TWI294904B - Adhesive film, lead frame with adhesive film, and semiconductor device using same - Google Patents

Adhesive film, lead frame with adhesive film, and semiconductor device using same Download PDF

Info

Publication number
TWI294904B
TWI294904B TW94113639A TW94113639A TWI294904B TW I294904 B TWI294904 B TW I294904B TW 94113639 A TW94113639 A TW 94113639A TW 94113639 A TW94113639 A TW 94113639A TW I294904 B TWI294904 B TW I294904B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
resin
adhesive film
adhesive
lead frame
acid
Prior art date
Application number
TW94113639A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200609320A (en
Inventor
Hidekazu Matsuura
Kiyohide Tateoka
Tomohiro Nagoya
Yoshiyuki Tanabe
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Publication of TW200609320A publication Critical patent/TW200609320A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI294904B publication Critical patent/TWI294904B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • H01L23/4951—Chip-on-leads or leads-on-chip techniques, i.e. inner lead fingers being used as die pad
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/35—Heat-activated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • H01L23/49513—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad having bonding material between chip and die pad
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2467/00—Presence of polyester
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2477/00—Presence of polyamide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2479/00—Presence of polyamine or polyimide
    • C09J2479/08—Presence of polyamine or polyimide polyimide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2481/00—Presence of sulfur containing polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/4826—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73215—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/16—Two dimensionally sectional layer
    • Y10T428/161—Two dimensionally sectional layer with frame, casing, or perimeter structure
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
    • Y10T428/254—Polymeric or resinous material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2848—Three or more layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31721—Of polyimide
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31725—Of polyamide
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31786—Of polyester [e.g., alkyd, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

129魏。, 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 推用t發明是有關於—種黏著膜、具黏著膜的導線架以及 使用此導線架的半導體裝置。久 【先技術】 近年來’半導體晶片已進展至多功能大容量的大 °因此’容納晶片之封I结構的尺寸亦須縮小; 刷電路基板(PCB)設計上的限制及電子裝置小 專而求:為配合此趨勢，一些適用於半導體晶片之高度隹 和化及尚密度封賴式的㈣方法已被提出。例如，記二 ，兀件所用的將引腳(Lead)黏著在晶片上而形成的引卿在 晶片上(LQC)結構、以㈣或有機基板取代導線架的㈣ 格陣列〇BGA)、細密球格陣列(FBGA)及銲球在晶片上 (BOC)等以級封裝(csp)結構，以及制晶片堆疊結 堆疊式封裝科。如善用這純術，即可使晶片内配線或 打線配置最佳化，使配線縮短而提高訊號的傳送速率，迷 使封衣結構的尺寸縮小。 在上述各種新型封裝結構中，半導體晶片與導線架之 間皆存在異質材料的黏著介質，其黏著品質對半導體封裝 的可罪性有很大的影響。此黏著介質除了要有可耐受封裝 製程溫度的可靠性以及作業方便性之外，其能使半導體^ 片與導線架穩定地打線連接也是很重要的評估項目。 習知的黏著作業係使用軟膏狀的黏著劑或塗布在耐熱 基材上的黏著劑’例如是使用聚亞醯胺樹脂的熱熔膠型黏 I294m,doc 著劑薄膜，如日本專利公開案平5_105850號、平5_ii276o 號或平5-112761號所述者。然而’由於熱炼膠 ?上作為㈣劑之樹脂的破璃轉換溫度(Tg)甚高 著時所需溫度也很高。因此，將熱_型 二 高度集積化的半導體晶片或銅料線架;被= 月豆上％，後者可能會受熱損壞。 為因應低溫黏著性的需求，一些含破璃轉換溫度較低 的黏著劑曾被使用。然而，由於在打線溫度下此種 树月曰曹變軟，所以在半導體封裝製程的打線步驟中，可能 會有半導體晶片與導線㈣無法f性連接的問題。 【發明内容】 目的之—即是提供—縣具低溫㈣性及打線 穩疋性的黏著膜。 本發明另-目的是提供—種具黏著膜的導線架。 