TWI305062B - - Google Patents

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TWI305062B
TWI305062B TW095106120A TW95106120A TWI305062B TW I305062 B TWI305062 B TW I305062B TW 095106120 A TW095106120 A TW 095106120A TW 95106120 A TW95106120 A TW 95106120A TW I305062 B TWI305062 B TW I305062B
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Iwao Matsumoto
Tatsuo Tonedachi
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Toshiba Kk
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Description

1305062 ⑴ 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於半導體發光裝置及半導體發光單元，尤 其是關於爲了用在照明或液晶顯示器的背光（backlight ) ，而需要大電流高亮度發光的半導體發光裝置及半導體發 光單元。 【先前技術】 近年來，半導體發光裝置如由螢光體紫外光激等所帶 來的白色發光型L E D的進步所代表所示，在技術上的進 展非常顯著。其結果使得照明/液晶顯示器的背光/交通 號誌/行動機器顯示器等的用途漸漸增廣。 此外，同時要求裝置小型化及高密度安裝，使得表面 安裝型（Surface Mount Device: SMD)亦漸漸受到需 求。然而，由於表面安裝型係以習知小電流驅動爲主，因 此有改善加熱的必要（例如專利文獻1 )。 近年來，在半導體發光裝置中，亦包含應用螢光體紫 外光激的白色發光型LED等，LED在技術上的進展非常 顯著。由於可進行CIE (國際照明協會）座標上所有顯示 顏色的發光，因此，包含車載用途（煞車燈、車後燈 '儀 器板等）、號誌機、行動機器的各種LED顯示器、液晶 顯示器背光等較新的用途漸漸增廣。於該等用途中，因大 電流驅動所導致的高亮度發光的要求變高，而需求低熱阻 半導體發光裝置及與其整合性良好的半導體發光單元。此 -4- (2) 1305062 外，由於同時要求裝置小型化與高密度安裝，因 裝型（Surface Mount Device: SMD)較爲有利 利文獻1 )。 由於表面安裝型係以習知小電流驅動爲主， 善加熱的必要。 然而，於習知之半導體發光裝置中，爲了實 流驅動所致之高亮度發光’而需要形成將由金屬 的散熱裝置（heat sink )構件成型在樹脂框的複 該構造的第1問題點係：由於散熱裝置與外 起埋入樹脂框，因此並未形成一體構造。因此 差，而無法進行大電流驅動。第2問題點係：當 將散熱裝置與外部端子一體化時，必須將2個以 零件定位在成型模具。該製程的生產性差，且成 3問題點係容易在樹脂框的外形部產生樹脂漏洩 邊等。 另一方面，由於習知之表面安裝型半導體發 熱阻較高，因此其驅動電流的上限爲5 0mA左右 能進行大電流驅動。此外，表面安裝型一般係在 的基板之上，使用回流焊料（Refi〇w solder) 接，因此，用以使散熱佳的安裝方法及低熱阻半 裝置構造的相關對策幾乎不存在。 [專利文獻1]日本專利特開2003 -60240號公; 【發明內容】 此表面安 (例如專 因此有改 現由大電 材料構成 雜構造。 部端子一 ，散熱性 以樹脂框 上的金屬 本高。第 、樹脂毛 光裝置的 ，並不可 散熱性差 等予以黏 導體發光 -5- (3) 1305062 (發明所欲解決之課題） 本發明係提供一種可改善LED本身的散熱特性’而 且亦可散熱性佳地安裝於安裝基板的半導體發光裝置及使 用該半導體發光裝置的半導體發光單元。 (用以解決課題之手段） 根據本發明之一態樣，係提供一種半導體發光裝置， 其具備： 第1引線，具有厚度較小的第1部分及厚度較大的第 2部分； 第2引線，具有厚度較小的第1部分及厚度較大的第 2部分； 嵌埋樹脂，將第1及第2引線個別的前述第2部分的 至少一部分予以嵌埋； 半導體發光元件，安裝在前述第1引線的前述第2部 分’該桌1引線露出於設在前述嵌埋樹脂上面的凹部之 中； 導線’連接前述半導體發光元件與前述第2引線； 封裝樹脂，將設在前述凹部之中的半導體發光元件及 前述導線予以封裝；以及 固定用孔’設在前述第1引線的前述第2部分。 此外’根據本發明之另一態樣’係提供一種半導體發 光單元，其具備： 安裝基板，具有導線圖案及開口； -6 - (4) 1305062 金屬板，具有凸部·，以及 上述半導體發光裝置； 以將前述凸部嵌入前述開口的方式配置前述安裝基板 與前述金屬板，而且前述半導體發光裝置之前述第1引線 的前述第2部分的下面與前述金屬板的前述凸部的上面係 藉由固定構件而經由前述固定用孔予以固定而成。 此外’根據本發明之再另一態樣，係提供一種半導體 發光單元，其具備： 金屬板，具有設有安裝孔的凸部； 安裝基板’設置對應於前述凸部的開口，且固定於前 述金屬板上；以及 表面安裝型半導體發光裝置； 前述表面安裝型半導體發光裝置之任一引線係具有厚 度較小的第1部分與厚度較大的第2部分，在前述第2部 分係將固定用孔設在引線厚度方向，前述第2部分的背面 與前述凸部的上面係藉由通過前述固定用孔及前述安裝孔 的固定構件予以固定而成。 (發明之效果） 根據本發明’使內引線部的厚度大於外引線，藉此增 大散熱裝置效應’同時，將裝置固定用孔設在內引線部。 內引線下面呈露出’且可與外部散熱裝置機械式固定，因 此使得大電流驅動/闻亮度發光型半導體發光裝置及半導 體發光單元成爲可能。 (5) 1305062 【實施方式】 &下參照圖示說明本發明之實施形態。 第1圖（a)係本發明第1實施形態之半導體發光裝置 的模式剖視圖，第1圖（b)係其俯視圖。 亦即’本實施形態之半導體發光裝置係爲表面安裝型 (SMD )，具有：一對引線20、30 ;以及以包覆該等引 線20、30之—部分的方式形成的嵌埋樹脂4〇。引線2〇、 3〇係具有分別厚度爲較小的第1部分2〇a、3〇A ;以及厚 度爲較大的第2部分20B ' 30B。於引線20之第2部分 2 〇B係黏接有半導體發光元件10 (以下稱爲「LED晶 片」）。 首先，就引線詳加說明如下。 於本實施形態中，黏接有LED晶片1 0的第2部分 2 0B的厚度T2係比第1部分20A的厚度T3厚。如此— 來’作爲散熱裝置的效果較大，而使散熱性獲得改善。另 一方面’若考慮到由未圖示之引線框切離的引線切割製 程，與黏接在安裝基板的情形，第1部分20A、30A的前 端部（尤其是3 0 A )係以不比習知厚度厚爲宜。 其中，引線30的第2部分30B的厚度雖然並不需要 與引線20的第2部分20B的厚度T1相同，但是，若厚 度相同時，具有可使接合導線60成爲相同高度的優點。 再者，於本實施形態中，係在引線2 0的第2部分· 2 0B設有固定用孔（貫穿孔）2 5。如後所述，該固定用孔 (6) 1305062 25係爲了將半導體發光裝置安裝在安裝基板之散熱 (亦即金屬板）等而設。例如，以螺絲與螺帽安裝散 置時，固定用孔25可爲貫穿孔。另一方面，若在固 孔25之內壁面25S設置內螺紋，可直接以螺絲安裝。 將固定用孔25設在引線20中的第2部分20B， 第1部分20A，藉此可將半導體發光裝置80確實安 未圖示之安裝構件，亦可使熱的放散性良好。其係由 2部分20B的厚度T1形成地比第1部分20A的厚β 厚之故。因此，在該厚壁部分設置固定用孔25 ，且 絲等予以固定，藉此可抑制「歪曲」或「變形」，而 理上可堅固地固定，且可形成良好的熱接觸。另一方 在固定用孔25設置螺絲槽時，爲使厚度Τ1具有某 度’亦可形成所需數量的螺紋槽。其結果可確實予以 式螺止。 可設定第2部分20Β、30Β的厚度Τ1例如爲 米，黏接LED晶片1 〇的部分的厚度T2例如爲1 · 米，第1部分20A、30A的厚度T3例如爲0.5毫 右。在固定用孔（貫穿孔）25的內壁面25S未設置 時’可使第1部分的厚度T1設在例如1.2毫米左右 度。 引線20及30係在製程中連結複數個在引線框。 方式一體形成時，可減少零件數量，而較容易製造。 第2圖（a)係顯示在將本發明第1實施形態之半 發光裝置連接於引線框之製程途中的俯視構造的模式 裝置 熱裝 定用 而非 裝在 於第 I T3 以螺 在物 面， 種程 機械 2毫 5毫 米左 螺絲 的薄 藉此 導體 圖， -9- (7) 1305062 第2圖（b)係該圖（a)之A-A線剖視圖。 以一對引線2 0、3 0的材料而言，例如使用銅系合金 時，由於熱傳導率較_ ’故有利於散熱。此外，在其表面 施加鍍敷等之塗佈時’可使來自LED晶片10的光在面向 LED晶片1 〇的傾斜面反射。此外，可增強將引線2 0 ' 3 0 予以焊料黏接時的強度。以塗佈之例而言，可列舉：銀等 單層構造或鎳/鈀/金等疊層構造。 接著說明嵌埋樹脂40。 以嵌埋樹脂4 0的材料而言，係可使用例如熱可塑性 樹脂。其一例係可列舉如聚鄰苯二甲醯胺 (Polyphthalamide )之類的尼龍系樹脂。嵌埋樹脂40的 外寸可設爲例如長爲7毫米 '寬爲5毫米、高爲2.5毫米 左右。 第3圖（a)係例示呈藉由嵌埋樹脂而插入成形之狀態 下的引線框的俯視構造的模式圖，第3圖（b)係該圖（a)的 A-A線剖視圖。 由於爲引線框狀，因此2個引線（1個具有散熱裝置 功能）係與散熱性良好的熱可塑樹脂形成一體而嵌埋。其 結果使得LED晶片1 0的散熱性良好，而且成型時的定位 精密度亦良好，故生產性優。 其中，爲了改善散熱性，引線20的底面20D亦可與 外部散熱裝置直接接觸。因此，引線20的底面係露出於 嵌埋樹脂40的底面，而非嵌埋於嵌埋樹脂4〇。 接著，參照第1圖，進一步詳加說明本實施形態之半 -10- (8) 1305062 導體發光裝置之各部構成。 在引線20的第2部分20B係設有杯狀凹部20C。於 凹部20C的底面係黏晶（die bonding)有LED晶片10。 黏晶的黏接劑係可使用共晶焊料或導電性焊膏（paste ) 等。LED晶片10的電極係藉由接合導線60而連接於另一 方之引線30的第2部分30B。 在杯狀凹部20C係設有傾斜的側壁，對於由LED晶 片10放射的光，具有反射功能。此外，亦在嵌埋樹脂40 設置凹部40C，可在其側壁具有反射功能。藉此方式，可 提升光取出效率。再者，若將凹部2〇C的側壁設爲曲面 狀，則可控制指向特性，可達成更高的取光效率。 在此，進一步說明表面安裝型之半導體發光裝置中的 引線與嵌埋樹脂的接合強度。 於本實施形態中，當形成引線20、30的下面露出於 嵌埋樹脂40之底面的構造時，係採用以該等引線20、30 與嵌埋樹脂40不會剝離的方式來提升接合強度的構造爲 宜。 第4圖係例示增強引線20' 30與嵌埋樹脂40之接合 強度之構造的模式圖。亦即，第4圖（a)係其縱剖視圖， 第4圖（b)係該圖（a)的A-A線剖視圖》 設置貫穿引線20的錨孔（anchor hole) 180，當使嵌 埋樹脂4 0塡充於該錨孔1 8 0內部時，可抑制引線2 0與射 出成型體的「偏移」，使密接強度及接觸面積增加，而抑 制引線20與嵌埋樹脂40的剝離。其中，亦可在引線30 -11 - (9) 1305062 設置相同的錨孔，以增強與嵌埋樹脂40的接合強度。 另一方面，如圖所示在引線2 0、3 0的內引線側的 端設置凹凸，藉此可提升與嵌埋k脂40的「黏附」， 增強接合強度。 此外，如在第4圖（b)所示之A-A線剖視圖，亦可 引線20(3 0)的側面設置朝向背面且其寬度縮小的錐部或 差部。如此一來，使得於該等錐部中，引線20(3 0)係藉 嵌埋樹脂40由斜下方予以支持，因此可抑制嵌埋樹脂 剝離。 以上說明之錨孔180或凹凸、錐部係可藉由以沖壓 具將引線20、30予以鑽孔加工而形成。藉由設置該等 件，可抑制引線與射出成型體的「偏移」，使密接強度 接觸面積增加，而抑制引線與嵌埋樹脂40的剝離。 另一 '方面，於本實施形態中，藉由將LED晶片1 0 容於凹部20C之中，可於嵌埋樹脂40之插入成形製 中，防止鑄模接觸到LED晶片10。亦即，於引線20安 LED晶片1 0之後，可插入成形於嵌埋樹脂40。如此 來，以LED晶片1 〇之接合黏接劑而言，可使用熔點較 之共晶焊料（熔點：280至420°C )等’因此’可改善 導體發光裝置的可靠性。 以LED晶片1 〇而言，係可使用當然的可見光、紫 線光、藍光等光發光的晶片。尤其是’當藉由螢光體將 外線光予以波長轉換時’可得白色光’可使用在大範圍 用途。 前 而 在 段 由 40 模 構 及 收 程 裝 局 半 外 紫 的 -12- (10) 1305062 第5圖係本發明人在達成本發明之過程中所硏究之比 較例之半導體發光裝置之斜視剖視圖。由金屬材料構成的 塊狀散熱裝置2 0 1與由相同金屬材料構成的薄體狀外部端 子202係在原本分別形成爲個別個體之後予以連接。此 外，對於該等構件係施行金屬鍍敷。散熱裝置20 1係藉由 樹脂成形而與樹脂框205 —體成形。在散熱裝置201上係 藉由導電性黏接劑（例如銀膏）黏接有半導體發光元件 (亦即LED ) 203。半導體發光元件203上的一電極與外 部端子202係藉由導線207而電性連接。半導體發光元件 203與導線207係利用透明樹脂206予以密封。如圖所 示，亦可在其上安裝樹脂透鏡2 04。 上述構造之半導體發光裝置具有的第〗問題點係··散 熱裝置20 1與外部端子202形成爲個別個體，在組裝時予 以連接的問題點。因此，於連接部中，散熱性差，而無法 進行大電流驅動。第2問題點係在組裝時，散熱裝置20 1 與外部端子202並非藉由引線框而相連接，因此，以樹脂 框2 05將該等構件予以一體化時，必須將2個以上的金屬 零件定位在成型模具。因此，生產性差，且成本高。第3 問題點係於樹脂框205、散熱裝置201與外部端子202的 邊界部分’容易發生樹脂剝離、樹脂洩漏、樹脂毛邊等。 接著說明本發明人在達成本發明之過程中所硏究之第 2比較例。 第6圖係顯、示第2比較例之半導體發光裝置的模式 圖’第6圖（a)係其模式剖視圖’（b)係其斜視圖。於該圖 -13- (11) 1305062 中’對於與第Ϊ圖至第5圖所述相同的要素係標註相同的 元件符號且省略詳細說明。 於本比較例中，未在引線20設置固定用孔（貫穿 孔）。爲了將上述半導體發光裝置安裝在基板，必須使用 焊料。 第7圖係將本比較例之半導體發光裝置安裝在基板上 的半導體發光單元的模式剖視圖。 亦即’於本比較例中，係利用焊料1 82，將引線20 下面之露出部的一部分黏接在基板190的導電圖案上。若 與習知之表面安裝型半導體發光裝置相比較，該半導體發 光裝置80由於引線20之第2部分20Β較厚，因此可藉由 散熱裝置效應’使驅動電流較大。然而，當安裝在基板 1 90時使用焊料，並不容易將焊料〗82、1 8 1均勻形成橫 跨引線2 0、3 0的整個背面。其結果如第7圖之例示，焊 料1 8 1 ' 1 82係僅局部形成在引線20、30的背面，在除此 之外的部分則會在其與基板1 90之間產生「間隙」。上述 「間隙」的熱阻極高，而形成散熱的阻礙。 在LED晶片1 〇的背面側局部形成焊料丨82時，如該 圖中箭頭之例示，形成有熱的放散路徑。然而，其兩側係 熱阻極高的「間隙」，在熱的散熱性方面有改善的空間。 相對於此’根據本實施形態之半導體發光裝置，如以 下之說明，可解決比較例中所產生的問題點。 以下說明使用本實施形態之半導體發光裝置的半導體 發光單元。 -14- (12) 1305062 第8圖係將本實施形態之半導體發光裝置80安裝在 基板之半導體發光單元的模式剖視圖。 亦即，本實施形態之半導體發光單元係具有：由玻璃 環氧樹脂等構成的基板1 02 ;散熱性良好之金屬（例如 鋁、銅系合金等）製的散熱裝置100;以及關於第1圖至 第4圖已於前述之半導體發光裝置80。此外’更可視需 要而設置未圖示之電源電路等。關於散熱裝置100的厚 度，爲了取得實用性的物理強度’以5毫米以上爲宜’爲 了提高散熱性，則以2毫米以上爲宜。 在由玻璃環氧樹脂等構成的基板1〇2，係於與半導體 發光裝置80的底面2 0D相對應的部分設有開口。在散熱 裝置100係設有插入該開口部分的凸部〗〇1。該凸部1〇1 的上面係與半導體發光裝置80的底面20D相接觸’藉由 螺絲1 08等而予以機械式固定。第8圖所示之具體例的情 形係在半導體發光裝置80的固定用孔25的內側面設有內 螺紋。如此一來，來自LED晶片10的發熱，係沿著第8 圖中以箭頭G]、G2、G3例示的路徑，而有效率地透過散 熱裝置1〇〇被取出至外部。 此外，另一引線30係利用焊料106等，而連接於玻 璃環氧樹脂基板102上的導電圖案104。此時的焊接亦可 爲焊料回流（solder reflow)等。 在第9圖係例示使用本發明之實施形態之半導體發光 裝置的照明或車載顯示器用途等之半導體發光單元之構造 的俯視圖。 -15- (13) 1305062 此外，第1 0圖係第9圖的A _ A線剖視圖。 此外’第1 1圖係由背面側觀看本具體例之半導體發 光單元的俯視圖（底面圖）。 - 於本具體例中，配置多數個半導體發光裝置80於由 . 基板102與散熱裝置10〇所構成的安裝基板上。基板1〇2 係由玻璃環氧樹脂等構成，散熱裝置100係由金屬構成。 於照明用途或車載顯示器用途等中，爲了獲得高亮度，各 0 自的LED晶片會有超過500毫安培的大電流驅動的情 形。相對於此，於本具體例中，半導體發光裝置8 0的熱 放散性良好，再者，該半導體發光裝置80以螺絲等機械 式固定在散熱裝置100，因此可使散熱性良好。其結果使 得即使大電流驅動，亦可使發熱有效率地放散，而可進行 穩定的動作。 第12圖係表示以固定構件110固定半導體發光裝置 80的半導體發光單元之具體例的俯視圖。 Φ 此外’第1 3圖係第1 2圖之A - A線剖視圖。 此外’桌14·圖係由背面側觀看本具體例之半導體發 光單元的俯視圖（底面圖）。 此外，第1 5圖係固定構件1 1 0的斜視圖。 如第1 5圖所示，固定構件1 1 〇係具有以預定間隔配 置的複數個螺絲部1 1 2。該螺絲部1 1 2的間隔係與半導體 發光裝置80的排列間距相同。接著，如第13圖所示，將 螺絲部112插入半導體發光裝置80的固定用孔25，而可 —體地固定。此時’如第1 3圖所示’亦可由散熱裝置側 -16- 1305062 (Η) 插入固定構件110’或者亦可與其相反地，由半導體發光 裝置8 0側插入固定構件π 〇。如第1 2圖所示，既可以螺 帽1 7 0固定固定構件1 ! 〇的螺絲部n 2，亦可以設有孔洞 « 的其他固定構件（未圖示）按壓。關於固定構件1 1 0的材 • 質’以銅系合金或鋁爲宜，但由於散熱裝置1 0 0係另外設 置’因此亦可使用散熱性稍差的黃銅或不銹鋼等，此外， 亦可使用絕緣材料等。 • 如以上之說明，複數個半導體發光裝置80並列配置 時，即使各個半導體發光裝置的發光指向特性較窄亦可。 表面安裝型半導體發光裝置的指向特性係藉由調整安裝 LED晶片之引線的凹部20C的形狀或形成於嵌埋樹脂4〇 之凹部40C的形狀等，而可適當地控制。 第16圖係顯示本發明之實施形態之半導體發光裝置 之變形例的模式圖。亦即，該圖（a)係其模式剖視圖，（b) 係俯視圖。
® 於本變形例中，設在引線20的是具有內螺紋部70S 的固定用孔7 0 ’而非貫穿孔。於本變形例的情形中，由 於可使用螺絲而將半導體發光裝置80固定在散熱裝置， 因此可改善散熱性。此外，由於係爲使螺絲或螺帽不突出 於半導體發光裝置80之發光面側的構造，因此，並不會 對於光的放射特性造成影響，而亦可使外觀較爲簡單。 第1 7圖係顯示本發明之實施形態之半導體發光裝置 之另一變形例的模式圖。亦即，該圖（a)係其模式剖視 圖，（b)係俯視圖。 -17- (15) 1305062 於本變形例中，嵌埋樹脂4 0係以將第1引線2 0的第 2部分20B全部覆蓋，且亦將第1部分20A的一部分覆蓋 的方式設置。而在嵌入於嵌埋樹脂40的第2部分20B設 置固定用孔70。在固定用孔70係形成有內螺紋部70S， 而可從背面側予以螺緊。 若固定用孔7 0亦嵌入嵌埋樹脂4 0的下方，則可縮小 半導體發光裝置80的尺寸。當高密度配置上述之精簡的 半導體發光裝置時，可實現亮度極高的半導體發光單元。 而根據本發明，以上述方式高密度安裝時，亦可有效率地 進行來自LED晶片10之熱的放散，而可進行穩定的動 作。 第18圖係顯示本發明之實施形態之半導體發光裝置 之再另一變形例的模式圖。亦即，該圖（a)係其模式剖視 圖，（b)係俯視圖。 於本變形例中，嵌埋樹脂40係設爲不高於引線20的 上面。此外，以導線60不超過引線20之上面高度的方 式’引線30的上面高度係形成爲LED晶片10之安裝面 的程度。藉此方式，封裝樹脂50的上面係可形成爲不超 過引線20的上面高度。其結果使得可將半導體發光裝置 80的整體厚度（高度）極薄化（極低化），而可實現非 常薄型的半導體發光單元。此外，使用固定用孔25來固 定半導體發光裝置8 0時，由於螺絲或螺帽不會干擾樹脂 4〇、50，故安裝容易。 以上一面參照具體例，一面就本發明之實施形態加以 -18- (16) 1305062 說明。然而，本發明並非限定爲該等具體例者。 例如，可使用作爲LED晶片者，並非限定爲InGaA1P 系或GaN系，亦可使用其他以GaAIAs系、InP系爲代表 的各種III-IV族化合物半導體或其他II-VI族化合物半導 體或除此之外的各種半導體。 其他，關於構成半導體發光裝置的LED晶片 '引 線、嵌埋樹脂、封裝樹脂等之各要素的形狀、大小、材 質、配置關係等，即使熟習該領域者加上各種設計變更， 只要具有本發明之要旨，即包含在本發明之範圍內。 【圖式簡單說明】 第1圖（a)係本發明第1實施形態之半導體發光裝置 的模式剖視圖，第1圖（b)係其俯視圖。 第2圖（a)係顯示在將本發明第1實施形態之半導體 發光裝置連接於引線框之製程途中的俯視構造的模式圖， 第2圖（b)係該圖（a)之A-A線剖視圖。 第3圖（a)係例示呈藉由嵌埋樹脂而插入成形之狀態 下的引線框的俯視構造的模式圖，第3圖（b)係該圖（a)的 A-A線剖視圖。 第4圖係例示增強引線2 0、3 0與嵌埋樹脂4 0之接合 強度之構造的模式圖，第4圖（a)係其縱剖視圖，第4圖（b) 係該圖（a)的A-A線剖視圖。 第5圖係本發明人在達成本發明之過程中所硏究之比 較例之半導體發光裝置之斜視剖視圖。 -19- (17) 1305062 第6圖係顯示第2比較例之半導體發光裝置的模式 圖，第6圖（a)係其模式剖視圖，（b)係其斜視圖。 第7圖係將比較例之半導體發光裝置安裝在基板上的 ， 半導體發光單元的模式剖視圖。 4 第8圖係將本發明之實施形態之半導體發光裝置8 〇 安裝在基板之半導體發光單元的模式剖視圖。 第9圖係例示使用本發明之實施形態之半導體發光裝 0 置的照明或車載顯示器用途等之半導體發光單元之構造的 俯視圖。 第1 0圖係第9圖的A - A線剖視圖。 第11圖係由背面側觀看本發明之具體例之半導體發 光單元的俯視圖（底面圖）。 第12圖係表示以固定構件11〇固定半導體發光裝置 80的半導體發光單元之具體例的俯視圖。 第1 3圖係第1 2圖之A - A線剖視圖。 ® 第14圖係由背面側觀看本發明之具體例之半導體發 光單元的俯視圖（底面圖）。 第1 5圖係固定構件1 1 〇的斜視圖。 第16圖係顯示本發明之實施形態之半導體發光裝置 之變形例的模式圖，該圖（a)係其模式剖視圖，（b)係俯視 圖。 第1 7圖係顯示本發明之實施形態之半導體發光裝置 之另一變形例的模式圖，該圖（a)係其模式剖視圖，（]3)係 俯視圖。 -20- (18) 1305062 第1 8圖係顯示本發明之實施形態之半導體發光裝置 之再另一變形例的模式圖，該圖（a)係其模式剖視圖，（b) 係俯視圖。 ψ 【主要元件符號說明】 秦 1 〇 :半導體發光元件（LED晶片） 20 : ‘第1引線 φ 2〇A :第1引線的第1部分 2 0 B :第1引線的第2部分 20C :設在第I引線的凹部 20D :第1引線的底面 2 0 T :錐部 25 :固定用孔（貫穿孔） 25S:固定用孔內壁面 30 :第2引線 # 30A :第2引線的第1部分 3 0B :第2引線的第2部分 4 0 :嵌埋樹脂 * 4 0 C :凹部 5 0 :透明樹脂（封裝樹脂） 6 〇 :接合導線 7 0 :固定用孔 7 0 S :內螺紋部 80:半導體發光裝置 -21 - (19) 1305062 100 散熱裝置 1 0 1 :散熱裝置凸部 1 02 :由玻璃環氧樹脂等構成的基板 . 1 0 4 :導電圖案部 1 0 6 :焊料 * 1 0 8 :螺絲 1 1 〇 :固定構件 • 1 1 2 :螺絲部 1 7 0 :螺帽 1 8 0 :錨孔 1 8 1、1 8 2 :焊料 1 9 0 :基板 201 :散熱裝置 202 :外部端子 203 :半導體發光元件 • 204 :樹脂透鏡 205 :樹脂框 206 :透明樹脂 • 2 0 7 :導線 T1 :第2部分20B、30B的厚度 T2 : LED晶片1 0的第2部分20B的厚度 T3 : LED晶片1 0的第1部分20A的厚度 -22-

Claims (1)

  1. (1) 1305062 十、申請專利範圍 1.—種半導體發光裝置，係具備： 第1引線，具有厚度較小的第1部分及厚度較大 . 2部分； , 第2引線，具有厚度較小的第1部分及厚度較大 2部分； 嵌埋樹脂，將第1及第2引線個別的前述第2部 φ 至少一部分予以嵌埋； 半導體發光元件，安裝在前述第1引線的前述第 分，該第1引線露出於設在前述嵌埋樹脂上面的凹 中； 導線，連接前述半導體發光元件與前述第2引線 封裝樹脂，將設在前述凹部之中的半導體發光元 前述導線予以封裝；以及 固定用孔，設在前述第1引線的前述第2部分。 # 2.如申請專利範圍第1項之半導體發光裝置 中，在前述固定用孔的內壁面形成有內螺紋。 3. 如申請專利範圍第1項之半導體發光裝置 * 中，前述固定用孔係設在前述第2部分之中之未嵌埋 述嵌埋樹脂的部分，且貫穿前述第1引線之前述第2 的厚度方向而形成。 4. 如申請專利範圍第1項之半導體發光裝置 中，前述第1引線的前述第2部分的背面係未被前述 樹脂覆蓋而呈露出。 的第 的第 分的 2部 部之 » 件及 ，其 ，其 於前 部分 ，其 嵌埋 -23- (2) 1305062 5. —種半導體發光單元，係具備： 安裝基板，具有導線圖案及開d ; 金屬板，具有凸部；以及 申請專利範圍第1項至第4項中任—項之 裝置； 以將前述凸部嵌入前述開口的方式 與前述金屬板，而且前述半導體發光裝置之前 的前述第2部分的下面與前述金屬板的前述凸 藉由固定構件而經由前述固定用孔予以固定而 6. —種半導體發光單元，係具備： 金屬板，具有設有安裝孔的凸部； 安裝基板，設置對應於前述凸部的開口， 述金屬板上；以及 表面安裝型半導體發光裝置； 前述表面安裝型半導體發光裝置之任—引 度較小的第1部分與厚度較大的第2部分’在 分係將固定用孔設在引線厚度方向，前述第2 與前述凸部的上面係藉由通過前述固定用孔及 的固定構件予以固定而成。 半導體發光 述安裝基板 述第1引線 部的上面係 成。 且固定於前 線係具有厚 前述第2部 部分的背面 前述安裝孔 -24-
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