TWI284252B - Lithographic projection apparatus, method and the device manufacturing method - Google Patents
Lithographic projection apparatus, method and the device manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- TWI284252B TWI284252B TW093109277A TW93109277A TWI284252B TW I284252 B TWI284252 B TW I284252B TW 093109277 A TW093109277 A TW 093109277A TW 93109277 A TW93109277 A TW 93109277A TW I284252 B TWI284252 B TW I284252B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- patterned
- pattern
- mask
- adjusting
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
- B23Q11/00—Accessories fitted to machine tools for keeping tools or parts of the machine in good working condition or for cooling work; Safety devices specially combined with or arranged in, or specially adapted for use in connection with, machine tools
- B23Q11/08—Protective coverings for parts of machine tools; Splash guards
- B23Q11/0825—Relatively slidable coverings, e.g. telescopic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23B—TURNING; BORING
- B23B29/00—Holders for non-rotary cutting tools; Boring bars or boring heads; Accessories for tool holders
- B23B29/24—Tool holders for a plurality of cutting tools, e.g. turrets
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7034—Leveling
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
1284252 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 月一種微衫投影裝置之一基板上所形成之由一遮 田案表面之>f立置沿該裝置之光學車由《變化所引起之 一圖案之投影影像之平移修正有關。 【先前技術】 本文所&料術語「圖案化元件」應廣泛地解釋成表示 可用以賦予一入射輻射光束一圖案化斷面之元件,該圖案 化斷面對應於將在基板之一目標部分中建立之一圖案。術 -光閥」亦可用於此方面。一般而言,該圖案將對應於 元件中(例如一積體電路或其他元件)建立於目標部分之 一特疋功能層。該圖案化元件之一範例為一遮罩。遮罩的 概念在微影術中廣為人知,其包括例如二元式、交替式相 位平移及衰減式相位平移等遮罩類型,以及各種混合的遮 罩類型。將該遮罩放置在輻射光束中,會引起照射在遮罩 上的輻射依據遮罩上的圖案作選擇性透射(在透射遮罩之 情形中)或反射(在反射遮罩之情形中)。在遮罩之情形中, 支撐結構一般為一遮罩台,其確保將遮罩固持於入射輻射 光束中一理想位置並可視需要相對於光束移動。 圖案化元件之另一範例係一可程式化鏡陣列。該陣列之 範例為具有一黏彈性控制層及一反射表面之一矩陣可定 址表面。該裝置之基本原理為例如反射表面的已定址區域 將入射光反射為繞射光,而未定址區域則將入射光反射為 非繞射光。使用適合的濾光器可將非繞射光自所反射光束 92185.doc -6 - 1284252 中過濾出去而僅剩下繞射光。採用此方式,依據矩陣可定 址表面之定址圖案對該光束進行圖案化。一可程式化鏡陣 列之一替代具體實施例採用由微小鏡構成之一矩陣配置, 藉由施加一適當的局部化電場或藉由採用壓電驅動器,可 使每一微小鏡分別繞一軸傾斜。再者,該等鏡係矩陣可定 址的,從而已定址鏡將相對於未定址鏡而朝一不同的方向 反射入射輻射光束。採用此方式,依據矩陣可定址鏡之定 址圖案對所反射光束進行圖案化。可使用適當的電子技術 來執行所需的矩陣定址。在上述兩情況下,圖案化元件可 包含一或多個可程式化鏡陣列。例如可從美國專利u s. 5,296,891 與 5,523,193 及 PCT 公告案 w〇 98/38597 與 W0 98/33096中看到本文所參考的關於鏡陣列之更多資訊。在 可程式化鏡陣列之情形中,支撐結構可具體化為例如一框 架或台,可視需要將其固定或可移動。 圖案化元件之另一範例為一可程式化液晶顯示器(LCD) 陣列。該結構之一範例已在美國專利第5,229,872號中給 出。如上所述,此情形中的支撐結構可具體化為例如一框 架或台,可視需要將其固定或可移動。 基於簡單之目的,本文其餘部分將在特定位置專門探討 有關遮罩及遮罩台的範例。然而,此類實例中所探討的通 用原理應適用於上述較廣域的圖案化構件中。 微影投影裝置可用於例如積體電路(integrated chxuit; IC) 的製造中。在該情形中,圖案化構件可產生對應於IC之一 個別層之一電路圖案,且可將此圖案成像於已塗佈一層輻 92185.doc 1284252 射敏感材料(阻劑)之一基板(矽晶圓)上的目標部份(例如包 含一或多個晶粒)上。一般而言,一單一晶圓將包含鄰近目 標部分之一整個網路,該等部分係經由投影系統而逐一連 續加以照射。在目前裝置中,藉由遮罩台上的遮罩進行圖 案化,可將裝置區分成兩種不同類型的機器。在微影投影 裝置之一類型中,藉由將整個遮罩圖案一次性曝光到目標 部分上來對每一目標部分加以照射。該裝置通常係稱作一 晶圓步進機。在通常稱作一步進與掃描裝置之一替代裝置 中,藉由使用投影光束朝一給定參考方向(「掃描」方向) 漸進地掃描遮罩圖案同時平行或反平行於此方向來同步地 掃描基板台而照射每—目標部分。由於—般而言投影系統 -有放大因數Μ (-般<1),故掃描基板台之速度v將為掃 描遮罩cr之速度之-因數贿。關於本文所述微影元件之 更多資訊可從例如美國專利第6,〇46,792號看到。 在使用微影投影裝置之一所熟知的製造程序中,將一廣 案(例如於-遮罩中)成像於至少部分由一層輻射敏感材制 (阻⑷所覆蓋之-基板上。在此成像之前,基板可經歷各種 程序處理,例如塗底漆、阻㈣佈及軟烘烤。在曝光之後 基板可經受其絲序處理,❹曝錢烘烤(叫expo麵 bake’ PEB)、·_、硬烘烤與測量及/或檢查所成像特徵。 此程序陣列係闕-基礎以圖案化—裝置之—個別層,例 如一 1C。該圖案化層可接著經歷各種處理,例如蘭 子植入(摻雜)、金屬介、_ 音… 學機械拋光等,所有處理 思欲元成-個別層。若需要數層,則整個程序或其一變化 92185.doc -8- 1284252 粒序必須針對每一新層進行重複。確保各種堆疊層之覆蓋 (並置)儘可能精確係重要的。基於此目的,在晶圓上之一或 夕個位置處提供一較小的參考標記,從而定義晶圓上之座 標系統之原點。使用光學及電子元件與基板固持器定位元 件組合(下文稱作「對齊系統」),每次必須將一新層並置於 一現存層上時可重新定位此標記且此標記可用作一對齊參 考。最後,一元件陣列將呈現於該基板(晶圓)上。然後藉由 一技術例如切割或鋸開將此等元件彼此分開,於此處將個 別元件安裝於一載體上、連接至接針等。關於此類處理之 更多資訊可自例如1997年由McGraw Hill出版公司出版、 Peter van Zant所著之國際標準圖書編號(ISBN)為 0-07-067250_4之「微晶片製造:半導體處理之實用指南」 之第三版本之圖書中獲得。 為了增強半導體元件之整合程度且遵循摩爾定律,提供 能印刷實際最小線寬為25至1〇〇 nm之微影投影裝置係必要 的。目前可用的使用193 nm與157 nm輻射之微影蝕刻工具 可產生具有依據眾所熟知之等SR=ki#;L/NA之一解析度(以 ntn為單位)之圖案特徵,其中R係解析度,匕係視所使用之 輻射敏感材料(阻劑)而定之一常數,;^系輻射之波長及NA 係數值孔徑。ki之一下限為0.25且具有〇·85之!^^的微影投 影裝置目刖係可用的。光學設計中的困難使得增加να較 難。由於一般認為ki與ΝΑ係處於其極限,故減小微影投影 裝置之解析度即印刷較小圖案特徵之能力看來係取決於減 小輕射之波長;I。 92185.doc -9- 1284252 解析度增強技術例如相位平移遮罩、光學近似修正、次 解析度辅助特徵及離軸照射已允許使用193與157 nm輻射 之微影投影裝置印刷具有1 〇〇 nm解析度之圖案特徵。為了 印刷小於100 nm之圖案特徵,目前正在開發使用軟X射線區 域中具有5至15 nm之波長之輻射(常稱作遠紫外線(extreme ultraviolet; EUV))之微影投影裝置。 在微影投影裝置中使用EUV輻射呈現數個問題。Euv輻 射係由所有材料包括空氣吸收。EUV輻射來源、照射系統、 投影系統、遮罩(主光罩)與遮罩台及基板(晶圓)與基板台必 須放置於真空中以防止吸收EUV投影光束。反射遮罩係用 於EUV微影投影裝置中,因為不存在用於形成可有效透射 EUV輻射而不將其吸收之一遮罩之材料。準備一分光器用 於EUV輻射亦係較難的。因而相對於遮罩傾斜地輻射euv 投影光束以允許所反射光束到達投影系統而未由照射系統 光學元件阻斷係必要的。 因為相對於遮罩傾斜地輻射投影光束,所以遮罩之圖案 化側係非遠心的。遮罩沿光學(Z)轴之位移導致放大率之改 變及所曝光區域朝掃描(Y)方向之一位移,所曝光區域之位 移導致影像在晶圓上之位置改變。關於遮罩圖案在Z方向上 的變化,存在數個原因。 遮罩不平坦係Z方向之變化之一原因。參考圖2、,非平坦 遮罩MA1反射在點B處以角度α(例如50 mrad)入射於遮罩 MA1上之一投影光束PB。投影光束PB係由遮罩MA1反射於 採用一輻射敏感材料(光阻劑)RSM所塗佈之一晶圓w上。基 92185.doc -10- 1284252 於簡單之緣故’將投影系統省略。將點B自點A位移一距離 △YMA=tanaMZ,若遮罩係完全平坦的,點a處將成像。遮 罩不平坦導致遮罩圖案影像在晶圓上數量為△ Yw==+/_ tana“Z/M之一平移,其中μ係投影系統(未顯示)之放大率 且數量AYW之符號取決於投影系統之影像反向特徵。圖案 影像在晶圓上之平移AYW導致半導體製造程序中之一覆蓋 (重疊)誤差。在具有l〇〇nm之臨界尺度之一半導體元件中, 最大覆蓋誤差係不大於30 nm。除Z方向之變化之外之覆蓋 誤差之其他原因包括遮罩與晶圓之間之定位/對齊精確 度、晶圓級之定位精確度(包括步進精確度)及投影系統之變 形’其可引起大約1 〇 nm之覆蓋誤差。 EUV微〜工具中z方向之變化之另一原因係將遮罩安裝 於其相對於圖案化表面之背面之必要性。由於遮罩必須包 a於真二中,故必須將其夾緊(例如藉由一靜電夾頭)於其背 面上在不必使用真空之微影玉具中,遮罩之圖案化側與 安裝側係相同的。遮罩焦平面因而係建立於遮罩級台板之 平面處。因而,對遮罩級位置在所有六個 致對遮罩圖案化表面在所有六個自由度之瞭解。如= 影工具甲所需將遮罩夾緊於其背面上使得遮罩焦平面相對 ^遮罩級位置之位置係遮罩平坦度、遮罩厚度與遮罩厚度 函數此外,形成框架之刀片係用作遮罩隹平面 處之一視場光闌且其使得對遮罩焦平面之決定較難,”具有 超出平面計之電流。 /考圖3 ’在z方向位移一數量以之一遮罩m謂如虛線所 92185.doc _ 11 _ 1284252 示)導致點C之影像平移一數量AYMA=tana,AZ至點D。遮罩 MA2不平坦及遮罩MA2繞X與Y軸之旋轉亦引起z方向之變 化及圖案影像在Y(掃描)方向之平移。遮罩MA2在Z方向之 位移導致遮罩圖案影像在晶圓上數量為△ Yw=+/_ tan^AZ/M之一平移,其中Μ係投影系統(未顯示)之放大率 且數量AYW之符號取決於投影系統之影像反向特徵。 基於簡單之緣故,下文之投影系統可稱作「透鏡」。然而, 此術語應廣泛地解釋成包含各種類型的投影系統,例如包 括折射光學元件、反射光學元件及反折射系統。輻射系統 亦可包括依據該等設計類型之任一者操作用以引導、成形 或控制輻射之投影光束之組件,且此類組件在下文中亦可 統稱或單獨稱為一「透鏡」。此外,微影裝置可為具有二或 多個基板台(及/或二或多個遮罩台)之一類型。在此類「多 級」元件中,可平行使用額外台或在一或多個台上進行準 備步驟,而其他一或多個台則用於曝光。例如在美國專利 第5,969,441號及W0 98/40791中已說明雙級微影裝置。 【發明内容】 本發明之一方面係修正一遮罩上之一圖案之影像在掃描 方向上由圖案表面沿微影投影裝置之光學轴之變化所引起 之平移。 依據本發明’此方面及其他方面係在一種微影裝置中得 以實現,該裝置包括一輻射系統,其經構造並配置以供應 一輻射投影光束;一支撐結構,其經構造並配置以支撐一 圖案化兀件,該圖案化元件經構造並配置以依據所需圖案 92185.doc -12- 1284252 將投影光束圖案化;一基板台,其用以固持一基板;及一 投影系統,其經構造並配置以將圖案化光束投影到基板之 一目標部分上,該投影系統包括一鏡,其中支撐結構、基 板台及鏡係可相對於彼此朝一第一方向移動且圖案表面^ 垂直於第一方向之一第二方向上的位置變化係藉由調整圖 案化元件在第-方向上之位置、調整基板在第一方向上之 位置、調整鏡在第一方向上之位置及繞平行於第二方向之 一軸旋轉基板台之至少一者而得以修正。 依據本發明之另一方面’提供一種藉由透過一投影系統 來投影以—預定角度人射於圖案化元件上之—投影光束同 時朝-第-方向同步地移動圖案化元件、基板及鏡而將包 括一圖案表面之-反射式圖案化元件上所形成之一圖案傳 达至已採用輻射敏感材料所塗佈之一基板上之方法,該方 法包括決定圖案表面在垂直於第一方向之一第二方向上的 位置變化;及調整圖案化元件在第一方向上之位置、調整 基板在第一方向上之位置、調整鏡在第一方向上之位置與 繞平行於第二方向之一軸旋轉基板之至少一者以修正圖案 自焦平面之位置變化。 依據本發明之另一方面提供一種元件製造方法,該方法 =括提供—基板,其係至少部分由—層輻射敏感材料覆 蓋;使用-輻射系統提供一輻射投影光束;使用一圖案化 元件以賦予該投影光束一圖案化斷面;將圖案化輻射光束 投影到該層輻射敏感材料之一目標部分上;及調整圖案化 兀件在—第一方向上之一位置、調整基板在第一方向上之 92185.doc -13- 1284252 一位置、調整鏡在第一方向上之一位置及繞平行於與第一 方向垂直之一第二方向之一軸旋轉基板台之至少一者。 雖然在本文中可特定參考依據本發明之裝置在製造^中 的使用,但是應明確地明白,該裝置具有許多其他可能的 應用。例如,其可用於製造整合光學系統、磁域記憶體之 導引及偵測圖案、液晶顯示器面板、薄膜磁頭等。熟習此 項技術者應明白,在此類替代應用方面,對本文術語「主 光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用應看作分別由更通 用的術語「遮罩」、「基板」及「目標部份」來取代。 在本文獻中,術語「輻射」與Γ光束」係用以包含所有 類型的電磁輻射,其包括紫外線輻射(例如具有365、248、 193、157或126 nm之波長)與EUV(遠紫外線輻射,例如具有 在範圍5至20 nm中之一波長)以及粒子束例如離子束或電 子束。 【實施方式】 圖1示意性顯示依據本發明之一具體實施例之一微影投 影裝置1。裝置1包括-基板Bp ; 一輻射系統Ex、IL,經構 le並配置以供應一輻射投影光束pB(例如Euv輻射),其在 此特定情形中亦包含-輻射來源LA;—第—物件(遮罩)台 MT,其具有經構造並配置以固持一遮罩ma(例如一主光罩) 之遮罩固持裔且與一第一定位元件讀連接,該定位元件 精確定位遮罩相對於投影系統或透鏡位置;一第二物 件(基板)口 wt,其具有經構造並配置以固持一基板w(例如 一阻劑塗佈之矽晶圓)之一基板固持器且與一 92185.doc -14- 1284252 件PW連接,該定位元件精確定位基板相對於投影系統pL之 位置。一投影糸統或透鏡PL(例如一鏡群組)係經構造並配 置以將遮罩MA之一受照射部分成像到基板w之一目標部 分C (例如包含一或多個晶粒)上。 如此處所述,該裝置屬一反射類型(即具有一反射遮 罩)。然而,一般而言,該裝置亦可屬一透射類型例如具有 一透射遮罩。或者,該裝置可採用另一種類的圖案化元件, 例如上述類型的可程式化鏡陣列。 輻射來源LA(例如一放電或雷射產生之電漿來源)產生一 輻射光束。此光束係直接或在穿過調節元件之後供入一照 射系統(照射器)IL,例如一光束擴展器Εχ。照射器IL可包含 調整元件AM,用以設定光束中強度分佈之外側及/或内側 光線範圍(通常分別稱為σ外侧光線及σ内側光線)。此外, 照射器IL一般包含其他各種組件,例如積分器爪及聚光器 C〇。依此方式,照射在遮罩]^八上的光束ρΒ在其斷面中具 有所需的均勻性及強度分佈。 關於圖1應注意的為,如當輻射來源[八係一汞燈時所常 見之情形,輻射來源LA可位於微影投影裝置之外殼内部, 但其亦可遠離微影投影裝置,而將其所產生的輻射光束引 至裝置中(例如藉由適當導引鏡之輔助)。此後者之情況通常 係田幸田射來源L Α為一同核複合分子雷射之情形。本發明包 含此等兩情況。 光束PB接著攔截在一遮罩台Μτ上所固持之遮罩ma。在 橫越遮罩MA之後,光束PB穿過透鏡pL,其將光束pB聚焦 92185.doc -15- 1284252 於基板w之一目標部份c上。藉由第二定位元件pw及干涉 儀IF之辅助可精確地移動基板台wt例如藉以在光束pB之 路徑中定位不同的目標部份c。同樣地,第一定位元件pM 可用以相對於光束PB之路徑來精確定位遮|MA,例如自遮 罩庫機械性地取回遮罩MA之後或在一掃描期間。一般而 5,藉由一長衝程模組(粗糙定位)與一短衝程模組(精確定 位)之辅助可實現物件台MT、WT之移動,該等模組未在圖i 中明確說明。然而,在一晶圓步進機(相對於一步進及掃描 裝置)之情形中,遮罩台MT可僅與一短衝程驅動器連接或 將遮罩台固定。可使用遮罩對齊標記訄^馗〗與基板對齊標 記P!、P2來對齊遮罩MA與基板w。 上述裝置可用於兩種不同模式中: 1·在步進模式中,保持遮罩台MT本質上固定且將整個遮 罩影像一次性即單一「快閃」地投影到一目標部分C上。接 著朝X及/或Y方向平移基板台WT使得一不同的目標部分c 可由光束PB加以照射; 2·在掃描模式中,除一給定目標部分c並未在一單一「快 閃」中曝光之外’實質上適用相同的情況。替代地,遮罩 台MT可以速度¥朝一給定方向(所謂的「掃描方向」例如γ 方向)移動從而引起投影光束PB掃描整個遮罩影像。同時, 以速度V = Mv朝相同或相反方向同時移動基板台WT,其中 Μ為透鏡PL之放大率(通常M=1/4或1/5)。以此方式,可曝光 一相對較大的目標部分C,而不必影響解析度。 參考圖4,投影光束PB係由照射系統IL之一鏡乂進行反射 92l85.doc -16· 1284252 以入射於遮罩ΜΑ上。一對干涉儀ifz係經配置以測量遮罩 表面相對於投影系統PL之位置。應明白,可將干涉儀安裝 於微影投影裝置上而非投影系統上,例如安裝於基板上。 可使用該對干涉儀IFZ來映射遮罩表面之非平坦度或冗高度 之位置變化,該對干涉儀IFZ僅測量遮罩MA位於遮罩圖案 區域MP外側之循跡T之位置同時遮罩μα掃描所照射縫隙 ILS。雖然所知、射縫隙之圖案在圖4中係顯示成弓形,但熟 習此項技術者應明白,所照射縫隙可使用其他形狀。映圖 可儲存於控制微影投影裝置1之操作之一控制器之記憶體 中。例如透過使用決定遮罩在剩餘自由度之位置之額外干 涉儀可決定遮罩在所有六個自由度之位置,且可從映圖中 決定遮罩焦平面。 所映射的遮罩位置誤差ΔΖ係定義成ΔΖ=(ΔΖ1 + ΔΖ2)/2,其 中ΔΖ1與ΔΖ2係由干涉儀IFZ所測量的循跡Τ中之誤差。遮罩 處的圖案平移係定義成AYMA==tana,AZ且晶圓上的圖案平 移係定義成ΔΥΨ=+Λ tanaMZ/M,其中Μ係投影系統pl之放 大率且數量AYW之符號取決於投影系統PL之影像反向特 徵。可藉由遮罩台MT移動等於ΔΥΜΑ2 —數量、晶圓台WT 移動等於AYW之一數量或遮罩台ΜΤ與晶圓台WT之每一個 移動修正圖案平移之一數量來修正圖案平移Αγ。 因為使用傾斜的遮罩照射,所以遮罩圖案表面在XZ平面 中的旋轉將導致遮罩圖案在晶圓W上的投影影像在XY(晶 圓)平面中的旋轉誤差。所投影影像在晶圓平面處的旋轉誤 差係由Δ0ζ\ν=+/- tana*A0y定義,其中係所映射的遮罩 92185.doc -17- 1284252 旋轉誤差且其係定義成Δθγ=(ΔΖ2-ΔΖ1)/(1,其中d係干涉儀 IFZ在X軸方向上的間隔。投影系統PL之放大率不影響影像 旋轉誤差A^zw之數量且影像旋轉誤差A^zw之符號取決於 投影系統PL之影像反向特徵。 所映射的遮罩位置誤差ΔΖ與所映射的遮罩旋轉誤差A0y 可藉由將遮罩台MT在Z軸方向位移數量-ΔΖ且將遮罩台MT 旋轉角度-而進行直接修正。誤差之直接修正需要修正 遮罩台MT之位置。然而,藉由修正遮罩台MT、晶圓台WT 或兩者組合之位置、藉由朝圖案平移ΔΥ及影像旋轉誤差 △0zw之相反方向平移及/或旋轉遮罩台MT、晶圓台WT或兩 個台來僅修正圖案平移ΔΥ與影像旋轉誤差A^zw係可能 的。此方法忽視了所映射位置誤差ΔΖ與所映射遮罩旋轉誤 差對影像在晶圓處之焦點之影響,但由於EUV微影工具 具有相對較低的ΝΑ及相對較高的焦點深度,故焦點係在可 接受的限制範圍内。此外,若朝Υ軸方向移動遮罩台ΜΤ之 位置來修正圖案平移ΔΥ,則修正尺寸並未藉由投影系統之 放大率而減小。此外,藉由定位遮罩台ΜΤ來修正圖案平移 △ Υ與影像旋轉誤差Mzw並不取決於投影系統PL之影像反 向特徵。應明白,除了修正圖案平移ΔΥ與影像旋轉誤差 A0zw兩者之外,僅修正圖案平移ΔΥ或僅修正影像旋轉誤差 △(9 zw係可能的。 參考圖5,微影投影裝置1之照射系統IL包括一反射式積 分器RI與一拋物線鏡ΡΜ。投影系統PL包括鏡Ml至Μ6。雖 然對於一 EUV投影系統而言至少六個鏡係必要的,但應明 92185.doc 18- 1284252 白,可使用包括客於丄w 個鏡之投影系統。掃描方向之圖案 平移ΔΥ可藉由在掃描期間朝六個自由度之至少—者移動 投影系統PL之第—鏡⑷來進行修正ϋ则在遮罩 ΜΑ與晶圓W之掃描期間由鏡定位機制ΜρΜ進行移動。在掃 描期間調整鏡Ml $ # $ γ ^ 1 > 之位置可包括在知描期間移動或旋轉 · 鏡。應明白’可相對於遮罩MA與晶圓〜來移動或旋轉鏡
Ml因為鏡Ml、遮罩MA與晶圓界之相對位置決定在晶圓 W上之輻射敏感材料上所形成之圖案之影像位置,且㈣ 於鏡來調整遮與晶圓w可包括在掃描期間調整遮罩 MA與晶圓W之速率。調整鏡Ml、遮罩MA與晶圓W之位置 之導致修正圖案平移ΔΥ及或影像旋轉誤差Ahw之任何組 合可加以使用。 應明白,上述用以修正掃描(γ)方向上由遮罩沿光學(z) 軸之變化所引起之圖案平移之技術可單獨或組合使用。 雖然上文已說明本發明之特定具體實施例,但應明白本 發明可以上述之外的其他方式實施。本說明並非意欲限制 籲 本發明。應注意’對主光罩級(Reticle Stage ; RS)之Z誤差 之補償可藉由朝γ方向移動晶圓級(Wafer Stage ; WS)(可能 除朝Y方向移動晶粒級(RS)之外)來進行。此外應提及的 為’除了使用干涉儀用於產生干涉測量之外,亦可使用一 f〇tonic感測器或另一類型的感測器用於產生一等效測量。 【圖式簡單說明】 上文已參考隨附不意圖舉例說明本發明的具體實施例, - 其中: 92185.doc -19- 1284252 圖1係一微影投影裝置之示意性說明; 圖2係因遮罩不平坦引起之一影像圖案平移之示意性說 明; 圖3係因遮罩沿Z(光學)軸之位移所引起之一影像圖案平 移之示意性說明; 圖4係圖1之微影投影裝置之一部分之示意性說明;及 圖5係微影投影裝置之示意性說明,其包括投影系統之詳 細内容。 在圖式中,對應的參考符號指示對應的零件 【主要元件符號說明】 1 微影投影裝置 BP 基板 Ex 輻射系統/光束擴展器 PB 投影光束 LA 輻射來源 MT 第一物件(遮罩)台 ΜΑ 遮罩 PM 拋物線鏡/第一定位元件 PL 投影系統/透鏡 WT 第二物件(基板)台 W 基板 PW 第二定位元件 IL 照射系統(照射器) AM 調整元件 92185.doc -20- 1284252 IN 積分器 CO 聚光器 IF 干涉儀 Mi ' M2 遮罩對齊標記 Pi、P2 基板對齊標記 M 鏡 IFZ 干涉儀 T 循跡 MP 遮罩圖案區域 ILS 所照射縫隙 RI 反射式積分器 Ml 至 M6 鏡 MPM 鏡定位機制 92185.doc -21 -
Claims (1)
1284^5¾109277號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(95年5月):, :; Γ 十、申請專利範圍: 棟 1. 一種微影投影裝置,其包含 一輕射系統’其經構造並配置以提供一輻射投影光束; 一支撐結構’其經構造並配置以支撐一反射式圖案化 元件,該圖案化元件包括一圖案表面且經構造並配置以 依據所需之一圖案來圖案化該投影光束; 一基板台,其用以固持一基板;及 一投影系統,其經構造並配置以將該圖案化光束投影 到該基板之-目標部分上,其中該支撐結構與該基板台 係可杻對於彼此朝一第一方向移動,且於該支撢結構與 該基板台相對於彼此移動時,該圖案表面在垂直於該第 一方向之一第二方向上位置之變化係藉由調整該圖案化 元件在該第-方向上之位置、調整該基板在該第一方向 上之位置、繞平行於該第二方向之—軸旋轉該基板及繞 平行於該第二方向之該軸旋轉該圖案化元件之至少一者 來進行修正。 2.如請求項!之裝置,其進一步包含經構造並配置以決定該 圖案表面在該第二方向之該位置之該變化之—干涉儀系 統0 3.如請求項2之裝置,其中該千夺罢 干7儀糸統包括兩個決定該圖 案表面相對於該投影系統之位置之干涉儀。 4·如請求項1之裝置,其中該圖案化亓杜 屯少 口未化70件與該基板之該等位 置係相對於彼此朝該第一方向 J I 歡里 ΔΥ=^ηα·ΔΖ, 八中ΔΖ係該圖案表面在該第_ 乐一方向上之該位置變化且α 92185-950510.doc 1284252 係該投影光束在該圖案化元件上的一入射角。 如吻求項4之裝置,其中相對於彼此調整該圖案化元件與 ”亥基板之4等位置包括在該圖案化元件與該基板相對於 被此移動期間調整該圖案化元件與該基板之至少一者之 一速率。 =明求項1之裝置,其中繞平行於該第二方向之該抽旋轉 /基板包括旋轉該基板一數量δΖι) /、中α係該投影光束在該圖案化元件上的入射角,j 係該圖案表面在該第二方向上之位置之一第一測量變 ,,ΔΖ2係該圖案表面在該第二方向上之位置之一第二測 里憂化,且d係ΔΖ1與ΔΖ2之兩測量位置之間在垂直於該 等第一與第二方向之一第三方向上之距離。 -種微影投影方法,其將包括一圖案表面之一反射式圖 案化兀件上所形成之一圖案傳送至一以輻射敏感材料塗 佈之一基板上,包含·· ▲在朝一第一方向同步地移動該圖案化元#、該基板及 遠鏡時藉由透過—投影系統以—預定角度來投影入射於 5亥圖案化元件上之一輻射光束; 决疋'亥圖案表面在垂直於該第-方向之-第二方向上 的位置變化;及 於該圖案化元件、該基板及該鏡之移動時,調整該 :化兀件在該第—方向上之一位置、調整該基板在該 一方向上之一位置、調整該鏡在該第一方向上之位置 繞平行於該第二方向之該一抽旋轉該基板之至少一者 92185-950510.doc 1284252 修正該圖案自該焦平面之該等位置變化。 8. 9. 10 11. 12. $月東員7之方法,其中決定該圖案表面之該位置之該等 夂2包括決定該圖案化元件相對於該投影系統之位置。 如請求項7之方法,其中在該第一方向上相對於彼此調整 該圖案化元件、該基板與該鏡之該等位置包括調整該等 相對位置一數量其中係該圖案自該焦平 面之變化數量且“係該投影光束在該圖案化元件上的 入射角。 如請求項9之方法’其中相對於彼此調整該圖案化元件、 該基板與該鏡之該等位置包括在該圖案化元件、該基板 與6亥鏡相對於彼此移動期間調整該圖案化元件、該晶圓 與該鏡之至少一者之一速率。 如請求項7之方法,其中繞該軸旋轉該基板包括旋轉該基 板一數量她=仏tana,Z2_AZ1)/d,其中“係該投影光 束在4圖案化⑦件上的入射角,、該圖案表面在該第 -方向上之-第-測量變化,δΖ2係該圖案表面在該第二 方向上之一第二測量變化,且d係兩位移測量元件之間在 垂直於該等第一與第二方向之一第三方向上之距離。 一種元件製造方法,其包含: 提供基板其係至少部分由一層輻射敏感材料覆蓋; 使用-輻射系統提供—轄射投影光束; 使用圖案化兀件以賦予該投影光束一圖案化斷面; 使用包括鏡之—投影系統將該圖案化輻射光束投影 到該層韓射敏感材料之—目標部分上;及 92185-950510.doc 1284252 調整該圖案化元件在一第一方向上之一位置、調整該 基板在該第-方向上之位置、調整該鏡在該第〆方向上 之位置及繞平行於與該第一方向垂直之一第二方向之一 軸旋轉該基板台之至少一者。 13 · —種微影投影裝置,其包含: 一輻射系統,其經構造並配置以提供一輻射投影光束; 一支撐結構,其經構造並配置以支撐一反射式圖案化 元件孩圖案化元件包括一圖案表面且經構造並配置以 依據所需之一圖案來圖案化該投影光束; 一基板台,其用以固持一基板;及 一投影系統,其經構造並配置以將該圖案化光束投影 到該基板之-目標部分上,該投影系統包括_鏡,其中7 該支撐結構、該基板台及該鏡係可相對於彼此朝一第— 方向移動且該圖案表面在垂直於該第一方向之一第二方 向上之位置變化係藉由調整該圖案化元 上之位置、調整該基板在該第一方向上之位置第調二向 鏡在六個自由度之至少一者之位£、繞平行於該第二方 向之一軸旋轉該基板及繞平行於該第二方向之該轴 該圖案化元件之至少一者而得以修正。 92185-950510.doc -4 -
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/406,602 US6853440B1 (en) | 2003-04-04 | 2003-04-04 | Position correction in Y of mask object shift due to Z offset and non-perpendicular illumination |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200510944A TW200510944A (en) | 2005-03-16 |
TWI284252B true TWI284252B (en) | 2007-07-21 |
Family
ID=32850652
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW093109277A TWI284252B (en) | 2003-04-04 | 2004-04-02 | Lithographic projection apparatus, method and the device manufacturing method |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6853440B1 (zh) |
EP (1) | EP1465018B1 (zh) |
JP (1) | JP4405304B2 (zh) |
KR (1) | KR100706934B1 (zh) |
CN (1) | CN100487577C (zh) |
DE (1) | DE602004021309D1 (zh) |
SG (1) | SG143037A1 (zh) |
TW (1) | TWI284252B (zh) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10219514A1 (de) * | 2002-04-30 | 2003-11-13 | Zeiss Carl Smt Ag | Beleuchtungssystem, insbesondere für die EUV-Lithographie |
US7031794B2 (en) * | 2003-09-26 | 2006-04-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Smart overlay control |
US7259834B2 (en) * | 2004-10-18 | 2007-08-21 | Nikon Corporation | Method and apparatus having a reticle stage safety feature |
JP2006278767A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Toshiba Corp | オーバーレイ制御システム及びオーバーレイ制御方法 |
JP2006324501A (ja) | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Toshiba Corp | 相変化メモリおよびその製造方法 |
JP4856798B2 (ja) * | 2006-10-18 | 2012-01-18 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクの製造方法及び反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
JP4975532B2 (ja) * | 2007-07-02 | 2012-07-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 反射型露光方法 |
US20090097004A1 (en) * | 2007-10-16 | 2009-04-16 | Qimonda Ag | Lithography Apparatus, Masks for Non-Telecentric Exposure and Methods of Manufacturing Integrated Circuits |
DE102008000967B4 (de) * | 2008-04-03 | 2015-04-09 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie |
EP2729763A1 (de) | 2011-07-08 | 2014-05-14 | Carl Zeiss Industrielle Messtechnik GmbH | Korrektur und/oder vermeidung von fehlern bei der messung von koordinaten eines werkstücks |
US9389520B2 (en) | 2012-02-03 | 2016-07-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for lithography with leveling sensor |
DE102014218474A1 (de) * | 2014-09-15 | 2016-03-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsobjektiv, Projektionsbelichtungsanlage und Projektionsbelichtungsverfahren für die EUV-Mikrolithographie |
JP6557515B2 (ja) * | 2015-06-04 | 2019-08-07 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置、走査露光方法、及びデバイス製造方法 |
CN106226926B (zh) * | 2016-08-08 | 2019-08-23 | 深圳市科利德光电材料股份有限公司 | 一种液晶显示器及改善姆拉现象的方法 |
US10162257B2 (en) | 2016-12-15 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Extreme ultraviolet lithography system, device, and method for printing low pattern density features |
US10996573B2 (en) * | 2017-01-31 | 2021-05-04 | Asml Netherlands B.V. | Method and system for increasing accuracy of pattern positioning |
EP3427663B1 (en) * | 2017-07-13 | 2020-03-04 | Agfa Nv | Phase contrast imaging method |
US11287746B1 (en) * | 2020-09-30 | 2022-03-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method for overlay error reduction |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5222112A (en) * | 1990-12-27 | 1993-06-22 | Hitachi, Ltd. | X-ray pattern masking by a reflective reduction projection optical system |
DE69629087T2 (de) | 1995-05-30 | 2004-04-22 | Asml Netherlands B.V. | Positionierungsgerät mit einem referenzrahmen für ein messsystem |
JPH09180989A (ja) | 1995-12-26 | 1997-07-11 | Toshiba Corp | 露光装置および露光方法 |
US6312134B1 (en) * | 1996-07-25 | 2001-11-06 | Anvik Corporation | Seamless, maskless lithography system using spatial light modulator |
US5757160A (en) | 1996-12-23 | 1998-05-26 | Svg Lithography Systems, Inc. | Moving interferometer wafer stage |
JP3570728B2 (ja) | 1997-03-07 | 2004-09-29 | アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ | 離軸整列ユニットを持つリトグラフ投射装置 |
US5956192A (en) | 1997-09-18 | 1999-09-21 | Svg Lithography Systems, Inc. | Four mirror EUV projection optics |
AU1053199A (en) | 1997-11-14 | 1999-06-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method of manufacturing the same, and exposure method |
AU2549899A (en) * | 1998-03-02 | 1999-09-20 | Nikon Corporation | Method and apparatus for exposure, method of manufacture of exposure tool, device, and method of manufacture of device |
JP4072981B2 (ja) * | 1998-10-09 | 2008-04-09 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US6369874B1 (en) | 2000-04-18 | 2002-04-09 | Silicon Valley Group, Inc. | Photoresist outgassing mitigation system method and apparatus for in-vacuum lithography |
EP1271247A1 (en) * | 2001-06-20 | 2003-01-02 | ASML Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a mask for use in the method |
US6618120B2 (en) * | 2001-10-11 | 2003-09-09 | Nikon Corporation | Devices and methods for compensating for tilting of a leveling table in a microlithography apparatus |
-
2003
- 2003-04-04 US US10/406,602 patent/US6853440B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-03-31 JP JP2004105078A patent/JP4405304B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-04-02 KR KR1020040022897A patent/KR100706934B1/ko active IP Right Grant
- 2004-04-02 TW TW093109277A patent/TWI284252B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-02 SG SG200401892-5A patent/SG143037A1/en unknown
- 2004-04-02 CN CNB2004100321850A patent/CN100487577C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-05 DE DE602004021309T patent/DE602004021309D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-05 EP EP04251975A patent/EP1465018B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6853440B1 (en) | 2005-02-08 |
JP2004312002A (ja) | 2004-11-04 |
EP1465018A2 (en) | 2004-10-06 |
CN1573556A (zh) | 2005-02-02 |
EP1465018B1 (en) | 2009-06-03 |
SG143037A1 (en) | 2008-06-27 |
DE602004021309D1 (de) | 2009-07-16 |
KR20040086817A (ko) | 2004-10-12 |
TW200510944A (en) | 2005-03-16 |
CN100487577C (zh) | 2009-05-13 |
JP4405304B2 (ja) | 2010-01-27 |
KR100706934B1 (ko) | 2007-04-11 |
EP1465018A3 (en) | 2007-08-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4334436B2 (ja) | デバイス製造方法 | |
US7388663B2 (en) | Optical position assessment apparatus and method | |
US6936385B2 (en) | Calibration methods, calibration substrates, lithographic apparatus and device manufacturing methods | |
JP5044513B2 (ja) | リソグラフィ機器及びデバイスの製造方法 | |
TWI284252B (en) | Lithographic projection apparatus, method and the device manufacturing method | |
JP2006054460A (ja) | 位置合せマークを提供する方法、基板を位置合せする方法、デバイス製造方法、コンピュータ・プログラム及びデバイス | |
JP4405462B2 (ja) | 較正用基板およびリソグラフィ装置の較正方法 | |
JP4774335B2 (ja) | リソグラフィ装置、予備位置合わせ方法、デバイス製造方法、および予備位置合わせデバイス | |
JP2012104853A (ja) | リソグラフィ装置および二重露光オーバレイ制御を用いたデバイス製造方法 | |
JP2004200701A (ja) | リソグラフィ投影マスク、リソグラフィ投影マスクによるデバイス製造方法、およびこの方法により製造したデバイス | |
US7405810B2 (en) | Method and apparatus for positioning a substrate on a substrate table | |
JP2007517395A (ja) | リソグラフィ装置、較正方法、較正プレート、デバイス製造方法及びそれにより製造されたデバイス | |
JP2001358063A (ja) | リソグラフィ投影装置のためのオブジェクト位置決め方法およびデバイス | |
US20060035159A1 (en) | Method of providing alignment marks, method of aligning a substrate, device manufacturing method, computer program, and device | |
JP4832493B2 (ja) | リソグラフィ方法及びデバイス製造方法 | |
US20030213921A1 (en) | Device manufacturing method, device manufactured thereby and computer programs | |
US6992752B2 (en) | Lithographic projection apparatus, computer program for control thereof, and device manufacturing method | |
US7041996B2 (en) | Method of aligning a substrate, a computer program, a device manufacturing method and a device manufactured thereby | |
JP2019507897A (ja) | 基板ハンドリングシステムおよびリソグラフィ装置 | |
JP2010161112A (ja) | 露光装置の管理方法及びデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |