CN1325595C - 粘合薄膜、带粘合薄膜的引线框架及使用它们的半导体器件 - Google Patents

粘合薄膜、带粘合薄膜的引线框架及使用它们的半导体器件 Download PDF

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Abstract

本发明提供了兼具低温粘合性和引线接合性的粘合薄膜。该粘合薄膜是为了在被粘合体上粘合半导体元件而使用的粘合薄膜，上述粘合薄膜在耐热薄膜的一面或者两面形成粘合剂层，上述粘合剂层含有树脂A和树脂B，上述树脂A的玻璃化转变温度比上述树脂B的玻璃化转变温度低，上述粘合剂层具有树脂A成为海相、树脂B成为岛相的海岛结构。

Description

粘合薄膜、带粘合薄膜的引线框架及使用它们的半导体器件
技术领域
本发明是关于粘合薄膜、带粘合薄膜的引线框架及使用粘合薄膜和引线框架的半导体器件。
背景技术
近年来，半导体芯片由于其的高机能大容量化而向大型化发展。对此，容纳半导体芯片的封装的大小，从印刷电路板的设计上的制约以及电子机器小型化的要求等来说，就要求其具有小的外形。为了适应这种倾向，提出了一些适应半导体芯片的高密度化和高密度封装的新的封装方式。例如，已经知道，在储存元件中，在设计的芯片上接合引线的LOC结构，或代替引线框架使用薄膜或有机基片的μ-BGA、FBGA、BOC等的CSP，或芯片层叠结构的层叠型封装。如果使用这些方式，就能够谋求芯片内配线或引线接合的合理化、由配线缩短引起的信号高速化，封装尺寸的小型化。
这些新的封装方式，存在半导体芯片和引线框架这样的不同材料的接合界面，其接合可靠性对半导体封装的可靠性给予非常大的影响。除了对耐封装装配作业时的过程温度的可靠性、粘合作业性有明确的要求之外，通过引线接合使得半导体芯片和引线框架能良好地连接也是重要的项目。
以往，在上述封装的粘合中，使用糊状的粘合剂或涂布在耐热性底材上的粘合剂。作为其例子，可举出使用聚酰亚胺树脂的热熔融型粘合剂薄膜(例如，参照特开平5-105850号公报、特开平5-112760号公报、特开平5-1127761号公报)。但是，热熔融型粘合剂薄膜，由于粘合剂树脂的Tg高，因而粘合中需要的温度会非常高。因此，在使用热熔融型粘合剂薄膜的情况下，有可能对近年来更高密度化的半导体芯片或铜制引线框架这样的被粘合体造成热损伤。
另外，为了满足低温粘合性，使用玻璃化转变温度低的树脂的粘合剂是已知的。但是，由于树脂在引线接合温度变得柔软，因而在半导体封装制造过程的引线接合时，存在半导体芯片和引线框架不能电接合这样的问题。
发明内容
本发明的目的是提供兼具低温粘合性和引线接合性的粘合薄膜。
另外，本发明的目的是提供带粘合薄膜的引线框架。
此外，本发明的目的是提供通过上述粘合薄膜粘合引线框架和半导体元件的半导体器件。
本发明者们在进行能够兼具低温粘合性和引线接合性的粘合薄膜研究中发现了，使用形成薄膜状态且相分离的特定的两种树脂的粘合薄膜，能够解决上述课题。
即，本发明是为了在被粘合体上粘合半导体元件而使用的粘合薄膜，是关于上述粘合薄膜在耐热薄膜的一面或者两面形成粘合剂层、上述粘合剂层含有树脂A和树脂B、上述树脂A的玻璃化转变温度比上述树脂B的玻璃化转变温度低、上述粘合剂层具有树脂A成为海相、树脂B成为岛相的海岛结构的粘合薄膜。
另外，本发明是关于树脂A或者树脂B的任一方是聚酰胺酰亚胺、聚酰胺、芳香族聚酯(聚芳酯，Polyarilate)、聚砜、聚醚砜、或者它们的2种或2种以上的混合树脂的上述粘合薄膜。
此外，本发明是关于树脂A或者树脂B的两方是聚酰胺酰亚胺、聚酰胺、芳香族聚酯(聚芳酯)、聚砜、聚醚砜、或者它们的2种或2种以上的混合树脂的上述粘合薄膜。
另外，本发明是关于树脂A或者树脂B的至少一方是聚酰胺酰亚胺、聚酰胺或者其混合树脂的上述粘合薄膜。
另外，本发明是关于树脂A是聚酰胺酰亚胺、聚酰胺或者其混合树脂的上述粘合薄膜。
此外，本发明是关于树脂A是使含有大于或等于10重量％、小于或等于80重量％的具有硅氧烷结构的单体的单体成分进行聚合而得到的聚合物的上述粘合薄膜。
另外，本发明是关于树脂B是使含有大于或等于0重量％、小于10重量％的具有硅氧烷结构的单体的单体成分进行聚合而得到的聚合物的上述粘合薄膜。
此外，本发明是关于树脂A的玻璃化转变温度是高于或等于30℃、不到200℃，树脂B的玻璃化转变温度是高于或等于200℃、低于或等于400℃的上述粘合薄膜。
另外，本发明是关于树脂A和树脂B的玻璃化转变温度的差是大于或等于20℃、小于或等于300℃的上述粘合薄膜。
另外，本发明是关于粘合剂层的贮存弹性模量，在高于或等于150的任一温度是大于或等于3MPa、小于或等于10GPa的上述粘合薄膜。
此外，本发明是关于粘合剂层含有偶联剂的上述粘合薄膜。
另外，本发明是关于偶联剂是硅烷偶联剂的上述粘合薄膜。
再有，本发明是关于具有引线框架及在引线框架上贴付了上述粘合薄膜的带粘合薄膜的引线框架。
另外，本发明是关于具有用上述粘合薄膜将引线框架和半导体元件粘合的结构的半导体器件。
发明效果
本发明的粘合薄膜含有树脂A的玻璃化转变温度比树脂B的玻璃化转变温度低的树脂A和树脂B，在耐热薄膜的一面或者两面形成树脂A成为海相、树脂B成为岛相的海岛结构的粘合剂层。由此，本发明的粘合薄膜能够在低温进行粘合，而且引线接合性、可靠性、粘合性、粘合作业性等优良。
另外，本发明的粘合薄膜，还由于树脂种类的特定化，因而粘合性更优良。
另外，本发明的粘合薄膜，作为树脂，由于使用含有聚酰胺或者聚酰胺酰亚胺等含酰胺基的树脂，因此粘合性、可靠性优良。
此外，本发明的粘合薄膜，通过控制各自的树脂的Tg，低温粘合性和引线接合性的兼容性更良好。
另外，本发明的粘合薄膜，通过控制树脂的硅氧烷成分量，海岛结构的控制容易，低温粘合性和引线接合性的兼容性良好。
此外，通过使用上述粘合薄膜，能够提供带有低温粘合性、引线接合性、可靠性、粘合性、粘合作业性等优良的粘合薄膜的引线框架。
再有，通过使用上述粘合薄膜或者带粘合薄膜的引线框架，能够提供可靠性优良的半导体器件。
附图说明
图1是表示本发明的粘合薄膜的实施方式的剖面图。(a)是在耐热薄膜的一面层叠粘合剂层的例子，(b)是在耐热薄膜的两面层叠粘合剂层的例子。
图2是表示使用本发明的粘合薄膜的半导体器件的实施方式的剖面图。
图3是实施例2中的粘合剂层的外观照片。
图4是实施例2中的粘合剂层的粘弹性图。
图5是实施例3中的粘合剂层的外观照片。
图6是实施例7和实施例8中的粘合剂层的粘弹性图。
图7是实施例7中的粘合剂层的TMA图。
图8是实施例8中的粘合剂层的断面的扫描电子显微镜照片。
具体实施方式
本发明的粘合薄膜是为了在被粘合体上粘合半导体元件而使用的粘合薄膜，作为一种实施方式，采用图1(a)或者(b)中所示的结构。在图1(a)或者(b)中，1是耐热薄膜，2是粘合剂层。作为使半导体元件粘合的被粘合体，没有特别的限制，可举出引线框架、薄膜、有机基片、半导体元件等。
在本发明中，在耐热薄膜的一面或者两面形成的粘合剂层，是采用含有树脂A和树脂B、树脂A的玻璃化转变温度比树脂B的玻璃化转变温度低、树脂A成为海相、树脂B成为岛相的海岛结构的粘合剂层。以下，边例示具体的实施例边详细地说明本发明的粘合薄膜。
在本发明的粘合薄膜中，粘合剂层具有树脂A成为海相、树脂B成为岛相的海岛结构，树脂A的玻璃化转变温度比树脂B的玻璃化转变温度低。即，在海岛结构中，将岛相的玻璃化转变温度设定得高于海相。这样，本发明的粘合薄膜就能够兼具低温粘合性和引线接合。
在本发明中，树脂A和树脂B，优先从耐热性的热塑性树脂中选择。作为耐热性的热塑性树脂组合物，例如可举出聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酯酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、芳香族聚酯(聚芳酯)、聚砜、聚醚砜等所谓的工程塑料类等。
上述树脂A和树脂B，在形成粘合薄膜的状态下可以相分离。另外，例如，树脂A或树脂B即使是2种或2种以上的树脂的树脂混合物也没关系。
作为树脂A和树脂B，从粘合性或溶解性的观点出发，优选聚酰亚胺，更优选聚酰胺酰亚胺、聚酰胺、芳香族聚酯(聚芳酯)、聚砜、聚醚砜等树脂。
作为本发明的一种实施方式，树脂A或者树脂B的任一方，是从聚酰胺酰亚胺、聚酰胺、芳香族聚酯(聚芳酯)、聚砜、聚醚砜组成的组中选择的树脂，或者是含有选自这些中的2种或2种以上的树脂的混合树脂，这样在粘合性这点是令人满意的。另外，作为本发明的实施方式，树脂A和树脂B的两方，是从聚酰胺酰亚胺、聚酰胺、芳香族聚酯(聚芳酯)、聚砜和聚醚砜组成的组中选自的树脂，或者是含有选自这些中的2种或2种以上的树脂的混合树脂，这样在粘合性这点是令人满意的。
再有，作为本发明的其他实施方式，树脂A和树脂B的至少一方，在粘合性、封装可靠性方面，优先选择的是含有聚酰胺酰亚胺、聚酰胺，或者是含有这些的混合树脂等的酰胺基的树脂。这是因为，酰胺基是极性大的基团，因此通过极性基的相互作用，和被粘合体的粘合力变强，并且树脂A和树脂B的界面的粘合力也变强。再有，酰胺基还具有反应性，通过利用偶联剂的微交联，还能够期待强化树脂的作用。
因此，在本发明中，为了进一步追求粘合力的提高，树脂A和树脂B的至少任一方，优先选择的是聚酰胺酰亚胺、聚酰胺，或者这些的混合树脂等的含有酰胺基的树脂。
在树脂A和树脂B的任一方使用含有酰胺基的树脂的情况下，在粘合性这点上，优先选择在成为海相的树脂A中使用含有酰胺基的树脂。这是因为可利用酰胺基的极性。另外，如果在树脂A和树脂B的两方中都使用含有酰胺基的树脂，则树脂A和树脂B的相互作用也变强，就不易发生界面剥离，因此是优先选择的。
在本发明中使用的树脂A和树脂B，较好是玻璃化转变温度高于或等于30℃、低于或等于400℃的耐热性树脂，最好是玻璃化转变温度是高于或等于50℃、低于350℃的耐热性树脂。另外，树脂A最好是玻璃化转变温度是高于或等于30℃、不到200℃的树脂，树脂B最好是玻璃化转变温度是高于或等于200℃、低于或等于400℃的树脂。再有，树脂A在引线接合温度下由动粘弹性测定的贮存弹性模量更好是大于或等于0.1MPa，树脂B在引线接合温度下由动粘弹性测定的贮存弹性模量更好是大于或等于10MPa。从这些观点出发，在树脂A和树脂B的任一方中优先使用含有酰胺基的树脂。
再者，在本发明中，所谓引线接合温度通常是指高于或等于150℃的任一温度。
树脂A的玻璃化转变温度如果高于或等于200℃，低温粘合性就降低，如果不到30℃，在室温会产生粘合性，不易操作，并且引线接合性、可靠性往往降低。树脂A的贮存弹性模量如果低于0.1MPa，引线接合性往往降低。
树脂A的玻璃化转变温度，较好是60～180℃，最好是70～150℃。树脂A的贮存弹性模量较好是3～3000MPa，最好是5～3000MPa。
另外，在树脂B的玻璃化转变温度不到200℃时，并且贮存弹性模量低于10MPa时，引线接合性往往降低。
树脂B的玻璃化转变温度较好是220～330℃，最好是250～300℃。树脂B的贮存弹性模量较好是20～3000MPa，最好是50～3000MPa。
树脂A和树脂B的玻璃化转变温度差最好是大于或等于20℃、小于或等于300℃。如果是不到20℃，低温粘合性和引线接合性的兼具是困难的，如果高于300℃，引线接合性、可靠性往往降低。
另外，在含有本发明中使用的树脂A和树脂B的粘合剂层的室温以上，最低的玻璃化转变温度较好是50～190℃，更好是80～190℃，最好是100～185℃。在引线接合温度下由粘合剂层的动粘弹性测定的贮存弹性模量较好是大于或等于3MPa、小于或等于10GPa，更好是大于或等于3～3000MPa，最好是5～3000MPa。
再者，在本发明中，含有树脂A和树脂B的粘合剂层的玻璃化转变温度，从由粘合剂单层的动粘弹性测定得到的贮存弹性模量曲线的2个拐点处的各自的切线的交点可以求出。
通过事前进行预备研讨来选择形成薄膜状态，树脂A成为海、树脂B成为岛的海岛结构的粘合剂组合物。粘合剂组合物，可以通过观察在混合树脂A和树脂B的各自的清漆时发生相分离而发生浑浊，或者涂布在耐热薄膜上时成为相分离结构而得到不透明的粘合剂组合物来确定。
通过混合树脂A和树脂B的清漆时的树脂浓度或制膜条件的调整，也能够控制海岛结构、岛相的大小等。
关于成为海相的树脂A和与树脂A相分离而成为岛相的树脂B的组合的选择，一般可以从含有化学性质、化学结构大不相同的成分的树脂的组合进行选择。作为这样的成分，例如有极性基(极性结构)和非极性基(非极性结构)、或者亲水性基(亲水性结构)和疏水性基(疏水性结构)等的组合。烷基，芳族烃基，氟取代烷基、氟取代芳族烃基等氟取代结构，硅氧烷结构等是非极性、疏水性成分，磺酰基、羰基、酰胺基、醚键、酯键等是极性、亲水性成分。因此，通过选择由这些化学性质、化学结构不同的单体制成的树脂的组合，就能够得到树脂A和树脂B的组合。
例如，含有较多的硅氧烷结构的聚合物和不含硅氧烷结构的聚合物容易发生相分离。作为含有较多的硅氧烷结构的聚合物，例如可举出使具有硅氧烷结构的单体，在全部单体中的比例是大于或等于10重量％、最好是大于或等于10重量％小于或等于80重量％的单体成分进行聚合而得到的聚合物。作为不含硅氧烷结构的聚合物，例如可举出完全不含硅氧烷结构的聚合物，即使含有硅氧烷结构，也使具有硅氧烷结构的单体在全部单体中的比例是不到10重量％、最好是不到5重量％的单体成分进行聚合而得到的聚合物。这些聚合物也可以含有较多的极性强的砜基或醚基。
为了得到树脂A而使用的具有硅氧烷结构的单体在全部单体中的比例，优先选择大于或等于10重量％、小于或等于80重量％。如果多于80重量％，粘合力往往降低。
另外，即使是使用以非极性、疏水性成分作为主成分的聚合物，在结构大不相同的情况下，相互间也容易发生相分离。例如，在含有较多的硅氧烷结构的聚合物和具有较多的烷基取代基的聚合物的情况下，就容易发生相分离。因此，在本发明中，不限于极性和非极性、或者亲水性和疏水性等的组合，可以使用结构相互不同的各种各样组合的树脂A和树脂B。
在选择树脂A和树脂B的组合时，也应考虑由含有上述结构的单体制成的树脂的抗倾斜稳定性等、对玻璃化转变温度产生的影响，以便使树脂A的玻璃化转变温度低于树脂B的玻璃化转变温度。
另外，在本发明中，相对树脂A和树脂B的合计重量，优先使用50～95重量％的树脂A、5～50重量％的树脂B，更优先使用50～90重量％的树脂A、10～50重量％的树脂B，最优先使用50～85％这里的树脂A、15～50重量％的树脂B。
粘合剂层中的树脂B，即岛相的平均大小，较好是小于或等于5μm，最好是1～0.01μm。从薄膜的特性均匀性这点来说，最好不仅岛相的大小小，而且均匀地分散。再者，海岛结构的确认、以及岛大小的测定，通过研磨粘合剂层的断面，使用扫描电子显微镜等进行观察，可计算出平均的大小。另外，在薄膜的动态粘弹性测定中的贮存弹性模量曲线中即使由于存在来自各自树脂A和树脂B的拐点，也能够确认。
适合作为上述树脂A和树脂B使用的聚酰胺酰亚胺或者聚酰胺，基本上由二胺(A)和/或二异氰酸酯(A′)和酸成分合成。作为酸成分，可以使用三羧酸、四羧酸或者它们的反应性衍生物(B)、二羧酸或者其反应性衍生物(C)等，并用它们的数种也是可能的。在本发明中，想要得到上述规定的各种特性，进行调整这些反应成分的组合、其反应比、反应条件、分子量、是否向粘合剂中加入添加剂及其种类、环氧树脂等的添加树脂等。
