈整體地形成矽化物膜或金屬“ 膜’而達到電氣電阻之減低化。 半導體膜，例如多晶矽膜，係也被使用作為電阻元件。 此時，該電阻元件之電阻值，係與多晶矽膜之剖面積呈反 比’與長度和不純物（摻雜物）之濃度呈正比。例如在電阻 變高之狀態下，使得多晶矽膜之剖面積變得更小，或者B 使得多晶矽膜之長度變得更長。此外’可以藉由利用使P 多晶矽膜之不純物濃度變得更低，或者是在不導入不純Z 至多晶石夕膜中之狀態下，而使得電阻變高。 使用作為電極或配線之低電阻之多晶矽臈以及使用作為 電阻元件之高電阻之多晶矽膜，係可以由一個多晶石夕媒所 形成。在此，參照圖1 4，並且，說明習知之半導體裳置J p 之形成方法。 首先，藉由使用L0C0S(Local Oxidation of siliCQn .
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五、發明說明（2) 局部矽氧化）法等，形成由氧化矽 離區域。然後，藉由離子植入法等，而开:域和几件隔 件隔離植入區域。 4而形成井（well)或元 接著’在電晶體（未圖示）之形点p ^ ^ 膜。然後，藉由LPCVIH低MCVD)法二5〇形極氧化 度，而將並無進行摻雜（本徵）之多 nm 0nm之厚 之整體上，並且，藉由光㈣法在基板2P 行圖案化。此時，在結晶石夕膜中 ^ f夕曰曰石夕膜，進 案化：部分係成為電阻元件5?。電阻元件J : :3P 土，、， 化膜等所覆蓋纟，被保護在電^且劑或氧 影響。 肢I&步驟中，不會受到 在珀述圖案化之多晶石夕膜中，電晶體 分，係和矽化物膜一起成為-區域内之部 言，藉由在所露出之=;::閘：電：。具體而 屬膜，發生矽化物化反應，而連接該多：鎢等之金 成石夕化物膜。或者是直接地 ：等：=於形 晶石夕膜。此外，在此時，用以m ^物膜4 ’而連接多 屬膜或前述碎化物膜，係也形成在前述金 劑等之上。 1電阻兀件5 P之阻 然後，藉由形成並未圖示之保護膜 成半導體裝置IP。 A至屬配線寺’而完 此外，也有使用非結晶（非結晶性 態發生。 ^ y而取代多晶矽之狀 1 Π 第6頁 C:\2D-OODE\91-10\91115926.ptd 1307157 五、發明說明（3) 【發明所欲解決之問題 正如前面敘述，在對 時’電阻元件5 P係被阻 於電晶體之配置區域進 .形成用以形成閘極石夕化 膜。 但是，在阻劑或氧化 示相同於矽中之擴散係 等。因此’有前述閘極 中之金屬原子進入至阻 進入至阻劑等之中之 /及元件隔離絕緣膜3P 如圖16所示，由於進入 於在元件隔離絕緣膜3 p 起漏電流12P。 此外’作為金屬閘極 配線（例如銘或銅等）中 屬原子11 P。 晶體之配置區域施加各種處理 剑或氧化膜所覆蓋住。此外，在對 打處理時，於這樣之阻劑等之上，、 物膜之前述金屬膜或前述矽化物， Φ 膜中之金屬原子之擴散係數，係顯 數（參照圖15)之傾向，大於硼或砷 矽化物膜用之金屬膜中或矽化物膜 劑等之中之狀態發生。 金屬原子，係通過多晶石夕骐5 p中或 中’而擴散至基板2P内。結果，正 至基板2P中之金屬原子llp，以致 之下方’也就是元件隔離區域，引 之金屬膜（例如嫣或紹等）或者金屬 之金屬原子’係也可以成為前述金 本發明係有鑑於這樣之問題點而完成的；本發明之目 的，係提供一種能夠減低在元件隔離區域之電流洩漏之半 導體裝置以及這種半導體裝置之製造方法。 【解決問題之手段】 申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置，係具備有： 具有基板表面之半導體基板；配置在前述基板表面上之絕
C:\2D-00DE\91-10\911l5926.ptd 第7頁 1307157
93. 10. -4 替換頁 ::前絕緣膜而U述基板’表面並且連 ------MM 9inKQ9fi 五、發明說明（4) :;㈠，前述i:::置成之電阻元 域以及結晶缺陷之來庚^係在千面俯視中，包含第1區 上述半導體裝置，^焉於前述第1區域内之第2區域。 區域所配置且由前述半接前述半導體膜之前述第2 組成之化合物膜。 體膜之材料和金屬間之化合物而 申請專利範圍第2項所 範圍第1項所記載之半.半f體裝置’係申請專利 區域，係包含激發前述、纟士曰χ ’刖述半導體膜之前述第2 申請專利範圍第3項所°曰曰:陷之結晶缺陷激發用粒子。 範圍第2項所記裁之半導體 。，體裝置，係申請專利 子，係包含對於前述半 胺’前述結晶缺陷激發用粒 半導體元素、氮、氟和氬中之成為摻雜物之元素、 :請專利範圍第4項所記载之半〉:種粒子。 板表面之半導體基板裝置，係具備有： 表面上之絕緣膜’配置連 前：广口而配置在前述基板 並且由前述半導體基板之材口内之前述基板表面 申請專利範圍第5項 範圍第4項所記载之半導體；i半；成：：請專利 形成在則述開口 2物膜；以及由透過前述絕緣°膜：1’之化合物而組成之 時連接在前述化合物、^蚜前述基板表 阻元件。 所配置之半導體臈來組成之；
(：:\總檔\9]\9】]]5926\9】]]5926(替換）-]^^ 第8頁 卜年r〇月以£!修(幻正替 V|" '""" ιΓ" I ι· ......·Π__ι-ι
1307157 Μ 9111RQ9R 五、發明說明（5) 述基板表面内並且具有與前述半導 導電型之不純物區域。 坂呈相反之 申凊專利砣圍第6項所記載之半導體裝置 範圍第1或4項中任—項所記載之半導體裝£ ^\專利 膜，係包含多結晶半導體膜和非結晶半導體膜^草導體 種。 1 <呆一 ，申請專利範圍第7項所記載之半導體裝置之 係具備有：（a)形成與半導體基板之基板表面罐蜂 膜ST在前述絕緣膜上，形成作為電St 丰導體膜的^驟；此外，前述步驟（b)係包含 大平面俯視中之前述半導體膜之一曰 密度的步驟。 門夂、纟〇晶缺陷 申喷專利範圍第8項所記載之半導體裝置之製造方 係申請專利範圍第7項所記載之半導體裝置之 ^ ’ 前述步驟（b):1)，係包含：“卜卜丨）在前述半導體膜法之 述:部分區域之附近，發生合金化反應的步驟；以及 _卜2)對於前述半導體膜之前述一部分區域，進行離子植 入的步驟。 值 y申晴專利範圍第9項所記載之半導體裝置之製造方法， 係具備有：（c)形成具有開口且與半導體基板之基板表面 相接之絕緣膜的步驟；（d)在前述開口内之前述基板表面 上，形成金屬膜之步驟；（e)使前述金屬膜和前述基板表 面呈合金化以形成化合物臈的步驟；以及（f )在前述化合
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形成作為電阻元件之半導體膜的 物膜上和前述絕緣膜上 步驟。 【發明之實施形態】 <實施形態1 > 在’顯示用以說明實施形態1之半導體裝置ι之立體 圖。正如圖1所示，半導體 下，也僅稱為「基板」。2 M 導體基板" r ^ ^ ^ )2 MOSFET90、元件隔離絕緣靡 (或、，、巴、冰膜）3和電阻元件5、6、7、8、5p。 於圖1之圖示化，但是，丰莫邮肚罢彳政曰此外咱嗒對 或電容器等。 U置1係”備其他之電晶體
具體而言，基板2係由例如？型矽所組成。 面（以下也稱為「基板表面）2S f 土 之表 〇 」以b上 形成7L件隔離絕緣再 隔離絕緣膜3，❿劃分基板2成為活性區域和 兀:隔離^域。此外’ Μ件隔離絕緣膜3下之基板表面 2S内’形成元件隔離植入區域。
在活性區域内，於基板表面2S上，按照該M〇SFET9〇之閘 極絕緣膜92、多晶矽膜93和矽化物膜94之順序，形成 MOSFET90之閘極絕緣膜92、多晶矽膜93和矽化物膜94。此 外’由多晶矽膜9 3和矽化物膜9 4所組成之構造，係接觸到 Μ 0 S F E T 9 0之閘極電極9 5。在基板2中，透過閘極絕緣膜9 2 之下方部分、也就是通道區域’而在基板表面2S内，形成 MOSFET90之源極/汲極區域91。 接著’說明電阻元件5〜8、5 Ρ。各個電阻元件5〜8、 5Ρ，係藉由並未圖示之部分而連接MOSFET90之閘極95或源
1307157 五、發明說明（7)
沒極區域9 1 ’或者是連接在未圖示之電晶體或電容器 等。此外，電阻元件5 P係相同於習知之電阻元件。 在圖2，顯示用以說明電阻元件5之剖面圖。圖2係圖j中 之A-A線上之縱向剖面之—部分。電阻元件5係由形成在 凡件分離絕緣膜3上（更加具體來說，藉由元件隔離絕緣膜 3而面對基板表面2S並且與元件隔離絕緣膜3相接而形成） 之多晶石夕膜（或半導體膜）5 〇所組成。該多晶矽膜5 〇係形成 為例如50nm〜250nm厚度之帶狀。 特別是電阻元件5之多晶矽膜5〇，係在相當於基板表面 2S平面俯視之平面俯視中’包含第1區域51以及不純物（或 摻雜物）濃度高於第1區域51之第2區域52。第2區域52，係 包含例如5 X 1 (P /cm3濃度之砷。此外，第2區域5 2内之摻 雜物’係可以為賦予P型/N型中之任何 __ 第2區域5 2内之不純物，係作用成為激發結晶缺陷4之結晶 缺陷激發用粒子，由於不純物濃度之不同，而導致第2區 域52之結晶缺陷4之密度，高於第1區域51。 多晶石夕膜50係包含至少一個之第2區域52(在圖1顯示2個 之第2區域52之狀態）；第2區域52係形成在例如多晶石夕膜 5 0之表面中遠離元件隔離絕緣膜3之表面内。此外，圖1、 圖2之圖示係不相同，也就是說，第2區域52係可以形和 厚度方向之整體上，也可以形成在帶狀之幅寬方向之 分上（也就是說，即使不是全幅寬），以便於使得第2區 5 2 ’連接元件隔離絕緣膜3。 °°域 接著，在圖3，顯示用以說明電阻元件6之剖面圖。圖3
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1307157
五、發明說明（8) 係圖1中之B_B線上之縱向剖面之—部分。電阻元件6係由 相同於前述電阻元件5之多晶石夕膜5〇之多晶矽膜6〇所組 成，電阻元件6之多晶矽膜60係相同於前述多晶矽膜5〇， 包含第1區域61和至少一個之第2區域62。 特別是電阻元件6之第2區域62，係改變成為前述電阻元 件5之包含第2區域52之推雜物，包含作為結晶缺陷激發用 粒子之不容易影響到多晶矽膜60之導電型之粒子（元素）、 例如氮、氟、氬、矽（或半導體元素）等之至少一種粒子， 弟2區域6 2之結晶缺陷4之密度，係高於第1區域6 1。此 外’第2區域62中之前述氮等之濃度，係例如1 χ 1 〇1δ〜3 χ 1 0]5 /cm3。 接著’在圖4，顯示用以說明電阻元件7附近之構造之剖 面圖。圖4係圖1中之C-C線上之縱向剖面之一部分。電阻 元件7係由相同於前述電阻元件5之多晶矽膜5〇之多晶矽膜 70所組成’電阻元件7之多晶矽膜7 〇係相同於前述多晶矽 膜50，包含第1區域71和至少一個之第2區域72。第2區域 7 2之結晶缺陷4之密度，係高於第1區域71。 關於電阻元件7 ’半導體裝置1係還具備例如由鈦矽化 物、鈷矽化物、鎳矽化物、鎢矽化物等之所組成之矽化物 膜7 3。石夕化物膜7 3係透過多晶石夕膜7 0，而面對元件隔離絕 緣膜3 ’以便於配置成為連接多晶矽膜7〇之第2區域72。換 句話說’電阻元件7之第2區域72，係設置在矽化物膜73和 元件隔離絕緣膜3之間。 接著，在圖5，顯示用以說明電阻元件8附近之構造之剖
1307157 五、發明說明（9) 係圖1中之D-D線上之縱向剖面之-部分。在半 3K，Λ件隔離絕緣膜3，形成至少一個之開口 (才其汗口 3Κ係/〇著厚度方向而貫穿元件隔離絕緣膜3。 面反表面2S之平面俯視中）在位處於開口3Κ内之基板表 。’形成η型不純物區域（與ρ型基板2相反之導電 ^ t阻70件8 ’半導體裝置1係連接不純物區域22，換 膜人還具備連接在開口3K内之基板表面2S上之矽化物 物膜5物膜）23。此外，矽化物膜23係相同於前述矽化 物膜73，可以適用各種之矽化物材料。 不純物區域22，更加具體地，係開口冗内之基板 ίΓ古 矽化物膜23附近之區域之結晶缺陷4之密度， 、妓:於其周邊，對應於前述電阻元件7之第2區域72。 雷阳二f ^接_化物膜23和元件隔離絕緣膜3而成為 ”几件8之夕晶矽膜（或半導體膜）8〇。此外，在多曰功 膜8 〇中，連接元件隔離絕緣膜3之部分 曰_3 ，而面對基板表面2S。相同於；述 曰曰矽膜8 0係形成為例如5 〇 n m〜2 5 〇 n m厚度之帶狀。、 夕 8和此Λ〗可：Ϊ由不純物區域22而呈電氣地隔離電阻元件 8牙基板2。此外’矽化物膜23係能夠作件 屬：可以防止多晶補〇(之石夕原子)進入至… 80對：：ΐ】阻广件8 ’換句話說’對於-個多晶矽膜 至^扠置一個包含元件隔離絕緣膜3之開口 物膜23和不純物區域22之構造。此外，不同於圖"口圖5之 第13頁 C: \2D-CODE\91-10\91115926.ptd 1307157 發明說明（10)
圖示 ，A 、也可以形成帶狀之多晶矽膜80之幅寬，更加寬於元 件隔離絕緣骐3之開口 3K。 電阻元件5、6 50 、 60 、 70 、 80 調整及設定。 ' 7、8之電阻值，係可以藉由多晶石夕膜 之不純物濃度、剖面積或長度等，而進行 接著，除了圖1〜圖5之外，還參照圖6〜圖1 3之剖面 。、’，並且、’說明半導體裝置1之製造方法。 百先’準備基板2 ’藉由例如L0C0S(L〇cai 〇xidati〇n ' SUlC〇n :局部矽氧化）’而形成連接在基板表面2S之 兀件隔離絕緣膜3。此時，設置電阻元件8用之開口 3K，形· 成=件隔離絕緣膜3 (參照圖6)。此外，也可以藉由溝槽元 件隔離法而形成元件隔離絕緣膜3，在這樣狀態下，元件 隔離 '纟巴緣膜3係被填充在形成於基板2上之溝槽内（因此形 成在基板表面2S上）。在形成元件隔離絕緣膜3後，藉由離 子植入法等’而形成井（weU)或元件隔離植入區域。 然後’正如圖7所示’在元件隔離絕緣膜3上，打開開口 3K，而形成阻劑1 22A。接著，以該阻劑1 22A作為罩幕，以 離子植入例如砷22A，而在開口 3K内之基板表面2S内，形 成不純物區域22。接著’除去阻劑〗22A。此外，用以形成 不純物區域22之離子植入步驟，係可以兼具例如通道摻雜# 步驟。 接著’正如圖8所示’覆蓋不純物區域2 2，形成例如欽 等之金屬膜2 3 A。然後，在金屬膜2 3 A和不純物區域2 2，發 生矽化物化反應（或合金化反應），而形成矽化物膜。此
C:\2D-CODE\91-10\91115926.ptd 第14頁 1307157 五、發明說明（π) --- 外，一般石夕化物化反應，係在低於例如用以使得摻雜物呈 活性化之熱處理之溫度而實施。然後，藉由除去金屬膜 2 3 A之未反應部分，而正如圖9所示，得到石夕化物膜2 3。'在 這樣矽化物化反應時，於不純物區域2 2内，更加具體地， 在開口3K内之基板表面2S上之矽化物膜23附近之區域，刑 成結晶缺陷4。 v 然後，形成MOSFET90(參照圖1)之閘極絕緣膜92用之 化膜。 接著’藉由例如LPCVD(減壓CVD)法’而正如圖1〇所示，
以5 Onm〜25Onm之厚度，沈積並無進行摻雜之真性之多晶 矽膜5A。此時，多晶矽膜5A，係覆蓋元件隔離絕緣膜3 = 閘極絕緣膜9 2用之前述氧化膜，而呈全面地形成在基板表 面2S上。接著，藉由照相製版法而對於多晶矽膜5A進行圖 案化，形成多晶矽膜50、60、70、80、電阻元件5P用之多 晶矽膜和閘極電極95用之多晶矽膜（在後面成為多晶矽 93)(參照圖1)。 然後，形成電阻元件5、6之第2區域52、62以及關於電 阻元件7之矽化物膜73。 '
詳細地說，電阻元件5之第2區域52係正如以下而形成。 正如圖11所示’在多晶矽膜5〇上，打開形成第2區域52之 部分’而形成阻劑1 5 2 A。接著，以該阻劑1 5 2 A作為罩幕， 而對於夕bs石夕膜5 0 ’以離子植入例如坤（或結晶缺陷激發 用粒子）5 2 A。坤5 2 A係以例如2 〇 k e V以上之加速能量以及3 X 1 015 /cm2以上之摻雜量，而進行離子植入。藉由該離子
C:\2D-OODE\9MO\91115926.ptd 第15頁 1307157 五、發明說明（12) 植入，而在第2區域5 2内，形成結晶缺陷4 (增大結晶缺陷 密度）。 此時’可以同時進行電阻元件5之第2區域5 2之離子植入 步驟以及用以形成MOSFET90之源極/汲極區域91之離子植 入步驟。此外，也可以在用以形成源極/汲極區域9丨之離 子植入步驟，同時進行用以形成閘極電極95之多晶矽膜93 之離子植入。 此外’電阻元件6之第2區域6 2係正如以下而形成。正如 圖1 2所示，在多晶矽膜6 〇上，打開形成第2區域6 2之部 分’而形成阻劑1 62A。接著，以該阻劑1 62A作為罩幕，而 對於夕Ba石夕膜6 0 ’以離子植入例如氮（或結晶缺陷激發用 粒子）62A。氮62A係以例如4keV以上之加速能量以及2 χ 1 0 / c m以上之摻雜量，而進行離子植入。藉由該離子植 入’而在第2區域62内，形成結晶缺陷4 (增大結晶缺陷密 度）。 此外’改變氮6 2 A ’例如可以藉由5 k e V以上之加速能量 ，以，子來植入氟，藉由2keV以上之加速能量，以離子來 植入I ’或者是藉由7keV以上之加速能量，以離子來植入 夕此外也可以植入複數種之離子種。此時，離子種之 原子量（原子之大小）越大，則能夠在相同之摻雜量下， 生更多之結晶缺陷4。 此外’關於電阻元件7之矽化物膜73，係正如以下而形 成。正如圖1 3所示，在多晶矽膜70上，打開形成矽化物膜 73之部分，而形成阻劑丨73Α。接著，形成例如鈦、鈷、、
