TWI300580B - Method of processing substrate and chemical used in the same (1) - Google Patents

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I3®)580 九、發明說明：

【發明所屬之技術領，域J 本發明係有關於基板處理方法及使用於該方法 液。 果 【先前技術】 丨号祝乃沄T電路中線路之形成，例如，藉由在一半導 體晶圓、一液晶顯示器（LCD)基板及其他基板上，形成一

有機薄膜圖形，以及利用該有機薄膜圖形作為一罩幕，圖 :化底層薄膜，以蝕刻底層薄膜或該基板。於圖形化底層 溥膜後，移除該有機薄膜圖形。 曰 、'例=’日纟專利公報N0. 8231〇以供形成―電路之方 :田包含於-基板上形成有機薄臈圖形’或稱為 機薄膜圖形作為-罩幕，圖形化下方—層或二層 兮 4仃蝕刻；再顯影該有機薄膜圖形 薄膜圖形’以及利用過顯影之該有機薄膜二: 罩幕，再圖形化下方一層或二層薄膜，並進 。 θ形化下層薄膜使其變細或成 π :路具有-高阻抗以防止介電損壞;於再 溥膜後’藉由分離步驟移除該有機薄膜圖形/ &曰 第1圖係緣出上述方法所進行之步驟流程圖。 機薄：第ΙΓ所示’此方法包含之步驟依次為：塗佈-有 基板上，二：：導電賴上’該導電薄膜係形成於-該有機薄膜r :路'"有機溥膜至一光源（步驟S01)，顯影 膜（步驟S〇2)，以及預先㈣或加熱該有機薄膜 2134-6913-pp 5 1300580 (步驟S03 ),因此，形成一初始 上此方法更包含X列步驟依次為：利用 扳 祚A — w笪红 引用該有機薄膜圖形 作為罩幕，餘刻該導電薄膜（步驟S04) ⑽ 薄膜圖形（步驟S101)，以及序先 有機 圖形(步驟S，以轉換該有機薄膜圖:力至熱:有機薄膜 此方法更包含半韻刻該導電薄膜之方法， 圖形。 影之該有機薄膜圖形作為一罩幕，使該導電薄膜且= 梯形狀之剖面，以避免該剖面垂直站 、/、階 炊而U_七、且次呈現倒尖角形狀。 上在牛· / r酼一問題’該初始有機薄臈圖形實際 上在Y驟S04中損壞，姑刻該導電薄膜， 或沈積層於該有機薄膜圖形上。 y ?變層 該改變層或沈積層，可稱為一損壞芦 ▲ 膜圖形之第二次顯影（步驟sl〇1 ) 以機溥 _ _ )办即無法順利過顯影 =有機薄臈圖形，因為該損壞層覆蓋該有機薄膜圖形：： 表面。 過顯影步驟之進行係有關於一損壞層之情況而不同. 絲刻步驟（步驟S⑷係包含―濕㈣，損壞層的情況 :::關於藥液及溫度’·另一方面’若餘刻㈣(步驟s。。 係^卜乾蝕刻，損壞層的情況高度相關於所使用之氣 體、屋力及排放。有機薄膜圖形依據所使用的氣體，將;^ 不同程度的化學性損害；以及該有機㈣圖形上之離子= 氣體或放射氣體有關之壓力及排放，將使其遭受_物理衝 有機薄膜圖形在濕钮刻所受的損壞較乾鍅刻輕微， 因此，濕峨引起的損壞層之阻止有機薄膜圖形

2134-6913-PP 1300580 影’較乾蝕刻所引起的損壞層輕微。 如上屬述’一顏壞層，阻礙該有機薄膜圖形之順利過 顯影，導致該有機薄膜圖形係非均勻過顯影，因此，例如 在底層薄膜第二次圖形化過程中，將非均勻圖形化底層薄 膜。 ^

根據WOOO/41048 (PCT/US99/28593 )之日本專利公報 NO· 2002-534789,提供對於一基板之製程之一同步化系統 裝置，特別的是，該裝置包含一晶圓群聚工具，具有一列 表器可在一系統及及其他系統中，同步化所有項目。 日本專利公報Ν0ο· 10-247674提供對於一基板製程之 裝置，包含複數製程處理器，其使用於基板之一系列步驟 上’以及一載具’其運送基板至每一處理器。載具包含一 承載板、一第一％轉裝置可沿一第一轉軸垂直延伸至承載 板、一第一傳動器用以旋轉該第一旋轉裝置、一第二旋轉 裝置可沿一第二轉軸垂直延伸至第一旋轉裝置、一第二傳 動器用以紅轉^亥第一旋轉裝置、一基板支架可沿一第=轉 軸旋轉’該第三轉軸垂直延伸至第二轉軸，該基板支架支 撐該基板，以及一第三傳動器用以傳動該基板支架。 【發明内容】 根據上述先前技術中之問題本發明之目的係提供一種 基板處理方法’可順利顯影形成於一基板上的有機薄膜圖 形。 本發明之目的亦提供使用於上述方法中之藥液。 本發明之一目的，係提供一種在基板上形成有機薄膜 2134-6913-PF 7 13 ⑻ 580 圖开y的方法’依序包含：一加熱步驟， 圖案；以及一主要牛w ^ “、、这有機溥膜 龙々 要仏驟，係收縮至少一部份該有機薄膜圖 〉或移除一部份該有機薄膜圖形。 、0 此方法更包含—預備步驟’係移除 層，其形成於該有機薄膜圖形之一表面，其中該^:積 係於該加熱步驟之後 八$ y驟 傻及於該主要步驟之前執行。 此方法更包含—預備步驟，係移除一 層，其形成於該有機薄膜圖形之一表面，其中該^:積 係於該加熱步驟之前執行。 '、sa v驟 ^發明之目的另—目的，係提供—制^述方 之樂液，其中該藥液含有該胺係介於重量百分比"] 10%之間，亦包含。 白刀比0.01至 依據本發明所提供 > 古^ ^ 形，亦即本發明所可元全移除該有機薄膜圖 膜圖形。 ^供之方法可心剝離或分離該有機薄 别述本發明之方法之益處將於下述段落中提及。 因為依據本發明所提供之方法，包含—預備步驟 移除一改變層或沈積層，其形成於該有機薄膜圖形之_表 ^ 步驟，收縮至少一部份有機薄膜圖蒂 或移除一部份有機薄膜圖形。 、β y 、右：要/驟係包含顯影一有機薄膜二次或更多次 可^使藥液具有-功能，顯影該有機薄膜圖形以穿透談右 機薄膜圖形，以及均句顯影該有機薄膜圖形。若進= 步驟時所使用之藥、％ τ θ A 4丁主要 /、液不具有顯影該有機薄膜圖形 J^b 5

2134-6913-PF I3Q0580 '· 但具有一功能熔合該有機薄膜圖形，可得到相同結果。 於預備步。膝之iu ’"或在沒有預備步驟的主要步驟之 鈿，或於預備步驟之後’藉由進行加熱步驟，將可移除在 進行加熱步騾之前滲透進有機薄膜圖形内部或底部之濕 氣、酸性或鹼性溶液，或者如果黏滯力降低，將可恢復有 機薄膜圖形及底層間之黏滞力。因此，該有機薄膜圖形將 具有原來之光感應性及其他性質，使得有機薄膜圖形可良 好利用或再利用。 • 【實施方式】 在一裝置200中處理 處理一基板；或例如第3圖所緣 基板。 裝置100及200係設計用以選擇性具有下述之處理 元，應用於處理一基板。 例如第4圖所緣，裝詈〗n n 衣置100及200可包含六個處理 元，特別的是，一第一處理單元兩 作為暴路一有機薄膜 形至-光源，-第二處理單 …辱膘 作為加熱一有機薄腔 形，-第三處理單元19作 有M 4膜1 — 咕老 馮控制一有機薄膜圖形之一、 度，一第四處理單元2〇作為 ‘ 貝衫一有機薄臈圖形，一笙 處理單元2作為塗佈藥液至— - 處理單元22作為灰化一有 第： ’钱溥膜圖形。 在第一處理單元π作 源中，形成-有機薄膜圖形於一：：機薄膜圖形至-; 圖形至-光源。-有機薄膜圖形；暴露該有機薄〗 覆蓋至少一部份暴露於_

2134-6913-PF 1300580 板；例如’―有機薄膜圖形完全覆蓋—基板，或 盍-基板之—面積相等或大於基板全部面積之i八〇，以 :露至一光源。在第一處理單元17中，一有機薄膜圖形可 ::全：露至一光源’或一點光源可掃晦—有機薄膜圖 ^ 既定區域；例如，一有機薄膜圖形暴露至紫外光、 螢光或自然光。 〃 。、在第一處理單元18作為加熱一有機薄膜圖形中，加熱 〆、'烤基板或有機薄膜圖形，例如於攝氏溫度go至 180度範圍間，或於攝氏溫度50至150度範圍間。該第二 處理單το 1 8係包含一階梯位於一基板上成水平支撐，以及 -腔體以佈置該階梯；加熱一基板或一有機薄膜圖形之時 間可任意決定。 在第二處理單元19作為控制一有機薄膜圖形之一溫 度中例如，該第三處理單元19維持一有機薄膜圖形或一 基板於攝氏溫度10至5〇度範圍間，或於攝氏溫度丨〇至 度範圍間。該第三處理單元19係包含一階梯位於一基 板上成水平支撐，以及一腔體以佈置該階梯。 在第五處理單元21作為塗佈藥液至一有機薄膜圖形 中，塗佈藥液至一有機薄膜圖形或一基板。 如第5圖所示，該第五處理單元21係包含：例如，一 藥液槽301用以收集藥液，以及一腔體302用以佈置一基 板500。腔體302包含一可移動式喷嘴3〇3,用以供應自藥 液槽301傳輸之藥液，位於該基板500上，一階梯3〇4位 於該基板500上成水平支撐，以及一抽取出口 3〇5排出液 2134-6913-PF 10 1300580 體及空氣至腔體302外。 在第五處理旱元又1中，在藥液槽3 01内收集藥液，藉 由壓縮氮氣至藥液槽301内，可透過可移動式喷嘴303供 應至基板500 ;可移動式噴嘴303可以水平移動，階梯304 包含複數支樓栓，用以支撐基板500於較低表面。 第五處理單元21可設計成一乾燥型式，用以蒸發藥 液’以及將蒸發的藥液塗佈於基板500之上。

例如’第五處理單元21所使用之藥液包含至少一酸性 溶液、有機溶劑及鹼性溶液。 第四處理單70 20作為顯影一有機薄膜圖形，顯影一有 機薄膜圖形或一基板；例如，第四處理單元2。可設計為具 有第五處理單7G 21之相同結構，除了收集於藥液槽31之 一顯影媒介物。 —在第六處理單元22中，於基板500上所形成之-有機 薄膜圖形，係藉由電漿r +將+ > , 私水（虱電漿或虱/氟電漿）、具有一短 波長之光學能量、例如紫外φ、祐 J文系外光、使用光學能量或熱之臭氧 製程 '或其他步驟，進行蝕刻。 如第2圖所示，|置1〇〇係包含：在可放置一基板（例 如，-⑽基板或-半導體晶圓）之卡式盒以之一第一卡 式站台卜類似於放置卡式盒u之卡式各Μ :站台2、可個別配置處理單元UUU9之處理單元配置 區域3至11、一自動控制梦署 別衷置12用以傳輸一基板介於第 一卡式站台1及第二卡式站a 2 、s 口 Z之間以及處理單元U1至 U 9之間、以及一控制器2 4用& _ _ 用控制自動控制裝置12以傳 2134-6913-PF 11 1300580 輸-基板及處理單元_υ9以進行多種製程。 L1中丨以及t:由裝置⑽所處理之基板’放置於卡式盒 L2中。 '，'由袭置⑽所處理之基板，放置於卡式盒 苐4圖所示之# + 一 n 任一弟，、處理單元，係選擇每一處理單 至U9酉己置於處理單元配置區域3至⑴ 曰处理單元之數目’係根據一種製程及一處理單元之容 量而定，因此，不备古旁饰时一 一 个a有處理早兀配置於任一或複數處理單 元配置區域3至11。 控制器24根據每一處理單元μ至卯及自動控制裝置 12所進仃之製程，選擇一組程式，以及執行此程式以控制 處理單元U1至U9及自動控制裝置12。 特別的是’控制器24控制自動控制裝置丨2處理之基 板之傳輸次序，係根據一次序製程之數據，因此將基板自 第 ^式站台1及第二卡式站台2及處理單元U1至U9中 取出’以及依據既定之次序將基板輸入進去。 甚者，控制器24係根據有關於製程情況之數據，操作 處理單元U1至U9。 第2圖所繪之裝置丨00係設計成可以改變進行處理單 元之製程次序。 如第3圖所示，另一方面，經由處理單元所進行之製 程次序，係設置於裝置200。 如第3圖所示，裝置200係包含：在可放置〆卡式盒 L1之一第—^式站台13、放置一卡式盒L2之一第二卡式 2134-6913-PF 12 1300580 =:6、可一個別配置處理單元耵至ϋ7之處理單元配置區 ^ T1 、= 一自勒控制裝置14用以傳輸—基板介於卡 及處理單元w、一第一自動控制裝置㈣以傳輪 :基謝處理單元…式盒L2、以及-控制器24用 以控制第一自動控制裝置14及第一自動控制裝置15，以 傳輸一基板及處理單元耵至U7以進行多種製程。

在裝置20G巾’執行處理單元w至ϋ7之製程次序係 固定。特別的是，製程係持續自—處理單元逆向執行，亦 即，以一個方向如第3圖所示之箭頭 在第4圖中所繪之六個處理單元之任一處理單元，係 選擇自每一處理單元U1至U7，至設置於處理單元配置區 域3至9中。處理單元之數目，係根據一種製程及一處理 早元之容量而定，因此，不會有處理單元配置於任—或複 數處理單元配置區域3至9。 裝置100及裝置200係設計成包含··一單元用以傳輸 一基板（特別的是，自動控制裝置）、一單元用以容納卡式 盒（特別的是，卡式盒站台）、以及處理單元選擇自第4圖 所繪之六個處理單元，依序進行形成一有機薄膜圖形於一 基板上。 雖然第2圖及第3圖所繪之裝置1〇〇及200係設計成 個別包含九個及七個處理單元，包含於裝置1〇〇及2〇〇之 處理單元之數目，係依據製程之種類、處理單元之容量、 成本等因素所決定。 甚且，雖然裝置100及200係設計成包含兩個卡式盒 2134-6913-pp 13 13〇〇58〇 L1及L2,卡式盒之數目係依據所需 決定。 〜谷里、成本等因素所 裝置100及2〇〇可七人1於笙d 开" 了包含異於弟4圖所繪之六個處理單 例如，裝置1〇0及200可包含：早 _ A , 處理早兀用以暴露 基板至一光源以製造微型圖形、— 、 ^ ±u . 处理早元用以濕钱刻 或乾_-基板、-處 用 板上、-處理單元用饰一先阻薄膜至一基 滞力、或-處理單機薄膜圖形間之一黏 進行mi、用m基板（透過紫外光或電篥 6，以及透過一清洗劑進行濕式清洗 如果裝置100及2〇〇包含一處 乾式、生冰宜此 處理早兀用以濕式清洗或 圖形化-下方薄膜“:，專膜圖形作為罩幕， —卜刀錢（例如，—基板之_表面）。 ^五處理單元21彳作為—處理單元用以濕式钱刻或 :心刻：基板’如果第五處理單元21包含藥液，用以钱 下方薄膜’特別的是，蝕刻劑含有酸或鹼。 ，了單一化每一製程，裝置1〇〇及2〇〇包含複數相同 处理單it ’用以多次適用相同製程於—基板，最好—基板 在相同處理單元進行製程，使得在不同處理單元時呈不同 方向（例如相反方向）。在此情況下，裝置1〇〇及2〇〇最好 設計成具有一功能用以指引一基板在不同處理單元中成不 同方向’以確保基板在不同方向上自動轉換，而不經由人 為細作。 §裝置100及2〇〇包含一單一處理單元時，最好該基 板多次於處理單元中進行製程，每次於不同方向。例如， 2134-6913-PF 14 1300580 最好該基板於不同處理單元中以不同方向多次進行製程， 程中處理I板’其方向不同於其他製程。 取好也在依處理單元中成一第一方向，而更有一第二 方向異於第-方向’亦即’裝置1〇〇及2〇〇最好設計成具 有此功能。 下迷馮依據本發明所解釋之較佳實施例。

，依據下述所提之實施例之方法，應用於一有機薄膜圖 $ ^/成於基板上，由感光有機薄膜所組成。在此方法 中’於加熱步驟中加熱—基板’以及在一有機薄膜圖形之

表面形成一破壞層（一沖結L θ ^改蜒層或一沈積層），係藉由一預锡 步驟所移除。然後’至少-部份有機薄膜圖形收縮，或一 部份有機薄膜圖形在主要步驟中移除。可，忽略預備步 如，第五實施例）。 、 【第一實施例】 第6圖係依據本發明之第一 之步驟流程圖。 处理基板方法 、依據第-實施例之方法，於加熱步驟中加熱— 然後，移除形成於一有機薄膜圖形表面之—改 Α ， 積層；然後’顯影（例如’第二次顯影） ^或1 以收縮至少-部分有機薄膜圖形’或移除 4臈圖形 圖形。 *伤有機薄膜 以傳統方法，例如微影製程，形成_ 一基板上。 、/寻祺圖形於

2134-6913-PF 15 1300580 特别的是’第-次塗佈一有 如第6圖所縿， 光源之步驟（步驟如）， / p，該有機薄模）至- 以及預供烤或加埶該有 Ί該有機薄膜（步騍S02)， ”、、有機缚膜（步驟ςηυ 、丄 形成一初始有機薄膜圖形。’ ，以在一基板上 可在基板上形成一初始 印刷，在第一次顯影移除一改燦2膜圖形，例如，藉由 機薄膜圖形（步驟Sl2)。欠曰或沈積層之後顯影-有

底層薄膜位於有機薄膜圖形 形作為一罩幕（步驟S〇4)， 如第6圖所示，然後，一 下方，亦即，將初始有機薄膜圖 钱刻基板之一表面。 依據弟一實施例之方法 有一步驟。 於蝕刻（步驟S04)之後具

特別的是，如第6圖所示，依據第一實施例之方法， 在進行银刻（步驟SG4)之後，加熱—基板之步驟（步驟 S00 )，塗佈藥液至有機薄膜圖形之步驟（步驟S11)，顯影 該有機薄膜圖形（步驟S12)以及加熱該有機薄膜圖形2 步驟（步驟S13)，係依序進行。 藉由進行加熱之步驟（步驟S00)，在加熱步驟（步騍 S00)之前之步驟中具有滲透進入一有機薄膜圖形之内部或 底部之液體（濕氣、酸性或鹼性溶液），可以被移除；或者， 如果黏滯力降低，可恢復有機薄膜圖形及下方薄膜間之黏 滯力。 藉由進行加熱之步驟（步驟S00 )，有機薄膜圖形幾乎 2134-6913 ~pp 16 1300580 具有原來之光感應力及其他性質，亦即，可以恢復初始之 光感應力及其他錢魏w形之性f，以進行第二次⑼ (過顯影）（步驟S12)’可確保有機薄膜圖形之穩定處I 或再處理。 該加熱步驟係包含於攝氏溫痄^ 一 僻八，皿度50至15〇度範圍内進 行，至於第二次顯影或過顯影（牛 以〜Q步驟S12)，加熱步驟最好 於溫度等於或小於攝氏溫度丨4〇声 又14U度靶圍進行，最好包含於 攝氏溫度100至130度範圍内淮并 、 鬥進仃，因為有機薄膜圖形可 以維持其光感應力於溫度等於戎 及寻於或小於攝氏溫度140度範 圍。 該加熱步驟（步驟soo)係句人从 ；诉包含於60至300秒範圍内 進行。 該加熱步驟（步驟S00)係蕤 ’、错由放置一基板於一台階 維持於一既定溫度下（例如，攝 ^ ,七地 攝氏/皿度100至130度範圍 内），在第二單元18中，以及 ^ . 0a ^ 保待一基板在台階上於一既 疋日守間區間（例如，6 0至12 〇秒）。 在塗佈藥液至有機薄膜圖 他f r a <步驟中（步驟SI 1)，塗 佈藥液（酸性溶液、驗性、玄、為 有機溶劑）至有機薄膜圖 形，用以移除形成於有機薄膜圖 展，产“一 守联圓形表面之一改變層或沈積 θ在塗佈樂液至有機薄膜圖形# + _ ^ ^ TO 之步驟（步驟S11)係於 第五處理早7〇 21中進行。 在塗佈藥液至有機薄膜圖形 耔屮丰_ u々之步驟中（步驟S11)，進 乂驟之時間週期可被定義， Μ , tv ^ ^ a所使用之樂液可被選 移除只有一破壞層（一改 θ ν改鋟層或沈積層）。

2134-6913-PF 17 1300.580 在塗佈藥液至有機薄膜圖形之步驟中（步驟S11)，若 形成一改變層，而不形成一沈積層於一有機薄膜圖形之表 面’可選擇性移除改變層；若形成改變層及沈積層於一有 機薄膜圖形之表面，可移除此改變層及沈積層；以及若形 成一沈積層於一有機薄膜圖形之表面，而不形成一改變 層，可選擇性移除沈積層。 因此移除一改變層或沈積層，將呈現一有機薄膜圖形 之非改變層’或一有機薄膜圖形已恢復具有一沈積層之出 現。 例如’藉由預備步驟（步驟S11)所移除之一改變層， 係劣化一有機薄膜圖形之一表面，藉由老化、熱氧化、熱 硬化、沈積層至一有機薄膜圖形之黏滯力、利用酸性濕蝕 刻劑以濕银刻一有機薄膜圖形、灰化（例如，〇2灰化）一 有機薄膜圖形、或使用乾蝕刻氣體以進行乾蝕刻。亦即， 藉由运些因素之一有機薄膜圖形之物理性及化學性破壞， 因而改變。改變之程度及改變層之性質，與使用濕蝕刻之 藥液高度相關，或者是乾蝕刻（所使用之電漿）係等向性 或非等向性’或者存在於有機薄膜圖形之沈積物，以及乾 餘刻所使用之氣體。因此，亦有關於移除之困難性。 藉由預備步驟（步驟S11 )所移除之一沈積層，係由 乾#刻所引起’沈積層之性質根據乾蝕刻是等向性或非等 向性’以及乾蝕刻所使用之氣體，因此，其有關於移除沈 積層之困難性。 因此’進行預備步驟（步驟S11 )所使用之時間，及

2134-6913-PF 18 1300580 預備步驟（步驟si 1 )所使用之藥液，需由移除一改變曾 獲沈積層之困難度斯、決定。 例如，當藥液使用在預備步驟（步驟S1丨）時，可選 擇藥液含有鹼性藥液、酸性藥液、有機溶劑、含有有機溶 劑及之胺之藥液、或含有鹼性溶液及胺之藥液。 例如’上述鹼性溶液可含有胺及水，以及上述之有機 溶劑可含有胺。 預備步驟（步驟s 11 )所使用之藥液可含有抗腐钱劑。 • 例如，胺係選擇自單乙基胺、雙乙基胺、三乙基胺、 單異丙基胺、雙異丙基胺、三異丙基胺、單丁基胺、雙丁 基胺、三丁基胺、氫氧基胺、雙乙基氫氧基胺、去水雙乙 _ 基氫氧基胺、吡啶、及甲基吡啶等。藥液可選擇上述一個 或多個胺。 該藥液最好含有該胺係介於重量百分比0.01至10%之 間’亦包含；尤其最妤該藥液含有該胺係介於重量百分比 〇· 05至3%之間’亦包含；尤其最好該藥液含有該胺係介於 籲重畺百分比0.05至1. 5%之間，亦包含。 預備步驟（步驟幻1 )提供一益處，其藥液具有一功 能用以顯影一有機薄膜圖形，可在後續步驟中穩定穿透該 有機薄膜圖形’亦即，過顯影步驟（步驟S12 )，以及，係 量化過顯影及可增加效率。 第一次顯影或過顯影該有機薄膜圖形之步驟（步驟 S12)，係於第四處理單元2〇中進行，用以收縮至少一部份 有機薄膜圖形，或移除一部份有機薄膜圖形。

2134-6913-PF 19 1300580 在弟四處理單元2 0中’形成於一基板上之有機薄膜圖 形’係藉由具有顳影該有機薄膜圖形之藥液顯影。 /、有顯影該有機薄膜圖形之藥液，可選擇自驗金屬水 洛液’具有 TMAH (tetramethylammonium hydroxide)於 重蓋百分比〇·1至1〇·〇%、或無機驗金屬水溶液例如氫氧 化鈉或氫氧化鈣。

加熱一有機薄膜圖形之步驟（步驟S13 )中，在第二 處理單元18中，將一基板放置於一台階上，維持在一既定 溫度下（例如，攝氏溫度80至18〇度），進行一段時間（例 如3至5分鐘）。藉由進行加熱步驟S13，藥液具有顯影 有機薄膜圖形之功能，在過顯影步驟（步驟S12)中可應 用於基板上，可深度滲透進有機薄膜圖形，使得有機薄膜 圖形收縮或藉由過顯影來移除。

在第一及稍後提及之實施例中，最好進行一次步驟， 在每個步驟S12及S13結束時用水清洗基板，以清洗藥液。 …、y驟S1 3之進行，可移除濕氣、酸性或驗性溶液， /、可月在v驟S12後之清洗步驟時渗透進入有機薄膜圖形 之内部或底部，或者恢復有卿膜圖形及底層薄膜間之黏 滯力Φ gp加熱步驟S13用以後續供烤該有機薄膜圖形。 如上所述，主要步驟用以收縮至少一部份有機薄膜圖 形’包含減少有機薄膜圖形之一體積而不改變有機薄膜圖 形的面積（亦即，至少—部份有機薄膜圖形較薄），以及一 步驟已減少有機薄臈圖形之面積。移除一部份有機薄膜圖

形係伴隨減少有機薄膜圖形之面積。 2134-6913-PF 20 ί3〇〇580 行 第-實施例中之主要步 係為了下述任一目的而進 (A) 藉由減少一有機 圖形至一新圖形。 小之面積，轉換有機薄膜 (B) 藉由移除至少—部 膜圖形至一新圖形，用以 有機缚膜圖形，轉換有機薄 數部分。 一部份有機薄膜圖形成為複 (C )將有機薄膜圖形作 可在上述步驟⑴及（β)之1幕，钱刻-下方薄模， 驟（步驟S12)之前，用以=之後’在進行過顯影步 _之區域，在i刻步驟中自—的(c步驟，)，所 及S13之後進行。 被蝕到的區域於步驟S12 (D)猎由進行上述步騾（c)，位於 下方之底層薄膜（例如，_Α 、有為屬膜圖形之 細或階梯之形狀。 4之-表面)，係形成逐新變 處理下方薄膜以形成階梯之形狀 溥膜（例如，一導雷、蓳胺1々止 千烛刻下方 圖形作為一夏蓋 ）之步称，利用過顯影有機薄媒

Al 、幕。此步驟可使下方薄膜具有-階梯形狀之 ’面，用以避免此剖面垂直站立或呈現倒尖角形狀。 (E)位於有機薄膜圖形下方之底層薄膜具有—多芦於 構時，任兩層或多層下方薄膜係藉由進行上述步驟（^ 了 蝕刻成不同圖形。 J ’ ㈣y丄上述步驟（a)及（b)之例子，假使有機薄膜圖 ’迅性絕緣材料所組成，於過顯影步驟（步驟S12) 2134-6913-PF 21 1300580 之前蝕刻基板，有機 作為-輕絕緣·、、圖形係變形，使得有機薄膜圖形 (G)杏一、只覆蓋一電路圖形。 度，上述步驟（A;有機薄膜圖形具有至少兩部分有不同厚 行，係選擇性移除只步驟(C)“F)之進 、具有較小厚度之一部分。 i u)收縮或變蔆石 實移除至少一邱伶古L ^ 一部份有機薄膜圖形，因此可確 "卩伤有機薄膜圖形。 ° 、藉由進行步驟（η) 少一 形，直至下方薄膜出現。 …編圖 又在筻溥過程尹只有一有 分可穩定移除。 丨度，可確保此部 〆驟（I)與步驟（G)相同，若步 方薄膜。 進灯至下 二考第7圖，上述步驟（G )之例子將於下述解釋。 弟7圖係依據本發明之第一實施例，處理一基板方法 之乂驟/巩程圖’當-初始有機薄膜圖形具有至少兩部分有 不同厚度，選擇性移除只具有較小厚度之一部分。 第 7(a — 2)、7(b-2)、7(c—2)及 7(d —2)圖係平面圖。第 7(a 1)、7(b-1)、7(c-1)及 7(d-1)圖係分別為第 7(a — 2)、 7(b-2)、7(c_2)及 7(d-2)圖之剖面圖。 如第7(a-1)及7(a-2)所繪，例如，一閘極電極6〇2具 有一既定形狀，係形成於一電性絕緣基板6〇1上。然後， 一閘極絕緣薄膜603形成於基板601上，覆蓋閘極電極 2134-6913-PP 22 1300580 6 〇 2。然後，一非晶矽層6 〇 4 、、$ & /、4 * Ν非晶石夕層β 〇 5、以及 源極=層議，係料形成於閑極絕緣薄膜_上 6〇7m如弟7(b_1)及7(b~2)料，一有機薄膜圖形 607形成於源極/汲極層 bUb上（步驟SOI至S03)。然後， 源極/汲極層606、N+非晶矽芦 ^ 7贗605、以及非晶矽層604,係 耩由有機薄膜圖形607作為一 罩幕（步驟S04)進行钱刻。 因此’閘極絕緣薄膜6〇3出 # ^ 現在不党有機薄膜圖形607覆 蓋之區域。 —形成之有機薄膜圖形607具有一薄部分嶋，部分覆 盍閘極絕緣薄膜6〇3。有機 、 兩機，專膜圖形607具有兩個厚度， 或一厚度差之形成蕪出Γ^八 ώ 成精由Q分—小體積至暴露之薄部分 ^自一異於暴露之薄部分607a之部分。 …然後’進行加熱步驟（步驟s〇〇)，以加熱基板6〇ι及 形成於基板601上之各層。 ，然後，進行預備步驟（步驟S11塗佈藥液至有機薄膜 圖形）及主要步驟（步驟S12顯影該有機薄膜圖形），以及 步驟S13加執該右趟蒲赠㈤ 古趟… 暴露至一光源以形成初始 有機薄膜圖形6〇7,維持在有機薄膜圖形607上。因此， 藉由進行主要步驟（步驟沿及步驟即，只 圖形607之薄部分fin7 y 寻膜 ^刀6〇7a係選擇性移除，如第7(c —】）及 7(二2)所1f °㈣’有機薄膜圖$ 6G7係分離成複數部分 (第7圖中之兩部分）。 刀 然後，源極Λ及極層6〇6及N+非晶石夕層6〇5，係 機薄膜圖$ 607作為—罩幕進行截刻，因此，出現非晶石夕

2134-6913-PF 23 1300580 層604，然後移除有機薄膜圖形6〇7。 當形成有爲薄膜圖形6 〇 7具有不同厚度之部分時，可 處理有機薄膜圖形607至一新圖开”藉由移除較二之有機 薄膜圖形607部分。特別的是’有機薄膜圖形607可藉由 處理至一新圖形，分離有機薄膜圖形6(ί7成複數部分（例 如’第7(c-2)圖所繪之兩部分）。 當位於有機薄膜圖形607下方之底層薄膜包含多層 時，係藉由有機薄膜圖形6〇7作為一罩幕進行蝕刻，於上 馨述步驟S11、S12及S13之前或之後，以區分在蝕刻步驟（步 驟S04 )中之儀刻區域，係於過顯影步驟（步驟si 2 )之前 進行，於步驟S12及S13之後進行蝕刻步驟。因此，可蝕 • 刻一第一層（例如，非晶矽層604 )及一第二層（例如， 源極/沒極層606及N+非晶矽層605 )介於多層底層薄膜之 間’以具有不同之圖形。 下述係解釋一裝置用以處理一基板，使用第一實施例 所述之方法。 鲁 一裝置用以處理-基板，使用第-實施例所述之方 法’係包含裝置100或200含有第二處理單元18、第四處 理單兀20、以及第五處理單元21如處理單元U1炱ϋ9或 U1 至 U7 〇 在裝置1〇〇中，第五處理單元21、第四處裡單元20 及第二處理單元18係任意配置。第二處理單元18使用在 加熱步驟（步驟S00)及加熱（溫度控制）步驟（步驟S13)。 另一方面，在裝置200中，No· 1第二處理單元18、

2134-6913-PF 24 1300580 第五處理單元21、第四處理單元2〇及N〇. 2第二處理單 it 1 ^ ^ M ^ u ^ 3 ® ^ n- ^ n： ^ A ^ itj 〇 [5] 樣的，處理單元必須以—既定次序配置在裝置200中，以 下述之方法。 加熱—有機薄膜圖形之步驟如可被忽略，在此情況 下:不再需要裝置100或2〇〇包含N〇 2第二處理單元18。 在A 11圖中’插人式失住之步驟可被,t、略，類似步驟 S13 〇此外’連結於插入式 σ ^ 犬任之步驟之一處理早兀可被忽 略0 即使如果一相同步驟之吝4 夕-人進行（例如，即使如果步 驟S13進行兩次），裝置1〇 ^ ^ ^ 匕_ 匕3 一早一處理皁兀以進行此 步驟。另一方面，裝置 、須包含相同處理單元之數目 相同於其所進行之數目。 ^ ^ 0ΠΛ 椚如，如果步驟S13進行兩次， 裝置200必須包含兩個第二 理早兀18。下述之方法亦同。 根據第一實施例，藉由推<一 由進仃加熱步驟（步驟S00)，可 移除/"、、氧 '酸性或鹼性溶液，Α 浃读％ ^ /、在加熱步驟之前（步驟S00 ) /多透遠入有機薄膜圖形之内 带及Τ 士雙 飞底4 ’或恢復有機薄膜圖 形及下方薄膜間之黏滯力，如 M m mm , 果，、黏滯力降低。因此，有 機潯膜圖形可在進行第二次 幾乎且古店十 過顯影時（步驟S12)， 戍于具有原來之光感應力及其他 之穩定處理或再處理。 質。確保有機薄膜圖形 根據第一實施例之方法，因 以移除开彡& # ⑽第一久進行預備步驟用 杉除开4於有機薄膜圖形表面 然後，進杆ΐ I牛驟I層或沈積層，以及 硬仃主要步驟以收縮至少一 p知有機薄膜圖形，或 2134^6913-pp 25 1300580 移除一部份f機薄膜_，因此，可順利進行主要步驟； ” p p使藥液具有―功能，顯影有機薄膜圖形以穿透有 機薄膜圖形，以《 a θ 乂及均勻顯影該有機薄膜圖形。 【第二實施例】 第8圖係依據本發明之第二實施例，處理一基板方法 之步驟流程圖。 如第8圖所繪，依據本發明之第二實施例，包含：加 …、基板之加熱步驟（步驟S00)、灰化一有機薄膜圖形之 乂驟（乂，驟S21) #為一預備步驟、以及顯影步驟（步驟 S12)及加熱（溫度控制）步驟（步驟si3)作為主要步驟。 亦即’依據第二實施例之方法，不同於依據第一實施 例之方法，預備步驟係包含灰化步驟（步驟s2i)，以及除 了灰化步㈣S21)之相同於依據第—實施例之方法。 依據第一實知例之方法，灰化步驟（步驟奶）應用 於-有機薄膜圖形，以移除形成於有機薄膜圖形表面之一 改變層或沈積層。 灰化步驟（步驟S21)係於第六處理單元22中進行。 如同灰化步驟，可進行乾式步驟，例如在氧或氧/氣環 境下應用電衆至-有機薄膜圖形，應用具有短波長例如紫 外光之光源之光學能量至-有機薄膜圖形，或應用臭氧， 亦即光學能量或熱能至有機薄臈圖形。 最好設定一段時間以進行灰化步驟（步驟s2〇,使得 僅有改變層或沈積層被移除。 移除改變層或沈積層之結果，呈現有機薄膜圖形之非 2134-6913-PF 26 1300580 改變部分，或g 似於上.述第，實^。沈積層所覆蓋之有機薄膜圖形，類 使藥功(==:為_步驟所提供之益處， 驟中穩定穿逯該有機、有：涛臈圖形’可在後續步 〇12), „ 44版圖开> ’亦即’過顯影步驟（步驟 及，係量化過顯影及可增加效率。 鼢後，步驟如同第一實施例，因此不再詳述。 二實施例之方法所提供之益處，如同依據第- 實施例之方法。 v 两次化步驟（步 ，、/ … 〜上y 馬巾王一啕機薄腔 圖形作為一預備步驟， 、 外 J移除一改變層或一沈積層，其$ 該層係固定住，因& m从 、 因此，僅於過顯影（步驟S12)中難以移 除該層。 【第三實施例】 第9圖係依據本發明之第三實施例，處理一基板方法 之步驟流程圖。

如第9圖所繪，依據本發明之第三實施例，包含：加 …、土板之加熱步驟（步驟SO0 )、灰化一有機薄膜圖形之 γ驟（步冑S21 )及塗佈藥液至該有機薄膜圖形作為一預 備γ驟以及顯衫步驟（步驟s j 2 )及加熱（溫度控制） 步驟（步驟S13)作為主要步驟。 亦即，依據第三實施例之方法，不同於依據第一實施 例之方法，預備步驟係包含灰化步驟（步驟S21)及藥液 塗佈步驟（步驟sii)，以及除了灰化步驟（步驟S2/)、及

2134-6913-PF 27 l3〇〇58〇 藥液塗佈步驟（步驟 法0 S11)之相同於依據第 一實施例之方 在广實施例中，預備步驟係包含—渴式步驟（步驟 驟（牛驟：方面’第三實施例之預備步驟’係包含灰化步 沈)及濕式步驟(步驟su)，因此，改變層或 之表面係藉由乾式步驟移除，亦即，灰化步驟（步

移其餘改變層或沈積層之表面係藉由濕式步驟 牙、亦即’樂液塗佈步驟（步驟S11 )。 b依據第三實施例之方法所提供之益處，如同依據第一 Ά施例之方法。 甚者，即使如果在藥液塗佈步驟（步驟S11)中難以 移除改變層或沈積層，可於藥液塗佈步驟（步驟s⑴前 進行灰化步驟（步驟S21)來移除。 預傷步驟中之灰化步驟（步驟S21)係用以移除改變 層或沈積層之表面。因此，可設較第二實施例進行灰 =步驟之更短時間以進行灰化步驟（步驟S21)，確保底層 較不受灰化作用而破壞。 在第三實施例寸步驟S11所使用之藥液，可使用比第 一實施例中步驟su所使用之藥液’滲透有機薄膜圖形較 為幸二微之某液或者藥液縮短進行第三實施例步驟S11之 時間。 如第9圖所示，在第二實施例中，於灰化步驟（步驟 S21)前立即進行加熱步驟（步騾s〇〇)。然而，不限定其 加熱步驟（步驟S00)之次序。 2134-6913-PF 28 1300580 第0圖所不，例如，加熱步驟（步驟soo)可於灰 化/驟（V驟如过藥液塗佈步驟^驟⑴以間進行； 加熱步驟（步驟S f) m γ / )灰化步驟（步驟S21)及藥液塗佈 步驟（步驟S 1 1 )之方法^ J4- lU u 去，依此二人序進行，提供第三實施 例之相同益處。 【第四實施例】 第®至第1 3圖，係依據本發明之第四實施例，處 理一基板方法之步驟流程圖。， 在第11圖及第13圖中，進行步驟S〇r至S03,以形 成-初始有機薄膜於—基板上，以及進行步驟sq4以蚀刻 一有機薄膜圖形。 如第11圖至第13圖所繪，依據第四實施例之方法， 額外包含暴露一有機薄膜圖形至一光源之步驟（步驟 S41 ),於第一至第三實施例之方法前進行。 帛U(a) U⑴及U(C)圖所输，暴露-有機薄膜 回形至-光源之步驟（步驟S41)’可於加熱步驟（步驟则 及，備步驟之間進行。亦可選擇地，如第11(d)圖所繪， 暴路一有機薄膜圖形至一光源 尤原之步驟（步驟S41)，可於預 乂驟中進行，特別的是，在灰化 隹又化步驟（步驟S21)及藥 嶋步驟（步驟S11)之間進行。亦可選擇地，如第 =小12⑻及12(c)圖所緣，暴露—有機薄膜圖形至一 光源之步驟（步驟S41 )，可於加埶牛騵 、加熱步驟（步驟S00)之前 進仃。亦可選擇地，如第13() I; 13(b)及13(c)圖所繪， 暴路-有機薄膜圖形至一光源之步驟（步驟s4i)，可於預 2134-6913-pp 1300580 備步驟之後立即進行。 當藉由微影1.程形成一初始有機薄膜圖形時，晨雨一 有機薄膜圖形至—光源兩次；以及當藉由印刷製程：：一 初始有機溥膜圖形時，在㈣S41中暴露一有 至一光源一次。 在暴露一有機薄膜圖形至一光源之步驟（步驟s4i) 中，一有機薄膜圖形覆蓋至少一部分基板暴露至一光源。

例如，-有機薄臈圖形完全覆蓋一基板，或覆蓋一基板相 同或大於全部基板面積之1/1〇，暴露至一光源。暴露一有 機薄膜圖形至-光源之步驟（步驟S41)，係於第一處理單 元17中進行。在第—處理單元I?中，一有機薄膜圖形可 人疋王暴路至一光源，或一點光源可掃瞄一有機薄膜圖 形之既定區域；例如，一有機薄膜圖形暴露至紫外光、 螢光或自然光。 在第四實施例中，在初始暴露至一光源用以形成一有 機薄膜圖形之後，最好將基板維持於不曝光，直至步驟 S41，藉此，可均勻化過顯影步驟（步驟si2)之效應，或 句勻化王邻暴露一有機薄膜圖形至一光源。為了將基板維 持於不曝光，所有步驟須進行管理，或者裝置1〇〇或2〇〇 可設計成具有此功能。 暴硌有機薄膜圖形至一光源之步驟（步驟S41 )，可 以如下述進行。 首先透過一光罩具有一既定之圖形，暴露一有機薄 膜圖形至—c/S , -a· r 先源亦即，定義有機薄膜圖形之一新圖形係

2134-6913-PF 30 1300580 依據有機薄膜圖形在步驟S41中暴露於一光源之面積。在 隨後的過顯影步驟，（步驟S12)中，部分移除有機薄膜圖 形，使得有機薄膜圖形轉換至/新圖形。在初始暴露至一 光源用以形成一有機薄膜圖形之後，必須將基板維持於不 曝光，直至進行步驟S41。 其次，藉由完全暴露一有機薄膜圖形至一光源，更有 效進行過顯影一有機薄膜圖形之步驟S12，在此狀況下， 不須在初始暴露至一光源用以形成一有機薄膜圖形之後， 將基板維持於不曝光，直至進行步驟S41。甚至如果在進 行步驟S41之前（例如，暴露一有機薄膜圖形至紫外光、 螢光或自然光，或在次光源下停留一段長時間），暴露一有 機薄膜圖形至一光源相同程度，藉由進行步驟s4i，可均 勻暴露一基板至一光源。 依據第四實施例之方法，下述說明其例子。 【第四實施例之示例1】

弟U圖之行(a)，係依據本發明之第四實施例之示例 ，處理一基板方法之步驟流程圖。 如第11圖之行（a)所繪，依據第四實施例之示例卜 額外包含暴露一有機薄膜圖形至一光丰 =於加熱步驟(步糊)及藥液塗 之間進行；比較依據第-實施例之方法，如笛二) 太-加«山 広如第6圖所繪。 在不例1中’使用裝置1〇〇或2 17、第五處理單元川结, la第一處理早兀 ^ 2G及第二處理單元 处早70 1至U9或U1至U7。若不忽略加m

2134-6913-PF 31 1300580 4 (步驟S13)，加熱步驟（步驟⑽）及加熱或 i8 ^ 〇 如第12圖之行（a)所繪，暴露一有機薄膜圖形至一光 源之步驟（步驟ς/Μ、 κ 乂哪Ml)，可於加熱步驟（步驟s〇〇)之前進 行。 【第四實施例之示例2】 弟11圖之行（b)’係依據本發明之第四實施例之示例 2，處理一基板方法之步驟流程圖。 鲁 如第11圖之行（b)所繪，依據第四實施例之示例2， 額外包合暴露一有機薄膜圖形至一光源之步驟（步驟 S41 ) ’於加熱步驟（步驟s〇〇)及灰化步驟（步驟s2i)之 ” 間進行，比較依據第二實施例之方法，如第8圖所繪。 在示例2中，使用裝置100或200包含第一處理單元 17、第六處理單元22、第四處理單元2〇及第二處理單元 18，如處理單元耵至U9或w至ϋ7。若不忽略加熱或溫 度控制步驟（步驟S13)，加熱步驟（步驟s〇〇)及加熱或 攀溫度控制步驟（步驟S13)皆在第二處理單元18中進行。 如第12圖之行（b)所繪，暴露一有機薄膜圖形至一光 源之步驟（步驟S41)，·可於加熱步驟（步驟s〇〇)之前進 行。 【第四實施例之示例3】 第11圖之行（c )，係依據本發明之第四實施例之示例 3，處理一基板方法之步驟流程圖。 如第11圖之行（c)所繪’依據第四實施例之示例3，

2134-6913-PF 32 1300580 額外包含暴露一有機薄膜圖形至一光源之步驟（步驟 S41 ) ’於加熱步驟（步驟soq )及灰化步驟（步驟)之 間進行；比較依據第三實施例之方法，如第9圖所繪。 在示例3中，使用裝置1〇〇或2〇〇包含第—處理單元 17、第六處理單元22'第五處理單元21、第四處理單= 20及第二處理單元18，如處理單元旧至卯或〇1至 若不忽略加熱或溫度控制步驟（步驟S13 )，加熱步驟（步 驟soo)及加熱或溫度控制步驟（步驟S13)皆在第二處理 單元18中進行。 如第12圖之行（c)所繪，暴露一有機薄膜圖形至一光 源之步驟（步驟S41)，可於加熱步驟（步驟s〇〇)之前進 行。 【第四實施例之示例4】 第11圖之行（d)，係依據本發明之第四實施例之示例 4 ’處理一基板方法之步驟流程圖。 如第11圖之行（d)所繪，依據第四實施例之示例4，

額外包含暴露一有機薄膜圖形至一光源之步驟（步驟 S41)，於灰化步驟（步驟S2〇及藥液塗佈步驟（步驟sn) 門進行，比較依據苐二實施例之方法，如第9圖所繪。 在示例4中，使用裝置100或2〇〇包含第一處理單元 17、第六處理單元22、 20及第二處理單元18， 【第四實施例之示例5】 第13圖之行（a)， 第五處理單元21、第四處理單元 如處理單元U1至U9或U1至U7。 係依據本發明之第四實施例之示例 2134-6913-PF 33 1300580 5，處理一基板方法之步驟流程圖。 如第13.圖之订.(a)所緣，依據第四實施例之示列 額外包含暴露一有機薄膜圖形至一光源之 + ’ S41)，於藥液塗佈步驟su及過顯影步驟si2之間進一戰 比較依據第-實施例之方法，如第6圖所繪。 仃’ 在示例5中’使用裂置1〇“戈2〇〇包含第— _ 17、 第五處理單元. 早70 处早疋21、弟四處理單元2〇及第二處 _ 18, 如處理單元U1至U9或耵至耵。 70

【弟四實施例之示例6】 第13圖之仃(b)，係依據本發明之第四實施例之 6，處理一基板方法之步驟流程圖。 丁 如第13圖之行(b)所繪，依據第四實施例之示例6， 額外包含暴露一有機薄膜圖形至一光源之步驟（步驟 S41)，於灰化步驟如及過顯影步驟犯之間進行；=較 依據第二實施例之方法，如第8圖所繪。 乂 在不例6中，使用裝置1〇〇或2〇〇包含第一處理單元 17、第’、處理單70 22、第四處理單元20及第二處理單元 18，如處理單元Μ至U9或U1至U7。 【弟四實施例之示例7】 第13 Η之行（c)’係依據本發明之第四實施例之示例 7,處理一基板方法之步驟流程圖。 如第13圖之行（c)所繪，依據第四實施例之示例7， 額外匕έ暴路一有機薄膜圖形至一光源之步驟（步驟 S41) ’於藥液塗佈步驟S11及過顯影步驟sl2之間進行；

2134-6913-PF 34 1300580 比較依據第三實施例之方法，如第9圖所繪。 在示例7中，使用裝置100或200包含第一處理單元 17、第六處理單元、第五處理單元21、第四處理單元20 及第二處理單元18,如處理單元U1至U9或U1至U7。 參考第14圖，依據第四實施例之方法，下述更詳細說 明示例1之内容。 弟 14(a - 2)、14(b - 2)、14(c-2)及 14(d-2)圖係平面 圖。第 14(a-l)、14(b-1)、14(c-1)及 14(d-l)圖係分別為 第 14(a —2)、14(b-2)、14(c - 2)及 14(d-2)圖之剖面圖。 如第14 (a -1)及14 (a - 2 )所繪’例如，一閘極電極6 q 2 具有一既定形狀，係形成於一電性絕緣基板g〇 1上。然後， 一閘極絕緣薄膜603形成於基板601上，覆蓋閘極電極 602。然後，一非晶矽層604、一 晶矽層6〇5、以及一 源極/汲極層606 ’係依序形成於閘極絕緣薄膜6〇3上。 然後，如第⑽])及14(b-2)所緣，一有機薄膜圖形 607形成於源極/汲極層_上。然:後，源極/沒極 N+非晶石夕層60 5、以β韭曰；?；々® 曰 以及非曰曰矽層604’係藉由 607作為一罩篡f半驄ςη/1、、仓叫碍膜圖形 罩幕（步驟S04)進订蝕刻。因此 膜603出現在不受有機薄膜圖形607覆蓋之區域。 初始有機薄膜圖形6〇7具有―勻 _ 所緣之初始有機薄膜圖形6〇7。 〜如第7(b-l)

然後’進行加熱步驟S00、預備 I 步驟S41，以上、_ η , s ^ 王要步驟以及 u p 不例至7(第11至Μ圖）戶卜萬 次序，暴露有機薄膜圖形607至—光源。）所疋義之

2134-6913-PF 35 I3Q0580 ’ 步驟S41暴露有機薄膜圖形6〇7至一光源，係藉由使 用一光罩具有一既定圖形。在隨後過顯影步驟（步驟M2) 中，處理有機薄膜圖形607成一新圖形，如第及 14(c-2)所繪；亦即，有機薄膜圖形6〇7係分離成複數部分 (第12圖中之兩部分）。 然後，源極/汲極層606及N +非晶矽層6〇5，係藉由有 機薄膜圖形607作為一罩幕進行餘刻，因此，出現非晶石夕 層6 0 4 ’然後移除有機薄膜圖形6 〇 7。 • 當位於有機薄膜圖形607下方之底層薄膜包含多層 6 04、605及606時，係藉由有機薄膜圖形6〇7作為一罩幕 進行蝕刻，於加熱步驟、預備步驟（步驟s⑽）、主要步驟、 以及暴路有機薄膜圖形β 〇 7之一光源步驟之前及之後，以 區分在蝕刻步驟（步驟s〇4 )中之蝕刻區域，係於過顯影 步驟（步驟S12)之前進行，於步驟S12及S13之後進行 韻刻步驟。因此，可蝕刻一第一層（例如，非晶矽層604 ) 鲁 及一第二層（例如，源極/汲極層606及N+非晶石夕層605 ) 介於多層底層薄膜之間，以具有不同之圖形。 因此’即使如果初始有機薄膜圖形607具有一均勻厚 度’第7圖所示之步驟之益處，亦可由第14圖所示之步驟 獲得。 爹考第15圖，依據第四實施例之方法，下述更詳細說 明示例2之内容。 第 15(a-2)、i5(b — 2)、15(c-2)及 15(d-2)圖係平面 圖。第 15(a —U、15(b-1)、15(c-1)及 15(d -1)圖係分別為 2134-6913-PF 36 1300580 第！5(a-2)、15(b-2)、15(c-2)及 15(d-2)圖之剖面圖。 如第 15(a-l)及』 具有一既定形狀，係形成於一電性絕緣基板6〇1上。然後， 一閘極絕緣薄膜603形成於基板601上，覆蓋閘極電極 6〇2。一源極/汲極電極8〇1具有一既定形狀，係形成於閘 極、、、巴緣薄膜6 0 3上。一覆蓋薄膜8 〇 2包含電性絕緣材料， 形成於閘極絕緣薄膜6〇3上以覆蓋源極/汲極電極8〇1。 “、;'後如第)及iWb-2)所緣，一初始有機薄膜 圖形607形成於覆蓋薄膜8〇2上。然後，覆蓋薄膜8〇2及 閘極絕緣薄膜603，係藉由有機薄膜圖形6〇7作為一罩幕 進行儀刻。因此，閘極電極602出現在不受有機薄膜圖形 6〇7覆蓋之區域。 初始有機薄膜圖形607具有一均勾厚度，不如第价―" 所綠之初始有機薄膜圖形6 〇 7。 然後，進行加熱步驟S00'預備步驛、主要步驟以及 ”S41’以上述之示例1至7(第11至13圖）所定義之 次序，暴露有機薄膜圖形607至一光源。 步驟S41暴露有機薄膜圖形607至一 用一 # s s 士 先源，係藉由使 中，既定圖形。在隨後過顯影步驟(步驟⑽ 宁處理有機溥膜圖形607成一新圖形，^ & 繪。 v如弟15(c-1)所 =’如第 15(η)及 15(b_2)所綠， 係錯由有機薄臈圖$ 6G7作為—罩幕進行麵刻、 現非晶矽層604，然後移除有機薄膜圖形6〇7。 2134-6913-pf 37 1300580 當位於有機薄膜圖形607下方之底層薄膜包含多層 603及8Q2時’如.上所述’儀藉由有機薄膜圖形6〇7作為 一罩幕進行蝕刻’於加熱步驟、預備步驟（步驟S〇〇)、主

要步驟、以及暴露有機薄膜圖形6〇7之一光源步驟之前及 之後，以區分在蝕刻步驟（步驟s〇4)十之蝕刻區域，係 於過顯影步驟（步驟S12)之前進行，於步驟Sl2及si3 之後進行蝕刻步驟。因&，可蝕刻一第一層（例如，閘極 、、巴峰薄膜6G3 )及-第二層（例如，覆蓋薄膜8Q2)介於多 層底層薄膜之間，以具有不同之圖形。 在银刻閘極電極602上之閘極絕緣薄膜6〇3及覆蓋薄 膜802之後，可避免源極/沒極電極8〇1受破壞，僅蚀刻源 極/汲極電極801上之覆蓋薄膜8〇2。 膜至四實施例之方法’額外包含暴露-有機薄 、至-先源之步驟（步驟S41)’比較依據第一至 例之方法，可處理一右德每 員轭 初始有機薄膜圖形具有一均介 吏如果 m / J与度（亦即，初始有撫璧腊 圖形不具有兩個或複數部分具有相異厚度）。 ，、 時，I::的：即使當不處理—有機薄膜圖形至-新圖形 枯，依據第四實施例之方 口形 一光源之牛驟r π 1外包^暴露一有機薄臈至 光源之步驟（步驟S41)， 、 芏 驟S12 )。 >行過顯影步驟（步 【第五實施例] 第16圖係依據本發明之第 柘方沬夕半顿— 弟五只施例之變化，處理 板方法之步驟流程圖。

2134-6913-PF 1300580 如第16圖所繪，依據第五實施例之方法，包含加熱一 基板之，步驟（步驟別D )、,顧影步驟（步驟S12)、以及Z熱 (溫度控制）步驟（步驟s 13 )。 亦即’依據第五實施例之方法，不同於依據第一實施 例之方法’只有不包含塗佈藥液至_有機薄膜圖形之步驟 (步驟S11 )。 依據第五實施例之方法中，因為不進行預備步驟，不 移除改變層或沈積層；取而代之的是，在過顯影步驟（步 驟S12)之前進行藉由進行加熱步驟（步驟s〇〇)，將可移 除在進行加熱步驟（步驟S00)之前滲透進有機薄膜圖形 内部或底部之濕氣、酸性或鹼性溶液；或者如果黏滯力降 低，將可恢復有機薄膜圖形及底層間之黏滯力。因此，該 有機薄膜圖形將具有原來之光感應性及其他性質，使得有 機薄膜圖形可良好利用或再利用；以及因此，可藉由過顯 影步驟（步驟S12 )穩定收縮或移除有機薄膜圖形。 為了進行依據第五實施例之方法，使用裝置i 〇 〇或2 〇 〇 包含第四處理單元20及第二處理單元18，如處理單元耵 至U9或U1至{J7。若不忽略加熱或溫度控制步驟（步驟 S13)，加熱步驟（步驟s〇〇)及加熱或溫度控制步驟（步 驟S13 )皆在第二處理單元18中進行。 下述說明上述每一實施例中之預備步驟之選擇方法。 弟17圖係依據改變層之形成之原因，緣出改變層改變 之程度。在第17圖中，改變之程度之決定，係依據使用一 濕式步驟剝離一改變層之困難度。 2134-6913-PF 39 !3〇〇58〇 如第17圖所繪，一改變層改變之程度，係高度相關於 屬钱刻中所使用之藥液，或者是乾蝕刻係等向性或非等向 性’或者存在於有機薄膜圖形之沈積物，以及乾蝕刻所使 用之氣體。因此，亦有關於移除之困難性。 塗佈藥液至有機薄膜圖形之步驟（步驟SU ),所使用 之藥液係選擇自酸性溶液、鹼性溶液或只有有機溶劑、或 其混合物。 特別的是，藥液係選擇自鹼金屬水溶液或水溶液含有 至少一胺作為有機溶劑介於重量百分比〇_ 〇5至1〇%之間， 亦包含。 因此，胺係選擇自單乙基胺、雙乙基胺、三乙基胺、 單異丙基胺、雙異丙基胺、三異丙基胺、單丁基胺、雙丁 基胺、三丁基胺、氫氧基胺、雙乙基氫氧基胺、去水雙乙 基氫氧基胺、吡啶、及曱基吡啶等。 若改變層改變之程度相對性低，亦即，若改變層之形 成係由於老化所引起之氧化、酸性蝕刻劑或非等向性氧灰 化，所選之藥液可包含胺於重量百分比0· 05至3%之間。 第18圖係繪出藥液中胺之濃度及一移除速率間之關 係不思圖，與是否改變一有機薄膜圖形有關。 如第18圖所繪，最好之藥液可包含胺於重量百分比 0· 至1· 5%之間，僅移除一改變層，而留下有機薄膜圖形 ,非改變部分；為此㈣，最好選擇自氫氧基胺、雙乙基 氫氧基胺、去水雙乙基氫氧基胺、吡啶、及甲基吡啶等。 為了抗腐蝕，可選擇〇葡萄糖（D—gluc〇se)(C6Hi2〇6)、螯 2134-6913-PF 40 1300580 化物或抗氧化劑。 第18圖所示秦於第17 例子。第18圖所示之曲線變化，係依據改變層之情況，例 曲線之截距可為1_ 5wt%、3. Owt%或10wt°/。，依據截距 所疋義之重量百分比，必須優化胺之濃度。 藉由設定適當之時間間距，進行塗佈藥液至有機薄膜 圖形之步驟（步驟S11 )，如同選擇適當之藥液，可以只有 移除一改變層或沈積層，留下有機薄膜圖形之未改變部 分，或允許一沈積層覆蓋之有機薄膜圖形出現。 塗佈藥液至有機薄膜圖形之步驟（步驟S11 )提供一 盈處’藥液具有一功能可顯影一有機薄膜圖形，類似於在 過顯影步驟（步驟S12)中滲透一有機薄膜圖形，於步驟 Sl!之後進行。 實際上，塗佈上述藥液至一有機薄膜圖形表面，一改 變層破裂，或者移除一部份或全部改變層。因此，可避免 藥液具有一功能，顯影一有機薄膜圖形，防止改變層在過 顯影步驟中滲透有機薄膜圖形。 重要的是，有機薄膜圖形之未改變部分不應被移除， 而應該保留，以及藥液可確實渗透有機薄膜圖形之未改變 部分，藉由只移除改變層或弄碎改變層。必須選擇可使用 之藥液。 第8 ' 9、10圖、第U圖中之行（b)、（c)、（d)、第 12圖中之行（b)、（c)及第ι3圖中之行（b)、（c)所繪之灰 化步驟，係單一進行或與塗佈藥液至/有機薄膜圖形組合 2134-6913-PF 41 1300580 藉改變層或沈積層固定或較厚時’相當難以移除。 I ^ ~ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ -1 ^ m ^ :仃，可解決在只進行塗饰藥液至一有機薄膜圖形步驟 ?移除改變層之問題’或者需要較多時間的問題。

第Π圖係緣出只有一氧灰化步驟或一非等向性電漿 :二改變層的變化，第18圖料出只有_塗佈藥液（水 -液-有氫氧化胺2%)步驟之改變層的變化，以及第Η 圖係繪出依序進行上述灰化步驟及塗㈣ # =化:在第…1圖中，類似第5圖，改變之程= 、疋係有關於在濕式步驟中剥離改變層之困難度。 如第19至21圖輯’可解由進行任何步驟以移除改 ，，I。然而’比較第19圖所繪之氧灰化步驟（等向性電漿 步驟）’ &塗佈藥液（水溶液含有氫氧化胺2%)至-改變 層之步驟’依據改變層之厚度及性質，移除改變層之程度 並不相同。 如第19圖所繪，氧灰化步驟（等向性電漿步驟）有用 於移除沈積之改變層，但可能破壞標的物。因&，如果進 行氧灰化步釋（等向性電漿步驟）於未沈積之改變層，遺 遠改變層不被移除至—較高程度，比起只進行塗佈藥液至 一改變層之步驟（第1 8圖）之改變層程度為高。 如第19圖所繪，另一方面，塗佈藥液（水溶液含有氫 氧化胺2% )至一改變層之步驟，係比起氧灰化步驟用以移 除沈積之變化層，具有較小之效用，纟不破壞標的物。因 此，如果進行塗佈藥液至一改變層之步驟於未沈積之改變 2134-6913-PF 42 1300580 層’遺留改變層而不移除’係比起只用氧灰化步驟來移除 改變層'，具有較高之程度。 如第21圖所繪，因此，為了具備第19圖及第2〇圖之 優點’氧灰化步驟（等向性電漿步驟）及塗佈藥液（水溶 液含有氫氧化胺2%)至-改變層之步驟，係依次進行。可 以理解的是’第21圖所示之方法有效於改變層上具有沈積 物’及改變層上不具有沈積物’可移除改變層而不破壞。 在上述之實施例中’主要步驟係包含過顯影—有機薄 膜圖屯之步驟（步驟S12)及加熱一有機薄膜圖形之步驟 ^步驟S1 3)。主要步驟可包含塗佈—藥液至—有機薄膜圖 =之步驟’其中該藥液不具有顯影—有機薄膜圖形之功 能’但具有溶合該有機薄膜圖形之功能。例如，可藉由稀 釋-分離媒介物而獲得藥液。特別的是，可稀釋一:離媒 介物而獲得藥液，使得該分離媒介物之濃度為m或更小: 最好該分離媒介物具有一濃度相同或高於2%。例如，可藉 由水稀釋一分離媒介物而獲得藥液。曰 在上述之實施例中，一有機薄膜圖形係包含一有機光 感應薄膜。當有機薄膜圖形藉由印刷及主要步驟形成時， 該樂液不具有顯影—有機薄膜圖形之功能，但具有溶合該 有機薄膜圖形之功能’一有機薄膜圖形並非必要包含二 機光感應薄膜。此外，暴露—有機薄膜圖形至光源之步驟 S41，非必要進行。

甚至如果藉由印刷形成一有機薄膜圖形，有機薄膜圖 形可包含-有機光感應薄膜，以及可進行暴露—有機薄膜 2134-6913-PF 43 1300580 圖形至光源之步驟S4卜 形，可完全移除一有機薄膜圖 ^ 依據上述實施例之方法，戋者一卹八 樣可用以剝離或分籬次者邛份同 X刀離一有機薄膜圖形。 特別的是’在第一 示不例中，可藉由進行 長之時間以完全轉 、 預備乂驟於較 示有機薄膜圖形，比實施例巾：fg # 1 驟之時間長（亦即，進杆—“ * 例中預僙步 機薄膜圖形），透、，倭用 "Γ間而不完全移除有 層、以及有機薄膜^之—藥液’具有移除改變層或沈積 -移除改變層=::功 機薄膜圖形，…：在要步驟中完全移除有 又長的日守間間距，比起實施例中 驟的時間長（亦即，推> +亦也 j王要步 進仃主要步驟之時間而不完全移除 機薄膜圖形）。 ’夕陡有 【圖式簡單說明】 第1圖係緣出傳統處理基板方法步驟之流程圖。 弟2圖係綠出處理—ι - .} 以爽理基板，不例之一裝置之平。 第3圖係繪出處理—基 圖。 -例之-裝置之平面 _第4圖係緣出處理—基板所裳載在-裝置内之處理單 疋之不意圖。 第5圖係緣出塗佈藥液至一有機薄膜圖形，示例ι 裝置之剖面圖。 第6圖係依據本發明之第一實施例，處理_基板方法 之步驟流程圖。 44

2134-6913-PF 130.0580 第7圖（a -1 M d - 2 )係依據本發明之第一實施例，處理 一基板方法之步驟流程圖。 第8圖係依據本發明之第二實施例，處理一基板方法 之步驟流程圖。 第9圖係依據本發明之第三實施例，處理一基板方法 之步驟流程圖。 第10圖係依據本發明之第三實施例之變化，處理一基 板方法之步驟流程圖。

第11 H (a)(d)係依據本發明之第四實施例，處理一 基板方法之步驟流程圖。 第12圖（a)〜（c)係依據本發明之第四實施例之變化， 處理一基板方法之步驟流程圖。 第3囷（a) (c)係依據本發明之第四實施例之變化， 處理一基板方法之步驟流程圖。 第4圖（a 1)〜（d—2)係依據本發明之第四實施例，處 理一基板方法中第_例之步驟流程圖。 第5圖（a 1)〜（c — 2)係依據本發明之第四實施例，處 理-基板方法中第二例之步驟流程圖。 第1 6圖係依據本發明之第五實施例之變化，處理一基 板方法之步驟流程圖。 第1 7圖係依據改變層之形成之原因，繪出改變層改變 之程度。 第18圖係繪出藥液中胺之濃度及一移除速率間之關 係示意圖。 2134-6913-pp 45 1300580 • 第1 9圖係繪出只進行灰化步驟，一改變層之改變。 第20圖係繪出只進行塗佈藥液步驟，一改變層之改 變〇 第21圖係繪出依次進行灰化步驟及塗佈藥液步驟，一 改變層之改變。 【主要元件符號說明】 裝置〜100、200 第一卡式站台〜1、13 • 第二卡式站台〜2、16 處理單元配置區域〜3、4、5、6、7、8、9、10、11 自動控制裝置〜12、14、15 . 控制器〜24 第一處理單元〜17 第二處理單元〜18 第三處理單元〜19 第四處理單元〜20 籲 第五處理單元〜21 第六處理單元〜22 藥液槽〜301 腔體〜3 0 2 可移動式喷嘴〜303 階梯〜304 抽取出口〜3 0 5 基板〜500 2134-6913-PF 46 1300580 電性絕緣基板〜601 閘極電極〜602 閘極絕緣薄膜〜603 非晶矽層〜604 N+非晶矽層〜605 源極/汲極層〜606 有機薄膜圖形〜607 薄部分〜607a 源極/沒極電極〜8 01 覆蓋薄膜〜802

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Claims (1)

1. 修正日期：97.6.26

   13 0(^c8fl07697號嘯專利範賺正本 十、申請專利範圍： 種在基板上形成有機薄膜圖形的處理方法，依序 包含： 一預備步驟，移除至少一形成於該有機薄膜圖形表面 的改變層或沈積層；以及 一主要步驟，收縮至少一部份該有機薄膜圖形或移除 一部份該有機薄膜圖形。 2.如申請專利範圍第1項所述的方法，其中該改變層 或沈積層係於該預備步驟中移除。 3 · —種在基板上形成有機薄膜圖形的處理方法，包括 ^ 一預備步驟，移除一形成於該有機薄膜圖形表面的改 變層’使該有機薄膜圖形之一非改變區域曝露，以及 一主要步驟，收縮該有機薄膜圖形的至少一部份，或 移除該有機薄膜圖形的一部份。 5 七如申請專利範圍第1至3項中任―項所述的方法， /、中藉由老化、熱氧化及熱硬化所形成之該有機薄膜圖形 之表面，係至少一種變質以產生該改變層。 / ^如申請專利範圍第i至3項中卜項所述的方法， -中”亥改菱層係藉由使用濕姓刻冑，對於該有機圖 進行濕蝕刻而產生。 联圖形 6.如巾請專利範圍第1至3項中任—項所述的方， :中该改變層係藉由對於該有機薄膜圖形進行乾 化而產生。 々虱夜 •士申明專利範圍第1至3項中任一項所述的方法， 2134-6913-PF2 48 1300580 "97：6T26^ 1 年/·1日修(旬止替换頁 其中該改變層係藉由乾蝕刻該有機薄膜圖形，以形成沈積 而產生。 8· —種在基板上形成有機薄膜圖形的處理方法，包括 一預備步驟，移除至少一形成於該有機薄膜圖形表面 的沈積層使該有機薄膜圖形曝露，以及 一主要步驟，收縮該有機薄膜獨形的至少一部份，或 移除該有機薄膜圖形的一部份。 9·如申請專利範圍第1、2或8項中任一項所述的方 法，其中該沈積層係藉由乾蝕刻該有機薄膜圖形而形成。 1〇·如申請專利範圍第1至3及8項中任一項所述的方 法，其中該有機薄膜圖形係藉由印刷所形成。 11 ·如申请專利範圍第1至3及8項中任一項所述的方 法，其中該有機薄膜圖形係藉由微影製程所形成。 12·如申請專利範圍第丨至3及8項中任一項所述的方 法，其中該主要步驟係包含使用具有顯影該有機薄膜圖形 功能之一藥劑，以顯影該有機薄膜圖形之一步驟。 1 3 ·如申明專利範圍第12項所述的方法，其中該藥劑 係包含鹼金屬水溶液，具有ΤΜΑΗ、或無機鹼金屬水溶液。 14 ·如申印專利範圍第13項所述的方法，其中該無機 鹼金屬水溶液係選擇自氫氧化鈉（Na〇H )及氫氧化鈣 (CaOH) 〇 15·如申請專利範圍第丨至3及8項中任一項所述的方 法，其中該主要步驟係包含進行該有機薄膜圖形之第κ次 顯影步驟，其中該Κ係一整數大於或等於2。 2134-6913-PF2 49 1300580 16·如申請專利範圍第工至 〜、一―一〜一 法，其中該主要步驟係包含塗佈=令任一項所述的方 步驟，該藥液不具有顯影該有 該有機薄膜圖形之 熔合該有機薄膜圖形之功能。 ^ 17. 如申請專利範圍第16 " 貝所迷的方法，其中該筚液 係包含一稀薄分離劑。 ’、 18. 如申請專利範圍第1 ^ ^ 芏d及8項中任一項所述的方 法，其中該主要步驟係包含分 數部分之步驟。 有機薄膜圖形至複 19.如申請專利範圍第1至3及8項中任—項所述的方 ^更包含圖形化該有機薄膜圖形之一下方薄膜，然而該 有機薄膜圖形並不作為一罩幕。 2〇.如申請專利範圍第項中任一項所述的方 法，其中該主要步驟係包含使該有機薄膜圖形變形之步 驟，使該有機薄膜圖形成為一電性絕緣薄膜，覆蓋一形成 於基板上之電路圖形。 、21.如申請專利範圍第！至3及8項中任一項所述的方 法’更包含圖形化該有機薄膜圖形之—下方薄膜，該有機 溥膜圖形係作為一罩幕。 22·如申請專利範圍第19項所述的方法，其中圖形化 该下方薄膜係形成逐漸變細或階梯之形狀。 23·如申請專利範圍第19項所述的方法，其中該下方 溥膜係包含多層薄膜，以及至少一該薄膜係經由圖形化而 具有與其他層薄膜不同之圖形。 2134-6913-PF2 50 ---- 年月曰修(更)正聲換頁 法 形 法 24·如申請專利範圍第j — 甘占 , d及8項中任—項所述的古 其中至少—部份該預備步貞所达的方 驟係包含灰化該有機薄膜圖 25.如申請專利範圍第1 其甲至少-部份該預備項中任—項所述的方 薄膜圖形。 V驟係包含塗佈藥液至該有機 26·如申請專利範圍第丨至 法，复巾$ /1、 項中任一項所述的方 ，、肀至少一部份該預備 刀 薄膜圖开,^ ^ 驟係包含塗佈藥液至該有機 膜圖形，及灰化該有機薄膜圖形。 機 27.如申請專利範圍第j至 法，1中方於兮士μ 員中任一項所述的方 ”中灰化该有機薄膜圖形及 形係依次進行。 *糸液至該有機溥膜圖 2 8.如申請專利範圍第」至3及8項中任 法’其中該預傷步驟係全部塗料 、、、方 〇π 土佈条液至该有機薄膜圖形。 29·如申請專利範圍第 半甘“ 祀固弟丄至3及8項中任一項所述的方 h 1 哪係王邛灰化該有機薄膜圖形，以及依 -人塗佈藥液及灰化該有機薄膜圖形。 • 士中°月專利⑱圍第25項所述的方法，其中該藥液 係至少含有酸性藥劑。 〃 .如申請專利範圍第25項所述的方法，其中該藥液 係至少含有有機溶劑。 32. 如申請專利範圍第25項所述的方法，其中該藥液 係至少含有驗性藥劑。 33. 如申請專利範圍第31項所述的方法，其中該有機 2134-6913-PF2 51 Hi邛mo止替換頁 1300580 溶劑係至少包含胺。 34. 如申請專利範圍第25項所述的方法，其中該藥液 係至少含有有機藥劑及胺。 35. 如申請專利範圍第32項所述的方法，其中該鹼性 藥劑係至少含有胺及水。 3 6 ·如申請專利範圍第2 5項所述的方法，其中該藥液 係至少含有鹼性藥劑及胺。 37.如申請專利範圍第33項所述的方法，其中該胺係 選擇自單乙基胺、雙乙基胺、三乙基胺、單異丙基胺、雙 異丙基胺、三異丙基胺、單丁基胺、雙丁基胺、三丁基胺、 氫氧基胺、雙乙基氫氧基胺、去水雙乙基氫氧基胺、吡啶、 及甲基吡啶等。 38.如申請專利範圍第33項所述的方法，其中該藥液 含有該胺係介於重量百分比〇. 〇1至10%之罚，亦包含。 39·如申請專利範圍第33項所述的方法，其中該藥液 含有該胺係介於重量百分比〇〇5至3%之間，亦包含。 4〇·如申請專利範圍第33項所述的方法，其中該藥液 含有該胺係介於重量百分比0· 05至1.5%之間，亦包含。 41·如申請專利範圍第25項所述的方法，其中該藥液 含有抗腐钱劑。

   J員+彳壬一項所述的方

   法’更包含暴露該有機薄膜圖形至光線下之步驟，該步驟 係於該預備步驟之前進行。 43·如申請專利範圍第1至3及8項令任一項所述的方 2134-69l3~pp2 52 13〇〇58〇 Λ W一 係於_ if二路5亥有機薄膜圖形至光線下之步驟，該步驟 、^預備步驟中進行。 法，4Λ如申請專利範圍第1至3及8項中任一項所述的方 係㈣匕含暴露該有機薄膜圖形至光線下之步驟，該步驟 ”〜預備步驟及該主要步驟之間進行。 有如巾請專利範圍第42項所述的方法，其中暴露該 w ^ 先線底下之步驟，係暴露有關於該基板一 既定區域之區域。 1如中W專利範圍第45項所述的方法，其中暴露該 承：薄膜圖形至光線底下之步驟，係藉由照射一光線完全 设蓋該區域’或藉由使用-點光源掃0¾該區域。 47.如申請專利範圍第45項所述的方法，其中該既定 區域係具有一面積相等或大於該基板一面積之1/1〇。 ^ 48.如申請專利範圍第45項所述的方法，其中該有機 薄膜圖形之一新圖形，係藉由進行該曝光步驟之一區域所 決定。 49·如申請專利範圍第48項所述的方法，其中進行該 曝光步驟之一區域之決定，係分離該有機薄膜圖形至複數 部分。 50·如申請專利範圍第45項所述的方法，其中該有機 /專膜圖形係暴露於至少一紫外線、螢光、及自然光。 51·如申請專利範圍第24項所述的方法，其中該灰化 步驟係包含使用至少一電漿、臭氧及紫外線，蝕刻形成於 該基板上之一薄膜。 2134-6913-PF2 53 1300580 —97·[26 年月日修(C)正替換頁 52·如申睛專利範圍第1至3及8項中任一項所述的方 法’其中最〒刀形成於該基板上之該有機薄膜圖形具有至少 雨部分，其具有不同之厚度。 53·如申請專利範圍第1至3及8項中任一項所述的方 杰^中最初形成於該基板上之該有機薄膜圖形具有至少 雨七刀，其具有不同之厚度，以及談主要步驟更選擇性變 薄一邛伤，使其具有一較小之厚度。 54·如申請專利範圍第1至3及8項中任-項所述的方 法，其中最初形成於該基板上之該有機薄膜圖形具有至少 雨邰刀其具有不同之厚度，以及該主要步驟係選擇性移 除具有一較小厚度之一部份。 55·如申請專利範圍第1至3及8項中任-項所述的方 法’其中該有機薄膜圖形係維持不暴露於光源，直至進行 該加熱步驟。 6· —種在基板上形成有機薄膜圖形的處理方法，包括 ▲預備步驟，移除至少—形成於該有機薄膜圖形表面 的改變層或沈積層，以及 一主要步驟，收縮該有機薄膜圖形的至少—部份，或 移除該有機薄膜圖形的一部份， < 其中該預備步驟以一藥劑$成，豸藥劑不只具有移除 改變層或沈積層的功能’也具有移除該有機薄膜圖形= 能，且該預備步驟的處理時間大於會殘存 ㈢％什成有機薄膜圖形 的處理時間’以完全移除該有機薄膜圖形。 5 7. —種在基板上形成有機薄膜圖形的處理方法，包括 2134-6913-PF2 54 1300580 FPU·替聽 一預備步驟，移除至少_ 一 〜 的改變層或沈積層，以及 於該有機帛膜圖形表面 一主要步驟，收縮該有機 移除該有機薄膜圖形的—部份，"形的至少—部份，或 其中該主要步驟的處理睡 形的處理時間，以完全移除令有=會殘存該有機薄膜圖 亥有機溥膜圖形。 58·如申請專利範圍第56或 法，在該主t ^ , 員中任一項所述的方 一部份。 移除該有機薄膜圖形之至少 59.如申諝專利範圍第56 法 法 劑 法 ± φ ^ ^ A 57項中任一項所述的方 其中該預備步驟及主要步驟 邱忧用不同的藥劑0 6〇·如申請專利範圍第56或 ^ A 5 7項中任一項所述的方 要步驟包括使用—分離液、-顯影劑及一藥 且該樂劑具有顯影該有機薄膜圖形之功能。 61.如申請專利範圍第56 . .,Λ ^ 57項中任—項所述的方 功^中f主要步驟係包含使用具有顯影該有機薄膜圖形 力月b之―㈣，以卿該有__形之-步驟。 62·如申請專利範圍第μ頊 1項所述的方法，其中該藥劑 係包含鹼金屬水溶液，具有ΤΜΑίί . . ik 啕1MAH、或無機鹼金屬水溶液。 63·如申請專利範圍第62 j苜张、+、AA +、丄 項所述的方法，其中該無機 驗金屬水溶液係選擇自氫梟 L虱化鈉（Na〇H )及氫氧化鈣 (CaOH)〇 ^ 、64.如申請專利範圍第56或57項中任—項所述的方 法’其牛該主要步驟係包含進行該有機薄媒圖形之第1次 2134-6913-PF2 55 13〇〇580 顯影步驟，其中該k為—大於或等於2的整數。、 法，二專利範圍第56或57項中任-項所述的方 步驟:、該二包含塗佈藥液至該有機薄膜圖形之 熔合該有機薄膜圖形之功能。仁具有 66·如申睛專利範圍第65項所述的方法，其中該 係包含一稀薄分離劑。 ^ 7’如申明專利範圍第56或57項中任一項所述的 \其中藉由老化、熱氧化及熱硬化所形成之該有機薄膜 圖形之表面，係至少一種變質以產生該改變層。 、、68.如申請專利範圍第56或57項中任一項所述的方 八中Α改變層係藉由使用濕蝕刻劑，對於該有機 圖形進行濕蝕刻而產生。 、 、69·如申請專利範圍第56或叮項中任一項所述的方 法，其中该改變層係藉由對於該有機薄膜圖形進行乾蝕刻 或灰化而產生。 70.如申請專利範圍第56或57項中任一項所述的方 去八中11亥改變層係藉由乾鍅刻該有機薄膜圖形，以形成 沈積而產生。 71.如申請專利範圍第56或57項中任一項所述的方 法’其中該沈積層係藉由乾蝕刻該有機薄膜圖形而形成。 72·如申請專利範圍第56或57項中任一項所述的方 法’其中該有機薄膜圖形係藉由印刷所形成。 73·如申請專利範圍第56或57項中任一項所述的方 2134-6913-PF2 56 (3^ 1300580 法，其中該有機薄膜圖形係藉由微影製程所形成、 半 申明專利範園第56或57項中任一項所述的方 法，在該預備步驟中刹田 — m, ^ ^ 巧用一樂劑僅移除該改變層或或沈積 增，其中該藥劑且右夕 圖形的功能’。〜移除該改變層或沈積層及該有機薄膜 法，.兮申明專利範圍第56或57項中任一項所述的方 去，在該預備步驟中 有機壌贈闽/ 以一具有移除該改變層或沈積層及 啕钺4 Μ圖形功能 收縮或移除兮古劑僅移除該改變層或或沈積層，且 多除該有機薄膜圖形之至少一部份。 2134-6913-PF2 57