作为上述二胺(A)，例如可举出六亚甲基二胺、八亚甲基二胺、十二亚甲基二胺等亚烷基二胺；对苯二胺、间苯二胺、间甲苯二胺等亚芳基二胺；4，4′-二氨基二苯醚(DDE)、4，4′-二氨基二苯乙烷、4，4′-二氨基二苯砜、3，3′-二氨基二苯砜(DDS)、4，4′-二氨基二苯甲酮、3，3′-二氨基二苯甲酮、4，4′-二氨基N-苯甲酰苯胺等二氨基二苯基衍生物；1，4-双(4-氨基枯烯基)苯(BAP)、1，3-双(4-氨基枯烯基)苯、1，3-双(3-氨基苯氧基)苯(APB)、1，4-双(3-氨基苯氧基)苯、1，4-双(4-氨基苯氧基)苯、2，2-双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]丙烷、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]砜(m-APPS)、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]砜、2，2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]六氟丙烷、以及以下述通式1表示的二胺、以通式2表示的硅氧烷二胺等。这些单独使用，或者组合数种使用。
(在通式1中，Z表示氨基，R1、R2、R3、R4各自独立地是氢或者碳原子数1～4的烷基或烷氧基，它们中的至少2个或2个以上是烷基或者烷氧基，X是以-CH2-、-C(CH3)2-、-O-、-SO2-、-CO-或者-HNCO-表示的基。)
作为以通式1表示的二胺，可举出4，4′-二氨基-3，3′，5，5′-四甲基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3，3′，5，5′-四乙基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3，3′，5，5′-四甲基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3，3′，5，5′-四正丙基二苯甲烷(IPDDM)、4，4′-二氨基-3，3′，5，5′-四丁基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3，3′-二甲基-5，5′-二乙基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3，3′-二甲基-5，5′-二异丙基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3，3′-二乙基-5，5′-二异丙基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3，5-二甲基-3′，5′-二乙基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3，5-二甲基-3′，5′-二异丙基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3，5-二乙基-3′，5′-二丁基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3，5-二异丙基-3′，5′-二丁基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3，3′-二异丙基-5-5′-二丁基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3，3′-二甲基-5-5′-二丁基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3，3′-二乙基-5-5′-二丁基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3，3′-二甲基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3，3′-二乙基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3，3′-二正丙基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3，3′-二异丙基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3，3′-二丁基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3，3′，5-三甲基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3，3′，5-三乙基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3，3′，5-三正丙基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3，3′，5-三异丙基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3，3′，5-三正丁基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3-甲基-3′-二乙基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3-甲基-3′-异丙基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3-乙基-3′-异丙基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3-乙基-3′-丁基二苯甲烷、4，4′-二氨基-3-异丙基-3′-丁基二苯甲烷、2，2-双(4-氨基-3，5-二甲苯基)丙烷、2，2-双(4-氨基-3，5-二乙苯基)丙烷、2，2-双(4-氨基-3，5-二正丙苯基)丙烷、2，2-双(4-氨基-3，5-二异丙苯基)丙烷、2，2-双(4-氨基-3，5-二丁苯基)丙烷、4，4′-二氨基-3，3′，5，5′-四甲基二苯醚、4，4′-二氨基-3，3′，5，5′-四乙基二苯醚、4，4′-二氨基-3，3′，5，5′-四正丙基二苯醚、4，4′-二氨基-3，3′，5，5′-四异丙基二苯醚、4，4′-二氨基-3，3′，5，5′-四丁基二苯醚、4，4′-二氨基-3，3′，5，5′-四甲基二苯砜、4，4′-二氨基-3，3′，5，5′-四乙基二苯砜、4，4′-二氨基-3，3′，5，5′-四正丙基二苯砜、4，4′-二氨基-3，3′，5，5′-四异丙基二苯砜、4，4′-二氨基-3，3′，5，5′-四正丁基二苯砜、4，4′-二氨基-3，3′，5，5′-四甲基二苯酮、4，4′-二氨基-3，3′，5，5′-四乙基二苯酮、4，4′-二氨基-3，3′，5，5′-四正丁基二苯酮、4，4′-二氨基-3，3′，5，5′-四异丙基二苯酮、4，4′-二氨基-3，3′，5，5′-四丁基二苯酮、4，4′-二氨基-3，3′，5，5′-四甲基N-苯甲酰苯胺、4，4′-二氨基-3，3′，5，5′-四乙基N-苯甲酰苯胺、4，4′-二氨基-3，3′，5，5′-四正丁基N-苯甲酰苯胺、4，4′-二氨基-3，3′，5，5′-四异丙基N-苯甲酰苯胺、4，4′-二氨基-3，3′，5，5′-四丁基N-苯甲酰苯胺等。
(在通式2中，R5和R8是2价的有机基，R6和R7是1价的有机基，m是1～100的整数。)
作为通式2的R5和R8，各自独立地是三亚甲基、四亚甲基、亚苯基、甲代亚苯基等，作为R6和R7，各自独立地是甲基、乙基、苯基等，多个R6和多个R7，各自可以相同，也可以不同。
在通式2的硅氧烷二胺中，在R5和R8中任何一个都是三亚甲基、R6和R7中任何一个都是甲基的情况下，m是1的、平均10左右的、平均20左右的、平均30左右的、平均50左右的、平均100左右的硅氧烷二胺，分别作为LP-7100、X-22-161AS、X-22-161A、X-22-161B、X-22-161C、X-22-161E(都是信越化学工业株式会社商品名)市售。
作为上述二异氰酸酯(A′)，可以优先使用在上述中例示的二胺中将氨基置换成异氰酸酯基的二异氰酸酯(A′)，它们可单独地使用，或者组合数种使用。并且如果需要，可以使用上述二胺或者二异氰酸酯的混合物。
作为在聚酰胺酰亚胺或者聚酰胺的合成中使用的酸成分，可以使用三羧酸、四羧酸或者它们的反应性衍生物。作为(B)成分，优先使用芳族三羧酸、芳族四羧酸或者它们的反应性衍生物，例如，可举出偏苯三酸酐等单环芳族三羧酸酐、偏苯三酸酐氯等偏苯三酸酐的反应性衍生物、均苯四酸酐等单环芳族四羧酸二酐、二苯甲酮四羧酸二酐、氧代二邻苯二甲酸二酐、双酚A双偏苯三酸酯二酐等多环芳族四羧酸二酐等。另外，作为(C)成分，优先使用芳族二羧酸或者其反应性衍生物，可举出对苯二甲酸、间苯二甲酸等芳族二羧酸，对苯二甲酸氯、间苯二甲酸氯等苯二甲酸的反应性衍生物等。这些可单独使用，或者组合数种使用。
以下，再例示出适合作为酸成分使用的芳族二羧酸、芳族三羧酸、芳族四羧酸等。这些可以单独使用，或者可以组合数种使用。
芳族二羧酸是在芳香环上结合2个羧基的芳族二羧酸。当然，该芳香环可以是导入杂环的芳香环，另外，芳香环相互间也可以结合亚烷基、氧、羰基等。在芳香环上，例如还可以导入烷氧基、烯丙氧基、与卤素等的缩合反应无关的取代基。作为上述芳族二羧酸，可举出对苯二甲酸、间苯二甲酸、4，4′-二苯基醚二羧酸、4，4′-二苯砜二羧酸、4，4′-二苯基二羧酸以及1，5-萘二羧酸等，但对苯二甲酸和间苯二甲酸是容易买到的，因此优先选择。
另外，作为上述芳族二羧酸的反应性衍生物，可举出上述芳族二羧酸的氯化物、二溴化物和二酯等，其中，优先选择对苯二甲酸氯和间苯二甲酸氯。
芳族三羧酸是结合在芳香环上的3个羧基中的2个接合在邻接的碳原子上的芳族三羧酸。当然，也可以是该芳香环被导入杂环的芳族三羧酸，另外，芳香环相互间也可以通过亚烷基、氧、烯丙氧基、与卤素等的缩合反应无关的取代基结合。进而在芳香环上也可以导入例如烷氧基、烯丙氧基、与卤素等的缩合反应无关的取代基。作为上述芳族三羧酸，可举出偏苯三酸、3，3，4′-二苯甲酮三羧酸、2，3，4′-二苯甲酮三羧酸、2，3，6-吡啶三羧酸、3，4，4′-N-苯甲酰苯胺三羧酸、1，4，5萘三羧酸、2′-甲氧基-3，4，4′-二苯醚三羧酸、2′-氯N-苯甲酰苯胺-3，4，4′-三羧酸等。
另外，作为上述芳族三羧酸的反应性衍生物，有上述芳族三羧酸酐、卤化物、酯、酰胺、铵盐等，作为它们的例子，可举出偏苯三酸酐、偏苯三酸酐一氯、1，4-二羧基-3-N-，N-二甲基氨基甲酰基苯、1，4-二碳甲氧基-3-羧基苯、1，4-二羧基-碳苯氧基苯、2，6-二羧基-3-碳甲氧基吡啶、1，6-二羧基-5-氨基甲酰基萘、由上述芳族三羧酸和氨、二甲胺、三乙胺等构成的铵盐类等，但即使在这些之中，优先选择偏苯三酸和偏苯三酸酐一氯。
作为芳族四羧酸，是在芳香环上结合4个羧基的芳族四羧酸。当然，该芳香环可以导入杂环，另外，芳香环也可以通过亚烷基、氧、羰基等相互结合。在芳香环上还可以导入烷氧基、烯丙氧基、与卤素等的缩合反应无关的取代基。作为上述芳族四羧酸，可举出均苯四酸、3，3′，4，4′-二苯甲酮四羧酸、3，3′，4，4′-联苯四羧酸等。
另外，作为上述芳族四羧酸的反应性衍生物，可举出均苯四酸二酐、3，3′，4，4′-二苯甲酮四羧酸二酐、3，3′，4，4′-联苯四羧酸二酐、双(3，4-二羧苯基)醚二无水物、双(3，4-二羧苯基)砜二无水物、双(3，4-二羧苯氧基)二苯砜二无水物、2，2-双邻苯二甲酸六氟异亚丙酯二无水物、2，2-双[4-(3，4-二羧苯氧基)苯基]丙烷二无水物、双酚A双偏苯三酸酯二无水物、4，4′-(4，4′-异亚丙基二苯氧基)双邻苯二甲酸二酐、4，4′-[1，4-亚苯基双(1-甲基亚乙基)]联苯双偏苯三酸酯二无水物、萘四羧酸酐、乙二醇双偏苯三酸酯二无水物、1，10-癸二醇双偏苯三酸酯二无水物等。
在本发明中的合成时，可以直接采用在二胺成分和酸成分的反应中使用的公知的方法，对于各种条件，也没有特别的限制，可以利用公知的方法。
在本发明中使用的树脂A和树脂B的重均分子量，各自较好是30000～130000，更好是35000～100000、最好是40000～70000。重均分子量如果不到30000，粘合时的润湿性就过高，往往发生粘合剂的减厚变大的问题。另外，耐热性、机械强度降低，所使用的半导体器件的耐软熔裂纹性往往降低。如果超过130000，润湿性、粘合性就降低，半导体器件制造时的作业性往往劣化。
再者，重均分子量是用凝胶渗透色谱法(GPC)，使用标准聚苯乙烯的检测线的聚乙烯换算值。
作为在本发明中使用的耐热薄膜，优先使用聚酰亚胺、聚酰胺、聚砜、聚苯硫、聚醚醚酮、聚芳酯、聚碳酸酯等耐热性树脂薄膜。对耐热薄膜的厚度没有特别的限制，但通常较好是5～200μm，最好是20～75μm。
耐热薄膜的玻璃化转变温度，使用比本发明中使用的粘合剂层的玻璃化转变温度高的，较好是使用高于或等于250℃，最好是使用高于或等于300℃的。耐热薄膜的吸水率，较好是使用小于或等于3重量％，最好是使用小于或等于2重量％的吸水率。
作为在本发明中使用的耐热薄膜，优先选择具备玻璃化转变温度是高于或等于250℃、吸水率小于或等于2重量％、热膨胀系数小于或等于3×10-5/℃的绝缘性耐热性树脂薄膜，从以上方面考虑，特别优先选择聚酰亚胺薄膜。
优先选择对耐热薄膜的表面进行处理。这是为了提高和粘合剂的粘合力，防止耐热薄膜和粘合剂层间的剥离。
作为耐热薄膜的表面处理方法，碱性处理、硅烷偶联剂处理等化学处理，砂层处理等物理处理，等离子体处理，电晕处理等任一种处理都能够使用，但根据粘合剂层的种类，可以使用最合适的处理。对于本发明的粘合剂层，化学处理或者等离子体处理特别适合。
作为在薄膜上形成粘合剂层的方法，没有特别的限制，但在有机溶剂中溶解形成粘合剂层的树脂，而制成粘合剂清漆(粘合剂组合物)，将其涂布在耐热薄膜上后，进行加热处理而去除溶剂，就能够制成在一面或者两面形成粘合剂层的粘合薄膜。
作为上述有机溶剂，例如可举出二甲基甲酰胺、二乙基甲酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、间甲酚、吡啶、环己酮、二甘醇二甲醚、三甘醇二甲醚、四甘醇二甲醚、四氢呋喃、二唑、乙二醇-丁醚乙酸酯、乙基乙酸溶纤素、甲苯等，这些可以单独使用，或者可以组合2种或2种以上使用。
对树脂溶解在有机溶剂中的配合量，没有特别的限制，但从粘合剂层的表面状态和作业性的观点出发，优先选择树份额是15～50重量％。再者，通过所选择的树脂的组合，来调整树脂份额，也能够控制粘合剂层的相分离结构。
粘合剂组合物，可以仅含有上述树脂A和树脂B，也可以添加环氧树脂或固化剂、固化促进剂等。另外，也可以添加陶瓷粉、玻璃粉、银粉、铜粉、树脂颗粒、橡胶颗粒等填料或偶联剂。
从封装可靠性这点考虑，希望添加偶联剂，另外，从偶联剂的效果这点考虑，优先选择树脂在主链中含有反应性基，特别优先选择含有酰胺基。
在添加填料的情况下，其添加量相对树脂A和树脂B的合计量100重量份数，较好是1～30重量份数，最好是5～15重量份数。
作为偶联剂，可以使用乙烯基硅烷、环氧硅烷、氨基硅烷、巯基硅烷、钛酸盐、铝酸盐、锆铝酸盐等偶联剂，但优先选择硅烷偶联剂。作为硅烷偶联剂，是在乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基乙氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷、β-(3，4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基乙氧基硅烷、N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-巯丙基三甲氧基硅烷等的末端具有有机反应性基的硅烷偶联剂，这些之中，优先使用具有环氧基的环氧基硅烷偶联剂。这里所谓有机反应性基是环氧基、乙烯基、氨基、巯基等官能基。偶联剂的添加，是为了提高粘合剂层对耐热薄膜的粘合性，在100～300℃的温度进行剥离时，在粘合剂层和耐热薄膜的界面不易发生剥离，另外还有在树脂间进行微交联而强化粘合剂层的效果。偶联剂的添加量，相对树脂A和树脂B的合计量100重量份数，较好是1～15重量份数，最好是2～10重量份数。
为了去除溶剂，将涂布粘合剂清漆的耐热薄膜加热处理时的处理温度，只要是能够去除溶剂的温度就可以。
涂布方法没有特别的限制，例如可举出辊涂、逆向涂布、雕刻滚筒涂布、绕线棒刮涂、点涂等。另外，也可以在粘合剂清漆中通过耐热薄膜进行涂布，但有厚度的控制变得困难的倾向。
作为在耐热薄膜上形成的粘合剂层的厚度，较好是1～75μm，最好是10～30μm。在粘合剂层的厚度不到1μm时，粘合性、生产率劣化，超过75μm的厚度，有成本变高的倾向。
如果使用本发明的粘合薄膜，就能够以良好的作业性和合格率来简便地制造带有可靠性优良的粘合薄膜的引线框架。例如，将本发明的粘合薄膜切断成规定的大小的薄膜片粘合在引线框架上的方法。粘合薄膜的切断方法，如果是将薄膜准确地切断成规定的形状的方法，任何方法都可以，但如果考虑作业性，优先选择使用冲裁模切断粘合薄膜，将冲裁的薄膜片原封不动地粘合在引线框架上。此时的粘合温度，较好是150～350℃，最好是200～300℃。在粘合温度不到150℃时，就不能够得到足够的粘合力，如果超过350℃，粘合剂层的热劣化往往成为问题。粘合压力是0.1～20MPa，最好是0.3～10MPa，在粘合压力不到0.1MPa时，就不能得到足够的粘合力，如果超过20MPa，粘合剂溢出规定的位置以外，而往往使得尺寸精度变差。加压时间，只要是在上述粘合温度、粘合压力能够粘合的时间就可以，但如果考虑作业性，优先选择0.3～60秒，更优先选择0.5～10秒。
另外，如果使用本发明的粘合薄膜，就能够以良好的作业性、合格率来简便地制造可靠性优良的半导体器件。
例如，使用带有上述那样制成的粘合薄膜的引线框架，在未粘合粘合剂层的引线框架的面上粘合半导体芯片后，用金属线接合引线框架和半导体芯片，使用环氧树脂等成形材料进行传递模塑法，通过密封，就能够制造LOC结构的半导体器件。
半导体芯片的粘合温度在150～300℃，更好是150～250℃，最好是150～200℃。在粘合温度不到150℃时，不能得到足够的粘合力，如果超过300℃，半导体芯片和粘合剂层的热劣化往往就成为问题。粘合压力是0.1～20MPa，最好是0.3～10MPa，在粘合压力不到0.1MPa时，不能得到足够的粘合力，如果超过20MPa，粘合剂溢出规定的位置以外，尺寸精度往往恶化。并且，也往往发生半导体芯片破坏的问题。
加压时间，只要是在上述粘合温度、粘合压力能够的时间就行，但如果考虑作业性，优先选择0.3～60秒，更优先选择0.5～10秒。
以下，使用实施例来说明本发明，但本发明不受这些实施例的任何限制。
制造例1
在具备搅拌机、温度计、氮气导入管、氯化钙管的四口烧瓶中放入并溶解1.83g(5mmol)4，4′-二氨基-3，3′，5，5′-四异丙基二苯甲烷(IPDDM)、2.05g(5mmol)2，2-双[4-(4-氨苯氧基)苯基]丙烷(BAPP)和28.3gN-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)。接着，边冷却边加入2.08g(9.9mmol)偏苯三酸酐一氯，以便不超过20℃。在室温搅拌1小时后，边冷却边加入1.11g(11mmol)三乙胺，在室温反应3小时而合成聚酰胺酸。再在190℃使得到的聚酰胺酸清漆反应6小时而合成聚酰胺酰亚胺。将得到的聚酰胺酰亚胺清漆注入水中而得到的沉淀分离、粉碎、干燥，就得到聚酰胺酰亚胺共聚物粉末。
使用GPC测定该聚酰胺酰亚胺粉末的聚苯乙烯换算的重均分子量是60000。
再在NMP中溶解该聚酰胺酰亚胺粉末，在玻璃板上流延所得到的清漆。在100℃干燥10分钟后，剥离，固定在铁框上，在250℃干燥1小时而得到薄膜。
使用像这样得到的薄膜，通过热机械测定(TMA)，在加重10g、升温速度10℃/min的条件下，测定聚酰胺酰亚胺的玻璃化转变温度(Tg)是265℃。
制造例2
在装有温度计、搅拌机、氮气导入管和分馏塔的5升四口烧瓶中放入175.2g(0.6mol)1，3-双(3-氨苯氧基)苯(APB)、352g(0.40mol)硅氧烷二胺(信越化学工业株式会社制，商品名：X-22-161AS)，溶解于2400g的乙二醇二甲醚种。再使该溶液冷却至-10℃，在该温度下添加213g(1.00mol)偏苯三酸酐一氯(TAC)。在室温搅拌1小时后，边冷却边加入115g三乙胺，以便不超过20℃，在室温反应3小时而合成聚酰胺酸。再在190℃使得到的聚酰胺酸清漆反应6小时而合成聚酰胺酰亚胺。将得到的反应液投入甲醇中使聚酰胺酰亚胺分离。将其干燥后，溶解在二甲基甲酰胺中后，投入甲醇中，再次使聚酰胺酰亚胺分离。此后，进行减压干燥，就得到精制的聚硅氧烷聚酰胺酰亚胺共聚物粉末。
该聚酰胺酰亚胺粉末的重均分子量是47000，Tg是82℃。
制造例3
在装有温度计、搅拌机、氮气导入管和分馏塔的5升四口烧瓶中，在氮气氛围下放入233.6g(0.8mol)APB、176g(0.20mol)硅氧烷二胺(信越化学工业株式会社制，商品名：X-22-161AS)，溶解在2000g乙二醇二甲醚中。再使该溶液冷却至-10℃，在该温度下添加213g(1.00mol)偏苯三酸酐一氯(TAC)。在室温搅拌1小时后，边冷却边加入115g三乙胺，以便不超过20℃，在室温反应3小时而合成聚酰胺酸。再在190℃使得到的聚酰胺酸清漆反应6小时而合成聚酰胺酰亚胺。将得到的反应液投入甲醇中使聚酰胺酰亚胺分离。将其干燥后，溶解在二甲基甲酰胺中后，投入甲醇中，再次使聚酰胺酰亚胺分离。此后，进行减压干燥，就得到精制的聚硅氧烷聚酰胺酰亚胺共聚物粉末。
该聚酰胺酰亚胺粉末的重均分子量是46000，Tg是132℃。
制造例4
在装有温度计、搅拌机、氮气导入管和分馏塔的5升四口烧瓶中，在氮气氛围下放入389.5g(0.95mol)BAPP、12.5g(0.05mol)硅氧烷二胺(信越化学工业株式会社制，商品名：LP-7100)，溶解在2400gNMP。再使该溶液冷却至-10℃，在该温度下添加213g(1.00mol)偏苯三酸酐一氯(TAC)。在室温搅拌1小时后，边冷却边加入115g三乙胺，以便不超过20℃，在室温反应3小时而合成聚酰胺酸。再在190℃使得到的聚酰胺酸清漆反应6小时而合成聚酰胺酰亚胺。将得到的反应液投入甲醇中使聚酰胺酰亚胺分离。将其干燥后，溶解在二甲基甲酰胺中后，投入甲醇中，再次使聚酰胺酰亚胺分离。此后，进行减压干燥，就得到精制的聚硅氧烷聚酰胺酰亚胺共聚物粉末。
该聚酰胺酰亚胺粉末的重均分子量是68000，Tg是225℃。
制造例5
除了使用2.13g(10mmol)TAC和4.32g(10mmol)双[4-(3-氨苯氧基)苯基]砜(m-APPS)以外，和制造例1相同地制得聚酰胺酰亚胺粉末。
该聚酰胺酰亚胺粉末的重均分子量是62000，Tg是222℃。
制造例6
除了使用213g(1.00mol)TAC和204.4g(0.70mol)APB、75g(0.30mol)LP-7100以外，和制造例2相同地制得聚酰胺酰亚胺粉末。
该聚酰胺酰亚胺粉末的重均分子量是54000，Tg是145℃。
制造例7
除了使用213g(1.00mol)TAC和287g(0.70mol)BAPP、75g(0.30mol)LP-7100以外，和制造例2相同地制得聚酰胺酰亚胺粉末。
该聚酰胺酰亚胺粉末的重均分子量是58000，Tg是175℃。
制造例8
在装有搅拌机、温度计、氮气导入管、氯化钙管的四口烧瓶中放入并溶解0.2g(1mmol)4，4′-二氨二苯醚(DDE)、3.69g(9mmol)BAPP和28.3gNMP。接着，边冷却边加入1.02g(5mmol)异邻苯二甲酸二氯(IPC)和1.02g(5mmol)对苯二甲酸二氯(TPC)的混合物，以便不超过20℃。在室温搅拌1小时后，边冷却边加入1.11g(11mmol)三乙胺，以便不超过20℃，在室温反应6小时而合成聚酰胺。将得到的聚酰胺的清漆注入水而得到的沉淀进行分离、粉碎、干燥而得到聚酰胺共聚物粉末。
该聚酰胺粉末的重均分子量是59000，Tg是225℃。
制造例9
除了使用2.03g(10mmol)IPC和2.48g(10mmol)4，4′-二氨二苯砜(DDS)以外，和制造例8相同地制得聚酰胺共聚物粉末。
该聚酰胺共聚物粉末的重均分子量是45000，Tg是318℃。
制造例10
除了使用2.03g(10mmol)IPC和2.92g(10mmol)APB以外，和制造例8相同地制得聚酰胺共聚物粉末。
该聚酰胺共聚物粉末的重均分子量是53000，Tg是183℃。
实施例1
将在NMP中溶解30g制造例1的聚酰胺酰亚胺粉末的清漆和在NMP中溶解70g制造例2的聚酰胺酰亚胺粉末的清漆混合，再在化学处理过的聚酰胺酰亚胺薄膜(宇部兴产株式会社制，商品名：ュ一ピレックス S)的两面涂布相对树脂添加5重量％硅烷偶联剂(东レ·タゥコニング·ッリ コン株式会社制，商品名：SH6040)而制成的清漆(树脂份28重量％)后，在100℃进行10分钟干燥，再在200℃进行10分钟干燥，得到在两面具有厚25μm的粘合剂层的粘合薄膜。该薄膜的外观浑浊。粘合剂层的Tg是105℃，在150℃的贮存弹性模量是8MPa。
用扫描电子显微镜观察所得到的粘合剂层的断面，具有以制造例1的聚酰胺酰亚胺作为岛、以制造例2的聚酰胺酰亚胺作为海的海岛结构，岛相的平均大小是3μm。
再者，在本发明中，贮存弹性模量的测定，使用株式会社レォロジ制DVEレォスペクトラ，在频率10Hz、振幅10μm、拉力加重自动控制的条件下进行。
再使用冲裁模将该粘合薄膜冲裁成长方形，以0.2mm间隔、0.2mm宽的内引线进行连接地放置在厚0.2mm的铁镍合金制的引线框架上，在230℃、以3MPa的压力进行3秒钟加压进行压接，制成带粘合薄膜的引线框架。
接着，在200℃的温度以3MPa的压力加压3秒钟使半导体元件压接在带该粘合薄膜的引线框架的粘合剂层面上，此后，在160℃使用金线使引线框架和半导体元件进行引线接合，但不发生引线的不压接。再用双酚系环氧树脂成形材料(日立化成工业株式会社制，商品名：CEL-9200)，通过传递模塑成形进行密封，就得到图2所示的半导体器件(封装件)。
该封装件在85℃、相对湿度85％、进行48小时吸湿处理后，在245℃的软钎料软熔炉中通过，但不发生封装裂纹。
在图2中，3是粘合薄膜，4是半导体元件、5是引线框架，6是密封材料，7是结合金属线，8是汇流条。
对比例1
除了仅使用制造例2的树脂以外，和实施例1相同地制作而得到粘合薄膜。
该粘合薄膜的外观是透明的。粘合剂层的Tg是82℃，在150℃的贮存弹性模量是0.8MPa。
使用该粘合薄膜，和实施例1相同地制成半导体器件，但在引线接合过程中，金属线多发生不压焊。
对比例2
除了仅使用制造例1的树脂以外，和实施例1相同地制作而得到粘合薄膜。
该粘合薄膜的外观是透明的。粘合剂层的Tg是265℃，在150℃的贮存弹性模量是2.1GPa。使用该粘合薄膜，和实施例1相同地制成半导体器件，但在芯片焊接过程中，在200℃芯片和引线框架不能接合。
实施例2
除了使用30g制造例1的聚酰胺酰亚胺粉末、70g制造例3的聚酰胺酰亚胺粉末，使树脂份达到20重量％以外，和实施例1相同地制作而得到粘合薄膜。该粘合薄膜的外观浑浊。粘合剂层的Tg是145℃，在150℃的贮存弹性模量是800MPa。在图3、4中分别示出外观照片(用光学显微镜观察粘合剂层的表面)和粘弹性图。在外观照片中，能够证实粘合剂层的海相和岛相。在粘弹性图中，出现分别来自混合前的树脂的拐点。
通过用扫描电子显微镜观察所得到的粘合剂层的断面，证实具有以制造例1的聚酰胺酰亚胺作为岛、以制造例3的聚酰胺酰亚胺作为海的海岛结构。
再使用冲裁模将该粘合薄膜冲裁成长方形，以0.2mm间隔、0.2mm宽的内引线进行连接地放置在厚0.2mm的铁镍合金制的引线框架上，在230℃、以3MPa的压力进行3秒钟加压进行压接，制成带粘合薄膜的引线框架。
接着，在200℃的温度以3MPa的压力加压3秒钟使半导体元件压接在带该粘合薄膜的引线框架的粘合剂层面上，此后，在160℃使用金线使引线框架和半导体元件进行引线接合，但不发生引线的不压接。再用双酚系环氧树脂成形材料(日立化成工业株式会社制，商品名：CEL-9200)，通过传递模塑成形进行密封，就得到图2所示的半导体器件(封装件)。
该封装件在85℃、相对湿度85％、进行48小时吸湿处理后，在245℃的软钎料软熔炉中通过，但不发生封装裂纹。
实施例3
除了使用30g制造例4的聚酰胺酰亚胺粉末、70g制造例3的聚酰胺酰亚胺粉末以外，和实施例1相同地制作而得到粘合薄膜。该粘合薄膜的外观浑浊。在图5中示出外观照片(用光学显微镜观察粘合剂层的表面)。粘合剂层的Tg是138℃，在150℃的贮存弹性模量是750MPa。
通过用扫描电子显微镜观察所得到的粘合剂层的断面，证实具有以制造例4的聚酰胺酰亚胺作为岛、以制造例3的聚酰胺酰亚胺作为海的海岛结构。
再使用冲裁模将该粘合薄膜冲裁成长方形，以0.2mm间隔、0.2mm宽的内引线进行连接地放置在厚0.2mm的铁镍合金制的引线框架上，在230℃、以3MPa的压力进行3秒钟加压进行压接，制成带粘合薄膜的引线框架。
接着，在200℃的温度以3MPa的压力加压3秒钟使半导体元件压接在带该粘合薄膜的引线框架的粘合剂层面上，此后，在160℃使用金线使引线框架和半导体元件进行引线接合，但不发生引线的不压接。再用双酚系环氧树脂成形材料(日立化成工业株式会社制，商品名：CEL-9200)，通过传递模塑成形进行密封，就得到图2所示的半导体器件(封装件)。
该封装件在85℃、相对湿度85％、进行48小时吸湿处理后，在245℃的软钎料软熔炉中通过，但不发生封装裂纹。
实施例4
除了使用15g制造例1的聚酰胺酰亚胺粉末、85g制造例3的聚酰胺酰亚胺粉末，使树脂份达到33重量％以外，和实施例1相同地制作而得到粘合薄膜。该粘合薄膜的外观浑浊。粘合剂层的Tg是136℃，在150℃的贮存弹性模量是740MPa。
通过用扫描电子显微镜观察所得到的粘合剂层的断面，证实具有以制造例1的聚酰胺酰亚胺作为岛、以制造例3的聚酰胺酰亚胺作为海的海岛结构。
再使用冲裁模将该粘合薄膜冲裁成长方形，以0.2mm间隔、0.2mm宽的内引线进行连接地放置在厚0.2mm的铁镍合金制的引线框架上，在230℃、以3MPa的压力进行3秒钟加压进行压接，制成带粘合薄膜的引线框架。
接着，在200℃的温度以3MPa的压力加压3秒钟使半导体元件压接在带该粘合薄膜的引线框架的粘合剂层面上，此后，在160℃使用金线使引线框架和半导体元件进行引线接合，但不发生引线的不压接。再用双酚系环氧树脂成形材料(日立化成工业株式会社制，商品名：CEL-9200)，通过传递模塑成形进行密封，就得到图2所示的半导体器件(封装件)。
该封装件在85℃、相对湿度85％、进行48小时吸湿处理后，在245℃的软钎料软熔炉中通过，但不发生封装裂纹。
对比例3
除了使用70g制造例1的聚酰胺酰亚胺粉末、30g制造例2的聚酰胺酰亚胺粉末以外，和实施例1相同地制作而得到粘合薄膜。该粘合薄膜的外观浑浊。粘合剂层的Tg是235℃，在150℃的贮存弹性模量是1.2GPa。
通过用扫描电子显微镜观察所得到的粘合剂层的断面，证实具有以制造例2的聚酰胺酰亚胺形作为岛、以制造例1的聚酰胺酰亚胺作为海的海岛结构。
使用该粘合薄膜和实施例1相同地制作，制成半导体器件，在焊接过程中，在接合温度200℃，芯片和引线框架不能接合。
实施例5
除了使用30g制造例8的聚酰胺酰亚胺粉末、70g制造例2的聚酰胺酰亚胺粉末以外，和实施例1相同地制作而得到混合清漆和粘合薄膜。在混合清漆的阶段发生相当的相分离，已制成的粘合薄膜的外观也发生明显的相分离。
实施例6
除了使用30g制造例9的聚酰胺酰亚胺粉末、70g制造例2的聚酰胺酰亚胺粉末以外，和实施例1相同地制作而得到混合清漆和粘合薄膜。在混合清漆的阶段发生相当的相分离，已制成的粘合薄膜的外观也发生明显的相分离。
实施例7
除了使用30g制造例1的聚酰胺酰亚胺粉末、70g制造例6的聚酰胺酰亚胺粉末以外，和实施例1相同地制作而得到粘合薄膜。该粘合薄膜的外观浑浊。粘合剂层的Tg是146℃，在150℃的贮存弹性模量是1.0Gpa。
在图6、7中示出所得到的薄膜的粘弹性图和是热机械试验(TMA)拉伸模式图。可以看出，在粘弹性图中出现分别来自混合前的树脂的拐点。通过用扫描电子显微镜观察粘合剂层的断面，证实具有制造例1的聚酰胺酰亚作为成岛、以制造例6的聚酰胺酰亚胺作为海的海岛结构。
再使用冲裁模将该粘合薄膜冲裁成长方形，以0.2mm间隔、0.2mm宽的内引线进行接触地放置在厚0.2mm的铁镍合金制的引线框架上，在250℃、以3MPa的压力进行3秒钟加压进行压接，制成带粘合薄膜的引线框架。
接着，在230℃的温度以3MPa的压力加压3秒钟使半导体元件压接在带该粘合薄膜的引线框架的粘合剂层面上，此后，在160℃使用金线使引线框架和半导体元件进行引线接合，但不发生引线的不压接。再用双酚系环氧树脂成形材料(日立化成工业株式会社制，商品名：CEL-9200)，通过传递模塑成形进行密封，就得到图2所示的半导体器件(封装件)。
该封装件在85℃、相对湿度85％、进行48小时吸湿处理后，在245℃的软钎料软熔炉中通过，但不发生封装裂纹。
实施例8
除了使用40g制造例1的聚酰胺酰亚胺粉末、60g制造例6的聚酰胺酰亚胺粉末以外，和实施例1相同地制作而得到粘合薄膜。该粘合薄膜的外观浑浊。粘合剂层的Tg是146℃，在150℃的贮存弹性模量是1.05GPa。
在图6中示出所得到的薄膜的粘弹性图。可以看出，出现了分别来自混合前的树脂的拐点。通过用扫描电子显微镜观察，证实具有以制造例1的聚酰胺酰亚胺作为岛、以制造例6的聚酰胺酰亚胺作为海的海岛结构。在图8中示出扫描电子显微镜照片。
所得到的粘合薄膜，滑动非常良好，几乎不发生静电。
再使用冲裁模将该粘合薄膜冲裁成长方形，以0.2mm间隔、0.2mm宽的内引线进行接触地放置在厚0.2mm的铁镍合金制的引线框架上，在250℃、以3MPa的压力进行3秒钟加压进行压接，制成带粘合薄膜的引线框架。
接着，在230℃的温度以3MPa的压力加压3秒钟使半导体元件压接在带该粘合薄膜的引线框架的粘合剂层面上，此后，在160℃使用金线使引线框架和半导体元件进行引线接合，但不发生引线的不压接。再用双酚系环氧树脂成形材料(日立化成工业株式会社制，商品名：CEL-9200)，通过传递模塑成形进行密封，就得到图2所示的半导体器件(封装件)。
该封装件在85℃、相对湿度85％、进行48小时吸湿处理后，在245℃的软钎料软熔炉中通过，但不发生封装裂纹。
实施例9
除了使用15g制造例5的聚酰胺酰亚胺粉末、85g制造例7的聚酰胺酰亚胺粉末以外，和实施例1相同地制作而得到粘合薄膜。该粘合薄膜的外观浑浊。粘合剂层的Tg是177℃。
通过用扫描电子显微镜观察，证实具有以制造例5的聚酰胺酰亚胺作为岛、以制造例7的聚酰胺酰亚胺作为海的海岛结构。
实施例10
除了使用20g制造例10的聚酰胺酰亚胺粉末、80g制造例6的聚酰胺酰亚胺粉末以外，和实施例1相同地制作而得到粘合薄膜。该粘合薄膜的外观浑浊。粘合剂层的Tg是146℃。
通过用扫描电子显微镜观察，证实具有以制造例10的聚酰胺酰亚胺作为岛、以制造例6的聚酰胺酰亚胺作为海的海岛结构。
下述表1将上述的实施例汇总的一览表。
【表1】
表1
区分   制造例 组成()内：摩尔 Tg Mw   实施例1   对比例1   对比例2   实施例2   实施例3   实施例4   对比例3
  A   2 TAC(10)/APB(6)/161AS(4)   82   47k   70   100   30
  A   3 TAC(10)/APB(8)/161AS(2)   132   46k   70   70   85
  A   6 TAC(10)/APB(7)/LP(3)   145   54k
  A   7 TAC(10)/BAPP(7)/LP(3)   175   58k
  B   1 TAC(10)/IPDDM(5)/BAPP(5)   265   60k   30   100   30   15   70
  B   4 TAC(10)/BAPP(9.5)/LP(0.5)   225   68k   30
  B   5 TAC(10)/m-APPS(10)   222   62k
  B   8 IPC(5)/TPC(5)/BAPP(9)/DDE(1)   225   59k
  B   9 IPC(10)/DDS(10)   318   45k
  B   10 IPC(10)/APB(10)   183   53k
SH6040(硅烷偶联剂)   5   5   5   5
清漆树脂份(重量％)   28   28   28   20   28   33   28
膜构成   3层   3层   3层   3层   3层   3层   3层
外观(目视)   浑浊   透明   透明   浑浊   浑浊   浑浊   浑浊
海岛结构   有   无   无   有   有   有   有
Tg   105℃   82℃   265℃   145℃   138℃   136℃   235℃
E’(150℃)   8MPa   0.8MPa   21GPa   800MPa   750MPa   740MPa   1.2G
200℃粘合   良好   良好   不良   良好   良好   良好   不良
引线不压接   无   多数有   -   无   无   无   -
PKG裂纹   无   -   -   无   无   无   -
表1续
区分  制造例 组成()内：摩尔 Tg Mw     实施例5     实施例6   实施例7     实施例8     实施例9     实施例10
  A   2 TAC(10)/APB(6)/161AS(4)   82   47k     70     70
  A   3 TAC(10)/APB(8)/161AS(2)   132   46k
  A   6 TAC(10)/APB(7)/LP(3)   145   54k   70     60     80
  A   7 TAC(10)/BAPP(7)/LP(3)   175   58k     85
  B   1 TAC(10)/IPDDM(5)/BAPP(5)   265   60k   30     40
  B   4 TAC(10)/BAPP(9.5)/LP(0.5)   225   68k
  B   5 TAC(10)/m-APPS(10)   222   62k     15
  B   8 IPC(5)/TPC(5)/BAPP(9)/DDE(1)   225   59k     30
  B   9 IPC(10)/DDS(10)   318   45k     30
  B   10 IPC(10)/APB(10)   183   53k     20
SH6040(硅烷偶联剂)     5     5   5     5     5     5
清漆树脂份(重量％)     28     28   28     28     28     28
膜构成     3层     3层   3层     3层     3层     3层
外观(目视)     分离     分离   浑浊     浑浊     浑浊     浑浊
海岛结构     有     有   有     有     有     有
Tg     -     -   146℃     148℃     177℃     146℃
E’(150℃)     -     -   1G     1.05G     -     -
200℃粘合     -     -   良好     良好     -     -
引线不压接     -     -   无     无     -     -
PKG裂纹     -     -   无     无     -     -

Claims (13)

1.粘合薄膜，其用于在被粘合体上粘合半导体元件，其特征在于，
上述粘合薄膜在耐热薄膜的一面或者两面形成粘合剂层，
上述粘合剂层含有树脂A和树脂B，
上述树脂A的玻璃化转变温度比上述树脂B的玻璃化转变温度低，
上述粘合剂层具有树脂A成为海相、树脂B成为岛相的海岛结构，且
树脂A的玻璃化转变温度是高于或等于30℃、不到200℃，树脂B的玻璃化转变温度是高于或等于200℃、低于或等于400℃。
2.根据权利要求1所述的粘合薄膜，其中，树脂A或者树脂B的任一方是聚酰胺酰亚胺、聚酰胺、芳族聚酯、聚砜、聚醚砜或者它们的2种或2种以上的混合树脂。
3.根据权利要求1所述的粘合薄膜，其中，树脂A和树脂B的两方是聚酰胺酰亚胺、聚酰胺、芳族聚酯、聚砜、聚醚砜、或者它们的2种或2种以上的混合树脂。
4.根据权利要求1所述的粘合薄膜，其中，树脂A和树脂B的至少一方是聚酰胺酰亚胺、聚酰胺或者其混合树脂。
5.根据权利要求1所述的粘合薄膜，其中，树脂A是聚酰胺酰亚胺、聚酰胺或者其混合树脂。
6.根据权利要求1所述的粘合薄膜，其中，树脂A是使含有大于或等于10重量％、小于或等于80重量％的具有硅氧烷结构的单体成分发生聚合而得到的聚合物。
7.根据权利要求6所述的粘合薄膜，其中，树脂B是使含有大于或等于0重量％、不到10重量％的具有硅氧烷结构的单体成分发生聚合而得到的聚合物。
8.根据权利要求1所述的粘合薄膜，其中，树脂A和树脂B的玻璃化转变温度的差是大于或等于20℃、小于或等于300℃。
9.根据权利要求1所述的粘合薄膜，其中，粘合剂层的贮存弹性模量，在引线接合温度下是大于或等于3MPa、小于或等于10GPa。
10.根据权利要求1所述的粘合薄膜，其中，粘合剂层含有偶联剂。
11.根据权利要求10所述的粘合薄膜，其中，偶联剂是硅烷偶联剂。
12.带粘合薄膜的引线框架，它具有引线框架和贴附在引线框架上的权利要求1所述的粘合薄膜。
13.半导体器件，该半导体器件具有用权利要求1所述的粘合薄膜将引线框架和半导体元件粘合的结构。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2008015759A1 (ja) * 2006-08-04 2009-12-17 日立化成工業株式会社 フィルム状接着剤、接着シート及びこれを使用した半導体装置
JP7114983B2 (ja) * 2017-03-29 2022-08-09 荒川化学工業株式会社 接着剤、フィルム状接着材、接着層、接着シート、樹脂付銅箔、銅張積層板、プリント配線板、並びに多層配線板及びその製造方法
CN115746729A (zh) * 2022-11-24 2023-03-07 芜湖徽氏新材料科技有限公司 一种半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5457149A (en) * 1990-06-08 1995-10-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Reworkable adhesive for electronic applications
US6045886A (en) * 1996-12-26 2000-04-04 Tomoegawa Paper Co., Ltd. Adhesive tape for electronic parts
US6187874B1 (en) * 1998-08-14 2001-02-13 Tomoegawa Paper Co., Ltd. Adhesive for electronic parts and adhesive tape for electronic parts
CN1395604A (zh) * 2000-01-19 2003-02-05 日立化成工业株式会社 半导体用粘接膜、带有半导体用粘接膜的导线框及使用了该导线框的半导体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5457149A (en) * 1990-06-08 1995-10-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Reworkable adhesive for electronic applications
US6045886A (en) * 1996-12-26 2000-04-04 Tomoegawa Paper Co., Ltd. Adhesive tape for electronic parts
US6187874B1 (en) * 1998-08-14 2001-02-13 Tomoegawa Paper Co., Ltd. Adhesive for electronic parts and adhesive tape for electronic parts
CN1395604A (zh) * 2000-01-19 2003-02-05 日立化成工业株式会社 半导体用粘接膜、带有半导体用粘接膜的导线框及使用了该导线框的半导体装置

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