TWI287046B - Textured-metastable aluminum alloy sputter targets - Google Patents

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1287046 A7 ___B7_ 五、發明説明（1 ) 技術領域與先行技術 發明背暑 近年來，製造商藉數個加工技巧自鋁合金（如：鋁-銅 、鋁-矽和鋁-矽-銅合金）製造濺射靶。製造商以前多藉 冷加工和退火組合製造細晶粒鋁合金靶。此退火使得晶粒 再結晶而製造可用於濺射的晶粒織構。這些經退火的靶的 最終晶粒尺寸基本上由30至75微米。使晶粒尺寸自此範圍 降低會進一步改善濺射均勻度。 靶製造商藉等路線角度壓出（ECAE)製造細鋁合金微結 構。Nakashima等人，"Influence of Channel Angle on the Development of U1 trafine Grain in Equal-Channel Angular Pressing(等路徑角度壓出法中，路徑角度對於超細晶粒發展 之影響）"，八以3.1\^^1*.，1^，1998，？？.1 5 89- 1 5 99"及1^2.乂&116¥等 人，"Structure and Mechanical Behavior of Ultrafine-Grained Metals and Alloys Subjected to Intense Plastic Deformation( 經極度塑膠變形處理的超細晶粒金屬和合金之結構和機械 行爲）"，Phys· Metal· 1^1&11〇§.，^1，（ 1 998)邛？.367-377提供使用 ECAE降低晶粒尺寸的例子。ECAE將巨大晶粒引至金屬中且 不會明顯改變工作元件形狀。雖然此方法有效降低晶粒尺 寸，但無法使晶粒排列有助於均勻濺射或提供可被接受的 產能-因爲ECAE法僅能以矩形板操作，所以須要自矩形板 切下圓形靶的無效率步驟，使得其產能低。 製造金屬中之細晶粒結構的另一機械方法是”累積式滾 石牙結合π，此處，$呂板重覆堆疊和滾動以賦予超細晶粒尺寸 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） I-----U..丨JL丨裝II (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1287046 A7 _____B7_ 五、發明説明（2 ) 所須足夠張力。N.Tsuji等人，"Ultra-Fine Grained Bulk Steel Produced by Acculative Roll Bonding (ABR) Process (累積式 滾砑結合（ARB)法製得的超細晶粒整體鋼）"，ScHpta. Matter.， i£(l 999)，pp.795-800。此重複堆疊和滾砑使得在金屬達到預 定厚度之後持續滾砑。雖然此方法可用以製造一些產物， 但此方法通常會將一些所不欲的氧化物引至最終產物中。 硏究者使用低溫操作提高鋁合金板的形成極限。例如 ，Selines等人於美國專利案第4，159,217號中提出一種使鋁 板變形的低溫法。此低溫法提高於-196°C的拉伸率和形成性 。此外，類似操作針對提高用於汽車應用的板的形成性。 主要參考文獻包括：i) H.Asao等人，"Investigation of Cryogenic Working. I. Deformation Behaviour and Mechanism of Face-Centered Cubic Metals and Alloys at Cryogenic Temperature (低溫操作硏究· I ·面心立方金屬和合金於低 溫的變形行爲和機構 Γ，J.Jpn.Soc.Technol. Plast.，丛，（1 985)， ρρ.1181-1187 ;和 ii) H. Asao 等人，"Investigation of Cryogenic Working. II. Effect of Temperature Exchange on Deformation Behavior of Face-Centered Cubic Metals and Alloy(低溫操作硏究· I I ·溫度交換對於面心立方金屬和 合金的變形行爲之影響）"，J. Jpn. Soc. Technol. Plast.， 这，（ 1988)，pp.1105-1111。

Lo等人於美國專利案第5,766,380號（標題爲"Method for Fabricating Randomly Oriented Aluminum Alloy Sputtering Targets with Fine Grains and Fine Precipitates(具細晶粒和細 I-----^---衣------1T------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -6 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1287046 A7 _B7_ 五、發明説明（3 ) 沉澱物之方向不規則的鋁合金濺射靶之製法）"）中提出一種 用以製造鋁合金濺射靶的低溫法。此方法使用低溫加工， 最終退火步驟使晶粒再結晶成所欲織構。類似地，Y.Liu於 美國專利案第5,993,62 1號使用低溫操作及退火以處理和增 進鈦濺射靶的結晶織構。 發明內容 發明槪述 本發明是具有供濺射靶濺射之濺射靶面的鋁合金濺射 靶。此濺射靶面具有織構化-介穩定的晶粒結構。此織構 化-介穩定的晶粒結構之晶粒取向比中，有至少約35%(200) 取向。濺射靶濺射期間內，此織構化-介穩定的晶粒結構 安定。此織構化-介穩定的晶粒結構的晶粒尺寸低於5微米 〇 形成鋁合金濺射靶的方法首先包括將鋁合金靶坯冷卻 至低於-50°C的步驟。此鋁合金靶坯具有晶粒尺寸的晶粒。 之後使經冷卻的鋁合金靶坯變形，將塑膠脹砂（strain)引至 靶坯中及降低晶粒的晶粒尺寸以形成織構化-介穩定的晶 粒結構。最後，於足以維持織構化-介穩定的晶粒結構的 低溫將鋁合金靶坯修整成經修整的濺射靶。 詳細說明 ' . 已經發現到：將鋁合金坯的變形溫度降低至至少-50°C ，得到具超細晶粒尺寸的織構化-介穩定的晶粒結構。此 I-----L---r — ^------IT------0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） -7 - 1287046 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（4 ) 方法有利於製造封包方向織構較佳的靶。此介穩定產物提 供於低於200°C溫度濺射之可被接受的安定性。 此方法製造再結晶晶粒低於10 %的鋁合金濺射IE。較佳 情況中，此濺射靶的再結晶晶粒含量低於約5 %。更佳情況 中，此濺射靶的再結晶晶粒含量低於2%。 此方法有效用於鋁合金靶坯。低溫法用於鋁-銅、 鋁-矽、鋁-銅-矽和鋁-矽-銅合金特別有效。典型合 金含有約0.2至5重量％銅和矽。除非特別聲明，否則此說明 書中是指相對於總組成物的重量％。特別的例子包括A1-0.5Cu和 Al-lSi-0.5Cu。 經修整的晶粒之晶粒尺寸低於約5微米。此說明書中， 晶粒尺寸是指使用低溫加工形成的晶粒界限和高角度次晶 粒界限，藉ASTM E-11 2測得的晶粒尺寸。此說明書中，次 晶粒-次晶粒錯合角度高於約1 5度。此代表晶粒尺寸比標 準鋁合金濺射靶獲大幅改善。此外，此方法有利於使晶粒 尺寸維持低於約2微米。最有利的情況中，此方法使晶粒尺 寸低於約1微米。 此外，此方法獲致主要（200)晶粒取向比。此說明書中 ，取向比定義特別晶粒取向與總晶粒取向之間的相對比例 ，以垂直於濺射靶面測得的％表示。例如，測定X-射線峰強 度及，以其除以自不規則取向粉末標準品測得的相對強度 ，計算出晶粒取向比。之後以此比例乘以丨00%並常態化， 即，除以所有晶粒介於強度和其相關相對強度之間的取向 比的總和。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公慶） -8 - 裝------訂------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1287046 經濟部智慧財產局K工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5 ) 經修整的濺射靶面以晶粒取向比至少約35%(200)取向 爲佳。最佳情況中，此濺射靶面具至少40%(200)取向。此外 ，此濺射靶面的晶粒取向比中，有至少35%(200)取向和約5 至約35 %(111)、（220)和（3 11)取向各者。加重的（200)取向和 其餘的（111)、（220)和（3 11)取向提供濺射靶面最均勻濺射性 質。 先將鋁合金靶坯冷卻至低於約-50°C，製備用於變形的 坯。此冷卻介質可以是固態或液態C〇2、液態氮、液態氬、 氦或其他超冷液體之組合。較佳情況中，此方法將坯料冷 卻至約-80 °C。最佳情況中，此方法將坯冷卻至至少約-196 °C或771(。用於大多數應用的最實用溫度是77K(大氣壓下的 液態氮溫度）。 冷卻之後，使經冷卻的鋁合金靶坯變形，將緻密的極 度塑膠脹砂引至鋁合金靶坯中並降低晶粒的晶粒尺寸。降 低晶粒尺寸的機構是強迫初晶粒再細分成次晶粒，其次範 圍以連續的緻密塑膠脹砂自然發展成高角度界限。於低溫 變形限制了變形期間內發生的動態回復程度，此有助於在 原始晶粒內部發展局角度晶粒界限。經修整的產物織構 化-介穩定微結構含有變形誘發的高角度界限和相當小比 例的原始晶粒範圍。此變形法包括如：壓出、滾砑和鍛造 以得到鋁合金中的超細晶粒尺寸。變形期間內，限制靶坯 之加熱有其重要性。此外，將至少50%工程張力施用於靶坯 有其優點存在。此張力確保整個靶厚度具有均勻的織構 化-介穩定微結構。 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9 - 裝------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1287046 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（6 ) 已經證實滾砑是降低晶粒尺寸和控制晶粒織構最有利 的方法。特別地，多次前進滾砑及前進之間再度冷卻’提 供最有利的結果。 鋁合金靶坯修整成經修整的濺射靶係於足以維持超細 晶粒尺寸的溫度進行。濺射靶的修整溫度過高時，晶粒尺 寸降低的優點會消失。較佳情況中，此修整於低於約20(TC 進行以限制晶粒成長。修整溫度降至低於約100°c會進一步 降低修整期間的晶粒成長。最佳情況中，修整於常溫進行 〇 類似地，就織構化-介穩定晶粒尺寸而言，於低於約 200 °C濺射有其重要性。濺射溫度維持低於200 °C防止濺射 期間内的晶粒成長及有助於靶的整個使用期間内的均勻濺 射。更佳情況中，於靶溫度維持低於約150°C時濺射。 實施方式 實例1 直徑2·25英吋（57毫米）、厚1.0英吋（25.4毫米）的A1-0.5Cu小試樣在液態氮中冷卻以進行低溫變形。此試樣以兩 個步驟壓成0.5英吋（12.7毫米）高。第二個壓製步驟之前，試 樣再度冷卻至液氮溫度（接近-196°C或77K)。低溫壓製的試 樣之後滾砑至最終厚度爲0.25英吋（6.4毫米）。低溫滾砑期間 內，試樣在每次滾砑通過液態氮之後再度冷卻。初冷卻和 再冷卻步驟持續直到工作元件不再使環繞其表面的液態氮 沸騰。將室溫金屬浸於液態氮之後，接近金屬表面的液體 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10 - 經濟部智慧財產局員工.消費合作社印製 1287046 A7 ___B7 五、發明説明（7 ) 立刻沸騰，其沸騰非常迅速，使其形成未破裂的氣體膜環 繞工作元件或導致11膜沸騰"。膜沸騰期間內，氣體屏障限制 了熱轉移。隨著工作元件的溫度降低及金屬達-196°C，氣體 膜屏障開始破裂，液體接觸金屬表面之後沸騰。此”成核沸 騰"現象期間內，熱轉移非常迅速。此成核沸騰期間內的沸 騰速率比膜沸騰高得多。自全規模試驗觀察到一個有趣的 現象：工作元件接近-196°C時，沸騰狀態有聽得見的變化， 顯示由膜至成核沸騰之轉變。 爲加以比較，類似的試樣壓製和滾砑次數與無冷卻步 驟（即，於常溫變形）的低溫變形試樣相同。 微繞射分析可用以比較因低溫變形加工而變形的試樣 與於室溫變形的對照試樣之微結構。分析處於變形狀態的 各試樣，得到兩種完全不同的結構。室溫變形的試樣的TEM 微繞射分析證實低角度次晶粒結構（附圖1A)。此低角度次晶 粒結構之特徵在於鋁合金於常溫變形。相對地，於低溫加 工的A1-0.5CU試樣之TEM影像在次晶粒之間有高角度界限（ 附圖1B)。 常溫和低溫變形試樣之變形的Al-0.5Cii樣品的結晶織構 之比較示於附圖2。附圖2中之比較用的試樣A是指於常溫變 形的A1-0.5CU樣品的變形織構，而低溫試樣1是指於低溫變 形的A1-0.5CU樣品的變形織構。以前的技術（相當粗晶粒）結 晶織構（已知爲所欲者）亦示於附圖2(比較用試樣B)中作爲常 溫加工和退火的樣品。介穩定之未再結晶的靶的織構以與 比較用的樣品粑相仿爲佳。 I-----^----辦衣------1T------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（ 210X297公釐） -11 - 1287046 A7 B7 五、發明説明（8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實例2 在三個次尺寸的A1-0.5Cu坯料上進行實驗性加工，以低 溫法提高其強度。這三個加工途徑如下：丨）標準加工，包 含室温壓製和滾砑及使其再結晶的熱處理；2)部分低溫加 工’包含室溫壓製和低溫滾砑；和3)完全低溫加工，包含 低温壓製和低溫滾讶。此低溫加工依實例1的冷卻和再冷卻 方式進行。 參考附圖3，市售再結晶的AI-0.5CU靶坯（比較用靶坯B) 硬度比完全和部分低溫加工的靶坯低約40點。此硬度試驗 顯示部分低溫加工樣品（低溫坯料2)和完全低溫加通樣品（低 溫还料3)之間的硬度相仿。 低溫加工的靶的另一優點在於它們的強度（對於因塑膠 變形而造成偏向的耐力）提高。爲定出強度提高量，根據 ASTM E-8，於次尺寸的A1-0.5CU坯料上進行實驗加工以製造 機械試驗樣品。如前述者，此樣品包括以標準加工製得的 樣品，其與低溫加工（低溫壓製和低溫滾砑，未進行退火處 理）的樣品比較。 參考附圖4，標準經再結晶處理的A1-0.5CU靶坯之屈服 強度（比較用的坯料D和E)比經低溫加工的靶坯（低溫坯料4) 低約175MPa。爲加以比較，附圖4包括用以比較的ECAE超 細晶粒A1 - 0.5 C u (比較用还料F)的文獻數據及巾售錦合金6 0 6 1 於丁 6條件的文獻數據。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

I I- - ......I I 1 - 1 ........ · 裝· 訂 -線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12 - 1287046 A7 ___B7_ 五、發明説明（9 ) 實例3 五個直徑5.1英吋（13·0公分）、長12.5英吋（31.8公分）的 A1-0.5CU圓柱形坯料用於全範圍加工。使用部分或完全低溫 變形技巧，有或無於200°C 4小時的最終退火步驟，此試驗 製造5個旋轉形成的大型Endura A1-0.5CU耙。Endura耙尺寸 如下：直徑323毫米，厚19.56毫米。五個靶以下列條件加工 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 坯料之低溫壓製包括下列四個壓製步驟：1)12.5英吋至 8.0英吋（31.8公分至20.3公分）[降低36.0%]，2)8.0英吋至5.0 英吋（20.3公分至12.7公分）[降低38%]，3)5.0英吋至3.5英吋 (12.7公分至8.9公分）[降低30%]，4)3.5英吋至1.85英吋（8.9公 分至4.7公分）[降低47%]。壓製的最低總降低比率是85%，或 真實拉張爲1.9。將坯料浸於液態氮浴中使得坯料達低溫。 常溫壓製的樣品於單一步驟中壓製。 變形之後，五個坯料製成靶坯，低溫滾砑使坯達其最 終厚度。如前述者，將靶坯浸於液態氮中使得工作元件溫 度降至-196°C。低溫滾砑使得靶坯直徑由13英吋（33公分）x 線 ID 壓製 滾砑 退火 5 低溫 低溫 200 6 低溫 低溫 ^[Jp. 7 室溫 低溫 /fnT Μ 8 低溫 低溫 200 9 室溫 低溫 ίκ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -13 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1287046 A7 ___ B7 五、發明説明（1〇 ) 厚1.85英吋（4· 7公分）變形成直徑由18英吋（45.7公分）x厚0.95 英吋（2.4公分）。每次通過的降低比例以儘量高爲佳，以維 持整個厚度的變形均勻度。低溫滾砑使得靶坯降低量由 0· 100英吋（0.254公分）/通過降至靶坯厚度接近1.2英吋（3.0 公分）；之後約再以0.050英吋（0.1 27公分）/通過的比率通過 四次’使得靶坯變形至其最終特定尺寸直徑45.7公分X厚2.4 公分（共通過10至12次）。因爲這些靶坯比在壓製步驟期間內 加工製得的工作元件來得薄，所以各次滾砑通過之間的冷 卻時間短得多。 以前述方式低溫形成靶坯之後，旋轉成形將扁平的靶 坯轉變成具有"高帽"邊緣特徵的Endura型靶。相較於傳統經 退火的靶坯之旋轉成形，經低溫加工的靶坯之旋轉成形須 要額外力量使靶變形。 經低溫壓製的靶坯在以旋轉成形操作製備時，於常溫 經粗略加工。參考附圖5，五個經約略修整的靶坯（低溫靶 坯5至9)的取向比皆類似。此顯示此實例中的加工參數變化 不會對織構發展造成明顯衝擊。但這五個靶坯之取向比的 (111)構成出乎意料得高。此意料之外的結果改變靶坯的真 實織構。 實例4 使兩個小的A1-0.5CU試樣處於實例1的低溫工作條件下 ，製得織構化-介穩定的晶粒結構進行安定性試驗。之後 ，這些樣品於100、200和300°C熱處理4小時’定出介穩定晶 I-----k---^-I 辦衣------1T------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1287046 A7 __B7 五、發明説明（11 ) 粒於提高溫度的安定性。參考附圖6，於介於100和200°c之 間的一些溫度，晶粒粗化（經相同方式處理的樣品10和；1丨）。 因此，於低於200°C濺射較有利。 實例5 使用實例3中所述之低溫加工步驟製得的A1-0.5CU Endura耙於 Applied Materials Endura濃射工具中進行濺射 試驗。於靶和晶圓相距52毫米，濺射功率11千瓦，氬氣壓 2·3毫托耳時，晶圓於200°C以53.5秒循環澱積。靶的整個測 定時間內的平均Rs均勻度（於49處間接測定澱積膜均勻度）是 0.93%1σ，此結果良好。 另一針對超細晶粒A1-0.5CU靶的觀察通常是濺射時不會 形成微電弧。除了在靶初裝設之後立即發生的一些形成微 電弧以外，在測試靶的濺射期間內未再看到形成微電弧的 情況。 此方法可用以製造任何形狀的靶，包括圓型靶和片狀 的矩形靶。此外，因爲自此方法形成的靶強度高，因此亦 可將靶直接製成單一整體構造。此避免使靶與背襯板結合 相關成本及提高可資利用的濺射厚度。利用此方法，能夠 使得單一整體設計的鋁合金鈀中的最小晶粒尺寸細至0.2至 0.5微米。此保留此超細織構化-介穩定結構，使用經冷卻 的濺射靶（如：水冷的濺射靶）特別有利。 相較於在高於200°C退火的慣用鋁合金濺射靶，此濺射 靶降低的晶粒尺寸改善濺射均勻度。此外，相較於慣用加 匕張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐) ~\βΖ I-----^----批衣------1Τ------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1287046 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（12 ) 工法，此方法提供更一致的產物。此外，以此方法製造的 靶的屈服強度超過lOOMPa或甚至超過150MPa。這樣的屈服 強度能夠減少濺射靶之扭曲。最後，此靶具有更有利於均 勻濺射的較佳（200)織構。 .雖已參考某些較佳實施例地說明本發明，但嫻於此技 術者會知道仍有本發明的其他實施例屬申請專利範圍的精 神和範圍內。 圖式簡單說明 附圖1A是常溫加工的A1-0.5Cu靶坯樣品的穿透式電子 顯微照片，其放大33,000倍，包括低角度次晶粒周圍錯合之 量測。 附圖1 B是低溫加工的A1-0.5CU靶坯樣品的穿透式電子顯 微照片，其放大33,000倍。 附圖2是對照法中之對照用的結晶織構，對照對象是常 溫變形的A1-0.5CU和低溫變形的Al-0.5Cii靶試樣。 附圖3是經低溫加工的A1-0.5CU樣品與對照法所得者的 硬度（Rockwell 15W Superficial)提高情況之比較。 附圖4是低溫加工的A1-0.5CU樣品與對照法所得者及 6061 T6鋁合金達到的屈服強度（MPa)提高情況之比較。 附圖5是使用低溫加工得到之經粗略機械處理的靶坯的 取向比。 附圖6是經低溫處理的靶之晶粒尺寸與退火溫度的關係 圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16 - 批衣 訂 I 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

1. I2870f46 ί L.A、二 J';’ 丨 A8 ' j C8 六、申請專利範圍 1 ΐ· 一種鋁合金濺射靶，此濺射靶具有一濺射靶面供 濺射靶濺射之用，此濺射靶面具有織構化_介穩定的晶粒 結構’此織構化-介穩定的晶粒結構之晶粒取向比中，有 至少約35%(200)取向，濺射靶濺射期間內，此織構化-介穩 定的晶粒結構安定，此織構化-介穩定的晶粒結構的晶粒 尺寸低於約5微米。 2· 如申請專利範圍第1項之濺射靶，其中織構化-介 穩定的晶粒結構中的再結晶晶粒低於約1 〇%。 3· —種鋁合金濺射靶，此鋁合金選自鋁-銅、鋁-矽、鋁-矽-銅和鋁-銅-矽合金，此濺射靶具有一濺射 靶面供濺射靶濺射之用，此濺射靶面具有織構化-介穩定 的晶粒結構，此織構化-介穩定的晶粒結構之晶粒取向比 中’有至少約35 %(200)取向，濺射靶濺射期間內，此織構 化-介穩定的晶粒結構安定，此織構化-介穩定的晶粒結 構的晶粒尺寸低於1微米。 4· 如申請專利範圍第3項之濺射靶，其中織構化-介 穩定的晶粒結構中的再結晶晶粒低於約'2%。 5. 如申請專利範圍第3項之濺射靶，其中織構化-介 穩定的晶粒結構之晶粒取向比中，有至少約4〇%(2〇〇)取向和 約5至35%( 111)、（220)和（3 11)取向各者。 6· 如申請專利範圍第3項之濺射靶，其中該鋁合金是 鋁-0.5銅（重量％)，靶的屈服強度至少i〇〇MPa。 7· 如申請專利範圍第3項之濺射靶，其中濺射粑具單 一整體結構。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) in 0 •裝· 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1287046 A8 B8 C8 D8 「、申請專利範圍 2 8. —種形成鋁合金濺射靶的方法，其步驟包含·· a) 使鋁合金靶坯於低於約-50°C冷卻，此鋁合金.靶坯 具晶粒且晶粒具晶粒尺寸； b) 使經冷卻的鋁合金靶坯變形以將塑膠脹砂引至鋁 合金靶坯中並降低晶粒的晶粒尺寸以形成織構化-介穩定 的晶粒結構；及 c) 於足以維持經修整之濺射靶之織構化-介穩定的 晶粒結構的低溫下，修整鋁合金靶坯以形成經修整的濺射 靶。 9. 一種形成鋁合金濺射靶的方法，其步驟包含： a) 使鋁合金靶.还於低於約-80°C冷卻，此鋁合金靶坯 具晶粒且晶粒具晶粒尺寸； b) 使經冷卻的鋁合金靶坯變形以將塑膠脹砂引至鋁 合金靶坯中並降低晶粒的晶粒尺寸以形成織構化-介穩定 的晶粒結構；及 c) 於足以維持經修整之濺射靶之織構化-介穩定的 晶粒結構之低於200°C的低溫下，修整鋁合金靶坯以形成經 修整的濺射靶。 10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中尙包含於低於 約1 50°C濺射鋁合金靶以於濺射期間內維持織構化-介穩定 的晶粒結構的步驟。 Μ氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^-- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ. 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製