TWI306548B - System and method for using first-principles simulation to analyze a process performed by a semiconductor processing tool, and computer readable medium therefore - Google Patents

System and method for using first-principles simulation to analyze a process performed by a semiconductor processing tool, and computer readable medium therefore Download PDF

Info

Publication number
TWI306548B
TWI306548B TW093129408A TW93129408A TWI306548B TW I306548 B TWI306548 B TW I306548B TW 093129408 A TW093129408 A TW 093129408A TW 93129408 A TW93129408 A TW 93129408A TW I306548 B TWI306548 B TW I306548B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
principle
processing tool
simulation
semiconductor
analysis
Prior art date
Application number
TW093129408A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200521640A (en
Inventor
Eric J Strang
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW200521640A publication Critical patent/TW200521640A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI306548B publication Critical patent/TWI306548B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00Programme-control systems
    • G05B19/02Programme-control systems electric
    • G05B19/418Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/41885Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by modeling, simulation of the manufacturing system
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/32Operator till task planning
    • G05B2219/32364Simulate batch processing
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/32Operator till task planning
    • G05B2219/32385What is simulated, manufacturing process and compare results with real process
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/45Nc applications
    • G05B2219/45031Manufacturing semiconductor wafers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/02Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/80Management or planning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Management, Administration, Business Operations System, And Electronic Commerce (AREA)
  • General Factory Administration (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

1306548 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 應用彻裝置’尤有關於將第-原理模擬 【先前技術】 =積體電路(ICs)製造中,半導體產業之材料處理實為 使半J體f 是記憶體裝置之速率的需求,i 低製者,為降 由於特徵財減知及絲財料Λ複雜度。 制、處理速率、以及將品質優越之ϊί 處理處期間之取多步驟’包括真空 製程結果纖。姆存,1影響 於處理期間量測資料,並輕供、# =子、機械、以及光學),以 變數之智慧基礎。争斷㈣^匕衣各控制器的作用以修正製程 吾人仍無法取4 目開始變得累贅且所費不貧,但 制之資料。工辦㈣上已銳鱗析,於完整製程控 對使使得吾人在半導體製造產業上 程期間,_模式化及模擬愈來俞常製造工具之設計製 之使用降低了在工具發;吊用以預測工具性能,模式化 在許多學科上=費的成本及時間。 用以提供設計問題之^確解g.上之模擬已臻成熟’其可 展’電腦電力迅速增加’此;者均可使= 1306548 行,此趨勢即建議二^^^^^時^目比之時間内執 於該工具本身,以於由」=具5又叶之模擬能力可直接實施 功能。例如_國際半各種不同製輕中提供輔助 力之議題,料在礙工具上整合模擬能 敗,主細具處理之失 目前用於半導體|1』进工呈夕二、田在°理%間内執行模擬;尤其 能,因此僅能執能力一般受限於診斷與控制功 在半導體處理工具上模聽力。然而, 電腦專用於該工具上即造成浪 源之無效率使用&成為在半導體處理二ί執 【發明内容】 及題目的為·減少或解決先前技術之上述已確認以 工呈ii明的為:將第一原理模擬能力與—半導體制进 二口 _助_工具所執行之製程。竹版錢 本电明之又另一目的為··在不需要 源下,提供工具模擬能力。要缸具專用之強力計算資 本叙明之再另一目的為:在一势 提供全面性工具=力利用各工具專用 在本發明之土熊::的二由本發明之下列態樣提供: =用之方法包含:輸人關具所執行之製 執仃弟-原理模擬係利用該輸入資料及該物^理 10 1306548 ίϊϊϊί行ί ϊ ί 擬結果係用以喊在該半導體 在本發明之另一態樣中,—♦八 處理工具, 以及用:ί入關於製程之半導體 之資料的輸入裝置。第—原理模擬工具所執行之製程 ,處理工具之第—原理物理模式,並利用關於該半導 ϊίϊ第一原理模擬,以提供第-原理模;ί果該物理模 果係用以在由該半導體處理工具所執行:該製模 又在另一態樣中,用於辅助由— 程之-系統包含:輸入關於由該所執行之製 的裝置;以及輸人關於該半“處理程之 執行第-原理模擬以提供第—原:二】該物理模式 於該半導體=¾ 上執行所用』令恶腦:::可讀媒體包含在-處理器 所執行之該製程“结果,以於該半 ,相對應之部;。:對二::而二’:一同口,字指示與其相 仙。"二=半二==輪 1306548 主圖* fm村包含如虛'_所示之王具_式庫⑽。 之制2田Γ理ί具102為執行關於製造積體電路或半導體晶圓 材列如半導體處理工具102可以下列系統施行: 条佑、_系統、光阻旋轉塗佈系統、微影系統、介電 i CS0G) (sod) ^ 系統、批次擴散爐,或者= ί程二2 “之製;可=== 理工具⑽撕之體處 關於半導 _力學資料如在處理,,種資料可包含 如在處理室之電子系統及=帽 機械3如在處理室内部各點之虔力、&析隻=ΐ);以及 製程呈置_ s集關於 體晶圓上所獲得之製程結果。在之半導 ,作為1 禺合至半導體處理工具102之計量學:且置104 ^工具可肋測量製紐能參數純刻速率、狀^’該計量 ,,第-材料钱刻速率對第二材料飯刻二之二率汐刻選 1306548 綱)、遮罩(如光阻) 所執行之製程之其他參數圖雜界尺寸、或由半導體處理工具102 理哭翻合至處理工具102及第一原理模擬處 原理模擬處理器1〇6 =3102 料轉送至第一 ;使用者輸入裝置 至模擬處理器⑽,例如資料輸入裝謂 處理工具1()2所執存關於先前由半導體 合至半導體處理工具 由第-原理模擬處理“, if模為工具、工具環境、以及執行第-原 果,以辅助為ΐί導的模式’其並提供模擬結 模式106與所分二半Ϊ:具所執行之製程,故第一原理物理 之免理工具1G2之類型以及該工具所執行 之物理係,例如物理模式106可包含-工具102 化學蒸氣沉積物理=形3狀與例如 :原理方程式與計算溫度“之^ ™ ? w〇 ansysunsys ^ ^ Ιΐί 號)、或CFD-ACE+ fCFD 園卡文迪西巷l〇 次維市韋恩路215m,^; = f/口^國阿拉巴馬州_5亨 面化學(亦即蝕刻表面化學昜、,度場、化學 '表 用自第-原理發展出 1306548 或定製模式。 入裝 原理板擬;尤其第一原理模 哭、 拉式106以執行第一 所提供之資料,以設定第里料輸入裝請 發明之第-原理模擬包含 1板擬拉組執行。本 方程式、熱力學第-定律所導出維爾—史托克斯 原子學模擬,如稀有氣體之蒙 波錄哭方程式所導出之 及氣體流之細驗」,Blrd,G ^伐體動力學
