TWI297390B - Cof flexible printed wiring board and method of producing the wiring board - Google Patents

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TWI297390B TW094133469A TW94133469A TWI297390B TW I297390 B TWI297390 B TW I297390B TW 094133469 A TW094133469 A TW 094133469A TW 94133469 A TW94133469 A TW 94133469A TW I297390 B TWI297390 B TW I297390B
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Hidetoshi Awata
Yasuhiro Kiridoshi
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Mitsui Mining & Smelting Co
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Description

1297390 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種安裝IC(Integrated Circuit)或 LSiaarge Scale Integration)等電子零件之 c〇F 薄膜捲 帶（carrier tape)、C0F 用可撓性印刷電路（Fpc:Flexible
Printed Circuit)等可撓性印刷電路板及其製造方法。 【先前技術】 鲁 隨著電子產業的發展，對安裴1C(積體電路）、LSI(大 '規模積體電路）等電子零件之印刷電路板的需求急遽增 加，因此對電子機器方面係期待小型化、輕量化、以及高 功能化，而作為該等電子零件之安裝方法，近來係採用= 捲帶自動結合[TAB(Tape Automated Bonding)]捲帶、T 型 球型陣列[T-BGA(Ball Grid Array)]捲帶、ASIC 捲帶、 FPC(可撓性印刷電路）等電子零件安裝用薄膜捲帶之安裝 方法三尤其’在如個人電腦、行動電話等期待使用高精密 鲁化、薄型化、液晶晝面之邊端面積窄小化之液晶顯示元件 (LCD : liquidcrystal display)的電子產業當中，其重要 性曰漸增高。 〃 而且，對於在較小之空間進行更高密度安裝之安妒方 法方面，將1C裸晶直接搭載於可撓性印刷電路板上之c〇F (薄膜覆晶）業已實用化。 由於該C0F所使用之可撓性印刷電路板不具有裝置孔 (device hole)，因此當使用事先使導體層與絕緣層積層之 積層膜而將IC晶片直接搭載於電路圖案上時，例二^二穿 317460 5 1297390 過^緣層而經辨識之内引線（inner lead)或定位記號而進 仃疋位，並在該狀態下，經由加熱工具而進行π晶片與電 路圖案’亦即，與内引腳之接合（如參考專利文獻 另外，如此之半導體晶片的安裝係在絕緣層直接接觸 加熱工具之狀態下進行，而因在該狀態係藉由加熱工具加 熱至極高溫，因此便產生絕緣層溶著於加熱工具之現象， :成為導致製造裝置停頓之根源，而且，會產生所謂的捲 •帶變形，問題。另外，在與加熱工具融為一體之情況下， 會發生污染加熱工具而破壞其信賴性、以及生產性之問題。 二重加熱工具之融著，在對無裝置孔之c〇f薄膜捲帶 或C0F在此用FPC安裝半導體晶片時則係為問題。 在此’為了防止加熱工具之融著，即開發出一種將脫 模層安裝於内面之C〇F薄膜捲帶（參考專利文獻2)。 —然而’如此將裝設脫模層之⑽薄膜捲帶在其 者隔離片（spacer tape)而直接捲入並出貨，一直 二安裝為止之長保管期間、或在IC晶片安裝前 = 案切成短片狀並重疊絲時，在面板安裝（外料接人 (Outer lead B〇nding))時’例如經由異方性導電膜 (Anisotropic Conductive Fil in，Am ^ 、 + n士 〇 Mlm，ACF)與可撓性基板接人 之日守’便有接合力不足之問題。 口 (專利文獻1) 曰本專利申請案早期公開㈣簡一 28咖號公報 弟至6圖，第「0004」、「〇〇〇5」段等） (專利文獻2) 317460 6 1297390 曰本專利申請案早期公開特開2004_207670號公報 (申請專利範圍） 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 本發明之課題係因鑑於上述情況，而提供-種C0F用 可撓性印刷電路板及其製造方法，其中之⑽用可挽性印 刷電路板之絕緣層不會熱融著於加熱王具，結半導體晶 片等電子零件安裝後可防止面板絲時之接合力的降低， 而提昇生產線的可靠度以及生產性。 (發明所欲解決之手段） 解决上述課題的本發明之第1形態為··該C0F用可撓 佳印刷屯路板具備有絕緣層之以及將積層於該絕緣層之至 少面的導體層予以圖案化而形成、同時安裝有半導體晶 片：，路圖案’该c〇F可撓性印刷電路板係在上述絕緣層 :安·裝有上述半導體晶片側的相反侧之面上，設置由具有 3 Si 70素之化合物的脫模劑所形成之脫 為以X射線榮光光譜儀檢測之㈣度成為0.15至2.如子s 者。 在忒第1形態中，為使Si強度在預定的範圍，而控制 脫模劑之膜厚，即可防止加熱卫具之㈣、以 板時防止接合力的降低。 才 本么明之第2形態為：在第}實施形態之⑶F用可撓 性印刷電路板中，上述脫模㈣設置成，使其膜厚為以χ 射線螢先光譜儀檢測之Si強度成為0.3至〇kcps者。 317460 7 -1297390 在4第2形態中，由於脫模層之膜厚經控制而使si ’，度成A 0.3i l.0kcps，目此可確實防止加熱工具之融 著以及在文裝面板時防止接合力的降低。 本發明之第3形態為··在第！或第2形態中之⑶F用 可撓性印刷電路板中，該脫模層係含有選自石夕院化合物、 石夕溶膠（s i 1 i ca so 1)之中至少一種的脫模劑。 在該第3形態中，則更確實地防止加熱工具之融著。 鲁 本發明之第4形態為··-種C0F用可撓性印刷電路板 之製造方法’該⑽用可撓性印刷電路板係具備絕緣層； 以及將積層於該絕緣層之至少一面的導體層予以圖案化而 形成、同時安裝有半導體晶片之電路圖案，該方法係在上 =絕緣層之安裝有上述半導體晶片側的相反側之面上，當 衣n又由g有具S i元素之化合物的脫模劑所形成之脫模層 時，使其膜厚為以X射線螢光光譜儀檢測之Si強度成^ 〇. 15 至 2. 5kcps 者。 瞻 在該第4形態中，由於將脫模劑之膜厚控制在&強度 為預定之範圍，因此便可防止加熱工具之融著、以及在安 裝面板時防止接合力的降低。 本發明之第5形態為：在第4形態的C0F用可撓性印 刷電路板之製造方法中，將上述脫模層設置成，使其膜厚 為以X射線螢光光譜儀檢測之^強度成為〇 〇kc 者。 · 在該第5形態中，經由控制脫模層之膜厚使&強度成 為〇·3至l.Okcps，即可更確實地防止加熱工具之融著、 317460 8 •1297390 以及在安裝面板時防止接合力的降低。 本毛明之第6形態為··在第4或第5實施形態之c〇F 、用可撓性印刷電路板之製造方法中，該脫模層使用含有選 自矽烷化合物、矽溶膠（siHca s〇1)中至少一種的脫模劑。 在該第6形態中，可製造一種更確實地防止加熱工具 融著之C0F用可撓性印刷電路板。 (發明效果） 本發明之C0F薄膜捲帶以及C0F用FPC等之⑶F用可 挽性印刷電路板具有導體層與絕緣層。在該⑽用可挽性 P刷電路板中所使用之導體層與絕緣層之積層膜可列舉 如：將鎳等之密著強化層藏鍍在聚酸亞胺膜等之絕緣膜 後，施仃鍍銅之積層膜。另外，積層膜之例可列舉如：將 4^亞胺膜以塗佈法積層於銅箱上之洗鑄型、或將絕緣膜 隔著熱可塑性樹脂•熱硬化性樹脂等熱屢在銅謂上之熱壓 型的積層膜。在本發明中可任意使用。 參纟發明之⑽用可撓性印刷電路板以及以本發明之方 法所製造之C0F用可撓性印刷電路板係在與上述之積層膜 •之導體層為相反侧之絕緣層上裝設脫模層。而該脫模^具 有在安衣半導體晶片時不會與加熱工具密著之脫模性，且 只要由經如此之加熱不熱融著之含Si元素之化合物所形 成/ β τϊή可為有機材料或無機材料，尤其以使用聚石夕 烷系脫模劑為佳。亦即，以形成具有石夕氧焼鍵鍵） 化口物為么。由矽氧烷系化合物所成之脫模層可較易形 成’即使轉印至半導體裝置之安裝面上，在安裝半導體曰 317460 9 1297390 片後之模封樹脂的接合性也不會產生不良影響。 在本發明中，最重要的是設置脫模層使其厚度為以χ 射線光光譜儀所檢測之Si強度成為0.15至2.5kcps 者，並以0.3至l.Okcps者為佳。其中，能量分散型乂射 線螢光分析裝置（EDXRF : energy_dispersive x_ray flu〇rescence spectrometer)之Si感度較差，不易以定量 測定如在此之數# m以下之薄膜厚度。 其中，當Si強度小於上述範圍時，則透明性有惡化的 趨勢。更詳而言之，雖然當Si強度在上述範圍之内時，藉 由設置脫模層而使絕緣層表面之凹凸平滑化，從而比設置9 之W的透明性高，但如小於上述範圍時就無法獲得如此之 效果。相反的，Si強度一旦超出上述範圍時，形成脫模層 之脫模劑便有容易被接觸對象之電路圖案等轉印的傾向， 在進行ACF接合或焊接之際即會有產生接合力降低之問 題。亦即，將具有Si強度超出上述範圍之脫模層的c〇F 籲用薄膜捲帶在無隔離片介於其間而直接捲入時，脫模層便 容易被下側所捲入之薄膜捲帶所轉印，而且，即使將切成 短片狀之薄膜捲帶層積，脫模層亦容易被轉印。例如··測 定ACF接著力時，在設置具有上述範圍之si強度的脫模層 的情形，剝離模式係成為凝聚破壞（CF: c〇hesive failure) 之800至i〇〇〇g/cm。另一方面，將設置具有超出上述範圍 Si強度之脫模層者直接捲入後，acf接合時之ACF接著力 的剝離模式變成界面剝離之300至50Og/cm。 本發明中脫模劑所使用之聚矽氧烷系化合物，亦即， 317460 10 -1297390 形成由具有矽氧烷鍵之化合物所成之脫模層的脫模劑，可 列舉如：聚矽氧烷系脫模劑，具體而言，含有選自二矽氧 、元—碎氧烧專之硬乳烧化合物中之任一種。 而且，較佳之脫模劑係使用在塗佈後，由反應而變成 來矽氧烷系化合物之化合物（亦即，甲矽烷、乙矽烷、丙矽 烷等之矽烷化合物、或矽溶膠系化合物等）的脫模劑。 尤其，特佳之脫模劑之例如含有：矽烷化合物之一的 鲁烷氧基矽烷化合物、或具有矽氧烷鍵之前驅物的Si-龍一Μ 結構之六甲基二矽胺烷（1^\&11161：心1心3；11&別11〇、全氫聚 矽胺烷（Perhydropolysilazane)等矽胺烷化合物之脫模 劑。該等經由塗佈、或經由與塗佈後之空氣中之水分等反 應而成為具有矽氧烷鍵之化合物，例如在矽胺烷化合物方 面，亦可為殘留Si-NH-Si結構之狀態。 如此，塗佈脫模劑後，藉由反應變化所形成之矽氧烷 糸化合物所成的脫模層，為特別佳。 • 如此之各種脫模劑雖含有作為一般溶劑之有機溶劑， 然亦可使用水溶液型或乳液型者。 ·, 具體之例可列舉如··以二甲基矽氧烷為主成分之聚矽 氧烷系油、以甲基三（丁酮肟基）矽烷（Methyltris (methylethylketoximehilane)、甲苯、粗汽油（Hgr〇in) 為成分之聚矽氧烷系樹脂SR2411(商品名··東麗道康寧石夕 膠（TORAY D0WC0RNING SILICONES)公司繫袢、、'丁 、 y 』衣绝）、以矽胺烷、 合成異構鏈烧烴（isoparaffin)、乙酸乙酯盔a \ 〇 %為成分之聚矽氧 烷系樹脂SEPA-COAT(商品名：信越化學工鱟 呆、力又）製造） 317460 11 •1297390 等。亦可列舉如：含矽烷化合物之c〇LC〇AT_sp_2〇14s(商 扣名.C0LC0AT(股）製造）等。尤其，含有矽溶膠之脫模劑 如：C0LC0AT P(商品名·· COLC〇AT(股）製造）等。又，在矽 溶膠中所含之二氧化矽粒子例如為〇 〇〇5至〇 〇〇8#m[5〇 至 80 A (埃：angstr⑽）]。 ^其中，在安裝半導體晶片時具有所謂不與加熱工具密 ，之脫模H、且以經如此之加熱而無熱融著之效果而言， 隶為。又置❺有石夕私:文兀化合物之脫模劑而由聚石夕氧烧系化 合物所成之脫模層。而其中含如此之石夕㈣化合物的脫模 劑之一個例子如··以石夕胺烧、合成異構鏈烧烴 (isoparaffin)、乙酸乙酯為成分之聚石夕氧烧系樹脂聊a 一 c〇AT(商品名··信越化學工業（股）製造）。 …、z脫模層之形成方法並無特別限制，亦可將脫模劑; :合夜X噴塗、况〶、或滚輪法塗佈，亦可將所形成之月 ㈣轉印到基材薄膜。並且，無論在任何情況下，為了朽 脫权層間之剝離，亦可經加熱處理而提昇兩^ 。力而且，在設置脫模層時並不一定需要全面十 二亦可形成間隔而設置成島狀。例如當轉印 在後步驟中安裝半導@ θ " 間斷性之島狀。 片(IC)之領域而設置成連㈣ =，由於脫模層只要在安裝半導體時之前設置即 ，除了在設置導體層之後設置 脫模層設置於夫执古憧μR w jf貝无將 、未，又有導體層之絕緣層， 317460 12 碡 1297390 g之IV、同日裝設。當然並不一定需在導體層圖形化之前設 置’亦可在導體層圖形化之後設置。 例如：除了在設置導體層之後設置脫模層以外，預先 將脫模層設置於未設有導體層之絕緣層的情形等，係以轉 印法為理想。而且，在導體層圖形化之後設置時，雖以塗 佈法為佳，當然並非侷限於此，可在導體層之圖形化前的 初期階段以塗佈法設置，亦可在導體層之圖形化後以轉印 法設置。
;鲞明之一種製造方法中，脫模層的設置係於光微 衫（Photolithography)之後、安裝半導體之前即可。此乃 由於光阻層之剝離液等會有溶解脫模層之疑慮，因此，較 為理想者係將導體層蝕刻後，去除電路圖案用光罩之後再 進行設置。亦即，較為理想者係在去除光罩後，實施鍍錫 ▲之後的步财進行設置；或者在去除光罩後，設置絕緣保 羞層，在=線電極（lead—electr〇de)施行電鍍後之步驟中 進仃設置等。而且，如此之脫模層雖可塗佈脫模劑之溶液、 亚經自然乾燥而形成，然而為了提高接合強度最好進行加 熱處理。其中，加熱條件例如可將加熱溫度設定為5〇至 200 c m 00至200 c為佳；以及可將加熱時間設定 1分鐘至120分鐘，並以3〇分鐘至12〇分鐘為佳。 、並且，於本發明之其他的製造方法中，脫膜層係將形 成於基材之轉印㈣膜的脫模層轉印在與絕緣層之導體芦 的相反侧，亦即，與安裝半導體晶片⑽側之相反側的二 上在此轉印條件例如··可將加熱溫度設定為15至2⑽ 317460 13 1297390 ί為=加墨之ΐ重設定為5至5〇kg/cm2、處理時間設 之剝離‘至2小盼。尤其，為了防止絕緣層與脫模層間
之剝離，亦可辦出絲、曰丨曰J 入七 γ 、加熱處理等而提高兩者間之接 a力。此打之加熱條件 接 峨⑷。。至2〇rcAi、了將加熱溫度設定為5〇至 30-,, C為么）、加熱時間設定為i分鐘至12〇 釦（以30刀釦至120分鐘為佳）。 卩去中’由於只要在安裝半導體時之前設置 心即二而：預先將脫模層設置於未設有導體層之絕緣層 U導體層之際同時裝設。當'然並不-定需在 目圖案化之前設置，亦可在導體層圖案化之後設置。 :預先將脫模層設置於未設有導體層之絕緣層的情況 二轉印法。此外，在製造步驟的初期階段以轉 暖 _層時，亦可不剝離形成有脫模層之基材薄 離而作為補強薄膜使用’而在最後步驟中再將基材薄膜 ⑩曰本發明之⑽用可撓性印刷f路板可使用在安裝半導 等之電子零件方面。此時之安裝方法無特別限制， σ牛例如·载置於晶片平台（chipstage)上之半導體晶片 t ’將⑽用可撓性印刷電路板定位並配置，將加熱工具 ，在COF用可撓性印刷電路板上並安裝半導體晶片。此” 時’由於含有具上述預定範圍之Si強度的膜厚之脫模層， 而具有：置相合之優異透明性，故較易於使位置一致。曰而 且，在安裝之際，加熱工具之加熱最低在2〇〇t：以上，雖 因場合不同而有加熱至35(rc以上的情況，但由於在絕緣 317460 14 1297390 ，上形成脫模層，可達成在兩者間不會產生有熱融著之虞 慮的效果。再者’即使直接捲人具有脫模層之薄膜捲帶、 或層積切成短片狀之薄膜並保存，亦可達到脫模層難 印至電路圖案面之效果。 【實施方式】 以下，依照實施例說明有關本發明之一個實施形態中 之⑶F用可撓性印刷電路板之一例的c〇F薄膜捲帶。 另外，在以下之實施形態中，係以c〇F薄膜捲帶為例 而純說明，當然對有關c〇F用Fpc方面亦可同樣實施。 第1圖中呈示一實施形態之C0F薄膜捲帶2〇。 /如第1圖（a)及（b)所示，本實施形態之c〇F薄膜捲帶 係使用包g由銅層所成之導體層1 1與由聚醯亞胺膜所 成之絕緣層12的C0F用積層薄膜而製成者，並包含將導體 層11、、二圖案化後之電路圖案21、以及設在電路圖案21之 T度方向兩側的齒孔22。而且，電路圖案21係連續設在 .絶緣層12之表面。再者，在電路圖案21上具有以網版印 刷法塗佈阻焊劑材料塗佈溶液而形成的、或添付薄膜之絕 緣保護層23。而且，在絕緣層12之内面側至少接合1(：晶 片等之電極與内引腳（lnner 之區域中，係藉由塗佈 脫杈刈、或將轉印用脫模層轉印而設置有脫模層13。同時 亦可以在絕緣層丨2之内面全部設置離型層丨3。另外，亦 I在絶緣層12之雙面形成電路圖案（2-metal C0F薄膜捲 π )此钤，僅於加熱工具所接觸之區域塗佈脫模劑、或將 轉印用脫模層轉印而形成脫模層13即可。 317460 15 1297390 其中’導體層11方面除了銅以外，雖亦可使用鋁、金、 銀等，但一般為銅層。而且，以蒸鍍或電鍍所形成之銅層、 電解銅箔、壓延銅箔等之任一種銅層皆可使用。導體層Η 之厚度通常為1至70/zm，而以5至35/zm為佳。 另一方面，絕緣層12方面除了聚醯亞胺之外，亦可使 用聚酯、聚醯胺、聚醚楓、液晶聚合物等，但較為理想者 係使用·經均苯四曱酸二酐與4, 4，一二胺基二苯基醚之聚 合所得之全芳族聚醯亞胺（例如商品名：Kapton ; TORAY DUPP0N(股）製造）、或聯苯四缓酸二酐與對苯二胺 (PPD· para-phenylene diamine)之聚合物（例如商品名·· Upilex-S,宇部興產（股）製造）。另外，絕緣層12之厚度 通常為12· 5至125//m，而以12· 5至75//ra為佳，又以12· 5 至5 0 // m更佳。 在此，C0F積層薄膜，例如，雖然可以藉由在由銅箔 所成之導體層11之上面，塗佈含有聚醯亞胺前驅體或清漆 籲之聚醯亞胺前驅體樹脂組成物所形成的塗佈層，並乾燥溶 劑後捲取，接著，在以氧氣淨化後之固化爐内熱處理，並 經醯亞胺化後就做成絕緣膜而形成，但是，當然並不侷 限於此者。 其中，脫模層13可使用含矽胺烷化合物之聚矽氧烷系 脫模劑或含矽溶膠之脫模劑來形成。較佳之脫模層13係脫 模劑經塗佈等之塗抹後，經加熱處理再與絕緣層12強穩地 接合者另外，脫模層13之厚度為以χ射線螢光光譜儀檢 測之Si強度成為0· 15至2. 5kcps者，並以〇· 3至1. 〇kcps 317460 16 .1297390 者為佳，又以〇.5± 〇 lkcps左右者更佳。 如此之本發明的⑽薄膜捲帶，例如使用在—面搬運 一面絲半導體W、或對印刷基㈣電子零件的安裝步 驟中女裝C0F ’此時，由於έ77絡 ^由於絶緣層12及脫模層13之透光 有聊以上，所以由脫模層13側即可將電路圖案21(如 内引腳）以 CCD (chare*e rmm 1 d」· V、 — ge couPled device :電荷耦合元件） 進行影像辨識’尤其可辨識所安I之半㈣晶片以及印 刷基板之電路圖案，經影像處理而可使相互位置吻合良 好，而可高精密度地安裝電子零件。 而且，本發明之⑽薄膜捲帶係使用在：例如由捲抽 (reel)捲出，-面捲取一面搬運之半導體晶片或被動元件 (pa^S1ve components)等電子零件之安裝步驟中。然後， 脫膜们3也有帶電防止層之作用，係由含㈣胺院化合物 的聚石夕氧Μ脫觀或含有⑪轉之賴騎形成。因 此，在電子零件之安裝步驟中，能防止靜電的產生及帶電， 其結果便達到所謂的事前防止電子零件遭靜電損壞等事故 之效果。 其次，一面參考第2圖一面說明上述c〇F薄膜捲帶之 一種製造方法。 如第2圖（a)所示，準備c〇F用積層膜1〇，如第2圖 (b)所示，藉由衝孔（punching)等，貫穿導體層u以及絕 緣層12而形成齒孔22。該齒孔22可從絕緣層12之表面 形成、亦可從絕緣層12之内面形成。接著，如第2圖⑹ 所示，使用一般之光微影法，橫跨導體層11上之電路圖案 317460 1297390 =斤形成的區域’而例如塗佈負型光阻材料塗佈溶液 先阻材料塗佈層3〇。當然亦可使用正型光阻材料/ 隔著ίΓ二22内插入定位銷而進行絕緣層12的定位後， 先罩31以曝光、顯影’進行光阻材料塗佈層3〇 二化^便形千成如第2圖⑷所示之電路圖案用抗钱圖案圖 體；H者’：電路圖案用抗蝕圖案32作為遮罩圖案，將導 =11以刻液溶解錯，然後在驗性溶液等之中將電路 ::用抗刪32溶解去除，以便形成如 之電路圖案21。 、）所不 專其中，在形成電路圖t21之際，亦可在與此益連接之 (du_y_ °假性電路係補強絕緣 i。另外H捲^夺’可將絕緣層12確實地且完好地搬 =另/卜’錄電路雖可在絕緣層12之寬度方向兩側，亦 =全長度方向而裝設成連續性帶狀，“亦可 之周圍㈣地裝設，俾使得以確實地 ，之程度而改善剛性。 硬 雷贫ΓΓ因f需要而在整個電路圖案21中進行鑛錫等的 、=王之後’如第2圖⑴所示，由塗佈法在與絕緣層 广電路圖案21侧的相反面上形成脫模層13，使該區域 wit接IC晶片等之電極與内引腳之區域。該脫模層 H佈後，亦可僅有乾燥處理，但為了提以與加熱工 具熱融者之所謂脫模效果，最好進行加熱處理。盆中，加 熱^件例如可將加熱溫度設定為5〇至2〇〇。〇，而以⑽至 為佳’ m將加熱時間設定為1分鐘至120分鐘，而 317460 18 1297390 同栌、#^釦至220分鐘為佳。該加熱處理可與阻焊劑之硬化 成 订β接著，如第2圖⑷所示，例如以網版印刷法形 勺舜保遵層23。然後，因應需要可在沒有絕緣保護層23 二二内引腳以及外引腳(outer lead)中實施鍍金屬層。 锡又^層並無特別限i可依照用途適當設置，而施行鑛 、易鍍錫合金、鑛鋅、获今、雜入人人 無錯焊—鑛金合金、錫-叙⑽-⑴等 ::上所說明之實施形態中，脫模層13之形成雖在電 圖木用抗敍圖案32於驗性溶液等之中予以溶解去除 =亚在設置絕緣保護層23之前進行’然亦可在設置絕緣 Μ後之薄膜捲帶製造步驟的最後來形成脫模層 兹列r° =形成Γ莫層13時’由於脫模層13並無曝露於 :=光=剝離液等之中’所以有高脫模效果高之優 j二者，其中所謂製造步驟的最後係指在製品檢查步驟 月1J t思。 如此，本發明之脫模層13較佳是在形 之光微影步驟之後，並在與半㈣晶片#之電子^:接人 前為止形成。此乃由於在光阻層之制離步驟中有溶解脫; 層之可能性。因此，較佳之脫模層13 、 〜叹置係在剛έ士壶去 阻步驟時、或電鍍處理後，尤其在絕緣保 I、。束光 等。當然亦可在光微影步驟之前進行。” ^ 形成之後 °其中一例係使用第 造如上述之C0F薄膜 膜1〇Α首先在由銅箱 再者，脫模層亦可由轉印法形成 3圖所示之C0F用積層膜ι〇Α，亦可製 捲帶20。如第3圖所示之C0F用積層 317460 19 1297390 所成之導體層11上（第3圖（a))塗佈含聚醯亞胺前驅物或 ’ 含清漆（varnish)之聚醯亞胺前驅物樹脂組成物而形成塗 ’佈層12a(第3圖（b))，並使溶劑乾燥並予以捲取。其次， 在固化爐内進行熱處理，予以醯亞胺化而作為絕緣層12 (第3圖（c))。接著，將形成在做為轉印用薄膜14之基材 上的脫模層13a和絕緣層12之與導體層π相反之側密著 (弟3圖（d ))，將其加熱處理之後，剝離轉印用薄膜14， ⑩而作為具有脫模層13A之C0F用積層膜i〇A(第3圖（e))。 於此之轉印條件，例如可將加熱溫度設定為15至2〇〇艺、 滾輪或加壓之荷重設定為5至5〇kg/cm2、處理時間設定為 〇· 1秒至2小時。又，加熱條件例如為可將加熱溫度設定 在50至20(TC (以100至20(TC為佳）、加熱時間設定為工 为釦至120分鐘（以30分鐘至12〇分鐘為佳）。當然，亦可 依如此之轉印法而在光微影後之步驟等之中進行脫模層 13A的形成。其中，轉印用薄膜14之材質可列舉如：^了 ⑩（polyethylene terephthalate:聚對苯二曱酸乙二酯）、 PKpolyimide:聚醯亞胺）、以及液晶聚合物等。如此之 印用薄膜14的厚度，例如為15至i⑽"，而以別至K // m為佳。 本發明之半導體裝置，係如第4圖所示，在如此所 造的⑽薄膜捲帶2G中經由安裝半導體晶片5()而警迭、 ㈣，將半導體晶片50裝載於晶片平台41上，並搬運⑽ 缚膜捲帶20。在該狀態下，衫位為預定位置後，於 之鉗位器（clamper降下之同時，提升下部之甜位哭η 317460 20 1297390 而固定C0F薄膜捲帶2〇，在該狀離下， 並壓住捲帶，並在加埶 牛％、、、工具45 < Η日守再予以降低， 捲帶之内引腳以預㈣間按壓於—而將5 := ⑶卿⑻，使雙方接合。又，於接合後進^ 5 =塊 即作成半導體裝置。 心丁㈣的封者’ 另夕卜，加熱工具45之溫度雖依按壓 件而異，通常在20(TC以上，而以 年之仏 d b υ c以上為佳。於本發
中’即使如此將加熱工具45的溫度設定在高溫，由於 ⑽薄膜捲帶20之與加熱工具45的接觸面設有脫模層、 13 ’因此，與加熱工具45間並無熱融著之問題。亦即，依 據本發明’因可充分提高接合條件之溫度，故可確保充分 的接合強度’反之’為了得到之接合強度，藉由提高 加熱溫度即有縮短壓著時間之優點。 " 在上述實施形態中，係以將包括電路圖案21與齒孔 22等之載體圖案設為一列之電子零件安裝用薄膜捲帶別 #作為例示並加以說明，然並不侷限於此，例如亦可為並設 多數列之多條載體圖案的電子零件安裝用薄膜捲帶。 而且，在上述實施形態中，雖例示C〇f薄膜捲帶之電 子零件安裝用薄膜捲帶，但亦可為其他之電子零件安裝用
溥膜捲帶，例如：TAB (tape automated bonding :卷帶自 動接合）、CSP(chip size package :晶片尺寸封裝）、BGA (ball grid array package:球栅陣列封裝）、# —BGA(micro ball grid array package ··微型球柵陣列封裝）、FC(flip chip :覆晶）、QFP(quad f 1 at package :方形扁平封裝） 317460 21 1297390 型等，當然亦不限定於該等構成。 並且，不僅限於内引腳接合，在對於使用軟焊等之外 引腳接合方面亦可實施。 [實施例1 ] 在市售之以聚醯亞胺製造的基膜Kapton EN(商品名，· T0RAY · DUPP0N(股）製造）中裝設濺鍍Ni_Cr合金之種層 (seed layer)，於其上使用電鍍法形成銅層之雙層捲帶， 並經蝕刻而形成電路圖案21之後，作為脫模層而將含矽溶 膠之C0LC0ATP(商品名：c〇LC〇AT(股）製造），如第5圖所 示’以滾輪狀之塗佈器6卜在薄膜捲帶之安裝半導體晶片 的相反侧之面上進行，並以薄膜捲帶之搬運速度：每分鐘 lm來塗佈’在形成齒孔之兩端部以外地方形成脫模層。乾 燥後’塗佈阻焊劑’並將脫模層與絕緣保護層同時進行加 熱處理而作為薄膜捲帶。如此所形成之脫模層係為以χ射 線螢光光譜儀所檢測之&強度為〇.5± 〇.1_者之均句 薄膜。此時，薄膜捲帶之工具附著溫度為39吖。 [實施例2] 對塗佈器61調整薄膜之承接力，與實施例1做法相 同，形成以X射線螢光光譜儀檢測之Si@度為U+〇 ] kcps之脫模層。此時之工具附著溫度為獄。· [實施例3] 對塗佈器61調整鐘艘；夕？ i 、 厚版之承接力，與實施例1做法相 同，形成以X射線替朵本# # 九先5曰儀杈測之Si強度為2· 3 + 0· lkcps之脫模層。砼拄+ τ θ ^ 此蛉之工具附著溫度為490°C。 317460 22 1297390 [比較例1] 對塗佈器61之塗佈係在薄膜* 的相反侧之面上進行，並以/ 裝半導體晶片 t . 亚乂溥犋捲帶之搬運速度··每分鐘 lm來塗佈，對塗佈器61調整薄膜m 、丨 /±L L 哥联之承接力，與實施例1 做法相同，形成以X射線瑩弁 、 + 〇 n ,、 、 A先先磘儀核測之Si強度為〇· 〇5 -· cps之脫模層。此時之工 ^ [比較例2] H皿度為320 C。 對塗佈器6 ；[調粤：、雙腔： 同，形# ’、 、 7接力，與實施例1做法相 t七成tX射線螢光光譜儀檢測之Si強度為2.7± 〇1 cps之脫拉層。此時之工具附著溫度為。 [試驗例1] 相對二::='較例方面，測定在6°0nm之透光率時， ί於貝把例1中薄膜的透光率為69 光率為65%。同時，輩以斜叙例1中之透 膜，其透光率為65%』去除銅而不形成脫模層之薄 ^果，Si強度在本發明之範圍㈣實施例 先率雖比對照組之簿膜去A古 遗 之比+ 1強度小於上述範圍 X ，與對照組之透光率幾乎沒有差 [試驗例2] 後例1至3以及比較例2之薄膜中安裝Ic晶片 傻’不夾贡隔離片亩 出切斷m 7曰後，將該捲帶拉 2所亚ί订面板安裝，之後，測定ACF接著力。ACF接 力之測疋方法係如下述，其結果表示於表丄。 在此’ ACF接著力之測定係如下述進行。 317460 23 1297390 1()mm&_系 acf 並在 預i(pre-b〇ndlng)’接著，將無安裝半導體s 电子夺件之薄膜捲帶的輸出側之外引腳部分重最於i 以180〇C之溫度、〇.3Mpa之壓力歸1〇秒鐘。^後二將该 玻璃基版所磨著之薄膜捲帶裝置在抗拉測試機（tensile〆 ㈣卿machine)，並將薄膜捲帶之另一端往上拉， 測得之拉伸力作為接著力。 鲁 纟結果，在實施例1至3中，鮮接著力係在係為凝 聚破壞之剝離模式的800至1〇〇〇g/cmi範圍内。但在具有 Si強度大於本發明之範圍的脫模層之比較例2中，由於A” 接著力低至380kg/cm，而產生界面破壞。 [表1] ACF 接著力（kg/cm) 實施例1 950 實施例2 970 實施例3 810 比較例2 380 【圖式簡單說明】 第1圖係呈示本發明之一實施形態中COF薄膜捲帶之 簡構圖，（a)為平面圖，（b)為剖面圖。 第2圖（a)至（g)係呈示本發明之一實施形態中c〇f薄 膜捲帶之一製造方法例的剖面圖。 第3圖（a)至（e)係呈示本發明之其他實施形態中cop 317460 24 ι29739〇 用積層薄膜之一製造方法例的剖面圖。 第4圖係呈示本發明之一實施形態 造方法的剖面圖。 中半導體裝 置之製 之形成方 第5圖係呈示本發明之一實施形態中脫模層 法的簡圖。 ^ 【主要元件符號說明】 1〇 > 1〇A C0F用積層膜 •12 絕緣層 13 . 13A、I3a脫模層 2〇 C〇F薄膜捲帶（電子 21 電路圖案 23 絕緣保護層 31 光罩 41 晶片平台 43 下部鉗位器 • 51 凸塊 11 導體層 12a 塗佈層 14 轉印用薄膜 二件安裝用薄膜捲帶） 22 齒孔 30 光阻材料塗佈層 32 電路圖案用抗蝕圖案 42 上部鉗位器 50 半導體晶片 61 塗佈器 317460 25

Claims (1)

1297390 十、申睛專利範圍·· 1· 一種C0F用可撓性印刷電路板，係具備絕緣層、以及將 =層於汶、、、巴緣層之至少一面的導體層形成圖案同時安 ^半^體曰曰片之電路圖案’該C〇F用可撓性印刷電路 板係在上述纟巴緣層之安裝上述半導體晶片側的相反侧 之面上ϋ又置由具有含Si元素之化合物的脫模劑所形 成之脫模層’並使其膜厚為以χ射線螢光光譜儀所檢測 之si強度成為015至2 5kcps者。 2· 士申明專利範圍第1項之⑶F用可撓性印刷電路板，其 中，該脫模層係設置成使其膜厚為以X射線螢光光譜儀 所檢測之Si強度成為0 3至1〇kcps者。 3·如申請專利|i圍第i項或第2項之⑽肖可挽性印刷電 板〃中ϋ亥脫模層係含有選自石夕烧化合物及石夕溶膠 中至少一種的脫模劑。 4·種C〇F用可撓性印刷電路板之製造方法，該用可 瞻燒性印刷電路板係具備絕緣層、以及將積層力該絕緣層 之至少—面的導體層形成圖㈣時安裝有半導體晶片 之電路圖案，該方法係在上述絕緣層之安裝上述半導體 晶片侧的相反側之面上，當設置由含有具以元素之化 合物的脫模劑所形成之脫模層時，使其膜厚為以X射線 螢光光譜儀所檢測之Si強度成為〇 15至2· 5kcps者。 5·如申請專利範圍第4項之c〇F用可撓性印刷電路板之製 造方法，其中，該脫模層是使用含有選自矽烷化合物及 石夕溶膠（silica sol)中至少一種的脫模劑。 317460 26
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