C:\2D-CODE\9]-10\91]15926.ptd 第16頁 1307157 五、發明說明（13) ' 鎳、鶴等之金屬膜7 3 A ’覆蓋露出於阻劑1 γ 3 a之開口内之 · 多晶石夕膜7 0。接著’在金屬膜7 3 A和多晶石夕膜7 〇，發生石夕 化物化反應（或合金化反應）’形成；ε夕化物膜。然後，藉由 -除去金屬膜7 3 A之未反應部分’而正如圖4所示，得到石夕化 物膜7 3。在這樣石夕化物化反應時，於多晶石夕膜7 〇之第2區 域7 2内，形成結晶缺陷4 (增大結晶缺陷密度）。此時，可 以同時實施矽化物膜73之形成步驟以及用以形成m〇sfeT90 之矽化物膜94之步驟。 此外，在得到圖1所示狀態之半導體裝置1後，藉由一般 之步驟，而形成保護膜或金屬配線。 _ 如果藉由半導體裝置1的話，則第2區域52、62、72内以 及不純物區域22内之結晶缺陷4，係對於引起漏電流1 2P之 金屬原子11 P (參照圖1 6 )或者可以成為金屬原子11 P之金屬 原子，進行除氣，因此，能夠減低在元件隔離絕緣膜3下 之漏電流。此外，如果藉由前述製造方法的話，則能夠製 造這樣之半導體裝置1。 此時，藉由設定第2區域5 2、6 2、7 2内以及不純物區域 22内之結晶缺陷4之密度，成為1 015 /cm3序列之以上’而
更加確實地發揮除氣效果。 此外，更加理想是在多晶矽膜5 0中，設定複數個第2區 域52之間隔，更加短於引起漏電流1 2P之金屬原子1 1 P(參 照圖1 6 )之擴散長度（如果依據發明人之實驗的話’則成為 例如1 0 # m以下）。如果成為這樣之間隔設定的話’則能夠 更加確實地對於金屬原子11 P，進行除氣。這樣之間隔設
C:\2D-C0DE\91-10\91115926.ptd 第17頁 1307157 五、發明說明（14) 定，係皆適用在各個之多晶矽膜60、70之第2區域62、72 以及基板2内之不純物區域2 2。 此外，前述間隔設定，係皆適用在相鄰接之電阻元件5 〜8闆。例如更加理想是設定電阻元件5之第2區域52和電 阻元件6之第2區域6 2間之間隔，成為1 0 # m以下。此外， 例如在設定電阻元件5之第2區域5 2和電阻元件7之第2區域 7 2間之間隔成為1 0 " m以下之狀態下，也可以在兩個第2區 域5 2、72間，設置第2區域62。也就是說，並不需要如圖1 所示、沿著電阻元件5〜8之排列方向（在圖1中之橫方向） 而排列第2區域52、62、72以及不純物區域22(參照圖5)。 此外，例如電阻元件5之低電阻之第2區域52係不過是形 成在多晶矽膜5 0之一部分，因此，如果藉由電阻元件5的 話，則得到相同於同樣形狀之習知電阻元件5 P之電阻值。 此外，可以組合第2區域52、62、72以及不純物區域 2 2。例如可以藉由在第2區域5 2内，以離子植入氮等，而 組合第2區域52、62。或者是可以在例如第2區域52或62 上，形成矽化物膜7 3。此外，正如前面敘述，由於一般係 在低於用以使得摻雜物呈活性化之熱處理之溫度而實施矽 化物化反應，結果，能夠因為第2區域5 2或6 2和矽化物膜 7 3兩者，而生成結晶缺陷4。或者是也可以對於例如成為 電阻元件8之多晶矽膜8 〇，設置第2區域5 2、6 2或矽化物膜 73 〇 此外，在前述說明中，描述在一個元件隔離絕緣膜3上 而形成複數種之電阻元件5〜8之狀態，但是’也可以在一
C:\2D-CODE\9MO\91115926.ptd 第18頁 1307157 93. 10. -4 _勢換頁 案號 9111592R L, 冲年(0月中3修(酌正替換.] 修正 五、發明說明（15) 個元件隔離絕緣膜3上，形成一種之電阻元件5、6、？或 8 ° 此外’可以組合福α _ 设數種之電阻兀件5、6、7、8，而形成 一個電阻元件。例如可 Am ^ β μ ^ \ 筮9 π a R 9 $切儿此Τ以對於一個夕晶矽膜’分別地設置 第2區域5 2和矽化物骐7 3兩者。 此外’也可以改變多晶石夕膜5〇、60、70、80，而使用非 結晶性(非結晶質)砂或其他半導體材料。此外，丄； $非結晶矽’進仃熱處理，而形成多晶矽膜5。、6。、、 此外’也可以藉由按照一般之比例縮小而設計 置1，以便於應付將來之微細化之發展。 【發明之效果】 如果藉由申請專利範圍第i項之發明的話，則 之結晶缺陷，係可以達到除氣（gettering)效 因 能夠減低在絕緣膜下之漏電流。 口此’ =果藉由上述發明的話，則能夠藉由半導體膜和金 :合金化反應而形成化合物膜，以便於生成前述結晶缺3 範圍第2項之發明的話，則能夠藉由 ~ BB缺激發用粒子而生成前述結晶缺陷。 如果藉由申請專利範圍第3項之發明的話，則能夠接 產生結晶缺陷之結晶缺陷激發用粒子。 ’、 如果藉由申請專利範圍第4項之發明的話， 半導體基板和金屬間之合金化反應而形成化合物膜勺，猎以由便 ffl ¢::^,^^91191115926191115926^^.1^ 第19頁 1307157 卜年·Ε|芩龙-f! 修正 五、發明說^~=^=r±=§==i Ξΐί 之化合物膜附近，生成結晶缺陷。由於 ΐ:;ΐϊ Γ除氣效果，因此，能夠減低在絕緣膜 屬，能豹狀！·生、首 〇物膜係可以作用成為障壁用金 如杲麩w : 材料）進入至半導體基板中。 产果藉由申印專利範圍第5項之發 At 乳地隔離電阻元件和半導體美板。x ' 則此夠呈電 如果藉由申請專利範圍笛土反 申請專利範圍第1至5項中工之發明的話，則能夠製造 如果藉由申請專利項之半導體裝置。 因此，能夠製 則能夠生成 則能夠在步 (b)-i)所生成之結晶缺=項之發明的話，由於在步驟 造減低在絕緣膜下之漏;“:達到除氣效果： a ^ » φ ^ 丨L之半導體裝置《 戈口果藉由申凊專利範圍笛 取1 前述結晶缺陷。 国第8項之發明的話 如果藉由申請專利範園 驟（e)、於半導體基板中，員之發明的話，則能夠在步 成結晶缺陷。由於這種結s連接化合物膜之區域内，生 能夠製造減低在絕緣膜下:缺陷係達到除氣效果，因此， 在步驟（f)中，化合物膜係漏電流之半導體裝置。此外， 夠防止半導體膜（的材料）'雄^作用成為障壁用金屬，能 【元件編號之說明】 入至半導體基板中。 1 半導體裝置 1P 半導體裝置 2 半導體基板 2P 石夕基板 C:\ 總權\91\91115926\91115926(替換)-l_ptc 第20頁 1307157 五、發明說明（17) 2S 基板表面 3 元件隔離絕緣膜（絕緣月 3P 元件隔離絕緣膜 3K 開口 4 結晶缺陷 5、6、 • 7、8 電阻元件 5A 多晶紗膜 5P 電阻元件 IIP 金屬原子 12P 漏電流 22 不純物區域（第2區域） 22A 石申 23 ' 73 石夕化物膜（化 23A、 73A 金屬膜 50 ' 60 > 70 ' 80 多晶碎膜（半 51 、 61 '71 第1區域 52 、 62 、 72 第2區域 52A 砷（結晶缺陷激發粒子） 62A 氮（結晶缺陷激發粒子） 73 石夕化物膜 90 MOSFET 91 源極/>及極區域 92 閘極絕緣膜 93 多晶梦膜
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1307157 圖式簡單說明 圖。
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Claims (1)
- I3^!I^11592fi 卜，Μ正本 六、申請專利範圍 — 種半導體裝置，其具備有： 二ΐ基板表面之半導體基板； 在則述基板表面上之絕緣膜；以及 電阻元件，+、朱 連接在前述絕前述絕緣膜而面對前述基板表面並且 箭·+，* t彖馭上所配置之半導體膜來組成；其中 於楚·!導體膜’係包含第1區域以及結晶缺陷之密产古 第1區域内之第2區域，前述第！及第2區域平面度Λ 係呈橫向排列； 不匕埤十面俯視 針連接前述半導體膜之前述第2區域所配置且* :…體膜之材料和金屬間之化合物而組成之化置:: 2. 如申請專利範圍 導體膜之前述第I 其中，前述半 缺陷激發用粒Γ或，係包含激發前述結晶缺陷之結晶 3. 如申請專利範圍第2項之 晶缺陷激發用粒子，总—入μ 衣直兵中，刖述結 摻雜物之元素um前ϊ半導體膜而作用成為 子❶ 于導胆凡素、氮、氟和氬中之至少—種粒 4. 一種半導體裝置，其具備有： 具有基板表面之半導體基板； ί Ϊ: 口而配置在前述基板表面上之絕緣膜； 前= ;接在前述開口内之前述基板表面，* ΪΪ 金屬間之化合物而組成；以及 ^兀件，由透過前述絕緣膜而面對前述基板表面同時\\Α326\總檔\91 \9]丨15926\91115926(替換)-i .ptc 1307157 Λ I 曰 —-----—案號 ___ 六、申請專利範圍 連接在前述化合物膜上所莫 5 _如申往直別〜 1之+導體膜來組成。 T 〇月專利旄圍第4項之半| @ f . Φ @ , 在前述開口内之前、+.里4c生千V體裝置，其更具備形成 板呈相反,述土板表面内並且具有與前述半導體基 极主祁反之導電型之不純物區域。 6. 如申請專利範圍第}或彳項之 > 半導體膜，係、包含多 +導肢裝置、、中’則述 某一種。 3夕、，，〇曰曰+ V體膜和非結晶半導體膜中之 7. —種半導體裝置之製造方法， 驟（；）以开乂及成與半導體基板之基板表面相接之絕緣膜的步 (^)在别述絕緣膜上，形成作為電阻元件之半導體膜的 步驟，此外， ^述步驟（b)係包含（b)-l)增大平面俯視中之前述半導 體臊之一部分區域内之結晶缺陷密度的步驟。 8·如申請專利範圍第7項之半導體裝置之製造方法，其 中’前述步驟（b ) -1 )，係包含： (b) 1-1)在前述半導體膜之前述一部分區域之附近，發 生合金化反應的步驟；以及 (b) -1-2)對於前述半導體膜之前述一部分區域，進行離 子植入的步驟。 9. 一種半導體裝置之製造方法，其具備有： (c) 形成具有開口且與半導體基板之基板表面相接之絕 緣膜的步驟； (d) 在前述開口内之前述基板表面上，形成金屬膜的步C: \ 總檔\91 \91115926\91115926(替換）-1. pt c 第26頁 1307157(：:\總檔\91\91115926\91115926(替換）-14^第27頁
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