本發明再一目的則是提供一種半導體裝置，其係以本 ㈣之黏者膜黏合導線架與半導體元件而得者。 t明之發明人在研究如何使黏著膜兼具低溫黏著性 性之後發現’如果黏著膜使用在成膜狀態下呈 相1’的特定關係的兩種樹脂，即可解決上述問題。 ㈣’本發明之黏著膜係用以將半導體元件黏著至 包括’熱膜及形成在其單面或兩面上的黏 =八=，黏著劑層含有樹脂Α與樹脂Β，且具有連 ^目：構’其中樹脂Α的玻璃轉換溫度低於樹脂 B’· A為連續相’且樹脂β為分散相。 1294侧 if. doc 在上述黏著膜中，樹脂A與樹脂β二者之一可 =二、聚醯胺、芳香族聚醋餐聚_，或是「 达2或更多種聚合物的混合樹脂。 斤另外^樹脂Α與樹脂Β亦可各自為聚醯胺亞醯胺、聚 0邊、方香族聚酯、聚砜、聚醚砜，或是前述2或更多種 聚合物的混合樹脂。 k > ίΐ’樹脂Α與樹脂Β中可至少有-者為聚醯胺亞醯 胺、屬胺，或是《胺亞_與輯胺的混合樹脂。 此夕^樹月旨A與樹脂B二者中亦可僅有樹脂A為聚 月女亞Si&胺、_胺’或是二者的混合樹脂。 外二在上述黏著膜中，樹脂人例如是由—單體組成 her而得者’此單體組成物含有1〇树％〜⑽的具有石夕 口，的單，。此時樹脂B可由另-單體組成物聚合而得 ’/、另一早體組成物不含具矽酮結構的單體，或是含有 Wt。以上l〇Wt%以下的具有矽酮結構的單體。 =外，樹脂A的Tg可大於等於30°C且小於200°c， 夕B的Tg可為2〇〇〇C〜4〇〇°C。此時樹脂A與樹脂B 曰的Ts差異較佳為20°C〜300QC。 =外，上述黏著膜中的黏著劑層在150°C或更高溫下 勺早性儲存模數可為3MPa〜lOGPa。 甘/if Ϊ，上述黏著膜中的黏著劑層更可含有一耦合劑， 其例如包括矽烷耦合劑。 本叙明之具黏著膜的導線架包括一導線架以及 貼附於其上的前述黏著膜。 129 気。c 架與==構則具有以上一 ^上所4，本發之黏著膜係在㈤無的單或兩面上形 ’其含有連續相的樹脂A與分散相的樹脂B， 二、^^ A的1低於_ B。因此，本發明之黏著膜可 孝方：：：：’且其在打線穩定性、可靠性、黏著性及作 業方便性#方面的表現皆良好。 亦^外柄明之黏著膜上簡脂如使料定的種類， 亦可進一步提高黏著膜的黏著性。 W 本發明之黏著膜上的樹脂如為聚酿胺或聚醯胺 亞基樹脂，即可進—步提高料性及可靠性。 以J ί 1树明之._莫上各種樹脂的Tg可善加調整， 兼顧低溫黏著性及打線穩定性。 ::，如Ϊ用上述黏著膜’則可得到低溫黏著性、打 且：：靠性、黏著性及作業方便性等各方面皆表現 k良的具黏著膜的導線架。 =’如使用上述黏著膜或具黏著膜的導線架，即可 侍到可罪性高的半導體裝置。 【實施方式】 =明之㈣膜制⑽半導體元件歸在被黏著體 _占著二Γ為圖1⑻或1(b)所示之結構，包括财熱膜1 限制二：Λ。半導體兀件所黏著之被黏著體種類無特別 線架、軟膜、有機基板或另一半導體元件等等。 在本發明中，於财熱膜單面或兩面形成之黏著劑層含 if.doc I2949A4 有樹脂A與樹脂b，且且古 脂A的Tgfe於樹脂B Γ ^目^散相之結構，其中樹 散相。以下將為連她，且樹脂β為分 在本:=:7Γ詳― Α及分散相之;^ R *，黏著劑層具有由連續相之樹脂 B所構成的連續相 於，即連續相-分散^ 此’本發明之黏著_具低溫黏著性 在本發明中，樹脂A與樹脂B較佳選自耐孰型的 性樹脂’其例包括聚亞酿胺、㈣亞_、聚醋亞酿胺、 聚醯胺、聚醯胺亞醯胺、芳香族聚酯（聚 及聚醚颯等工程用塑夥。 J來石風 在未施加於黏著膜上時，上述樹脂Α與樹脂β可 分離狀態，而樹脂Α或樹脂Β例如可為含2或更多種、 聚合物的混合樹脂。另外，考慮到黏著性與溶解性，= A與樹脂B較佳使用聚醯胺亞醯胺、聚酿胺、芳夭a取曰 (聚芳香酸酯）、聚颯及聚_颯等樹脂，其效優於妓〜q 在本电明一實施例中，如考慮到黏著性，樹脂A鱼 脂B中較佳有一者是選自由聚醯胺亞醯胺、聚隨胺、二对 族聚酯（聚芳香酸酯）、聚砜及聚醚颯所組成之族君"芳香 脂，或是含有2或更多種上述聚合物的混合樹脂。的才对 於本發明其他實施例中，同樣考慮到黏著性，樹腊A 脂B自^一者較佳皆是選自由聚酿胺亞酿胺、聚醉^ 族聚酯（聚芳香酸酯）、聚砜及聚醚砜所組成之族^中 12949猶 fdoc 脂，或是含有這些聚合物巾的2或更錄的混合樹脂。此 外，於本發明其他實施例中，如考慮黏著性與封妒可靠性， 則樹脂A與_ B二者愤紅少有—者為輯胺㈣ 胺、？《胺或其混合樹脂等含_基的樹脂。這是因為酿 胺基的極性大，故該樹脂與被黏著體間的黏著力會因極 基的交互作用而增強，同時樹脂A與樹脂B之界二的黏著 力也會增強。再者，由於醯胺基具反應性，其可藉由耦合 劑引發微交鏈(crosslinking)反應，以產生強化樹脂的作用。 士匕因此，在本發明中，為進一步提高黏著力，樹脂A與 樹脂B二者中較佳至少有—者為聚醯胺亞酿胺、聚酸胺或 其混合樹脂等含醯胺基的樹脂。另外，當樹脂A盥 中僅有一者為含醯胺基的樹脂時，如以黏著性為考'量，曰則 較佳是連續相的樹脂A為含醯胺基的翻旨，原因在^酿胺 基的極性甚高。再者，更佳情形是樹脂Α與樹脂Β二者皆 為含醯胺基樹脂’如此樹脂Α與樹脂Β的交互作用即可增 強，而不易產生界面剝離的現象。 曰 本發明所用的樹脂Α與樹脂Β較佳為3()。如_〇^ :耐熱型樹脂’更佳為5跑Tg<35〇〇c的耐熱型二旨。1 I ^ 30〇^Tg<200〇C , Β ^
Tg犯圍較佳是2〇〇tTgg〇〇〇c。再者， ，態黏彈性測定法測得之_A的彈 ‘$ 0-Pa ,,, β f〇Mpl ^者看，樹脂A與樹脂B二者中較佳至 有者為基的樹脂。另外，本發明所謂的打線溫 1294m^ 度通常在150°C或以上。 降低當Γΐ…在200°c或以上時，低溫黏著性即會
用，同時也备使打線drp有黏者性’故不易取 的强卜"Ιϊ 線性與可靠性降低。另外，樹脂A 3性=模數如低於_a，則打線胁 樹脂MTg更佳為6〇儀，再佳為二 =曰。A的彈性儲存模數更佳為3〜雇购，再佳為5〜3_ 時，二Γ二Τ§:於2〇〇。°或彈性儲存模數低於10MPa
3U tr卩會降低。再者，樹脂B的1更佳為勝 0 c再佳為25〇〜·。c。樹脂B 為20〜3_MPa，再佳為5〇〜3〇〇〇胳。玲數更仏 樹脂A與_ B的Tg差異較佳為2Q〜3〇〇〇C。 二’低溫黏著性與打線穩定性即難以兼 、^ ^ 時’打線穩定性與可靠度即會降低。
另外，含有本發明所使用之樹脂A與樹脂b的-層，其在室溫以上的最低了 | #者W
性測定法測得之黏著劑層的彈性儲存; 二T ㈣3〜3_MPa，再佳為5〜3_Mpf =〜 發明中含樹脂A與樹脂B之黏著 =本 彈性測定法測得黏著劑層本二‘彈性:= 數曲線’再求出分別位於此曲線的兩個彎㈣ 、 線的交點，此點對應之溫度即為T。 、“1木刀 g 12949觀版 在成膜狀您下’會形成通士 結構的黏著劍組成物，係/事^樹腊A-分散相樹脂3之 擇標準為:樹脂A輿樹的試驗結果來選擇，其選 因相分離而產生混濁，或是農各在自^清漆(讎f)混合時會 離結構而得到不透明_著:耐熱㈣會產生相分 八與黏者劑組合物層。另外，連續相_ ::ΐ及的大小，可以樹脂A與樹脂B各自 ”月之碗濃度或軸條件的調整來控制。 倾細旨A和與其相分離之分散減脂_組合 k擇方面，一般可選用含有化學性 組合。此種組合例如是極性;、細生：) 二非極絲(或非錄結構)之岭κ縣基(或親水妹 構)與疏水基(或疏水結構)之組合。例如，烧基、芳煙基、 貺代烷基減僻絲我代轉 =性成一基、幾基、_基、二= 疋為極性、親水性成分。因此，選擇由該些化學性質祕 構相異的單體各自製得之樹脂的組合，即可得到合適_ 脂A與樹脂B組合。 例如，多含矽S同結構的聚合物與不含石夕酮結構的聚合 ,之間即今易產生相分離。多含石夕_結構的聚合物例如 是：由具⑪晴構之單體在全部單體中佔1Gwt%s以上(較 佳10wt%〜80wt%)的單體組成物聚合而得之聚合物。此處 不含賴結構的聚合物例如是：完全不切赌構的聚合 物，或是雖含矽酮結構，但具矽酮結構之單體在全部單體 中佔不到1_% (較佳不到5wt%)的單餘成物聚^而^ 1294904>ifd〇c 之聚合物，此種聚合物中亦可含有許多高極性的颯基或醚 基。另外，為得樹脂A所用之具矽酮結構單體在全部單體 中的比例較佳為l〇wt%〜80wt% ;如在80wt%以上，則黏著 力會降低。然而，即使所用的兩種聚合物皆是以非極性、 疏水性成分為主，當其結構差異甚大時，其間仍可能產生
相分離。例如，多含矽酮結構之聚合物與含大體積(bulky) h基取代基之聚合物的組合，即易產生相分離。由此可見， 本發明之樹脂組合不限於極性-非極性或親水性_疏水性之 組合，而，可使用各種結構相異之樹脂A與樹脂B的組合。 在選擇樹脂A與樹脂B的組合時，為使樹脂A的丁 低於樹脂B，由含上述結構之單體製得之樹脂的剛 g 素對Tg的影響也必須考慮。 又在本發明中，如以樹脂A與樹脂B 樹脂A含量佔测秦樹脂B佔5〜5_%:丰： 是樹脂A佔50〜90wt%、樹脂B佔1〇〜5〇w “二 脂A佔50〜85wt0/〇、樹脂B佔15〜50wt〇/〇。 土疋对 长钻著劑層中的樹脂B (分散相）的平均 5辦或以下，更佳為！〜〇 寸車U土在 勻，散相的尺寸愈小愈好，且較=二均 二，彳目·分散減構的確認與分散相尺寸;处。另 =田式電顯(SEM)觀察黏著劑層的研磨剖面，二可以 ^尺寸。另外，在以動態师性測定法所 π出平均 :存模數曲線上，也可看出分別來自樹脂A 的彈性 點’故連續相-分散相的結構得以和。’ B的管 13 129,‘ 上述樹脂A與樹脂B較佳使用的聚醯胺亞醯胺或聚醯 联’基本上是由二胺(A)與/或二異氰酸酯(A’)以及酸成分合 成而得者。酸成分可為(B)三叛酸、四綾酸或其反應性衍生 物，以及(C)二羧酸或其反應性衍生物等等，而其中多種併 用亦可。本發明係組合這些反應成分，並調整其反應比例、 反應條件、分子量、黏著劑中添加劑之有無及種類，以及 環氣樹脂等添加樹脂等，以得到上文提及的各種特性。 I 上述二胺例如是：六亞曱二胺、八亞曱二胺、十二亞 甲一^女專亞烧二胺，對苯二胺、間苯二胺、間曱苯二胺等 方知一胺，4,4，-二胺基二苯鱗(DDE)、4,4’-二胺基二苯乙 垸、4,4，-二胺基二苯砜、3,3，-二胺基二苯砜(DDS)、4,4，-二胺基二苯酮、3,3’-二胺基二苯酮、4,4，-二胺基苯甲醯苯 胺等二胺基二苯基衍生物；1，4-二(4-胺基異苯丙基）苯 (f AP)、1，3-二(心胺基異苯丙基)苯、胺基苯氧基) 苯(APB)、1，4_二(3_胺基苯氧基)苯、M^(4_胺基苯氧基) 苯、2,2_二[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷(BApp)、2,2_二[4_(3_ φ 胺基苯氧基）笨基]丙烷、二[4-(3-胺基苯氧基）苯基μ風 (m-APPS)、二[4-(4-胺基苯氧基)苯基]颯、2,2_二[4_(4•胺基 苯氧基）苯基]六氟丙烷、以下通式（1)所示之二胺，以及以 下通式(2)所不之矽氧烷二胺等等。這些二胺可以單獨使 用，也可以多種併用。
I2949Q4d0C 在式（1)中，Z表胺基。R!、R2、R3、R4各自為氫或碳 數1〜4之烷基或烷氧基，但四者中至少有2者為烷基或烷 氧基。X 表-CH2-、-C(CH3)2-、-〇-、-s02-、—CO-或-NHCΟ-等官能基。 符合通式⑴的二胺例如是4_4’_二胺基_3,3，，5,5，-四曱 基二苯曱烷、4-4’-二胺基-3,3’，5,5’_四乙基二苯曱烷、4-4，-二胺基-3,3’，5,5’-四正丙基二苯曱烷、4,4’-二胺基-3,3，，5,5，-四異丙基二苯曱烷(IPDDM)、4,4’·二胺基-3,3，，5,5，-四丁基 二苯曱烷、4,4’-二胺基-3,3’-二甲基_5,5’_二乙基二苯甲 烷、4,4’-二胺基-3,3’-二曱基-5,5’-二異丙基二苯曱烷、4,4’-二胺基-3,3’_二乙基-5,5’-二異丙基二苯曱烷、4,4’-二胺基 _3,5_二甲基_3’，5’_二乙基二苯曱烷、4,4’-二胺基-3,5-二曱基 -3’，5’-二異丙基二苯曱烷、4,4’-二胺基-3,5-二乙基_3’，5’_二 異丙基二苯甲烷、4,4’_二胺基_3,5_二乙基-3’，5’-二丁基二 苯曱烷、4,4’-二胺基_3,5_二異丙基_3’，5’-二丁基二苯曱 烷、4,4’-二胺基-3,3’_二異丙基_5,5’_二丁基二苯曱烷、4,4’_ 二胺基-3,3，-二甲基-5,5、二丁基二苯甲烷、4,4’-二胺基 -3,3’-二乙基-5,5’-二丁基二苯曱烷、4-4’-二胺基_3,3’_二曱 基二苯曱烷、4,4’-二胺基-3,3，_二乙基二苯曱烷、4,4’-二胺 基-3,3’_二正丙基二苯曱烷、4,4，-二胺基-3,3，_二異丙基二 苯曱烷、4,4，-二胺基-3,3，-二丁基二苯甲烷、4,4’-二胺基 -3,3，，5-三曱基二苯曱烷、4,4，-二胺基-3,3，，5-三乙基二苯曱 烷、4,4，_二胺基-3,3，，5-三正丙基二苯曱烷、二胺基 -3,3’，5-三異丙基二苯曱烧、4,4，_二胺基-3,3’，5_三丁基二苯 15 I294_ifdoc 甲烷、4,4，_二胺基-3_甲基-3，_乙基二苯曱烷、4,4、二胺基I 甲基-3，-異丙基二苯曱烷、4,4’-二胺基-3-乙基-3’-異丙基二 苯曱烷、4,4，-二胺基-3-乙基-3’-丁基二苯甲烷、4,4’-二胺 基-3-異丙基-3，-丁基二苯曱烷、2,2-二(4-胺基-3,5-二甲苯基) 丙烷、2,2-二(4-胺基-3,5_二乙苯基）丙烷、2,2-二(4-胺基-3,5-二正丙基苯基）丙烷、2,2-二(4-胺基-3,5-二異丙基苯基）丙 烷、2,2_二（4_胺基-3,5-二丁苯基）丙烷、4,4、二胺基 _3,3’，5,5’-四曱基二苯醚、4,4’_二胺基-3,3，，5,5，-四乙基二苯 釀醚、4,4’-二胺基-3,3，，5,5，-四正丙基二苯醚、4,4，_二胺基 -3,3’，5,5，_四異丙基二苯醚、4,4，-二胺基·3,3，，5,5，_四 丁基二 苯醚、4,4’-二胺基_3,3’，5,5，-四曱基二苯颯、4,4，-二胺基 -3,3’，5,5，_四乙基二苯颯、4,4，_二胺基_3,3，，5,5，_四正丙基二 苯颯、4,4’-二胺基-3,3’，5,5’-四異丙基二苯砜、4,4，-二胺基 -3,3’，5,5’_四丁基二苯颯、4,4，-二胺基_3,3，，5,5，-四曱基二苯 酮、4,4’-二胺基_3,3’，5,5’-四乙基二苯酮、4,4，-二胺基 -3,3’，5,5’-四正丙基二苯酮、4,4，-二胺基_3,3，，5,5，_四異丙基 φ 二苯酮、4,4’_二胺基_3,3’，5,5’-四丁基二苯酮、4,4，_二胺基 -3,3’，5,5’-四甲基苯曱醯苯胺、4,4'二胺基-3,3，，5,5、四乙基 苯曱醯苯胺、4,4’-二胺基-3,3，，5,5，-四正丙基苯曱醯苯胺、 4,4’-二胺基-3,3’，5,5’-四異丙基苯曱醯苯胺及4,4、二胺基 -3,3’，5,5’_四丁基苯曱醯苯胺等等。
(2) 16 ⑧ 12949^4咖〇。 式(2)中^與汉8各自為二價有機官能基、心與^為 一價有機官此基，且m1ώ 1 五m為1〜100之整數。尺5與r8各自可 為三亞甲基:四亞甲基、苯撐基、甲苯樓基等。心與r7 各自可為甲土、乙基、苯基等，其中各個&可為同 同的官能基，汉7亦同。 對式(2)，石夕氧垸二胺而言，當r5與R8皆為三亞曱基 且〜與為甲基日夺，m等於1及m平均值分別為1〇、 20、30 5G 1GQ左右的化合物，分別例如是市場上販售 的 LP-7100、H161AS、X-22-161A、X-22-161B 二 X_22-161CH161E (皆信越化學工業公司的商品名 上述一異氰酸酯(A，)例如是將以上例示之二胺的胺基 以異氰酸酯基取代而得者，其可單獨使用或多種併用。如 有必要，更可使用前述二胺與二異紐酯的混合物。 聚醯胺亞醯胺或聚醯胺合成用的酸成分可為三羧 酸、四羧酸或其反應性衍生物，或是(c)二羧酸或其反應性 衍生物。成分(B)較佳為芳族三羧酸、芳族四羧酸或其反應 性衍生物’例如是偏苯三甲酸(trimeiiitic acid)軒等單環芳 族三羧酸酐、偏苯三曱酸酐醯氯等偏苯三曱酸酐的反應性 衍生物、苯均四酸(Pyr〇meUitic扣⑹二酐等單環芳族四敌 酉义一酐、—求酮四叛酸二酐、氧聯二鄰苯二曱酸二酐，以 及雙紛A二偏苯三曱酸酯二酐等多環芳族四羧酸二軒等 等。另外，成分(C)較佳為芳族二羧酸或其反應性衍生物， 例如對苯二甲酸、間苯二曱酸等芳族二羧酸，以及對苯二 曱酿氯、間笨二曱醯氯等苯二曱酸的反應性衍生物等等。 I2949£l4ifdoc 這些化合物可以單獨使用或多種併用。 〜^下將進-步例示適用為上述酸成分的芳族二叛酸、 方族^叛酸及芳族四紐等等，其可單獨使用或多種併用。 芳族二羧酸係芳香環上鍵結有兩個羧基者，其中芳香 環可含f環1且芳香環間可以烧撐基、氧或幾基等鍵結: 再者，芳香環上例如可以導入烷氧基、烯丙氧基或鹵素等 不參與縮合反應的取代基。上述芳族二羧酸例如是對苯二 曱酸、間苯二曱酸、二苯醚_4,4，_二羧酸、二苯砜_4,4，_二 _ 魏、聯苯_4,4’-二叛酸及萘-1,5-二叛酸等等，其中以對苯 二曱酸及間苯二曱酸較佳，因其較容易得到。 、 另外，上述芳族二羧酸的反應性衍生物可以是上述芳 族二羧酸的二醯氯及二酯等，其中以對苯二曱醯二氯及間 苯二曱醯二氯較佳。 … 曰 上述芳族三羧酸係芳香環上鍵結有三個羧基者，其中 有兩個羧基分別鍵結至相鄰的兩個碳原子上，芳香環可含 雜環，且芳香環間可以烷撐基、氧或羰基等鍵結。再者， φ 芳香環上例如可以導入烷氧基、烯丙氧基或_素等不參與 縮合反應的取代基。上述芳族三羧酸例如是偏苯三曱酸、' 一本酮-3,3，4’-三叛酸、聯苯_2,3,4’-三敌酸、咕唆_2,36_二 羧酸、苯甲醯苯胺_3,4,4，-三羧酸、萘-1，4,5-三羧酸、2，_甲 氧基一本_-3,4,4’-三缓酸及2’-氯苯甲酿苯胺_3,4,4，-三竣 酸等。 另外，上述芳族三羧酸之反應性衍生物例如是上述芳 族三羧酸的酸酐、醯鹵化物、酯、醯胺及銨鹽等衍生物，
18 (D I2949fl4if.doc 如偏笨二甲酸酐、偏苯三甲酸酐單醯氯、ι，4_二羧基_3_n，n_ 一甲基月女基曱酸基(胺基甲酸基：carbamoyl)笨、l，4-二緩 甲氧基-3-羧基苯、ι，4-二羧基_3_羧苯氧基苯、2,6_二羧基_3_ 羧曱氧基吡啶、1，6-二羧基-5-胺基甲醯基萘，以及由上述 芳知二羧酸與氨、二曱胺或三乙胺等所形成的銨鹽等等， 其中以偏苯三甲酸酐與偏苯三甲酸酐單醯氯較佳。
—上述芳族四羧酸係芳香環上鍵結有四個羧基者，其中 芳香環可含雜環，且芳香環間可以烷撐基、氧或羰基等鍵 結々。再者，芳香環上例如m从餘、糾氧基或鹵 素等不參與縮合反應的取代基。上述芳族四羧酸例如是笨 均四酸、二苯酮_3,3，，4,4，-四羧酸及聯苯-3,3，，4,4，-四羧酸 ^另外上述芳族四幾酸的反應性衍生物例如是苯均四 酉==酐、=苯酮_3,3’，4,4，_四叛酸二肝、聯苯_3,3，，4,4，_四叛 西义=酐一(3,‘二羧苯基)醚的二酐、二(3,4-二羧苯基)砜 的一酐一(3,4_二羧苯氧基)二苯颯的二酐、2，孓二(鄰苯二 六氟狀的二軒、2,2_二[4_(3,4_二鮮氧基)苯基] 、、酐又紛A二偏苯三曱酸酯的二酐、4 4，_二苯氧 j-二異丙標基，二甲酸的二針、4,4、二笨基—ti，： _ 曱基乙知基)]二偏苯三曱酸酯的二酐、萘四魏酸二
Lit醇二偏苯三曱酸酷的二酐，以及癸二醇二偏苯三 曱酸酯的二酐等等。 八偽it:在進行合成時，可以直接採用周知的使二胺成 人咬刀反應的方法，其各反應條件並無特別限制，而 ⑧ I29496Q^ifdoc 可以是任何周知的方法。 (Μ)ΪίΓ用之樹脂A與樹脂Μ自的重量平均分子量 40 3〇^130^000 ? 35,〇〇〇^〇〇,〇〇〇 , # = ^〜7G，_。當重量平均分子量不到孽〇時， 的:題性會過高’而產生黏著劑厚度大幅減少 平均破裂(refl〇W特性變差。反之，當重量 低:而使;I界面潤澤性與黏著性即會過 1文千V體I置的製程無法順利進行。 (GPC)測卜量:重^嶋透層析法 苯乙稀^物所作成的校正㈣者其仙使用聚 聚苯硫喊月::::熱ΪΪ3聚亞酿胺、聚酿胺、聚硬、 ^ ^ 醚醚酮、聚芳香酸酯、聚碳酸酯耸绍绦Ki# 為、。耐熱_厚度並無特贿制，但通常較佳 為5〜200輝，更佳為20〜75_。 吊罕乂 1 土 較佳在鳩或以下，更 或以=====一 f乂下的絕雜耐熱樹脂薄臈。由此觀點來看 薄膜是特佳的選擇。 有水亞酸月女 此外，耐熱膜的表面較佳經過處理， 劑層之間的附著力，從而防止其與點著劑層^:人黏著 20 ⑧ I2949i(4ifdoc 理等化學性處理，“===理、石_合劑處 處理或輝光放電處理等任一 Γ匕 理性處理、電漿 別適用化學性處理或電漿處理。 u，，、特 採用上形f咖的方法亦無特別限制，可 =: 百先將用以形成黏著劑層的樹脂溶解2 =_著劑清漆(即黏著劑组成物)，= 土 月果上，然後加熱除去溶劑。如:ς : 兩面上形成有黏著劑層的黏著膜。 卩、到早面或 上述有機溶劑例如是二甲基甲醯胺、二 Ϊ:基:2,㈣甲紛，、環己二:ί甲 土 -、、；二乙—醇二甲基醚、四乙二醇二甲基醚、了 (Τ”雜環己烷、乙二醇單丁基趟乙酸 醇乙酉夂酉日（ethyl cellosolve acetate)或甲笨箄蓉， =土 Ϊ用：或2或多種併用。將樹脂溶解於有機溶劑時 =亚無特別限制，但由黏著劑層的表面狀態及二口 g亦清漆中樹脂成分的含量較佳為！㈣哪。再更作 =亦可依嶋擇之樹脂的組合來調整樹脂成 里以控制黏著劑層的相分離結構。 、 上述黏著劑組成物可以僅含有樹脂八與 以另行添加環氧樹脂或硬化劑、硬化促進劑等等曰。，也可 也可以添加陶瓷粉、玻璃粉、銀粉、鋼粉 ？外： 私顆粒等填充劑，或是_合劑。就封裝結構的可靠性;ζ古， ⑧ 1294簡 if.doc 所添加者較佳為搞合劑；而為提高I馬合劑的效果，樹脂的 主鏈中較佳含有反應性的官能基，特別是醯胺基。 另一方面’在添加填充劑的情形下，其添加量如以樹 脂A與樹脂b的總量1〇〇重量份為準，較佳為丨〜3〇重量 伤’更佳為5〜15重量份。
輕合劑可使用乙烯基矽烷、環氧基矽烷、胺基矽烷、 撒基石夕纟元、鈦酸鹽、I呂螯合劑或錯紹酸鹽等 耦合劑，但以矽烷類耦合劑為佳。矽烷類可為乙烯基三甲 ，矽烷、乙烯基三乙氧矽烷、乙烯基三(Θ甲氧乙氧基)矽 烷、菸(3,4-環氧環己烷基）乙基三甲氧矽烷、产脫水甘油氧 基Oglycidoxy)丙基三甲氧基矽烷、产脫水甘油氧基丙基曱 乙氧基矽烷、N-界(胺乙基)-产胺丙基曱基二曱氧基矽 虼、、产胺丙基二乙氧基矽烷、N_苯基-产胺丙基三甲氧基矽 =«^基三曱減魏料，分子末端具有有機反應 ίΐί基的魏衫劑’其中尤以具環氧基的環氧魏輕 =為佳。另外，上述有機反應性官能基可為環氧基、乙 =麻胺基或誠等官能基。添加魏耦合劑可以提高黏 ^層對_膜_著性，使得轉齡·3帆下被 ::吏用時，黏著劑層與耐熱膜之間不易產生剝離;同時， 以樹脂的總量⑽重量份為 旱其較佺為1〜15wt%，更佳為2〜1〇wt%。 時熱除去塗有黏著劑清漆之耐熱膜上的溶劑 ^所奴的處理溫度只要足叫切_可。 另外，塗布方法並無特別限制，其例如可以是滾筒㈣ 22 ⑧ I2949fl^if.d〇c ^^ it ^ (reverse roll coating)^ jhj (gravure) 塗布法、棒式塗布法(bar coating)、刮刀輪塗布法(c〇nima coating)。另外，令耐熱膜通過黏著劑清漆中以進行塗布也 可以，但此方法的塗布厚度難以控制。 耐熱膜上所形成之黏㈣層的厚度較佳4卜7一， 更佳為10〜30网。黏著劑層的厚度如不到—，黏著性及 生產性都會變差；如超過75/mi，則成本會變高。 #如使用本發明之黏著膜，即容易製得可靠性高的具黏 著版的導線架，其製程方便性及產率皆良好。例如，製程 上可先由本發明之黏著膜切出預定尺寸的膜片，再將 著到導線架上。裁_著_方法只要可正確地將薄膜^ ，預定的形狀’則任何方法皆可。不過，如由料方便性 來看，其較佳使用城切斷黏著膜，再將切下的 黏著在導線架上。此時的黏著温度可為15〇〜35〇cc 為200〜300。0如黏著溫度不到15〇〇c，黏著力奋不f仏 如超過350。〇則黏著劑層會因熱劣化。 ^ 2_>a，較佳G.3〜職Pa。如黏著壓力不狀丨著 力會不;如超過2〇MPa，_著财糾狀=者 壓時間可以是在上述黏著溫度與 ^ i力下可達成a者的任何長度的時間， 方便性，其較佳為0.3〜60秒，更佳為〇 5〜1〇秒。】作業 再者，如使用本發明之黏著膜，即可地 性佳的半導體裝置，其製程方便性及良率蚧好罪 舉例來說，如欲製造-半導體裝置，可^提供以前述 23 Φ 1294觀版 著膜膜的導線架，再將半導體晶片黏著在黏 二=:線架黏著的一面，然後以金線等導線連接導 封衣上述結構，而形成引線在晶片上(LOC)封裝結構。 250〇Γ半導體晶片的黏著溫度可為15G〜3GG°C,較佳為150〜 c ’更佳為150〜·。c。如黏著溫度不到i5〇〇c ,黏著 超過· %，則半導體晶片與黏著劑層會因 H匕。黏者壓力可為（U〜2〇MPa，較佳〇·3〜i〇Mpa。如 3塵力不到G.IMPa，黏著力會不如超過2QMpa，則 钻者诏會溢出預定位置外，而使尺寸精確度變差，且 體晶片也會被破壞。 、 加壓時間可以是在上述黏著溫度與黏著塵力下可達成 黏著的任何長度的時間，但考量到作業方便性，其較佳為 〇·3〜60秒，更佳為0.5〜10秒。 <實例> 以下將以數個實例進一步說明本發明，但其並非用以 限制本發明之範圍。 [製造例1] ^百先準備配備攪拌器、溫度計、氮氣導入管與氯化鈣 =的四頸燒瓶，再於其中加入1.83克(5毫莫耳）的4,4，-二 月女基-3,3’，5,5’_四異丙基二苯曱烷(1]?1)1)]^、2〇5克(5毫莫 耳）的2，孓二[4-(φ·胺基苯氧基)苯基]丙烷(BAPP)及28·3克 的Ν-曱基-2-吡咯酮(ΝΜρ)，而使前二者溶解。接著在不使 ’皿度超過2〇〇C的冷卻條件下，於前述溶液中加人2 〇8克 24 I294m,〇c .，莫耳)的偏苯三甲酸酐單醯氯(TAC)。紐在室溫下 見小時，再於不使溫度超過，c的冷卻條件下加入 以人、（11晕莫耳）的三乙胺，之後於室溫下反應3小時， 6 口，聚醯胺酸。所得之聚醯胺酸清漆再於190〇C下反應 J日守，以合成聚醯胺亞醯胺。接著將水注入所 月女亞醯胺的清漆中，再將所得之沉殿分離、粉碎並乾燥， 即得聚醯胺亞醯胺共聚物的粉末，其以GPC法測得之聚苯 乙烯換算Mw為60000。接著，將此聚醯胺亞醯胺粉末溶於 N]V^P中，再將所得之清漆施加在玻璃板上，然後於1〇〇Τ 下乾燥10分鐘，再將其剝離，而後固定在鐵架上，於25〇〇C 下乾燥1小時而得薄膜。接著對所得薄膜進行 其係於1G克荷重、升溫速率㈣分鐘== 測量聚醯胺亞醯胺的丁g，測量結果為265〇c。 [製造例2】 首先提供配備溫度計、攪拌器、氮氣導入管及分餾管 的5升四頸燒瓶，再於氮氣環境下加入η5·2克(〇.6莫^^) 的1，3_二(3-胺基苯氧基)苯(ΑΡΒ)與352克(〇·4莫耳)的矽酮 二胺(信越化學工業公司產製，商品名為X-22_161AS)，然 後以2400克的二乙二醇二曱基醚溶解之。接著將所得溶液 冷卻至-10〇C，再於此溫度下加入213克(1.00莫耳）的偏苯 三曱酸酐單醯氯(TAC)。然後在室溫下攪拌1小時，再於 不使溫度超過20QC的冷卻條件下加入115克的三乙胺，' 之後於室溫下反應3小時，以合成聚醯胺酸。所得之聚酉奋 胺酸清漆再於190°C下反應6小時，以合成聚醯胺 胺。接著將所得之反應溶液加入甲醇中，以分離出聚酿胺
(D 25 U9 侧 ifdoc 胺。將此聚醯胺亞醯胺乾燥後，再將其溶於二曱基曱 =胺中，然後將所得溶液加入甲醇中，以再度分離出聚醯 胺亞fe胺。之後進行減壓乾燥，即得聚矽氧烷_聚醯胺亞醯 胺共聚物的粉末，其]\^為47000，Tg為 82°C。 [製造例3] 首先提供配備溫度計、攪拌器、氮氣導入管及分餾管 的5升四頸燒瓶，再於氮氣環境下加入233·6克(〇 8莫耳) 的ΑΡΒ與176克(〇·2莫耳)的石夕酮二胺(信越化學工業公司 _ 產製，商品名X-22-161AS)，然後以2000克的二乙二醇二 甲基醚洛解之。接著將所得溶液冷卻至-10。(3，再於此溫 度下加入213克(l.oo莫耳)的偏苯三曱酸酐單醯氯(丁Ac)。 然後在室溫下授拌j小時，再於不使溫度超過2〇〇c的冷 岭餘件下加入115克的三乙胺，之後於室溫下反應3小時， 以合成聚醯胺酸。所得之聚醯胺酸清漆再於19〇CDC下反應 6小時，以合成聚醯胺亞醯胺。接著將所得之反應溶液: ^甲％中，以分離出聚醯胺亞醯胺。將聚醯胺亞醯胺乾燥 • ’再將其溶於二甲基甲酿胺中，然後將所得溶液加入甲 醇=，以再度分離出聚醯胺亞醯胺。之後進行減壓乾燥， 即侍聚矽氧烷-聚醯胺亞醯胺共聚物的粉末，其Μ 46〇〇〇，Tg 為 132°c。 /、 w 匈 [製造例4] 首先提供配備溫度計、授拌器、氮氣導入管及分鶴管 的5升四頸燒瓶，再於氮氣環境下加入389·5克(〇·%莫 的ΒΑΡΡ與12·5克(〇·〇5莫耳)的石夕酮二胺(信越化學工業公 司產製，商品名LP-7100)，然後以24〇〇克的ΝΜρ溶解之Α。
(D 26 U94輝doc 接著將所得溶液冷卻至—ΙΟ。。，再於此溫度下加入213克 (1 ·〇〇莫耳）的偏苯三甲酸酐單醯氯(TAC)。然後在室溫下攪 拌1小時，再於不使溫度超過20QC的冷卻條件下加入115 克的二乙胺，之後於室溫下反應3小時，以合成聚酿胺酸。 所得之聚醯胺酸清漆再於19〇QC下反應6小時，以合成聚 酿胺亞酿胺。接著將所得之反應溶液加入曱醇中，以分離 出聚醯胺亞醯胺。將此聚醯胺亞醯胺乾燥後，再令其溶於 一曱基曱醯胺中，然後將所得溶液加入曱醇中，以再度分 鲁 _出聚酸胺亞醯胺。之後進行減塵乾燥，即得聚石夕氧院_ 聚醯胺亞醯胺共聚物的粉末，其Mw為68000，Tg為225°C。 [製造例5] 此例係以製造例1之相同方法製得聚醯胺亞醯胺共聚 物粉末，除了使用2.13克(1〇毫莫耳)的TAC及4.32克、(⑺ 宅莫耳）的一[4_(3-胺基苯氧基)苯基]颯(m_Apps)之外。所 得之聚醯胺亞醯胺粉末的]\/^為62000，丁§為222〇C。 [製造例6] φ 此例係以製造例2之相同方法製得聚矽氧垸_聚醯胺 亞酸胺共聚物粉末，除了使用213克(1.〇〇莫耳）的丁八〇 204.4克(〇·7莫耳）的APB及75克(0.3莫耳）的LP-7100之 外。所得之聚醯胺亞醯胺粉末的]\^為54000，Tg為145。〇 [製造例7] § 此例係以製造例2之相同方法製得聚矽氧烷_聚醯胺 亞醯胺共聚物粉末，除了使用213克（1·〇〇莫耳）的TAC、 287克(〇·7莫耳）的BAPP及75克(〇.3莫耳）的Lp_7i⑻之 I2949^i4ifd〇c 為 58000，Tg 為 175。〇 外。所得之聚酿胺亞醯胺粉末的M [製造例8] 首先準備配備攪拌器、溫度計 ^巧頸燒瓶’再於其中加入以㈣莫耳 ^ 基二苯__、3·69克(9毫莫耳)的BApp及加克: NMP，亚使p者轉。接著在不使溫度超過啊的冷 卻條件下’於前述溶液中加入1〇2克(5毫莫耳
甲酸二醯雜CMW克(5毫莫耳)的對苯二甲酸二酿氣 (TPC)的混合物。然後在室溫下授拌i小時，再於不使溫度 超過20°c的冷卻條件下加人U1克⑴毫莫耳)三乙胺， 之後於室溫T反應6小時，时絲_。接著將水注入 所得之聚_的清漆巾，再將所得之㈣分離、粉碎並乾 燥，即得聚醯胺共聚物的粉末，其Μ*為59〇〇〇，丁為225%。 [製造例9】 §< 此例係以製造例8之相同方法製得聚醯胺共聚物粉 末，除了使用2·03克(1〇毫莫耳)的jpC及2·48克(丨〇毫莫 耳)的4,4’-二胺基二苯砜(DDS)之外。所得之聚醯胺粉末的 Mw為 45000，Tg 為 318QC。 [製造例10】 此例係以製造例8之相同方法製得聚醯胺共聚物粉 末，除了使用2.03克(1〇毫莫耳 耳）的APB之外。所得之聚醯胺粉末的Mw為53〇〇〇，Tg 為 183°C。
[實例1J