Press),1994年))。第一原捆铲扣忐克拉同放出版社(clarend〇n 體處理工具⑽整合之處理器或實體上,半導 器⑽之輸出為一模擬钍果 弟一原理模擬處理 理工具102所執行之制r° jM、,,口果係用以辅助由半導體處 製程控制、及錯誤“,並“===贿進製程發展、 出,此將更進一步說明於下。/、了辅助工具處理之虛擬感測器輸 之工包含儲存模擬結果所用 來此編譯可用以提供模擬灶果庫本;上目為過去模擬結果之編譯,未 將極易了:本:上為:1示用’通常熟悉此技術者 程式庫110之功能原理器108、以及工具級 !。4之功能可與半導體處口理工:衣中或同:〜 ⑽之功轉。錄碰變鄉其^ 1306548 電腦(如圖14之電腦系統1401)程式化,以執行圖1所示之二或 更多裝置之專用功能;另一方面,二或更多已程式化電腦可以圖1 所示之裝置之一替代;例如分散式處理之原理及優勢(如冗餘及 複製)亦可在需要時施行,以增加系統之韌性及性能。 圖2為根據本發明之一實施例之製程流程圖,該製程係利用 第一原理模擬技術,以辅助由半導體處理工具所執行之製程。圖2 所不之製程可在例如圖1之第一原理模擬處理器1〇8上執行,如 圖2所示,製程自步驟2〇1開始,即輸入關於由半導體處理工具 =2所執行之資料。如上所述,該輸入資料可為關於工具/工具環 境之,理躲之資料、以及/翅於在半導體晶圓上之卫且所執〈 =4程或此製程結果之資料;亦如上所述,輸入資料可直接自 與弟:原理模擬處理器⑽齡之_感測器_量學工 ί料:接自ί動裝置或#料庫輸入。在資料間接由手動裝置或 r口 料可為先前已執行製程中所記錄之資料, 者設定料^或者該㈣可由模擬操作 收集之資料有關或無關,由 依所欲模擬結果而定。 峨人之輸入貝科類型通常 化之工具的物理特性盥以^不^驟2〇3包含輪入以該模式模式 ’其中該ί程X係二半i 體或該處理器不可或理物理模式106可自外部記憶 外,雖然圖2所示之步驟裝置輸入至該處理器;另 瞭第—原理模擬器⑽^同日=接績於步驟加之後’吾人應明 反之次序執行這些步驟。j τ執仃廷些步驟,或以與圖2所示相 在步驟205中,第—^ 料與步驟203之第―原器108利用步驟201之輸入資 、 果式,執行第一原理模擬並提供一 15 l3〇6548 驟-中所提供之物理=====以設定步 所執行之製程,此處所採用之術;里工具102 行之製程」包含利用該模擬結果偵測:程處;里:具所執 將製程特徵化以製造產品、提供關於控制w程、 圖3為根據本發明之—實路之製程。 S:提==模擬技術,以辅助=== 接至遠程資廠該==:_連 ^Ϊ^'^Ι02 102^ 102為執行關於製造半導體裝置如積體電路之工 =㈣__處理工具1〇2所施;之= 模 3=驗f 2包含第-原理㈣ 與;軟ΐ=Γ:=Γ=執行第-原理模擬之硬s 可以腦系統_般的通用電腦方式實。施 民、、、、圖3未顯不’各模擬模組3〇2盥 ,別工具吡上1理感測器及^或架置於 然而’如上所述’資料輪入裝置可以由模擬i組操=$=之 16 !3〇6548 儲行。此外,各模擬模組3G2可用以將次 模擬結果的編譯。 十車本貝上為可用於未來模擬之過去 在本發明之一實施例中,各 連接至主廠、級APC控制器304 ;如圖3所„罔路連接而 亦可透過網路314與通訊做哭ϋ所=,廠級APC控制器304 3〇8、廠級程式庫31〇、盘:至獨立電腦模擬模組 如以下將更進—錢 在執行計算密集之第一原 挺換組308及312為 算資源。廠級程式庫⑽為以辅=擬模組302之計 所獲得之模擬結果的資料庫之模擬模组 服器、或其他與模擬模組繼、删:及工 及儲存與檢索來自廢級程式庫31〇之 互相通訊以 杰304亦可辅助由工具1〇2根據模擬模组=置’+廄級APC控制 之製程,例如APC控制哭接、二 之杈擬結果而執行 並利用該模擬結果執行i程調整莫擬結果, 法。廠級APC控制器304利用任=工具⑽之控制方 308 > 312 ^ 310 3〇2 ' 電腦系統1401實施。 、甙且其可利用如圖14之 本案發明者已發現:在合理求解步 J供大範圍之第-原理模擬結果之計ίί儲存=網路組態可 =了可便利由工具所執行之製程之Ϊ意:此即 尤其雖然簡單模擬可由工具專 袖 > 八上杈擬旎力; 算資源之複雜模擬可_在網路之工但需要較多計 3呈式碼平行化技術執行。假設有電雜重f擬模組上 :上模擬模組;;^ 1306548 時可被所有工具存取。 :=:,='二:===】似= 庫快心===; 與線上ΐ制二25起始條件,可降低計算所需條件且便於在 提供在i路上自—tf内產生模擬解。同理,圖3之網路架構亦 ί執組的能力’例如若在製程進行及模式之平 經傳遞丁;;:有==';=改^ 遠矛構亦提供至遠程計算資源之最適連接,並中兮 者以:含;==任, 路達成,此種安全連結亦如虛擬專用網 之資料交換中心,!产式、輸人參數、與模擬結果 些已更新模式可“戶果fff庫之速率。這 精化可適用料m乂 祕貝源,|經過分析後決定 際網路連接提供ΐ其他客戶μ精化處理即透過通訊值器及網 ϊ擬ti發明者更發展出臟提供虛擬感測^數之新Ιίϋ上 ii,提供用於發展由工具所執行之製程球徵化眘v、、i 行:實::利:半導體處理工具所執 顯·j只%於-早一工具及模擬模組 18 1306548 、所述之計算與儲存資源之互連網路上。 組 =現;半ίίίίίΐτ用以自物理感測器增加已測量資料 ,於將目前執行ί程特徵1缺少ϊ目感測器被 而生預安褒額外^器ί 量之狀況,本發明之卫具上。感^處卻需要測 或4條件而進行預聊可。在巧=為起始及/ =斷量測係由來自工具上模二 第一原理發圖’該製程係利用 =。圖4所示之製程可在例如圖i之^理疑感測器量 執行,或者利用圖3之網路架^ ^里1處理器⑽上 ,,輸入用於獲得關於由;J體:】=:由步麵 虛擬感測器讀數V处里工具102所執行之製程之 之步驟如中所輸入之資料可為關於圖2 擬提供一虛型’只要輸入資料可令第一原理模 具/工具環境之物;屬性體1= 程、或者此製程之結果上^亥工具所執行之製 工具自输或計量學 的-範二=!=;得虛擬感測器讀數所用之輸入資料 作為-二二:3圖;與爾^ 罩_之量測包含在=刻製程之前,遮 置(如中央及她圖;=== !9 1306548 膜厚度(亦即待钱刻膜之胺戶 曰 之輸入。在執行—特定程,測亦可作為飯刻製程模式 刻製程講間’以作為輪5,以、邊緣處完成钱 及!f可需要維持之製晴,例週期以 先前已執行製程中所或貝處,該資料可為自 最佳輸入參數」;由^理工作者設定為該特殊额之「已知 之所欲虛擬感·量測而定、。认之輸人貧料_通常根據待測 於仿真如原理模擬處理器⑽亦輸入用 侧包含輸入由模式,:^里之感=,^原;錄理模式。步驟 理模擬所需之第—原=基^ :、的物理屬性,以及施行第—原 處理工具102所執 以獲得可取代關於由半導體 數。如步驟4。3之=數的虛擬感測器讀 示之步驟4Q3J該處理器;再者,雖然圖4所 108 在步驟405中,如圖丨之卢祖/目^之順序轭仃廷些步驟。 間或與由半擬感測^量測,·步驟4G5可在i同‘ 同時執行之模擬可利用^自=之製程同時執行’未與晶圓製程 所儲存之起始與邊杯#自:、有相同或類似製程條件之先前製程 於模擬執行較晶圓製^緩慢之關者,其僅適用 工期間之時間可用以進行預隨’ =舟間或甚至在工具停 里利」稍後可於晶圓處理期間顯示出來,宛如其係^ 20 1306548 =製程同日梅出且製錄於與模擬執行_之製程條件下執行 步驟之製程同時執行處’ 於工具執行製程期間感測預定ί數“以便 行,U'iSn'2=f ::而與製程同時重複地進 量測資料可供工呈把作去苗鮮、,、式之邊界條件’所產生之虛擬 之量η〔、二π ^測,且其絕對與物理感測器所做 虛;率==速執行之能力,如此 =不採用物理感測器心====擬 ,之起始及邊界條件係根據工具處理前之工勃 3==2=理;:時間相依之模擬心於心處 擬感:二二 =;!:第-原理模擬可藉由將虛 具操作者將「已知畀社私λ A A /、诛仵之弟一回合期間,工 間或之後,亨槿糨广!"輸茶數」用於模式上;在各模擬運算期 置上,將所預 ㈣勿理感測器之確實量測的位 異,則可利用最適化:及,,到明顯差 據狀況,這觸外^^之,測及骑量測資料為止。根 進行,或biitf疑運异可與下一個晶圓人曰曰圓晶舟同時 戈疋田工具雜時進行;一旦精化輸 21 1306548 =芏其他工具,““二 擬感測器量測可作為各種不製程。舉例而言,虛 與確實感測器量測之比較、势:、n統之輸入’例如 告、製程條件之資料庫產生、模誤偵測及操作者警 由工具控制I鎌獅理❹ 么貞料之精鱗’這些乃 虛擬感測器量測可用斤做之置測所執行之典型功能。 者’虛擬感;器===;,如下將說明者;再 稍後使用,如此即免除了重二 =媒體上之程式庫中,以備 模式,入條件(例如在精化期條件之模擬執行,除非 除提供虛_測器讀數外,本發^ 〜 進半導體製程發展,尤1對 二 原理模擬能力可促 具上,程特徵化而言’操作參發展方法將工 ,擬能力容許參數若=之工具上第—原 k些由第-原理模擬所充分模式化之制線且不需要包含 H將W降低將I具上製^ 之確實製程執 擬技術,以將程係利用 ^二圖5所示之製程可在例如 ^所執仃之製程特徵 執仃,或者利用圖3之架構。 1理模擬處理器1〇8上 ,,於獲得關於由半^處理圖工5呈所:冑程自步驟附開始, 貝簡資料’在步驟5〇1、中所之資行之製程之特徵化 =之任何資料類型,只J入資料f人第關於圖2之步驟201 _測器模擬結果即可。如此,該輸入擬提供—虛 句Λ工具/工具環 22 1306548 ίί:::、體晶圓上由該工具所執行之製程、或者此 合至貢料;再者,步驟5G1之輸人資料可直接^ 或間理感測器或計量學工具輸入 =虛擬感測_ί 資= 冶:先前已執 ,作者設定為特定模擬丁:,已==者=可由 類型通常===;關,由處理工具所輸入之輸入資ί 物理特⑽亦輸入第-原理 原理拉擬以獲得特徵化資料所需之 “2上_執行弟 式,其中該特徵化資料係來自於由半導第二馳基 仃之製程。步驟50q夕铱^ m L/ 田千¥體處理工具102執 器不可或缺之内部記可自外部記憶體或處理 ::步_係接以===,圓5 以:可同時執行這些步驟,或以與圖 在步驟505中,如圖1之虛f哭 … =如1之輸入資料與步驟5Q3之^ 利用 原理私擬並提供—模擬* 、物_式’執行第一 由半_處理工具所執;;之$忿程,徵化;步驟505可與 :處理執行中所儲存之起始與ί界條:相f或類似製程條件 ’其僅適餘顯執行較 ㈣=上_於® 2所提及 ,至在工具停工期間4= J、巧例;晶圓晶舟間或 組解所需之模擬結果。’了用以進仃預防維護,例如令模擬模 23 1306548 處,娜㈣程同時執狀 變化,·或者第一原理模製f之實驗設計進行測試的參數 係不同於在,導體處射該參數 :=體處理工係 資料組可儲存於一程式庫中夺^貝的貫驗;該特徵化 用。 車中以在稍後由工具所實施之製程中使 製程提供錯誤偵測及 製程之結果被魏荷之實驗設計方法;這些 資料夕料,以便感測或控制度分析等之 測並‘ί使;之=件變化下可靠地感 ,將令資料庫的產生變成=所有操作,件,此 =地雜具以=回】”=:-原理直 腦運作時間資訊;但本判料料精化為較多之電 制能力之資訊。事實上,s 用於餘感測及控 利用製程模式進行經驗控制,以基礎’於此,製程可 際上尚未得出之「解」;故本發明解延伸至經驗結果實 貫轭例错由以第一原理模擬 24 1306548 卩實際上觀察到的)解而將製程憑經驗式特 ί模:=;解係與已知解一致。最後,隨著統計學曰益發 展棋擬杈組解可以經驗式解之資料庫取代。 之建之-貫施例中’工具上第-原理模擬不需要資料庫 口取2不同操作條件下具有較多可資利用彻運作 ϊ計方法仍可用以精化卫作模式與輪入資料, 能力之!訊。中不需要具有此種用於製域測及控制及錯誤偵測 第一 Hiiif發明之—實闕之系齡塊圖,_、统係利用 f處包等製程控制(㈣基礎建設_之 制益614亦-合至Apc基礎建設6〇丄里:」12及遂沾 可包解資料庫6〗6與—網格資料庫二6 π,&式庫⑽ 施,1之彻如工具⑽實 塗系統、微影系統、介電淹備統、银刻系統、光阻旋 熱處理(RI?)季统、以及^、沉積系統、熱退火用之快速 處理系統。賴6«他輕半導體製造 606並自APC控制器_接收:供工具資料給模擬模組 處理工具602亦轉合至提供處理將更詳細說明者; 學工具612。 0果貝氣給模擬模組606之計量 模擬模組606為電腦、工作 技術以控制由工具6G2所施 ^他可執行第-原理模擬 關於圖3所述之模擬模 、组 302 眘‘’因此其可當作 理物理模式1〇6及關於圖!所^ \;^模擬模組602包含第-原 任何其他有助於執行第—及二弟—原理模擬處理器108,以及 體。在圖6之實施例中,模擬^ 之程之硬體與/或軟 且106係用以接收來自一或更多 1306548 資料、熱及機械資料、或任何關於以學資料、化學 料。在圖6之實施例中,工心 述之輸入資 上執行之模式的邊界條件及起始條 模、巧2擬拉組6〇6 、咖NT、_D_AeE= 包^如前述 Ϊ度?第=::;Γ爛 以提供工具製程系統内部之細節部分, ‘^:^^^收來自模擬模组 修正製程非均勻性。在本發明ϋ施^ 1可進行一調整以 在模擬模組606上執行,其主要隼中於二;^或更多擾動解 行之製程之製程解;接著可以 * ^在處理王具_上執 (數值方法,Dahlquistn二:、、急性【適,^ 格鸡克里夫斯,紐澤西州,1774年 en lc:-Hal1公司’英 等人著,劍橋大學出版社,劍橋年二H植處方,Press 動解用於決妓―n維空間内施^方:测-3=)」將擾 用APC控制器而在處理工w〇2 J^之方向,该修正接者即利 感測器資料)至少其中之―、戍者^ =二具讀(亦即 均勻靜態壓力場,該均句性可^ 用條巧基板下方之—非 ,度的已觀測非均句性,該尺度係藉由;能 態壓力非均勾性所應採為移除或降低靜 包含壓力、功率(傳送至電例t製程之輸入參數可 擾動一輸人參數且保持所有其他輸人二固形成當二可欠 26 1306548 化方案使用之職矩陣,以獲得適合修正 宗夕另—實施例中,吾人採用模擬結果結合如等候判 之美國專利申請案序號60/343174、發明名稱為「偵測、^別 之方法」中所公式化之主=二S: 即PCA)以丰^^:内入以為參考;於此,吾人可利用多變數分析(亦 至少一可簽署(亦即模擬模式結果之空間成份)與-组 程效衫數間之祕,此_可_提升對應於製 模式結果)之#料輪廓。域份分析決定半導 -控制參數預,出)之空間成份與-組至少 對至少n Ϊ之關係,所決仅關係係用以決定 度最小化Γ而“ 3輸人參數)之修正’以便令空間成份之強 之非均勻性。。或降低)模擬結果(或若有可用之量測結果) 可包含一粗解h維資^ =貝2618 ’該解資料庫⑽ 演算法之獨立來倾日%f 〃巾n,4工間之級數n係由特定解 回合之工邱配。當難模組6(36檢索—特定製程 接近之擬合絲Γ以決定最 目,隨著各模式提供一模擬結果所須施行之疊代數 格資料庫618可包含或f 加入至解資料庫616。另外,網 工具或處理I具幾何w . ^桃組’各網格組表示—特定處理 之網格,範圍分^由粗各;格組可包含具有不同網格解析度 在粗網格上解出模^士果二::人可藉由實施多格解技術(亦即 而利用網格之選擇以;;J求:當較細網格、最細網格上解等) 言十量學工呈6Ί?·^ρ田、曰守 速率、细選擇性〔^ 2測製程效能參數如抛彳速率、沉; 释^ U一材料對第二材料之I虫刻速率比)、爛 27 1306548 解答器參數(亦轉答n錄更新614與包含模式 斂歷程之模擬模組606交換資訊。彳悲、杈式解、以及解收 ^圖7為根據本發明之一實施例之制 弟-原理模擬技術以控制由半導’该製程係利用 =由步侧開始,其係之製程。該流 基板或基板批次;在步驟7〇4 J工且二,之處理工具内處理 模組606之模擬模組以作為^^將其提供給如模擬 該模擬模組之第一原理模擬模式上,=巧起始條件加諸於 機會(例如f執行至另—執;°所二操,者隨時有 用於APC控制器6〇8内之押制嗜| 人另批次)選擇待應 藉由控制器修lil利用步驟712中所說明之模擬結果, 原理:發二;'人可::用—經驗模式結合第-,之-實施例二方塊 之-處理i呈^3盆f:至间等製程控制(APC)基礎建設_ 及一紙控制⑽4包含一模擬模組_ APC基礎建,8;4、li s二具812及遠程控制器814亦輕合至 似,百Λ 與關於圖6所討論之相對應項目相 ’、θ項目更用以運用於考慮經驗模式外,故這些相似 28 1306548 項目將不針對圖8作說明。 模擬模i 806斤:用模式分析處理器840,其係•合至 施例中,模式分析勺人二t核組806之模擬結果。在圖8之實 模擬結果_於由!化,經驗模式,因 之處理循i歷程:率斜坡至量產 ::ί經S鑑定與乾燥處理至二於二忒ΐ 相對應於特殊處理工具及與其2 穴,以包含 樣本。換言之,透;f之衣私之統计上充分參數空間 802 (可取得模擬模⑪ ^處理伽、以及維護循環,工具 儲存於程式庫=中㈣決定參數郎之邊界;最後, 理模擬之製程模式,並較加強第-原 調整/修正之用。 主APC仁制态之輸入,以作為製程 以監^^^^、814可與經驗模式程式庫_合, =選擇-經賴控制:以=先 之至經驗模式⑽庫之輸银絲如)’以提供作為校正用 第—程流程圖’該製程係利用 行之製程以控制由半導體處理工具所執 提供作為至模“二模擬$ : ,測^工具賴並將其 件接著即力_疑模組 如步驟906所示;在步驟_ '二物里柄式上,以建立模式, 出係用於分析與建構經驗^物理模式以獲得其輸 、 弟原理核擬結果,如步驟91〇 29 1306548 所示。 操作者隨時有機會根據 執行至另-執行或由—批 原理換擬或'經驗模式,例如由— 驗模式之某點上,操 擇製程控制,在建立經 ^模擬,在該點上可而選擇完全頭第—原 輸出以形成一特定工:‘插方案,迅速地 决疋九兄利用第一原理模擬或細於知如此,決定方塊9J2 中若決定不作置換,㈣製程。在步驟9]2 模擬結果決定控制訊號,若擇914,即APC控制器自 模式決定控制訊號,如步驟916擇戶^置=’則APC控制器自經驗 器可利用第-原理模擬結果盒==另二實施例中’ APC控制 步驟⑽所示,製程可利用步驟化之、,合來控制製程。如 中所示之經驗模式輸出,而以。中所不之換式輸出或步驟916 之製程顯示經驗模式Ϊ就=整/修正。是故,圖9 值,输特定輸入參:數(控制變數)之新 上述技術其中之—的輪入夫先㈣用)值’心_為根據 係數。 _人减練,請自〇幻之過遽器 模擬類器可結合第一原理 明之一實施例之系絲方&图 衣王之彳工制。圖為根據本發 σσ…4方,料、_彻第-原理模擬技術鱼 所==包:=,=所執行之製程。如;圖 之虚理T unt 4製程控制(㈣基礎建設1004
^ΐΐ ΙΟΟβ Γ, ??^ 1〇04 1〇〇6 APC 庫1Q1Q;雖綱1Q中未顯示,程式庫誦 U解貝枓庫及—網格資料庫,計量學工具腦與遠程控制器 30 1306548 建設麵,這些項目與__討論之 外^這些=項= 運用於考慮錯誤侦測 數分析(如貞包=貪料輪廓,該貧料輪摩接著可作為對多變 入;在:L 卿中所執行之部分最小付(PLS))之輸 效能資料(/)之定義表不工具擾動資料U)與製程 擬模組處接二:動f :之觀測組由錯誤偵測器自模 定,就;不是集中於目前模式解上就地決 之級數U 先驗地決定;η維參數空間 中之獨立參數之t目鴨、》流速、溫度等;見下方) mmmii ( ^^ι, ay/aV2, 對於各觀測組而言,工數)係儲存於矩陣尤内; .製程效能酬亦即㈣搁,且 硯測*而錢即代表不狀餘效卩代表不同之 η矩陣,而F可為-η χ p矩陣。一旦,右通 =矩陣/可為-m x f有需要,資料可財㈣均處理 於矩陣中, 中之資料之中心平均處理涉及計算攔元儲存於矩陣攔 =值;再者’位於-矩陣搁中之資料可, 係可gi:赠分析而言’工具資料與製程效能資料間之關 31 1306548 χβ = υ (l) 之 用1立及F空間且係式最大化 —一在PLS^分析模式中,尤及尸係分解如下: X-T PT + E (2a) Y = UCT+F (2b) ΰ^Τ + Η (2C) 為總ί分之載入的矩陣^ Ϊ J 、及Θ為餘數矩陣;另外,在PLS分析模式中, 有代^與頂係且肋計算fJt稱為加權之額外載入歹、。 盆目Μ鮮w t “柄者所成之—直線、平面或雙曲線面, ;=ϊ=始職及F、與將在雙曲線面上之觀測位 f戶=?料輸伽至PLS分析以及相對應之輸出 支援PLS’分析ίΐ化重要性(VIP)示意圖。可 州内提券之t商業軟體之一例為MATLAB(美國麻 n hW S公司之商業化產品)所提供之PLS工具箱 ;兴糾而澤f州金内隆之Umetrics公司之商業化產 牛>此車人體上更進一步之細節可參照SIMCA-p8〇 發ΐ 分析上_準8.g版’其《用於本
—、=二ί果任何差異均可利用㈣分析與VIP結果 模ΐ之最製程參數所致,例如來自PLS 圖12為根據本發明之用 32 1306548 第一原理模擬技術盘_ w 執行J製程。該流程圖:由'步驟二:制體處理工具所 ί具内處理基板或基板批Γ;1步驟在 =理工曰具_ 售字/、提供給如模擬模組丨006之模擬模組測1工具資 始條件加諸於該模擬模組之第輪人;接著將 出至如圖以紙㈣請理模式, J另’次)選擇待應用於Apc㈣哭另執仃或由-批次 pc; ίίΐ 測器1040中之PLS模f 衣耘杈式輸出作為在錯誤偵 測到並分類,例如如人 於步驟助偵 與特定製程條件(亦即輸入控;;怎=效能細 該差異(或變若真實與模擬結果間之 則可預測錯誤已產^ 他統计里值)超過-預定間值, 的一部分,亦= 疋間值可包含例如特殊資料之平均值 倍數,亦即:、2〇、10%、15% ’或其可為該資料之均方根值的 pls分析分来員。似/五/,一旦偵測到錯誤,該錯誤即可利用 維解空間内先,地^式^上就地決定,就是利用製程模式在η 之差里,^ 疋。彻敏感度矩陣以及真實與模擬結果間 間之差分析解方程式⑴’以辨識對真實與模擬結果 之範例'、性之控制變數(輸人參數);利用以上所提供 括描述,ίΪί=雜於基板上方空間之靜'態壓力之輪靡作概 之模援^ϋ 代表壓力之測量輪靡,而¥*代表壓力 网祁。假设吾人已設定一氣體流速,然而質量流量控制器 33 1306548 已知該設定值),則吾人將可預見壓力之模擬與測 輪廊間之差異’亦即真實與模擬案例間之流速相距2 又才斤、,貝:二ΐΤϋ間之差異將足以大至超過預定閾值。利用pls i速:會被辨識出來,如氣體 告,或令錯誤狀態向操作者報 錯誤偵測。 °。執仃處理工具匕制(例如關機),以回應該 可鹿之方翻,本發明之製程控制實施例 :用於之、工處理紐;目131所提供之真空處理純 真空泵峨。氣體= 、、*入*〜由盤、一氣體注入充氣室、以及在教體
多氣〶主人標板。該氣體注人充氣室可耦 "士或更夕軋體供應如氣體Α及氣體Β,其中氣rAy5气骑R f 量_· M^CA ‘ i 可輕合至氣體以室卜; 溫度⑺)或基板溫度之溫度感測器1314 ^土^支5 如上所述’氦氣係== 二======)物變化者。 度(丁2);而另一壓力感測器1322可耦合至直*'Hf表面溫 以測量入口壓力。 ”工泵浦系統之入口, θ斷控制态1324可耦合至每一個上述感測哭, 供來自這些感測器之量測給上述模‘對ϋ二可用以提 上執行之模式可包含例如三 氣體動力組件、與化學組件。在第—崎中,吾人m且=、 34 1306548 著計算氣你間隙熱傳導’之後可藉適當地設定邊界 :忿二決定基板(及基板支架)之空間解析2 功率、/二"σ邊界度度或邊界熱通量、存於電阻加熱元件中之 之熱通量i心件巾猶之辦、因存在電漿祕基板表面產生 用製:=:,吾人係利用八聰計算溫度場;利 及壓力(ρι)可用以決定人口條件,且壓力 利用化學ί式力及速度場。 可作為供化學掇3d *刚计异之速度、壓力、及溫度場 中每一種均之處理循環内,這些模式組件其 提供空mj勾;r,這些組件中任一個均可用於 以及/或錯誤偵測/分類之輸入。市』万法予衣私特被化、 器老==驗之、以及如反應 制ΐϋίί 式所Μ般變得具有統計意義時,f砂 先前執行操作之「重複」;然而,=== 第-原理模擬之能力’以適應新製以二: 圖〗4說明本發明之—實施例麻 刚。t«腦系統i可作為yzct之—電腦系統 任何或全部上述第-原理Γ擬為處^原理_,以執行
=:===以傳輸資訊之通訊機構、i、= 輕口以處理以之-處理器亂·該電腦系統刚亦包I 35 1306548 -主記憶體1404,如P4機存取記紐(RAM)或其他動態儲存裝 置(如動態RAM(DRAM)、靜態raM(sram)、以及同#dram 憶f 14_合至匯流排_,以儲存將由 期間儲存暫時魏或其他中間資訊;電腦系 、、充1更匕3 一耦5至匯流排1402以儲存用於處理哭14〇3等 令記憶體(ROM)14〇5或其他靜態儲存裝置(例 如可私式化ROM (PROM)、可抹除PR〇M (EpR 除ROM (EEPROM)) 〇 及电可抹 田系統剛亦包含一耗合至匯流排14〇2以控制-蚊多 ί3磁性硬碟刚7、可移式媒體機HG8 (例如軟式磁^ =物光、讀/寫光碟機、辆記錄庫,磁帶]機 ^式磁光機),除練置可彻龄裝 介面(SCSI)、整合型雷子裝w n V1夕J如小空电月自糸統 記憶體存取(DMA) <心DMA) IDE (E_IDE)、直接 雷腦系m次:逑〇Μ而附加至電腦系統1401上。 體二c i=二殊用= 蝴例如應用特殊積 件伽D)、观化邏輯元 間陣列(FPGA))。 、铒兀仵(CPLD)、以及場可程式化 1402
極射線管iCRT 氣、, 电月自系 '、充1401包括用於盘雷聪祐田本方a 輸入裝置1411如=及ϊ 器刚並控與指令選擇給處理 此外,或可有印表機㈣川;、、軌跡球、或指示桿; 資料項Γ 機以供列印電腦系統1401所儲存及/或產生之 電腦系統刚_應處理器·而執行記憶體修主記 36 1306548 憶體1404)所包含之— 或全部本發明之處^ 更多巧,以完成部分 硬碟Μ07可移動媒_ 14(^類^可自另一電腦可讀媒體(如 排列中之—或更多 二主體1404,在多工處理 令序列;在可供執仃包含於記憶體1404内之指 合軟體指令,故體連接迁迴可用於取代或結 合。 雌限於任何硬體物錄體之特殊組 如上所述,電腦系統14〇1 谷納已程式化指令並包含 丨一根據本發明原理而用於 述資料之電腦可料φ表格、記錄、或其他此處所 子包括光碟、硬,可讀媒體或記憶體的為例 EEPROM、快,、磁光碟、PR〇M CEPROM、 他磁性媒體、光碟(如c 、SRAM、sdram、或任何其 紙帶、或其他具孔洞圖案之:2任:其他光咖、打孔卡、 何其他電腦可讀取之媒^。 4、載波(將說明於下)、或任 t發明包含用於控制電腦系統 t 1401 ,生互動之倾,其倾存於任—電卩^人員) 軟體可包含(但不限於)裝置轉或=合中。此 應用軟體;此電腦可讀媒!*爭j a ” ’、'、、务展工具、及 (若係分^ 包含本發明之用於進行全部或部分 分散處理’以獲得較佳效能ΐίί:二或ir有部分可作 ,田。。此處綱之「電腦可魏體」—詞係指任-與提卿八徂_ $ 1403執行有關之媒體。電腦可讀媒體可具諸;料:曰 不限於)揮發性舰、非揮發性雜、及通訊雜^括(= 體包含光碟、磁碟、及磁光碟,如硬碟⑽或‘動式媒,體機某 37 1306548 1408 ;揮發性媒體包含動態記憶體如主記憶體1404 ;通訊媒體包 含同軸電纜、銅線、及光纖(包括組成匯流排14〇2之線),通訊 媒體亦可具聲波或光波形式,例如在無線電波及紅外線資料傳輪 期間所產生者。 ' ^ 各種不同形式之電腦可讀媒體與完成一或更多指令之一或更 多序列以供處理器1403執行有關。例如指令起初可記錄於遠程電 腦之磁碟上,遠程電腦可在遠處將施行全部或部分本發明之指令 載入動態記憶體,並透過電話線以數據機傳送指令,在電腦系^ 1401附近之數據機可接收電話線上之資料並利用紅外線傳輸哭將 資料轉換成紅外線訊號;與匯流排1402耦合之紅外線偵測器^接 收紅外線訊號内所帶的資料,並將該資料置於匯流排14〇2, 排刚2將龍攜帶至主記憶體刚,處刚再自此檢索^ 執行指令,主記憶體1404所接收到的指令可選擇性地在處理哭 1403執行前或後儲存於儲存裝置14〇7或14〇8中。 口口 一電腦系、统1401亦包含與匯流排14〇2搞合之通訊介面,
=路線鏈接1414㈣上提供經由—或更多 [伢經田一或吏多網路至其他資料裝 1414可令經由一區域網路1415 (如 设備(其藉由通訊網路1416提供傳
區域網路1415及通訊網路1416利用 途、或光學訊號與相關物理層(如CAT 丨。經過各種不同網路的訊號與在網路 38 13〇6548 位資料往if軌介® 1413職號,此魏號均攜帶數 式進行。美頻1401,且以基頻訊號或以載波為主之訊號形 傳遞數位iir’ 用數位資料位元流表示之未調制雜衝以 遞至少—資1碰1、位兀」—詞係泛指為平均符號,各符號傳 及波形式透過傳遞舰傳送之振幅、相位以 1貧諸率移動鍵控δίΐ號,如此,數位資料可透過一「有線」通 藉調變紐而在—預定頻轉(非基f 』=====網路鏈接1414、 桌上t龟細、或行動電話等之功能。 t發明可按照上述原則進行諸多調整 =例如此處與申請專利範圍中所述之處理步驟 明^所說明或列舉之順序外的順序實施;通常熟習此二2 奢·僅有施行稍後處理步驟所必須之這此處:=應 猶後之處理步驟純行。 朗步驟’須於實施 【圖式簡單說明】 說明,而使人更易獲得與明瞭,1中 =2為根據本發明之—實施例之製程 弟—原理模擬技術,以辅助由半導體處理工具利用 圖3為根據本發明之一實施例之網路架構方 二壬’ 行提供第-原理模擬技術’以辅助由半導體二 圖4為根縣發明之—實施狀製錢朗,程係利用 39 1306548 之虛擬感測器量 第一原理模擬技術以提供在半導體處理工呈 測丨 第一原理桓輕貝犯捫心衷程流程圖,該製程係利用 圖6為根據本發明之一資旅例 士 =衣各特4化, 第-片理握舰貫例錢方塊圖,該系統係利用 圖7 Ϊ ί 控翻料體處理工具職行之製程; f 5,根據本發明之-實施例之製程流程 原理模擬技術,以將於半導體處理工具上 ,6,根據本發明之—實施例之系統方也 根據本發明之—實施例之 第-原理模擬技“口;=;;,該製程係利用 第 行之製程;(、、、邊域’以控㈣半導體處理工具所執 第-二里ίίϊ彳例3程流程圖’該製程係利用 行之製程;,、、,〜%式’咕偏半導體處理工具所執 圖10為根據本發明之一每余存丨 第一原理模擬技術盥—鈣貝 Μ、、 先方塊圖,該系統係利用 執行之製程;’、’’3°、偵1态,以控制由半導體處理工具所 hPLS分析以及相對應之輸出 圖12為根據本發明之 重要,⑽)不'亦 第—原理模擬技術盥—j之衣/王、机程圖,該製程係利用 執行之製程;、錯,以㈣由半導魏理工具所 可應顧,本糾之製健制實施例 統上圖Μ說明—電腦系統’本發明之—實施例可實施於該電腦系 【主要元件符號說明】 102半導體處理工具 104 資料輪入裝置 40 1306548 106 108 110 201 203 205 207 302 304 306 第一原理物理模式 第一原理模擬處理器 工具級程式庫 具所執行之製程的資料 鄉賴來執行第- 利用模擬結果以辅助由半導體處 模擬模組 廠級APC控制器 工具級程式庫 原理模擬 理工具所執行之製程 川8、312獨立模擬模組 310 廠級程式庫 314 網際網路 316 通訊伺服器 4〇1 關於由半導體處理工具所執行之製程㈣ =原理物理模式
提供虛擬感測器量測 松式來執行第—原理模擬,C 407利用虛擬感測器| 501 程 里測以辅助由半導體處理工具所執行之製 …輸入資料以獲得關於由半導 503 的特徵化資訊 /、所執行之製程 輸入用於將由伟體處理工且i 505 —原理物理模式 八 厅執行之製程特徵化的 507 一原· 利用模擬結果《將由半導體處理工 1—特 1306548 602 處理工具 604 APC基礎建設 606 模擬模組 608 APC控制器 610 程式庫 612 計量學 614 遠程控制器 616 解資料庫 618 網格資料庫 702 處理基板/批次 704 測量工具資料 706 708 式之邊界條件/起始條件 710 由模擬結果決定控制訊號 712 調整製程 802 處理工具 804 APC基礎建設 806 模擬模組 808 Apc控制器 812 計量學 814 遠程控制器 840 模式分析處理器 842 經驗模式庫 902 處理基板/批次 904 測量工具資料 906 以工具資料設定模式之邊界條件/起始條件 908 執行第一原理模式 910 建立經驗模式 912 模式撤銷否? 42 1306548 914 由模式輸出決定控制訊號 916 由經驗模式輸出決定控制訊號 918 調整製程 1002處理工具 1012計量學 1006模擬模組 1008 APC控制器 1014遠程控制器 1010程式庫 1040錯誤偵測器 1004 APC基礎建設 1202處理基板/批次 1204測量工具資料 1206以工具資料設定模式之邊界條件/起始條件 1208執行第一原理模式 1210以模式結果為輸入執行多變數分析 1212 偵測錯誤 1302處理工具 1304基板支架 1305基板 1306 氣體注入系統 1308、1310質量流量控制器 1312壓力感測器 1314、1316溫度感測器 1318壓力感測器 1320溫度感測器 1322壓力感測器 1324診斷控制器 1402 匯流排 43
處理器 主記憶體 ROM 磁碟控制器 硬碟 可移媒體機 顯示器控制器 顯示器 鍵盤
指向裝置 通訊介面 網路鏈接 LAN 通訊網路 移動式裝置 44

Claims (1)

  1. ㈣6物 . ' * r t 附件: 干、申請專利範圍: 一__ 法 資料f ’由辑導體處理工具所正執行之—真實製程的製程 包含:用於刀析由—半導體處理工具所執行之-製程的方 輸入包含電腦編碼微 ™原理物理模式描述該 t之原理物理模式,該第 至少一者,而該電腦編料义=工/、之基本物理或化學屬性的 式或其組合所表示;、、、’、、、你/刀方程組初始係由微分形式或積分形 利用該物理槿式, 程資料來執行第」原理該真實製程相關的該製 執行該真實製料模擬正被執原理模擬結果,俾在 利用在執行該真實该真實製程;以及 由該半雜處理工具所蝴-原理模擬結果’以在 執行之-製程的方法,f由—+賴處理工具所 該半導體處理工具上之二資料包含自實際上架設於 ‘一如製 置與一資料庫至少豆中之一,門 貝枓匕3自一手動輪入裝 所正執行之ί真ΐ製::該資:接輪入關於由該半導體處理工具 4·如申請專利範圍第3項之用於分 一 製;包含輸人先二㉝ 所設定之資料。 3彻八田杈擬刼作者 45 1306548 執行之—®第1項之驗分㈣-半導體處理工具所 體處理工具入製程資料包含輪入關於該半導 料。 ¥體具衣徺之至少其中一種之物理特徵的資 執行之—製程^圍第t項之用於分析由-半導體處理工具所 導體處理:^所執杆該輸人製程資料包含輸人關於由該半 資料。/、斤執仃之一製程之—特徵與-結果至少其中之-的 執行之-製程之用於分析由一半導體處理工具所 該半導體處理工呈之,幾、入—第一原理物理模式包含輸入 9·如申_^^开f之一空間解析模式。 執行之-製程的方法,1 ^^析由一半導體處理工具所 基礎方程絲作為執行顧物理模式包含輸入 電腦編碼微分^^之第—原理模擬所需的該 或積分m其組麵表=、、扁細分方额初始係由微分形式 所執行之in用t分析由一半導體處理工具 第—原理模擬以及由該半“處^原理模擬包含同時執行 u.如申請專·㈣丨項之用執行之該製程。 =執行之-製程的方法,1中^用^析由—半導體處理工具 該半導體處理I具所執行以—原理模擬包含執行與由 12.如申請專利ΐ圍ϋ無關之第一原賴擬。 所執行之一製程的方法,盆中^ϋ分析由-半導體處理工具 入資料以設定該第-原理弟—原理模擬包含利用該輸 $以如申請專利範圍第邊界條件。 之一製程的方法,其中該第=由-半導體處理工具 14.如申請專利範圍第Γίϋ起始條件。 之用於分析由一半導體處理工具 46 1306548 所執行之一製程的方法,苴 ^第一相顺時所得之 j-原理模擬結果與該輪入資料,::4程時所得之該 侍之該第一原理模擬結仃垓真實製程時所 製程中镇測—錯誤。果以在由斜導體處理工具所執行之該 15‘如申請專利範園第1項之用於分杯由―士 二斤3之—製程的方法,更包含利用二互i二t導體處理工具 申園f直1項中所述之該處理步驟ϊίί'ΐΓ ’以執行 如申請專利範圍第15項 /、肀之一。 所,行之-製程的方法,更包含在互、導體處理工具 仃化,以分擔該第-原頻擬 ^_程式瑪平 所請專利咖 所執仃之一製程的方法, +導體處理工具 在1半導體處理工具所執行之模擬資訊,以 队如申請專利範圍第17項之^中 誤。 斤執仃之—製輕的 、二5由帛導體處理 ,擬結果,以減少包含在 之多餘執行。 實貝上相似之第-原理模擬 ^丑19·如申請專利範圍第17項之用於八· 斤執行之—製程的方法, 由-半導體處理工呈 ,配模式變化,以減少不同資;包含在該互連資源 之多餘精化。 貝/原之貝貝上相似之第-原理模擬 如申5青專利範圍第項之用於八批山 斤執行之—製程 含 ^斤由-半導體處 源,,決定在由該半導體而利用遠程資一 肺-1·如申請專利範圍第20項之用j中之該錯誤。 H利用遠程計算與儲存資源至經由-廣域網 处工具所執行之該半導體製程。 乂辅助由該半導體 47 1306548 所執1項之用於分析由-半導體處理工具 ANSYS電腦程4石/ ;、甲5亥執仃第—原理模擬係利用一 電腦程式ί 直1程式碼、—CF齡細 K如申請專利範圍第】碼,其中之一。 所執行之-製程的方法,更包含77 _導體處理工具 該第一 f理模擬結果以分類-錯誤包含:仃製程時所得之 產生ϊί:=::=ϊ第-原理模擬之擾峰 輸入該擾動解至一多變數分析; 所執行之一製程的方法,其中該多變數分析包含:飞具 一部分最小平方分析。 所^^之用於分析由—半導體處理工具 -半導體處理工具 48 1306548 :十异該嫁實結果之平均似及標· 生該均值以及標準差值至少其中之-=果,產 工:之職分析由—半導體處理 入資=用°_關性’將模擬絲與輸人資料間之該差值作為-輸 所執之用於分析由一半導體處理工具 該第一驗模擬結果以價測執行該真實製程時所得之 系統在-、: : :口 J:、-光曝^ 理1、=—批二快速熱處 所執行之-製—半導體處理工具 該第―?理,結果以偵測;誤包ίτ該真實製程時所得之 一中偵測一 =氣沉⑽統以及-物理蒸氣沉積系統至少其中之 3—2. -種轉體製程之分析紐, .—半v體處理工具,用以執行— 該真物體處理工具所正執行之 二第—原理模擬處理器,用以: 別入包含電腦編碼微分方— ^原理物理模式描述該半導體處理卫物理模式,該第 製程資嶋相關的該 弟原理模擬結果,俾 49 uu(>548 ,實製程’其中在執行該 工具所正執行之該真實製程中用以在由該半導體處理 态及—計量學工呈至少其中之—蛉體處理工具上之一物理感測 該輪狀分《統,其申 該輸入裝置係用以輸入先前由兮員製程之分析系統,其中 所記錄的資料。 田忒丰導體處理工具所執行之一製程 境:⑵處理以=ίί 析系統,其中 之-特徵及-結果至少其中之—。導體處理工具所執行之-製程 39.如申請專利範圍第32ig ,,器係用以輸入一第 分析系統’其中 理模式 該處理器係用以輸人—第—原^製程之分析系統,其中 包含基礎方程式來作為執行二 ^ 顧物理模式 的該電腦編顺分方程組,該電之第—原理模擬所需 形式或積分形式或其組麵絲“胃如方额初始係由微分 該處理II係,其中 屬理拉擬以及由該半導體處理工 50 1306548 具所執行之該製程。 之该第一原理模擬。 、汀轨仃之邊製程無關 該處ΐ器程之編統,射 模式之-邊界條件,以執行該第二二=〜該苐-原理模擬 該處理器至=圍由之入半=製程之分析系統,射 j結果與該輪人資料’而利用在執行弟-原理 二=_結果崎峻料爾社具所 含一 i6連^導體製程之分析系統,更包 ,以協助該處理器執行該輸入巧該處理器,且 原理模擬至少其中之_。 原里模擬核式與執行一第一 47.如申請專利範圍第恥 該互連資源之網路係用於愈、體衣程之分析系統.,其中 分擔該第-原理模擬之計。_用程辆平行化,以墦 該互連資源之之半導體,程之分析系統,其中 該半工具所執行:該;Mi;;擬資訊,以在由 源之網路係用以將模擬結ΐλΐίίί分析系統’其中 貝上^似之第-原理模擬之多餘執邊處理器,以減少實 ㈣專·㈣—導體細之分《統,其中 1306548 賴·化分配至辑㈣,以減少該 含“ 體製程之分析系統,更包 用以輔助由該半導體處尹、域網路連接至該處理器,炎 ,严如申請專利導體製程。 物程資源包含—計算資源與裊^分析系統,料 53.如申請專利範圍第 貝心、夕一中之一。 該處理器_以藉由_ —ANSJ^導體軸之分«統,其f 腦程式碼、一 CFDRC_ACE電8^腦程式碼、—FLUENT電 羅電腦程式碼至少其巾之—來、以及―直接模擬蒙地卡 54. 如申請專利圍第^仃苐:原理模擬。 該處理器更用以利用在執行該直之分析系統,其中 結果’以在由該半導體處理工且所之该第-原5$模擬 55. 如申請專利第54項^^=程中分類-錯誤。 该處理器伽以藉由計算— 之分析I统’其中 擬之擾動解,以產生該第-原理;擬nr之該第-原理模 誤分類。 模擬之一育料解輪廓,而將一錯 該處理551半導體製程之分析系統’其中 輸入該擾動解至一多變數分析; 輸入在執行該真實製程時所得之 * 入資料間之-差值至該錢數分析及原理顯結果與該輪 利用該多變數分析以確定該輸;^料* 57·如申請專利範圍第56項 ="差值間之相關性。 該處理雜Μ以-部分最何製程之分析系統,其中 见如申請專利翻第57tpt=^該多分析。 該處理器係用以定義-組負載係數呈=^斤系統,其中 資料與製紐能雜狀_,抑 52 1306548 結果間之差值。 該處分析系統,其中 片算a確實結果之平均值錢鮮差值至少其中之一. 生4=均值值至少其中之—與該模_,產 其中=====之分析系統, 該差值作相關性,賴擬結果與輪人資料間之 該處6^^===半導=^後统,其中 統、-微影系統、一工佈m:' -光1^旋塗系 之快速埶處理Μ、以ί 1糸統、1積系統、1於熱退火 誤。先从—批次擴散爐至少其中之-巾偵測1 ,卢542請專/道_61項之半導讎程之分析純,复+ 至;其;之一 Ϊ_15氣沉積系統以及-物賴氣沉積ί統 統^含i用於輔助由—半導體處理工具所執行之一製程的系 製程於由該半導體處理工具所正執行之-真實製程之 用於輸入包含電腦編碼微 該第-原理物理模式描述原理物理模式, 性的至少-者,_f $里具之基本物理或化學屬 分形式或其組合所表示;‘’、、如刀方程組初始係由微分形式或積 用於利用該物理模式,枳 ,程資料來執行第」取里模之該真實製程相關的 在執行該真實製辦模擬執理模擬結果,俾 用於利嶋㈣输=====, 53 1306548 以於由該半導體處m工具所正執行之 裝置。 μ真實製程中決定一錯誤的 64.如申凊專利範圍第纪項之 所執行之-製輕的系統,更包 八^助由-半導體處理工具 負荷的裝置。 、、刀擔§亥第—原理模擬之計算 65.如申睛專利範圍第记項之 所執行之一製程的系統,更;輔助由一半導體處理工具 訊,以辅助由該半導體處理=連資源間分享模擬資 =體,當該電腦媒體經電腦系統指令之電腦可讀 驟· 了 7 «亥處理器執行下列步 I 資料輸入關於由該半導體處理工具所正執行之—真實製程的製程 -原_理模土理物理模式,該第 =一者’而該電腦編碼微^ ς 理或化學屬性的 式或其組合所表示; 、、,初始係由微分形式或積分形 程資料來執行第if理=與正^執行之該真實製程相關的該製 利用在執行行之該真實製程;以及 * 由該半導體處得之該第—原理模擬結果,以於{ 具所正執彳了之該真實製程中決定-錯誤。 54
TW093129408A 2003-09-30 2004-09-29 System and method for using first-principles simulation to analyze a process performed by a semiconductor processing tool, and computer readable medium therefore TWI306548B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/673,506 US8296687B2 (en) 2003-09-30 2003-09-30 System and method for using first-principles simulation to analyze a process performed by a semiconductor processing tool

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200521640A TW200521640A (en) 2005-07-01
TWI306548B true TWI306548B (en) 2009-02-21

Family

ID=34376622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW093129408A TWI306548B (en) 2003-09-30 2004-09-29 System and method for using first-principles simulation to analyze a process performed by a semiconductor processing tool, and computer readable medium therefore

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8296687B2 (zh)
EP (1) EP1668558A2 (zh)
JP (1) JP5095999B2 (zh)
KR (1) KR20060116193A (zh)
CN (1) CN1860487B (zh)
TW (1) TWI306548B (zh)
WO (1) WO2005034182A2 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI721715B (zh) * 2019-12-17 2021-03-11 英業達股份有限公司 基板管理控制器的壓力測試方法、系統、儲存媒體及裝置
TWI767192B (zh) * 2020-02-26 2022-06-11 傑睿資訊服務股份有限公司 智慧分析系統之應用方法

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4693225B2 (ja) * 2000-11-06 2011-06-01 株式会社東芝 製造ラインの自動品質制御方法及びその装置並びに記憶媒体、自動品質制御プログラム
US8073667B2 (en) 2003-09-30 2011-12-06 Tokyo Electron Limited System and method for using first-principles simulation to control a semiconductor manufacturing process
US8296687B2 (en) 2003-09-30 2012-10-23 Tokyo Electron Limited System and method for using first-principles simulation to analyze a process performed by a semiconductor processing tool
US8036869B2 (en) 2003-09-30 2011-10-11 Tokyo Electron Limited System and method for using first-principles simulation to control a semiconductor manufacturing process via a simulation result or a derived empirical model
US8050900B2 (en) * 2003-09-30 2011-11-01 Tokyo Electron Limited System and method for using first-principles simulation to provide virtual sensors that facilitate a semiconductor manufacturing process
US8032348B2 (en) * 2003-09-30 2011-10-04 Tokyo Electron Limited System and method for using first-principles simulation to facilitate a semiconductor manufacturing process
US8676538B2 (en) * 2004-11-02 2014-03-18 Advanced Micro Devices, Inc. Adjusting weighting of a parameter relating to fault detection based on a detected fault
US7630064B2 (en) * 2006-03-16 2009-12-08 Tokyo Electron Limited Prediction method and apparatus for substrate processing apparatus
US7406644B2 (en) * 2006-03-30 2008-07-29 Tokyo Electron Limited Monitoring a thermal processing system
US8544064B2 (en) * 2007-02-09 2013-09-24 Sony Corporation Techniques for automatic registration of appliances
US8949671B2 (en) * 2008-01-30 2015-02-03 International Business Machines Corporation Fault detection, diagnosis, and prevention for complex computing systems
JP2009224374A (ja) * 2008-03-13 2009-10-01 Oki Semiconductor Co Ltd Peb装置及びその制御方法
DE102008021556B4 (de) * 2008-04-30 2019-06-06 Advanced Micro Devices, Inc. Verfahren und System für zweistufige Vorhersage einer Qualitätsverteilung von Halbleiterbauelementen
JP5465954B2 (ja) * 2008-09-29 2014-04-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び判断プログラムを格納する記憶媒体及び基板処理装置の表示方法
US8983631B2 (en) * 2009-06-30 2015-03-17 Lam Research Corporation Arrangement for identifying uncontrolled events at the process module level and methods thereof
US8538572B2 (en) * 2009-06-30 2013-09-17 Lam Research Corporation Methods for constructing an optimal endpoint algorithm
US8618807B2 (en) * 2009-06-30 2013-12-31 Lam Research Corporation Arrangement for identifying uncontrolled events at the process module level and methods thereof
US8473089B2 (en) * 2009-06-30 2013-06-25 Lam Research Corporation Methods and apparatus for predictive preventive maintenance of processing chambers
US8731722B2 (en) * 2011-07-08 2014-05-20 Intelligrated Headquarters Llc Integrated simulation technology
DE102011081346A1 (de) * 2011-08-22 2013-02-28 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Erstellen einer Funktion für ein Steuergerät
US10047439B2 (en) * 2011-12-08 2018-08-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for tool condition monitoring based on a simulated inline measurement
US10354929B2 (en) 2012-05-08 2019-07-16 Kla-Tencor Corporation Measurement recipe optimization based on spectral sensitivity and process variation
US9523976B1 (en) * 2012-11-15 2016-12-20 Cypress Semiconductor Corporation Method and system for processing a semiconductor wafer using data associated with previously processed wafers
US9106136B2 (en) * 2013-02-11 2015-08-11 Microchip Technology Incorporated Pulse width modulation load share bus
US10242142B2 (en) 2013-03-14 2019-03-26 Coventor, Inc. Predictive 3-D virtual fabrication system and method
US9502221B2 (en) * 2013-07-26 2016-11-22 Lam Research Corporation Etch rate modeling and use thereof with multiple parameters for in-chamber and chamber-to-chamber matching
KR102026069B1 (ko) 2013-08-05 2019-09-30 삼성전자 주식회사 반도체 설비의 센서 데이터 분할 시스템 및 그 방법
TWI492010B (zh) * 2013-10-23 2015-07-11 Nat Univ Tsing Hua Used in the factory to carry out the manufacturing method of verification
DE102014223030A1 (de) * 2014-11-12 2016-05-12 Robert Bosch Gmbh Werkzeug und verfahren zur konfiguration eines werkzeugs mit einer externen steuervorrichtung
WO2016074202A1 (zh) * 2014-11-13 2016-05-19 清华大学 粒子刻蚀或沉积演化仿真方法、装置和计算机可读介质
US10324050B2 (en) 2015-01-14 2019-06-18 Kla-Tencor Corporation Measurement system optimization for X-ray based metrology
US9470639B1 (en) 2015-02-03 2016-10-18 Kla-Tencor Corporation Optical metrology with reduced sensitivity to grating anomalies
US10185303B2 (en) 2015-02-21 2019-01-22 Kla-Tencor Corporation Optimizing computational efficiency by multiple truncation of spatial harmonics
KR102525873B1 (ko) 2015-10-16 2023-04-27 삼성전자주식회사 반도체 공정 시뮬레이션 장치 및 그것의 시뮬레이션 방법
CN113608416A (zh) 2016-12-28 2021-11-05 Asml荷兰有限公司 量测图像与设计之间的模拟辅助的对准
KR102540941B1 (ko) 2017-06-18 2023-06-05 코벤터, 인크. 가상 반도체 디바이스 제조 환경에서 키 파라미터 식별, 프로세스 모델 캘리브레이션 및 가변성 분석을 위한 시스템 및 방법
EP3805883A1 (de) * 2019-10-08 2021-04-14 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und vorrichtungen zum bestimmen einer produktgüte
US11415971B2 (en) * 2020-02-10 2022-08-16 Globalwafers Co., Ltd. Systems and methods for enhanced wafer manufacturing

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3402412B2 (ja) 1994-09-20 2003-05-06 株式会社リコー プロセスシミュレーション入力データ設定装置
US5555474A (en) 1994-12-21 1996-09-10 Integrated Process Equipment Corp. Automatic rejection of diffraction effects in thin film metrology
US5583780A (en) * 1994-12-30 1996-12-10 Kee; Robert J. Method and device for predicting wavelength dependent radiation influences in thermal systems
US5719796A (en) 1995-12-04 1998-02-17 Advanced Micro Devices, Inc. System for monitoring and analyzing manufacturing processes using statistical simulation with single step feedback
US6185472B1 (en) * 1995-12-28 2001-02-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device manufacturing method, manufacturing apparatus, simulation method and simulator
US6628809B1 (en) * 1999-10-08 2003-09-30 Lumidigm, Inc. Apparatus and method for identification of individuals by near-infrared spectrum
US6757645B2 (en) * 1997-09-17 2004-06-29 Numerical Technologies, Inc. Visual inspection and verification system
US5866437A (en) * 1997-12-05 1999-02-02 Advanced Micro Devices, Inc. Dynamic process window control using simulated wet data from current and previous layer data
JPH11176906A (ja) 1997-12-16 1999-07-02 Toshiba Corp 電子部品の製造方法、製造システム、設計方法、及び記録媒体
US6161051A (en) * 1998-05-08 2000-12-12 Rockwell Technologies, Llc System, method and article of manufacture for utilizing external models for enterprise wide control
JPH11330449A (ja) 1998-05-20 1999-11-30 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法、シミュレーション装置、シミュレーション方法、シミュレーションプログラムを記録した記録媒体、及びシミュレーション用データを記録した記録媒体
CA2358124C (en) * 1998-12-30 2004-11-16 Baker Hughes Incorporated Water saturation and sand fraction determination from borehole resistivity imaging tool, transverse induction logging and a tensorial water saturation model
JP2000269105A (ja) 1999-03-12 2000-09-29 Toshiba Corp プロセスシミュレータ、プロセスシミュレーション方法、デバイスシミュレータおよびデバイスシミュレーション方法
US6360133B1 (en) * 1999-06-17 2002-03-19 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for automatic routing for reentrant process
KR100649387B1 (ko) * 1999-06-22 2006-11-27 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 초소형전자 제조에 사용하기 위한 공정수행 간 제어기
US6643616B1 (en) * 1999-12-07 2003-11-04 Yuri Granik Integrated device structure prediction based on model curvature
AU6384901A (en) * 2000-04-12 2001-10-23 Janssen Pharmaceutica Nv Method and apparatus for detecting outliers in biological/pharmaceutical screening experiments
JP2001297955A (ja) * 2000-04-14 2001-10-26 Toshiba Corp シミュレーション方法、シミュレータ及びシミュレーションプログラムを記録した記録媒体
JP2002023823A (ja) * 2000-07-12 2002-01-25 Mitsubishi Electric Corp 生産管理システム
US6410351B1 (en) 2000-07-13 2002-06-25 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for modeling thickness profiles and controlling subsequent etch process
CN1154045C (zh) 2000-07-25 2004-06-16 华为技术有限公司 一种跨平台的联合仿真系统
US6812045B1 (en) * 2000-09-20 2004-11-02 Kla-Tencor, Inc. Methods and systems for determining a characteristic of a specimen prior to, during, or subsequent to ion implantation
US6571371B1 (en) * 2000-12-27 2003-05-27 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for using latency time as a run-to-run control parameter
JP4191484B2 (ja) 2001-02-14 2008-12-03 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド エッチング選択度を制御するための方法
US6615098B1 (en) 2001-02-21 2003-09-02 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for controlling a tool using a baseline control script
WO2002077589A2 (en) 2001-03-23 2002-10-03 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for endpoint detection using partial least squares
JP3993396B2 (ja) * 2001-03-30 2007-10-17 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US6802045B1 (en) * 2001-04-19 2004-10-05 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for incorporating control simulation environment
JP2002367875A (ja) 2001-06-07 2002-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd プロセス工程管理システムおよびプロセス工程管理方法
JP3708031B2 (ja) 2001-06-29 2005-10-19 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置および処理方法
US7337019B2 (en) 2001-07-16 2008-02-26 Applied Materials, Inc. Integration of fault detection with run-to-run control
US6763277B1 (en) * 2001-07-16 2004-07-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for proactive dispatch system to improve line balancing
US6728591B1 (en) * 2001-08-01 2004-04-27 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for run-to-run control of trench profiles
US6774998B1 (en) * 2001-12-27 2004-08-10 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for identifying misregistration in a complimentary phase shift mask process
US7972483B2 (en) 2001-12-31 2011-07-05 Tokyo Electron Limited Method of fault detection for material process system
AU2002343588A1 (en) 2002-01-10 2003-07-30 Advanced Micro Devices, Inc. Agent-based control architecture
US6678581B2 (en) * 2002-01-14 2004-01-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd Method of calibrating a wafer edge gripping end effector
US6905895B1 (en) * 2002-06-28 2005-06-14 Advanced Micro Devices, Inc. Predicting process excursions based upon tool state variables
JP2004094738A (ja) * 2002-09-02 2004-03-25 Toshiba Corp 分散型シミュレーションシステム
US7752099B2 (en) * 2002-10-17 2010-07-06 Itg Software Solutions, Inc. Factor risk model based system, method, and computer program product for generating risk forecasts
US7457736B2 (en) * 2002-11-21 2008-11-25 Synopsys, Inc. Automated creation of metrology recipes
US7047095B2 (en) * 2002-12-06 2006-05-16 Tokyo Electron Limited Process control system and process control method
US20050010319A1 (en) * 2003-07-09 2005-01-13 Sukesh Patel System and method for validating and visualizing APC assisted semiconductor manufacturing processes
US8050900B2 (en) * 2003-09-30 2011-11-01 Tokyo Electron Limited System and method for using first-principles simulation to provide virtual sensors that facilitate a semiconductor manufacturing process
US8296687B2 (en) 2003-09-30 2012-10-23 Tokyo Electron Limited System and method for using first-principles simulation to analyze a process performed by a semiconductor processing tool
US8036869B2 (en) * 2003-09-30 2011-10-11 Tokyo Electron Limited System and method for using first-principles simulation to control a semiconductor manufacturing process via a simulation result or a derived empirical model
US8032348B2 (en) 2003-09-30 2011-10-04 Tokyo Electron Limited System and method for using first-principles simulation to facilitate a semiconductor manufacturing process
US8073667B2 (en) * 2003-09-30 2011-12-06 Tokyo Electron Limited System and method for using first-principles simulation to control a semiconductor manufacturing process

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI721715B (zh) * 2019-12-17 2021-03-11 英業達股份有限公司 基板管理控制器的壓力測試方法、系統、儲存媒體及裝置
TWI767192B (zh) * 2020-02-26 2022-06-11 傑睿資訊服務股份有限公司 智慧分析系統之應用方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1860487A (zh) 2006-11-08
EP1668558A2 (en) 2006-06-14
CN1860487B (zh) 2010-11-03
WO2005034182A3 (en) 2005-09-09
KR20060116193A (ko) 2006-11-14
JP5095999B2 (ja) 2012-12-12
WO2005034182A2 (en) 2005-04-14
JP2007507889A (ja) 2007-03-29
TW200521640A (en) 2005-07-01
US8296687B2 (en) 2012-10-23
US20050071037A1 (en) 2005-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI306548B (en) System and method for using first-principles simulation to analyze a process performed by a semiconductor processing tool, and computer readable medium therefore
TWI309846B (en) System and method for using first-principles simulation to control a semiconductor manufacturing process
TWI304527B (en) System and method for using first-principles simulation to control a semiconductor manufacturing process, and computer readable medium therefor
CN100476733C (zh) 用于工具上半导体仿真的系统和方法
TW264564B (zh)
Anwer et al. From solid modelling to skin model shapes: Shifting paradigms in computer-aided tolerancing
TWI294070B (en) A computer-readable storage medium and method for semiconductor manufacturing automation
TWI306567B (en) Characterization and reduction of variation for integrated circuits
TW452827B (en) Method and apparatus for predicting plasma-process surface profiles
CN100568249C (zh) 用基本原理仿真辅助半导体制造过程的系统和方法
CN104137660B (zh) 用于在电子系统中预测温度值的系统和方法
Ganesan et al. Advances in metaheuristics: applications in engineering systems
CN109643286A (zh) 用于混淆电路设计的系统和方法
US20140257740A1 (en) Real-Time Modeling of Heat Distributions
Hati et al. Robust camera parameter estimation using genetic algorithm
Sirakoulis A TCAD system for VLSI implementation of the CVD process using VHDL
TWI297911B (en) System and method for using mpw integration service on demand
CN105808508B (zh) 一种求解不确定热传导问题的随机正交展开方法
TW200407687A (en) Method and apparatus for providing first-principles feed-forward manufacturing control
Chen et al. An object-oriented framework for modular chemical process simulation with semiconductor processing applications
CN104488073B (zh) 半导体处理系统中的高采样率传感器缓冲
Pizzo et al. A numerical simulation of two-dimensional radiative equilibrium in magnetostatic flux tubes. I-The model
TW594534B (en) Method of selecting mask manufacturer of photomask
Read et al. An evaluation of Eulerian and semi-Lagrangian advection schemes in simulations of rotating, stratified flows in the laboratory. Part I: Axisymmetric flow
TWI296087B (en) Fuzzy reasoning model for semiconductor process fault detection using wafer acceptance test data

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees