TWI285727B - Method and apparatus for measuring dimensional changes in transparent substrates - Google Patents

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TWI285727B
TWI285727B TW095115157A TW95115157A TWI285727B TW I285727 B TWI285727 B TW I285727B TW 095115157 A TW095115157 A TW 095115157A TW 95115157 A TW95115157 A TW 95115157A TW I285727 B TWI285727 B TW I285727B
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Description

1285727 九、發明說明: 【發明所辱之技術領域】 本發明一般係關於在透明基板中量測透明基板處理所 導致之尺寸變化。 【先前彳支#ί】 透明基板例如玻璃基板發現在需要傳送或感測光線之 中具有許多用途。這些裝置範例包含非限制之平板顯 示器,主動電子裝置,光電裝置,以及生物陣列。透明基板 處理為使用作為特定形式裝置而導致透明基板尺寸之變化 。该處理範例包含非限制性之切割透明基板以及力口熱透明 基板而高於室溫。玻璃基板之切割會導致玻璃基板變形, ,由於透明基板之内部應力所導致。加熱玻璃基板高於室 溫將導致玻璃基板之收縮或膨脹。扭曲,收縮,膨脹及其他 形式之尺寸變化在上述所列出裝置,特別是陣列裝置中,會 產生問題。製造商通常要求包含於陣列化裝置中透明基板 之尺寸、^化在預先決定之限制内。例如,10)(主動陣列 液晶顯示器)裝置製造商通常要求包含於狐③裝置中之玻 璃基板在處理後扭曲為小於數微米。當胤⑶技術及製造 不斷進步時,尺寸規定預期變為更加嚴格。 依據絕I統之量嶋統㈠她肝涉儀)目前 使用來量測細絲中尺寸變化。在絕對量測中,被量測 =透明絲標記一系列之參考標記。在處理基板前,參考 標記? X?位置地點預先標稀徵。在處理級後,絲再 ,量測統以及X-Y參考結構再標*特徵。尺寸變化藉 在處理參,構X-Y位置變化與在處理後參考結構X—Y f置之變化標不出。當量測面積變為較大時,絕對量測 統將具有較大量測誤差。 炎兩祕先刚之說明,在透明紐中量測尺寸變化之方法 為茜要的。能夠使用該量測來確定透日賴反之尺寸變化在 1285727 預先決定限制值内。亦能夠使用該量測來微細調整透明基 板之組成份以及在透明基板中導致尺寸變化之處理步驟。 當AMLCD業界趨向大尺寸之基板時,在大基板面積例如超過 2米長之量測尺寸變化的高解析度例如次微米方法亦為需 要的。 【發明内容】 本發明一項係關於在透明^板中量測尺寸變化之方法 ,其包含形成一個陣列之參考標記於參考板上,形成一個陣 ,之基板標記於透明基板上,堆疊參考板及透明基板使得 參考標記及反標記重疊,在處理透明基板之前及之後量 測相對於參考標記座標之基板標記座標,以及由處理透明 基板之前及之後量測基板標記相對座標間之差值決定出透 明^板之尺寸變化。 本發明另一項係關於在透明基板中量測尺寸變化之系 統,該透明基板包含參考板,對參考板提供強固支撐之平台 ,當堆疊靠在參考板時捕捉參考板上及透明基板上標記影 像之影像裝置,以及耦合至影像裝置之定位裝置以放置影 像裝置通過所需要之位置。 '、 ▲本發明其他特性及優點將由下列說明及申請專利範圍 變為清楚。 【實施方式】 二、本發明參考如附圖所顯示實施例詳細加以說明。在下 列說明中揭示出許多特別細節以提供完全了解本發明。不 過,熟知此技術者了解本發明能夠並不需要這些全部或部 份細節而實施。在其蹄财,人靖熟知之雛及/或處 理步驟並不需要詳、細說明而模糊了本發明。本發明之特性 及優,能夠參考下列附圖及說明而更加被人了解。 第一圖A為:¾程圖,其顯示出依據本發明一項實施 測透明基板例如玻璃基板尺寸變化之方法。該方法包含形 第6 頁 1285727 成一個陣列標記1於參考板&(100)。標記1作為固定局 部標尺靠在將被量測透明基板中尺寸變化。參考板&並不 進行任何會導致尺寸變化之處理步驟。該方法亦包含形成 一個陣列標記M2於透明基板S2(102)上。在透明基板&上 標記癒陣列相當或類似參考板Si上標記Μι陣列之標記分佈 及形狀。方法更進一步包含堆疊透明基板&及參考板Sl, 使得透明基板&上標記M2陣列及參考板&上標記Μι陣列重 疊(104)。該堆疊可包含放置透明基板S2於參考板&上方( 或頂部)或放置參考板&於透明基板&上方(或頂部)。 方法更進一步包含使用適當影像系統1〇6得到重疊之 參考標記1及基板標記吣。該步驟係指第一量測讀取,以 及所得到影像係指第一量測影像。第一量測影像為單一影 像或影像陣列,例如假如參考標記Ml及基板標記吣依結點 為基準地捕捉。方法亦包含處理第一量測影像以決定出相 對於對應參考標記1(108)之每一基板標記吣的初始座標 。對應之一個參考標記1通常為最靠近之參考標記沁。第 一圖B顯示出第—量測影像之代表,其由參考及絲標記地
,M2所構成。第一圖C顯示出相對於參考標記此之基板標記 M2的座標。 參考圖1A,在得到第—量測影像後,透明絲&與參考 板&分離以及處理。該處理包含例如切割透明基板&及/ 或加熱細^反&至提冑溫度。在處理透明絲&後,透 明基板^2及參考板&加以堆疊,使得級標記%及參考標 記1重疊以及可由高於透日月紐&(112)位置看到。該方 f包含使S影像系、統(114)得到參考板Si及透日月勤反&上 芩考標記1及紐標記沁之影像。該步驟表示為第二量測 讀取,以曰及制影像係指第二量測影像。該方法亦包含處 ,一篁測影像以決定出相對於對應參考標記吣⑽)之 母一基板標記M2之最終座標(Xi,yi)。 第7 頁 1285727 〜該方進一步包含計算在透明基板如⑻上每一 0 it 示明基板&中由第一量測讀取得到之局部尺寸 Β日^化i在第一量測讀取過程中相對於參考板&之透 4 Ϊ反、4之曰向及位置與第二量測讀取過程中相對於參考 人0之指向及位置不同。在—項實施例中, ^ Ϊ正透日月基板&中尺寸變化量測之誤差,其由於 ί ί 量測讀取中相對於參考板Sl之透痛反&位 饭没透明基板&為堅硬的以及堅硬物體移練差大於 處理尺寸讀化,顺轉及平機差涵以鮮方式解出 顯不出相對於參考標記地之基板標記 及最終位置Rf曲線表示。 RHRi=RT + D + E ⑴ ^Rf為量測最·置,Ri為量測初始位t RT為剛性物體 移„,D為已知處理過程所產生之級尺寸變化,以及 E為里測&差。對於一個陣列標記· {Rf~Ri} = {RT} +{r} (2) ^表示陣列以及r表示殘餘值,例如尺寸變化。肢仿 ;σ的。RT及r能夠使用任何解聯立方程式的適當技術 ,如巧性回歸決定出。該剛性物體補償之意含為回到第一 置測讀取之初始位置作第二讀取量測。 參考圖1A,戶斤作1測之品質會受到參考板&平坦性影 響。平坦性係指參考板Si之變化。假如參考板&並不太平 ,,參考板Sl及透明絲^並非連續性地接觸,其在參考板 透明紐&之驗娜在线卿或餘。因而,優 士地參考板&由具有極良好平坦性之基板所構成。在一項 參考板Si之平坦性並不大於100微米以及在1〇及 ⑽赚找。該平坦性祕為树定_上通常為100 1285727 平方毫米面積。
優先地,參考板&並不傾向彎曲,該彎曲係由於者盥 明紐&接觸時透B月級&内部應力或熱應力所導為 了減小對溫度變化量測之錄性,參考板Si熱膨嚴係數優 咖級S2_嫌雜綱。#_絲&為皿D 玻璃時,能夠使用硼矽酸鹽材料或胤CD玻璃作為參考板& 。當參考板&放置於高於透明級&(或在頂部),丄考板 &應該為透明的以允許由高於透明絲&上位置 明基板S2上標記M2。 曰其他選擇參考板&之標準至少部份地決定於使用來作 里測之感測器形式。通常,參考板&優先地對時間為穩定 的。當進行量測中使用光學透鏡之影像系統,優先地考 板&具有最小巨大及微細刮痕之光滑玻璃表面,因為該刮 痕會影響量測影像之品質。對於大尺寸量測,參考板&應 該充份剛性使得其在處理過程中並不會破裂。假如參考& S!由多片所構成,各片之機械及熱為長時間穩定性。除此, 特別是在相鄰邊緣需要符合平坦性之規定。 ’
夕A曰if形成於參考板&及透明^ S2上之標記Ml,吣能 夠具有廣泛不_幾何形狀或非幾何性形狀。圖2‘21)顯 j適合使用於本發明中標記之範例。在圖2A中,標記M為 線條。在® 2B中,標記Μ為圓形。在圖2C中標記M為十字形 :在圖2D中標記Μ為點狀。標記M均句地位於參考板及透明 絲上,即標記間之間距為均自的,或不規則舰置於參考 板及透明基板上,即標§己間之空間並非均勻的。例如,圖2α f中標記Μ均勻敝置,其中圖2D中標記規則繼置。 “己能夠使用任何適當的標記系統例如油墨標記系統,劃 線系統,光石版印刷法器具,或雷射標記系統放置於參考板 士透明絲上。在透明紐上之標記必需能夠在任何處理 v驟後保留下來,透明勤反在第—量測讀取及第二量測讀 第9頁 1285727 取間作一些處理。 參考圖1A,參考板&之位置能夠高於或低於透明基板 &。能夠放置參考板Sl及&使得標記Ml,吣在單一焦面中 或雙焦面中。在單一焦面構造中,參考及基板標記軋吣位 ^相同平面中,以及具有單一焦點之影像系統適合捕捉標 記之影像。在雙焦面構造中,參考及基板標記1,M2位於不 =的平面中。圖3A及3B顯示出參考及板標記瓜吣為單 : 焦面構造。在標記後,參考板Si或透明基板S2需要翻1轉 ^使標記位於相同的平面上。翻轉大的透明基板而沒有損 I 壞為一項挑戰。圖4A-4D顯示出參考及基板標記Ml,吣為雙 焦面構造。雙焦面構造能夠使被標記及量測之參考板及透 明基板並不需要在量測系統上操縱參考板或透明基板之指 向0 對於雙焦面構造,存在多種方式以捕捉不同平面上之 標§己。、一種方式包含捕捉相同深度焦點内之兩個平面。在 該方式中,量測基板之厚度影響焦點之深度。當焦點深度 增加時,由影像系統所收集光線之效率將降低。增加對比 一,可能的方式為藉由對每一量測影像實施較高積分時間 ί 杏種方式包含在兩個獨立時間架構中捕捉兩個平面。 ’實施第二方式之範例包含在影像系統之第一 Ζ位置捕捉兩 ,平面以及在影像系統之第二2位置捕捉兩個平面。實施 第二方式=另一範例包含在不同的時間使用不同的聚焦透 鏡=捕捉每一平面。捕捉不同平面上標記之第三方式包含 同時地使用具有兩個焦面之影像系統捕捉兩個平面。 圖5Α顯示出依據本發明在透明基板量測尺寸變化。系 統500包含支撐結構502,其剛性地支撐工作台5〇4。支撐結 構502優先地為隔離振動之工作台,其裝置變動及/或主動 振動隔離器以消除諧波及非諧波振動頻率。工作台5〇4提 供平台506,其剛性地支撐參考板5〇8及透明基板5〇9。平台 1285727 === 之及平:微平坦性並
作台504之侧邊。架構515支撐t定位曰5 :構亍5連接至J ===:;^其= 動態裝積 似時。工作台刚可由石墨材料及類 疋位褒置510可為xy载台或載 ;乍微C移動乂土:亡裝置510能夠在大面積例如超過2m 5ig料_,綱在每-ί定^="1 璃處理中接近一節點。作為列舉目 t 包含線性载台514支撐於架構515上。線 始可々者7方向移動。定位裝置510更進一步包含 im6:其具有端部支撐於線性載台514上。線性載 :沿ί ^方向移動。影像系統512可藉她合至線性 綠:/=0支^1。在另—實施辦,雜52G可利用 統52相對於可調整工作台504作Z方向定位。m 移動之線性載台可提供於線性載台516 ’ 系統優先地至少在結構愧含將參考板5〇8夹至 台504續制或方法,其中參考板5〇8與工作台5〇4接觸。央 住方法可包含使雌械裝置例如c_夾頭。不過,該夹頭合 干擾透明—509定位於參考板5〇8上。另一種方法為^用 1285727 真空夾頭。圖5C顯示出適合使用於本發明之真空夾頭系統 。在項實施例,線性溝槽522形成於工作台腿上。一個 或多個端埠524亦形成於連接至工作台5〇4側邊之架構姬 中。端谭524能夠連通線性溝槽522。參考板508能夠夾住 於工作台504,其藉*連接端埠524至真空源以及吸除空氣 賴線性溝槽522達成。參考板5G8亦可包含洞孔526,豆盥 架構中另-組端埠528連通。洞孔526能夠藉由端璋娜、連、 接至真空源使透明基板5〇9真空夾住至參考板5〇8。分離群 組洞孔526能夠獨立地連接至所形成真空源使得直空爽頭 能夠選擇性地提供於整個參考板5〇8。其為有用的,因為透 明基板509尺寸為可變化的以及可並不覆蓋參考板5〇8上全 部之洞孔。隔離群組洞孔526可使真空夾住區域與透明基 板尺寸相匹配。當需要由參考板508移除透明基板5〇9時, 空氣可經由端埠528泵運至洞孔526以釋除透明基板5〇9。 真空夾頭之替代物包含非限制性之靜電夾頭,其中透明基 板509及/或參考板508藉由不同的電荷固定。 參考圖5A,影像系統512通常包含攝影機534。在一項 實施例中,攝景娥534使用CCD(電荷耦合裝置)感測器作為 光線感測裔。不過,本發明並不受限於使用CQ)感測器作為 光線感測器。亦能夠使用CMOS感測器或其他固態感測器。 在光線感測裔為CCD感測裔實施例中,其包含一個陣列光敏 電池,稱為感光早元。這些感光早元通常由梦製造出以及 當光線投射至其上面時發射電子。每一感光單元具有色彩 相關之濾波器使CCD感測器感測色彩。影像系統5\2通^亦 包含光學系統536。光學系統536可包含一個或多個透鏡以 聚焦來自物體之光線例如參考板508或透明板509上標記於 攝影機534中光線感測器上。透鏡優先地具有低扭曲及像 差。影像系統512亦包含放大之功能,其能夠經由光學系統 536光學地或經由攝影機534數位地達成。影像系統512亦 第12 頁 1285727 隹其能夠控讎作以及處理由攝影機534中光學 資料成為影像檔案。處理器可支援各種影 存^象檔案。及JPEG。影像系統512亦包含記憶體以儲 ™ H00可包含一個或多個照明1 530以照明量測區域 敝H提供於高於或低於工作台504。兩個一般照明 ίΐ亮場綱。攝影機534依據*量測面積532 4丨> 二、、' 進行攝影。系統500亦包含計算機系統538以控 球動,使得參考板508及透明5〇9所需 =^夠使用影像系統512形成影像。計算機系統538通 540以及影像監視器542以及與系統相互作用 "二邊褎置(並未顯示出)例如鍵盤及滑鼠。這些週邊 f置在業界為人所熟知錢並不作更進-步綱。計算機 =538可接收來自影像系統512之影像檔案以及處理影像 祂,。例如處理器540可執行演算,其計算相對於參考標記 <基板標記的座標。處理器540可更進一步執行演算i依 據第-及第二量測讀取計算透明紐5〇9中尺寸變化^含 放置透明紐509相對於參考紐508所導致旋轉及平移誤 差。 、 由於里測對,皿度為靈敏的,優先地系統_包含溫度控 槽533 =包圍著量測系統532。作為範例,控制溫度槽533 月b夠保持穩定狀態空氣流動為所需要溫度在±〇· 〇1範圍 不過符合該溫度規格之費用將不適用於大基板。在該 情況中,溫度規格可緩和。例如,假如胤⑶玻璃使用作為 透明基板,大的表面積能夠使基板非常快速地適應於環境 之溫度。假如支撐結構為大體積,需要大的及延伸梯度溫 度以改變平台之尺寸。在該情況下,溫度規格能夠緩和。 能夠使用溫度模擬以決定適當溫度規格。 在操作中,參考板508放置於平台506上,以及標記系統 第〗3 頁 1285727 (圖5B中517)使用來形成一個陣列標記於參考板508上。對 透明基板509重複相同的處理過程。標記系統移動(圖5β中 517)可藉由計算機系統538加以控制。標記系統517可為油 墨標記系統或雷射標記系統或劃線系統或光石版印刷器具 或任何其他適當的標記系統。在標記後,透明基板5〇9以及 參考板508重疊於平台506上使用影像系統512使標記形成 影像於透明勤反509以及參考板508上。其次透明基板509 移除平台506,進行處理,以及再回到平台506作第二量測讀 取。 本發明一般提供下列優點。相對量測技術促使以高解 析度量測小的或大的透明基板尺寸之變化。本發明包含改 正i測誤差,其由於在處理透明基板之前及之後相對於參 考板放置透明基板所致。量測已減少對溫度變化之靈敏性 ,因為使用參考板之熱膨脹係數類似於量測透明基板熱膨 脹係數以及使用局部標尺標記,與通常應用於絕對座標量 測系統中例如依靠干涉儀一個全域參考點(〇, 〇, 〇)情況相 f。在延長量測週期存在良好的量測重現性。與絕對座標 量測作比較,標記位置相對座標量測能夠使定位裝置運行K 規格緩和,其導致量測系統之價格整體地減小。 一雖,本發明已對有限數目之實施例作說明,受益於所 揭不内容之業界熟知此技術者能夠設計&其他實施例而並 不會脫離本發明所揭示之内容。因而,本發明只受限於 列申請專利範圍。 、 【圖式簡單說明】 中尺A顯示出依據本發明一項實施例量測透明基板 第一圖B顯示出依據本發明一項實施例位於參考板頂 部上標記之透明^:反。 、 第一圖C顯示出相對於參考標記之基板標記的座標。 第14 頁 1285727 =圖D顯不出相對於參考標記之基板標記初始及最 終位置。 圖A-D適合使用於本發明之標記範例。 A及B顯示出依據本發明〆項實施例在單一焦面 Τ暴板及參考標記。 ,四圖A_F顯示出依據本發明另一項實施 中基板及參考標記。 本發明一項實施例在透明基板
第五圖A-C顯示出依據 中篁測尺寸變化之系統。 附圖元件數字符號說明: 參考板100;透明勤反102;陣列重疊1〇4;影像系統 106;參考標記108;處理絲11〇;透明級112;影像系 統114;參考標記116;透明基板丨丨8;量測系統·;支撑 結構502;工作台504;平台506;參考板508;透明基板 509;定位裝置51G;f彡像純512;f彡縣統512;線性載 台514;架構515;線性載台516;標記系統517;架構520 ,溝槽522;^埠524;洞孔526;端埠528;照明器530;量 測$積532;溫度控制槽533;攝影機534;g學I统5邪; 計异機系統538;處理器540;影像監視器542。

Claims (1)

1285727 I?6年/m日修(更)正替換頁 十、申請專利範圍: 1 1· 一種量測透明基板尺寸變化之方法,該方法包含 形成參考標記之陣列於參考板上; 形成基板標記之陣列於透明基板上; 堆疊參考板及透明基板使得參考標記及&反標記重疊; 在處理透明基板之前及之後相對於參考標記座標量測 基板標記座標;以及 由處理之前及之後量測基板標記之相對座標間的差值測 定出透明基板之尺寸變化。 2· k據申请專利範圍第1項之方法,其中堆叠參考板及透明 基才^在透明基板處理之前及之後發生,以及更進一步包含 補^!員尺^變化之誤差,其由於在透明基板處理之前及之後 相對於參考板定位透明基板中差異所導致。 3·依據申請專利範圍第1項之方法,其中堆疊參考板及透 明基板包含將參考標記偏移開基板標記,使得參考標記及 基板標記兩者為可看見的。 15申料利範圍第1項之方法,其中量測基板標記之座 才示包έ得到參考標記及基板標記之影像。 ㈣1項之枝,其中參考標記之陣列等 6· ▲種在透明基板中量測尺寸變化之系統,其包含: 參考板; ”、* 平台,對參考板提供剛性支撐; 象装置,當堆疊在參考板時捕捉參考板上及透明 土板上才示d己之影像;以及 二 8.依據申請專利範圍第6項之系統,財更進-步包含標記 1285727 ?W /月j /Bhf;更)正替換頁 --, wl f置,其在參考板及透明基板上所需要位置形成標記。 9:5據申料利細帛6項之系統,其中更進—步包含一種 將麥考板夾至平台之構件及/或將透明基板夾至參考板之 才籌4牛0 1 〇·依據申請專利範圍第6項之系統,其中更進一步包含一 個或多個照明器,其將照明參考板及透明基板上之標記。 第17 頁
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007225522A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Shimadzu Corp 基板の変形量測定方法
US8416412B2 (en) * 2006-11-09 2013-04-09 Carl Zeiss Sms Gmbh Method for determination of residual errors
US7762119B2 (en) * 2006-11-30 2010-07-27 Corning Incorporated Method and apparatus for distortion measurement imaging
TWI370894B (en) * 2007-02-26 2012-08-21 Corning Inc Method for measuring distortion
US9464890B2 (en) * 2010-09-21 2016-10-11 James L. Arnone Dynamic data acquisition, and apparatus and methods therefor
DE102011075039A1 (de) 2011-04-29 2012-10-31 Hamilton Bonaduz Ag Stanzvorrichtung mit beleuchteter Aufnahmeplatte
CN102607446A (zh) * 2011-10-21 2012-07-25 中建工业设备安装有限公司 基于网格测量钢结构焊接变形的方法
AU2013202804A1 (en) 2012-06-14 2014-01-16 Gen-Probe Incorporated Use of a fluorescent material to detect failure or deteriorated performance of a fluorometer
CN103925886A (zh) * 2013-01-15 2014-07-16 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种晶片变形检测系统及方法
CN103557790B (zh) * 2013-10-30 2016-03-23 汉中米克隆工量具实业有限公司 光栅影像复合自动测量方法
CN104101612B (zh) * 2014-06-24 2017-09-12 杭州利珀科技有限公司 平面材料表面缺陷检测装置
WO2017013873A1 (ja) 2015-07-23 2017-01-26 日本電気株式会社 寸法測定装置、寸法測定システム、及び、寸法測定方法
NL2019659A (en) * 2016-11-15 2018-05-24 Asml Netherlands Bv Radiation Analysis System
JP6462749B2 (ja) * 2017-03-23 2019-01-30 株式会社東芝 測定装置、プログラム、および測定方法
CN108731615B (zh) * 2018-03-19 2020-12-25 苏州玻色智能科技有限公司 曲面玻璃面板的检测用设备及方法
CN110412054B (zh) * 2018-04-28 2024-04-30 苏州玻色智能科技有限公司 一种玻璃面板检测设备及检测图像拼接方法
EP3657152B1 (de) * 2018-11-26 2023-10-04 OHB System AG Probe zur partikelmessung, probenbehälter und verfahren zur partikelmessung
CN112908898B (zh) * 2021-01-27 2022-09-02 长鑫存储技术有限公司 控片量测方法及量测装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4223257A (en) * 1978-11-15 1980-09-16 Miller Donald K Adaptive servo control system
US4629313A (en) * 1982-10-22 1986-12-16 Nippon Kogaku K.K. Exposure apparatus
JP2532272B2 (ja) * 1988-03-30 1996-09-11 横浜ゴム株式会社 引張試験装置
US4998239A (en) * 1987-10-07 1991-03-05 The Dow Chemical Company Optical information recording medium containing a metal alloy as a reflective material
JP2913610B2 (ja) * 1991-04-05 1999-06-28 東京エレクトロン株式会社 検査装置
US5361132A (en) * 1992-11-24 1994-11-01 Massachussetts Institute Of Technology Back to front alignment of elements on a substrate
JPH08339959A (ja) * 1995-06-13 1996-12-24 Nikon Corp 位置合わせ方法
JP3422602B2 (ja) * 1995-08-25 2003-06-30 三菱重工業株式会社 印刷機の見当合せ装置
JP3351667B2 (ja) * 1995-10-02 2002-12-03 ペンタックス株式会社 モニタ表示装置およびカラーフィルタ
JPH09292504A (ja) * 1996-02-27 1997-11-11 Sharp Corp 反射板及びその作製方法及びその反射板を用いた反射型液晶表示装置
JPH09244266A (ja) * 1996-03-05 1997-09-19 Sharp Corp 位置合わせ方法
US5721435A (en) * 1996-04-09 1998-02-24 Hewlett Packard Company Methods and apparatus for measuring optical properties of biological and chemical substances
JP3363308B2 (ja) * 1996-04-18 2003-01-08 株式会社日立製作所 基板組立方法及び液晶表示セルの製造方法
JPH10104033A (ja) * 1996-09-27 1998-04-24 Komatsu Ltd 画像処理装置のキャリブレーションプレート、これを用いたキャリブレーション装置及び3次元位置計測装置
JPH11132716A (ja) * 1997-10-27 1999-05-21 Sony Corp フォトリソグラフィ工程における重ね合わせ精度測定方法、及びフォトリソグラフィ工程における重ね合わせ精度測定マーク
JP4058836B2 (ja) * 1999-03-17 2008-03-12 富士通株式会社 歪み量計測方法及び装置
JP2001289622A (ja) * 2000-04-04 2001-10-19 Canon Inc 部材の平面度測定装置及び封着装置
TW494255B (en) * 2000-08-31 2002-07-11 Hannstar Display Corp Pressing method and apparatus for front glass substrate and rear glass substrate of the liquid crystal display
US7115232B2 (en) 2001-07-13 2006-10-03 Hudson Gordon S Fluorescence validation microplate and method of use
CN1279584C (zh) * 2002-11-25 2006-10-11 南亚科技股份有限公司 多重对准的标记及方法
JP4084653B2 (ja) * 2002-12-26 2008-04-30 株式会社ブイ・テクノロジー 二次元測定機
EP1477851A1 (en) * 2003-05-13 2004-11-17 ASML Netherlands B.V. Device manufacturing method and lithographic apparatus

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