TWI305415B - Light emitting apparatus - Google Patents

Description

1305415 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係爲有關具備有機EL件等之發光元件的發光 裝置’以及電子機器者。 【先前技術】 作爲使用於行動電話，個人電腦或PDA(Personal • Digital Assistants)等電子機器之顯示裝置或，針對在數位 影印機或列表機等畫像形成裝置之曝光用光頭，有機電激 發光（EL/Electro-Luminescence)裝置等發光裝置則被注 目’另，針對在將這種發光裝置作爲彩色用係以往，根據 ' 對於每個畫素改變構成發光層之材料情況，呈從各畫素射 出各色光線地而構成著。 在另一方面，則提案有，於形成在發光層之下層側的 下層側反射層與，形成在發光層之上層側的上層側反射 • 層之間’形成光共振器之同時，根據改變由ITO(Indium Tin Oxide)等而成之陽極厚度之情況，對於每個畫素改變 光共振器之光學長度，從發光元件的射出光取出各色光線 的技術（例如’參照專利文獻1)。 [專利文獻1]日本特許第2797883號公報 【發明內容】 [欲解決發明之課題] 對於利用記載於上述專利文獻1之技術，構成從發光 -4- (2) 1305415 層來看，射出光於基板側之底部放射型之有機EL 情況，係成爲由半透過反射膜來構成下層側反射層 ，另外，對於構成從發光層來看，射出光於與基 側之前放射型之有機EL裝置的情況，係成爲由鋁 之反射率高之金屬膜來構成下層側反射層之情況。 另外，對於根據ITO膜而形成陽極，係在將 作爲成膜之後，採用微縮術技術形成光罩於ITO膜 ，並進行蝕刻，因此，對於在紅色用之畫素，綠色 素，藍色用之畫素，使陽極厚度作爲不同，係必多J 次上述之工程，其結果，將會有根據對於蝕刻ITO 用之蝕刻液或鈾刻氣體，將下層側反射層造成蝕刻 下層側反射層之反射特性下降或，下層側反射層之 之問題點，而有關之下層側反射層的蝕刻係下層側 不限於從ITO露出之蝕刻終期，而在於ITO有微 之情況，則有從蝕刻開始之後產生的可能性。 有鑑於以上之問題點，本發明之課題係即使在 素而形成厚度相異之陽極情況，亦提供位置在陽極 側的光共振器用之下層側反射層不會產生劣化的發 ，以及具備此發光裝置之電子機器。 [爲了解決課題之手段] 爲了解決上述課題，在本發明之中，屬於對 板上之紅色、綠色、藍色的複數之各畫素，具備層 過性之陽極層、至少包含發光層之機能層、以及陰 裝置的 之情況 板相反 或銀等 ITO膜 之上層 用之畫 i重複3 膜所使 而產生 缺陷等 反射層 小的孔 經由畫 之下層 光裝置 應於基 積光透 極層的 -5- (3) 1305415 發光元件之發光裝置，其特徵乃於前述發光元件中，在前 述陽極層之下層側，形成具備下層側反射層的光共振器， 於前述複數之畫素，包含前述陽極層之厚度爲不同之畫素 ，於前述陽極層與前述下層側反射層之層間，形成被覆該 下層側反射層之光透過性之絕緣保護層。 在本發明中，因對於前述複數之畫素係包含有前述陽 極層厚度不同之畫素，故對於在形成如此之陽極層時，係 φ 成爲進行複數次之蝕刻工程，但在本發明中，因於陽極層 與下層側反射層之層間，形成有被覆該下層側反射層之光 透過性的絕緣保護層，故在形成下層側反射層之後，即使 對於形成陽極層進行幾次時刻工程，根據有關的蝕刻， -~ 下層側反射層也不會產生劣化。 .- 針對在本發明，前述下層側反射層係具備全反射性， 並在前述發光層產生的光線係從該發光層來看，射出於與 前述基板相反側，另，對於如此之情況，係對下層側反射 φ 層係被要求反射率高之情況，但，如根據本發明，經由形 成陽極層時之蝕刻，因下層側反射層不會產生劣化，故可 構成反射率高之下層側反射層。 另外，對於提升下層側反射層之反射率的情況，係如 由鋁，鋁合金，銀，或銀合金來形成前述下層側反射層即 可，而如此之金屬層係容易由對於ITO膜之蝕刻所使用之 蝕刻液或蝕刻氣體而產生劣化，但，如根據本發明，經 由形成陽極層時之飩刻，下層側反射層則不會產生劣化 情況。 -6- (4) 1305415 針對在本發明，前述陽極層係根據設定爲對於每個畫 素’將前述光共振器之光學長度作爲對應紅色光，綠色光 ’藍色光之任何一項的長度之厚度情況，規定前述畫素之 對應的顏色，另，在如此之構成的發光裝置中，複數之畫 素係各自對應紅色，綠色，藍色，但，構成發光裝置之有 機機能層的材料係不論作爲對應之顏色，而爲共通，並對 應任何顏色，則根據陽極層的厚度所決定，即，本發明之 φ 中’係對於各畫素構成光共振器，並根據陽極層的厚度， 將光共振器的光學長度設定爲對應紅色光，綠色光，藍色 光之任何一項的長度，隨之，因畫素則不論對應任何顏色 ，各發光元件的壽命係爲略相等，故可延長發光裝置全體 的壽命，另外，在製造發光裝置時，因可在畫素間使用相 .- 同的材料，故可提升生產性情況。 如此之情況，前述絕緣保護層之折射率係理想爲較前 述陽極層的折射率爲小之情況，另，當於下層側反射層與 • 陽極層之間形成絕緣保護層時，則成爲此絕緣保護層的光 學長度（厚度*折射率）包含於光共振器之光學長度的情況 ，在此，光共振器所要求之光學長度係因對於每個作爲 對應之顏色而決定畫素，故當絕緣保護層的折射率爲大時 ，則必須將陽極層作爲薄化，而陽極層的厚度精確度則下 降，然而，本發明之中，係因絕緣保護層的折射率爲小， 故可增厚陽極層，而如陽極層厚度爲厚，則有可提升厚度 之精確度等之利點。 如此情況，前述絕緣保護層係理想爲由矽氮化膜，矽 -7- (5) 1305415 氧化膜，以及樹脂之中任何一種而成之情況，而如爲如此 絕緣膜，因折射率低，故爲理想。 針對在本發明，理想爲於前述紅色之畫素的光射出側 ，形成有紅色彩色濾色片，於前述綠色畫素之光射出側， 形成有綠色彩色濾色片，對於於前述藍色畫素，配置有藍 色彩色濾色片，另，更可提升從如此構成之各畫素所射出 之光的顏色純度情況》 針對在本發明，前述發光元件係例如爲電激發光元 件。 適用本發明之發光裝置係可針對在行動電話，個人電 腦或PDA等各種電子機器，作爲顯示裝置來使用，另外 ， 適用本發明之發光裝置係亦可作爲針對在數位影印機 或列表機等畫像形成裝置（電子機器）之曝光用光頭來做使 用。 【實施方式】 [爲了實施發明之最佳型態] 在以下，參照圖面說明本發明之實施型態，然而，在 使用於以下說明的各圖中，爲了作爲可在圖面上辨識各層 或各構件之程度，而對於每個各層或各構件做不同的比例 [實施型態1] (發光裝置之基本構成） • 8 - (6) 1305415 圖1係爲模式性表示使用於有關本發明之實施型態1之 有機EL裝置（發光裝置）之有機EL元件（發光元件）構成 的剖面圖。 針對在圖1，本型態之有機EL裝置1係爲朝向與基板 11側相反側而射出顯示光的前放射型之裝置，並對於紅色 (R)，綠色（G) ’藍色（B)之任一畫素100(R)，（G)，（B)，亦 形成有有機EL元件1〇，另，有機EL元件10係具有於 由玻璃等而成之基板11上層側，依序層積由ITO而成之透 明的陽極層12，正孔輸送層13，發光層14，電子輸送層15 ，具有由鎂銀合金而成之半透過反射性的陰極層16之構成 〇 另外，對於基板11與陽極層12之間，係形成有鋁，鋁 合金，銀，或由銀合金而成之反射層19(全反射層），並於 由此反射層19而成之下層側反射層與，由陰極層16而成之 上層側反射層之間，形成有光共振器40。 在此，使用於有機EL元件10之正孔輸送層13或發光 層14係針對在任何畫素100(R)，（G)，（B)，均由相同的材 料所構成，並有機EL元件10係射出白色光。 但，在本型態之中，陽極層12的厚度係在各畫素 l〇〇(R)，（G)，（B)而不相同，並陽極層12的厚度係爲畫素 100(B)〈畫素100(G)〈畫素100(R)，例如，陽極層12的 厚度係以畫素l〇〇(R)，（G)，（B)設定爲以下的値。 畫素100(B)之陽極層12的厚度=20nm 畫素100(G)之陽極層I2的厚度=50nm (7) 1305415 畫素100(R)之陽極層12的厚度=90nm 隨之，針對在各畫素l〇〇(R)，（G)，（B)之光共振器40 的光學長度係在各畫素l〇〇(R) ’（G)，（B)有所不同，換言 之，陽極層12的厚度係呈從各畫素l〇〇(R)，（G)，（B)射 出規定顏色光地調整光共振器之光學長度。 在如此構成之有機EL元件10之中，當從陽極層12通 過正孔輸送層13及發光層14而電流流動至陰極層16時，則 φ 因應此時的電流量，發光層14則進行發光，並且，射出發 光層I4的光係透過陰極層16而射出至觀測者側之另一方面 ，從發光層14朝向基板11所射出的光係根據形成在陽極層 12下層之反射層19所反射，並透過陰極層16而射出至觀測 -‘ 者側，此時，從發光層14所射出的光係在光共振器40之下 .- 層側反射層（反射層19)與上層側反射層（陰極層16)之間進 行多重反射，而可使光共振器40的光學長度則相當於1/4 波長之整數倍的光色度提升，隨之，有機EL元件10係 # 使白色光在內部產生，但從對應紅色（R)之畫素l〇〇(R)射 出紅色光，並從對應綠色（G)之畫素100(G)射出綠色光， 從對應藍色（B)之畫素100(B)射出藍色光。 (絕緣保護層之構成） 另外，在本型態中，於反射層1 9與陽極層1 2之層間， 呈被覆反射層19之表面及側面地，形成有光透過性之絕緣 保護膜1 8，另，作爲如此之絕緣保護膜1 8，在本型態之中 ’係形成厚度約30nm，折射率爲1.8之矽氮化膜。 -10- (8) 1305415 (製造方法） 對於製造如此構成之有機EL裝置1 ’係首先於基板 11的表面，根據濺射法或真空蒸鍍法等，形成具備光反射 性之金屬膜（鋁，鋁合金，銀，或由銀合金）之後’使用微 縮術技術進行圖案化，形成反射層1 9。 接著，於反射層19的表面側，根據CVD法等形成由 • 矽氮化膜而成之絕緣保護膜18。 接著，在於絕緣保護膜18之表面側，由濺射法等形成 規定厚度之ITO膜之後，使用微縮術技術形成光罩於 ITO膜之上層，再進行蝕刻，但，在本型態之中，陽極 • ' 層12的厚度係因由各畫素100(R)，（G)，（B)而有所不同， -- 故重複3次如此之工程。 接著，利用所謂稱爲噴墨法等之液滴吐出法等，依序 形成正孔輸送層13及發光層14，另，此液滴吐出法係從液 φ 滴吐出頭，將構成正孔輸送層13或發光層14之材料的液狀 物，作爲液滴進行吐出之後，使其乾燥，作爲正孔輸送層 13或發光層14而固定之方法，此時，於各畫素100(R)， (G)，（B)之周圍，形成稱爲觸排之間隔壁（無圖示），並作 爲吐出的液滴或液狀物不露出於週圍之情況則爲理想。 對於採用如此之方法，正孔輸送層13係例如將爲聚 烯衍生物之3，4-聚乙烯二羥基噻吩/磺化聚苯乙烯酸 (PEDOT/PSS)，作爲正孔注入材料而.使用，並可將此’作 爲主溶液而使有機溶劑分散而成之分散液吐出於規定範圍 -11 - (9) 1305415 之後’經由乾燥而形成，另外，作爲爲了形成正孔輸送層 13之材料，並不限定於前述之構成，而亦可採用聚合物前 驅體爲聚四氫硫苯基苯撐之聚苯撐乙烯撐，H-雙（4_N, N-聯甲苯氨基苯基）環已烷等情況。 另外，關於就形成發光層14之材料，理想亦爲採用高 分子材料，例如分子量爲1000以上之高分子材料情況，具 體來說係採用聚芴衍生物，聚亞苯基衍生物，聚乙烯咔 • 唑’聚噻吩誘導體，另，對於這些高分子材料，摻雜紫 蘇系色素，香豆素系色素，若丹明系色素，例如紅熒烯， 紫蘇烯，9，10 -二苯基蒽，四苯基丁二烯，耐綸紅，香 豆素6，喹吖酮等之構成，然而，作爲如此之高分子材料 … ，係從二重結合之π電子在聚合物鏈上作爲非極在化之共 軛系高分子材料亦爲導電性高分子，因對於發光性能優越 ，故事合採用，特別是更適合採用於其分子內具有芴骨架 之化合物，即，聚芴系化合物，另外，對於如此之材料之 # 外，例如揭示於日本特開平11·40358號公報之有機EL元 件用組成物，即，含有共軛系高分子材有機化合物之前驅 體與，爲了使發光特性變化之至少1種螢光色素而成之有 機EL元件用組成物，亦可作爲發光層形成材料來使用。 由如此作爲來形成正孔輸送層13及發光層14之後，依 序形成電子輸送層15及陰極層16。 (本型態之效果） 如以上說明，在本型態之中，複數之畫素100係各自 •12- (10) 1305415

對應紅色（R)’綠色（G)’藍色（B)’但’構成有機EL元 件10之正孔輸送層13或發光層14等之有機機能層的材質係 不論對應之顏色而爲共通’並對應任何顏色之情況係根據 陽極層12的厚度所決定，即，在本型態中，係於各畫素 100構成光共振器40’並根據陽極層12的厚度’將光共振 器40的光學長度設定爲對應紅色光，綠色光，藍色光之任 何一項的長度，隨之，因畫素1 〇〇則不論對應任何顏色 φ 有機EL元件10的壽命係爲略相等，故可延長有機EL 裝置1全體的壽命，另外，在製造有機EL裝置1時，因可 在畫素100間使用相同的材料，故可提升生產性情況。 更加地，對於複數之畫素1〇〇係因含有陽極層12的厚 _ · 度不同之畫素，故對於形成如此之陽極層12時’係成爲進 .. 行複數次蝕刻工程之情況’但在本型態之中，於陽極層12 與反射層19之層間，因形成有被覆反射層19之光透過性的 絕緣保護層1 8，故在形成反射層1 9之後，即使對於爲了形 φ 成陽極層1 2而進行幾次蝕刻工程，根據有關之蝕刻，反 射層1 9亦不會產生劣化之情況，特別是在本型態之中，在 發光層12產生的光係從發光層12來看，射出於與基板11相 反側，而對於如此之情況，係對於反射層1 9係要求高反射 率，但根據本型態，因根據形成陽極層1 2時之蝕刻，而反 射層12並未產生劣化，故可構成反射率高之反射層12，另 ，在此，對於提升反射層12之反射率的情況，係如將反射 層12由鋁，鋁合金，銀，或由銀合金而成即可，另，如此 之金屬膜係雖容易由使用於ITO膜之蝕刻的蝕刻液或蝕刻 -13 - (11) 1305415 氣體產生劣化，但如根據本型態，因經由形成陽極層時之 蝕刻，反射層12並未產生劣化，故可由鋁，鋁合金，銀， 或由銀合金來形成反射層12。 另外，在本型態之中，係因於反射層19與陽極層12之 間，介在有絕緣保護層18，故成爲此絕緣保護層18的光學 長度（厚度*折射率）包含於光共振器40之光學長度的情況 ，而此情況，當絕緣保護層1 8的折射率爲大時，則對於光 φ 共振器4〇所要求之光學長度係必須將陽極層12作爲薄化， 而陽極層12的厚度精確度則下降，然而，本發明之中，係 因絕緣保護層1 9係由矽氮化膜所構成，並其折射率爲小 (1.8)，故可增厚陽極層12，而如陽極層厚度爲厚，則有可 -· 提升厚度之精確度等之利點。 .· 在此，絕緣保護層19的折射率係理想爲較陽極層12 的折射率（=1.95)爲小之情況，並作爲如此之材料係除了 矽氮化膜之外，還有矽氧化膜或丙烯基樹脂等。 參 [實施型態2] 圖1係爲模式性表示使用於有關本發明之實施型態2之 有機EL裝置（發光裝置）之有機EL元件（發光元件）構成 的剖面圖。 圖2所示之有機EL裝置1 ’亦與實施型態1同樣，爲 朝向與基板11側相反側而射出顯示光的前放射型之裝置， 並對於紅色（R)，綠色（G)，藍色（B)之任一畫素l〇〇(R)， (G)，（B)，亦形成有有機EL元件1〇，另，有機EL元 "14- (12) 1305415 件10係具有於由玻璃等而成之基板11上層側，依序層積由 ITO而成之透明的陽極層12，正孔輸送層13，發光層14， 電子輸送層15，具有由鎂銀合金而成之半透過反射性的陰 極層16之構成，另外，對於基板11與陽極層12之間，係形 成有鋁，鋁合金，銀，或由銀合金而成之反射層19(全反 射層），並於由此反射層19而成之下層側反射層與，由陰 極層16而成之上層側反射層之間，形成有光共振器40，更 φ 加地，使用於有機EL元件10之正孔輸送層13或發光層14 係針對在任何畫素l〇〇(R)，（G)，（B)，均由相同的材料所 構成，並有機EL元件10係射出白色光。 但，在本型態之中，陽極層12的厚度係在各畫素 ' l〇〇(R)，（G)，（B)而不相同，並陽極層12的厚度係爲畫素 .· 100(B)〈畫素100(G)〈畫素100(R)，例如，陽極層12的 厚度係以畫素100(R)，（G)，（B)設定爲以下的値。 畫素100(B)之陽極層12的厚度=40nm # 畫素100(G)之陽極層12的厚度=70nm 畫素100(R)之陽極層12的厚度=110nm 即，陽極層12的厚度係呈從各畫素100(R)，（G)，（B) 射出規定顏色光地調整光共振器之光學長度。 另外，在本型態之中，於反射層19與陽極層12之層間 ’呈被覆反射層19的表面及側面地形成有光透過性的絕緣 保護層18，另，作爲如此絕緣保護膜18，在本型態之中， 係形成厚度爲約30nm，折射率爲1.5之矽氧化膜。 如此之構成之有機EL裝置1的製造方法係因與實施 -15- (13) 1305415 型態1相同，故省略說明，但，在本型態之中，於陽極 層12與反射層19之層間，因形成有被覆反射層19之光透過 性的絕緣保護層1 8，故在形成反射層1 9之後，即使對於爲 了形成陽極層1 2而進行幾次蝕刻工程，根據有關之蝕刻， 反射層19亦不會產生劣化之情況等，得到與實施型態1相 同之效果。 更加地，在本型態之中，對於陰極層16的上層側，係 φ 根據環氧系之透明的接合劑層30，接合形成有紅色（R)， 綠色（G)，藍色（B)之彩色濾色片21(R)，（G)，（B)於對應各 畫素100 (R)，（G)，（B)位置之透明基板20，隨之，如根據 本型態，與實施型態1作比較，成爲從各畫素l〇〇(R)，（G) -- ，（B)係射出色純度高的光之情況。 [其他的實施型態] 在上述型態之中，以朝向與基板11側相反側而射出顯 φ 示光的前放射型爲例已說明過，但，亦可適用本發明於朝 向基板側射出顯示光之底部放射型，即，對於底部放射型 之情況，係成爲於陽極層之下層側形成半透過反射性之下 層側反射膜之情況，但，如於陽極層與半透過反射性之下 層側反射膜之層間形成絕緣保護膜，而將陽極層作爲蝕刻 形成時，可防止下層側反射膜產生劣化情況。 另外，對於以各畫素100(R)，（G)，（B)來使陽極層12 的厚度作爲不同，係亦可在形成ITO膜時，在進行3次各 成膜處理，使ITO膜的厚度作爲不同，但，例如如圖3所 -16- (14) 1305415 示，亦可採用在畫.素100(R)之中，作爲第1次形成之ITO 膜121與，第2次形成之ΙΤΟ膜122與，第3次形成之 ΙΤΟ膜123之3層構造，在畫素100(G)之中，作爲第2次形 成之ΙΤΟ膜122與，第3次形成之ΙΤΟ膜123之2層構造’ 在畫素100(B)之中，作爲只使用第3次形成之ΙΤΟ膜123之 構成。 φ [對於顯示裝置之適用例] 適用本發明之有機EL裝置1係可作爲被動矩陣型顯 示裝置或主動型矩陣型顯示裝置來使用，另，這些顯示裝 置之中，主動型矩陣型顯示裝置係如具有圖4所示之電 -- 性構成地構成。 - 圖4係爲表示主動型矩陣型顯示裝置之有機EL裝置 的電性構成方塊圖，另，針對在圖4,在有機EL裝置1之 中’係構成有複數之掃描線63與，延設在對此掃描線63的 # 延設方向作爲交叉之方向的複數資料線64與，並聯於這些 資料線64之複數之共通給電線65與，對應資料線64與掃描 線63之交叉點的畫素1〇〇(發光範圍）’並畫素ι〇〇係配置成 矩陣狀於畫像顯示範圍’另’對於資料線64係構成有具備 位移暫存器’準位移位器，視頻線路，類比開關之資料 線驅動電路5 1，另外’對於掃描線6 3，係構成有具備位移 暫存器及準位移位器之掃描線驅動電路54，另外，對於各 畫素1 0 0係構成有藉由掃描線6 3供給掃描信號於聞道電極 之畫素切換用的薄膜電晶體6與’藉由此薄膜電晶體6，維 -17- (15) 1305415 持從資料線64所供給之畫像信號之維持容量33與’供給根 據此維持容量33所維持之畫像信號於閘道電極〇之電流控 制用的薄膜電晶體7與，藉由薄膜電晶體7，電性接續於共 通給電線65時，從共通給電線65流入有驅動電流之有機 EL元件1〇，另外，針對在有機EL裝置1，各畫素100係 成爲對應紅色（R)，綠色（G)，藍色（B)之任一情況。 •[其他之實施型態] 在上述型態之中，係作爲發光元件採用有機EL元件 ，但，亦可適用本發明於採用其他發光元件之發光裝置， 任何情況，本發明之技術範圍並不限定於上述實施型態， 而針對在不脫離本發明之主旨之範圍，可加上各種變更情 •- 況。 [對於電子機器之搭載例] 適用本發明之發光裝置係可針對在行動電話，個人電 腦或PDA等各種電子機器，作爲顯示裝置來使用，另外 ’ 適用本發明之發光裝置係亦可作爲針對在數位影印機 或列表機等畫像形成裝置之曝光用光頭來做使用。 【圖式簡單說明】 [圖1]爲模式性地表示使用於有關本發明之實施型態1 之有機EL裝置（發光裝置）的有機EL元件（發光元件）構 成之剖面圖。 -18 - (16) 1305415 [圖2]爲模式性地表示使用於有關本發明之實施型態2 之有機EL裝置（發光裝置）的有機EL元件（發光元件）構 成之剖面圖。 [圖3]爲表示針對在適用本發明之有機EL裝置’爲 了使陽極層的厚度作爲不同之一例的說明圖。 [圖4]爲表示主動矩陣型之有機EL裝置的電性構成 之方塊圖。 【主要元件符號說明】 1 :有機EL顯示裝置 6，7 :薄膜電晶體 • ' 1〇 :有機EL元件 .- 11 :基板 12 :陽極層 13 :正孔輸送層 • I4 :發光層 15 :電子輸送層 16 :陰極層 1 7 :高折射材層 1 8 :絕緣保護膜 19 :反射膜（下層側反射層） 21(R) ’（G)，（B):彩色濾光片 2〇 :彩色濾光片 33 :維持容量 -19 - (17) 1305415 動電路 動電路 線 (B):畫素 40 :光共振器 43 :閘道電極 5 1 :資料線驅 5 4 :掃描線驅 63 :掃描線 64 :資料線 65 :共通給電 100(R) ， （G)， 121 ， 122 ， 123 ： ITO 膜

Claims (1)

1305415 (1) 十、申請專利範圍 第9 5 1 09466號專利申請案 ' 中文申請專利範圍修正本 民國97年8月29日修正 1· 一種發光裝置’屬於對應於基板上之紅色、綠色、 藍色的複數之各畫素’具備層積光透過性之陽極層、至少 包含發光層之機能層、以及陰極層的發光元件之發光裝置 φ ，其特徵乃 於前述發光元件中，在前述陽極層之下層側，形成具 備下層側反射層的光共振器， 於前述複數之畫素，包含前述陽極層之厚度爲不同之 . 畫素， . 於前述陽極層與前述下層側反射層之層間，形成被覆 該下層側反射層之光透過性之絕緣保護層。 2 .如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，前述下 | 層側反射層乃具備全反射性， 前述發光層所發光之光線乃從前述該發光層視之，向 與前述基板相反側射出者。 3. 如申請專利範圍第2項之發光裝置，其中，前述下 層側反射層乃由錯、銘合金、銀及銀合金中之任一者所成 〇 4. 如申請專利範圍第1項至第3項之任一項之發光裝置 ，其中，前述陽極層乃於每畫素，經由將前述光共振器之 光學長度，設定成對應於紅色光、綠色光、藍色光之任一 (2) 1305415 i ' 長度的厚度，規定前述畫素所對應之顏色。 5 .如申請專利範圍第4項之發光裝置，其中，前述絕 - 緣保護層之折射率乃較前述陽極層之折射率爲小。 6. 如申請專利範圍第4項之發光裝置，其中，前述絕 緣保護層乃由矽氮化膜、矽氧化膜、及樹脂中之任一者所 成。 7. 如申請專利範圍第4項之發光裝置，其中，於前述 ^ 紅色畫素之光射出側，形成紅色彩色濾色片，於前述綠色 畫素之光射出側，形成綠色彩色濾色片，對於於前述藍色 畫素，配置藍色彩色濾色片。 8·如申請專利範圍第1項至第3項之任一項之發光裝置 - ，其中’前述發光元件乃電激發光元件。 , 9·一種電子機器，其特徵乃具備規定於如申請專利範 圍第1項至第7項之發光裝置。