KR20040104622A - 에치 잔여물질을 제거하기 위한 비-부식성 세척 조성물 - Google Patents
에치 잔여물질을 제거하기 위한 비-부식성 세척 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040104622A KR20040104622A KR10-2004-7017155A KR20047017155A KR20040104622A KR 20040104622 A KR20040104622 A KR 20040104622A KR 20047017155 A KR20047017155 A KR 20047017155A KR 20040104622 A KR20040104622 A KR 20040104622A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- composition
- acid
- substrate
- present
- carbon atoms
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 178
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 96
- 230000009972 noncorrosive effect Effects 0.000 title claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 135
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 83
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 72
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 44
- 150000003628 tricarboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 37
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 36
- -1 carbon atoms Thioethers Chemical class 0.000 claims description 26
- VGYYSIDKAKXZEE-UHFFFAOYSA-L hydroxylammonium sulfate Chemical compound O[NH3+].O[NH3+].[O-]S([O-])(=O)=O VGYYSIDKAKXZEE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 26
- 229910000378 hydroxylammonium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 25
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 17
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 12
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 12
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 12
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 11
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 9
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 8
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 8
- PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N sulfanyl Chemical class [SH] PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical class ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 7
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 claims description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- 150000004294 cyclic thioethers Chemical class 0.000 claims description 6
- RBLWMQWAHONKNC-UHFFFAOYSA-N hydroxyazanium Chemical compound O[NH3+] RBLWMQWAHONKNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims description 6
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 5
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- JPHVSDWIWBDHOC-UHFFFAOYSA-N 2-(carboxymethylsulfanyl)butanedioic acid Chemical compound OC(=O)CSC(C(O)=O)CC(O)=O JPHVSDWIWBDHOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000011885 synergistic combination Substances 0.000 claims description 4
- KQTIIICEAUMSDG-UHFFFAOYSA-N tricarballylic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)CC(O)=O KQTIIICEAUMSDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XMYXFZHMOVKTFV-UHFFFAOYSA-N NO.NO.NO.OC(CC(O)=O)(CC(O)=O)C(O)=O Chemical compound NO.NO.NO.OC(CC(O)=O)(CC(O)=O)C(O)=O XMYXFZHMOVKTFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 claims description 3
- LKLBILXACKXSPD-UHFFFAOYSA-O diethyl(hydroxy)azanium;nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O.CC[NH+](O)CC LKLBILXACKXSPD-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 3
- KDUGCNOFFAFOLR-UHFFFAOYSA-N diethyl(hydroxy)azanium;sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O.CC[NH+](O)CC.CC[NH+](O)CC KDUGCNOFFAFOLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YIVSWULVVGTVFT-UHFFFAOYSA-L hydroxyazanium;oxalate Chemical compound O[NH3+].O[NH3+].[O-]C(=O)C([O-])=O YIVSWULVVGTVFT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- WTDHULULXKLSOZ-UHFFFAOYSA-N hydroxylamine hydrochloride Substances Cl.ON WTDHULULXKLSOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XBUFCZMOAHHGMX-UHFFFAOYSA-N hydroxylamine;phosphoric acid Chemical compound ON.ON.ON.OP(O)(O)=O XBUFCZMOAHHGMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WCYJQVALWQMJGE-UHFFFAOYSA-M hydroxylammonium chloride Chemical compound [Cl-].O[NH3+] WCYJQVALWQMJGE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- CRJZNQFRBUFHTE-UHFFFAOYSA-N hydroxylammonium nitrate Chemical compound O[NH3+].[O-][N+]([O-])=O CRJZNQFRBUFHTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 3
- JCMYUFMDOYGRKD-UHFFFAOYSA-N 4-(2-carboxyethyl)-4-nitroheptanedioic acid Chemical compound OC(=O)CCC(CCC(O)=O)(CCC(O)=O)[N+]([O-])=O JCMYUFMDOYGRKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 10
- 239000004959 Rilsan Substances 0.000 claims 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims 2
- 241000238876 Acari Species 0.000 claims 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 claims 1
- LZGVDNRJCGPNDS-UHFFFAOYSA-N trinitromethane Chemical compound [O-][N+](=O)C([N+]([O-])=O)[N+]([O-])=O LZGVDNRJCGPNDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 abstract description 3
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 abstract 3
- 150000003627 tricarboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 abstract 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 46
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 31
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 30
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 27
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 26
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 13
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 3
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 3
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 2
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229950006191 gluconic acid Drugs 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 2
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OHVLMTFVQDZYHP-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-2-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)C(CN1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)=O OHVLMTFVQDZYHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZEVSDGEBAJOTK-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-2-[5-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]ethanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)C(CC=1OC(=NN=1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)=O KZEVSDGEBAJOTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CCO KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QWGRWMMWNDWRQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane-1,3-diol Chemical compound OCC(C)CO QWGRWMMWNDWRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 2-piperazin-1-ylethanol Chemical compound OCCN1CCNCC1 WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGGVALXERJRIRO-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-2-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-1H-pyrazol-5-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)O MGGVALXERJRIRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DFGKGUXTPFWHIX-UHFFFAOYSA-N 6-[2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]acetyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 DFGKGUXTPFWHIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical group [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N aluminum copper Chemical compound [Al].[Cu] WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDKBVBUGCNGSJJ-UHFFFAOYSA-M benzyltrimethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 NDKBVBUGCNGSJJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CDQSJQSWAWPGKG-UHFFFAOYSA-N butane-1,1-diol Chemical compound CCCC(O)O CDQSJQSWAWPGKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 239000002894 chemical waste Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 1
- ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N hexane-1,1-diol Chemical compound CCCCCC(O)O ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POCUPXSSKQAQRY-UHFFFAOYSA-N hydroxylamine;hydrate Chemical class O.ON POCUPXSSKQAQRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNFDKMXBKPSFIJ-UHFFFAOYSA-N hydroxylamine;hydrofluoride Chemical compound F.ON UNFDKMXBKPSFIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000003278 mimic effect Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- UWJJYHHHVWZFEP-UHFFFAOYSA-N pentane-1,1-diol Chemical compound CCCCC(O)O UWJJYHHHVWZFEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000010865 sewage Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VHLDQAOFSQCOFS-UHFFFAOYSA-M tetrakis(2-hydroxyethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].OCC[N+](CCO)(CCO)CCO VHLDQAOFSQCOFS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004072 triols Chemical class 0.000 description 1
- IJGSGCGKAAXRSC-UHFFFAOYSA-M tris(2-hydroxyethyl)-methylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].OCC[N+](C)(CCO)CCO IJGSGCGKAAXRSC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
- H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/265—Carboxylic acids or salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/28—Organic compounds containing halogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3245—Aminoacids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
- H01L21/02071—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/20—Industrial or commercial equipment, e.g. reactors, tubes or engines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/40—Specific cleaning or washing processes
- C11D2111/46—Specific cleaning or washing processes applying energy, e.g. irradiation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
산 | 산 1몰당구리 식각률(옹스트롬/분/몰) | 산 1몰당알루미늄식각률 | pKa1 | pKa2 | pKa3 | |
비교예 1 | 17.8 | 12.7 | 3.83 | |||
비교예 2 | 24.07 | 2.02 | 3.48 | 5.1 | ||
비교예 3 | 31.5 | 0 | 3.22 | 4.81 | ||
비교예 4 | 35.79 | 3.86 | ||||
비교예 5 | 14.79 | 0 | 4.21 | 5.64 | ||
비교예 6 | 20.58 | 2.74 | 4.76 | |||
비교예 7 | 18.77 | 14.98 | 3.86 | |||
비교예 9 | 84.08 | 14.85 | 1.271 | 4.272 | ||
비교예 10 | 26.08 | 8.75 | 3.128 | 4.76 | 6.39 |
막 | 층 설명 | 두께(옹스트롬) |
SiCN-SiC | 캡핑 층 | ~2500 |
다공성 MSQ | 층간 절연막 | ~3000 - 4000 |
SiCN | 트렌치 에치 정지(trench etch stop) | ~1000 |
다공성 MSQ | 층간 절연막 | ~3000 - 4000 |
SiCN | 비아 에치 정지(Via etch stop) | ~1000 |
구리 | 금속 | ~4000 |
BARC: | Brewer DUV 30 |
포토레지스트: | Shipley UV6 |
에치 화학: | C4F8RIE |
에쉬 화학: | N2/H2에쉬 |
제거된(1)포스트 에쉬 잔여물질의상대 등급"오래된" 기판 | 제거된(1)포스트 에쉬 잔여물질의상대 등급"새로운" 기판 | |
비교예 7 | 2 | |
실시예 1 | 4 | |
실시예 2 | 1 | |
실시예 3 | 3 | |
실시예 4 | 2 | |
실시예 5 | 3 | 1 |
실시예 6 | 2 | 1 |
실시예 7 | 2 | 1 |
실시예 8 | 3 | 1 |
비교예 8 | 구리에 대한 공격이 과도함 | |
비교예 10 | 5 | |
비교예 11 | 구리에 대한 공격이 과도함 | |
비교예 12 | 구리에 대한 공격이 과도함 |
세척 온도 | 시간 | 결과 | ||
비교예 13 | 방법 2 | 23 ℃ | 2분 | 모든 잔여물질이 제거되지 않음 |
실시예 2 | 방법 2 | 23 ℃ | 2분 | 잔여물질 없음 |
실시예 2 | 방법 2 | 40 ℃ | 2분 | 잔여물질 없음 |
실시예 2 | 방법 2 | 40 ℃ | 1분 | 잔여물질 없음 |
실시예 2 | 방법 2 | 40 ℃ | 30 초 | 잔여물질 없음 |
실시예 2 | 방법 3 | 21 ℃ | 30 초 | 잔여물질 없음 |
Claims (65)
- (a) 물; 및(b) 적어도 하나의 트리카르복시산 및 적어도 하나의 카르복시산을 상승적으로 결합(synergistic combination)한 것을 포함하는비-부식성 세척 조성물.
- 제 1항에 있어서,상기 조성물은 기판으로부터 에치 잔여물질을 제거하는 것인비-부식성 세척 조성물.
- 제 2항에 있어서,상기 에치 잔여물질은 플라즈마 에치 잔여물질인 것인비-부식성 세척 조성물.
- 제 1항에 있어서,상기 적어도 하나의 트리카르복시산 및 적어도 하나의 카르복시산을 상승적으로 결합한 것은 오직 트리카르복시산 또는 카르복시산 단독만을 갖는 세척 조성물과 비교하여 강화된 성능을 갖는(enhance) 세척 조성물을 제공하는 것인비-부식성 세척 조성물.
- 제 1항에 있어서,상기 적어도 하나의 트리카르복시산은 다음의 화학식:을 갖고,상기 식 중,상기 n, m, 및 p는 1 내지 6 범위에 있는 각각 독립적인 정수이고;상기 R, R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6는 수소, 히드록실, 메르캅토(mercapto), 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 알리사이클릭(alicyclic) 또는 사이클릭 티오에테르, 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 저급 알콕시 기, 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 가지형 또는 선형 저급 알킬 기, 3 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 사이클릭 알킬 기, 페닐, 아릴, 니트로 및 할로겐으로 구성된 군으로부터 각각 독립적으로 선택되는 것인비-부식성 세척 조성물.
- 제 5항에 있어서,상기 화학식을 갖는 상기 적어도 하나의 트리카르복시산은 트리카르발릴산(tricarballylic acid),베타-메틸트리카르발릴산(beta-methyltricarballylic acid), 시트르산, 니트로메탄트리스프로피온산, 및 2-(카르복시메틸티오) 숙신산으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인비-부식성 세척 조성물.
- 제 1항에 있어서,상기 적어도 하나의 트리카르복시산은 상기 조성물내에서 약 0.01 중량 % 내지 약 10 중량 %의 양으로 존재하는 것인비-부식성 세척 조성물.
- 제 1항에 있어서,상기 적어도 하나의 트리카르복시산은 상기 조성물내에서 약 0.05 중량 % 내지 약 3 중량 %의 양으로 존재하는 것인비-부식성 세척 조성물.
- 제 1항에 있어서,상기 적어도 하나의 트리카르복시산은 상기 조성물내에서 약 0.1 중량 % 내지 약 2 중량 %의 양으로 존재하는 것인비-부식성 세척 조성물.
- 제 1항에 있어서,상기 적어도 하나의 카르복시산은 약 3 내지 약 6 사이의 pKa를 갖는 것인비-부식성 세척 조성물.
- 제 1항에 있어서,상기 적어도 하나의 카르복시산은 다음의 화학식:을 갖고,상기 식 중 상기 q는 0 내지 6 범위의 정수이고;상기 R7, 및 R8은 수소, 히드록실, 메르캅토, 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 알리사이클릭 또는 사이클릭 티오에테르, 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 저급 알콕시 기, 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 가지형 또는 선형 저급 알킬 기, 3 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 사이클릭 알킬 기, 페닐, 아릴, 니트로 및 할로겐으로 구성된 군으로부터 각각 독립적으로 선택되고; 및상기 R9은 수소, 카르복시산, 히드록실, 메르캅토, 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 알리사이클릭 또는 사이클릭 티오에테르, 1 내지 4 탄소 원자를 갖는 저급 알콕시 기, 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 가지형 또는 선형 저급 알킬 기, 3 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 사이클릭 알킬 기, 페닐, 아릴, 니트로 및 할로겐으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인비-부식성 세척 조성물.
- 제 11항에 있어서,상기 화학식을 갖는 상기 적어도 하나의 카르복시산은 포르믹(formic), 아세틱(acetic), 프로피오닉(propionic), 부티릭(butyric), 발레릭(valeric), 트리메틸아세틱, 이소발레릭, 숙시닉(succinic), 메틸숙시닉, 글루타릭(glutaric), 수베릭(suberic), 글리콜릭(glycolic), 락틱(lactic), 2-히드록시이소부티릭, 3-히드록시부티릭, 말릭(malic), 시트라말릭(citramalic), 타타릭(tartaric), 에톡시아세틱, 테트라히드로-3-퓨로익(tetrahydro-3-furoic), 디글리콜릭, 메르캅토숙시닉, 티오락틱, 시클로헥실아세틱, 디시클로헥실아세틱, 및 1,1-시클로헥산디아세틱으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인비-부식성 세척 조성물.
- 제 1항에 있어서,상기 적어도 하나의 카르복시산은 상기 조성물내에서 약 0.01 중량 % 내지 약 10 중량 %의 양으로 존재하는 것인비-부식성 세척 조성물.
- 제 1항에 있어서,상기 적어도 하나의 카르복시산은 상기 조성물내에서 약 0.05 중량 % 내지약 3 중량 %의 양으로 존재하는 것인비-부식성 세척 조성물.
- 제 1항에 있어서,상기 적어도 하나의 카르복시산은 상기 조성물내에서 약 0.1 중량 % 내지 약 2 중량 %의 양으로 존재하는 것인비-부식성 세척 조성물.
- 제 1항에 있어서,상기 적어도 하나의 트리카르복시산 및 적어도 하나의 카르복시산을 상승적으로 결합한 것은 상기 조성물내에서 약 1 : 5 내지 약 5 : 1의 중량 비율로 존재하는 것인비-부식성 세척 조성물.
- 제 1항에 있어서,상기 적어도 하나의 트리카르복시산 및 적어도 하나의 카르복시산을 상승적으로 결합한 것은 상기 조성물내에서 약 1 : 3 내지 약 3 : 1의 중량 비율로 존재하는 것인비-부식성 세척 조성물.
- 제 1항에 있어서,상기 적어도 하나의 트리카르복시산 및 적어도 하나의 카르복시산을 상승적으로 결합한 것은 상기 조성물내에서 약 1 : 1의 중량 비율로 존재하는 것인비-부식성 세척 조성물.
- 제 1항에 있어서,다음의 화학식:을 갖고,상기 식 중, 상기 R10, R11, 및 R12는,상기 R10,R11및 R12중 적어도 두개는 수소, 저급 알킬 기 또는 저급 알콕시 기일 것을 조건으로 하여,수소, 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 저급 알킬 기, 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 저급 알콕시 기, 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 히드록실 및 히드록실-치환된 저급 알킬 기로부터 개별적으로 선택되고, 및상기 X는 히드록실 암모늄 양이온 또는 4차 암모늄 양이온과 함께 수용성 염을 형성하는 음이온성 부분이고, 및 상기 r은 상기 X의 원자가이면서 1내지 3인 것인 히드록실암모늄(hydroxylammonium) 화합물을 적어도 하나 더 포함하는비-부식성 세척 조성물.
- 제 19항에 있어서,상기 적어도 하나의 히드록실암모늄 화합물은 히드록실암모늄 염, 히드록실암모늄 질산염, 히드록실암모늄 황산염, 히드록실암모늄 인산염, 히드록실암모늄 클로라이드, 히드록실암모늄 옥살산염, 히드록실암모늄 시트르산염, 히드록실암모늄 플로라이드, N,N-디에틸히드록실암모늄 황산염, 및 N,N-디에틸히드록실암모늄 질산염으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나인 것인비-부식성 세척 조성물.
- 제 19항에 있어서,상기 적어도 하나의 히드록실암모늄 화합물은, 상기 조성물내에 존재하는 경우, 약 0.001 중량 % 내지 약 10 중량 %의 양으로 존재하는 것인비-부식성 세척 조성물.
- 제 1항에 있어서,염기 화합물을 적어도 하나 더 포함하는비-부식성 세척 조성물.
- 제 22항에 있어서,상기 적어도 하나의 염기 화합물은 아민, 4차 수산화암모늄, 및 이들의 가능한 조합(any combination)으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인비-부식성 세척 조성물.
- 제 22항에 있어서,상기 적어도 하나의 염기는 상기 조성물내에서 약 0.001 중량 % 내지 약 1 중량 %의 양으로 존재하는 것인비-부식성 세척 조성물.
- 제 1항에 있어서,용매를 적어도 하나 더 포함하는비-부식성 세척 조성물.
- 제 25항에 있어서,상기 적어도 하나의 용매는 폴리올 화합물, 글리콜 에테르, 및 이들의 가능한 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인비-부식성 세척 조성물.
- 제 25항에 있어서,상기 적어도 하나의 용매는 상기 조성물내에서 약 0.1 중량 % 내지 약 30 중량 %의 양으로 존재하는 것인비-부식성 세척 조성물.
- 제 1항에 있어서,킬레이팅 화합물, 계면 활성제, 및 이들의 가능한 조합으로 구성된 군으로부터 선택된 첨가제를 적어도 하나 더 포함하는비-부식성 세척 조성물.
- 제 28항에 있어서,상기 적어도 하나의 첨가제는 상기 조성물내에서 약 0.001 중량 % 내지 약 10 중량 %의 양으로 존재하는 것인비-부식성 세척 조성물.
- 물; 및 락트산 및 시트르산을 상승적으로 결합한 것을 포함하는 기판상의 플라즈마 에치 잔여물질 제거용 비-부식성 세척 조성물.
- 제 30항에 있어서,상기 물은 상기 조성물내에서 약 90 중량 % 내지 약 99.98 중량 %의 양으로 존재하는 것인기판상의 플라즈마 에치 잔여물질 제거용 비-부식성 세척 조성물.
- 제 30항에 있어서,상기 시트르산 및 락트산을 상승적으로 결합한 것은 상기 조성물내에서 약 3 : 1 내지 약 1 : 3의 중량 비율로 존재하는 것인기판상의 플라즈마 에치 잔여물질 제거용 비-부식성 세척 조성물.
- 제 30항에 있어서,상기 시트르산 및 락트산을 상승적으로 결합한 것은 상기 조성물내에서 약 1 : 1의 중량 비율로 존재하는 것인기판상의 플라즈마 에치 잔여물질 제거용 비-부식성 세척 조성물.
- 제 30항에 있어서,상기 락트산은 상기 조성물내에서 약 0.4 중량 % 내지 약 1.5 중량 %의 양으로 존재하는 것인기판상의 플라즈마 에치 잔여물질 제거용 비-부식성 세척 조성물.
- 제 30항에 있어서,상기 시트르산은 상기 조성물내에서 약 0.5 중량 % 내지 약 1.6 중량 %의 양으로 존재하는 것인기판상의 플라즈마 에치 잔여물질 제거용 비-부식성 세척 조성물.
- 제 30항에 있어서,상기 조성물내에서 약 0.001 중량 % 내지 약 10 중량 %의 양으로 존재하는 히드록실암모늄 화합물을 적어도 하나 더 포함하는기판상의 플라즈마 에치 잔여물질 제거용 비-부식성 세척 조성물.
- 제 36항에 있어서,상기 적어도 하나의 히드록실암모늄 화합물은 히드록실암모늄 황산염인 것인기판상의 플라즈마 에치 잔여물질 제거용 비-부식성 세척 조성물.
- 제 37항에 있어서,약 0.001 중량 % 내지 약 1 중량 %의 양의 염기 화합물을 적어도 하나 더 포함하는기판상의 플라즈마 에치 잔여물질 제거용 비-부식성 세척 조성물.
- 제 38항에 있어서,상기 적어도 하나의 염기 화합물은 수산화 테트라메틸암모늄인 것인기판상의 플라즈마 에치 잔여물질 제거용 비-부식성 세척 조성물.
- 물; 및 적어도 하나의 트리카르복시산 및 적어도 하나의 카르복시산을 상승적으로 결합한 것을 포함하는 세척 조성물과 기판을 접촉시키는 단계를 포함하고,잔여물질은 상기 기판으로부터 제거되는 것인기판으로부터 잔여물질을 제거하는 방법.
- 제 40항에 있어서,상기 기판은 새로운 기판 또는 오래된 기판인 것인기판으로부터 잔여물질을 제거하는 방법.
- 제 40항에 있어서,상기 세척 조성물은 약 20 ℃ 내지 약 60 ℃의 온도를 갖는 것인기판으로부터 잔여물질을 제거하는 방법.
- 제 40항에 있어서,상기 방법은 약 10 초 내지 약 30 분의 세척 시간을 갖는 것인기판으로부터 잔여물질을 제거하는 방법.
- 제 40항에 있어서,상기 기판은 침지(immersion), 스프레이 린스(spray rinsing), 스트리밍(streaming), 및 이들의 가능한 조합으로 구성된 군으로부터 선택된 방법에 의해 상기 세척 조성물과 접촉되는 것인기판으로부터 잔여물질을 제거하는 방법.
- 제 40항에 있어서,상기 방법은 건조 스트리핑, 02플라즈마 에싱(ashing), 오존 가스 상 처리(ozone gas phase treatment), 플루오르 플라즈마 처리(fluorine plasma treatment), 고온 H2가스 처리, 및 이들의 가능한 조합으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 포토레지스트 스트리핑 프로세스와 결합하여 수행되는 것인기판으로부터 잔여물질을 제거하는 방법.
- 제 40항에 있어서,상기 방법은 적어도 하나의 유기 습식 스트리핑 프로세스(organic wet stripping process)와 결합하여 수행되는 것인기판으로부터 잔여물질을 제거하는 방법.
- 제 46항에 있어서,상기 적어도 하나의 유기 습식 스트리핑 프로세스는 오존화된 물로 처리하는 방법인 것인기판으로부터 잔여물질을 제거하는 방법.
- 제 40항에 있어서,상기 적어도 하나의 트리카르복시산 및 적어도 하나의 카르복시산을 상승적으로 결합한 것은 오직 트리카르복시산 또는 카르복시산 단독만을 갖는 세척 조성물과 비교하여 상기 기판에 대한 강화된 세척력을 제공하는 것인조성물.
- 제 40항에 있어서,상기 적어도 하나의 트리카르복시산은 다음의 화학식 :을 갖고,상기 식 중, 상기 n, m, 및 p는 1 내지 6 범위의 각각 독립적인 정수이고;상기 R, R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6은 수소, 히드록실, 메르캅토, 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 알리사이클릭 또는 사이클릭 티오에테르, 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 저급 알콕시 기, 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 가지형 또는 선형 저급 알킬 기, 3 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 사이클릭 알킬 기, 페닐, 아릴, 니트로 및 할로겐으로 구성된 군으로부터 각각 독립적으로 선택되는 것인조성물.
- 제 49항에 있어서,상기 화학식을 갖는 상기 적어도 하나의 트리카르복시산은 트리카르발릴산,베타-메틸트리카르발릴산, 시트르산, 니트로메탄트리스프로피온산, 및 2-(카르복시메틸티오) 숙신산으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인조성물.
- 제 40항에 있어서,상기 적어도 하나의 트리카르복시산은 상기 조성물내에서 약 0.01 중량 % 내지 약 10 중량 %의 양으로 존재하는 것인조성물.
- 제 40항에 있어서,상기 적어도 하나의 트리카르복시산은 상기 조성물내에서 약 0.05 중량 % 내지 약 3 중량 %의 양으로 존재하는 것인조성물.
- 제 40항에 있어서,상기 적어도 하나의 트리카르복시산은 상기 조성물내에서 약 0.1 중량 % 내지 약 2 중량 %의 양으로 존재하는 것인조성물.
- 제 40항에 있어서,상기 적어도 하나의 카르복시산은 약 3 내지 약 6 사이의 pKa를 갖는 것인조성물.
- 제 40항에 있어서,상기 적어도 하나의 카르복시산은 다음의 화학식 :을 갖고,상기 식 중, 상기 q는 0 내지 6 범위의 정수이고;상기 R7, 및 R8은 수소, 히드록실, 메르캅토, 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 알리사이클릭 또는 사이클릭 티오에테르, 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 저급 알콕시 기, 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 가지형 또는 선형 저급 알킬 기, 3 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 사이클릭 알킬 기, 페닐, 아릴, 니트로 및 할로겐으로 구성된 군으로부터 각각 독립적으로 선택되고; 및상기 R9는 수소, 카르복시산, 히드록실, 메르캅토, 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 알리사이클릭 또는 사이클릭 티오에테르, 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 저급 알콕시 기, 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 가지형 또는 선형 저급 알킬 기, 3 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 사이클릭 알킬 기, 페닐, 아릴, 니트로 및 할로겐으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인조성물.
- 제 55항에 있어서,상기 화학식을 갖는 상기 적어도 하나의 카르복시산은 포르믹, 아세틱, 프로피오닉, 부티릭, 발레릭, 트리메틸아세틱, 이소발레릭, 숙시닉, 메틸숙시닉, 글루타릭, 수베릭, 글리콜릭, 락틱, 2-히드록시이소부티릭, 3-히드록시부티릭, 말릭, 시트라말릭, 타타릭, 에톡시아세틱, 테트라히드로-3-퓨로익, 디글리콜릭, 메르캅토숙시닉, 티오락틱, 시클로헥실아세틱, 디시클로헥실아세틱, 및 1,1-시클로헥산디아세틱으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인조성물.
- 제 40항에 있어서,상기 적어도 하나의 카르복시산은 상기 조성물내에서 약 0.01 중량 % 내지 약 10 중량 %의 양으로 존재하는 것인조성물.
- 제 40항에 있어서,상기 적어도 하나의 카르복시산은 상기 조성물내에서 약 0.05 중량 % 내지 약 3 중량 %의 양으로 존재하는 것인조성물.
- 제 40항에 있어서,상기 적어도 하나의 카르복시산은 상기 조성물내에서 약 0.1 중량 % 내지 약 2 중량 %의 양으로 존재하는 것인조성물.
- 제 40항에 있어서,상기 적어도 하나의 트리카르복시산 및 적어도 하나의 카르복시산을 상승적으로 결합한 것은 상기 조성물내에서 약 1 : 5 내지 약 5 : 1의 중량 비율로 존재하는 것인조성물.
- 제 40항에 있어서,상기 적어도 하나의 트리카르복시산 및 적어도 하나의 카르복시산을 상승적으로 결합한 것은 상기 조성물내에서 약 1 : 3 내지 약 3 : 1의 중량 비율로 존재하는 것인조성물.
- 제 40항에 있어서,상기 적어도 하나의 트리카르복시산 및 적어도 하나의 카르복시산을 상승적으로 결합한 것은 상기 조성물내에서 약 1 : 1의 중량 비율로 존재하는 것인조성물.
- 제 40항에 있어서,하기 화학식:을 갖고,상기 식 중, 상기 R10, R11, 및 R12는,상기 R10,R11및 R12중 적어도 두개는 수소, 저급 알킬 기 또는 저급 알콕시 기일 것을 조건으로 하여,수소, 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 저급 알킬 기, 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 저급 알콕시 기, 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 히드록실 및 히드록실-치환된 저급 알킬 기로부터 개별적으로 선택되고, 및상기 X는 히드록실 암모늄 양이온 또는 4차 암모늄 양이온과 함께 수용성 염을 형성하는 음이온성 부분이고, 및 상기 r은 상기 X의 원자가이면서 1내지 3인 것인 히드록실암모늄 화합물을 적어도 하나 더 포함하는조성물.
- 제 63항에 있어서,상기 적어도 하나의 히드록실암모늄 화합물은 히드록실암모늄 염, 히드록실암모늄 질산염, 히드록실암모늄 황산염, 히드록실암모늄 인산염, 히드록실암모늄 클로라이드, 히드록실암모늄 옥살산염, 히드록실암모늄 시트르산염, 히드록실암모늄 플로라이드, N,N-디에틸히드록실암모늄 황산염, 및 N,N-디에틸히드록실암모늄 질산염으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 것인조성물.
- 제 63항에 있어서,상기 적어도 하나의 히드록실암모늄 화합물은, 상기 조성물내에 존재하는 경우, 약 0.001 중량 % 내지 약 10 중량 %의 양으로 존재하는 것인조성물.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US37561302P | 2002-04-25 | 2002-04-25 | |
US60/375,613 | 2002-04-25 | ||
PCT/US2003/012486 WO2003091377A1 (en) | 2002-04-25 | 2003-04-24 | Non-corrosive cleaning compositions for removing etch residues |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040104622A true KR20040104622A (ko) | 2004-12-10 |
KR100997180B1 KR100997180B1 (ko) | 2010-11-29 |
Family
ID=29270671
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020047017155A KR100997180B1 (ko) | 2002-04-25 | 2003-04-24 | 에치 잔여물질을 제거하기 위한 비-부식성 세척 조성물 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7935665B2 (ko) |
EP (1) | EP1501916B1 (ko) |
JP (1) | JP4634718B2 (ko) |
KR (1) | KR100997180B1 (ko) |
AT (1) | ATE434033T1 (ko) |
DE (1) | DE60328014D1 (ko) |
TW (1) | TWI297725B (ko) |
WO (1) | WO2003091377A1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011019189A2 (ko) * | 2009-08-11 | 2011-02-17 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7084070B1 (en) * | 2001-03-30 | 2006-08-01 | Lam Research Corporation | Treatment for corrosion in substrate processing |
TWI365491B (en) * | 2003-12-24 | 2012-06-01 | Kao Corp | Composition for cleaning semiconductor device |
US8338087B2 (en) * | 2004-03-03 | 2012-12-25 | Advanced Technology Materials, Inc | Composition and process for post-etch removal of photoresist and/or sacrificial anti-reflective material deposited on a substrate |
US7268071B2 (en) | 2005-01-12 | 2007-09-11 | Sony Corporation | Dual damascene interconnections having low K layer with reduced damage arising from photoresist stripping |
US7923423B2 (en) * | 2005-01-27 | 2011-04-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions for processing of semiconductor substrates |
SG158920A1 (en) * | 2005-01-27 | 2010-02-26 | Advanced Tech Materials | Compositions for processing of semiconductor substrates |
US7713885B2 (en) * | 2005-05-11 | 2010-05-11 | Micron Technology, Inc. | Methods of etching oxide, reducing roughness, and forming capacitor constructions |
EP1721961B1 (en) * | 2005-05-12 | 2009-04-22 | The Procter and Gamble Company | Liquid acidic hard surface cleaning composition |
EP1721960A1 (en) * | 2005-05-12 | 2006-11-15 | The Procter & Gamble Company | Liquid acidic hard surface cleaning composition |
KR101304622B1 (ko) * | 2006-08-29 | 2013-09-05 | 동우 화인켐 주식회사 | 세정제 조성물 |
US20080076688A1 (en) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Barnes Jeffrey A | Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use |
JP5232381B2 (ja) * | 2006-11-28 | 2013-07-10 | 株式会社ネオス | ノンリンス型水溶性洗浄剤組成物 |
US8178078B2 (en) | 2008-06-13 | 2012-05-15 | S.C. Johnson & Son, Inc. | Compositions containing a solvated active agent suitable for dispensing as a compressed gas aerosol |
US8747564B2 (en) * | 2008-08-25 | 2014-06-10 | Daikin Industries, Ltd. | Solution for removal of residue after semiconductor dry process and residue removal method using same |
RU2551841C2 (ru) * | 2009-05-07 | 2015-05-27 | Басф Се | Композиции для удаления резиста и способы изготовления электрических устройств |
JP5646882B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-12-24 | 富士フイルム株式会社 | 洗浄組成物、洗浄方法、及び半導体装置の製造方法 |
JP5513196B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2014-06-04 | 富士フイルム株式会社 | 洗浄組成物及び半導体装置の製造方法 |
US20120090648A1 (en) * | 2010-10-15 | 2012-04-19 | United Microelectronics Corp. | Cleaning method for semiconductor wafer and cleaning device for semiconductor wafer |
KR101830170B1 (ko) * | 2011-05-17 | 2018-02-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 산화물 반도체 소자, 산화물 반도체 소자의 제조 방법, 산화물 반도체소자를 포함하는 표시 장치 및 산화물 반도체 소자를 포함하는 표시 장치의 제조 방법 |
CA3085086C (en) | 2011-12-06 | 2023-08-08 | Delta Faucet Company | Ozone distribution in a faucet |
CN108463437B (zh) | 2015-12-21 | 2022-07-08 | 德尔塔阀门公司 | 包括消毒装置的流体输送系统 |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3003898A (en) | 1960-08-10 | 1961-10-10 | Dow Chemical Co | Scale removal |
US3166444A (en) | 1962-04-26 | 1965-01-19 | Lubrizol Corp | Method for cleaning metal articles |
US3696044A (en) | 1970-07-02 | 1972-10-03 | Atlas Chem Ind | Sequestrant compositions |
US4264418A (en) | 1978-09-19 | 1981-04-28 | Kilene Corp. | Method for detersifying and oxide coating removal |
CA1242130A (en) | 1983-04-12 | 1988-09-20 | Silverio M. Garcia | Acidic compositions having ph values of less than about 1 and method for producing same |
US6110881A (en) * | 1990-11-05 | 2000-08-29 | Ekc Technology, Inc. | Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials |
US5909742A (en) | 1993-03-26 | 1999-06-08 | Betzdearborn Inc. | Metal cleaning method |
US5977054A (en) * | 1993-09-01 | 1999-11-02 | The Procter & Gamble Company | Mildly acidic hard surface cleaning compositions containing amine oxide detergent surfactants |
JP2731730B2 (ja) * | 1993-12-22 | 1998-03-25 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | フォトレジストの除去方法 |
JPH07286172A (ja) * | 1994-04-20 | 1995-10-31 | Asahi Glass Co Ltd | エッチング液およびエッチング方法 |
US6221823B1 (en) * | 1995-10-25 | 2001-04-24 | Reckitt Benckiser Inc. | Germicidal, acidic hard surface cleaning compositions |
US6410494B2 (en) * | 1996-06-05 | 2002-06-25 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Cleaning agent |
TW416987B (en) | 1996-06-05 | 2001-01-01 | Wako Pure Chem Ind Ltd | A composition for cleaning the semiconductor substrate surface |
US6323168B1 (en) | 1996-07-03 | 2001-11-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Post plasma ashing wafer cleaning formulation |
JPH1055993A (ja) * | 1996-08-09 | 1998-02-24 | Hitachi Ltd | 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
US6265781B1 (en) | 1996-10-19 | 2001-07-24 | Micron Technology, Inc. | Methods and solutions for cleaning polished aluminum-containing layers, methods for making metallization structures, and the structures resulting from these methods |
US6268323B1 (en) | 1997-05-05 | 2001-07-31 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive stripping and cleaning composition |
US5977041A (en) | 1997-09-23 | 1999-11-02 | Olin Microelectronic Chemicals | Aqueous rinsing composition |
US6033993A (en) * | 1997-09-23 | 2000-03-07 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Process for removing residues from a semiconductor substrate |
GB2329901A (en) * | 1997-09-30 | 1999-04-07 | Reckitt & Colman Inc | Acidic hard surface cleaning and disinfecting compositions |
TW396446B (en) | 1997-11-27 | 2000-07-01 | Toshiba Corp | Method for the production of a and a cleanser semiconductor device |
US6231677B1 (en) | 1998-02-27 | 2001-05-15 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Photoresist stripping liquid composition |
US6635562B2 (en) | 1998-09-15 | 2003-10-21 | Micron Technology, Inc. | Methods and solutions for cleaning polished aluminum-containing layers |
JP3436346B2 (ja) | 1998-09-16 | 2003-08-11 | 宏 徳武 | 衣料用洗剤組成物 |
JP4130514B2 (ja) * | 1999-05-07 | 2008-08-06 | 多摩化学工業株式会社 | 精密洗浄剤組成物 |
US6147002A (en) | 1999-05-26 | 2000-11-14 | Ashland Inc. | Process for removing contaminant from a surface and composition useful therefor |
EP1196943A4 (en) | 1999-05-26 | 2007-01-17 | Air Prod & Chem | PROCESS FOR REMOVING CONTAMINATION FROM THE SURFACE AND USEFUL COMPOSITIONS THEREOF |
US6361712B1 (en) | 1999-10-15 | 2002-03-26 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Composition for selective etching of oxides over metals |
US6413923B2 (en) | 1999-11-15 | 2002-07-02 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
US6231678B1 (en) * | 1999-12-30 | 2001-05-15 | Alcoa Inc. | Chemical delacquering process |
US6419755B1 (en) * | 1999-12-30 | 2002-07-16 | Alcoa Inc. | Chemical delacquering process |
US6498131B1 (en) | 2000-08-07 | 2002-12-24 | Ekc Technology, Inc. | Composition for cleaning chemical mechanical planarization apparatus |
US6503334B2 (en) | 2001-03-14 | 2003-01-07 | Hydrochem Industrial Services, Inc. | Forced mist cleaning of combustion turbines |
US6627546B2 (en) * | 2001-06-29 | 2003-09-30 | Ashland Inc. | Process for removing contaminant from a surface and composition useful therefor |
US6585826B2 (en) * | 2001-11-02 | 2003-07-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Semiconductor wafer cleaning method to remove residual contamination including metal nitride particles |
EP1335016A1 (en) * | 2002-02-06 | 2003-08-13 | Shipley Company LLC | Cleaning composition |
CN1646732A (zh) * | 2002-08-19 | 2005-07-27 | 伊默克化学科技股份有限公司 | 清洗液 |
-
2003
- 2003-04-24 EP EP03736483A patent/EP1501916B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-24 DE DE60328014T patent/DE60328014D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-24 AT AT03736483T patent/ATE434033T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-04-24 WO PCT/US2003/012486 patent/WO2003091377A1/en active Application Filing
- 2003-04-24 TW TW092109594A patent/TWI297725B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-04-24 KR KR1020047017155A patent/KR100997180B1/ko active IP Right Grant
- 2003-04-24 JP JP2003587913A patent/JP4634718B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-04-24 US US10/421,506 patent/US7935665B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011019189A2 (ko) * | 2009-08-11 | 2011-02-17 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 |
WO2011019189A3 (ko) * | 2009-08-11 | 2011-06-23 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 |
US9081291B2 (en) | 2009-08-11 | 2015-07-14 | Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. | Resist stripping solution composition, and method for stripping resist by using same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2003091377A1 (en) | 2003-11-06 |
JP4634718B2 (ja) | 2011-02-16 |
KR100997180B1 (ko) | 2010-11-29 |
DE60328014D1 (de) | 2009-07-30 |
TW200307742A (en) | 2003-12-16 |
US7935665B2 (en) | 2011-05-03 |
EP1501916B1 (en) | 2009-06-17 |
TWI297725B (en) | 2008-06-11 |
EP1501916A4 (en) | 2005-09-14 |
JP2005532423A (ja) | 2005-10-27 |
US20030235996A1 (en) | 2003-12-25 |
ATE434033T1 (de) | 2009-07-15 |
EP1501916A1 (en) | 2005-02-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100997180B1 (ko) | 에치 잔여물질을 제거하기 위한 비-부식성 세척 조성물 | |
KR100368193B1 (ko) | 수성 세정 조성물 | |
KR100859900B1 (ko) | 레지스트 박리조성물 | |
KR101557979B1 (ko) | 세정 포뮬레이션 | |
JP3796622B2 (ja) | 非腐食性のストリッピングおよびクリーニング組成物 | |
KR102040667B1 (ko) | 세정 포뮬레이션 | |
US20020052301A1 (en) | Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials | |
JP2001517863A (ja) | 半導体基板から残留物を除去する方法 | |
KR20020044593A (ko) | 플라즈마 에칭 잔류물 제거용 비부식성 세정 조성물 | |
CA2590325A1 (en) | Resist, barc and gap fill material stripping chemical and method | |
US11091727B2 (en) | Post etch residue cleaning compositions and methods of using the same | |
US7205265B2 (en) | Cleaning compositions and methods of use thereof | |
US6242400B1 (en) | Method of stripping resists from substrates using hydroxylamine and alkanolamine | |
JP2023133294A (ja) | 洗浄用組成物 | |
KR102321217B1 (ko) | 에칭 후 잔여물 세정 조성물 및 이의 사용 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131107 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141106 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151106 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161107 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180103 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181121 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191120 Year of fee payment: 10 |