(D I2949ii4if.doc f先混合以製造例1之聚雜麵胺粉末30克、、容於 nmp所得之清漆和以製造例2之聚酿胺魏胺粉末冗克 所得之清漆’再添加樹脂重量糊 (Dow C。麵g Silicone公司生產，商品名sh6〇4〇)以樂: 脂含量28痛的清漆，_將其塗布在經 胺膜(宇部興產公司生產，商品名狐EX懒兩面再t Η)純，胁·。G 了錢1G分鐘，即得 兩面白有25㈣厚黏著劑層的黏著膜，其外觀 狀。黏著劑層的Μ 105〇c，且其在15〇〇c彈= 模t為8隐。_ 的邮崎料電_EM)二 可確I、具有製造例i之聚醯胺亞_為分散相、以 玉之?《胺亞_為連續相的連續相·分散相結構，八 If相的平均尺寸為3胸。另外，本發明中彈性儲存模= =用Rhe〇1〇gy公司製造的DVE版寧伽裝置，在= 為脈、振幅為10_及自動控制拉伸荷重二= 行。再者，此黏著膜係、以切_成短條狀 厚牛下進 Γ錄合金製導線架上，而與_.2贿、寬()=5 。讀於23代、聰_力下加壓 3心以加屋附者之’即得具黏著膜的導線 2〇〇°C、壓力3MPa及加壓時間3秒的條件下，將 件加墨黏著在上述具黏著膜導線架的具有黏著劑声的= 上，再於下用金線打線連接導線架與半導^面 未發現打線未受壓附著的情形。然後再% 壤乳樹脂娜（日立域X #公司生產，商品名cel_= 員） 29 12949Mu〇〇 結構)。令此封二:c圖::示之半導體裝置(封裝 4M、時的吸水處理後，再使其通過度，下進行 並未發現封裝上有裂缝。另外，圖 H爐，結果 4為半導體元件、5為導料、6^虎3者為黏著膜、 丨卞踝木、6為封膠、7 wire) ’ 8 則為匯流排條(bus bar)。 ’、、、¥、、泉(bondmg [比較例1] 本例係以實例1的相同方法製得著 製造例2的樹脂之外。此麟贈联除了僅使用 的τ心：: 的外觀透明，其黏著劑層 接著^吏用且G°C T的彈性儲存模數為G.8MPa。 黏者膜，以實例！的相同方法 置，此時發現打線製程中有許多導線未受 ¥體衣 [比較例2】 本例係以實例1的相同方法製得黏著膜，除了 ^造例1的樹脂之外。此黏著膜的外觀透明，其黏著劑層 的％為265〇C，且在150〇C下的彈性儲存模數為2 iGpa曰。 接者使用此㈣膜，以實例1的侧方法製做半導體裝 置，結果發現在其晶方黏著步驟中，於2〇〇〇c的黏著溫度 下晶片與導線架並無法黏合。 ’孤又
[實例2J 此例係以實例1的相同方法製得黏著膜，除使用製造 =1的聚醯胺亞醯胺粉末30克及製造例3的聚醯胺亞醯胺 粉末70克、清漆中樹脂佔2〇械％之外。此黏著膜的外觀 混濁，且其黏著劑層的Tg為145QC，150QC下的彈性儲存 ⑧ 1294爾 fdoc 桓數為8GGMPa。此黏著膜的外觀昭 =劑r面而得)及麵變化曲線 性料m即可確5忍黏著劑層有連續相與分散相，而针 :::線上可看到由混合前之錢脂所造成的，曲： 妝孤㈣刀政相、製造例3的聚醯胺 大’再置於厚0.2酿的鐵鎳合金製導線架上，== 、寬〇.2麵之内引腳接觸。之後於2厂着 =条件下祕3秒以使其_，即得具黏翻的= :耆，在2,、壓力職及加塵時間3秒的停夂 =+導體元件加壓黏著在上述具黏著膜導線架的具有 的:面上，再於峨下用金線打線連接導線架盥 W兀件’此時並未發現打線未受壓附著的情形。铁播 ^述脂封™以轉注成形;進行 對衣即侍圖2所示之半導體裝置(封裝結 結構在wc、85%相對濕度_下進行48小時 理後’使其通過245°C的迴龍’結果並未發現封裳上有 裂縫。 、， [實例3] 本例係以實例1的相同方法製得黏著膜，除使用製造 =4的聚軸亞gf胺粉末3Q克與製造例3的聚軸亞酿胺 釦末70克之外。此黏著膜的外觀混濁，且其外觀的照片（以 光學顯微鏡觀察黏著劑層表面而得)如圖5所示。黏著劑層 31 ⑧ ^2949〇4ifdoc 的1為l38cC，且在150〇C下的彈性儲存模數為75〇Mpa。 f ^劑層的剖面以SEM觀察，可確認其具有製造例4的 聚醯胺亞醯胺為分散相、製造例3的聚醯胺亞醯胺為連續 相的連續相-分散相結構。接著，此黏著膜以切模切成短: 狀，再置於厚〇.2mm的鐵鎳合金製導線架上，而與間距 〇,2mm、寬〇.2mm之内引腳接觸。之後於230%、3MPa 的ί卞件下力口壓3秒以使其附著，即得具黏著膜 接著，在游c、壓力遞a及加壓時間3秒==， 將半導體元件加壓黏著在上述具黏著膜導線 ^面上，再於歡下用金線打線連接導線= 導版7U牛，此時並未發現打線未受塵附著的情形。 用^述聯苯類環氧樹脂封膠咖_9以轉注成縣進行 圖2所示之半導體裝置（封裝結構）。令此封裝 Μ、85%相對濕度阳)下進行48小時的吸水處 =、通過MW的迴鲜爐’結果並未發現封裝上有 【實例4] 例二='二實!ιΠ的相同方法製得黏著膜，除使用製造 於太二Γ女亞酿胺粉末15克與製造例3的聚_亞酸胺 且清漆中樹脂濃度為33wt%之外。此黏著嫉 性儲存模數為740MPa。卖…,： 。下的评 石4切苴且古制 Pa黏者劑層的剖面以SEM觀察，町 的;_亞::=::= I2949〇]4if.d〇c ;X切模切成短條狀，再置於彳G.2mm的鐵鎳合金製 %未上而與間距〇_2mm、寬0.2mm之内引腳接觸。之 I ϋ2/0 C、3MPa的條件下加壓3秒以使其附著，即得具 1者版的導線架。接著，在200°C、壓力3MPa及加壓時
Lit的條件下，將半導體元件加壓黏著在上述具黏著膜 的具有黏著劑層的—面上，再於1帆下用金線打 、κ^導線架與半導體元件，此時並未發現打線未受麼附 者赫、月形然後使用前述聯苯類環氧樹脂封膠CEL- 9200 成形法進行封裝，即得圖2所示之半導體裝置(封裝 ^ 7此封裝結構在85°C、85%相對濕度(RH)下進行 8 ^的财處理後，使其通過2歡的迴賴， 未發現封裝上有裂縫。 [比較例3] 例1 以實例1的相同方法製得黏著膜，除使用製造 於東3(Γ ^胺髓胺粉末7g克與製造例2的魏胺亞酸胺 ^235。「克之外。此黏著膜的外觀混濁，其黏著劑層的％ _的立1，且在15〇〇C下的彈性儲存模數為UGPa。黏著 SEM觀察’可確認其具有製造例2的聚酸 連散相、製造例1的聚_賴胺為連續相的 相結構。接著使耻黏著膜，以實例1的相同 度2〇Γ。^㈣裝置，結果發現在晶方黏著步驟的黏著溫 戾200 C下，晶片與導線架無法黏合。 [實例5] 本例係以實例1的相同方法製得混合清漆與黏著膜， ⑧ i2949fl4ifdoc 較用m例8的聚_粉末3G克與製造例2的聚_亞 &私粉末7G克之外。此例在混合清 …製得之黏她⑽有 本例係以實例1的相同方法製得混合清漆鱼黏著膜， 二== 《得之㈣膜的外觀也有明顯的相分= 本例係以實例i的相同方法製得黏著膜，除使用㈣ =的聚=^胺粉末3()克與製造例6的聚醯胺亞_ 二46。。', 1。此黏者膜的外觀混濁，其黏著劑層的A ί ^ C ’且在15G°C下的彈性儲存模數為聰a。所得 隻;化曲線及熱機械分析(雇)的拉伸長度變 = = == =線上顯現出混合前之各樹 ^ 1 ^ 黏者劑層的剖面以SEM觀察，可禮 有ΐΐ例1的聚酿胺亞醯胺為分散相、製造例6的 =讀亞酉监胺為連續相的連續相_分散相結構。接著，此點 ^膜以切模切成短條狀，再置於厚02m 導 ，，而與間距。.-、寬。.2mm的内引 著/Γ3Γα的條件下加壓3秒以使其附著’即得具黏 ¥線架。接著，在23代、壓力3MPa及加壓時間3 ϋϊί'將半導體元件加難著在上述具黏著膜導線 木、/、有黏著劑層的一面上，再於160OCT用金線打線連 34 I2949ft4ifdoc 情开^。導體兀件’此時並未發現打線未受壓附著的 注成形述聯ΐ類環氧樹脂封膠CEL•以轉 m〇 發現封裳上有裂縫。 ㈣〜爐，結果亚未 [實例8】 60 ^ , 見一氣仏例6的聚醯胺亞醯胺 =克了上。此黏著膜的外觀混濁，其黏著劑層q 得薄膜—在 下的彈性儲存模數為mGPa。所 ίΓί曲線如圖6所示，其上顯現出混合前 結果如圖Ί、的弓曲點。黏著劑層的剖面以sem觀察， 為分^制:彳確5忍其具有製造例1的聚醯胺亞酿胺 =6的聚_亞酿胺為連續相的連續相-構。另外，所得之黏著膜十分光滑，且幾乎不會 心。接著，此黏著臈以切模切成 =:錄合金製導線架上’而與間距。.2_、iL: =f=，3Mpa的條件下力挪以 及加㈣間3秒的條件下，將半導體元件加厂i =在上述具黏著膜導線架的具有黏著劑層的一面上，再於 線打線連接導線架與半導體元件，此時並未 每現打、、泉未受歷附著的情形。然後使用前述聯苯類環氧樹 、129的1 脂封膠CEL-9200以轉注成形 =導體裝置(封裝結構)。令此封二^ 對礙度_下進行48小時的吸 再在85 C、85/〇相
=盧’結果並未發現封裝上有;縫。’使其通過245°C 本例係以實例1的相同方法制 例5的聚_亞_粉使用製造 粉末85吉之冰# 兄/、裝^例7的聚醯胺亞醯胺 其具有製造例/It黏著劑層的剖面以SEM觀察，可確認 酿胺亞㉖胺為連,::“續題胺為讀相、*造例7的聚 [»Γι〇Γ 例湖雜麵，除使用製造 8〇克之夕克與製造例6的聚酿胺亞酿胺粉末 146°C。Μ,曰"者臊的外觀混濁，且其黏著劑層的T為 有製造例二=劑層的剖面以SEM觀察’可確認i具 以上各貫例的結果整理列示於下表i中： ⑧ 36 1294904
i<
實例 10 o (N in oo <N tint cn 4^ v〇 寸 T—( 1 着 1 1 實例 9 oo oo (N 〇|ra cn m '#、 卜 卜 r-H 1 I 1 1 實例 8 s o in oo <N Q|n m 00 寸 T—( 1050 碟 碟 實例 7 o 沄 00 (N 雙 cn 混濁 v〇 寸 r-H 1000 碟 實例 6 〇 uo 00 (N Q|m m 分離 雇 1 1 1 1 實例 5 〇 oo (N D|ra cn 分離 1 1 1 1 1 比較 例3 〇 m o 00 (N Q|ra cn 混濁 (η cn (N 1200 1 1 實例 4 oo cn m 〇|m cn 混濁 Ό m 〇 實例 3 o in 00 CN 雙 cn 混濁 00 m o 碟 實例 2 o 沄 〇 (N 〇|n cn tn 寸 o 比較 例2 o o 1—H 00 (N Q|ffl m 透明 vo (N 2100 1 1 比較 例1 〇 τ-Η 00 (N 〇|m m 透明 CN 00 oo o 1 實例 1 〇 沄 in 00 (N cn 混濁 in 〇 r—1 oo 碟 寸 老 in M v〇 vo M <N σ\ to 寸 m ί〇 清漆中的樹脂含量(wt%) 薄膜結構 目視外觀 有無連績相-分散相結構？ 0 [T E’（MPa)(在 150°C 下） 20(TC下的黏著性 有無打線未受壓附著？ 有無封裝裂缝？ (N 〇〇 (N cn IT) 寸 卜 in Ό (N CN (N (N CN (N (N <N oo m 00 組成[()内為莫耳比] < τ-Η Co" Ph < /^s o < H /—'s < Ph < /^s o < H 0 0 ffl Ph < gs r-H < H & Ph < § o' < H S Pk < δ Q Q fc o' < H 〇 in' sS P^i < PQ o" < H /^N o s CL, pL, < 1 s gs r-H ί /^S r-H w Q 〇\ 〇r Oh < l£^ Ph (n r-H ΌΟ Q Q o Oh - _< Ph | τ-Η u Ph SH6040 (矽烷耦合劑） CN CO 卜 r-H 寸 to oo ON 〇 < < <d PQ PQ CQ PQ 31 鲁
4 6 I2949fl4>ifd〇c 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並 限定本發明’任何熟習此技藝者’在不脫離本；明用以 和範圍内’當可作些許之更動_飾，因此本發明之^ 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 分別二： 例之黏著膜的剖面圖，其中⑻、⑻ 二耐熱膜的兩面、單面上有黏著劑層的實施例。 刮每圖ί為使用本發明之黏著膜的半導體裝置的實施例的 =3為士發明貫例2之黏著劑層的外觀照片。 二：為實例2之黏著劑層的黏彈性變化曲線 _ 5為實例3之黏著劑層的外觀照片。 8之黏者劑層的黏彈性變化曲線圖。 Τ’層的熱機械分析(TMA)結果。 ^為貫例8之黏者劑層的剖面的職 牛符號說明】 耐熱膜 黏著劑層 黏著膜 半導體元件 導線架(lead frame) 封膠 導線(bonding wire) 匯流排條(bus bar) ⑧ 38

Claims (1)

  1. I2949iQ4pif.doc 十、申請專利範圍： 1. 一種黏著膜，用以將一半導體元件黏著在一被黏著 體上，包括： 一耐熱膜；以及 形成在該耐熱膜的單面或兩面上的黏著劑層， 其中該黏著劑層含有樹脂A與樹脂B，且具有連續相 -分散相結構，其中該樹脂A的玻璃轉換溫度(Tg)低於該樹 脂B ’該樹脂A為連績相’且該樹脂B為分散相。 2. 如申請專利範圍第1項所述之黏著膜，其中該樹脂 A與該樹脂B之一為聚醯胺亞醯胺、聚醯胺、芳香族聚酯、 聚石風、聚醚諷，或是含前述2或更多種聚合物的混合樹脂。 3. 如申請專利範圍第1項所述之黏著膜，其中該樹脂 A與該樹脂B各自為聚醯胺亞醯胺、聚醯胺、芳香族聚酯、 聚颯、聚醚颯，或是前述2或更多種聚合物的混合樹脂。 4. 如申請專利範圍第1項所述之黏著膜，其中該樹脂 A與該樹脂B二者中至少有一為聚醯胺亞醯胺、聚醯胺， 或是聚醯胺亞醯胺與聚醯胺的混合樹脂。 5. 如申請專利範圍第1項所述之黏著膜，其中該樹脂 A為聚醯胺亞醯胺、聚醯胺，或是二者的混合樹脂。 6. 如申請專利範圍第1項所述之黏著膜，其中該樹脂 A係由一單體組成物聚合而得，該單體組成物含有10wt%〜 80wt%的具有石夕S同結構的單體。 7. 如申請專利範圍第6項所述之黏著膜，其中該樹脂 B係由另一單體組成物聚合而得，該另一單體組成物不含 39 ⑧ I2949fl4ifdoc 具石夕幡構的單體，或是含有_%以上、i_%以下的具 有石夕i同結構的單體。 、 A =11請#利_第1項所述之黏著膜，其中該樹脂 、璃轉換溫度大於等於30oc且小於200oc，且該樹脂 的玻璃轉換溫度為2〇〇〇c〜4⑽。c。 A與專8項所述之黏轴，其中該樹脂 ”二3曰▲一者間的玻璃轉換溫度差異為20°C〜300。〇
    .如申明專利範圍第1項所述之黏著膜，苴哕 150〇C 劑層更対^目㈣嫩㈣，其愼著 12·如巾請專利範圍f u項所述之 合劑包括-魏麵合劑。 顿其中摘 13· —種具黏著膜的導線架，包括： 一導線架；以及 導線2請專利軸第1項所述絲著膜，其係貼附於該 以申請專利範圍第1項所 導體元件所得之結構。 、、14· 一種半導體裝置，其具有 述之黏著膜黏合一導線架與一半
TW94113639A 2004-05-11 2005-04-28 Adhesive film, lead frame with adhesive film, and semiconductor device using same TWI294904B (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004141179 2004-05-11
JP2005066328 2005-03-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200609320A TW200609320A (en) 2006-03-16
TWI294904B true TWI294904B (en) 2008-03-21

Family

ID=35309755

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW94113639A TWI294904B (en) 2004-05-11 2005-04-28 Adhesive film, lead frame with adhesive film, and semiconductor device using same

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20050255278A1 (zh)
KR (1) KR100701988B1 (zh)
TW (1) TWI294904B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6700185B1 (en) * 1999-11-10 2004-03-02 Hitachi Chemical Co., Ltd. Adhesive film for semiconductor, lead frame and semiconductor device using the same, and method for manufacturing semiconductor device
KR100644749B1 (ko) * 2005-07-22 2006-11-14 삼성전기주식회사 동박적층판 및 다층 인쇄회로 기판
JP4719042B2 (ja) * 2006-03-16 2011-07-06 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
EP2053108A4 (en) * 2006-08-04 2012-12-12 Hitachi Chemical Co Ltd FILM ADHESIVE, ADHESIVE SHEET, AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME
EP3109214B1 (en) * 2014-02-20 2020-11-11 Sekisui Chemical Co., Ltd. Interlayer for laminated glass, and laminated glass
JP7003795B2 (ja) * 2017-03-29 2022-01-21 荒川化学工業株式会社 ポリイミド、接着剤、フィルム状接着材、接着層、接着シート、樹脂付銅箔、銅張積層板、プリント配線板、並びに多層配線板及びその製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0128814B1 (ko) * 1993-07-05 1998-04-07 강박광 이소포론디아민 구조를 함유하는 신규 폴리아미드이미드수지
JP3347651B2 (ja) * 1997-09-17 2002-11-20 株式会社巴川製紙所 電子部品用接着テープ
JP3410642B2 (ja) * 1997-09-26 2003-05-26 株式会社巴川製紙所 電子部品用耐熱性接着剤組成物
JP3950560B2 (ja) * 1998-08-14 2007-08-01 株式会社巴川製紙所 電子部品用接着剤および電子部品用接着テープ
CN1238458C (zh) 2000-01-19 2006-01-25 日立化成工业株式会社 半导体用粘接膜、带有半导体用粘接膜的导线框及使用了该导线框的半导体装置
WO2001074962A1 (en) * 2000-03-31 2001-10-11 Hitachi Chemical Co., Ltd. Adhesive composition, method for preparing the same, adhesive film using the same, substrate for carrying semiconductor and semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
TW200609320A (en) 2006-03-16
KR100701988B1 (ko) 2007-03-30
US20050255278A1 (en) 2005-11-17
KR20060047674A (ko) 2006-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI326695B (en) Adhesive film and semiconductor device using same
TWI272183B (en) Polyimide-metal layered products and polyamideimide-metal layered product
CN103257527B (zh) 感光性粘接剂组合物、膜状粘接剂、粘接片、粘接剂图形、半导体晶片和半导体装置
JP5093229B2 (ja) 感光性接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
TWI325438B (en) Resin composition and film forming material including thereof
TW575637B (en) Process for producing thermoresistance resin paste
TWI294904B (en) Adhesive film, lead frame with adhesive film, and semiconductor device using same
TWI460249B (zh) 黏合組成物、黏合膜及製造半導體元件的方法
TW201134856A (en) Polyimide resin composition, and adhesive, laminate and device containing the same
TW201006901A (en) Adhesive component, film-shaped adhesive, adhesive sheet and semiconductor device
JP4219660B2 (ja) ウエハダイシング・ダイボンドシート
TW201016821A (en) Thermal setting type die bonding film
WO2007083810A1 (ja) 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、並びにそれを用いた半導体装置
TW201125948A (en) Semiconductor device and fabricating method thereof, and semiconductor wafer with adhesive layer
JP5486309B2 (ja) 半導体装置用プライマー樹脂及び半導体装置
TWI320053B (zh)
KR20130113377A (ko) 반도체 장치 제조용 마스크 시트 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
JP2005330421A (ja) 部分ブロックポリイミド−ポリシロキサン共重合体及びその製造方法並びに該共重合体を含む樹脂組成物
KR100941315B1 (ko) 열경화성 접착제 조성물 및 이를 이용한 접착 필름
TW200416267A (en) Flexible metal layered product and heat-resistant adhesive composition
TW201246280A (en) Semiconductor wafer with adhesive layer, fabricating method of semiconductor device and semiconductor device
CN1325595C (zh) 粘合薄膜、带粘合薄膜的引线框架及使用它们的半导体器件
JPH0913001A (ja) 電子部品用液状接着剤および電子部品用接着テープ
JP2004210805A (ja) 接着フィルム及びその用途
JP2010254808A (ja) ウエハ仮固定用耐熱性接着組成物およびフィルム

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees