TWI287836B - Polishing pad with window for planarization - Google Patents
Polishing pad with window for planarization Download PDFInfo
- Publication number
- TWI287836B TWI287836B TW092137095A TW92137095A TWI287836B TW I287836 B TWI287836 B TW I287836B TW 092137095 A TW092137095 A TW 092137095A TW 92137095 A TW92137095 A TW 92137095A TW I287836 B TWI287836 B TW I287836B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- polishing pad
- polishing
- adhesive
- window
- Prior art date
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 193
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 259
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 57
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 47
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 31
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 17
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- -1 polypropylene Polymers 0.000 claims description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 7
- 239000004821 Contact adhesive Substances 0.000 claims description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 5
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 5
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 5
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 239000006260 foam Substances 0.000 claims description 4
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 claims description 3
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 claims description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 3
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 claims description 3
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 claims description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 claims description 3
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims description 3
- 229920001634 Copolyester Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002292 Nylon 6 Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 claims description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 claims description 2
- 229920003174 cellulose-based polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 claims description 2
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 claims description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 claims description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 2
- VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC=NC(N)=N1 VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-M Butyrate Chemical compound CCCC([O-])=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Natural products CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920000572 Nylon 6/12 Polymers 0.000 claims 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims 1
- 239000004699 Ultra-high molecular weight polyethylene Substances 0.000 claims 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims 1
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 claims 1
- ZMUCVNSKULGPQG-UHFFFAOYSA-N dodecanedioic acid;hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN.OC(=O)CCCCCCCCCCC(O)=O ZMUCVNSKULGPQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 claims 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims 1
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 claims 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 claims 1
- 229920000785 ultra high molecular weight polyethylene Polymers 0.000 claims 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 29
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 8
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 7
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 5
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 5
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 5
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 5
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 3
- 239000010438 granite Substances 0.000 description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 3
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 3
- 239000004816 latex Substances 0.000 description 3
- 229920000126 latex Polymers 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 3
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- KGRVJHAUYBGFFP-UHFFFAOYSA-N 2,2'-Methylenebis(4-methyl-6-tert-butylphenol) Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C)=CC(CC=2C(=C(C=C(C)C=2)C(C)(C)C)O)=C1O KGRVJHAUYBGFFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPGATMBHQQONPH-UHFFFAOYSA-N 2-aminooxycarbonylbenzoic acid Chemical compound NOC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O UPGATMBHQQONPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUHQWKGQAYBNEW-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl propanoate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)CC GUHQWKGQAYBNEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N Bisphenol A diglycidyl ether Chemical compound C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000181 Ethylene propylene rubber Polymers 0.000 description 1
- 244000166124 Eucalyptus globulus Species 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Polymers OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 1
- 239000004705 High-molecular-weight polyethylene Substances 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 1
- RVGRUAULSDPKGF-UHFFFAOYSA-N Poloxamer Chemical compound C1CO1.CC1CO1 RVGRUAULSDPKGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229920000954 Polyglycolide Polymers 0.000 description 1
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 description 1
- 229920005830 Polyurethane Foam Polymers 0.000 description 1
- 241001417524 Pomacanthidae Species 0.000 description 1
- 239000002174 Styrene-butadiene Substances 0.000 description 1
- LEHOTFFKMJEONL-UHFFFAOYSA-N Uric Acid Chemical compound N1C(=O)NC(=O)C2=C1NC(=O)N2 LEHOTFFKMJEONL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229920001727 cellulose butyrate Polymers 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000006471 dimerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011038 discontinuous diafiltration by volume reduction Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000005670 ethenylalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFMKFCLXZSUVPI-UHFFFAOYSA-N ethyl but-3-enoate Chemical compound CCOC(=O)CC=C BFMKFCLXZSUVPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920006244 ethylene-ethyl acrylate Polymers 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- IVJISJACKSSFGE-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;1,3,5-triazine-2,4,6-triamine Chemical compound O=C.NC1=NC(N)=NC(N)=N1 IVJISJACKSSFGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QFEQDRJNCKDYQG-UHFFFAOYSA-N furan-2-carbaldehyde;1,3,5-triazine-2,4,6-triamine Chemical compound O=CC1=CC=CO1.NC1=NC(N)=NC(N)=N1 QFEQDRJNCKDYQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005546 furfural resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RCHKEJKUUXXBSM-UHFFFAOYSA-N n-benzyl-2-(3-formylindol-1-yl)acetamide Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C=O)=CN1CC(=O)NCC1=CC=CC=C1 RCHKEJKUUXXBSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011496 polyurethane foam Substances 0.000 description 1
- 238000002459 porosimetry Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 1
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/205—Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
1287836 玖、發明說明: c發明所屬之技術領域3 發明領域 本發明關於拋光墊。特別地,本發明之拋光墊可包括 5 一窗。本發明之拋光墊可有用於拋光物件,及尤其可有用 於例如半導體晶圓之微電子元件的化學機械拋光或平坦 化。拋光墊之窗為至少部分透明,且因此可特別地有用於 與配備有經由壓板之晶圓計量設備的拋光或平坦化工具一 起使用。 10 【先前技術】 發明背景 一般而言,將微電子元件的不平坦表面拋光或平坦化 成貫質平坦表面,涉及利用經控制且重覆的動作,以拋光 塾之工作表面摩擦此不平坦表面。拋光漿液可插置於待拋 15光之物件的粗糙表面及拋光墊的工作表面之間。 例如半導體晶圓之微電子元件的製造,一般涉及在包 各例如石夕或砷化鎵的晶圓上形成多數積體電路。此積體電 略可藉由一系列的步驟形成,其中例如導電性、絕緣性及 2^ “體丨生材料寺材料的圖案化層係形成在基板上。為了使 每晶圓上的積體電路密度最大化,理想的是在整個半導 體晶圓的製造過程期間,在不同階段,具有實質平坦的經 w基板。因此’半導體晶圓製造可包括至少一抛光步驟, 且更普遍的是包括多數拋光步驟,該拋光步驟可使用一或 夕抛光塾。 1287836 化學機械抛光(CMP)方法可包括使微電子基板與拋 光墊接觸;旋轉拋光塾,同時對微電子元件的背側施予一 力,以及在拋光期間,對抛光塾施用一含有研磨劑的化學 反應性溶液,-般稱為“裝液”。CMp抛光浆液可含有一 5研磨劑材料’例如氧化石夕、氧化紐、氧化飾或其混合物。 因為將漿液提供至元件/抛光塾的界面,抛光塾相對於基 板的旋轉移動可增進拋光過程。_般而言,抛光可以此方 式持續進行,直至移除所欲的膜厚度。 依拋光墊及研磨劑及其他添加物的選擇而定,CMp方 10法可在所欲的拋光速率下,提供有效的拋光,同時使表面 不完美的地方、缺陷、腐蝕及磨耗減少或降至最低。 拋光或平坦化特性可隨著抛光墊之不同,以及所取得 之拋光墊的整個操作壽命期而改變。拋光墊之拋光特性上 的改變可造成不適當地拋光或平坦化基板,該基板是無法 15利用的。因此,在此技術領域中,理想的是發展一種拋光 塾其呈現降低之抛光塾間在槪光或平坦化特性上的差 異。進一步理想的是發展一拋光墊,其在整個拋光墊的操 ♦壽命期間,呈現降低之抛光或平坦化特性上的差異。 當晶圓固持在工具中且與拋光墊接觸時,具有測量平 20 坦化過程的行進的能力的平坦化工具係屬此項技術領域中 已知者。在平坦化期間,測量平坦化微電子元件的行進, 在此技術領域中可稱為“原位計量法”。美國專利第 5,964,643及6,159,073號;以及歐洲專利第1,1〇8,501號描 述拋光或平坦化工具以及原位計量系統。一般而言,原位 1287836 計量設設備可包括導引一止土 先束通過位在該工具之壓板中 -至少部分透明窗;該光束可由該晶圓之表面反射返回 經過壓板之窗,並進入一檢測器。該拋光墊可包括-窗, 該窗對於使用於計量系統之波長為至少部分透明,以及主 5 要為與壓板之窗對齊。 因此,理想的是發展一抛光塾,s包含一有用於原位 什置设備的窗區域。進一步理想的是窗在整個拋光墊的操 作令命期間’提供適當的透明度。 具有與抛光表面共平面之窗的已知拋光塾的缺點,可 1〇包括窗部分的磨耗速率較拋光墊表面緩慢。具有共平面窗 的已知拋光墊的另一缺點可包括在拋光或平坦化過程中與 漿液中的研磨劑顆粒接觸,造成窗的刮痕。經刮傷的窗一 般可降低窗的透明度,且可造成訊號的衰減。 【^-明内容u 15 發明概要 本發明包括一具有窗的拋光墊。在一非限制性的具體 例中,拋光墊可包含第一層及第二層。第一層可作為拋光 墊之工作表面或拋光層。至少一部分之該第二層可包含一 窗,該窗對於拋光工具之計量儀器所使用的波長為至少部 20 分透明。再者,以第一層之總重為基準’第一層可吸收至 少2重量百分比的拋光漿液。 本發明之拋光墊可包含第一層及第二層。第一層可作 為拋光墊之拋光或工作表面,以致於第一層可至少部分地 與待拋光的基板及拋光漿液相互作用。在一非限制性的具 1287836 體例中’第一層可為多孔性以及可滲透拋光漿液。在一非 限制性的具體例中,第二層可為主要為無孔性,且實質上 對抛光漿液為不可渗透性。 在本說明書及申請專利範圍中所使用之術語“實質 5上無孔性,意指大致上對於液體、氣體及細菌的通過為不 可滲透性。在-巨觀尺度下,實質無孔性材料若有孔洞的 話,呈現極少量的孔洞。當使用於本說明書及申請專利範 圍中時,術語“多孔性”意指具有孔洞,以及術語“孔洞” 意指可供物質通過的微細開孔。 10 需注意的是’當使用在本案說明書中時,除非明顯且 明確地限制於一指示物,否則單數形式“一,,(,,a,,,,,an,,) 及“該”包括複數的指示物。 為了本案說明書的目的,應瞭解到,除非另外說明, 所有在δ兒明書及申睛專利範圍中用於表示成份的量、反應 15條件等的數字,在任何情況下可用“約,,一詞予以修飾。 因此,除非有相反說明,在下述說明書内容及後附申請專 利範圍中的數值參數為近似值,其可依藉由本發明所欲尋 求的所欲性質而改變。最低限制且非企圖限制均等論在申 請專利範圍之範疇上應用,每一數值參數應至少基於所記 2〇述之顯著數字的數值,並應用一般的整數化技術來解釋。 雖然在本發明之廣範圍中所敘述的數值範圍及參數為 近似值’敘述於特定實施例中的數值係儘可能精確地記 載。然而’任何數值本質上皆含有由其個別測試方法之標 準差計算必然地所造成的一定誤差。 1287836 第一層可包括此技術領域中已知的各種不同材料。包 含於第一層之適當材料的非限制性例子可包括,但不限制 於如美國專利第6,477,926Bl號中所描述的顆粒性聚合物 及交聯聚合物黏合劑;如美國專利申請案序號第10/317,982 5號所描述之顆粒性聚合物及有機聚合物黏合劑;美國專利 第6,062,968、6,117,000及6,126,532號所描述之熱塑性樹 脂的燒結顆粒;以及如描述美國專利第6,231,434B1、 6,325,703B2、6,106,754及6,〇17,265號中的熱塑性聚合物 的加熱燒結粉末緊壓體。包含於第一層之適當材料的進一 10步非限制性例子可包括如美國專利第5,900,164及 5,578,362號中所描述之經多數聚合物微元件浸潰的聚合物 基質,其中每一聚合物微元件可具有空隙空間。 第一層的厚度可改變。在一非限制性的具體例中,第 -層的厚度可為至少〇〇2〇英时,或至少〇·_英忖,或 15 0·150英吋或更小,或0.080英吋或更小。 在另一非限制性的具體例,第一層可包括孔洞以致於 抛光聚液可至少部分地由第一層所吸收。孔洞的數目可改 變。在可替代的非限制性的具體例中,第一層可具有一孔 隙度’以孔洞體積百分比表示,以第一層之總體積為基準, 20至少為2體積百分比,或以第一層之總體積為基準,為% 體積百分比或更低,或以第一層之總體積為基準 50體積百分比。 ^ 拋光墊之孔洞體積百分比可利用此技術領域中已知的 各種不同技術來測定。在一非限制性的具體例中,下述公 1287836 式可用於計算孔洞體積百分比: 100X (拋光墊層的密度)χ (抛光墊層的孔洞體積)。 密度可以克/立方公分的單位表示,以及可藉由此技 術領域中已知的各種不同習知方法來測定。在一非限制性 5的具體例中,密度可根據ASTM D 1622-88方法來測定。 孔洞體積可以立方公分/克的單位表示,以及可藉由此技 術領域中已知的各種不同習知方法來測定。在一非限制性 的具體例中’孔洞體積可根據ASTMD 4284-88中的汞孔 度測里法來測里’使用取自Micromeritics的Autopore III 10水銀孔度計。在另一非限制性的具體例中,孔洞體積之測 量可在下述條件下進行:接觸角140。、汞表力張力為480達 因/公分,以及在50微米汞柱的真空度下使拋光墊層樣品 脫氣。 在一非限制性的具體例中,第一層可具有至少部分開 15 放的結構,以致於可吸收漿液。在可替代之非限制性的具 體例中,以第一層之總重為基準,第一層可吸收至少2重 量百分比之拋光漿液,或不超過50重量百分比,或2重量 百分比至50重量百分比。 在本發明之另一非限制性的具體例中,拋光墊之第一 20 層的壓縮性大於第二層。如同本案說明書中所使用者,術 語“壓縮性”意指壓縮性測量之體積百分比。在可替代之 非限制性的具體例中,當施與20 psi之載荷時,第一層的 壓縮體積百分比可為至少〇·3百分比,或3百分比或更低, 或0.3至3百分比。 10 1287836 拋光墊層的壓縮體積百分比可使用此技術領域中已知 的各種不同方法來測定。在一非限制性的具體例,拋光墊 層之壓縮體積百分比可使用下述公式來測定: 1〇〇Χ(無載荷下拋采熱厝的艚積-在_載荷下的拋来墊層體積) 5 (無載荷下拋光墊層的體積) 。 在一非限制性的具體例中,當施與載荷時,拋光墊層 的面積不改變;因此,前述壓縮體積的公式藉由下述公式, 以拋光墊層的厚度來表示: 100X(無載荷下拋光墊層的厚度-在載荷下的拋光墊層厚唐) 10 (無載荷下拋光墊層的厚度) 。 拋光層厚度可使用各種不同已知方法來測定。在一非 限制性的具體例中,拋光墊層厚度可藉由在拋光墊樣品上 施與一載荷(例如,但不限制於經校正的砝碼),並測量 抛光塾層厚度因載何造成的改變來測定。在進一步非限制 15 性的具體例,可使用Mitutoyo電子指示器(Mitutoyo
Electronic Indicator ),型號 ID-C112EB 。指示器具有一心 軸或螺紋桿,其一端配備有一平坦接觸點,在該接觸點下 可放置該拋光墊層。心軸之另一端可配備有一施與特定栽 何至接觸面積的裝置’例如但不限制於容納經校正之缺石馬 20的平衡盤。指示器顯示值為由於施與載荷所造成的抛光塾 層的位移。指示器顯示值一般以英忖或毫米表示。在進行 測量時’電子指示器可裝設在一支架上,例如Mitutoy〇精 密花岗岩支架(Mitutoyo Precision Granite Stand ),以提供 穩定度。容許自距離任何邊緣至少〇·5英吋處測量拋光塾 11 I287836 層的側向尺寸是足夠的。抛光墊層的表面在一足夠的區域 上可為平坦且平行的,以容許測試拋光墊層及平坦接觸點 之間的均勻接觸。待測試拋光墊層可放置在平坦接觸點之 下。拋光墊層的厚度可在施與載荷之前測量。經校正之砝 5 碼可添加至平衡盤中以造成特定的最終載荷。拋光墊層可 接著在此特定載荷下壓縮。指示器可顯示在此特定載荷之 下的拋光塾層的厚度/高度。施與載荷之前的拋光塾層厚 度減去在特定載荷之下的拋光墊層厚度,可用於測定拋光 墊層的位移。在一非限制性的具體例中,20 psi的載荷可施 10用於該拋光墊層。測量可在標準化的溫度下進行,例如室 溫。在一非限制性的具體例中,測量可在22^+/-2〇c下進 行0 在可替代的非限制性的具體例中,上述測量拋光墊層 厚度的方法可應用於堆疊之拋光墊總成或包含於該拋光墊 15 總成之層。 在一非限制性的具體例中,用於測量壓縮體積百分比 的步驟可包括將接觸點放置在花崗岩基體上,並調整指示 裔的碩數為零。接著可昇高該接觸點並將樣品放置在該接 觸點下及彳b崗石支架上,使接觸點的邊緣與該樣品的任何 20邊緣相距至少〇·5英时。接觸點可下降至該樣品上且在5 + /-1秒後測I樣品的厚度。在未移開樣品或接觸點之下, 可添加足1碼至盤巾以造成藉由該接觸點施與20 psi 7力至en在15+/]秒後可讀取載荷測量下樣品的 厚度。測量步驟可重複,使用20 psi的壓縮力,在樣品上 12 1287836 相距至少0.25英吋之不同位置,取得5測量值。 在一非限制性的具體例中,可測量第一層的柔軟度。 在本案說明書及申請專利範圍中所使用之術語“柔軟度” 思才日材料的蕭氏Α硬度(Shore A Hardness )。一般而言,
5材料愈柔軟,蕭氏A硬度值愈低。在一可替代的非限制性 的具體例中’第一層的蕭氏A硬度(Shore A Hardness )至 少為85 ’或99或更低,或85至99。蕭氏A硬度(Shore A Hardness )值可利用此技術領域已知的各種方法及設備來 測定。在一非限制性的具體例中,蕭氏A硬度(Sh〇reA 10 Hardness)可根據ASTM D 2240中所記載的步驟來進行測 量,使用具有最大指示器(可購自 Angeles,CA)的蕭氏 “A 型,,硬度計(Sh〇re“TypeA,, Durometer )。在一非限制性的具體例中,蕭氏A硬度(Sh〇R AHardness)的測試方法可包括在特定條件下,實質地將特 15定形式的壓痕器施力刺入測試材料中。在此具體例中,蕭 氏A硬度(Shore A Hardness )可與刺入深度成反比且可依 測試材料之彈性模數及黏彈性行為而定。 在-非限制性的具體例中,第一層在工作或拋光表面 上可包含凹溝或圖案。凹溝及/或圖案的形式可改變且可 20包括此技術領域中已知的各種不同形式的凹溝及/或圖 案。製造凹溝及圖案的方法亦可改變,且包括此技術領域 中已知的各種不同習用方法。 本發明之抛光墊進-步包含第二層。在一非限制性的 具體例中,此第二層可與至少一部分之第一層連接。在一 13 1287836 進—步的非限制性的具體例中,第一層可與至少一部分之 第二層連接,以及第二層可與至少—部分之任擇的第三層 連接。 第二層可包括此技_域巾已知的各種不同材料。第 5二層可選自於實質上體積不可壓縮的聚合物以及金屬薄膜 及金屬箱。在本案說明書及申請專利範圍中所使用之術語 “實質上體積不可壓縮的,,意指當施與2Qpsi載荷時,體 積,小量小於。在-非限制性的具體例中,施與載荷及 測Ϊ體積縮小量的方法可應用描述於上文中的方法。 10 冑質上體積不可壓縮的聚合物之非限制性例子可包括 聚稀煙,例如但不限制於低密度聚乙歸、高密度聚乙稀、 T高分子量聚乙稀及聚丙烯;聚氣乙稀;以纖維素為主的 聚合物,例如但不限制於,纖維素乙酸醋及纖維素丁酸醋; 丙烯酸酯類;聚酯及共聚酯,例如但不限制於及 ETG,來奴酸酯,聚醯胺,例如但不限制於耐綸6/6及 耐碥6/12;以及高性能塑膠,例如但不限制於聚醚醚酮、 本鱗、水硬、聚酿亞胺、聚驗g藍亞胺及其混合物。 金屬薄膜的非限制性例子可包括但不限制於鋁、銅、 黃銅、鎳、不銹鋼及其組合。 2〇 第一層之厚度可改變。在一可替代的非限制性的具體 !中’苐一層的厚度可為至少0.0005英忖,或至少o.oolo 英吋;或0.0650英吋或更小,或0 0030英吋或更小。 在一非限制性的具體例中,第二層可具有可撓性以增 進或增加拋光墊及欲拋光基板之表面之間的接觸的均勻 14 1287836 陘在選擇第一層之材料時的一考量因素可為材料對拋光 墊之工作表面提供可撓支撐的能力,以致於第一層實質順 應欲拋光之元件的巨觀輪廓或長期表面。具有此能力的材 料可理想地用於作為本發明的第二層。 5 第二層的可撓性可改變。可撓性可使用此技術領域中 已知的各種不同習用技術來測定。在本案說明書及申請專 利範圍中所使用之術語“可撓性” (F)意指第二層厚度三 次方(t3)與第二層材料的可撓性模數(E)之間的反比關 係,亦即F= l/t3E。在一可替代的非限制性的具體例中, 10第二層的可撓性可為至少O.Sir^lb·1,·或至少i〇〇in-llb-i ; 或 1 ίη·1^-1 至 100 in·1»)-1。 在一非限制性的具體例中,第二層可具有壓縮性,其 容許拋光塾實質順應待拋光物件的表面。例如半導體晶圓 之微電子基板的表面,可具有因製造方法形成的“波紋,, 15輪廓。可預期到,若拋光墊無法適當地順應基皮表面的“波 紋輪麼,抛光效能的均勻性可劣化。舉例而言,若拋光 墊實質上順應“波紋”的末端,但無法實質上順應及接觸 波紋”的中間部分,只有“波紋”的末端可被拋光或平 坦化,而中間部分能保持實質上未被拋光或平坦化。 20 第二層的壓縮性可改變。如同上文中所描述者,術語 壓縮性”意指壓縮體積百分比測量。在可替代的非限制 性的具體例中,第二層的壓縮體積百分比可至少為i百分 比,或3百分比或更低;或1至3百分比。壓縮體積百分 比可利用此技術領域中已知的各種不同習用方法來測量。 15 1287836 在一非限制性的具體例中,壓縮體積百分比係依上文中所 描述般來測定。 在另一非限制性的具體例中,第二層可將第一層感受 到的壓縮力分配在一任擇之第三層的較大面積上。在一莽 5限制性的具體例中,第二層為實質上體積不可壓縮的。 在另一非限制性的具體例中,第二層可作為在第一層 及至少部分連接至第二層之任擇之第三層之間輸送的流體 之貝貝阻P早層。因此,選擇包含於第二層之材料的一考量 因素可為材料實質降低、最小化或大致防止拋光漿液自第 1〇 一層輸送至一任擇之第三層的能力。在一非限制性的具體 例中,第二層對拋光漿液可為實質上無法滲透的,以致於 任擇的第三層不會被拋光漿液浸透。 在一可替代之非限制性的具體例中,第二層可被穿孔 以致於拋光漿液可穿透第一及第二層以濕潤一任擇的第三 15層。在一進一步的非限制性的具體例中,任擇的第三層可 貫質上被拋光漿液浸透。第二層之穿孔可藉由熟習該項技 術者已知的各種不同技術來形成,該技術例如但不限制於 衝壓、模切割、雷射切割或水刀切割。孔洞尺寸、穿子的 數目及結構可改變。在一非限制性的具體例中,在一相互 20交錯的孔洞圖案中,穿孔之孔洞直徑可為至少1/16英吋, 每一平方英吋具有至少26孔洞/平方英忖。 在一非限制性的具體例中,第一層可連接到至少—呷 分第一層,以產生堆疊的拋光墊總成。在本案說明書及申 請專利範圍中使用之術語“連接至,,意指連結在一起或直 16 1287836 接或藉由一或多種中介材料間接的放置關係。在一非限制 性的具體例中,第一及第二層為經至少部分連接,以致於 第一層的開孔可至少部分地與第二層之至少部分透明窗對 齊。 5 在一非限制性的具體例中,拋光墊的第一層可使用— 黏著劑連接至至少部分的第二層。使用於本發明之適當黏 著劑可提供充分的抗撕裂強度,以致於拋光墊層在使用期 間大致上維持定位。再者,黏著劑可經選擇以充分地抵抗 在拋光或平坦化處理過程中存在的切應力,以及可充分地 10抵抗使用期間的化學及濕氣劣化。黏著劑可使用熟習該項 技術者已知的習用技術來施用。在一非限制性的具體例 中,黏著劑可施用至第一層的下部表面及/或第二層的上 部表面’此二表面彼此平行相對。 黏著劑可選自於此技術領域中已知的廣泛不同的黏著 15劑材料,例如但不限制於接觸性黏著劑、壓感性黏著劑、 結構黏著劑、熱熔黏著劑、熱塑性黏著劑,以及可固化黏 著劑,例如熱固性黏著劑。結構黏著劑之非限制性例子可 選自於聚胺基曱酸酯黏著劑,以及環氧樹脂黏著劑;例如 該等以雙酚A之二縮水甘油醚為主的黏著劑。壓感性黏著 20劑的非限制性例子可包括一彈性體聚合物及一增黏樹脂。 彈性體聚合物可選自於天然橡膠、丁基橡膠、氯化橡 膠、聚異丁烯、聚(乙烯基烷基醚)、醇酸黏著劑、丙烯酽酽 類,例如垓等以2-乙基己基丙浠酸酯及丙稀酸為主的乓取 物、例如笨乙烯-丁二烯-苯乙烯之嵌段共聚物,及其混、合^ 17 1287836 物。在一非限制性的具體例中,壓感性黏著劑可利用例如 甲苯或己烧之有機溶劑,或以水為主的乳化液,或自一溶 化物,施用至一基板。在本案說明書中所使用之術語“熱 溶性黏著劑”意指包含非揮發性熱塑性材料的黏著劑,其 5 可加熱形成一溶化物,接著以液體的形式施用至基板。熱 熔性黏著劑的非限制性例子選自於乙烯-乙酸乙烯g旨共聚 物、苯乙浠-丁二烯共聚物、乙烯—丙烯酸乙酯共聚物、聚酯、 例如由二胺及二聚物酸之反應所形成的聚胺,以及聚胺基 甲酸g旨。 10 在本發明之一非限制性的具體例中,第一層可包含一 開口。在一進一步的非限制性的具體例中,至少一部分第 二層可包含一窗,其對於平坦化設備之計量儀器所使用的 波長為至少部分透明。第一層中開口及/或第二層中的窗 的尺寸、形狀及定位可依應用於拋光及/或平坦化拋光墊 15 的計量儀器及抛光裝置而定。開口可藉由此技術領域中已 知的各種不同的習用方法來產生。在可替代的非限制性的 具體例中,開口可藉由衝壓、模切割、雷射切割或水刀切 割來產生。在一進一步的非限制性的具體例中,開口可藉 由模塑第一層來形成。在一可替代的非限制性的具體例 2〇 中,開口可使用配備有適當尺寸及形狀之模的NAEF型號 B模壓機模切入第一層,該模壓機在市面上可自MS Instruments Company,Stony Brook,NY 構得。 在一非限制性的具體例中,第一層中的開口可在堆疊 在一起及/或至少部分連接第一層與第二層之前產生。 18 1287836 至少部分的第二層玎包含一至少部分透明的窗。在一 非限制性的具體例中,第二層可包含一至少部分透明的材 料。在另一非限制性的具體例中,第二層可包含—實質非 透明材料;一可切入該第二層以去除部分該第二層的開 5 口; 一可插入該第二層之開口的至少部分透明材料。此開 口可使用上文中所描述的各種不同方法來製造。在一非限 制性的例子中,第二層可包括一金屬箔;一可切入該金屬 箔以去除部分該金屬箔的開口;一可切成實質對應該開口 之尺寸及形狀的聚酯片;此聚酯片可配合金屬箔的開口以 10 形成一至少部分透明的窗。 在一非限制性的具體例中’第二層可包含一黏著劑總 成。此黏著劑總成包括將第二層插置於上部黏著劑層及下 部黏著劑層之間。在一非限制性的具體例中,黏著劑總成 之上部黏著劑層可至少部分連接至該第一層的下部表面。 15 20 黏著劑總成的下部黏著劑層可至少部分連接至一任擇之第 二層的上部表面。黏著劑總成之苐二層可選自於上述使用 於拋光墊之第二層的適當材料。黏著劑總成之上部及下邹 黏著劑層可選自於上文中所述之黏著劑的非限制性例子。 在一非限制性的具體例中,上部及下部黏著劑層各自可為 接觸性黏著劑。在此技術領域中,黏著劑總成可稱為雔… 或雙面塗覆膠帶。市面上可取得之黏著劑總成的非限制性 例子包括可購自3M公司之工業用膠帶及特殊產品部 (Industrial Tape and Specialties Division )。 在一進一步的非限制性的具體例中, 王夕—部分的黏 19 1287836 著劑層可自黏著劑總成的第二層去除,暴露至 黏著劑總成的至少部分透明第二層,#此在第二料= =少部分透明的窗。在-可替代的非限制性的具體例/, #劑的去除可在堆疊層之前或於層堆疊之後進行。 方法可包括熟習此項技術者已知的各種不同方法,包括= 不限制於將«解於溶贱清_水騎巾物理 地自第二層剝離黏著劑。在_非限制性的具體例中,物理 地剝離黏著劑可包括將黏著劑與—可黏著該黏著劑的材料 接觸,以及接著自第二層拉出該材料,藉此她著劑隨著 10 該材料剝離。 在一進一步的非限制性的具體例中,第二層的窗可凹 入該拋光墊的拋光表面之下達一等於該拋光墊之第一層的 厚度的距離。 在另一非限制性的具體例中,拋光塾總成可包括一位 15 在該第二層之窗的頂側及/或底側之至少一部分上的塗 層。此塗層可至少部分地隨黏著劑一起施用,以取代或接 著去除黏著劑。塗層可至少部分地在堆疊層之前或於層堆 疊之後施用。塗層可提供任何下述的性質,舉例而言,改 良之窗區域的透明度、改良之抗磨性及改良之抗衝壓性。 20 在一非限制性的具體例中’塗層可包括一樹脂膜,或現場 洗鑄(cast-in-place)樹脂塗層。 使用於本發明之適當樹脂膜的非限制性例子可包括描 述於上文中用於第二層的材料。在一可替代的非限制性的 具體例中,所選擇之用於塗層的樹脂膜與包含於第二拋光 1287836 墊層之材料可為相同的材料或不同的材料。樹脂膜可藉由 此項技術者已知的任何方法,至少部分地附著至第二 層的窗區域,例如列示於上文中用於拋光墊堆疊黏著劑的 黏著方法及材料。在一非限制性的具體例中,塗層可為一 5树月曰膜層,其可與第二層所使用之材料相同或不同。塗層 可至少部分地於拋光墊堆疊組合後施用。塗層可至少部分 地%用至第二層之窗區域的頂部及底部表面,以及黏著劑 可使用作為堆疊黏著劑之接觸性黏著劑而至少部分地黏 附0 10 在一非限制性的具體例中,塗層可為現場澆鑄 (cast-in-place)樹脂塗層,其可以液體、溶液、分散液戈 水性乳膠方式;以熔化物或可反應形成塗層之樹脂前驅物 的摻合物的方式來應用。液體的施用可藉由各種不同已知 方法來完成,包括噴覆、填塞及傾倒。用於塗覆之材料的 15非限制性例子包括熱塑性丙烯酸系樹脂、熱固性丙烯酸系 樹脂,例如與_甲醛或蜜胺-曱醛樹脂交聯之羥基官能性>、 烯酸乳膠、與環氧樹脂交聯之羥基-官能性丙烯酸樹脂,= 與碳二亞胺或聚醯亞胺或環氧樹脂交聯之羧基官能性丙^ 酸乳膠;胺基曱酸酯系統,例如與異氰酸酯交聯的羥基官 2〇能性丙烯酸樹脂、水固化之異氰酸酯封端樹脂、與蜜胺 醛樹脂交聯的胺基曱酸酯官能性丙烯酸樹脂;環氧樹炉甲 例如與雙紛A環氧樹脂父聯的聚醯胺樹脂、與雙齡a壤— 枒脂交聯的酚系樹脂;聚酯樹脂,例如與蜜胺_甲醛、^ 聚異氰酸酯、或與環氧交聯劑交聯的羥基封端聚隖。>、 21 1287836 在一非限制性的具體例中,塗層可為水性丙烯酸系乳 膠,其可在拋光墊總成堆疊後施用。塗覆可至少部分地施 用至第二層之窗區域的頂部及底部表面。塗層的施用可在 自窗區域去除黏著劑後進行。 5 本發明的窗拋光墊可與此技術領域中已知的各種不同 的拋光設備一起使用。在一非限制性的具體例中,可使用 Mirra 拋光器,由 Applied Materials Inc,Santa Clara CA 製 造,其中開口的形狀為矩形,尺寸為〇·5英吋x 2英吋,定 位係以長軸徑向地定向且與拋光墊的中心相距4英吋地定 10 位。Mirra拋光器的壓板的直徑為2〇英吋。與此拋光器一 起使用的拋光墊可包含一直徑2〇-英吋的圓,具有位在上述 區域中的窗。 在一進一步的非限制性的具體例中,可應用可購自於
Lam Research Corporation,Fremont, CA 的 Teres 拋光器。此 15抛光器使用連續帶以取代圓形壓板。此拋光器的拋光墊可 為寬度12英对以及周長93.25英吋的連續帶,其具有適當 尺寸裁切及定位的窗區域,以與Teres拋光器的計量窗對 齊’以致於可至少部分地與該第二層之至少部分透明的窗 對齊。 1 | , 如上文中所指明者,本發明之拋光墊可包括額外任擇 的層。此額外的層可含有實質上與第一層之開口及第二層 之至少部分透明窗實質對齊的開口。 在一非限制性的具體例中,本發明之拋光墊可包含第 —層。第二層可作為拋光墊的底部層,其可連接至拋光裝 22 1287836 置之壓板。 在一非限制性的具體例中,第三層可包含比第一層软 的材料。 在此處所使用之術語“柔軟度”意指材料的蕭氏A硬 5 度(Shore A Hardness )。材料愈柔軟,蕭氏A硬度值愈低。 因此,在本發明中,第三層之蕭氏A硬度值可比第一層之 蕭氏A硬度值低。在一非限制性的具體例中,第三層的蕭 氏A硬度值至少為15。在可替代的非限制性的具體例中, 第三層的蕭氏A硬度可為至少45,或75或更低,或45至 10 75。蕭氏A硬度(Shore A Hardness)可使用此技術領域中 已知的各種不同的習用方法來測定。在一非限制性的具體 例中,蕭氏A硬度可依上文中描述的方法來測定。 在一非限制性的具體例中,第三層可用於增加拋光墊 及進行拋光之基板之表面之間的接觸的均勻性。 15 在本發明之一非限制性的具體例中,包含於拋光墊之 第三層的材料之壓縮性可大於包含於第一層的材料。如前 文中所描述者,術語“壓縮性”意指測壓縮體積百分比測 里13此’第二層之壓縮體積百分比大於第一層之壓縮體 積百分比。在一非限制性的具體例中,當施與2〇扣的載 20何’第二層之壓縮體積百分比可小於2〇百分比。在一可 替代的非限制性的具體例中,當施與2Qpsi_荷時,第 三層^壓縮體積百分比可小於1Q百分比,或#施與2〇Ν 的載何’小於5百分比。如同上文中所指明者,壓縮體 積百分比可藉由此技術領域中已知的各種不同方法來測 23 1287836 定。在一非限制性的具體例中’壓縮體積百分比可如前述 所描述的方式來測定。 第三層的厚度可改變。-般而言,第三層厚度應使得 拋光墊不會太厚。拋光墊太厚可使得平坦化設備難以安置 5及移去。因此,在一可替代的非限制性的具體例中,第一 層的厚度可為至少0.040英吋,或至少〇 〇45英吋;或〇 1〇〇 英吋或更小,或0.080英吋或更小,或〇 〇65英吋或更小。 第三層可包含此技術領域中已知的廣泛不同材料。適 當的材料可包括天然橡膠、合成橡膠、熱塑性彈性體、發 10泡片材及其組合。第三層的材料可經發泡或吹模以產生多 孔性結構。此多孔性結構可為開放胞室、密閉胞室,或其 組合。合成橡膠之非限制性例子可包括氯丁橡膠(neoprene rubber)、聚矽氧烷橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-丙烯橡膠、 丁基橡膝、聚丁二烯橡膠、聚異戊二浠橡膠、EpDM聚合 15物、苯乙烯-丁二烯共聚物、乙烯及乙基乙酸乙烯酯的共聚 物、氯丁橡膠/乙烯腈橡膠、氯丁橡膠/EpDM/SBR橡 膠,及其組合。熱塑性彈性體的非限制性例子可包括聚烯 煙、聚酯、聚醯胺、例如以聚醚及聚酯為主的聚胺基甲酸 酯,及其共聚物。發泡體片材的非限制性例子可包括乙烯 20乙酸乙烯酯片材以及聚乙烯發泡體片材,例如但不限制於 市面上可購自Sentinel Products,Hyannis,NJ者;聚胺基甲
&L酉曰毛/包體片材,例如但不限制於市面上可講自於Illbruck, Inc” Minneapolis,MN者;以及聚烯烴發泡體片材,例如但 不限制於市面上可購自R0gers C〇rp0rati〇n,Woodstock, CT 24 1287836 者0 广在進一步非限制性的具體例,第三層可包括未編織或 、、二編織的纖維墊及其組合,例如但不限制於聚烯烴、聚酯、 私或丙稀系纖維,其已利用樹脂浸潰。纖維可為在 5纖維墊中的短纖維或實質不連續纖維。非限制性例子可包 括但不限制於利用聚胺基甲酸酯浸潰的未編織纖維,如同 、,專引第4,728,552號中所描述者,例如經聚胺基甲酸酯 /又/貝的毛氈。市面上可購得的未編織下層墊的非限制性例 子可為購自 R〇del,Inc· Newark DE 的 SubaTM IV 〇 〇 在本發明中,任擇的第三層可包含一開口。在一可替 代的非限制性的具體例中,開口可藉由此技術領域中已知 的各種適當方法產生,例如該等前述關於第一層之開口所 才曰明者。再者,如前文中所指明者,開口的尺寸、形狀及 位置可依所應用之計量儀器及拋光裝置而定。 5 在一非限制性的具體例中,第三層可至少部分連接至 第二層且可與平坦化機器的底部接觸。第三層可含有一開 其係至少部分與第一層的開口以及第二層之至少部分 透明的窗對齊。 纟-可替代的非限制性的具體例中,利用黏著劑,抛 光墊的第-層可連接至至少部分的第二層,以及第二層可 連接至至少-部分第三層。適當的黏著劑可包括該等上文 中所描述者。 在-進-步的非限制性的具體例中,本發明的抛光塾 可包含第一層、第二層,以及第三層。第一及三層各自包 25 1287836 5 含in。第-及第三層的開口可至少部分彼此對齊。至 少-部分第二層可包括_至少部分透明窗。窗可至少部分 地在兩侧塗覆接觸性黏著劑,以及此等層可壓合在一起以 形成-堆疊拋光墊總成。黏著劑可接著使用黏著劑實質附 著的材料,自第二層之窗區域的頂部及底部表面物理地剝 離。黏著韻著之材料的非關性例子為Μη⑧ SP-1 〇〇〇,-種合成片材,其在市面上可購自ppG !她⑽s, Inc,Pittsburgh,PA。 本發明之拋光塾可與抛光聚液組合使用,例如此技術 !〇領域中已知的拋光漿液。可與本發明之抛光墊一起使用的 適當之拋光漿液的非限制性例子,包括但不限制於美國專 利申請案序號第曝82,548及ο·2,549所揭露的拋光漿 液,該二申請案皆在2002年6月14曰申請,且在審查中。 在一非限制性的具體例中,拋光漿液可插置於拋光墊的第 15 一層及待拋光的基板之間。抛光或平坦化方法可包括相對 於待拋光的基板移動拋光墊。各種不同的拋光漿液或漿液 為此技術領域中已知的。供使用於本發明之適當漿液的非 限制性例子包括含有研磨劑顆粒的漿液。可使用於漿液的 研磨劑包括顆粒性氧化鈽、顆粒性氧化鋁、顆粒性氧化矽 20及其類似物。市面上販售的使用於拋光半導體基板之漿液 的例子,包括但不限制於ILD 1200及ILD 1300,可購自於 Rodel,Inc· Newark DE,以及 Semi-Sperse AM100 及 Semi-Sperse 12 ’ 可購自於 Cabot Microelectronics Materials Division,Aurora,IL。 26 1287836 在一非限制性的具體例中,本發明的拋光墊可與用於 平坦化一具有不平坦表面之物件的裝置一起使用。此平坦 化裝置可包括用於固持物件的固持裝置;以及動力電源裝 置,用於使拋光墊及固持裝置彼此相對移動以致於拋光墊 5及固持裝置的移動造成漿液及拋光墊的平坦化表面接觸且 平坦化该物件的不平坦表面。在進一步非限制性的具體例 中,平坦化裝置可包括更新拋光墊之拋光或平坦化表面的 裝置。適當之更新裝置的非限制性例子包括一配備有研磨 拋光墊之工作表面之研磨碟的機械臂。 10 在一可替代的非限制性的具體例中,平坦化裝置可包 括用於進行待拋光或平坦化之物件之原位計量法的裝置。 市面上可購得之拋光或平坦化裝置可購自儀器製造商,例 如 Applied Materials,LAM Research, SpeedFam-IPEC,以及 Ebara Corp. 〇 15 在一非限制性的具體例中,本發明的拋光墊可放置在 圓柱形金屬基座上;以及可利用一黏著劑層與至少一部分 之基座連接。適當之黏著劑可包括廣泛不同的已知黏著 劑。在進一步之非限制性例子中,拋光墊可放置在圓杈形 金屬基座或抛光或平坦化裝置的壓板上,其包括進行待拋 20光物件之原位計量法的裝置。拋光墊可放置以致於其窗與 壓板之計量窗對齊。 【實施方式】 較佳實施例之詳細說明 實施例1 27 1287836 具有一窗的拋光墊係依下述方式製備: 工.第一層係根據下述製備方法八來製備。 2.制刀口直尺及解剖刀型實用刀,於第__層切入义 英吋X 2英吋的矩形開孔。 3·使用高效能雙面塗覆膠帶95〇〇pc(市面上可購自 3M公司之工業膠布及特殊產品部門)形成第二 層。膠帶之黏著劑層係黏附至第一層的底侧,以欵 於第一層之矩形開口實質上被該膠帶橫跨。
4·利用聚胺基甲酸酯發泡體(商品名為p〇R〇N 47〇1-50 )的〇·060英吋厚片材,形成第三層,市面 上可購自Rogers有限公司。使用刀口直尺及解剖 刀型貫用刀,於第三層切入込英吋χ 2英吋的矩形 開孔。 5·第三層係藉由自第二層移除離形紙並將第三層施 附至所暴露之黏著劑薄膜而黏附至第二層。將第三 層定位以致於第一層及第三層的矩形開口係實質 對齊。 6.將此三層堆疊總成壓合在一起並通過一壓延輥組。 7·藉由去除一部分第二層之上部側及下部側的黏著 劑以形成一窗。黏著劑係藉由與%英吋χ 2英吋之 TeslmSP-1000 塊(市面上可購自 ppGIndustdeS, Incorporated)接觸來去除,以手施壓Teslin sp-1000 塊以確保黏著劑及Teslin SP-1000之間的良好接 觸’接著撕去TeslinSP-looo。黏著劑係選擇性地 28 1287836 黏附至TeslinSP-1000,留下無黏著 劑之窗的實質 透明膜。 所得的抛光塾堆疊物具有矩形窗,其尺寸為%英吋X 2 英忖。 備方法A : 1 使用表a列示的成分製備顆粒性交聯聚胺基甲酸酯 成分 重量(克) 進料1 二胺固化劑(a) 810 界面活性劑(b) 30.6 甲基異丁基酮溶劑 822 進料2 異氰酸酯官能性預聚物(c) 2112 (a) LONZACURE MCDEA 二胺固化劑,獲自於 Air Products and Chemicals,Inc,據描述其為亞甲基雙(氣化二 10 乙基苯胺)。 (b) PLURONIC F108界面活性劑,獲自於BASF有限公 司0 (c) ARITHANE PHP-75D 預聚物,獲自於 Air Products and Chemicals, Inc,據描述為甲苯二異氰酸S旨及聚(四亞甲基二 15 醇)的異氰酸酯官能性反應產物。 進料1係添加至開放容器中並在加熱板上利用攪拌加 熱,直至容器中的内容物達到35°C之溫度。在此溫度下持 29 1287836 續攪拌,直至成分形成實質均質的溶液。接著自加熱板移 走容器。使用水浴將進料2加熱至55°C之溫度,並接著添 加至進料1。利用馬達驅動之高速攪拌機混合内容物達3 分鐘的時間,直至均勻。接著將容器的内容物,利用與去 5 離子水順流激烈攪拌,快速倒入40°C之10公斤的去離子水 中。於完成添加内容物至容器中後,再持續激烈混合去離 子水60分鐘。濕潤顆粒性經交聯的聚胺基甲酸酯係使用二 篩網堆來分類。頂部篩的篩孔尺寸為50篩目(300微米篩 孔開口),以及底部篩的篩孔尺寸為140篩目(105微米篩 10 孔開口)。將自140篩目分離之濕潤顆粒性經交聯的聚胺基 甲酸酯在烘箱中,在80°C下乾燥隔夜。 步驟2 : 使用歸納於下述表2的成分,製備包含顆粒性經交聯 的聚胺基甲酸酯及經交聯之聚胺基甲酸酯黏合劑的拋光 15 墊。 — 成分 重量(克) 進料1 步驟1之顆粒性經交聯的聚 918 胺基甲酸酯 進料2 異氰酸酯官能性預聚物(C) 265 脂族聚異氰酸酯(d) 8.5 添加物(e) 8.5 丙酮溶劑 62 30 1287836 (d) DESMODUR N 3300脂族聚異氰酸酯,獲自於Bayer 有限公司,塗層及染色劑部門(Coatings and Colorants Division),據描述為以六亞甲基二異氰酸酯為主的多官能 性脂族異氰酸酯 5 (e) Lanco PP1362D微米化改質聚丙烯蠟,獲自於Lubrizol 有限公司。 利用馬達驅動之不銹鋼高速攪拌器’混合進料2直至 實質均質。接著將進料2之實質均勻的混合物與進料1在 一適當的容器中組合,並藉由馬達驅動的混合器混合。接 10 著將1040克之進料1及2組合物引入26英吋X 26英吋的 平板模中。模係在室溫下藉由一對輥進料,形成厚度〇·1〇〇 英吋的片材。將片材在25°C之溫度下以及80%的相對濕度 下固化18小時,接著在130°C的溫度下固化1小時。自片 材切出直徑為22·5英吋的圓形拋光墊,接著使用研磨機使 15 拋光墊的上部及下部表面平行。 所得之拋光墊係使用於實施例1作為第一層。 【圖式簡單說明】無 【圖式之主要元件代表符號表】無 31
Claims (1)
- % 92137093m 專利申請案申請專利範圍修正本96年4月 拾、申請專利範圍: 1. 一種用於一旋轉抛光器之圓形抛光塾,其包含 a. 具有一用於拋光一工件之面外的工作表面以及一 開口的第一層;以及 5 b. 一第二層,其中至少一部分之該第二層包含一至 少部分透明的窗,其中該窗係實質上以該第一表 面之厚度和該工作表面間隔開來以及其中該第一 層係至少部分連接至該第二層,且其中該第一層 包含至少一種以下之性質: 10 i)以該第一層之總重為基準,該第一層吸收至少 2重量百分比的拋光漿液; ii) 以該第一層之總體積為基準,該第一層具有至 少2體積百分比之孔隙度; iii) 該第一層具有大於該第二層之壓縮體積百分 15 比。 2. 如申請專利範圍第1項之拋光墊,其中以該第一層之 總重為基準,該第一層吸收至少4重量%且少於50重 量%之拋光漿液。 3. 如申請專利範圍第1項之拋光墊,其中該第一層係選 20 自於顆粒性聚合物及交聯聚合物黏合劑;顆粒性聚合 物及有機聚合物黏合劑;熱塑性樹脂的經燒結顆粒; 熱塑性聚合物之加壓燒結粉末壓緊物;利用多數聚合 物微元件浸潰的聚合物基質,其中每一聚合物微元件 内可具有一空隙空間;或其等之組合物。 1287836 4. 如申請專利範圍第1項之拋光墊,其中該第一層的厚 度為至少0.020英吋且小於0.150英吋。 5. 如申請專利範圍第1項之拋光墊,其中該第二層係選 自於實質上體積不可壓縮的聚合物及金屬薄膜及金屬 5 箔。 6. 如申請專利範圍第1項之拋光墊,其中該第二層係選 自於聚烯烴、以纖維素為主的聚合物、丙烯酸酯類、 聚酯或共聚酯、聚碳酸酯、聚醯胺、高性能塑膠或其 等之混合物。 10 7. 如申請專利範圍第7項之拋光墊,其中該第二層係選 自於低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超高分子量聚乙 烯或聚丙烯、纖維素乙酸酯或纖維素丁酸酯、PET或 PETG、耐綸6/6或耐綸6/12、聚醚醚酮、聚苯氧、 聚砜、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺或其等混合物。 15 8. 如申請專利範圍第1項之拋光墊,其中該第二層的厚 度為至少0.0005英吋且該第二層的厚度為小於0.0650 英忖。 9. 如申請專利範圍第1項之拋光墊,其中該第一層及該 第二層係至少部分地藉由一黏著劑材料來連接。 20 10.如申請專利範圍第9項之拋光墊,其中該黏著劑材料 係選自於接觸性黏著劑、壓感性黏著劑、結構黏著劑、 熱溶黏著劑、熱塑性黏著劑,以及可固化黏著劑、熱 固性黏著劑及其等之組合。 11.如申請專利範圍第1項之拋光墊,其進一步包含一第 33 1287836 三層,該第三層係至少部分地連接至該第二層,該第 三層具有一開口。 12. 如申請專利範圍第11項之拋光墊,其中該第三層係選 自於天然橡膠、合成橡膠、熱塑性彈性體、發泡體片 5 材及其等之組合。 13. 如申請專利範圍第11項之拋光墊,其中該第三層的厚 度為至少0.04英吋且該第三層的厚度為0.100英吋或 更少。 14. 如申請專利範圍第11項之拋光墊,其中該第一、第二 10 及第三層係至少部分地藉由一黏著劑材料來連接。 15. 如申請專利範圍第11項之拋光墊,其中該第一層的開 口、該第二層的窗,以及該第三層的開口係至少部分 對齊。 16. 如申請專利範圍第1項之拋光墊,其中當施與20psi 15 之載荷時,該第一層的壓縮體積百分比為至少〇·3百 分比。 17. 如申請專利範圍第1項之拋光墊,其中當施與20psi 之載荷時,該第一層的壓縮體積百分比為3百分比或 更低。 20 18. —種用於一拋光器之拋光墊,其包含 a. 具有一用於拋光一工件之面外的工作表面以及一 開口的第一層;以及 b. 一第二層,其中至少一部分之該第二層包含一至 少部分透明的窗,其中該窗係實質上以該第一表 34 1287836 面之厚度和該工作表面間隔開來且其中該第一層 係至少部分連接至該第二層,且其中該第一層包 含至少一種以下之性質: i) 以該第一層之總重為基準,該第一層吸收至少 5 4重量百分比的拋光漿液; ii) 以該第一層之總體積為基準,該第一層具有至 少2體積百分比之孔隙度; iii) 該第一層具有大於該第二層之壓縮體積百分 比。 10 19. 一種旋轉拋光墊,其包含 a. 具有一開口的第一層;以及 b. 一第二層,其中至少一部分之該第二層包含一至 少部分透明的窗, c. 一具有一開口之第三層,其中該第一層係至少部 15 分連接至該第二層且該第二層係至少部分連接至該 第三層,其中該窗係實質上以該第一表面之厚度和該 工作表面間隔開來,且其中該第一層包含至少一種以 下之性質: i) 以該第一層之總重為基準,該第一層吸收至少 20 2重量百分比的拋光漿液; ii) 以該第一層之總體積為基準,該第一層具有至 少2體積百分比之孔隙度; iii) 該第一層具有大於該第二層之壓縮體積百分 比 35 1287836 iv)該第三層係比該第一層為軟。 龕36
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US41336702P | 2002-09-25 | 2002-09-25 | |
US10/664,951 US20040102141A1 (en) | 2002-09-25 | 2003-09-22 | Polishing pad with window for planarization |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200522185A TW200522185A (en) | 2005-07-01 |
TWI287836B true TWI287836B (en) | 2007-10-01 |
Family
ID=32043244
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW092137095A TWI287836B (en) | 2002-09-25 | 2003-12-26 | Polishing pad with window for planarization |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040102141A1 (zh) |
EP (1) | EP1542832A1 (zh) |
JP (2) | JP2005538571A (zh) |
KR (1) | KR20050052513A (zh) |
CN (1) | CN100417493C (zh) |
AU (1) | AU2003275237A1 (zh) |
TW (1) | TWI287836B (zh) |
WO (1) | WO2004028744A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI457201B (zh) * | 2011-04-21 | 2014-10-21 | Toyo Tire & Rubber Co | Laminated mats |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070010169A1 (en) * | 2002-09-25 | 2007-01-11 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad with window for planarization |
US6676483B1 (en) * | 2003-02-03 | 2004-01-13 | Rodel Holdings, Inc. | Anti-scattering layer for polishing pad windows |
US20040209066A1 (en) * | 2003-04-17 | 2004-10-21 | Swisher Robert G. | Polishing pad with window for planarization |
US6984163B2 (en) * | 2003-11-25 | 2006-01-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad with high optical transmission window |
US20060019417A1 (en) * | 2004-07-26 | 2006-01-26 | Atsushi Shigeta | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
US20060089094A1 (en) * | 2004-10-27 | 2006-04-27 | Swisher Robert G | Polyurethane urea polishing pad |
US20060089093A1 (en) * | 2004-10-27 | 2006-04-27 | Swisher Robert G | Polyurethane urea polishing pad |
US20060089095A1 (en) * | 2004-10-27 | 2006-04-27 | Swisher Robert G | Polyurethane urea polishing pad |
CN102672630B (zh) | 2006-04-19 | 2015-03-18 | 东洋橡胶工业株式会社 | 抛光垫的制造方法 |
JP4943233B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2012-05-30 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッドの製造方法 |
US7635290B2 (en) * | 2007-08-15 | 2009-12-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Interpenetrating network for chemical mechanical polishing |
TWI411495B (zh) * | 2007-08-16 | 2013-10-11 | Cabot Microelectronics Corp | 拋光墊 |
WO2009070352A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Innopad, Inc. | Chemical-mechanical planarization pad having end point detection window |
JP5233621B2 (ja) * | 2008-12-02 | 2013-07-10 | 旭硝子株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板及びその製造方法。 |
US20130012108A1 (en) * | 2009-12-22 | 2013-01-10 | Naichao Li | Polishing pad and method of making the same |
US9017140B2 (en) | 2010-01-13 | 2015-04-28 | Nexplanar Corporation | CMP pad with local area transparency |
US9156124B2 (en) | 2010-07-08 | 2015-10-13 | Nexplanar Corporation | Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate |
US8758659B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-06-24 | Fns Tech Co., Ltd. | Method of grooving a chemical-mechanical planarization pad |
JP5858576B2 (ja) * | 2011-04-21 | 2016-02-10 | 東洋ゴム工業株式会社 | 積層研磨パッド用ホットメルト接着剤シート、及び積層研磨パッド用接着剤層付き支持層 |
JP2014094424A (ja) * | 2012-11-08 | 2014-05-22 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 積層研磨パッド |
CN111069994B (zh) * | 2019-12-11 | 2021-11-16 | 江苏月生达机械制造有限公司 | 一种桥梁加固钢板精确加工设备 |
JP7105334B2 (ja) * | 2020-03-17 | 2022-07-22 | エスケーシー ソルミックス カンパニー,リミテッド | 研磨パッドおよびこれを用いた半導体素子の製造方法 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3572232A (en) * | 1968-04-01 | 1971-03-23 | Itek Corp | Photographic film processing material |
US5257478A (en) * | 1990-03-22 | 1993-11-02 | Rodel, Inc. | Apparatus for interlayer planarization of semiconductor material |
US6120860A (en) * | 1990-08-23 | 2000-09-19 | American National Can Company | Multilayer film structure and packages therefrom for organics |
US5212910A (en) * | 1991-07-09 | 1993-05-25 | Intel Corporation | Composite polishing pad for semiconductor process |
US6017265A (en) * | 1995-06-07 | 2000-01-25 | Rodel, Inc. | Methods for using polishing pads |
US5893796A (en) * | 1995-03-28 | 1999-04-13 | Applied Materials, Inc. | Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus |
EP0844265B1 (en) * | 1995-08-11 | 2002-11-20 | Daikin Industries, Limited | Silicon-containing organic fluoropolymers and use of the same |
JPH10156705A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-16 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 研磨装置および研磨方法 |
US6126532A (en) * | 1997-04-18 | 2000-10-03 | Cabot Corporation | Polishing pads for a semiconductor substrate |
TW377467B (en) * | 1997-04-22 | 1999-12-21 | Sony Corp | Polishing system, polishing method, polishing pad, and method of forming polishing pad |
JPH11277408A (ja) * | 1998-01-29 | 1999-10-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハの鏡面研磨用研磨布、鏡面研磨方法ならびに鏡面研磨装置 |
US6068539A (en) * | 1998-03-10 | 2000-05-30 | Lam Research Corporation | Wafer polishing device with movable window |
US6585574B1 (en) * | 1998-06-02 | 2003-07-01 | Brian Lombardo | Polishing pad with reduced moisture absorption |
US6159073A (en) * | 1998-11-02 | 2000-12-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for measuring substrate layer thickness during chemical mechanical polishing |
US6231428B1 (en) * | 1999-03-03 | 2001-05-15 | Mitsubishi Materials Corporation | Chemical mechanical polishing head assembly having floating wafer carrier and retaining ring |
US6213845B1 (en) * | 1999-04-26 | 2001-04-10 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for in-situ optical endpointing on web-format planarizing machines in mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies and methods for making and using same |
US6261168B1 (en) * | 1999-05-21 | 2001-07-17 | Lam Research Corporation | Chemical mechanical planarization or polishing pad with sections having varied groove patterns |
US6439968B1 (en) * | 1999-06-30 | 2002-08-27 | Agere Systems Guardian Corp. | Polishing pad having a water-repellant film theron and a method of manufacture therefor |
EP1726257B1 (en) * | 1999-09-21 | 2017-12-06 | Honeywell HomMed LLC | In-home patient monitoring system |
US6402591B1 (en) * | 2000-03-31 | 2002-06-11 | Lam Research Corporation | Planarization system for chemical-mechanical polishing |
US6561891B2 (en) * | 2000-05-23 | 2003-05-13 | Rodel Holdings, Inc. | Eliminating air pockets under a polished pad |
US6685537B1 (en) * | 2000-06-05 | 2004-02-03 | Speedfam-Ipec Corporation | Polishing pad window for a chemical mechanical polishing tool |
US6477926B1 (en) * | 2000-09-15 | 2002-11-12 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad |
US20030094593A1 (en) * | 2001-06-14 | 2003-05-22 | Hellring Stuart D. | Silica and a silica-based slurry |
JP4131632B2 (ja) * | 2001-06-15 | 2008-08-13 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置及び研磨パッド |
US6722249B2 (en) * | 2001-11-06 | 2004-04-20 | Rodel Holdings, Inc | Method of fabricating a polishing pad having an optical window |
US7097549B2 (en) * | 2001-12-20 | 2006-08-29 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad |
WO2004028745A1 (en) * | 2002-09-25 | 2004-04-08 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad for planarization |
-
2003
- 2003-09-18 AU AU2003275237A patent/AU2003275237A1/en not_active Abandoned
- 2003-09-18 WO PCT/US2003/030139 patent/WO2004028744A1/en active Application Filing
- 2003-09-18 KR KR1020057005045A patent/KR20050052513A/ko active IP Right Grant
- 2003-09-18 EP EP03759509A patent/EP1542832A1/en not_active Withdrawn
- 2003-09-18 JP JP2004539871A patent/JP2005538571A/ja active Pending
- 2003-09-18 CN CNB038229560A patent/CN100417493C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-22 US US10/664,951 patent/US20040102141A1/en not_active Abandoned
- 2003-12-26 TW TW092137095A patent/TWI287836B/zh active
-
2008
- 2008-04-07 JP JP2008099836A patent/JP2008229843A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI457201B (zh) * | 2011-04-21 | 2014-10-21 | Toyo Tire & Rubber Co | Laminated mats |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005538571A (ja) | 2005-12-15 |
TW200522185A (en) | 2005-07-01 |
US20040102141A1 (en) | 2004-05-27 |
WO2004028744A1 (en) | 2004-04-08 |
JP2008229843A (ja) | 2008-10-02 |
EP1542832A1 (en) | 2005-06-22 |
AU2003275237A1 (en) | 2004-04-19 |
KR20050052513A (ko) | 2005-06-02 |
CN1684798A (zh) | 2005-10-19 |
CN100417493C (zh) | 2008-09-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI287836B (en) | Polishing pad with window for planarization | |
TWI245337B (en) | Polishing pad for planarization | |
US20040209066A1 (en) | Polishing pad with window for planarization | |
US20070010169A1 (en) | Polishing pad with window for planarization | |
JP2005538571A5 (zh) | ||
KR102195526B1 (ko) | 연성이고 컨디셔닝가능한 화학 기계적 창 연마 패드 | |
EP2785496B1 (en) | Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer | |
EP0921906B1 (en) | Abrasive construction for semiconductor wafer modification | |
KR102208278B1 (ko) | 연성이고 컨디셔닝가능한 연마층을 갖는 다층의 화학 기계적 연마 패드 적층물 | |
KR102191947B1 (ko) | 연성이고 컨디셔닝가능한 화학 기계적 연마 패드 적층물 | |
US20050032464A1 (en) | Polishing pad having edge surface treatment | |
WO2022210165A1 (ja) | 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法 |