TWI284492B - Organic EL device - Google Patents

Description

1284492 九、發明說明： • 【發明所屬之技術領域】 . 本發明爲關於一種有機電致發光（EL)裝置，特別是關於 改善有機EL裝置之光引出（extraction)效率之技術。 【先前技術】 因爲一有機EL裝置可執行自我發光以得到一高輝度螢 幕，有機EL裝置之實際應用已廣泛地進步作爲一輕薄型可 攜帶式裝置之顯示器等，或一發光裝置，有機EL裝置具有 • 結構其中EL元件形成於一基板上，EL元件包括··具有光透 光性之透明電極層，其由ITO或相類物所製成；一具有光反 射性之反射電極層，其是由鋁或相類物所製成；一具有插置 於該電極層間之具有發光層之有機層，由發光層射出之光於 直接通過透明電極層後或首先由反射電極層反射後且接著 通過透明電極層後被引出。 此時，在從發光層所發出之光與接著直接通過透明電極 層，及從發光層所發出之光與接著由反射電極層反射以通過 ® 該透明電極層之間光學路徑上有一差異，使得該二道光彼此 干涉，因此日本專利案號JP2002-2893 5 8A提出藉增加有機層 中之電子傳輸層、電洞傳輸層，或其他此等層之厚度達到光 干涉結果引發光共振之厚度，而提升光引出效率之技術。 然而，當構成該有機層之層如電子傳輸層或電洞傳輸層 爲引發光共振被加厚，該電極層間之距離增加而加大EL元 素之驅動電壓，導致有機EL裝置較大功率消耗。

另外，其亦恐因爲構成該有機層之加厚層減低整個EL 1284492 - 元素之光傳送性，光引出效率會減低。 • 【發明內容】 . 本發明之發明者進行廣泛的硏究與開發以解決源 習知技藝之上述問題，結果得到一構想，對此等問題之 效解決方式爲將用以將載子注入有機層之部分從用以 光層反射該光之部分分離，而完成本發明。 依據本發明之一有機EL裝置包含：一具有前表面 表面之透明基板；一第一電極層，一具有發光層之有機層 • 一第二電極層，其係依序地形成於該透明基板之前表面 及一形成在該有機層對面側上第二電極層上之反射層 從第二電極層之入射光具有光反射性，第一電極層與第 極層由一透明材料所組成，光從該透明基板之後表面 出。 以此等結構，當從一發光層行進至第二電極側之光 有機層對面之第二電極層的另一表面被反射時，載子從 機層側上之第二電極層表面注入一有機層。換句話說， ^ 將載子注入有機層之部分從用以從第二電極層側上該 層中從發光層反射該光之部分分離。 【實施方式】 以下，本發明之實施例將參引附圖被描述。 (第一實施例） 第1圖爲顯示依據本發明之第一實施例之有機EL 之剖面圖。作爲第一電極層之陽極2形成於透明玻璃_ 上，且一有機層3形成該陽極2上。而且，作爲第二電 自於 一有 從發 與後 F與 上； 且對 二電 被引 由該 一有 用以 有機 裝置 板1 極層 1284492 . 之陰極經由作爲載子注入輔助層之一電子注入輔助層4被形 • 成於有機層3上，且一反射層6被形成於陰極5上。 玻璃基板1可由可傳遞可見光之一透明或半透明材料所 % 製成。因此，除玻璃外，滿足此等條件之樹脂亦可用作爲該 基板之材料，陽極2可具有作爲一電極之功能，且亦可爲至 少透明或半透明的以能夠傳遞可見光。因此，例如，ITO (氧 化銦錫）或IZO(氧化銦鋅）可被採用爲用於陽極2之材料。 有機層3可爲由所謂發光材料製成之單一有機層，或由 # 發光材料與至少電洞注入輔助層、電洞傳輸層、電洞注入傳 輸層、電洞阻隔層、電子傳輸層與電子阻隔層中一者所製成 之發光層之積層。 用於有機層3之材料包含任何已知之發光材料如Alu 或D C Μ。而且，電洞注入輔助層、電洞傳輸層、電洞注入傳 輸層、電洞阻隔層、電子傳輸層、電子阻隔層或相類物可由 一適當的已知材料形成。 電子注入輔助層4爲用以輔助從陰極5至有機層3之電 ® 子注入，且由此等促進電子注入有機材料之材料所形成，而 於最接近有機層3中陰極5處形成一層。此等材料之例子包 含選自於一鹼金屬元素、一鹼土金屬元素、一驗金屬或一鹼 土金屬之化合物，與一苯二甲藍染料（phthalocyanine)衍生 物、與一些這些材料之混合物組成之群的材料。雖然視陰極 5之材料或有機層3中最接近陰極5之層而定，電子注入輔 助層4較佳地由鋰（Li)、氟化鋰（LiF)、鉋（Cs)或相類物所製 1284492 . 通常，用於透明電極之材料具有一大的功函數。因此， • 當陰極5形成爲一透明電極時，一能障在從陰極5至有機層 3之電子注入下變得更大，於此情形，電子注入輔助層4之 啡 提供使能障在從陰極5至有機層3之電子注入下變小，結果 是用於有機EL裝置之驅動電壓與無電子注入輔助層4之情 形相比可予降低。 陰極5由導電材料製成，其至少可見光爲透明的，此等 材料之例子包含用IT〇，IZ〇，IWO, AT〇，FTO，AZO與一導電 • 聚合物，其可單獨或結合使用，對可見光陰極5之透射比爲 60%或更高，且此材料與薄膜厚度可一起被決定以得到此等 透射比。 反射層6可反射至少可見光，且較佳地具有70%或更高 之反射率，形成該反射層6之材料的例子包含Al，Ag，Cr， Mo,鋁合金與鋁/鉬積層。假如由使用任何導電金屬所形成 以與陰極5接觸的話，反射層6可補償陰極5之低導電性。 因此，有機EL裝置之驅動電壓可變得更低。於此情形，具 ® 有儘可能高導電性之金屬是需要用以形成該反射層6。 同時，反射層6不需作爲一電極，且因此可由一絕緣體 如樹脂所形成。因此，由一樹脂積層製成且具有較高於金屬 反射性之一反射膜可被使用於反射層6其提高光引出效率。 這些層可以任何已知之薄膜形成方法如真空蒸氣沉積 或黏結被形成。 於有機EL裝置中，陽極2對面之玻璃基板1之主要表 面被設定發光表面。即是，在從發光層發出之光中，行進至 1284492 - 陽極2之光L1通過陽極2且接著玻璃基板1以從該裝置射 • 出，行進至陰極5之光L2通過電子注入輔助層4與陰極5， .且接著從反射層6反射，且通過陰極5及電子注入輔助層4 及再次地有機層3而進入陽極2，其後，光L2通過玻璃基板 1以從該裝置射出。 此時，形成於光L1與光L2間爲一光學路徑差” 2*D” 相當於從發光層中一發光位置至陰極5與反射層6間之一界 面的距離D的兩倍長度，因此，假如光學路徑差” 2*D”被 • 設成使大體上光L1與光L2之相位一致，源自於光L1與光 L2間干涉之衰減可被減低以增加光引出效率。 爲大體上使光L1與光L2之相位一致，從發光層中發光 位置至陰極5側上反射層6之表面被設成滿足以下表示式： nL = (2N-l)* λ /4 (1) 其中nL代表從發光層中一發光位置至陰極5側上反射 層6之表面的光學距離，且假如複數層被設於發光層與反射 層6間，距離nL爲相等於厚度方向中該些層之光學距離總 ® 和，N代表一自然數，且λ代表發光層之發光波長，在此， 當有複數個發光波長時，它可能使用任一個發光波長爲λ， 較佳地，該波長或作爲實現最大發光強度之波長之一者，或 全部發光波長之一中間波長可使用爲λ。 截至目前爲止，已有一些方案用以決定從陰極5側上發 光層表面至陰極5側上反射層6之表面的光學距離以滿足表 示式（1)，然而，以此習知技藝，因爲陰極對注入電子與反射 光二者作用，介於發光層與陰極間之有機層（主要地，電子 1284492 • 傳輸層）的厚度已被調整以滿足表示式（1)，通常地，有機材 • 料甚至是電子傳輸材料，在電子傳送特性上是不佳的，因 • 此’加厚的電子傳輸層導致對整個有機EL裝置驅動電壓增 加。 另一方面’於第一實施例中所描述之有機EL裝置中， 因爲用於注入電子之部分從用於反射光之部分分開，陰極5 之厚度可被被調整以滿足表示式（1)。甚至假如陰極5之厚度 改變，用於注入電子至有機層3之部分並不因此受影響，因 • 此，不怕有機EL裝置之驅動電壓增加。同時，從陰極5側 上發光層表面至陰極5側上反射層6之表面的光學距離可被 調整，使它可能同時改善光引出效率。 依據第一實施例之有機EL裝置，藉使用任何已知之薄 膜形成方法如真空蒸氣沉積依序堆疊陽極2、有機層3、電 子注入輔助層4、陰極5與反射層6於玻璃基板1之表面上 而製造。 而且，由氮化矽、氮氧化矽、氧化矽或相類物所製成之 ® 一保護層選擇性地由電漿CVD、覆鍍、黏結（bonding)或相類 物形成於反射層6上。 (第二實施例） 第2圖爲依據本發明之第二實施例之有機EL裝置的剖 面圖。此有機EL裝置爲與顯示於第1圖中之第一實施例之 裝置相同，除了一緩衝層7被插置於電子注入輔助層4與陰 極5間。 緩衝層7爲有效地使用於在第一實施例中’當電子未能 -10- 1284492 • 有效地從陰極5射出至電子注入輔助層4時，用於緩衝層7 •之材料的例子包含選自於由Al，Ag，Mg與In與一些這些材 , 料之混合物所組成之群之一材料。 即使陰極5是由透明導電材料所形成，緩衝層7之設置 抑制有機EL裝置之驅動電壓增加。 緩衝層7必須傳送至少可見光且因此需要形成爲5〇nm 或更小之厚度，更佳地爲20nm或更小。 以任何已知的薄膜形成方法如真空蒸氣沉積法在電子 • 注入輔助層4表面上形成緩衝層7後，陰極5與反射層6可 順序地形成於緩衝層7之表面上，緩衝層7亦作爲減輕有機 層3上之影響如形成陰極5與反射層6之後續步驟中所產生 的熱。 (第三實施例） 第3圖爲依據本發明之第三實施例之有機e L裝置的剖 面圖，此.有機EL裝置爲與顯示於第2圖中之第二實施例之 裝置相同，除了含有一電子注入輔助部分9之有機層8被形 ® 成於陽極2上，而非形成有機層3與電子注入輔助層4。 電子注入輔助部分9經由一有機材料之蒸氣沉積被形成 與選自於由一鹼金屬元素、一鹼土金屬元素、一鹼金屬或一 鹼土金屬化合物’與~苯二甲藍染料衍生物（例如，Li或Cs) 組成之群中之一項材料形成在有機層8中最接近陰極5之覆 層，電子注入輔助部分9輔助從陰極5至有機層8之電子注 入作爲電子注入輔助層4。 (第四實施例） -11- 1284492 • 第4圖爲依據本發明之第四實施例之有機EL裝置的剖 • 面圖。此有機EL裝置爲與顯示於第1圖中之第1實施例之 .裝置相同，除了 一光散射裝置10是設置於陰極5與反射層6 間。 光散射裝置1 0經由蝕刻或基於噴砂之表面處理使陰極 5之表面不平坦，且在不平坦之表面上形成反射層6,於此 情形，光散射裝置10形成於在陰極5側上反射層6之表面 上。如第一實施例所討論者，電子從電子注入輔助層4與陰 • 極5間之一界面注入有機層3，同時光在陰極5與反射層間 之一界面上反射。因此，陰極5可以一較大厚度形成而不會 不利地影響有機EL裝置之驅動電壓。結果可使陰極5之表 面不平坦。 光散射裝置10可被設置於陰極5與反射層6間，此光 散射裝置可爲，例如，一絕緣體如含有微粒如樹脂結合劑中 之小珠的光散射薄片。如上所述，因爲反射層6不需具有導 電性，該光散射裝置1 0可設置於陰極5與反射層6間。 ® 由於光散射裝置10之設置，從有機層3射出之光與接 著行進至陰極5，通過電子注入輔助層4與陰極5，且接著 以光散射裝置1 〇散布及以反射層6反射。其後’該光通過 陰極5、電子注入輔助層4與再次地有機層3以進入陽極2， 且接著通過玻璃基板1以從該裝置射出。因此’該光其將不 然在玻璃基板1與作爲光射出表面之外界環境間之一界面上 全部反射，在光散射裝置1 〇處改變其行進方向’且可從光 射出表面被引出以改善有機EL裝置之光引出效率。 -12- 1284492 , 此外，從玻璃基板1之外部入射光亦由光散射裝置1 ο ^ 被散布，外部光之眩光可被減低。 .類似地，該光散射裝置1 〇可被設置於本發明之第二或 第三實施例之有機EL裝置。 (第五實施例） 第5圖爲依據本發明之第五實施例之有機EL裝置的剖 面圖。此有機EL裝置爲與顯示於第1圖中之第1實施例之 裝置相同，除了不同波長之複數道光束從發光層被射出，且 • 由一多層膜製成之一反射層11被形成於陰極5上代替金屬 製成之反射層6。 例如，當發光層一紅、綠、藍三種顏色發出光束，陰極 5之厚度與形成反射層11之多層膜中之每一層之厚度被決 定以得到大體上使行進至陽極2之光與行進至陰極5之光， 及由此返回之相位一致的光學路徑差。作爲多層膜之反射層 1 1之形成，使它能設定使能大體地對紅、綠、藍中光束相位 一致的光學路徑差。 ® 結果，於發出不同顏色光束之有機EL裝置中，如白光 EL裝置，它可能對每一色光達成大體上一致的相位以藉此 改善整個有機EL裝置之光引出效率。 類似地，該光學路徑差亦可被設定以衰減由於光干涉之 特定顏色光束。 (第六實施例） 第6圖爲爲依據本發明之第六實施例之有機EL裝置的 剖面圖。此有機EL裝置爲與顯示於第1圖中之第1實施例 1284492 、 之裝置相同，除了 一片三稜鏡片12作爲一集光構件被設置 •於玻璃基板1之光射出表面上外。 .三稜鏡片12爲切面成三角形之微三稜鏡被一片接一片 地設置於一平面上。經由在玻璃基板1上之三稜鏡片之設 置，從玻璃基板1發出之光被形成三稜鏡之面折射且因此聚 焦於預定的方向。 例如0代表由三稜鏡片1 2被聚焦於玻璃基板1法線方 向上之光的行進方向與玻璃基板1之法線方向間之角度，陰 ® 極5之厚度需要被調整以滿足以下表示式（2): nL*cos θ =(2Ν-1)* λ /4 (2) 其中nL代表從發光層中一發光位置至陰極5側上之反 射層6之表面的光學距離，且假如複數層被設置於發光層與 反射層6間，距離nL是等於厚度方向中每一層之光學距離 之總和，N代表一自然數，且λ代表發光層之發光波長。 在此，當有複數個發光波長時，有可能使用任一發光波長作 爲Λ。較佳地，該波長或該數波長之一者作爲實現最大發光 ^ 強度或全部發光波長之一中間波長可被作爲λ。 當陰極5之厚度設定成滿足數値表示式（2)，對玻璃基板 1之法線成0角度行進之光束的相位可使一致。對玻璃基板 1之法線成0角度行進之光藉由三稜鏡片1 2聚焦成玻璃基 板1之法線方向，由此在玻璃基板1之法線方向上行進之光 之最終達到的引出效率被改善，因此前方明輝度可被提升而 不會增加驅動電壓。 注意在第一至第六實施例中，陽極2與陰極5分別被形 -14- 1284492 , 成爲第一電極層與第二電極層。然而，陰極與陽極可相反地 -分別形成爲第一電極層與第二電極層。於此情形，用以輔助 .電洞注入有機層之電洞注入輔助層爲較佳地形成於發光層 與第二電極層間，或含有電洞注入輔助部分之發光層較佳地 被形成。 而且，電子注入輔助層4，電子注入輔助部分9與緩衝 層7爲不必然必需的，且當陰極側上之有機層3與陰極5爲 由使能從陰極5至有機層3有效電子注入之此等材料製成時 •可予省略。 在第二至第五實施例中，集光構件可設置於玻璃基板1 光射出表面上。此時，當陰極5之厚度被調整以滿足表示式 (2)如第六實施例時，在玻璃基板1之法線方向的輝度被增 加。 (具體例子） 陽極被形成於厚度0.5nm之透明玻璃基板上，使用ITO 經由濺鍍具有厚度150nm，其後，該基板以鹼清洗作爲有機 ® 層之蒸氣沉積前之一基板清洗製程接著以純水清洗。然後， 該基板以UV臭氧乾燥與清潔。 該基板被輸傳送進一腔室用於真空蒸發器，其中a -PND 從鉬舟被蒸發且以沉積速率0.1 nm/s與約5.0* 10·5 Pa真空程 度下，沉積在陽極之表面上成3 Onm厚薄膜作爲電洞傳輸層。 而且，A1q3(99%)與C545T(1%)亦一起沉積，且以沉積速 率0.1 nm/s與約5.0*1 (T5 Pa真空程度下，在電洞傳輸層上沉 積成40nm厚薄膜作爲一含有發光材料之有機層。 -15- 1284492 ^ 接著，A1 q 3從鉬舟上被蒸發且以沉積速率〇. 1 n m / s與約 • 5.0*1 (T5 Pa真空程度下，沉積在有機層上成30nm厚薄膜作 .爲電子傳輸層。 其後，L i 2 0從鋁坩堝上被蒸發且以沉積速率〇. 〇 3 n m / s 與約5.0*1 (T5 Pa真空程度下，在電子傳輸層上沉積成lnm厚 薄膜作爲電子注入輔助層。 而且，使用ITO經由濺鍍在電子注入輔助層上形成厚度 5Onm之陰極。 • 接著，鋁從鎢舟被蒸發且以沉積速率lnm/s與約5.0*10·5 Pa真空程度下，沉積在陰極上成15 Onm厚薄膜作爲反射層， 而完成一有機EL裝置。 (比較例1) 比較例1之有機EL裝置，類似於上述具體例子被製造， 除了由Alq3製成之電子傳輸層之厚度設成40nm，與150nm 厚之鋁層被形成爲陰極/反射層代替ITO製成之陰極與鋁製 成之反射層。 ® (比較例2) 比較例2之有機EL裝置，類似於上述具體例子被製造， 除了由Alq3製成之電子傳輸層之厚度設成80nm，與150nm 厚之鋁層被形成爲陰極/反射層代替陰極與反射層，使得大 體上使從該裝置直接射出而不會由陰極/反射層反射之光， 與由陰極/反射層反射後射出該裝置之光的相位一致。 如此完成之具體例子之有機EL裝置之功率消耗與壽命 時間，比較例1與2以相同前方輝度量測。結果爲在比較例 -16- 1284492 “ 1之功率消耗與壽命時間被設定爲1 〇〇下，分別是比較例2 < 之功率消耗約爲90，其壽命時間爲約11 〇，同時具體例子之 . 功率消耗約爲70，且其壽命時間爲約1 5 0。此結果提示在具 體例子之有機EL裝置中，因爲光引出效率增加，有機EL 裝置之發光輝度對相同之前方輝度可被降低，使它有可能對 電壓與電流降低一必要程度及顯著地節省功率消耗，此外， 一供應電流量被降低，由此有機EL裝置上之負載如所產生 之熱被減低，結果爲壽命時間增長，注意於比較例2中，將 ® 直接射出該裝置之光的相位與由陰極/反射層反射後射出該 裝置之光的相位一致，由此光引出效率被提升。然而，電子 傳輸層之厚度被作成達80nm。咸信此將導致驅動電壓增加 及抑止功率消耗之降低至一滿意位準。 而且，具體例子之有機EL裝置，比較例1與2結合一 光擴散薄膜與一輝度提升薄膜，且在均勻前方輝度情形下， 對功率消耗與壽命時間予以量測。假如在比較例1之功率消 耗與壽命時間被設定爲1 00條件下，分別是比較例2之功率 ^ 消耗約爲80，其壽命時間爲約1 20。相對地，具體例子之功 率消耗約爲6 0，且其壽命時間爲約1 7 0。 依據本發明，載子注入至有機層且從發光層行進至第二 電極之光的反射在不同部分中爲具成效的。即是將涉及載子 注入至有機層之部分從發光層與涉及光反射之部分分離。 【圖式簡單說明】 第1至6圖分別爲顯示依據本發明之第一實施例至第六 實施例之有機EL裝置結構之剖面圖示 1284492 - 【主要元 1 2 3, 8 4, 9 5 6,11 7 _ 10 12 件符號說明】 玻璃基板 陽極 有機層 電子發射輔助層 陰極 反射層 緩衝層 光散射裝置 三稜鏡片

Claims (1)

1284492 £: κ ν 广'丄..二 ! - <· L............. ...............................................................................一.…:..........i| 第941 3 2941號「有機EL裝置」專利案 (2006年12月21,日修正) 十、申請專利範圍： 1. 一種有機EL裝置，包括： 一具有前表面與後表面之透明基板；

第一電極層，一具有發光層之有機層，及第二電極層， 它們依序地形成於該透明基板之前表面上，以及 形成在該有機層相對側上第二電極層上之反射層，且對 從第二電極層之入射光具有光反射性； 第一電極層與第二電極層由一透明材料所組成，光從該 透明基板之後表面被引出。 2·如申請專利範圍第1項之有機EL裝置，其中第一電極層 形成一陽極層，且第二電極層形成一陰極層。 3. 如申請專利範圍第1項之有機EL裝置，其中形成第二電 φ 極層之透明材料包含至少選自於由ITO，IZO，IWO，ATO, FTO, AZO與導電聚合物所組成之群中之一者。 4. 如申請專利範圍第3項之有機EL裝置，其中形成第二電 極層之透明材料爲選自於由ITO，IZO，IWO，ATO，FTO AZO與導電聚合物所組成之群中之二項或多項材料之混 合物。 5.如申請專利範圍第1項之有機EL裝置，其中又包括插置 於第二電極層與有機層間之載子注入輔助層，用以輔助載 1284492 子注入該有機層。 6·如申請專利範圍第5項之有機EL裝置，其中載子注入輔 助層由至少選自於鹼金屬元素、鹼土金屬元素、鹼金屬化 合物、鹼土金屬化合物與苯二甲藍染料（phthalocyanine) 衍生物組成之群中之一項材料所製成。

7.如申請專利範圍第6項之有機El裝置，其中載子注入輔 助層由選自於鹼金屬元素、鹼土金屬元素、鹼金屬化合 物、鹼土金屬化合物與苯二甲藍染料衍生物組成之群中之 二項或多項材料之混合物所製成。 8.如申請專利範圍第5項之有機EL裝置，其中又包括插置 於第二電極層與載子注入輔助層間之緩衝層，該緩衝層爲 透明的。 9.如申請專利範圍第8項之有機EL裝置，其中緩衝層由至 少選自於由鋁、銀、鎂、銦組成之群中之一者所製成。 10.如申請專利範圍第9項之有機EL裝置，其中緩衝層由至 少選自於由鋁、銀、鎂、銦組成之群中之二項或多項材料 之混合物所製成。 1 1.如申請專利範圍第8項之有機EL裝置，其中緩衝層具有 厚度50nm或更小。 12. 如申請專利範圍第1項之有機EL裝置，其中反射層由具 有光反射性與導電性之金屬所製成。 13. 如申請專利範圍第1項之有機EL裝置，其中又包括插置 1284492 於第二電極層與反射層間之光散射裝置。 14. 如申請專利範圍第12項之有機EL裝置，其中反射層包括 一多層薄膜。

15. 如申請專利範圍第14項之有機EL裝置，其中發光層發出 複數道不同波長之光束，且第二電極層之厚度與形成反射 層之多層薄膜之每一層之厚度被設成以達到光路徑差，該 光路徑差大體上將從發光層行進至第一電極層之光的相 位與行進至第二電極層之光的相位一致，且由此對複數道 光束之每一者反射。 16. 如申請專利範圍第1項之有機EL裝置，其中滿足由下列 表示式（1)所表示之條件： nL = (2N-l)*X/4 (1) 其中nL代表在發光層中從發光位置至第二電極層側上 之反射層之表面的光學距離，N代表自然數，且λ代表發 φ 光層之發光波長之一者，當有複數個發光波長時將發光強 度最大化之波長，與當有複數個發光波長時全部發光波長 之一中間波長。 17.如申請專利範圍第1項之有機EL裝置，其中又包括設置 於該透明基板之後表面上之集光構件， 滿足由下列表示式（2)所表示之條件： nL*cos0 = (2N- 1 )*λ/4 (2) 其中nL代表在該透明基板之法線方向中從發光層中之 1284492 發光位置至第二電極層側上之反射層之表面的光學距 離，θ代表在該透明基板之法線方向與藉由集光構件聚焦 於該透明基板之法線方向之光行進方向間之角度，N代表 自然數，且λ代表發光層之發光波長之一者，當有複數個 發光波長時將發光強度最大化之波長，與當有複數個發光 波長時全部發光波長之一中間波長。

18·如申請專利範圍第17項之有機EL裝置，其中該集光構件 包括棱鏡片。

-4-