TWI283450B - Process endpoint detection in processing chambers - Google Patents

Description

1283450 捌、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明一或多之具體實施例有關製程處理室（包括但 不限於半導體處理室）内製程終點偵測之方法及設備。特別 疋’本發明一或多之具體實施例有關半導體製程處理室内清 洗製程終點偵測之方法及設備。 【先前技術】 已知處理室（例如且不限於用以沉積半導體薄膜之處理 室，與用以蝕刻半導體薄膜之處理室）必須定期加以清洗以移 除當晶圓或基材在其内部處理後殘餘物（例如，此類處理室必 須在處理一或多之晶圓後即加以清洗）。在清洗處理室時，通 常必須依據需求條件之指示執行一段時間（“清洗時間，，）之清 洗製程，以實質上移除在處理室形成之所有殘餘物。此清洗 製程通常包括電漿處理。. 可藉由監控在處理晶室内形成之電漿的幅射輸出，以侦 測電漿清洗製程終點。製程終點之辨識可藉由分析某一化學 組成之幅射以偵測其在處理室中是否出現或缺少。然而，已 知以電漿之組成物物理轟擊處理室内部組件之電漿清洗製 程在某些環境下將是不利的，因為物理轟擊將造成這些内部 組件之劣化。 高密度電漿化學氣相沉積（“HDP CVD”）處理室（例如美 國加州聖塔卡萊那應用材料（APPlied Materials)公司所製 造，“應用，，）可被廣泛地應用’例如（但不限於）沉積一氟摻雜 1283450 矽玻璃（FSG”）薄膜、沉積一未摻雜矽玻璃（“usg”）薄膜、沉 積一磷摻雒矽玻璃（‘‘PSG，，）薄膜、沉積一薄膜用於淺溝隔離 (STI )等。在這些應用中，一或多次沉積製程後將施行一定 期清洗製程。為避免上述物理轟擊處理室之内部組件，用於 HDP CVD處理室之典型清洗製程為一“暗（dark)”清洗製程 (即電讓係在處理室外部之遠端形成的化學製程），且其中該 遠端產生之電漿將輸入處理室以便施行該清洗製程。 第1圖顯示一應用中之HDP CVD處理室的圖示。如第 1圖所示，HDPCVD處理室1〇〇包括加熱/冷卻板11〇、線圈 組件120、處理室内壁13〇、晶圓支撐14〇、節氣及閘閥組件 150、渦輪泵160、前置管線165、排氣閥17〇與18〇、渦輪 閥190、遠端電衆施加器2〇〇、遠端電漿注入管2丨〇及遠端 電漿注入歧管220。在典型沉積製程中，沉積前驅氣體經由 圖示之喷嘴230、24…50進入處理室，@氣體沉積殘餘 物經由節氣與閘閥組件15〇及渦輪泵16〇排出處理室1〇〇。 在此典型沉積製程中，排氣闕17〇與洞輪闕19〇係關閉，而 排氣閥180則在控制器（未顯示）之控制下開啟。再者，在沉 積製程中，殘餘物係形成於處理室内壁13〇。在一典塑清洗 製程中，電漿係由遠端電漿施加 力器2〇〇所產生，該電漿流銼 遠端電浆注入管210且由遠端電装注入歧管220進入處理室 在此典型清洗製程中’排氣閱17〇與渦輪閥19〇係開 啟’而排氣間180則在控制器(未顯示)之控制下關閉。遠端 產生之電聚組成物與殘餘物反應以產生副產品而後藉由一 排氣栗（未顯示）從處理室Η)〇經前置管線165排出。 1283450 習知各種應用中，最佳清洗時間係許多變數之複合函 數，包括但不限於：處理室内壁之殘餘物厚度；在清洗製程 前、中之處理室内部組件溫度；在沉積製程中沉積Λ錢鍍使用 比率；及殘餘物之化學組成等。依據先前技藝，上述暗清洗 製程係在一預定時間後終止（清洗終點），亦即該清洗終點係 依據“依時”演算法而決定。然而此依時演算法較不可靠，因 為處理室冷卻時會造成溫度變化而改變沉積製程。一些用於 決定暗清洗製程之清洗終點的先前技藝解決方案，涉及使用 “燃燒盒’’以衝擊氣體沉積副產品之電漿。然而，此方案仍有 些問題，因為其通常需要使用高電壓（較不可靠）且會產生電 氣噪音等問題。 有鑑於此，需求本技.藝中能決定^清洗製程之清洗終點 之方法與設備。 【發明内容】 本發明一或多具體實施例有利於滿足上述本技藝之需 求，且提供決定在處理室中執行之清洗製程終點的方法與設 備。特別是，本發明一具體實施例之方法至少包含下列步 驟：（a)引導由清洗製程副產品所吸收之幅射進入處理室排氣 管線中；（b)偵測副產品幅射吸收率之測量值；及當吸收 率之測量值落入一預定之窗口時，決定為製程終點。 【實施方式】 第6圖顯示添加微粒與清洗不足或過度清洗第1圖所示 1283450 之南後度電裝、化基名4 1匕學乳相沉積（“HPDCVD，，）處理室1〇〇(在此 使用之名詞“添加料私，，主一丄 镟粒表不在一晶圓上施行一處理步驟後 將添加至晶圓之檄。么丨， ^ 做粒例如，可在經歷該處理步驟前測量晶 圓微粒數’且在經屛访南 故歷該處理步驟後測量晶園微粒之數目。二 數目之差異即疋添加微粒數。）之關係圖。如在“發明背景” 中之描述，用於由美國加州聖塔卡萊那應用材料公司應用，，) 所製k冋密度電漿化學氣相沉積處理室之典型清洗製程係 一‘暗”清洗製程，即其中電漿係在處理室1〇〇外部形成的一 化學製程，且其中該遠端產生之電漿經輸入處理室以施行該 清洗製程。如第6圖所示，本發明人已發覺如果清洗製程（即 在一沉積製程中移除處理室i 00之室内壁13〇上殘餘物之製 程）太早結束（“清洗不足，，，即指在100%之殘餘物被移除前即 結束），將發生不良“微粒，，性能（即添加大量微粒）^本發明人 確信在沉積矽玻璃之沉積製程後因清洗不足而造成不良微 粒效能的來源或原因，係因為二氧化矽微粒。本發明人亦發 覺如果清洗製程太晚結束（“過度清洗”，即指在丨〇〇%殘餘物 被移除後某一時間才結束），不良“微粒”效能亦將發生。本發 明人讀信對於一過度清洗而造成不良微粒效能的來源或原 因，係因為清洗電漿與室内壁130表面反應所產生之氟化鋁 微粒。結果且如第6圖所示，對於一特定之清洗製程，將會 有一最佳清洗窗口（窗口 510)，在其中之製程將可避免因清 洗不足或過度清洗結果而產生微粒。 第2圖顯示第1圖高密度電漿化學氣相沉積處理室之圖 式，其更包含依據本發明一具體實施例製造之終點偵測器 7 1283450 3 00。此一具體實施例係指偵測一製程處理室清洗製程之終 點，其中四氟化矽氣體被視為清洗製程副產品而由處理室 1 00排出。此一具體實施例被廣泛地使用，例如但不限於沉 積一氟摻雜矽玻璃（“FSG”）薄膜、沉積一未摻雜矽玻璃 (“USG”）薄膜、沉積一磷摻雜矽玻璃（“PSG”）薄膜、沉積一薄 膜用於淺溝隔離（“STI”）、沉積一氮化矽（“SiN”）薄膜等等。 依據此具體實施例，紅外線幅射（“IR”）光譜儀將用以追 蹤與偵測四氟化矽氣體到達一預定程度時之製程終點。據 此，此具體實施例可用以決定一清洗製程之清洗終點，其中 實質上並不產生用於標準光學分光鏡終點技藝之光。例如， 此具體實施例可用以決定一清洗製程之清洗終點，其中一遠 端電漿產生器產生電漿且經注入處理室1〇〇β熟習本技藝者 已知如何製造此一遠端電漿產生器。一遠端電漿產生器可至 少包含（例如但不限於）一微波產生器，其可發射微波進入氣 體將經過之凹穴中。 如第2圖中所示，終點偵測器3〇〇(“EDp 3〇〇，，）係置於處 理至1〇〇近前置管道165處。第3圖顯示依據本發明一具體 實施例製造之EDP 300的方塊圖。&第3圖所示，紅外線幅 射來源4 0 0輪出具有實質上覆蓋四氣化石夕氣體至少一部份吸 收頻帶(例如四氣化矽氣體振盡模態之吸收頻帶)之波長的紅 外線幅射。依據一具體實施例，該波長實質上等於約1020 不米。由紅外線幅射來源4〇〇輪出之紅外線幅射，經由一窗 口 (未顯不)進入第2圖所示處理室ι〇〇之處理室排氣系統前 置管線165的一預定容積内。如帛3圖進一步顯*，EDP 3〇〇 1283450 至少包含置放於截波器（chopper)輪410處之濾波器420與 425。截波器輪410係置於來自紅外線幅射來源400之前置 管線1 65的相對侧，以接收經由前置管線丨65另一（未顯示） 窗口傳來之幅射。濾波器420經構置以在一波長頻帶内傳輸 幅射’該波長實質上係為已吸收由紅外線幅射來源4〇〇輪出 之紅外線幅射的四氟化矽分子所發出（例如濾波器42〇可在 中心約972奈米之波長頻帶中傳輸幅射），而濾波器425係可 在接近渡波器420所傳輸波長頻帶之頻帶中傳輸幅射的一中 性密度濾波器（例如：濾波器425可在中心為約909奈米之波 長頻帶中傳輸幅射再如第3圖中進一步顯示，截波器輪 410(及濾波器420與425)可藉由馬達430旋轉以反應來自控 制器440之信號。 如第3圖進一步顯示，由濾波器420與425傳輸之幅射 將經由傅式轉換拉曼（“FTR”）光譜儀460處理，以提供輸出 信號作為控制器440之輸入信號。例如，由控制器440接收 對應於通過渡波器425之幅射的輸出信號，係用以決定將從 控制器440接收對應於通過濾波器420之幅射輸出信號減去 的一背景值。依據本發明一具體實施例，由FTR光譜儀460 輸出的信號（一 “1倍信號”）將乘以（例如，藉由許多熟習本技 藝者已知之方法中任何一種放大該1倍信號）2〇倍之係數以 提供第二信號（一 “20倍信號，，），而後該2〇倍信號將輸入控 制器440而用於分析。接著，該背景-校準之2〇倍信號將被 監控，而後利用本發明一演算法決定清洗終點。 如下文之說明，本發明之演算法係依據由處理室1〇〇中 1283450 移除四氟化矽，與背景-校準之20倍信號與微粒效能間的關 連。紅外線幅射來源400、截波器輪410、濾波器420、濾波 器42 5、FTR光譜儀可依據許多熟習本技藝者已知之方法中 任何一種所製造，且可由（例如）美國康乃狄克州東哈福特 (East Hartford) MKS儀器公司之市售產品中獲得。控制器 440可以是一個人電腦，或是一操作處理器1〇〇之控制電腦。 熟習本技藝者應瞭解20倍信號係用以提供一便於使用之信 號水準（例如，一 20倍信號可提供適當之電壓解析度），然而 本發明之具體實施例並不受限於使用一 20倍信號。實際上， 存在監控1倍信號或監控任何其他信號水準之其他具體實施 例。此外，雖然在一具體實施例中曾描述使用一截波器輪以 施行背景校準’本發明進一步之具體實施例則不受限於此。 事實上可有其他具體實施例，其中可使用熟習本技藝者已知 之分光器施行背景校準。 如熟習本技藝者將易於瞭解，1倍信號（與2〇倍信號）提 供在清洗製程中前置管線1 65内四氟化矽氣體、红外線幅射吸 收率的測量。依據本發明一具體實施例，本發明之演算法可 在20倍信號達到一預定電壓水準時，偵測出一清洗終點。 依據此具體實施例，預定之電壓水準對應於由處理室1〇〇與 刖置管線165排氧端口移出之四氟化矽的預定百分比。第4 圖顯示HPD CVD處理室100之圖式，其指出處理室1〇〇的 内表面（室表面積“Β”）及一清洗製程排氣端口（排氣端口表面 積“Α”）。依據本發明演算法，由控制器44〇決定移出四氟化 矽的百分比如下： 10 1283450 丄室裊面錄“B， x 100 (至表面積‘6B’’）+ (排氣端口表面積“A”） 依據本發明一具體實施例，當藉清洗製程從移除處理室 1〇〇内部表面與排氣端口内部表面產生之四氟化矽的97·5〇/〇 時，處理室1 〇〇被視為i 〇〇%清洗且可找到一清洗終點。依 據本發明一具體實施例，EPD 300之優勢可動態地調整清洗 寺間’以便藉由追蹤清洗製程之四氟化矽移出而提供一致水 準之處理室清洗。因此，如果排氣端口表面積A改變，確定 達到1 00%清洗處理室所需移出之四氟化矽百分比也將改變。 第5圖顯示如何依據本發明一具體實施例決定清洗終點 之圖形。如第5圖所示，繪於縱座標上者為2〇倍信號幅度 對電壓的函數，而在橫座標上者為對時間的函數（應暸解2〇 倍信號曲線的扁平頂部係由於達到使用電壓刻度之上限）。如 第5圖所示，對應於95%四氟化矽移出之電壓幅度導致一清 洗不足之處理室；對應於97·5%四氟化矽移出之電壓幅度導 致一 100%清洗之處理室；而對應於丨00%四氟化矽移出之電 壓幅度導致一過度清洗之處理室。因此如第5圖所示，窗口 5〇〇對應於一最佳清洗窗口，可最小化由於清洗不足或過度 清洗所產生之添加微粒效應。有利的是，依據本發明一具體 實施例，最佳清洗終點在由處理室與排氣端口移出1〇〇%四 氟化石夕前發生。再者’藉由測量四氟化發氣體副產品以及在 每次達到相同水準時啟動清洗終點（不論處理室之情況）， EDP 300可動態地調整清洗時間（在製程與硬體條件改變情 況下），而能提供一致水準的清洗處理室。再者，由於最佳青 洗時間短於對應於100%四氟化矽移出之時 你 J丨曰j，使用本發明 11 1283450 V 一具體實施例可減低使用之清洗氣體，且由於清洗時間較短 而可提高產量。請注意在使用本發明具體實施例後，雖然可 能仍有一些沉積在前置管線165中，但處理室係1〇〇%清洗。 此外請注意完全清洗前置管線165是不重要的，由於前置管 線165並非處理室10〇中微粒之來源。 在本發明進一步具體實施例中，本發明演算法可加以延 伸以提供終點時間某一百分比之過度清洗。 如上述’ EPD 300(依據一具體實施例）藉由監控二氧化石夕 與氟化鋁之微粒，可在下文說明中決定之最佳清洗窗口内動 態地調整清洗時間，以提供一致、低微粒、高良率之處理室 清洗。以下說明一具體實施例之方法，以決定一預定處理步 驟對應於第5圖中所示窗口 5〇〇之電壓水準的。步驟1:在 2〇倍信號線上選擇一電壓水準以決定一清洗製程的終點（例 如，一開始電壓水準應足夠低以對應於一過度清洗情況）。步 驟2 ·使用EPD 3 00與選定之電壓水準監控清洗製程，以便 確疋該終點《步驟3 :使用預定之處理步驟處理預定數量之 晶圓，依據熟習本技藝者已知之方法之一決定各晶圓添加微 粒之數目；與決定添加微粒之平均數目。步驟4 :按階段增 加用以決定清洗製程終點之電壓，且在每一階段重覆步驟 3。電壓水準最後應增加至足夠高之水準而對應於一清洗不 足It況如上述，在各階段決定之平均添加微粒數目應降低 至最低值，而後當由一過度清洗條件移向清洗不足條件時 將隨之增加。最後，對應於窗口 500之電壓水準實質上應圍 、’堯（至某預疋量内）添加微粒平均值之最低值。如熟習本技 12 1283450 藝者應易於瞭解，除了由過度清洗開始而移向清洗不足外， 上述製程可由清洗不足開始而移向清洗過度。 熟習本技藝者將瞭解上述說明僅供示範與說明。據此， 並非預備無遺漏地或限制本發明於所描述之確定型式中.例 如，可使用任何用於決定清洗製程中一或多副產品吸收率的 方法製造具體實施例。此外，具體實施例中可使用任何清洗 製程（例如但不限於電漿清洗製程（暗或非暗）與非電聚清洗 製程）’且可以是任何型式之處理室（例如且不限於沉積室或 飯刻室）。 【圖式簡單說明】 第1圖顯示一“應用材料，，高密度電漿化學氣相沉積（“HPD CVD”）處理室之圖式； 第2圖顯示第lg|中之高密度電漿化學氣相沉積處理室之圖 式，其進一步包含依據本發明一具體實施例製造之終 點偵測器； 第3圖顯示依據本發明一具體實施例製造之EDp3〇〇之方塊 TSI . 園， 第4圖顯示第2圖中所示之高密度電漿化學氣相沉積處理室 之圖式，其中指出處理室的一内表面及一清洗製程排 氣端口； 第5圖之圓表顯示如何依據本發明一具體實施例決芩一清洗 終點；及 第6圖顯不添加痛^粒與第ί圖餅—^ . 丹弟1圃所不鬲密度電漿化學氣相沉積 1283450 處理室清洗不足或過度清洗之關係圖。 110加熱/冷卻室 1 3 0處理室内壁 150節氣及閘閥組件 165前置管線 180排氣閥 200遠端電漿施加器 220遠端電漿注入歧管 240喷嘴 3 00終點偵測器 4 1 0截波器輪 425濾波器 440控制器 500 窗口 【元件代表符號簡單說明】 100高密度電漿化學氣相沉積室 120線圈組件座檯 140晶圓支撐 160渦輪泵 170排氣閥 190渦輪泵 210遠端電漿注入管 230喷嘴 250喷嘴 400 紅外線來源 420濾波器 430 馬達 460傳式轉換拉曼光譜儀 510 窗口

Claims (1)

1283450 1· 一種用於決定一處理室中執行之清洗製程終點的終點偵 測器，包含： 一巾田射來源’其可發射出輻射光； 一第一滤波器，係經配置以接收該輻射光，其中該 第一濾波器可發出位於siF4吸收頻帶的輻射光； 一第二滤波器，係經配置以接收該輻射光；及 一债測器’其可輸出一訊號，該訊號代表經由該第 ;慮波器所發出的輻射光減去經由該第二濾波器所發出 的輻射光之值。 2.如申請專利範圍第1項所述之偵測器，其中該第二滤波 器是一種中性密度濾波器。 3·如申請專利範圍第1項所述之偵測器，其中該第二濾波 器了發出一頻帶之與該SiF4吸收頻帶波長不同（diferent) 的輻射光。 4 . 申請專利範圍第1項所述之偵測器，其中該第二濾波 可發出一頻帶之與該SiF4吸收頻帶波長相近（close)的 輻射光。 如申睛專利範圍第1項所述之偵測器，更包含： —控制器’其經連接以接收由該偵測器所輸出的訊 15 簡正替換頁 號’並在當該偵測器所輸出的訊號達到一預定數值時產 生一終點信號。 6·如申請專利範圍第1項所述之偵測器，更包含： 一控制器，其經連接以接收由該偵測器所輸出的訊 號’並在當該偵測器所輸出的訊號低於一預定數值時產 生一終點信號。 7·如申請專利範圍第1項所述之偵測器，其中該幅射來源 可發出紅外線幅射光。 8 .如申請專利範圍第1項所述之偵測器，其中該幅射來源 可發出波長與一 SiF4吸收頻帶波長互相重疊之輻射光。 9·如申請專利範圍第1項所述之偵測器，更包含： 一處理室，其具有一排氣管線； 其中該輻射源係經配置以發出該輻射光進入該排氣 管線，·及 其中該第一及第二濾波器係經配置以自該排氣管線 接收該輻射光。 ι〇·—種用於決定一處理室中執行之清洗製程終點的終點偵 測器，包含： 一幅射來源，其可發射出輻射光； 16 τί28345θ — ~—- 月^轉:更)正替換頁 一第一渡波器，係經配置以接收該輻射光，其中該 第一濾波器可發出位於972 nm波長的輻射光； 一第二渡波器，係經配置以接收該輻射光；及 一偵測器’其可輸出一訊號，該訊號代表經由該第 一滤波器所發出的輻射光減去經由該第二濾波器所發出 的輻射光之值。 11 ·如申請專利範圍第10項所述之偵測器，其中該第二濾波 器是一種中性密度濾波器。 1 2.如申請專利範圍第丨〇項所述之偵測器，其中該第二濾波 器可發出一頻帶之與9 72 nm波長不同的輻射光。 1 3.如申凊專利範圍第丨〇項所述之偵測器，其中該第二濾波 器可發出一頻帶之與972 nm波長相近的輻射光。 14·如申請專利範圍第10項所述之偵測器，更包含： ^ 控制器’其經連接以接收由該偵測器所輸出的訊 號，並在當該偵測器所輸出的訊號達到一預定數值時產 生一終點信號。 如申哨專利範圍帛1 〇項所述之偵測器，更包含： 。 控制器’其經連接以接收由該偵測器所輸出的訊 "並在田該偵測器所輸出的訊號低於一預定數值時產 17 邊硬)正替換頁 生一終點信號。 16 ·如申請專利範圍第1 〇項所述之偵測器，其中該幅射來源 可發出紅外線幅射光。 1 7.如申請專利範圍第1 〇項所述之偵測器，其中該幅射來源 可發出波長與一 SiF4吸收頻帶波長互相重疊之輻射光。 1 8 ·如申請專利範圍第1 〇項所述之偵測器，更包含： 一處理室，其具有一排氣管線； 其中該輻射源係經配置以發出該輻射光進入該排氣 管線；及 其中該第一及第二濾波器係經配置以自該排氣管線 接收該輻射光。 19· 一種用於決定一處理室中執行之清洗製程終點的終點偵 測器，包含： 一幅射來源，其可發射出波長與該清洗製程之一副 產品的吸收頻帶重疊之輻射光； 一第一濾波器’係經配置以接收該輻射光，其中該 第一濾波器可發出波長位在該副產品的吸收頻帶的輻射 光； 一第二濾波器，係經配置以接收該輻射光；及 一偵測器，其可輸出一訊號，該訊號代表經由該第 18 1283450 卜年> 月/囉 I 一濾波器所發出的輻射光減去經由該第二濾波器所發出 的輻射光之值。 20.如申請專利範圍第1 9項所述之偵測器，其中該第二濾波 器是一種中性密度濾波器。 2 1.如申請專利範圍第1 9項所述之偵測器，其中該第二濾波 器可發出一頻帶之與該副產品的吸收頻帶波長不同的輻 射光。 22. 如申請專利範圍第1 9項所述之偵測器，其中該第二濾波 器可發出一頻帶之與該副產品的吸收頻帶波長相近的輻 射光。 23. 如申請專利範圍第1 9項所述之偵測器，更包含： 一控制器，其經連接以接收由該偵測器所輸出的訊 號，並在當該偵測器所輸出的訊號達到一預定數值時產 生一終點信號。 24. 如申請專利範圍第1 9項所述之偵測器，更包含： 一控制器，其經連接以接收由該偵測器所輸出的訊 號，並在當該偵測器所輸出的訊號低於一預定數值時產 生一終點信號。 19 3/3^50^ 25. 如申請專利範圍第1 9項所述之偵測器，其中該幅射來源 可發出紅外線幅射光。 26. 如申請專利範圍第1 9項所述之偵測器，更包含： 一處理室，其具有一排氣管線； 其中該輻射源係經配置以發出該輻射光進入該排氣 管線；及 其中該第一及第二濾波器係經配置以自該排氣管線 接收該輻射光。 27. —種用於決定一處理室中執行之清洗製程終點的方法， 其至少包含下列步驟： 發出波長與該清洗製程之一副產品的吸收頻帶重疊 的輻射光，藉以引導該幅射光進入該處理室的一排氣管 線中； 自該排氣管線接收該輻射光； 藉由以一第一濾波器過濾該接收自排氣管線之輻射 光而產生一第一訊號，該第一濾波器係可發出位在該副 產品的吸收頻帶的光； 藉由以一第二濾波器過濾該接收自排氣管線之輻射 光而產生一第二訊號， 藉由將該第一訊號減去該第二訊號而產生一第三訊 號；及 當該第三訊號達到一預定數值時，即決定出該清洗製 20

程之終點。 28. 如申請專利範圍第27項所述之方法，其中該第二濾波器 可發出一頻帶之與該副產品的吸收頻帶波長不同的輻射 光。 29. 如申請專利範圍第27項所述之方法，其中該第二濾波器 可發出一頻帶之與該副產品的吸收頻帶波長相近的轄射 光。 30. 如申請專利範圍第27、28或29項中任一項所述之方法， 其中該副產品的吸收頻帶是一 SiF4吸收頻帶。 21 碎8子450——- k年上月/日修暖)正替換頁丨

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