CN115746729A - 一种半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带及其制备方法 - Google Patents
一种半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115746729A CN115746729A CN202211485999.4A CN202211485999A CN115746729A CN 115746729 A CN115746729 A CN 115746729A CN 202211485999 A CN202211485999 A CN 202211485999A CN 115746729 A CN115746729 A CN 115746729A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- adhesive tape
- melt adhesive
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- resistant thermoplastic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 title claims abstract description 33
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 29
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 22
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 claims description 7
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 5
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 5
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N phosphorous acid Chemical compound OP(O)O OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 3
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 claims description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims description 2
- 210000002469 basement membrane Anatomy 0.000 claims 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 6
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 abstract description 5
- 238000012958 reprocessing Methods 0.000 abstract description 3
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 19
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 2
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 239000013523 DOWSIL™ Substances 0.000 description 1
- 229920013731 Dowsil Polymers 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Adhesive Tapes (AREA)
Abstract
本发明公开了一种半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带及其制备方法，所述热塑型热熔胶带由下至上依次包括：聚酰亚胺基膜、底涂层、胶层；形成所述胶层的胶液包括以下原料：聚砜类材料、偶联剂、抗氧剂、溶剂；该半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带在常温下无粘性，生产流通过程中及解卷过程中不易粘附灰尘，符合半导体无尘化的苛刻要求；其所使用的胶层材料的耐高温性好，且属于热塑型，无需添加交联剂，高温移除后，表面无小分子析出，对后续再加工无影响。
Description
技术领域
本发明属于热熔胶带技术领域，具体涉及一种半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带及其制备方法。
背景技术
半导体封装指的是晶圆经过测试合格以后，以产品功能和具体的型号为基础，对独立芯片进行加工的整个过程，半导体封装工艺技术的不断创新，极大的推动了半导体设计领域的发展，封装(Package)对芯片来说是必须也是至关重要的。封装也可以说是安装半导体集成电路芯片用的外壳，它不仅可以保护芯片、增强导热性能，还有沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁和规格通用的功能。
