TWI297725B - Non-corrosive cleaning compositions for pemoving etch residues - Google Patents
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^297725 玖、發明說明 (發明說明應欽明:發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明) 相關申請 本申請案請求於2002年4月25日申請之第60/375,613號 臨時專利申請案的優先權。 5 【發明所屬之技術領域】 發明領域 本發明是有關適用於微機電製造之一種新穎的清潔組 成物。更特別地,本發明係關於適用移除電漿蝕刻殘餘物 之一非腐蝕性清潔組成物,該電漿蝕刻殘餘物於設置在基 1〇板上之金屬層或介電金屬層之電漿蝕刻後,形成在矽晶圓 基板上。 【先前技3 先前技術之簡單說明 在積體電路之製造中,光阻蝕劑被使用作為一媒介光 15罩,藉由曝光顯影技術之一系列方法與電漿蝕刻步驟傳導 光罩之原先光罩模至矽晶圓基板上。積體電路製造程序 最後步驟之其中一個步驟為自基板移除該有圖案的光阻蝕 劑薄膜。一般而言,此步驟被兩方法中之一方法而影響著。 -方法包含-濕式剝離步驟,其中覆蓋基板之光阻蝕 劑被帶至與-光阻钱剝離溶劑接觸,該溶劑由—有機溶劑 與一胺所組成。然而,剝離溶劑無法完全地與確實地移1 該光阻餘劑膜,尤其如果光阻姓劑膜在製造期間已接觸 uv轄射與電㈣理。有些光阻㈣丨膜藉此處理成為被高 度地交又結合著。此外,用於這些常見濕式剝離方法之化 1297725 玖、發明說明 學藥劑有時對於移除離子的或有機金屬的殘餘物質是無作 用的,该殘餘物質形成於金屬的或氧化物層與具有_素氣 體之電漿蝕刻期間。 為了在習知電漿灰化步驟中自基板表面燃燒該殘餘物 5 ,另一擇移除光阻蝕劑膜之方法包含暴露一被光阻蝕劑覆 蓋之矽晶圓至具有氧之電漿中。然而,電漿灰化亦無法有 效地移除上述電漿蝕刻之副產物。反之這些電漿蝕刻副產 物之移除必須藉由接續地暴露該舊的金屬與介電膜至特定 清潔組成物。 10 在典型的程序中,一抗反射外層如DUV SO^Brewer
Science)係被旋轉覆蓋至一波紋薄膜堆接著被烘烤。一光 阻蝕劑膜接續被使用,以旋轉覆蓋至該抗反射外層之頂部 ,再前暴露烘烤的方式。該光阻蝕劑被圖樣式地暴露著, 係藉由紫外線輻射、後暴露烘烤,再顯影於一稀釋水狀鹼 15性顯影劑中,接續以去離子水沖洗與旋乾。該顯影圖樣接 續以反應的離子蝕刻被轉移至該基板層堆之較低層。光阻 蝕劑與殘餘的抗反射外層藉由電漿灰化技術被移除。不想 要的殘餘物在電漿灰化步驟後餘留在基板上。 金屬基板通常易受腐蝕。例如,基板如鋁、銅、鋁-20銅合金、氮化鎢與其他物質與金屬氮化物利用常見清潔化 學劑容易腐蝕。此乃因常見清潔溶液之高鹼性。 因此仍需要一用以自基板移除電漿蝕刻殘餘物之新型 清潔組成物。此外,仍需要一不會傷害基板之一清潔組成 物。此外,仍需要一水態、無毒且不會傷害環境之清潔組 1297725 玖、發明說明 成物。藉由本發明之清潔物組成物這些考量皆被滿足,不 僅非腐蝕性而且具有移除自基板而來新的與舊的殘餘物之 能力。 【發明内容】 5 發明概要 本發明係有關於一非腐蝕性清潔組成物,即為水狀、 無毒性且不會傷害環境,且主要適用於自基板移除新的與 舊的電漿殘餘物。該組成物包含a)水與b)三羧酸與羧酸之 協同組合。可選擇地,羥基銨化合物可被包含於該組成物 10 中。 本發明亦關於一用以自基板移除蝕刻殘餘物之方法。 該方法包含a)提供具有殘餘物之基板,b)以含有水及三羧 酸與羧酸之協同作用組合的清潔組成物與該基板接觸。 I:實施方式3 15 較佳實施例之詳細說明 在此提及pKa之出處可見於化學文獻,如Lange’s Handbook of Chemistry,15th Edition,1999,由 McGraw-Hill,Inc.出版。 使用於此之字眼「新基板」,是指經歷過電漿灰化步 20 驟,已經被貯存於環境溫度不超過二星期之基板。 使用於此之字眼「舊基板」是指經歷過電漿灰化步驟 ,已經被貯存在環境溫度超過二星期,且通常為30至45天 之基板。 本發明提供一有效清除新金屬基板與舊金屬基板之清 1297725 玖、發明說明 潔組成物,且因其弱酸性的結構不會引起金屬基板之腐蝕。 本發明之清潔組成物為一具有至少一三羧酸之協同作 用組合之水溶液,該三綾酸具有如下化學式⑴及至少一 pKa值在3至6間之羧酸,該羧酸具有如下化學式。 5
(CR1R2)nC02H R—C-(CR3R4)mC02H 10 (CR5R6)pC02H (I) R9-(CR7R8)qC02H (II) 其中,n、m與p分別獨立為自i至6之範圍的整數;q 分別為範圍自〇至6之整數;R、Rl、R2、R3、r4、R5、R6 、R與R分別係獨立擇自氫、羥、硫醇、具有1至6個原 15子之脂環或環硫代醚、具有1至4個碳原子之低級烷氧、具 有1至4個碳原子之低級分支或直鏈烷基、具有3至6個碳原 子之環烧基、本基、方基、硝基以及鹵素所構成之群組·, 且R9係選自氫、羧酸、羥、硫醇、具有i至6個原子之脂環 或環硫代醚、具有1至4個碳原子之低級烷氧、具有1至4個 20碳原子之低級分支或直鏈烷基、具有3至6個碳原子之環烷 基、苯基、芳基、硝基與_素所構成之群組。 具有化學式(I)之適合三羧酸包含,例如,丙三羧酸、 /3 -甲基丙三叛酸、檸檬酸、硝基甲烧三丙酸及2_(鼓基甲 硫)琥珀酸。較佳的三羧酸包含,例如,擰檬酸、羧基甲 25 硫琥珀酸及丙三羧酸。 本發明之清潔組成物中之三羧酸呈現的量佔組成物全 部重量之約0.01重量%至約1〇·〇重量%。較佳地,三羧酸存 在的量佔0.005重量%至3.0重量%,且更佳地約〇1重量%至2.〇 1297725 玖、發明說明 重量%。 目前已知,在本發明清潔組成物中,至少一具有pKa 值介於約3至約6之敌酸有效地且顯著地減少且/或移除金 屬基板上之腐#。 5 具有化學式(II)之適合叛酸包含,例如,甲酸、乙酸 、丙酸、丁酸、戊酸、三甲基乙酸、異戊酸、琥珀酸、甲 基號拍、戍一 、辛一酸、經基乙酸、乳酸、2 ·經基異 丁酸、3 -經基丁酸、蘋果酸、擰蘋酸、酒石酸、乙氧基醋 酸、四氫-3-糠酸、二羥基乙酸、曱硫琥珀酸、硫羥乳酸、 10 環己乙酸、二環己乙酸以及1,1-環己基二乙酸。較佳具有 化學式(II)之致酸包含’例如,乙酸、經基乙酸、乳酸、 琥珀酸、蘋果酸、酒石酸與葡萄糖酸。 本發明之清潔組成物中之羧酸呈現的量佔組成物全部重 量之約0.01重量%至約10.0重量%。較佳地,羧酸呈現的量佔 15 〇_〇〇5重量%至3.0重量%,且更佳地約〇丨重量%至2 〇重量% 〇 意外地發現化學式⑴之三羧酸與化學式之羧酸在 本發明之清潔组成物中之混合提供一導致較僅單獨具有三 羧酸或羧酸為強組成物清潔特性之協同作用。 20 較佳地’此組成物中三羧酸與羧酸之比例約1 : 5至5 ·· 1。更佳地’該比例約丨·· 3至3 ··丨。最佳地,該比例約 為 1 ·· 1。 就其本身而論,本發明之清潔組成物不僅可有效地從 金屬基板移除新的殘餘物。當沒腐蝕該金屬基板時,其可 ,Λ· ·4η-* Xf ^ y 10 1297725 玖、發明說明 有效地移除舊的殘餘物。這些加強的特性將說明與概述於 下列表3與4中。 存在於本發明組成物中之水的量約為8〇重量。义至約 99.98重量%。較佳地,存在於本發明組成物中之水量約為 5 90重量%至約99·98重量%。更佳地,存在於本發明組成物 中之水量約為94重量%至約99.98重量%,且最佳為96重 量0/❻至約99.98重量%。 選擇性地,至少一羥基銨化合物可被包含於本發明之 組成物中。例如,該羥基銨化合物可為具有化學式(ΙΠ)之 10 羥基銨鹽: r(NR10RuR12〇H)+(X'r) 其中,R10、R11與R12分別選自氫、具有丨至4個碳原子 之低級烷基、具有1至4個碳原子之低級烷氧基、具有丨至4 個碳原子之低級烷基、羥基以及經羥基取代之具有丨至4個 15 奴原子的低級烧基,附帶條件為R10、R11與R12中至少兩者 為風、低級烧基或低級烧氧基之一,且其中X為一與經基 銨陽離子或四級錄陽離子形成水溶性鹽之陰離子,且^係又 之原子價且係1至3。 適合的羥基銨化合物可包含於本發明清潔組成物中, 20舉例而言,羥基銨鹽如硝酸羥基銨(亦稱為HAN)、硫酸羥 基銨(亦稱為HAS)、磷酸羥銨、氣化羥基銨、草酸羥基銨 、檸檬酸羥基銨、氟化羥基銨、N,N-二乙基磷酸羥銨、 N,N二乙基硝酸羥銨及其任意組合。 當使用於本發明之組成物中,該經基銨化合物存在量 1297725 玖、發明說明 介於組成物全部重量之約0.001重量%至約1〇重量%。較佳 地,該羥基銨化合物存在量約〇.1重量%至約0.5重量%,且 最佳地約0.1重量%至約0.25重量%。 本發明可選擇性地包含至少一驗性化合物。例如,該 5 鹼性化合物可為一胺或四級羥基銨。可使用於本發明清潔 組成物鹼性化合物之胺包含羥基銨及其他烷醇胺,如單乙 醇胺、羥基乙基哌嗪及其類似物。可使用於本發明清潔組 成物鹼性化合物之四級羥基銨包含具有甲基、乙基、丙基 、丁基、羥乙基及其組合之羥化四烷基銨(如羥化四甲基 10銨(此後稱為TMAH)、羥化四乙基銨、三甲基烷氧乙銨經 、羥化甲基三(羥乙基)錄、羥化四(羥乙基)銨、苯甲基三 甲基銨羥及其類似物)。此外,亦可使用具有一或多個四 級銨羥之銨羥混合物。 當使用於本發明之組成物中,該鹼性化合物存在量介 15 於組成物全部重量之約0.001重量%至約1重量%。較佳地 ’該驗性化合物存在量約0.002重量%至約〇·5重量0/〇。 本發明清潔組成物可選擇性地包含一或多個溶劑。例 如,適合的溶劑包含多醇化合物或醇蜮類。有效使用於本 發明之適合的多醇化合物包含任何可與水溶混之化合物。 20該字眼「多醇化合物」意指一具有二或多羥基之化合物。 舉例’適合的多醇化合物包含脂肪族多醇化合物如 CW烷二醇類、經取代的(crc^)烷二醇類及其任意組合。 例如,適合的脂肪多醇化合物包含乙婦乙二醇、丙稀乙二 醇、一乙烯乙二醇、二丙烯乙二醇、三乙烯乙二醇、三丙 12 1297725 玖、發明說明 烯乙二醇、2-甲基-1,3-丙二醇'丁二醇、戊二醇、己二醇 、甘油及其任意組合。 當使用於本發明之組成物中,該溶劑存在量介於組成 物全部重量之約〇」重量%至約30重量%。較佳地,該溶劑 5 存在量約0.5重量%至約10重量%。 本發明可進一步包含一或多個添加物。例如,適合的 添加物包含螯合化合物或可增加本發明組成物自晶片表面 移除微粒且/或金屬污染物之表面活化劑。舉例而言,添 加物例如非離子性表面活化劑及特別地附著聚氧化乙稀型 10 表面活化劑已知為可構自BASF之CS-1⑧的螯合基,可使用 於本發明中。 當使用於本發明之組成物中,該一或多個添加物存在 量介於組成物全部重量之約0·001重量〇/。至約1〇重量❶/❻。較 佳地,該溶劑存在量約〇·〇〇5重量%至約1重量〇/〇。 15 本發明清潔組成物具有約1至5之pH值。較佳地,組成 物之pH值約1.5至約4。更佳地,該PH值約1.5至約3,且最 佳地約1.8至約2.5。 在一較佳實施例中,用於移除形成於基板之蝕刻殘餘 物之組成物包含(a)約90重量%至約98重量%水;(b)約0.4重 20量%至約1.5重量%乳酸;約〇·5重量❻/q至約1 6重量❻檸檬 酸;及(d)約0重量%至約〇·25重量%硫酸銨羥。
本發明清潔組成物可有效地使用於廣泛的溫度範圍, 例如’但不限定於,高至約肋它,較佳自約2(rc至約6(rc ,更加地自約22°C至約45°C,且最佳地自約2°C3至約35°C 13 1297725 玖、發明說明 。本發明清潔組成物之-優點在於其可有效地使用於室溫。 同樣地,清潔時間可依執行的特殊清潔方式而大範圍 地改變。當在一浸潰組形式步驟中清潔時,舉例而言,一 適合的範圍約高至45分鐘。—用於浸潰組形式步驟之較佳 5範圍為自!分鐘至約30分鐘。一用於浸潰組形式步驟之更 佳範圍為約自3分鐘至20分鐘。一用於浸潰組形式步驟之 最佳範圍自5分鐘至15分鐘。用於單一晶片步驟之清潔時 間可自10秒至5分鐘。一用於單_晶片步驟之更加清潔時 間可自15秒至!分鐘。一用於單一晶片步驟之最佳清潔時 10 間可自約30至約45秒。 本發明亦應用於自基板,如銅或鋁,移除新鮮的與舊 的殘餘物。該方法包含步驟(a)提供基板殘餘物;(b)以一 含水之清潔組成物接觸基板;及具化學式⑴之三羧酸與具 化學式(II)之緩酸的協同作用。可選擇地,至少一具化學 15式(ΙΠ)之羥基銨化合物亦可包含於組成物中。 藉由任何適合方式以清潔組成物接觸基板,如藉由置 放清潔組成物於槽中且浸潰且/或將基板淹沒於清潔組成 物中,喷沖組成物於基板,流動組成物於基板,或其任何 混合物。較佳地,該基板被該清潔組成物所喷沖。 2〇 本發明亦包含一混合與下列光阻蝕劑剝離之清潔方式 ,該步驟典型地處理於目前清潔方式之前。任何適合剝離 步驟均可被使用,包含〇2電漿蝕刻、臭氧氣態處理、氟電 聚處理、熱出氣處理(描述於美國專利號5,691,117中,在 此併入為參考資料)及其類似物。較佳的剝離步驟為電 14 1297725 玖、發明說明 乘#刻。 此外,該清潔方式可以應用於有機濕式剝離方式。任 何慣用的有機濕式剝離溶液亦可被使用且熟知此技藝之人 士可選擇適合的有機濕式剝離劑。較佳濕式剝離步驟為利 5 用混合以本發明組成物之臭氧化水處理。因此,本發明清 潔方式可被應用於取代有機溶劑性的後剝離沖洗步驟。 為了本發明,提供以下實施例。本發明並非限定於該 描述的實施例是應該被瞭解的。 實施例1 10 1000克清潔溶液係利用溶解5.68克(0.0555莫耳)88重 量%乳酸水溶液、15克(0.0781莫耳)檸檬酸於7.83克(0.0143 莫耳為100%)之30重量%硫酸銨羥水溶液與971.49克去離 子水之混合液中。此溶液被使用於其後的試驗中。 實施例2 15 1000克清潔溶液係利用溶解11.36克(0.111莫耳)88重量 %乳酸水溶液、10克(0.0521莫耳)檸檬酸於7.83克(0.0143莫 耳為100%)之30重量%硫酸銨羥水溶液與971.81克去離子 水之混合液中。此溶液被使用於其後的試驗中。 實施例3 20 1000克清潔溶液係利用溶解17.05克(0.1665莫耳)88重 量%乳酸水溶液、5克(0.026莫耳)檸檬酸於7.83克(0.0143莫 耳為100%)之30重量%硫酸銨羥水溶液與970.12克去離子 水之混合液中。此溶液被使用於其後的試驗中。 實施例4 15 1297725 玖、發明說明 1 〇〇〇克清潔溶液係利用溶解11.36克(0.111莫耳)88重量 %乳酸水溶液、10克(0.0521莫耳)檸檬酸於978.64克去離子 水之混合液中。此溶液被使用於其後的試驗中。 實施例5 5 1000克清潔溶液係利用溶解6.67克(0.111莫耳)88重量 %冰醋酸、10克(0.0521莫耳)擰檬酸於7.83克(0.0143莫耳為 100%)之30重量%硫酸銨羥水溶液與975.5克去離子水之混 合液中。此溶液被使用於其後的試驗中。 實施例6 10 1000克清潔溶液係利用溶解8.44克(0.111莫耳)88重量 %乙醇酸、10克(0.0521莫耳)檸檬酸於7.83克(0.0143莫耳為 100%)之30重量%硫酸銨羥水溶液與973.73克去離子水之 混合液中。此溶液被使用於其後的試驗中。 實施例7 15 1000克清潔溶液係利用溶解14.88克(0.111莫耳)88重量 %蘋果酸、10克(0.0521莫耳)檸檬酸於7.83克(0.0143莫耳為 100%)之30重量%硫酸銨羥水溶液與967.29克去離子水之 混合液中。此溶液被使用於其後的試驗中。 實施例8 20 1000克清潔溶液係利用溶解13.11克(0.111莫耳)88重量 %琥珀酸、10克(0.0521莫耳)檸檬酸於7.83克(0.0143莫耳為 100%)之30重量%硫酸銨羥水溶液與969.06克去離子水之 混合液中。此溶液被使用於其後的試驗中。 比較實施例1 16 1297725 玖、發明說明 1 〇〇〇克清潔溶液係利用溶解20克(0.263莫耳)88重量% 乙醇酸於7.83克(0.0143莫耳為100%)之30重量%硫酸銨羥 水溶液與972.17克去離子水之混合液中。此溶液被使用於 其後的試驗中。 5 比較實施例2 1000克清潔溶液係利用溶解20.06克(0.15莫耳)DL-蘋 果酸於7.83克(0.0143莫耳為100%)之30重量%硫酸銨羥水 溶液與972.17克去離子水之混合液中。此溶液被使用於其 後的試驗中。 10 比較實施例3 1000克清潔溶液係利用溶解20.03克(0.134莫耳)L-酒 石酸於7.83克(0.0143莫耳為100%)之30重量%硫酸銨羥水 溶液與972.17克去離子水之混合液中。此溶液被使用於其 後的試驗中。 15 比較實施例4 743.6克清潔溶液係利用溶解31.31克(0.076莫耳)D-葡 萄糖酸水溶液於5.82克(0.035莫耳為100%)之30重量%硫 酸銨經水溶液與706.43克去離子水之混合液中。此溶液被 使用於其後的試驗中。 20 比較實施例5 1000克清潔溶液係利用溶解20.02克(0.17莫耳)琥珀酸 於7.83克(0.0143莫耳為100%)之30重量%硫酸銨羥水溶液 與972.17克去離子水之混合液中。此溶液被使用於其後的 試驗中。 17 « 3 1297725 玖、發明說明 比較實施例6 1000克清潔溶液係利用溶解20.03克(0.33莫耳)冰醋酸 於7.8克(0.0143莫耳為100%)之30重量%硫酸銨羥水溶液與 972.3克去離子水之混合液中。此溶液被使用於其後的試 5 驗中。 比較實施例7 1000克清潔溶液係利用溶解22.72克(0.222莫耳)乳酸 水溶液於7.83克(0.0143莫耳為100%)之30重量%硫酸銨羥 水溶液與969.44克去離子水之混合液中。此溶液被使用於 10 其後的試驗中。 比較實施例8 1000克清潔溶液係利用溶解10.0克(0.111莫耳)草酸、 10.0克(0.052莫耳)檸檬酸於7.83克(0.0143莫耳為100%)之 30重量%硫酸銨羥水溶液與972.17克去離子水之混合液中 15 。此溶液被使用於其後的試驗中。 比較實施例9 1000克清潔溶液係利用溶解20.0克(0.222莫耳)草酸於 7.83克(0.0143莫耳為100%)之30重量%硫酸銨羥水溶液與 972.17克去離子水之混合液中。此溶液被使用於其後的試 20 驗中。 比較實施例10 1000克清潔溶液係利用溶解20.03克(0.095莫耳)檸檬 酸於7.83克(0.0143莫耳為100%)之30重量%硫酸銨羥水溶 液與972.17克去離子水之混合液中。此溶液被使用於其後 18 1297725 玖、發明說明 的試驗中。 比較實施例11 1000克清潔溶液係利用溶解10.0克(o.lll莫耳)草酸、 10克(0.0846莫耳)琥珀酸於7.83克(0.0143莫耳為100%)之30 5 重量%硫酸銨羥水溶液與972.17克去離子水之混合液中。 此溶液被使用於其後的試驗中。 比較實施例12 1000克清潔溶液係利用溶解1〇.〇克(0.111莫耳)草酸、 11.36克(0.111莫耳)88重量%乳酸水溶液於7.83克(0.0143莫 10 耳為100%)之30重量%硫酸銨羥水溶液與970.81克去離子 水之混合液中。此溶液被使用於其後的試驗中。 比較實施例13 1000克清潔溶液係利用溶解20.00克(0.095莫耳)檸檬 酸於7.83克(0.0143莫耳為100%)之30重量%硫酸銨羥水溶 15 液、0.094克之25重量%四甲基銨羥及972.072克去離子水 之混合液中。 以清潔溶液用以決定銅及鋁金屬基板相容度之重量喪失方法 用於這些試驗之基板係得自於WaferNet,Inc·。用於這 些試驗之基板係4吋矽晶片,以近乎5056埃銅或4915埃鋁 20 所覆蓋。 約800毫升之清潔溶液被置放於1000亳升之玻璃燒 杯中。一 3.7公分長之磁性攪拌棒被放置於燒杯中。具有 清潔溶液與磁性授拌棒之燒杯被置放於RET Control-Vise S1®型式定溫/定速加熱板/攪拌器(IKA⑧Works,Inc·)上。清 19 1297725 玖、發明說明 潔液之溫度係調整與維持於23°C。攪拌速度維持在2〇〇rpm。 試驗基板以超音波於丙酮浴中預清潔5分鐘。該預清 潔晶片以大量去離子水沖洗接續在氮氣流中乾燥。欲清潔 基板之重量確定於正負0.01毫克(‘‘Wi,,)。晶片浸潰於清潔 5溶液中15分鐘(23°C/2〇〇 rpm)。該晶片接續被移除且以清 潔之去離子水沖洗5分鐘。沖洗晶片之水在氮氣流中乾燥 。乾燥處理過的晶片重量再一次確定於正負〇〇1毫克 (“Wf”)。金屬基板之蝕刻係接續利用下列方程式被計算出。 銅蝕刻速率(埃/分)=(137662·1983)χ (WrWf)/15 分 1〇 鋁蝕刻速率(埃/分)=(457020·7403)χ (WrWf)/15 分 酸每莫耳之姓刻速率被歸納於表1,且測定如下:崔呂( 或銅)蝕刻速率/(每1000克清潔溶液之酸莫耳數)。 表1 酸 每莫耳酸 之銅ϋ刻 速率 每莫耳酸 之鋁蝕刻 速率 pKal pKa2 pKa3 比較實 施例1 hoch2co2h 17.8 12.7 3.83 比較實 施例2 ho2ch2chco2h 1 OH 24.07 2.02 3.48 5.1 比較實 施例3 OH 1 ho2cchchco2h 1 OH 31.5 0 3.22 4.81 比較實 施例4 OH OH 1 1 hoch2chchchco2h 1 1 OH OH 35.79 3.86 比較實 施例5 HO2CCH2CH2CO2H 14.79 0 4.21 5.64 比較實 及例6 CH3CO2H 20.58 2.74 4.76 比較實 愈列7 CH3CH(0H)C020H 18.77 14.98 3.86 比較實 』&例9 ho2cco2h 84.08 14.85 1.271 4.272 20 1297725 玖、發明說明 比較實 施例10 ch2co2h | H0-CC02H 1 ch2co2h 26.08 8.75 3.128 4.76 6.39 收集於表3之數據顯示具有pKa值小於3.0之酸對銅基 板具有相當的腐蝕性,且無法適用於本發明中。 後灰化清潔效率方法1 得自Sematech Internatioal圖飾的與#刻的雙層花紋銅 5 及低k晶片係用於這些試驗。花紋薄膜堆描述於表2。 表2 薄膜 層之描述 厚度(埃) SiCN-SiC 覆蓋層 〜2500 透氣MSQ 介電間層 〜3000-4000 SiCN 姓刻停止 〜1000 透氣MSQ 介電間層 〜3000-4000 SiCN 媒介蝕刻停止 〜1000 銅 金屬 〜4000 光阻劑、處理材料與化劑描述於表3。 表3 BARC : Brewer DUV 30® 光阻劑 Shipley UV6® 蝕刻化劑 c4f8 rie 灰化化劑 N2/H2灰化 蝕刻的媒介介電質約直徑0.25微米且蝕刻直徑約1.5微 米。 15 約800毫升之清潔溶液被置放於1000毫升之玻璃燒杯 中。一3.7公分長之磁性攪拌棒被放置於燒杯中。具有清 21 1297725 玖、發明說明 潔溶液與磁性攪拌棒之燒杯被置放於RET Control-Vise S1® 型式定溫/定速加熱板/攪拌器(IKA® Works, Inc.)上。清潔 液之溫度係調整與維持於23°C。攪拌速度維持在200 rpm。 後灰化試驗基板被切割成塊狀。各自的試驗基板被置 5 放於直徑16.7公分、聚丙烯籃中。具有塊狀試驗基板之籃 接續被浸潰於清潔溶液中15分鐘(23 °C/200 rpm)。該籃接 續被移除且以去離子水連續沖洗5分鐘。該被水沖洗之試 驗基板以氮氣流乾燥。後灰化殘餘物移除之相關程度係利 用 Hitachi Scanning Electron Microscope 以 30,000 x 至 10 100,000x測量以金覆蓋之試驗基板片所估計出。結果歸納 於表4。 表4 後灰化殘餘物移 後灰化殘餘物移 除之相關程度(1) 除之相關程度(1) 「舊基板」 「新基板」 比較實施例7 2 實施例1 4 實施例2 1 實施例3 3 實施例4 2 實施例5 3 1 實施例6 2 1 實施例7 2 1 實施例8 3 1 比較實施例8 過量接觸於銅 基板 比較實施例10 5 比較實施例11 過量接觸於銅 基板 比較實施例12 過量接觸於銅 基板 (1) 級別: 1 =完全移除舊灰化殘餘物 Λ- M.· -v 4-4 22 ^297725 玖、發明說明 5 =未移除舊灰化殘餘物 關於高要求的基板(如舊基板),表4數據顯示具有pKa 值自約3至約6之羧酸與三羧酸之混合在清潔效率上較單只 5 有三羧酸之化學式為佳。此外,比較實施例2與比較實施 例7、比較實施例1〇的結果清楚顯示藉由三羧酸與具有本 發明pKa值自約3至約6之羧酸混合,相較於具有單一酸成 分之組成物,其具有較佳的成果。 關於低要求的基板如(新基板),具有pKa值自約3至約 10 6之羧酸與三羧酸之混合足以排除使用銨羥化合物之需要。 實施例2之化學式亦利用下列方法2與3被測試其後灰 化殘餘物清潔效率。結果顯示於表5。 後灰化清潔效率方法2 方法2與方法1除了下述皆相同。清潔溶液之溫度改變 15描述於表5。晶片塊被置放於塑膠鉗分又裡,且於清潔溶 液中浸潰說明如表5之特定時間。晶片部分以前述與上述 動作、接續以下述與後述技巧於每分鐘6〇至1〇〇次之適當 頻率被移除。晶片面與動作呈9〇。。此方法仿效單一晶片 過程在一燒杯裡高度攪拌所執行。 20 後灰化清潔效率方法3 此方法利用 SemiTool Equinox Millennium,單一晶片 用具,具有如方法1所描述的8吋晶片。該步驟於2rc下執 行。清潔溶液接續以250百萬/分的流速流過晶片持續3〇秒 。接著,清潔溶液於15秒間自晶片被移除。然後以去離子 23 1297725 玖、發明說明 水沖洗55秒,接續以1800 rpm旋轉乾燥45秒。晶片被切割 成塊狀,以金薄層喷灑且以描述於方法1之Hitachi Scanning Electron Microscope檢視0 結果描述於表 5 〇 5 表5 清潔溫度 時間 結果 比較實施例13 方法2 23 °C 2分鐘 並非全部殘 餘物被移除 實施例2 方法2 23 °C 2分鐘 無殘餘物 實施例2 方法2 40°C 2分鐘 無殘餘物 實施例2 方法2 40°C 1分鐘 無殘餘物 實施例2 方法2 40°C 30秒 無殘餘物 實施例2 方法3 21°C 30秒 無殘餘物 表5數據說明習知清潔劑於2分鐘間無法完全清潔,具 有羧酸與三羧酸之本發明清潔組成物於30秒内完全清潔後 灰化殘餘物。使用於單一晶片用具之清潔劑具有短清潔時 10 間之必要條件以商業實用,且本發明之組成物符合此高標 需求。 前述者僅為本發明之說明用是可以瞭解的。多種選擇 與修正可被熟知此技藝之人士所衍生出而不違背本發明。 相應的,本發明可被延伸包含全部選擇、修正與變化。 15 【圖式簡單說明】 無 【圖式之主要元件代表符號表】 無 24
Claims (1)
1297725 的气修正] 拾、申請專莉範圍 第92109594號專利申請案申請專利範圍修正本95年u月21曰 1 · 一種非腐#性清潔組成物,包含: ⑷水, (b)至少一三羧酸及至少一羧酸之一協同組合, 5 其中該組成物中之至少一三羧酸及至少一羧酸的協 同組合重量比例約1:5至約5:1 ;以及 其中該至少一羧酸具有以下化學式: R9-(CR7R8)qC02H 其中q為範圍自1至4之整數;R7及R8分別係獨立 10 選自氫、羥、硫醇、具有1至6個原子之脂環或 環硫代醚、具有1至4個碳原子之低級烷氧、具 有1至4個碳原子之低級分支或直鏈烷基、具有3 至6個碳原子之環烷基、苯基、芳基、硝基以及 鹵素所構成之群組;以及R9係選自氫、羧酸、 15 經、硫醇、具有1至6個原子之脂環或環硫代醚 、具有1至4個碳原子之低級烧氧、具有1至4個 石厌原子之低級分支或直鏈烧基、具有3至6個碳 原子之$衣烧基、苯基、芳基、硝'基及鹵素所構 成之群組。 20 2·如申請專利範圍第1項之組成物,其中該組成物自一基 板移除一蝕刻殘餘物。 3·如申請專利範圍第2項之組成物,其中該蝕刻殘餘物係 一電漿蝕刻殘餘物。 4·如申請專利範圍第1項之組成物,其中該至少一三竣酸 25 拾、申請專利範圍 及至少一羧酸之協同組合,相較於僅單獨只有三羧酸 或羧酸之清潔組成物,提供較強的清潔組成物。 5·如申請專利範圍第1項之組成物,其中該至少一三羧酸 具有以下化學式: (「rVlcc^h R-C-(CR3R4)mC〇2H (CR5R6)pC02H 其中η、m及p分別獨立為之範圍的整數;R、Rl、 R2、R3、R4、R5以及R6分別係獨立選自氫、羥、硫醇 、具有1至6個原子之脂環或環硫代醚、具有1至4個碳 原子之低級烧氧、具有1至4個碳原子之低級分支或直 鏈烷基、具有3至6個碳原子之環烷基、苯基、芳基、 硝基以及_素所構成之群組。 6·如申請專利範圍第5項之組成物,其中具有該化學式之 至少一三羧酸係選自丙三羧酸、·甲基丙三羧酸、檸 檬酸、硝基甲烷三丙酸以及2-(羧基甲硫)琥珀酸所構成 之群組。 7·如申請專利範圍第1項之組成物,其中該至少一三繞酸 係以約0·01重量❶/〇至約10重量%的量存在於該組成物中 〇 8·如申請專利範圍第1項之組成物,其中該至少一三竣酸 係以約0.05重量%至約3重量%的量存在於該組成物中 〇 9·如申請專利範圍第1項之組成物,其中該至少一三竣酸 1297725 拾、申請專利範圍 係以約0· 1重量%至約2重量%的量存在於該組成物中。 1〇·如申請專利範圍第1項之組成物,其中該至少一三羧酸 具有介於約3至約6之間的pKa值。 5 1ι A•如申請專利範圍第1項之組成物,其中具有該化學式之 至少一竣酸係選自甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、 二甲基乙酸、異戊酸、琥珀酸、甲基琥珀酸、戊二酸 、辛二酸、羥基乙酸、乳酸、2-羥基異丁酸、3-羥基丁 酸、蘋果酸、檸蘋酸、酒石酸、乙氧基醋酸、四氫_3-10 _ 糠酸、二羥基乙酸、甲硫琥珀酸、硫羥乳酸、環己乙 ^、二環己乙酸以及1,1 -環己基二乙酸所構成之群組。 12·如申請專利範圍第1項之組成物,其中該至少一羧酸係 以約0.01重量%至約1〇重量%的量存在於該組成物中。 13 ·如申請專利範圍第1項之組成物,其中該至少一鲮酸係 15 以0.05重量%至約3重量%的量存在於該組成物中。 K如申請專利範圍第1項之組成物,其中該至少一羧酸係 以約0.1重量%至約2重量%的量存在於該組成物中。 15. 如申請專利範圍第1項之組成物,其中該組成物中之至 少一三羧酸及至少一羧酸的協同組合重量比例約1:3至 2〇 約 3:1 〇 16. 如申請專利範圍第1項之組成物,其中該組成物中之至 少一三羧酸及至少一羧酸的協同組合重量比例約1:1。 17. 如申請專利範圍第1項之組成物,進一步包含至少一具 有以下化學式之羥銨化合物: 27 1297725 拾、申請專利範圍 r(NR10RnR12OH)+(Xr) 其中R1G、R11與R12分別選自氫、具有1至4個碳原子之 低級烷基、具有1至4個碳原子之低級烷氧基、具有1至 4個碳原子之低級烧基、經基以及經經基取代之具有1 至4個碳原子的低級烷基,附帶條件為R10、Rn及Ri2中 至少兩者為氫、低級烷基或低級烷氧基之一,且其中X 為一及羥基銨陽離子或四級銨陽離子形成水溶性鹽的 陰離子部分,以及r係X之原子價且係1至3。 18.如申請專利範圍第17項之組成物,其中該至少一羥銨 化合物係擇自下列所構成之群組:羥基銨鹽、硝酸羥 基叙、硫酸經基錢、填酸經基錢、氣化經基錄、草酸 經基銨、檸檬酸羥基銨、氟化羥基銨、N,N二乙基硫 酸羥銨以及N,N二乙基硝酸羥銨。 19 ·如申請專利範圍第17項之組成物,其中該至少一經銨 化合物係以約0.001重量%至約10重量%的量存在於該 組成物中。 20. 如申請專利範圍第1項之組成物,進一步包含至少一驗 性化合物。 21. 如申請專利範圍第2〇項之組成物,該至少一驗性化合 物係擇自胺、四級羥基銨及其任意組合所構成之群組 〇 22. 如申請專利範圍第2〇項之組成物,其中該鹼性化合物 係以約0 · 0 01重量%至約i重量%的量存在於該組成物中 28 1297725 拾、申請專利範圍 23.如申請專利範圍第〗項之組成物進一步包含至少一溶 劑。 24·如申請專利範圍第23項之組成物,其中該至少一溶劑 係擇自多醇化合物、乙二醇醚及其任意組合所構成之 5 群組。 25.如申請專利範圍第23項之組成物,其中該溶劑係以約 〇·1重量%至約30重量%的量存在於該組成物中。 •如申明專利範圍苐1項之組成物,進一步包含至少一添 加劑,该添加劑係擇自螯合化合物、表面活化劑及其 10 任意組合所構成之群組。 27·如申研專利範圍第26項之組成物,其中該溶劑係以約 0.001重量%至約10重量%的量存在於該組成物中。 28.種用於移除一基板上電漿姓刻殘餘物之非腐餘性清 潔組成物,該組成物包含水,以及乳酸及檸檬酸之一 15 協同組合,其中該擰檬酸及乳酸之協同組合在該組成 物中係佔約3:1至約1:3的重量比。 29·如申請專利範圍第28項之組成物,其中水係以約9〇重 量%至約99.98重量%的量存在於該組成物中。 30.如申凊專利範圍第28項之組成物,其中該檸檬酸及乳 20 酸之協同組合在該組成物中係佔約1:1的重量比。 31·如申請專利範圍第28項之組成物,其中該乳酸係以約 0.4重量%至約ι·5重量%的量存在於該組成物中。 32.如申請專利範圍第28項之組成物,其中該檸檬酸係以 約〇.5重量%至約L6重量%的量存在於該組成物中。 29 1297725 is、申請專利箪货圍 33·如申請專利範圍第28項之組成物,進一步包含至少一 羥銨化合物,該羥銨化合物係以約〇〇〇1重量%至約1〇 重量%的量存在於該組成物中。 34·如申請專利範圍第33項之組成物,其中該羥銨化合物 5 為硫酸經錢。 35·如申請專利範圍第34項之組成物,進一步包含至少一 鹼性化合物,該鹼性化合物係以約〇〇〇1重量%至約1重 里4的篁存在於該組成物中。 36·如申明專利範圍第35項之組成物,其中該驗性化合物 10 為四甲基羥銨。 37·種用於移除基板上電漿蝕刻殘餘物之方法,該方法 包含下述之步驟: a) 提供一具有電漿韻刻殘餘物之基板; b) 以非腐蝕性清潔組成物接觸該基板,該清潔組成物包含 15 水以及至少一三羧酸及至少一羧酸之協同組合,其中該 組成物中之至少一三羧酸及至少一羧酸的協同組合重量 比例約1:5至約5:1,且其中該殘餘物係自該基板移除; 以及 c) 沖洗該基板。 20 38·如申請專利範圍第37項之方法,其中,該基板為一新 基板或一舊基板。 39.如申請專利範圍第37項之方法,其中該清潔組成物之 溫度為約20°C至約60。(:。 40·如申請專利範圍第37項之方法,其中該方法具有約1〇 30 1297725 拾、申請專利範圍 秒至約30分鐘的清潔時間。 41·如申请專利範圍第37項之方法,其中該基板係以選自 下列所構成之群組的方法與該清潔組成物接觸··浸潰 、喷灑沖刷、流動及其任意組合。 5 42.如申請專利範圍第37項之方法,其中該方法係與選自 下列所構成之群組中之至少一光阻劑剝離步驟的組合 來施行:乾燥剝離、〇2電漿㈣、臭氧氣態處理、氣 電漿處理、熱Η,氣處理及其任意組合。 43·如申請專利範圍第37項之方法,其中該方法係與至少 10 一有機濕式剝離步驟的組合來施行。 44. 如申請專利範圍第43項之方法,其中該至少_有機濕 式剝離步驟係以經臭氧化的水來處理。 45. 如申請專利範圍第37項之方法,其中該至少_三叛酸 及至;一羧酸之協同組合,相較於僅單獨具有三羧酸 15 或紐之清潔組成物,對該基板提供較_清潔作用。 46. 如申請專利範圍第37項之方法,其中該至少_三羧酸 具有以下化學式: (CR1R2)nC02H 20 j R-C-(CR3R4)mC〇2H (CR5R6)pC02H 25 其+n、^P分別獨立為1至6之範圍的整數;r、r1、 R'R'R'RW分別為獨立選自氫、經、硫醇、 具有1至6個原子之脂環或環硫代喊、具有…個碳原 子之低級烷氧、具有1至4個碳原子之低級分支或直鏈 1297725 拾、申請專利範圍 烷基、具有3至6個碳原子之環烷基、苯基、芳基、硝 基以及鹵素所構成之群組。 47·如申請專利範圍第46項之方法,其中該具有該化學式 之至乂二緩酸係選自丙三幾酸、0 _曱基丙三護酸、 5 #棣酸、硝基甲烷三丙酸以及2-(羧基曱硫)琥珀酸所 構成之群組。 48·如申請專利範圍第37項之方法,其中該至少一三羧酸 係以約0.01重量%至約10重量%的量存在於該組成物中 〇 10 49·如申請專利範圍第37項之方法,其中該至少一三羧酸 係以約0_05重量%至約3重量%的量存在於該組成物中 〇 50.如申請專利範圍第37項之方法,其中該至少一三羧酸 係以約0.1重量%至約2重量%的量存在於該組成物中。 15 51·如申請專利範圍第37項之方法,其中該至少一三羧酸 具有介於約3至約6間的pKa值。 52·如申請專利範圍第37項之方法,其中該至少一羧酸具 有以下化學式: R9-(CR7R8)qC02H 20 其中q為範圍自0至6之整數;R7及R8分別係獨立選自氫 、羥、硫醇、具有1至6個原子之脂環或環硫代醚、具 有1至4個碳原子之低級烷氧、具有1至4個碳原子之低 級分支或直鏈烷基、具有3至6個碳原子之環烷基、苯 基、芳基、硝基以及鹵素所構成之群組;以及R9係選 32 1297725 拾、申請專利範圍 自氫、羧酸、羥、硫醇、具有1至6個原子之脂環或環 硫代醚、具有1至4個碳原子之低級烷氧、具有1至4個 碳原子之低級分支或直鏈烷基、具有3至6個碳原子之 環烷基、苯基、芳基、硝基及鹵素所構成之群組。 5 53·如申請專利範圍第52項之方法,其中具有該化學式之 至少一羧酸係選自甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、 三曱基乙酸、異戊酸、琥珀酸、甲基琥珀酸、戊二酸 、辛二酸、羥基乙酸、乳酸、2-羥基異丁酸、弘羥基丁 酸、蘋果酸、檸蘋酸、酒石酸、乙氧基醋酸、四氫·3_ 10 糠酸、二羥基乙酸、曱硫琥珀酸、硫羥乳酸、環己乙 酸、二環己乙酸以及1,1·環己基二乙酸所構成之群組。 54.如申請專利範圍第37項之方法,其中該至少一羧酸係 以約0· 05重量❽/。至約3重量%的量存在於該組成物中 〇 15 55·如申請專利範圍第37項之方法,其中該至少一羧酸係 以約0.05重量%至約3重量%的量存在於該組成物中。 56.如申請專利範圍第37項之方法,其中該至少一羧酸係 以約0·1重量%至約2重量%的量存在於該組成物中。 57·如申請專利範圍第37項之方法,其中該組成物中之至 20 夕二羧酸及至少一綾酸的協同組合重量比例約1:3至 約 3:1 〇 58. 如申請專利範圍第37項之方法’其中該組成物中之至 少—三羧酸及至少一幾酸的協同組合重量比例約1:1。 59. 如申請專利範圍第37項之方法’進一步包含至少一具 33 1297725 拾、申請專利範圍 有以下化學式之羥銨化合物: r(NR10RnR12〇H)+(Xr) 其中,R1G、R11及R12分別擇自氫、具有1至4個碳原子 之低級烷基、具有1至4個碳原子之低級烷氧基、具有j 5 至4個碳原子之低級烷基、羥基以及經羥基取代之具有 1至4個碳原子的低級烷基,附帶條件為rig、rii&ri2 中至少兩者為氫、低級烷基或低級烷氧基之一,且其 中X為一與羥基銨陽離子或四級銨陽離子形成水溶性鹽 的陰離子部份,以及r係X之原子價且係1至3。 1〇 6〇·如申請專利範圍第59項之方法,其中該至少一羥銨化 合物係擇自下列所構成之群組:羥基銨鹽、硝酸羥基 銨、硫酸羥基銨、磷酸羥基銨、氣化羥基銨、草酸羥 基銨、檸檬酸羥基銨、氟化羥基銨、N,N二乙基硫酸羥 銨以及N,N二乙基硝酸羥銨。 15 61.如中請專利範圍第%項之方法其中該至少一錢 化合物係以約0.001重量%至約10重量%的量存在於 该組成物中。 34
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
CN102132385B (zh) * | 2008-08-25 | 2015-02-18 | 大金工业株式会社 | 半导体干式工艺后的残渣除去液和使用该除去液的残渣除去方法 |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7084070B1 (en) * | 2001-03-30 | 2006-08-01 | Lam Research Corporation | Treatment for corrosion in substrate processing |
TWI365491B (en) | 2003-12-24 | 2012-06-01 | Kao Corp | Composition for cleaning semiconductor device |
US8338087B2 (en) * | 2004-03-03 | 2012-12-25 | Advanced Technology Materials, Inc | Composition and process for post-etch removal of photoresist and/or sacrificial anti-reflective material deposited on a substrate |
US7268071B2 (en) | 2005-01-12 | 2007-09-11 | Sony Corporation | Dual damascene interconnections having low K layer with reduced damage arising from photoresist stripping |
US7923423B2 (en) * | 2005-01-27 | 2011-04-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions for processing of semiconductor substrates |
US7922823B2 (en) * | 2005-01-27 | 2011-04-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions for processing of semiconductor substrates |
US7713885B2 (en) * | 2005-05-11 | 2010-05-11 | Micron Technology, Inc. | Methods of etching oxide, reducing roughness, and forming capacitor constructions |
EP1721960A1 (en) * | 2005-05-12 | 2006-11-15 | The Procter & Gamble Company | Liquid acidic hard surface cleaning composition |
EP1721961B1 (en) * | 2005-05-12 | 2009-04-22 | The Procter and Gamble Company | Liquid acidic hard surface cleaning composition |
KR101304622B1 (ko) * | 2006-08-29 | 2013-09-05 | 동우 화인켐 주식회사 | 세정제 조성물 |
US20080076688A1 (en) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Barnes Jeffrey A | Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use |
JP5232381B2 (ja) * | 2006-11-28 | 2013-07-10 | 株式会社ネオス | ノンリンス型水溶性洗浄剤組成物 |
US8178078B2 (en) | 2008-06-13 | 2012-05-15 | S.C. Johnson & Son, Inc. | Compositions containing a solvated active agent suitable for dispensing as a compressed gas aerosol |
JP5836932B2 (ja) * | 2009-05-07 | 2015-12-24 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | レジストストリッピング組成物及び電気装置を製造するための方法 |
US9081291B2 (en) | 2009-08-11 | 2015-07-14 | Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. | Resist stripping solution composition, and method for stripping resist by using same |
JP5646882B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-12-24 | 富士フイルム株式会社 | 洗浄組成物、洗浄方法、及び半導体装置の製造方法 |
JP5513196B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2014-06-04 | 富士フイルム株式会社 | 洗浄組成物及び半導体装置の製造方法 |
US20120090648A1 (en) * | 2010-10-15 | 2012-04-19 | United Microelectronics Corp. | Cleaning method for semiconductor wafer and cleaning device for semiconductor wafer |
KR101830170B1 (ko) * | 2011-05-17 | 2018-02-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 산화물 반도체 소자, 산화물 반도체 소자의 제조 방법, 산화물 반도체소자를 포함하는 표시 장치 및 산화물 반도체 소자를 포함하는 표시 장치의 제조 방법 |
CA2856196C (en) | 2011-12-06 | 2020-09-01 | Masco Corporation Of Indiana | Ozone distribution in a faucet |
CN108463437B (zh) | 2015-12-21 | 2022-07-08 | 德尔塔阀门公司 | 包括消毒装置的流体输送系统 |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3003898A (en) | 1960-08-10 | 1961-10-10 | Dow Chemical Co | Scale removal |
US3166444A (en) | 1962-04-26 | 1965-01-19 | Lubrizol Corp | Method for cleaning metal articles |
US3696044A (en) | 1970-07-02 | 1972-10-03 | Atlas Chem Ind | Sequestrant compositions |
US4264418A (en) | 1978-09-19 | 1981-04-28 | Kilene Corp. | Method for detersifying and oxide coating removal |
CA1242130A (en) | 1983-04-12 | 1988-09-20 | Silverio M. Garcia | Acidic compositions having ph values of less than about 1 and method for producing same |
US6110881A (en) * | 1990-11-05 | 2000-08-29 | Ekc Technology, Inc. | Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials |
US5909742A (en) | 1993-03-26 | 1999-06-08 | Betzdearborn Inc. | Metal cleaning method |
US5977054A (en) * | 1993-09-01 | 1999-11-02 | The Procter & Gamble Company | Mildly acidic hard surface cleaning compositions containing amine oxide detergent surfactants |
JP2731730B2 (ja) | 1993-12-22 | 1998-03-25 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | フォトレジストの除去方法 |
JPH07286172A (ja) * | 1994-04-20 | 1995-10-31 | Asahi Glass Co Ltd | エッチング液およびエッチング方法 |
US6221823B1 (en) | 1995-10-25 | 2001-04-24 | Reckitt Benckiser Inc. | Germicidal, acidic hard surface cleaning compositions |
TW416987B (en) * | 1996-06-05 | 2001-01-01 | Wako Pure Chem Ind Ltd | A composition for cleaning the semiconductor substrate surface |
US6410494B2 (en) | 1996-06-05 | 2002-06-25 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Cleaning agent |
US6323168B1 (en) | 1996-07-03 | 2001-11-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Post plasma ashing wafer cleaning formulation |
JPH1055993A (ja) * | 1996-08-09 | 1998-02-24 | Hitachi Ltd | 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
US6265781B1 (en) | 1996-10-19 | 2001-07-24 | Micron Technology, Inc. | Methods and solutions for cleaning polished aluminum-containing layers, methods for making metallization structures, and the structures resulting from these methods |
US6268323B1 (en) | 1997-05-05 | 2001-07-31 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive stripping and cleaning composition |
US5977041A (en) | 1997-09-23 | 1999-11-02 | Olin Microelectronic Chemicals | Aqueous rinsing composition |
US6033993A (en) | 1997-09-23 | 2000-03-07 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Process for removing residues from a semiconductor substrate |
GB2329901A (en) * | 1997-09-30 | 1999-04-07 | Reckitt & Colman Inc | Acidic hard surface cleaning and disinfecting compositions |
TW396446B (en) | 1997-11-27 | 2000-07-01 | Toshiba Corp | Method for the production of a and a cleanser semiconductor device |
US6231677B1 (en) | 1998-02-27 | 2001-05-15 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Photoresist stripping liquid composition |
US6635562B2 (en) | 1998-09-15 | 2003-10-21 | Micron Technology, Inc. | Methods and solutions for cleaning polished aluminum-containing layers |
JP3436346B2 (ja) | 1998-09-16 | 2003-08-11 | 宏 徳武 | 衣料用洗剤組成物 |
JP4130514B2 (ja) | 1999-05-07 | 2008-08-06 | 多摩化学工業株式会社 | 精密洗浄剤組成物 |
US6147002A (en) | 1999-05-26 | 2000-11-14 | Ashland Inc. | Process for removing contaminant from a surface and composition useful therefor |
CN1158691C (zh) | 1999-05-26 | 2004-07-21 | 气体产品及化学制品公司 | 去除表面污染物的组合物、所用方法及制造集成电路的方法 |
US6361712B1 (en) | 1999-10-15 | 2002-03-26 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Composition for selective etching of oxides over metals |
US6413923B2 (en) * | 1999-11-15 | 2002-07-02 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
US6231678B1 (en) | 1999-12-30 | 2001-05-15 | Alcoa Inc. | Chemical delacquering process |
US6419755B1 (en) | 1999-12-30 | 2002-07-16 | Alcoa Inc. | Chemical delacquering process |
US6498131B1 (en) | 2000-08-07 | 2002-12-24 | Ekc Technology, Inc. | Composition for cleaning chemical mechanical planarization apparatus |
US6503334B2 (en) | 2001-03-14 | 2003-01-07 | Hydrochem Industrial Services, Inc. | Forced mist cleaning of combustion turbines |
US6627546B2 (en) | 2001-06-29 | 2003-09-30 | Ashland Inc. | Process for removing contaminant from a surface and composition useful therefor |
US6585826B2 (en) | 2001-11-02 | 2003-07-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Semiconductor wafer cleaning method to remove residual contamination including metal nitride particles |
CN1441043A (zh) | 2002-02-06 | 2003-09-10 | 希普利公司 | 清洁用组合物 |
US20060166846A1 (en) | 2002-08-19 | 2006-07-27 | Ying-Hao Li | Remover solution |
-
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102132385B (zh) * | 2008-08-25 | 2015-02-18 | 大金工业株式会社 | 半导体干式工艺后的残渣除去液和使用该除去液的残渣除去方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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