CN111627960A - 一种增透膜层组件、增透膜层组件制程方法及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种增透膜层组件、增透膜层组件制程方法及显示装置,该增透膜层组件包括:阵列基板、像素定义层、发光像素以及透明导电层。所述阵列基板包括相对设置的第一面和第二面。所述像素定义层设置在所述第一面,所述像素定义层设置有若干个通孔。所述发光像素设置有若干个,并对应设置在所述通孔内。所述透明导电层设置在所述像素定义层远离所述第一面的一侧,所述透明导电层通过所述像素定义层延伸至所述发光像素,并连接至少两个所述发光像素。本申请实施例提供的增透膜层组件,能够避免大量光线损失,有效增强穿透度,应用于屏下摄像头技术能够提高摄像头的捕光能力。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种增透膜层组件、增透膜层组件制程方法及显示装置。
背景技术
屏下摄像头技术(Camera under panel)由于其强大的屏占比,完美的视觉体验,成为未来开发技术的主流。目前全面屏手机需要克服的最大困难在于需要给屏下摄像头留出光线路径。摄像头位于有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)衬底背面,自然光透过OLED器件激发摄像头的传感器,使得摄像头能够识别人像,从而显示画面。由于自然光穿过OLED器件,尤其是具有反射功能的阳极(anode)和半透明的阴极(Cathode),以及穿透率较低的PI层,务必会损失很多光线,使光线穿透度较低,进而影响摄像头的捕光能力。
发明内容
本申请实施例提供一种增透膜层组件、增透膜层组件制程方法及显示装置,能够避免大量光线损失,有效增强穿透度,提高摄像头的捕光能力。
本申请提供一种增透膜层组件,包括:
阵列基板,所述阵列基板包括相对设置的第一面和第二面;
像素定义层,所述像素定义层设置在所述第一面,所述像素定义层设置有若干个通孔;
发光像素,所述发光像素设置有若干个,并对应设置在所述通孔内;
透明导电层,所述透明导电层设置在所述像素定义层远离所述第一面的一侧,所述透明导电层通过所述像素定义层延伸至所述发光像素,并连接至少两个所述发光像素。
在一些实施例中,所述透明导电层覆盖所述第一面和所述像素定义层,并延伸至所述发光像素。
在一些实施例中,所述透明导电层覆盖所述第一面、所述像素定义层和所述发光像素。
在一些实施例中,所述发光像素包括阳极层、有机发光层和阴极层,所述阳极层设置在所述通孔中,并与所述第一面连接,所述有机发光层设置在所述通孔中,且设置在所述阳极层远离所述第一面的一侧,所述阴极层设置在所述通孔中,且设置在所述有机发光层远离所述阳极层的一侧。
在一些实施例中,所述透明导电层包括若干个第一部分和若干个第二部分,所述第一部分沿第一方向延伸,所述第一部分通过所述像素定义层连接若干个沿所述第一方向排布的发光像素,所述第二部分沿第二方向延伸,所述第二部分连接所述第一部分,所述第一方向和所述第二方向垂直。
在一些实施例中,所述第二部分通过所述像素定义层连接若干个沿所述第二方向排布的发光像素。
在一些实施例中,所述透明导电层还包括:串联部分,所述串联部分连接所述第一部分和所述第二部分,且通过所述像素定义层连接若干个发光像素。
本申请实施例提供一种增透膜层组件制程方法,包括:
提供一阵列基板,所述阵列基板包括相对设置的第一面和第二面;
在所述第一面设置像素定义层,所述像素定义层设置有若干个通孔;
在所述通孔内对应设置发光像素,所述发光像素设置有若干个,且所述发光像素与所述发光像素之间间隔有所述像素定义层;
在所述像素定义层远离所述第一面的一侧设置透明导电层,所述透明导电层通过所述像素定义层延伸至所述发光像素,并连接至少两个所述发光像素。
在一些实施例中,所述在所述像素定义层远离所述第一面的一侧设置透明导电层采用蒸镀或喷墨打印形成。
本申请实施例提供一种显示装置,包括显示面板和摄像头,所述显示面板设置在所述增透膜层组件四周,所述增透膜层组件为以上所述的增透膜层组件,所述摄像头对应所述增透膜层组件设置在所述第二面。
本申请实施例所提供的增透膜层组件,包括:阵列基板、像素定义层、发光像素以及透明导电层。所述阵列基板包括相对设置的第一面和第二面。所述像素定义层设置在所述第一面,所述像素定义层设置有若干个通孔。所述发光像素设置有若干个,并对应设置在所述通孔内。所述透明导电层设置在所述像素定义层远离所述第一面的一侧,所述透明导电层通过所述像素定义层延伸至所述发光像素,并连接至少两个所述发光像素。本申请实施例提供的增透膜层组件,能够避免大量光线损失,有效增强穿透度,提高摄像头的捕光能力。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的增透膜层组件的第一种结构示意图;
图2为本申请实施例提供的增透膜层组件的第二种结构示意图;
图3为本申请实施例提供的增透膜层组件的第一种俯视结构图;
图4为本申请实施例提供的增透膜层组件的第三种结构示意图;
图5为本申请实施例提供的增透膜层组件的第二种俯视结构图;
图6为本申请实施例提供的增透膜层组件的第三种俯视结构图;
图7为本申请实施例提供的增透膜层组件的第四种俯视结构图;
图8为本申请实施例提供的增透膜层组件的第五种俯视结构图;
图9为本申请实施例提供的增透膜层组件制程方法的一种流程示意图;
图10为本申请实施例提供的显示装置的一种结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
需要说明的是,在本申请的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
本申请实施例提供一种增透膜层组件、增透膜层组件制程方法及显示装置,以下对增透膜层组件做详细介绍。
请参阅图1,图1是本申请实施例提供的增透膜层组件10的第一种结构示意图。该增透膜层组件10包括阵列基板101、像素定义层102、发光像素103以及透明导电层104。阵列基板101包括相对设置的第一面101a和第二面102b。102像素定义层设置在第一面101a,像素定义层102设置有若干个通孔102a。发光像素103设置有若干个,并对应设置在通孔102a内。透明导电层104设置在像素定义层102远离第一面101a的一侧,透明导电层104通过像素定义层102延伸至发光像素103,并连接至少两个发光像素103。本申请实施例提供的增透膜层组件10,通过将发光像素103设置在通孔102a中,能够避免大量光线损失,有效增强穿透度,应用于屏下摄像头技术可提高摄像头的捕光能力。
需要说明的是,第一面101a可以为阵列基板101的上表面,第二面101b可以为阵列基板101的下表面。当然,第一面101a也可以为阵列基板101的下表面,第二面101b可以为阵列基板101的上表面。本申请实施例中不做特殊说明的情况下,默认为第一面101a为阵列基板101的上表面,第二面101b为阵列基板101的下表面。
其中,阵列基板101为薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)电路阵列复合膜层。薄膜晶体管电路阵列复合膜层用于控制发光像素103发光。
其中,像素定义层102上设置有若干个通孔102a,通孔102a为阵列排布。将发光像素103设置在阵列排布的通孔102a内,可以使发光更均匀,进而使具有显示面板更好的显示效果。
其中,透明导电层104采用的材料包括透明金属氧化物材料或透明导电高分子材料。具体地,透明导电层104采用的材料包括铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锌锡氧化物(IGZTO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、锌锡氧化物(ZTO)、锌铝氧化物(AZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)或锑锡氧化物(ATO)或聚(3,4-乙烯二氧噻吩)和聚苯乙烯磺酸盐的混合物(PEDOT:PSS)中的一种或多种的组合。PEDOT:PSS具有空穴注入能力,并且在不同的配比下具有不同的导电性。能够适用于不同导电性能需求的显示面板。透明金属氧化物材料具有很好的导电性和透明性,并且厚度较小,不会影响显示面板的整体厚度。同时,还可以减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外光。
其中,增透膜层组件10还包括封装层(图中未示出),封装层设置在所述透明导电层104远离第一面101a的一侧,且覆盖第一面101a、像素定义层102、发光像素103和透明导电层104。
请参阅图2,图2为本申请实施例提供的增透膜层组件10的第二种结构示意图。其中,发光像素103包括阳极层1031、有机发光层1032和阴极层1033,阳极层1031设置在通孔102a中,并与第一面101a连接,有机发光层1032设置在通孔102a中,且设置在阳极层1031远离第一面101a的一侧,阴极层1033设置在通孔102a中,且设置在有机发光层1032远离阳极层1031的一侧。
其中,阳极层1031为叠层结构(图2中未示出),包括层叠设置的第一透明金属氧化物层、金属层以及第二透明金属氧化物层,第一透明金属氧化物层设置在第一面101a。具体地,第一透明金属氧化物层和第二透明金属氧化物层采用的材料包括铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟镓锌锡氧化物(IGZTO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)或锑锡氧化物(ATO)中的任一种。上述金属氧化物材料具有很好的导电性和透明性,并且厚度较小,不会影响显示面板的整体厚度。同时,还可以减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外光。金属层采用的材料为银(Ag)、铝(Al)或铜(Cu)中的任一种。银、铝、铜等金属的导电性好,成本较低,在保证阳极的导电性的同时可以降低生产成本。
其中,有机发光层1032包括层叠设置的空穴注入层、空穴阻挡层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层以及电子注入层,(图2中未示出)其中,空穴注入层设置在阳极层1031远离第一面101a的一侧。有机发光层的设置是本领域技术人员所熟知的相关技术,在此不做过多赘述。
其中,阴极层1033采用的材料包括银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、铜(Cu)、钨(W)、镁(Mg)或钛(Ti)中的任一种或多种的组合。具体地,阴极层1033采用的材料为镁银合金。
请参阅图3至图8,透明导电层104用于连接发光像素103,使发光像素103与发光像素103之间导通,因此,只要保证透明导电层104与发光像素103是搭接导通的,透明导电层104可以整面覆盖、部分覆盖或图案化覆盖。
其中,请参阅图3,图3是本申请实施例提供的增透膜层组件10的第一种俯视结构图。透明导电层104覆盖第一面101a和像素定义层102,并延伸至发光像素103。这种部分覆盖的方式能够在发光像素103导通的情况下而不覆盖发光像素103区域,能够避免影响发光像素的发光。
其中,请参阅图4,图4是本申请实施例提供的增透膜层组件10的第三种结构示意图。透明导电层104覆盖第一面101a、像素定义层102和发光像素103。透明导电层104进行全部覆盖,降低了在制作透明导电层104时蒸镀或喷墨打印的设备精度,或可在制作透明导电层104之后省去图案化的步骤,简化了制程,节约了生产成本。
其中,请参阅图5,图5是本申请实施例提供的增透膜层组件10的第二种俯视结构图。透明导电层104包括若干个第一部分1041和若干个第二部分1042,第一部分1041沿第一方向延伸,第一部分1041通过像素定义层102连接若干个沿第一方向排布的发光像素103,第二部分1042沿第二方向延伸,第二部分1042连接第一部分1041,第一方向和第二方向垂直。第一方向为沿x横轴延伸的方向,第二方向为沿y纵轴延伸的方向。
具体地,第二部分1042通过像素定义层102连接若干个沿第二方向排布的发光像素103。请参阅图6,图6是本申请实施例提供的增透膜层组件10的第三种俯视结构图。第二部分1042连接多个发光像素103。请参阅图7,图7是本申请实施例提供的增透膜层组件10的第四种俯视结构图。部分第二部分1042连接第一部分1041与一个发光像素103。例如,第一部分1041和第二部分1042通过像素定义层102构成之字形、脉冲形或蛇形连接多个发光像素103。采用如图6所示图案化的方式能够用较少的透明导电层104材料连通所有发光像素103,能够有效节约透明导电层104材料,并且保证发光像素103之间的导通性,降低生产成本。
以上三种实施方式中透明导电层104只需要沿第一方向和第二方向两个方向进行设置,制作方法简单方便,无需将喷墨打印设备或蒸镀设备进行调节,能够降低生产难度和设备成本。同时减小了透明导电层覆盖的面积,节约了材料的使用量,能够降低材料成本。
请参阅图8,图8是本申请实施例提供的增透膜层组件10的第五种俯视结构图。透明导电层104还包括:串联部分1043,串联部分1043连接第一部分104和第二部分1042,且通过像素定义层102连接若干个发光像素103。其中,串联部分通过如图8所示交叉的方式连接未被第一部分1041和第二部分1042覆盖的发光像素103。在第一方向和第二方向以外的部分,通过串联部分1043进行连接,可以极大地减小透明导电层104的面积,进而更好的增大光线透过率。
以上对于透明导电层104图案化的实施例仅为示例,是为了更清楚的说明本申请的方案,并不是对本申请方案的限制。透明导电层104还可以通过其他图案化方式连接发光像素103,只需要保证所有的发光像素103被连通即可,具体实施方式不做限制。
由于发光像素103中的阳极层1031具有反射功能、阴极层1033具有半透过半反射属性,因此发光像素103对光线有一定吸收,致使光线损失较多,本申请实施例提供的增透膜层组件10通过将相关技术中整面镀膜的阴极层1033,仅设置在像素定义层102的通孔中,再通过透明导电层104连通各个发光像素103,可在不影响发光像素103导通的情况下有效提高出光。将本申请实施例提供的增透膜层组件10应用于屏下摄像头技术能够避免大量光线损失,有效增强穿透度,提高摄像头的捕光能力。
本申请实施例提供一种增透膜层组件制程方法,请参阅图9,图9为本申请实施例提供的增透膜层组件制程方法的一种流程示意图。
201、提供一阵列基板,阵列基板包括相对设置的第一面和第二面。
202、在第一面设置像素定义层,像素定义层设置有若干个通孔。
203、在通孔内对应设置发光像素,发光像素设置有若干个,且发光像素与发光像素之间间隔有像素定义层。
204、在像素定义层远离第一面的一侧设置透明导电层,透明导电层通过像素定义层延伸至发光像素,并连接至少两个发光像素。
其中,采用蒸镀或喷墨打印的方法在像素定义层远离第一面的一侧设置透明导电层。
具体地,采用蒸镀的方法:将透明金属氧化物材料或透明导电高分子材料蒸发或升华为气态粒子,将气态粒子输送至像素定义层远离第一面的一侧,气态粒子附着在像素定义层远离第一面的一侧表面形核,并长大成固体透明导电层薄膜,然后透明导电层薄膜原子重构或产生化学键合以形成透明导电层。采用蒸镀的方式设置透明导电层,成膜方法简单、透明导电层薄膜纯度和致密性高。
具体地,采用喷墨印刷的方法:在第一面喷墨印刷透明导电高分子材料材料,对透明导电高分子材料进行平坦化处理并干燥,对透明导电高分子材料进行烘烤以得到透明导电层。采用喷墨印刷的方法设置透明导电层,更方便图案化制,可以精确打印到所需区域。
本申请实施例提供一种显示装置100,图10是本申请实施例中显示装置100的一种结构示意图。其中,显示装置100包括增透膜层组件10、显示面板20和摄像头30。显示面板20设置在增透膜层组件10四周,增透膜层组件10为以上所述的增透膜层组件,摄像头30对应增透膜层组件10设置在第二面101b。其中,显示面板20包括相对设置的第三面20a和第四面20b,第三面20a为显示面,第四面20b为非显示面,且第一面朝向显示面,第二面101b朝向非显示面。显示面板100还可以包括其他装置。本申请实施例中显示面板20、摄像头30和其他装置及其装配是本领域技术人员所熟知的相关技术,在此不做过多赘述。
本申请实施例提供的显示面板100包括增透膜层组件10、显示面板20和摄像头30。显示面板20设置在增透膜层组件10四周,增透膜层组件10为以上所述的增透膜层组件,摄像头30对应增透膜层组件10设置在第二面101b。由于发光像素中的阳极层具有反射功能、阴极层1具有半透过半反射属性,因此发光像素对光线有一定吸收,致使光线损失较多。通过将增透膜层组件中的发光像素设置在像素定义层的通孔中,减小了发光像素的面积。再通过透明导电层连通各个发光像素,可在不影响发光像素导通的情况下有效提高出光。并且只需要改善摄像头30对应区域的膜层设置,对显示面板20没有影响。将本申请实施例提供的显示装置100应用于屏下摄像头技术能够在保证显示效果和屏占比的前提下解决摄像头不方便捕光的问题。
以上对本申请实施例提供的增透膜层组件、增透膜层组件制程方法及显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种增透膜层组件,其特征在于,包括:
阵列基板,所述阵列基板包括相对设置的第一面和第二面;
像素定义层,所述像素定义层设置在所述第一面,所述像素定义层设置有若干个通孔;
发光像素,所述发光像素设置有若干个,并对应设置在所述通孔内;
透明导电层,所述透明导电层设置在所述像素定义层远离所述第一面的一侧,所述透明导电层通过所述像素定义层延伸至所述发光像素,并连接至少两个所述发光像素。
2.根据权利要求1所述的增透膜层组件,其特征在于,所述透明导电层覆盖所述第一面和所述像素定义层,并延伸至所述发光像素。
3.根据权利要求1所述的增透膜层组件,其特征在于,所述透明导电层覆盖所述第一面、所述像素定义层和所述发光像素。
4.根据权利要求1所述的增透膜层组件,其特征在于,所述发光像素包括阳极层、有机发光层和阴极层,所述阳极层设置在所述通孔中,并与所述第一面连接,所述有机发光层设置在所述通孔中,且设置在所述阳极层远离所述第一面的一侧,所述阴极层设置在所述通孔中,且设置在所述有机发光层远离所述阳极层的一侧。
5.根据权利要求1所述的增透膜层组件,其特征在于,所述透明导电层包括若干个第一部分和若干个第二部分,所述第一部分沿第一方向延伸,所述第一部分通过所述像素定义层连接若干个沿所述第一方向排布的发光像素,所述第二部分沿第二方向延伸,所述第二部分连接所述第一部分,所述第一方向和所述第二方向垂直。
6.根据权利要求5所述的增透膜层组件,其特征在于,所述第二部分通过所述像素定义层连接若干个沿所述第二方向排布的发光像素。
7.根据权利要求6所述的增透膜层组件,其特征在于,所述透明导电层还包括:串联部分,所述串联部分连接所述第一部分和所述第二部分,且通过所述像素定义层连接若干个发光像素。
8.一种增透膜层组件制程方法,其特征在于,包括:
提供一阵列基板,所述阵列基板包括相对设置的第一面和第二面;
在所述第一面设置像素定义层,所述像素定义层设置有若干个通孔;
在所述通孔内对应设置发光像素,所述发光像素设置有若干个,且所述发光像素与所述发光像素之间间隔有所述像素定义层;
在所述像素定义层远离所述第一面的一侧设置透明导电层,所述透明导电层通过所述像素定义层延伸至所述发光像素,并连接至少两个所述发光像素。
9.根据权利要求8所述的增透膜层组件制程方法,其特征在于,所述在所述像素定义层远离所述第一面的一侧设置透明导电层采用蒸镀或喷墨打印形成。
10.一种显示装置,其特征在于,包括增透膜层组件、显示面板和摄像头,所述显示面板设置在所述增透膜层组件四周,所述增透膜层组件为权利要求1至7任一项所述的增透膜层组件,所述摄像头对应所述增透膜层组件设置在所述第二面。
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