封装中会使用到一种耐高温聚酰亚胺胶带，该胶带与引线框架结合后，可有效防止塑封过程中的溢料现象。目前耐高温聚酰亚胺胶带中胶层的主要成分为有机硅压敏胶，有机硅压敏胶虽然具有优越的耐高温特性，与引线框架的结合力强，高温过程中经时剥离力稳定，移除后不残留粘合剂的优点，但是有机硅压敏胶因常温具有压敏性和粘性，产品流转过程中及离型膜解卷时会吸附一定的灰尘，无法满足半导体行业要求极高的无尘环境；另一方面，有机硅压敏胶因含有硅油类交联剂，高温移除后虽无残胶，但芯片表面存在小分子析出现象，造成引线框架的表面达因值发生变化，影响后续工序生产。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供了一种半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带及其制备方法，该半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带在常温下无粘性，生产流通过程中及解卷过程中不易粘附灰尘，符合半导体无尘化的苛刻要求；其所使用的胶层材料的耐高温性好，且属于热塑型，无需添加交联剂，高温移除后，表面无小分子析出，对后续再加工无影响。
为实现上述目的，本发明采取的技术方案如下：
一种半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带，所述半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带由下至上依次包括：聚酰亚胺基膜、底涂层、胶层；形成所述胶层的胶液包括以下原料：聚砜类材料、偶联剂、抗氧剂、溶剂。
形成所述胶层的胶液包括以下重量份的原料：Tg点在170℃-250℃聚砜类材料100份、偶联剂5～15份、抗氧剂3～10份、溶剂250～350份。
所述聚砜类材料为端羟基封端的聚砜类材料，此类树脂的端羟基活性较高，相对于其他聚砜类材料，羟基封端类材料极性较强，可以与高极性的聚酰亚胺薄膜形成良好的亲和力。
所述聚砜类材料的结构式为：
所述聚砜类材料的分子量优选在50万在200万之间。分子量小于50万的聚砜类材料的耐温性较差，分子量大于200万的聚砜类材料的溶解性较差，不利于溶解涂布。
所述偶联剂为环氧硅烷偶联剂。
所述抗氧剂为受阻酚类抗氧剂、亚磷酸酯类抗氧剂中的至少一种；所述溶剂为N’N-二甲基甲酰胺、N’N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基亚砜、环己酮、丁酮中的任意一种或多种。
形成所述底涂层的材料为3M94底涂剂、3MK520底涂剂、环氧类底涂剂、聚乙烯亚胺底涂剂中的至少一种。
所述半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
(1)将聚酰亚胺基膜进行电晕处理，将底涂剂涂布在聚酰亚胺基膜的电晕面上，进行固化干燥，得到具有底涂层的聚酰亚胺基膜；
(2)将胶液涂布在具有底涂层的聚酰亚胺基膜的底涂层上，经固化干燥后收卷。
步骤(1)中，电晕处理后，聚酰亚胺基膜的电晕面的电晕值＞54。
步骤(2)中，固化干燥所使用的烘箱由前至后各烘道温度分别为70℃、90℃、110℃、130℃、140℃、145℃、110℃、90℃。
本发明提供的半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带中，使用聚砜类材料作为胶层的材料，由于其玻璃化温度较高，常温干爽，无任何压敏性，因此在流转过程中不会因粘性而吸附灰尘，且聚砜类材料具有优良的耐热性能、机械性能、绝缘性能，特别是在高温下具有可连续使用的突出优点。聚砜类材料在高于其玻璃化温度下，发生从玻璃态到高弹态的相变，并因此有一定的流动性，从而填充在引线框架内，产生粘合作用，防止封装过程中的溢料现象，且其耐温性较好，耐温结束后剥离胶带后无残胶现象，聚砜类材料属热塑型，无需外加交联剂进行固化，不会因生产过程中交联不充分而造成胶带耐温稳定性差，或交联不足造成的耐温后小分子析出等现象。
本发明提供的半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带的制备方法中，通过对作为基膜的聚酰亚胺基膜电晕后涂布上底涂层，提升胶层与基膜的粘结力，防止胶带玻璃后出现残胶。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
本发明提供的耐高温热塑型热熔胶带，该胶带常温下无任何粘性，生产及流通过程中及离型膜解卷过程中不易粘附灰尘，满足半导体产品无尘化发展方向；胶带属于热塑型，无需交联且耐高温效果好，高温高压后适用于粘贴在半导体引线框架背面，防止封装过程中的溢料，胶带耐温移除后，表面无残胶和小分子析出，对后续再加工无影响。
附图说明
图1为本发明中的耐高温热塑型热熔胶带的结构示意图，其中，1-聚酰亚胺基膜、2-底涂层、3-胶层。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进行详细说明。
实施例1
一种半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带，由下至上依次包括：聚酰亚胺基膜、底涂层、胶层；形成所述胶层的胶液由以下重量份的原料组成：Tg点为190℃的端羟基聚芳砜SultronTM PSU 1000材料100份、KH-570偶联剂10份、受阻酚抗氧剂3份、亚磷酸酯抗氧剂1.8份、N’N-二甲基甲酰胺300份。胶液通过将各原料溶解在N’N-二甲基甲酰胺中得到。
所述半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带的制备方法包括以下步骤：
(1)将聚酰亚胺基膜进行电晕处理至电晕值＞54，将3M94底涂剂以30m/min的速度经微凹涂布的方式涂布到聚酰亚胺基膜的电晕面上，烘箱由前至后各烘道温度分别为70℃、90℃、110℃、130℃、130℃、130℃、110℃、90℃，涂布干燥后得到具有底涂层的聚酰亚胺基膜；
(2)将胶液以30m/min涂布在具有底涂层的聚酰亚胺基膜的底涂层上，烘箱由前至后各烘道温度分别为70℃、90℃、110℃、130℃、140℃、145℃、110℃、90℃，涂布干燥后收卷后得到耐高温热塑型热熔胶带。
实施例2
一种半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带，由下至上依次包括：聚酰亚胺基膜、底涂层、胶层；形成所述胶层的胶液由以下重量份的原料组成：Tg点为220℃的端羟基聚砜PES-OH材料100份、A-187偶联剂10份、受阻酚抗氧剂3份、亚磷酸酯抗氧剂1.8份、N’N-二甲基甲酰胺300份。胶液通过将各原料溶解在N’N-二甲基甲酰胺中得到。
所述半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带的制备方法包括以下步骤：
(1)将聚酰亚胺基膜进行电晕处理至电晕值＞54，将3M94底涂剂以30m/min的速度经微凹涂布的方式涂布到聚酰亚胺基膜的电晕面上，烘箱由前至后各烘道温度分别为70℃、90℃、110℃、130℃、130℃、130℃、110℃、90℃，涂布干燥后得到具有底涂层的聚酰亚胺基膜；
(2)将胶液以30m/min涂布在具有底涂层的聚酰亚胺基膜的底涂层上，烘箱由前至后各烘道温度分别为70℃、90℃、110℃、130℃、140℃、145℃、110℃、90℃，涂布干燥后收卷后得到耐高温热塑型热熔胶带。
实施例3
其他同实施例1，只是将底涂剂改为环氧类底涂剂。
实施例4
其他同实施例1，只是将偶联剂剂改为KH-560偶联剂。
对比例1
其他同实施例1，只是不添加偶联剂。
对比例2
其他同实施例1，只是省去了底涂层。
对比例3
其他同实施例1，只是聚砜类材料的Tg点为250℃。
对比例4
取市售的有机硅压敏胶DOWSILTM 7652T Adhesive 100g，加入溶剂甲苯50g、交联剂SYL-OFFTM SL 7028 0.9g、锚固剂SYL-OFFTM 297 0.5g、催化剂SYL-OFFTM 0.6g搅拌均匀后，涂布在经电晕处理后的聚酰亚胺基膜表面，经烘道烘干，烘箱由前至后各烘道温度分别为70℃、90℃、110℃、150℃、150℃、150℃、110℃、90℃，涂布干燥后贴合离型膜收卷。贴合离型膜收卷得到压敏型胶带。
将以上各实施例及对比例1-4中的胶带在230℃、10MPa、25秒条件下，热压在封装引线框架背面上，进行上芯、烘烤、压焊、塑封、后固化等工艺，封装步骤完成之后，将胶带从引线框架和封装材料上剥离下来并观察；将对比例3中的胶带常温常压下贴合在引线框架背面，进行上芯、烘烤、压焊、塑封、后固化等工艺，封装步骤完成之后，将胶带从引线框架和封装材料上剥离下来并观察溢料、胶、粘附灰尘情况，并测试移除后表面达因值。结果如表1所示，从结果可见，实施例1、2、3、4封装过程中作业性良好，未出现不良现象。
表1各实施例及对比例中的产品测试结果
注：
溢料的测试方法为塑封结束剥离胶带后，45倍显微镜下观察黑色塑封料有无渗透至贴合胶带的那一侧。
残胶的测试方法为剥离胶带后，与胶带接触的框架面用8倍显微镜观察判定了有无粘合剂残留，根据有残胶部分的面积贴合部分总面积的比例计算残胶的比例
表面达因值的测试方法为剥离胶带后，与胶带接触的框架面用不同型号的电晕笔进行判断，贴合面是否有析出，表面张力是否发生变化
表面洁净度测试方法为，取100mm*100mm胶带样品，用50倍显微镜观察胶层上是否有直径＞1mm的异物。
上述参照实施例对一种半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带及其制备方法进行的详细描述，是说明性的而不是限定性的，可按照所限定范围列举出若干个实施例，因此在不脱离本发明总体构思下的变化和修改，应属本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带，其特征在于，所述半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带由下至上依次包括：聚酰亚胺基膜、底涂层、胶层；形成所述胶层的胶液包括以下原料：聚砜类材料、偶联剂、抗氧剂、溶剂。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带，其特征在于，形成所述胶层的胶液包括以下重量份的原料：聚砜类材料100份、偶联剂5～15份、抗氧剂3～10份、溶剂250～350份。
3.根据权利要求1所述的半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带，其特征在于，所述聚砜类材料为端羟基封端的聚砜类材料。
4.根据权利要求1所述的半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带，其特征在于，所述聚砜类材料的结构式为：
5.根据权利要求1所述的半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带，其特征在于，所述偶联剂为环氧硅烷偶联剂。
6.根据权利要求1所述的半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带，其特征在于，所述抗氧剂为受阻酚类抗氧剂、亚磷酸酯类抗氧剂中的至少一种；所述溶剂为N’N-二甲基甲酰胺、N’N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基亚砜、环己酮、丁酮中的任意一种或多种。
7.根据权利要求1所述的半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带，其特征在于，形成所述底涂层的材料为3M94底涂剂、3MK520底涂剂、环氧类底涂剂、聚乙烯亚胺底涂剂中的至少一种。
8.如权利要求1-7任意一项所述的半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
(1)将聚酰亚胺基膜进行电晕处理，将底涂剂涂布在聚酰亚胺基膜的电晕面上，进行固化干燥，得到具有底涂层的聚酰亚胺基膜；
(2)将胶液涂布在具有底涂层的聚酰亚胺基膜的底涂层上，经固化干燥后收卷。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，电晕处理后，聚酰亚胺基膜的电晕面的电晕值＞54。
10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，固化干燥所使用的烘箱由前至后各烘道温度分别为70℃、90℃、110℃、130℃、140℃、145℃、110℃、90℃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211485999.4A CN115746729A (zh) | 2022-11-24 | 2022-11-24 | 一种半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211485999.4A CN115746729A (zh) | 2022-11-24 | 2022-11-24 | 一种半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115746729A true CN115746729A (zh) | 2023-03-07 |
Family
ID=85337463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211485999.4A Pending CN115746729A (zh) | 2022-11-24 | 2022-11-24 | 一种半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115746729A (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1342589A (en) * | 1970-06-19 | 1974-01-03 | Impeiral Chemical Ind Ltd | Aromatic polysulphone adhesive compositions |
| JP2000285730A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路板 |
| CN1696233A (zh) * | 2004-05-11 | 2005-11-16 | 日立化成工业株式会社 | 粘合薄膜、带粘合薄膜的引线框架及使用它们的半导体器件 |
| CN214881223U (zh) * | 2021-04-29 | 2021-11-26 | 芜湖徽氏新材料科技有限公司 | 一种电热元件制备用耐高温胶带 |
-
2022
- 2022-11-24 CN CN202211485999.4A patent/CN115746729A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1342589A (en) * | 1970-06-19 | 1974-01-03 | Impeiral Chemical Ind Ltd | Aromatic polysulphone adhesive compositions |
| JP2000285730A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路板 |
| CN1696233A (zh) * | 2004-05-11 | 2005-11-16 | 日立化成工业株式会社 | 粘合薄膜、带粘合薄膜的引线框架及使用它们的半导体器件 |
| CN214881223U (zh) * | 2021-04-29 | 2021-11-26 | 芜湖徽氏新材料科技有限公司 | 一种电热元件制备用耐高温胶带 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108598218B (zh) | 一种外延层刚性-柔性衬底无机键合转移方法 | |
| CN106833502B (zh) | 可剥离有机硅压敏胶、压敏胶制品及其制备方法 | |
| CN101627465B (zh) | 用于半导体的粘合膜和使用该粘合膜的半导体器件 | |
| CN110396371B (zh) | 暂时粘着被加工物的方法及粘着剂 | |
| CN113025227B (zh) | 一种可印刷手机后盖内防爆膜及其制备方法 | |
| CN106701011B (zh) | 可剥离压敏胶组合物及压敏胶制品 | |
| CN113845861A (zh) | 一种低爬升有机硅保护膜及其制备方法 | |
| JPH0364386A (ja) | 電子部品用接着テープ | |
| CN111892881A (zh) | 一种耐高温的高持粘性覆盖膜或保护胶带的制备方法 | |
| CN115746729A (zh) | 一种半导体集成电路封装用耐高温热塑型热熔胶带及其制备方法 | |
| CN112852323A (zh) | 一种pet防静电亚克力保护膜及其制备方法 | |
| CN101798490A (zh) | 粘接剂组合物、粘接用片材、切割-管芯粘合膜及半导体装置 | |
| CN107636825A (zh) | 半导体用保护膜、半导体装置及复合片 | |
| CN109980044A (zh) | 一种用于延伸波长InGaAs焦平面探测器的耦合方法 | |
| CN115216045A (zh) | 偏光片用低温固化双面抗静电离型膜及其制备方法 | |
| CN111234729A (zh) | 一种非氟无硅离型膜及其制备方法 | |
| CN113845860A (zh) | 一种硅胶保护膜及其制备方法 | |
| CN115044323A (zh) | 一种可用于pvd工艺的耐高温保护膜及其制备方法 | |
| CN111621238A (zh) | 一种红色耐高温高分子胶带制作工艺 | |
| CN106010353A (zh) | 一种耐高温美纹纸胶带 | |
| CN112778944A (zh) | 一种耐高温亚克力胶黏剂、制备方法及耐高温保护膜 | |
| KR101075410B1 (ko) | 고온 내열성 점착조성물 및 이로부터 제조된 점착테이프 | |
| CN117987031A (zh) | 一种低剥离力波动系数低温热封盖带及其制备方法 | |
| CN215757139U (zh) | 一种热减粘自动剥离保护膜 | |
| CN215975633U (zh) | 玻璃保护膜 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |