TWI283023B - Wafer level packaging process - Google Patents

Description

1283似 ：wf.doc/r 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種半導體製程，且特別是有關於一 種具有較佳之切割精度的晶圓級封裝製程。 【先前技術】 、句在，電產業蓬勃發展的今日，光電元件之製程亦結合 漸赵^或的半導體製程技術，不斷朝著微型化的方向發 屉$見的光黾元件包括電荷_$(Charge-Coupled Device， CCD)晶曰片、CM0S影像感測(CM〇S lmage Sensor，卿晶 片太陽此電池(Sc)lar Cdl)及生化晶片（BiQ_chip)等，其可 level Packase)^#*>i ^ 低衣作成本並提高其生產效率。 時，合=二=之光電元件在進行晶81級之封裝製程 3在日日0上配置一透明蓋板(例如玻 其後，再對透^Λ板及每―晶片之間形成—密閉空間。 多顆獨立的晶；i封裝結構。 ㈣作，以传到

# 得；w的疋，上述之晶圓級封裝製程是分別料、# HH 1板以及晶圓進行切割。當完成第一道 +透月 明基板上形成多個切割道之後，需要再將=而在透 翻面，由另一側對晶圓進行第二道切割製：。二:與晶圓 :切=’，多是使刀具沿固定的二= 成交的移動與旋轉’以在晶圓或透明基 1283 1283

f.doc/r 里然而，由於晶圓背面上欠缺可對刀具進行定位的基準 j，因此將晶圓與透明基板翻面，以進行第二道切割製程 守必須要先在晶圓之背面切割出縱向基準線及横白 ，，線，接著再以縱向基準線及橫向基準線為基準 ^晶圓之背面下刀來切割晶圓，而分別形成多條縱向 =釗線及多條橫向切割線，藉以分開連在一起的晶 &，亦即在切割晶圓時，正要切割的縱向切割線係: 為基準’然而刀具在移動時會有傾 上存在，往往容易造成晶圓與刀具之間對位 率心：=—來，刀具在切割晶圓時，便有很大的機 二元件，或是晶圓與透明基板上的切割道 塊件的=:而影響單酬一一彳_成之晶片 【發明内容】 程，二^二!日，發明之目的是提供—種晶圓級封H製 程良率解决切叫刀具無法準確對位的問題，進而提高ί 製程的提種晶圓級封裝 於晶圓上，1 ·棱i、一日日圓；接合一透明蓋 之部分邊緣凸出二蓋==置’使得透明蓋板 透明蓋板上形成多個=:=心板進行切割，以在 由凸出於晶圓外之透:、：：L明盖板與晶圓翻面，·韁 晶圓進行切割；以二反的切割道作為參考線，以哿 及，對晶圓與透明蓋板進行-單體化步 mmi,〇c/r 驟，以形成多個晶片封裝件。 在本發明之一實施例中， 包括預先將晶圓配置於一切;^切，明蓋板時，更 如是uv膠膜。 人其中此切割軟墊例 在本發明之-實施例中，上述切 方法包括機械切割或雷射切割。 月風板或晶圓的 在本發明之一實施例中， 括：沿-切割方向在透明蓋板上月蓋板的步驟包 使晶圓與透明蓋板旋轉 。方向在透明蓋板上形成多個相互及，沿切 :，切割晶圓的步驟包括:以凸圓 成多個相互平行的第三例、首曰切打向在晶圓上形 定角度；以及，沿切割方蓋板旋轉特 第四切割道。另外，上述之互平行的 基：上述’本發明使晶圓與透明蓋板接合時錯位配 以在晶圓與透明蓋板翻面以後，可以藉由觀察先前所 〔成的切割這來作為後續切割製程中，刀具的對位 製程本發明有助於改善切割時的精石1度，進而提昇 為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 明女重下下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說 【實施方式】 I283(^a,oc/r f明蓋板120上形成多個相互平行的第—切割道122a。其 ，^具170例如是沿一直線方向進行縱向切割，而載台 50是以步進的方式帶動晶圓110與透明蓋板12〇沿方： ^移動’以使刀具m在透日賤板12G上依序形成平 仃的弟一切割道122a。 請再參考圖3A與3B，在形成第一切割道心之後， :15〇會帶動晶圓11〇與透明蓋板12〇旋轉一特定角 令1如'9G度之直角’並且再度重複上述的切割步驟， I明蓋板12G上形成多個相互平行的第二切判道 ^其中第二切割道mb例如是與第一切割道η 互垂直。 ηο’如圖从與4B所示，將透明蓋板120與晶圓 以在曰p/亚且重複進行如圖3A與3B所述的切割步驟， 110上形成多個切割道112。值得注意的是，由 接合透明基板120與晶圓110時，是使透明基 〔、曰曰圓110錯位配置，而透明蓋板12〇可以透光，

大 將透明蓋板120與晶圓no翻面之後，前一、#J :來，的透明蓋板120而被觀察到。如此 —、，刀軎彳晶圓110之前，便可以藉由透明蓋 的切軎；1道122作A+ 皿反120上 升切割時獅=切，伽具17G蝴位，以提 白^提^^本發明⑽謂晶®! no與透明蓋板 /去除了可以是以刀具170所進行的機械切割之 9

Claims (1)

1. mmi,d0C/T 十、申請專利範圍： 1. 一種晶圓級封裝製程，包括： ^ 提供一晶圓； ^ 接合一透明蓋板於該晶圓上，其中該透明蓋板與該晶 圓錯位配置，使得該透明蓋板之部分邊緣凸出於該晶圓之 外； 對該透明蓋板進行切割，以在該透明蓋板上形成多個 切割道； 將該透明盡板與€亥晶圓翻面， 藉由凸出於該晶圓外之該透明蓋板上的該些切割道 作為爹考線’以對该晶圓進彳亍切割，以及 對該晶圓與該透明蓋板進行一單體化步驟，以形成多 個晶片封裝件。 2. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓級封裝製程，其 中在切割該透明蓋板時，更包括預先將該晶圓配置於一切 割軟墊上。 φ 3.如申請專利範圍第2項所述之晶圓級封裝製程，其 中該切割軟墊包括UV膠膜。 4. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓級封裝製程，其 中切割該透明蓋板的方法包括機械切割或雷射切割。 5. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓級封裝製程，其 中切割該晶圓的方法包括機械切割或雷射切割。 6. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓級封裝製程，其 中切割該透明蓋板的步驟包括： 12 1283腿_ 沿一切割方向在該透明蓋板上形成多個相互平行的 第一切割道； 使該晶圓與該透明蓋板旋轉一特定角度；以及 沿該切割方向在該透明蓋板上形成多個相互平行的 第二切割道。 7. 如申請專利範圍第6項所述之晶圓級封裝製程，其 中對該晶圓進行切割的步驟包括： 以凸出於該晶圓外之該透明蓋板上的該些切割道作 為切割時的參考線，而沿該切割方向在該晶圓上形成多個 相互平行的第三切割道； 使該晶圓與該透明蓋板旋轉該特定角度；以及 沿該切割方向在該晶圓上形成多個相互平行的第四 切割道。 8. 如申請專利範圍第7項所述之晶圓級封裝製程，其 中該特定角度為直角。

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